JP4063154B2 - 発振回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、基準クロック発生などに適用される低電源電圧で動作可能な発振回路に関し、特に、集積回路化に適した発振回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
抵抗及びコンデンサを用いた発振回路に関する従来技術として、特許文献1に記載されたものがある。この特許文献1には、素子特性にばらつき等が生じた場合でも、クロック信号の周波数変動を抑えることができる発振回路が開示されている。
【0003】
図9は、従来技術として開示された発振回路を示す図である。37はマイクロコンピュータ38に設けられた発振用端子であり、マイクロコンピュータ38の外部では発振用端子37と接地との間にコンデンサ39が接続されている。以下、マイクロコンピュータ38の内部構成について説明する。40,41は電源Vddと接地との間に直列接続された抵抗であり、本実施例において抵抗40,41の抵抗値は同一とし、抵抗40,41の接続点からはVdd/2が得られるものとする。42は演算増幅器であり、+(非反転入力)端子は抵抗40,41の接続中点と接続され、−(反転入力)端子は出力端子と接続されている。即ち、抵抗40,41及び演算増幅器42より電圧フォロワ回路が構成されており、演算増幅器42の出力端子からはVdd/2の基準電圧aが発生する。以上が基準電圧発生回路の構成である。
【0004】
43は比較器であり、−端子は発振用端子37を介してコンデンサ39の非接地側の一端と接続され、出力端子は直列接続された抵抗44,45を介して演算増幅器42の出力端子と接続され、+端子は抵抗44,45の接続中点と接続されている。なお、本実施例では抵抗44,45の抵抗値は同一とし、図示はしていないが、比較器43の電源入力は電源Vdd及び大地に接続されている。即ち、比較器43は、ヒステリシスを有する基準電圧(Vdd/4又は3Vdd/4)が+端子に印加され、該基準電圧と−端子に印加されるコンデンサ39の充放電電圧とを比較するものである。具体的には、比較器43の出力cがハイレベル(=Vdd)の時、+端子に印加される基準電圧bは3Vdd/4となり、3Vdd/4とコンデンサ39の端子電圧とが比較される。また、比較器43の出力cがロウレベル(=0)の時、+端子に印加される基準電圧bはVdd/4となり、Vdd/4とコンデンサ39の端子電圧とが比較される。
【0005】
46は(第1の)Pチャンネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSトランジスタという。)、47は(第1の)Nチャンネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSトランジスタという。)であり、各々のドレイン・ソース路は電源Vddと接地との間に直列接続され、各ゲートは共通接続されて比較器43の出力端子と接続されている。なお、PMOSトランジスタ46及びNMOSトランジスタ47より第1のインバータ回路が構成される。48は抵抗であり、一端は前記第1のインバータ回路の出力、即ちPMOSトランジスタ46及びNMOSトランジスタ47のドレインと接続されている。
【0006】
49は演算増幅器であり、+端子は抵抗48の他端と接続され、−端子には基準電圧a(=Vdd/2)が印加されている。即ち、演算増幅器49は+端子入力を−端子入力に一致させる様に動作する。
【0007】
50は(第2の)PMOSトランジスタ、51は(第2の)NMOSトランジスタであり、PMOSトランジスタ50において、そのソースは抵抗52を介して電源Vddと接続され、ドレインはNMOSトランジスタ51のドレインと接続され、ゲートはNMOSトランジスタ51のゲートと接続されている。NMOSトランジスタ51のソースは抵抗53を介して接地されている。以上は第2のインバータ回路を構成しており、第2のインバータ回路の入力即ちPMOSトランジスタ50及びNMOSトランジスタ51のゲートは演算増幅器49の出力端子と接続され、第2のインバータ回路の出力即ちPMOSトランジスタ50及びNMOSトランジスタ51のドレインは演算増幅器49の+端子と接続されている。なお、演算増幅器49はPMOSトランジスタ50又はNMOSトランジスタ51を介して出力から入力へのフィードバックループができるので、2つの入力がイマジナリショートとなる。
【0008】
また、54は(第3の)PMOSトランジスタ、55は(第3の)NMOSトランジスタであり、PMOSトランジスタ54において、そのソースは抵抗56を介して電源Vddと接続され、ドレインはNMOSトランジスタ55のドレインと接続され、ゲートはNMOSトランジスタ55のゲートと接続されている。NMOSトランジスタ55のソースは抵抗57を介して接地されている。以上は第3のインバータ回路を構成しており、第3のインバータ回路の入力即ちPMOSトランジスタ54及びNMOSトランジスタ55のゲートは演算増幅器49の出力端子と接続され、第3のインバータ回路の出力、即ちPMOSトランジスタ54及びNMOSトランジスタ55のドレインは発振用端子37を介してコンデンサ39の非接地側の一端と接続されている。
【0009】
なお、図示はしていないが、演算増幅器49の電源入力もVdd及び接地と接続されている。ところが、演算増幅器49の最大出力電圧はVdd−αであり、また、Vss〜(Vss+α)の範囲ではリニアリティを持ちにくい。そこで、第2及び第3のインバータ回路ともにリニアリティのある出力を得るために、抵抗52,53,56,57が設けられている。
【0010】
この発振回路の動作を簡単に説明する。比較器43の出力cがハイレベルの場合は、基準電圧bが3Vdd/4となり、第1のインバータ回路においてNMOSトランジスタ47のドレイン電流が流れ、演算増幅器49の出力により第2のインバータ回路においてPMOSトランジスタ50のドレイン電流が流れる。このとき、演算増幅器49の−端子の電圧はVdd/2であるから、抵抗48の抵抗値をRとすると、接地に対してVdd/2Rの電流が抵抗48に流れる。第3のインバータ回路も演算増幅器49の出力により動作するので、PMOSトランジスタ54よりコンデンサ39に対して電流Vdd/2Rを流す。コンデンサ39の端子電圧dが上昇して比較器43の−端子の電圧が基準電圧bの3Vdd/4を超えると比較器43の出力cはロウレベルとなる。
【0011】
比較器43の出力cがロウレベルの場合は、基準電圧Vdd/4となり、第1のインバータ回路においてPMOSトランジスタ46のドレイン電流が流れ、演算増幅器49の出力により第2のインバータ回路においてNMOSトランジスタ51のドレイン電流が流れる。このとき、演算増幅器49の−端子の電圧はVdd/2であるから、電源VddよりVdd/2Rの電流が抵抗48に流れる。第3のインバータ回路も演算増幅器49の出力により動作するので、NMOSトランジスタ55はコンデンサ39から電流Vdd/2Rを接地に対して流す。コンデンサ39の端子電圧dが下降して比較器43の−端子の電圧が基準電圧bのVdd/4より下がると比較器43の出力cはハイレベルとなる。
【0012】
以上のように比較器43の出力cのレベルが、ハイレベルとロウレベルを繰り返すことによって発振動作が継続される。なお、この発振回路は、電源電圧が変動しても一定周波数のクロック信号を得ることができる。
【0013】
他の従来技術には、例えば特許文献2に記載がある。この特許文献2に記載された従来技術は、集積回路化に適した可変周波数発振回路であって、ここでは図10にその回路構成を示す。図10において、積分器INT60は反転増幅器E60と、この反転増幅器E60の入出力端に接続されたコンデンサC60とによって構成されている。この反転増幅器E60の入力端はスイッチ回路60、定電流源61を介して接地されるとともに、定電流源62を介して電源Vccが供給される電源端子63に接続されている。前記定電流源62と定電流源61の出力電流I62、I61の関係は例えば1対2とされている。
【0014】
反転増幅器E60の出力端は抵抗R60の一端に接続されている。この抵抗R60の他端は、NPN型トランジスタQ60のベース及びコレクタに接続されるとともに、定電流源64を介して電源端子63に接続されている。このトランジスタQ60のエミッタは接地され、ベースはNPN型トランジスタQ61のベースと共通接続されている。これらトランジスタQ60、Q61はカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ61のエミッタは接地され、コレクタは定電流源65を介して電源端子63に接続されるとともに、スイッチ回路66及び定電流源67を介して電源端子63に接続されている。さらに、トランジスタQ61のコレクタはスイッチ制御回路68を介して出力端子69に接続されている。
【0015】
このスイッチ制御回路68は、トランジスタQ61のコレクタ電流Ic(Q61)と、定電流源65,67の出力電流I65,I67の加算値I65+I67とが、Ic(Q61)>I65+I67の関係であると、スイッチ回路60,66をオフ状態とする制御信号を出力し、スイッチ回路60,66をオフ状態とする。
【0016】
また、トランジスタQ61のコレクタ電流Ic(Q61)が定電流源65の出力電流I65より小さくなった場合(Ic(Q61)<I65)、スイッチ回路60,66をオン状態とする制御信号を出力し、スイッチ回路60,66をオン状態とする。さらに、この制御信号は、発振出力として出力端子69から出力される。
【0017】
以上の構成において、抵抗R60の一端と反転増幅器E60の接続ノードをA、抵抗R60の他端とトランジスタQ60のベースとの接続ノードをBとして、動作について説明する。スイッチ回路60,66がオフ状態で、かつIc(Q61)>I65の状態において、接続ノードAの電圧が降下すると接続ノードBから接続ノードAに流れる電流IABが増えるので、トランジスタQ60のコレクタ電流(I64−IAB)は減少し、またトランジスタQ61のコレクタ電流Ic(Q61)も減少する。そして、Ic(Q61)<I65となるとスイッチ回路60,66はオン状態となり、反転増幅器E60の入力電圧は下降するので接続ノードAの電圧は上昇する。トランジスタQ61のコレクタ電流は、Ic(Q61)<I65+I67となっている。接続ノードAの電圧が上昇してゆくと接続ノードBからAに流れる電流IABは減少して、トランジスタQ60のコレクタ電流(I64−IAB)は増加してトランジスタQ61のコレクタ電流も増加する。接続ノードAとBの電圧が同じになると抵抗R60には電流が流れなくなる。接続ノードAの電圧がBの電圧より高くなると、トランジスタQ61のコレクタ電流は、Ic(Q61)>(I65+167)の関係になって、スイッチ回路60,66は再びオフする。このようにして、スイッチ回路60,66のオン・オフを繰り返すことで発振動作を持続する。
【0018】
特許文献2の図1に示す回路は、電源端子63と接地間に存在するトランジスタの動作に必要なベース・エミッタ間電圧は1段のみとなっているため、0.9V程度の低い電源電圧によっても十分動作させることが可能である。
【0019】
【特許文献1】
特開平8−204517号公報(第2頁〜第4項,図1)
【特許文献2】
特許第3688814号公報(第3頁〜第4頁,図1)
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特許文献1に記載された従来技術では、電源電圧が変動しても一定周波数クロックを得ることができるが、比較器(コンパレータ)43にヒステリシス電圧が発生するために、入力電圧範囲をある程度確保する必要がある。そのため、電源電圧が1V程度になるとコンパレータが動作しなくなる可能性があり、低電源電圧に向かない。
【0021】
また、特許文献2に記載された従来技術では、0.9V程度の低い電源電圧でも動作可能であるが、電流の大小比較によりスイッチ回路60,66のオン・オフを行っているため、基準となる電流(基準電流源など)は基準電圧よりばらつきやすく、したがって発振器出力の発振周波数にばらつきが発生しやすいという問題があった。
【0022】
この発明の目的は、1V以下の低電源電圧でも動作して、また電源電圧の変動に対して一定周波数が得られ、かつ周波数のばらつきが少ない発振回路を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、発振回路は、コンデンサと、基準電圧を生成する定電圧回路と、前記コンデンサの充電電流経路に、オン・オフ可能な充電用電流源、オン・オフ可能な充電電圧検出用の基準電流源、及び充電電圧検出抵抗を設けるとともに、前記コンデンサの放電電流経路に、オン・オフ可能な放電用電流源、オン・オフ可能な放電電圧検出用の基準電流源、及び放電電圧検出抵抗を設けて、前記コンデンサの充電電圧、及び放電電圧に応じた三角波信号により、前記コンデンサの充電制御と放電制御を行う充放電回路と、前記定電圧回路と一方の入力端子が接続され、前記充放電回路の充電電圧検出端子と他方の入力端子が接続されて、前記コンデンサの充電電圧を検出する第1のコンパレータと、前記充放電回路の放電電圧検出端子と一方の入力端子が接続され、前記定電圧回路と他方の入力端子が接続されて、前記コンデンサの放電電圧を検出する第2のコンパレータと、前記第1のコンパレータの出力信号と前記第2のコンパレータの出力信号に基づいて、前記コンデンサの充放電タイミングを制御するための制御信号を生成する制御回路とから構成される。
【0024】
この発振回路では、第1、第2のコンパレータを、テール電流源を有しない差動回路により構成するとともに、充放電回路では、充電電圧検出用の基準電流源及び放電電圧検出用の基準電流源により、充電電圧検出抵抗及び放電電圧検出抵抗に流れる電流値を設定して、三角波信号の実動作電圧を基準電圧から(抵抗値)×(定電流値)分だけシフトさせて、2つのコンパレータの動作点をそれぞれコンパレータ電源電圧の中間値に持ってくることによってヒステリシス電圧を抑止できること、しかも充放電電圧を検出するコンパレータに、定電流源(テール電流源)を使用しない差動回路を用いることで、基準電圧をNMOSトランジスタの閾値電圧である0.6V程度に設定でき、このことにより、低電圧動作が可能になる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(第一の実施形態)
図1は、この発明の第一の実施形態を示す発振回路のブロック図である。図1に示す発振回路は、基準電圧Vrefを生成する定電圧回路1と、電流を充放電するコンデンサCoと、コンデンサCoの充放電を制御する充放電回路5と、コンデンサCoの充電電圧を検出する第1のコンパレータ2と、コンデンサCoの放電電圧を検出する第2のコンパレータ3と、コンデンサCoの充放電タイミングを制御するための制御信号を生成する論理回路4とから構成されている。
【0026】
この発振回路の充放電回路5は、コンデンサCoの充電電流経路をなすオン・オフ可能な充電用電流源6、オン・オフ可能な充電電圧検出用の基準電流源7、充電電圧検出抵抗R1と、コンデンサCoの放電電流経路をなすオン・オフ可能な放電用電流源8、オン・オフ可能な放電電圧検出用の基準電流源9、放電電圧検出抵抗R2と、コンデンサCoの充電状態を検出する充電電圧検出端子10と、充電制御端子11と、放電制御端子12と、コンデンサCoの放電状態を検出する放電電圧検出端子13と、第1乃至第3の出力端子14〜16とを具備している。
【0027】
このうち、充電用電流源6の一端は充電電圧検出抵抗R1の一端、及び第1の出力端子14に接続され、充電用電流源6の他端は第1の電源端子17に接続され、+側電源電圧Vddが印加されている。また、充電電圧検出抵抗R1の他端は充電電圧検出用の基準電流源7の一端に接続され、その接続点は充電電圧検出端子10に接続され、充電電流検出用の基準電流源7の他端は、第2の電源端子18に接続され、−側電源電圧Vssが印加されている。そして、充電用電流源6と充電電圧検出用の基準電流源7は、それぞれ充電制御端子11に接続され、オン・オフ制御をするように構成されている。
【0028】
充放電回路5の放電用電流源8の一端は、放電電圧検出抵抗R2の一端、及び第1の出力端子14に接続され、放電用電流源8の他端は第2の電源端子18に接続され、−側電源電圧Vssが印加されている。また、放電電圧検出抵抗R2の他端は放電電圧検出用の基準電流源9の一端に接続され、その接続点は放電電圧検出端子13に接続され、放電電流検出用の基準電流源9の他端は第1の電源端子17に接続され、+側電源電圧Vddが印加されている。そして、放電用電流源8と放電電圧検出用の基準電流源9は、それぞれ放電制御端子12と接続されて、オン・オフ制御をするように構成されている。
【0029】
発振回路の第1のコンパレータ(COMP1)2は、例えば非反転入力端が定電圧回路1と接続され、他方の反転入力端が充放電回路5の充電電圧検出端子10に接続される。また、第2のコンパレータ(COMP2)3は、例えば反転入力端が定電圧回路1に接続され、他方の非反転入力端が充放電回路5の放電電圧検出端子13に接続される。そして、論理回路4はRSフリップフロップのような2入力端を備え、例えばそのセット入力端SBは第1のコンパレータ(COMP1)2の出力端と接続され、他方のリセット入力端RBは第2のコンパレータ(COMP2)3の出力端と接続されている。
【0030】
さらに、この論理回路4には、例えば出力信号Qと出力信号QBのように、互いに論理が逆となる2つの出力端を設け、一方の出力端から出力信号QBを充放電回路5の充電制御端子11に供給し、他方の出力端から出力信号Qを充放電回路5の放電制御端子12に供給している。この充放電回路5では、第1の出力端子14に他端が大地に接続されたコンデンサCoを接続することにより、充放電回路5の出力端子14から三角波信号(Vtri)を出力し、論理回路4の2出力端が接続される第2の出力端子15、及び第3の出力端子16からは、それぞれ所定の矩形波信号(Vpulse,VpulseB)を出力することができる。
【0031】
図2は、図1の発振回路における論理回路4の構成と、その信号論理を示す図である。
図2に示すように、論理回路4の一例として、2つのNAND回路N1,N2からなるRSフリップフロップを想定している。この場合、入力信号RB,SBに対して真理値表の論理にしたがって、2つの出力信号QとQBを得ることができる。
【0032】
いま、充電用電流源6及び充電電圧検出用の基準電流源7と、放電用電流源8及び放電電圧検出用の基準電流源9は、充電制御端子11及び放電制御端子12がハイレベル(H)になったとき、それぞれ一定電流を出力するものとする。また、充電用電流源6と充電電圧検出用の基準電流源7による充電電流(charge)の大きさを、それぞれIc、Irefcとしたとき、Ic>Irefcの関係となるように設定し、放電用電流源8と放電電圧検出用の基準電流源9による放電電流(discharge)の大きさを、それぞれId、Irefdとして、それらをId>Irefdの関係に設定している。
【0033】
図3は、図1の発振回路の各部信号波形を示すタイミング図である。
コンデンサCoが充電される期間(充電期間)には、充電制御端子11はハイレベル(H)、放電制御端子12はロウレベル(L)であり、充電用電流源6及び充電電圧検出用の基準電流源7はオン、放電用電流源8及び放電電圧検出用の基準電流源9はオフに制御されている。このときの充電電圧検出端子10の電圧VHは、下記の式(1)であらわされ、図3(b)に示すように変化する。なお、図3(a)に示すように、充放電回路5の第1の出力端子14から出力される信号電圧をVtriとする。
【0034】
【数1】
VH=Vtri−R1×Irefc …(1)
コンデンサCoの充電電流は(Ic−Irefc)となるから、充電電圧検出端子10の電圧VHは、図3(b)に示すように一定の割合で上昇する。充電電圧検出端子10の電圧VHが定電圧回路1の基準電圧Vref以下であるとき、図3(c)に示すように、第1のコンパレータ(COMP1)2の出力電圧SBはハイレベル(H)となる。
【0035】
また、放電電圧検出端子13の電圧VLは、下記の式(2)であらわされる。
【0036】
【数2】
VL=Vtri …(2)
しかし、第2のコンパレータ(COMP2)3の出力電圧RBは、図3(e)に示すように、途中で放電電圧検出端子13の電圧VLが定電圧回路1の基準電圧Vrefを超えてロウレベル(L)からハイレベル(H)に変わるけれども、その際にはRSフリップフロップの出力信号Q,QBは変化しない。
【0037】
充電電圧検出端子10の電圧VHが定電圧回路1の基準電圧Vrefを超えると、第1のコンパレータ(COMP1)2の出力電圧SBはハイレベル(H)からロウレベル(L)に反転し、第2のコンパレータ(COMP2)3の出力電圧RBはハイレベル(H)を維持しているので、RSフリップフロップの出力信号Q、QBは反転して、充電制御端子11はハイレベル(H)からロウレベル(L)に変化し、放電制御端子12はロウレベル(L)からハイレベル(H)に変化する。そうすると、充電用電流源6及び充電電圧検出用の基準電流源7はオフ、放電用電流源8及び放電電圧検出用の基準電流源9はオンして、コンデンサCoの放電動作が開始される。
【0038】
コンデンサCoの放電期間になると、放電電圧検出端子13の電圧VLと充電電圧検出端子10の電圧VHはつぎのようになる。
【0039】
【数3】
VL=Vtri+R2×Irefd …(3)
【0040】
【数4】
VH=Vtri …(4)
コンデンサCoの放電電流は(Id−Irefd)であり、放電電圧検出端子13の電圧VLは図3(d)に示すように一定の割合で下降する。この電圧VLが定電圧回路1の基準電圧Vref以上であるとき、第2のコンパレータ(COMP2)3の出力電圧RBはハイレベル(H)である。そして、第1のコンパレータ(COMP1)2の出力電圧SBは、放電途中で充電電圧検出端子10の電圧VHが基準電圧Vref以下になるので、ロウレベル(L)からハイレベル(H)に変わるが、RSフリップフロップの出力信号Q、QBは変化しない。放電電圧検出端子13の電圧VLが基準電圧Vref以下になると、第2のコンパレータ(COMP2)3の出力電圧RBはハイレベル(H)からロウレベル(L)に反転して、第1のコンパレータ(COMP1)2の出力電圧SBはハイレベル(H)を維持しているので、論理回路4の出力信号Q、QBは反転して、放電制御端子12はハイレベル(H)からロウレベル(L)に変化し、充電制御端子11はロウレベル(L)からハイレベル(H)に変化する。そうすると、放電用電流源8及び放電電圧検出用の基準電流源9はオフ、充電用電流源6及び充電電圧検出用の基準電流源7はオンして、コンデンサCoの充電動作が開始される。
【0041】
以上のようにして、コンデンサCoは充放電動作を繰り返すから、発振回路では発振動作が継続して実行され、充放電回路5の第1の出力端子14からは三角波信号(Vtri)が、RSフリップフロップ(論理回路4)から第2の出力端子15と第3の出力端子16からは、お互いに逆の論理である矩形波信号(Vpulse,VpulseB)がそれぞれ出力される。
【0042】
なお、上述した発振回路において、第1のコンパレータ(COMPl)2又は第2のコンパレータ(COMP2)3の非反転入力と反転入力を入れ換えた場合には、論理回路4を構成するRSフリップフロップの真理値表に示される論理を、入力信号RB,SBがハイレベルからロウレベルの変化で出力反転する負論理動作から、ロウレベルからハイレベルの変化で出力反転する正論理動作に変更することにより、図1の発振回路と同様、コンデンサCoを充放電制御するものが実現できる。
【0043】
図4は、図1の発振回路を構成する充放電回路の一例を示す回路図である。
図4において、PMOSトランジスタMp1とPMOSトランジスタMp2のカレントミラー回路と、スイッチであるPMOSトランジスタMp3からなる充電用電流源6と、NMOSトランジスタMn1とNMOSトランジスタMn2のカレントミラー回路と、スイッチであるNMOSトランジスタMn3と、NMOSトランジスタMn3のゲートに接続されているインバータINV1からなる充電電圧検出用の基準電流源7と、充電電圧検出用の抵抗R1とによって、コンデンサCoの充電電流経路が構成されている。ここで、PMOSトランジスタMp1のドレイン電流Idp1は、第1の電流源I1に流れる電流に比例した大きさとなり、NMOSトランジスタMn1のドレイン電流Idn1は、第2の電流源I2に流れる電流に比例した大きさとなる。
【0044】
ドレイン電流Idp1とドレイン電流Idn1の関係は、
【0045】
【数5】
Idp1>Idn1 …(5)
である。PMOSトランジスタMp3のゲートとインバータINV1の入力端は、それぞれ充電制御端子11に接続されている。したがって、充電制御端子11がハイレベルのとき、PMOSトランジスタMp3とNMOSトランジスタMn3はオフして、コンデンサCoの充電電流としてIdp1が流れ、その充電電圧検出電流としてIdn1が流れる。
【0046】
また、図4では、NMOSトランジスタMn4とNMOSトランジスタMn5のカレントミラー回路と、スイッチであるNMOSトランジスタMn6と、このNMOSトランジスタMn6のゲートに接続されているインバータINV2からなる放電用電流源8と、PMOSトランジスタMp4とPMOSトランジスタMp5のカレントミラー回路と、スイッチであるPMOSトランジスタMp6からなる放電電圧検出用の基準電流源9と、放電電圧検出用の抵抗R2とによって、コンデンサCoの放電電流経路が構成されている。ここで、NMOSトランジスタMn4のドレイン電流Idn4は、第3の電流源I3に流れる電流に比例した大きさとなり、PMOSトランジスタMp4のドレイン電流Idp4は、第4の電流源I4に流れる電流に比例した大きさとなる。
【0047】
ドレイン電流Idn4とドレイン電流Idp4の関係は、
【0048】
【数6】
Idn4>Idp4 …(6)
である。PMOSトランジスタMp6のゲートとインバータINV2の入力端は、それぞれ放電制御端子12に接続されている。したがって、放電制御端子12がハイレベルのとき、NMOSトランジスタMn6とPMOSトランジスタMp6はオフして、コンデンサCoの放電電流としてIdn4が流れ、その放電電圧検出電流としてIdp4が流れる。
【0049】
図5は、図1の発振回路を構成するコンパレータ2,3の一例を示す回路図である。
第1のコンパレータ(COMP1)2と第2のコンパレータ(COMP2)3は、いずれも同様の回路構成であって、NMOSトランジスタMn8とNMOSトランジスタMn9を差動入力回路として、そのカレントミラー負荷がPMOSトランジスタMp8とPMOSトランジスタMp9により構成されている。また、PMOSトランジスタMp10とNMOSトランジスタMn10は、インバータ構成の出力段を構成している。このコンパレータでは、NMOSトランジスタMn8のゲートが反転入力端子(−端子)21となり、NMOSトランジスタMn9のゲートが非反転入力端子(+端子)22となる。また、PMOSトランジスタMp10のドレインとNMOSトランジスタMn10のドレインを接続し、その接続点を出力端子23として、そこからコンデンサCoの充電電圧、又は放電電圧の検出信号を得るようにしている。
【0050】
図6は、図1の発振回路を構成する第1、第2コンパレータを一体としたものを示す回路図である。
ここでは、第1のコンパレータ(COMP1)2と第2のコンパレータ(COMP2)3の差動入力回路部分を共通回路としてまとめている。それぞれの基本構成は、図5のコンパレータと同じであって、差動入力回路をなすNMOSトランジスタMn11とNMOSトランジスタMn12、カレントミラー負荷を構成するPMOSトランジスタMp11とPMOSトランジスタMp12、出力段であるNMOSトランジスタMn13とPMOSトランジスタMp13は、第2のコンパレータ(COMP2)3に相当する。この第2のコンパレータ(COMP2)3に相当する部分では、NMOSトランジスタMn11のゲートに接続される共通入力端子31が反転入力端子(−端子)であり、NMOSトランジスタMn12のゲートが非反転入力端子(+端子)32になる。
【0051】
また、NMOSトランジスタMn11と対になり、差動入力回路を構成するNMOSトランジスタMn14と、PMOSトランジスタMp11に対するカレントミラー負荷となるPMOSトランジスタMp14、バッファ構成の出力段であるNMOSトランジスタMn15、NMOSトランジスタMn16とPMOSトランジスタMp15、PMOSトランジスタMp16は、第1のコンパレータ(COMP1)2に相当する。第1のコンパレータ(COMP1)2に相当する部分では、NMOSトランジスタMn11のゲートが非反転入力端子(+端子)31、NMOSトランジスタMn14のゲートが反転入力端子(−端子)34になる。第1のコンパレータ(COMP1)2では、NMOSトランジスタMn11のゲートが共通入力端子31となっていて、発振回路においては定電圧回路1と接続され、その基準電圧Vrefが入力される。
【0052】
このように、上述した実施の形態では、三角波出力Vtriの実動作電圧を、定電圧回路1の基準電圧Vrefから(抵抗値)×(定電流値)分だけシフトさせて、2つのコンパレータ2,3の動作点をそれぞれコンパレータ電源電圧の中間値であるVrefに持ってくることができる。そのため、同相入力範囲を気にする必要がなく、低電圧動作が可能である。また、図5,図6に示されるように、定電流源(テール電流源)のない差動回路により構成していることから、一層の低電圧化が可能である。
【0053】
(第二の実施形態)
図7は、この発明の第二の実施形態の発振回路を示すブロック図である。ここでは、充放電回路5における充電制御端子11と放電制御端子12を共通化して、充放電制御端子19を設けている点が、第1の実施形態(図1)と異なる。図1に対応する回路部分には同一符号を付けて、それらの説明を省略する。
【0054】
充放電制御端子19の入力電圧レベルにより、コンデンサCoの充電時には充電用電流源6と充電電圧検出用の基準電流源7がオンして充電電流を流し、放電用電流源8と放電電圧検出用の基準電流源9がオフする。また、コンデンサCoの放電時には、放電用電流源8と放電電圧検出用の基準電流源9がオンして放電電流を流し、充電用電流源6と充電電圧検出用の基準電流源7がオフする。
【0055】
図7では、充放電制御端子19がハイレベルの時に放電用電流源8と放電電圧検出用の基準電流源9がオンし、充放電制御端子19がロウレベルの時に充電用電流源6と充電電圧検出用の基準電流源7がオンするようにしている。
【0056】
図8は、図7の発振回路を構成する充放電回路5の一例を示す回路図である。この充放電回路5では、PMOSトランジスタMp1とPMOSトランジスタMp2のカレントミラー回路と、スイッチであるPMOSトランジスタMp3からなる充電用電流源6と、NMOSトランジスタMn1とNMOSトランジスタMn2のカレントミラー回路とからなる充電電圧検出用の基準電流源7と、充電電圧検出用の抵抗R1とによって、コンデンサCoの充電電流経路が構成されている。そして、PMOSトランジスタMp2とゲートどうしを接続してカレントミラーとしたPMOSトランジスタMp7のドレインが、基準電流源7のNMOSトランジスタMn2のドレインと接続され、充電用電流源6をオン・オフ制御するPMOSトランジスタMp3によって、充電電圧検出用の基準電流源7のオン・オフ制御を行うようにしている。
【0057】
PMOSトランジスタMp1のドレイン電流Idp1とNMOSトランジスタMn1のドレイン電流Idn1は、第1の電流源I1に流れる電流に比例した大きさとなり、ドレイン電流Idp1とドレイン電流Idn1との関係は、つぎの式(7)のように設定する。
【0058】
【数7】
Idp1>Idn1 …(7)
充放電制御端子19がハイレベルのときPMOSトランジスタMp3はオフして、充電電流であるIdp1と充電電圧検出電流であるIdn1が流れる。
【0059】
コンデンサCoの放電電流経路は、NMOSトランジスタMn4とNMOSトランジスタMn5のカレントミラーと、スイッチであるNMOSトランジスタMn6の部分が放電用電流源8となり、PMOSトランジスタMp4とPMOSトランジスタMp5のカレントミラーの部分が放電電圧検出用の基準電流源9となっており、これらと放電電圧検出用の抵抗R2によってコンデンサCoの放電電流経路が構成されている。そして、NMOSトランジスタMn5とゲートどうしを接続してカレントミラーとしたNMOSトランジスタMn7のドレインが、基準電流源9のPMOSトランジスタMp5のドレインと接続され、放電用電流源8をオン・オフ制御するNMOSトランジスタMn6によって、放電電圧検出用の基準電流源9のオン・オフ制御を行うようにしている。
【0060】
NMOSトランジスタMn4のドレイン電流Idn4とPMOSトランジスタMp4のドレイン電流Idp4は、第3の電流源I3に流れる電流に比例した大きさとなり、ドレイン電流Idn4とドレイン電流Idp4との関係は、つぎの式(8)のように設定する。
【0061】
【数8】
Idn4>Idp4 …(8)
充放電制御端子19がロウレベルのときNMOSトランジスタMn6はオフして、放電電流であるIdn4と放電電圧検出電流であるIdp4が流れる。
【0062】
以上の実施の形態を発振回路に適用した場合、コンパレータが一般に用いられることの多い定電流源(テール電流源)を使用しない差動回路であるから、基準電圧をNMOSトランジスタの閾値電圧と同じ0.6V程度に設定できる。したがって、充電電圧検出用の基準電流源7や放電電圧検出用の基準電流源9の電流値設定により、充放電回路5の出力電圧Vtriの振幅を0.6V±ΔVとすることができ、このときの誤差電圧ΔVを0.1V程度に設定することによって、電源電圧が0.8Vであっても発振回路の発振動作が可能になり、低電源電圧動作に対応できるものとなる。
【0063】
また、定電圧回路1からの基準電圧Vrefのみに基づいて、出力信号の振幅電圧を比較しているために、電源電圧の変動の影響を受けにくくなり、変動があっても一定周波数の出力信号を得ることができる。
【0064】
さらに、バンドギャップリファレンスを使用するなどして、基準電圧を高精度に制御することが可能となり、温度変化や電源ノイズに対して発振周波数のばらつきを少なくすることができる。
【0065】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の発振回路によれば、1V以下の低電源電圧で発振動作して、電源電圧の変動に対し一定周波数を得ることができる。
【0066】
また、この発明の発振回路では、発振周波数のばらつきが少ない発振動作を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第一の実施形態を示す発振回路のブロック図である。
【図2】図1の発振回路における論理回路の構成と動作論理を示す図である。
【図3】図1の発振回路の各部信号波形を示すタイミング図である。
【図4】図1の発振回路を構成する充放電回路の一例を示す回路図である。
【図5】図1の発振回路を構成するコンパレータの一例を示す回路図である。
【図6】図1の発振回路を構成する第1、第2コンパレータを一体としたものを示す回路図である。
【図7】この発明の第二の実施形態を示す発振回路のブロック図である。
【図8】図7の発振回路を構成する充放電回路の一例を示す回路図である。
【図9】従来技術として開示された発振回路を示す図である。
【図10】集積回路化に適した可変周波数発振回路の従来技術を示す回路構成図である。
【符号の説明】
1 定電圧回路
2 第1のコンパレータ(COMP1)
3 第2のコンパレータ(COMP2)
4 論理回路
5 充放電回路
6 充電用電流源
7 充電電圧検出用の基準電流源
8 放電用電流源
9 放電電圧検出用の基準電流源
10 充電電圧検出端子
11 充電制御端子
12 放電制御端子
13 放電電圧検出端子
14 充放電回路の出力端子
15 第2の出力端子
16 第3の出力端子
17 第1の電源端子
18 第2の電源端子
19 充放電制御端子
21 コンパレータの反転入力端子(−端子)
22 コンパレータの非反転入力端子(+端子)
23 コンパレータの出力端子
31 第1、第2のコンパレータの共通入力端子
32 第2のコンパレータの非反転入力端子(+端子)
33 第2のコンパレータの出力端子
34 第1のコンパレータの反転入力端子(−端子)
35 第1のコンパレータの出力端子
Co コンデンサ
R1 充電電圧検出抵抗
R2 放電電圧検出抵抗
I1〜I4 第1〜第4の電流源
INV1,INV2 インバータ
Mp1〜Mp7,Mp8〜Mp10,Mp11〜Mp16 PMOSトランジスタ
Mn1〜Mn7,Mn8〜Mn10,Mn11〜Mn16 NMOSトランジスタ
Claims (7)
- コンデンサと、
基準電圧を生成する定電圧回路と、
前記コンデンサの充電電流経路に、オン・オフ可能な充電用電流源、オン・オフ可能な充電電圧検出用の基準電流源、及び充電電圧検出抵抗を設けるとともに、前記コンデンサの放電電流経路に、オン・オフ可能な放電用電流源、オン・オフ可能な放電電圧検出用の基準電流源、及び放電電圧検出抵抗を設けて、前記コンデンサの充電電圧、及び放電電圧に応じた三角波信号により、前記コンデンサの充電制御と放電制御を行う充放電回路と、
前記定電圧回路と一方の入力端子が接続され、前記充放電回路の充電電圧検出端子と他方の入力端子が接続されて、前記コンデンサの充電電圧を検出する第1のコンパレータと、
前記充放電回路の放電電圧検出端子と一方の入力端子が接続され、前記定電圧回路と他方の入力端子が接続されて、前記コンデンサの放電電圧を検出する第2のコンパレータと、
前記第1のコンパレータの出力信号と前記第2のコンパレータの出力信号に基づいて、前記コンデンサの充放電タイミングを制御するための制御信号を生成する制御回路と、
を備え、
前記第1、第2のコンパレータを、テール電流源を有しない差動回路により構成するとともに、前記充放電回路では、前記充電電圧検出用の基準電流源及び前記放電電圧検出用の基準電流源により、前記充電電圧検出抵抗及び前記放電電圧検出抵抗に流れる電流値を設定し、前記三角波信号の実動作電圧を前記充電電圧検出抵抗の抵抗値及び前記充電電圧検出抵抗に流れる電流の電流値の積だけシフトさせた電圧を前記充電電圧検出端子の電圧とし、前記三角波信号の実動作電圧を前記放電電圧検出抵抗の抵抗値及び前記放電電圧検出抵抗に流れる電流の電流値の積だけシフトさせた電圧を前記放電電圧検出端子の電圧としたことを特徴とする発振回路。 - 前記充放電回路は、
前記充電用電流源、及び前記充電電圧検出用の基準電流源をオン・オフ制御するための充電制御端子と、前記放電用電流源、及び前記放電電圧検出用の基準電流源をオン・オフ制御するための放電制御端子とを備え、
前記充電制御端子には充電制御信号を、前記放電制御端子には放電制御信号をそれぞれ前記制御回路から供給して、前記充電電流経路と前記放電電流経路を交互にオン・オフ制御することを特徴とする請求項1記載の発振回路。 - 前記充放電回路は、
前記充電用電流源として、第1のPMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第2のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第2のPMOSトランジスタのドレインを、第3のPMOSトランジスタのドレインと第1の電流源に接続し、前記第1のPMOSトランジスタのドレインは前記充電電圧検出抵抗の一端と前記充放電回路の出力端に接続し、前記第3のPMOSトランジスタのゲートは前記充電制御端子に接続し、前記第1、第2、第3のPMOSトランジスタのソースを第1の電源に接続し、
前記充電電圧検出用の基準電流源として、第1のNMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第2のNMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第2のNMOSトランジスタのドレインを第3のNMOSトランジスタのドレインと第2の電流源に接続し、前記第1のNMOSトランジスタのドレインは前記充電電圧検出抵抗の他端と前記充電電圧検出端子に接続し、前記第3のNMOSトランジスタのゲートは第1のインバータを介して前記充電制御端子に接続し、前記第1、第2、及び第3のNMOSトランジスタのソースを第2の電源に接続し、
前記放電用電流源として、第4のNMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第5のNMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第5のNMOSトランジスタのドレインを第6のNMOSトランジスタのドレインと第3の電流源に接続し、前記第4のNMOSトランジスタのドレインは前記放電電圧検出抵抗の一端と前記充放電回路の出力端に接続し、前記第6のNMOSトランジスタのゲートは第2のインバータを介して前記放電制御端子に接続し、前記第4、第5、及び第6のNMOSトランジスタのソースを前記第2の電源に接続し、
前記放電電圧検出用の基準電流源として、第4のPMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第5のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第5のPMOSトランジスタのドレインを第6のPMOSトランジスタのドレインと第4の電流源に接続し、前記第4のPMOSトランジスタのドレインは前記放電電圧検出抵抗の他端と前記放電電圧検出端子に接続し、前記第6のPMOSトランジスタのゲートは前記放電制御端子に接続し、前記第4、第5、及び第6のPMOSトランジスタのソースを前記第1の電源に接続したことを特徴とする請求項2記載の発振回路。 - 前記充放電回路は、
前記充電用電流源、及び前記充電電圧検出用の基準電流源と、前記放電用電流源、及び前記放電電圧検出用の基準電流源とに共通の充放電制御端子を備え、
前記制御回路から前記充放電制御端子に充放電制御信号を供給して、前記充電電流経路と前記放電電流経路を交互にオン・オフ制御することを特徴とする請求項1記載の発振回路。 - 前記充放電回路は、
前記充電用電流源として、ダイオード接続した第2のPMOSトランジスタのゲートに第1のPMOSトランジスタのゲートと第7のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第2のPMOSトランジスタのドレインを第3のPMOSトランジスタのドレインと第1の電流源に接続し、前記第1のPMOSトランジスタのドレインは前記充電電圧検出抵抗の一端と前記充放電回路の出力端に接続し、前記第3のPMOSトランジスタのゲートは前記充放電制御端子に接続し、前記第1、第2、第3、及び第7のPMOSトランジスタのソースを第1の電源に接続し、
前記充電電圧検出用の基準電流源として、第1のNMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第2のNMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第2のNMOSトランジスタのドレインを前記第7のPMOSトランジスタのドレインに接続し、前記第1のNMOSトランジスタのドレインは前記充電電圧検出抵抗の他端と前記充電電圧検出端子に接続し、前記第1、第2のNMOSトランジスタのソースを第2の電源に接続し、
前記放電用電流源として、ダイオード接続した第5のNMOSトランジスタのゲートに第4のNMOSトランジスタのゲートと第7のNMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第5のNMOSトランジスタのドレインを第6のNMOSトランジスタのドレインと第3の電流源に接続し、前記第4のNMOSトランジスタのドレインは前記放電電圧検出抵抗の一端と前記充放電回路の出力端に接続し、前記第6のNMOSトランジスタのゲートは前記充放電制御端子に接続し、前記第4、第5、第6、及び第7のNMOSトランジスタのソースを前記第2の電源に接続し、
前記放電電圧検出用の基準電流源として、第4のPMOSトランジスタのゲートにダイオード接続した第5のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第5のPMOSトランジスタのドレインを前記第7のNMOSトランジスタのドレインに接続し、前記第4のPMOSトランジスタのドレインは前記放電電圧検出抵抗の他端と前記放電電圧検出端子に接続し、前記第4、第5のPMOSトランジスタのソースを前記第1の電源に接続したことを特徴とする請求項4記載の発振回路。 - 前記第1、第2のコンパレータは、
ダイオード接続した第8のPMOSトランジスタのゲートに第9のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第8のPMOSトランジスタのドレインを第8のNMOSトランジスタのドレインに接続し、前記第9のPMOSトランジスタのドレインを第9のNMOSトランジスタのドレインに接続して、その 接続点は第10のPMOSトランジスタのゲートと第10のNMOSトランジスタのゲートに接続し、
前記第8、第9、第10のPMOSトランジスタのソースを第1の電源に接続し、前記第8、第9、第10のNMOSトランジスタのソースを第2の電源に接続し、前記第8のNMOSトランジスタのゲートを前記他方の入力端子に接続するとともに、前記第9のNMOSトランジスタのゲートを前記一方の入力端子に接続し、前記第10のPMOSトランジスタのドレインと前記第10のNMOSトランジスタのドレインとを接続して、その接続点から前記コンデンサの充電電圧又は放電電圧の検出信号を得るように構成したことを特徴とする請求項1記載の発振回路。 - 前記第2のコンパレータは、
ダイオード接続した第11のPMOSトランジスタのゲートに第12のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第11のPMOSトランジスタのドレインを第11のNMOSトランジスタのドレインに接続し、前記第12のPMOSトランジスタのドレインを第12のNMOSトランジスタのドレインに接続して、その接続点には第13のPMOSトランジスタのゲートと第13のNMOSトランジスタのゲートを接続し、
前記第11、第12、第13のPMOSトランジスタのソースを前記第1の電源に接続し、前記第11、第12、第13のNMOSトランジスタのソースを前記第2の電源に接続し、前記第11のNMOSトランジスタのゲートを前記他方の入力端子と接続するとともに、前記第12のNMOSトランジスタのゲートを前記一方の入力端子と接続し、前記第13のPMOSトランジスタのドレインと前記第13のNMOSトランジスタのドレインを接続して、その接続点から前記コンデンサの充電電圧の検出信号を得るように構成し、
前記第1のコンパレータは、
前記第11のPMOSトランジスタのゲートに第14のPMOSトランジスタのゲートを接続してカレントミラー回路を構成するとともに、前記第14のPMOSトランジスタのドレインに第14のNMOSトランジスタのドレインを接続して、その接続点には第15のPMOSトランジスタのゲートと第15のNMOSトランジスタのゲートを接続し、前記第15のPMOSトランジスタのドレインに前記第15のNMOSトランジスタのドレインを接続して、その接続点は第16のPMOSトランジスタのゲートと第16のNMOSトランジスタのゲートに接続し、
前記第14、第15、第16のPMOSトランジスタのソースを前記第1の電源に接続し、前記第14、第15、第16のNMOSトランジスタのソースを前記第2の電源に接続し、前記第14のNMOSトランジスタのゲートを前記一方の入力端子に接続するとともに、前記第14のNMOSトランジスタのゲートを前記他方の入力端子に接続し、前記第16のPMOSトランジスタのドレインと前記第16のNMOSトランジスタのドレインを接続して、その接続点から前記コンデンサの放電電圧の検出信号を得るように構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発振回路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7405728B2 (ja) | 2020-10-29 | 2023-12-26 | 株式会社日立製作所 | スクリュー圧縮室内噴霧装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4750582B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 三角波発振回路 |
US8531248B2 (en) * | 2009-02-09 | 2013-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | VDD-independent oscillator insensitive to process variation |
CN102420591B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-08-20 | 上海复旦微电子集团股份有限公司 | 振荡器 |
US9344070B2 (en) * | 2014-01-27 | 2016-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Relaxation oscillator with low drift and native offset cancellation |
CN108123687A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 带扩频功能的振荡器电路 |
CN106533213A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-03-22 | 中国计量大学 | 一种自供电的低相位滞后的压电振动能量采集电路 |
KR101879285B1 (ko) * | 2017-08-01 | 2018-07-17 | 송청담 | 고감도 정전 센서 회로 |
CN110350887B (zh) * | 2018-04-08 | 2023-03-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电阻电容振荡器电路及时钟信号的产生方法 |
JP7085911B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-06-17 | エイブリック株式会社 | コンパレータ及び発振回路 |
CN108880507A (zh) * | 2018-09-18 | 2018-11-23 | 杭州洪芯微电子科技有限公司 | 张弛振荡器 |
CN110492849B (zh) * | 2019-09-02 | 2023-07-28 | 成都锐成芯微科技股份有限公司 | 一种rc振荡电路 |
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