JP4050230B2 - トレンチキャパシタ、縦型選択トランジスタ、および、それらの間に形成された環状接触領域を備えたメモリーセル、メモリーセル構造体、ならびに、これらの製造方法 - Google Patents
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Description
絶縁層および基板の一部を貫いて延びるトレンチを形成し、
基板トレンチ部分を等方性および/または異方性エッチングによって横に広げ、これにより、ほぼ環状の接触領域を形成し、
基板トレンチ部分の側面の内壁に絶縁層を形成し、
基板トレンチ部分を完全に充填するまで、半導体層をエピタキシー成長させ、
半導体層を環状の接触領域の上まで除去し、
トレンチを掘り下げ、
下部トレンチ領域のトレンチの壁に沿って配置された下部キャパシタ電極と、メモリー誘電体と、接触領域の少なくとも下部周辺部までトレンチを充填している上部キャパシタ電極とを形成し、
上部キャパシタ電極を接触領域と電気的に接触し、
電界効果トランジスタの積層を、接触領域および絶縁層に沿ってエピタキシー成長させる。
)8を形成する(堆積するか、または熱酸化によって形成する)。この酸化層は、一方ではエッチングからの保護(Aetzschutz)に用いられ、さらに、環状の接触領域7.1を後でドーピングを行う間に遮蔽する機能を有しており、これにより、すでに行われたドーピングを維持することができる。なお、酸化層8をトレンチ全体に形成するが、ここではトレンチ部分5Aのみに示す。これらの方法工程の結果を図4に示す。
Claims (19)
- トレンチキャパシタと、選択トランジスタ(20)として上記トレンチキャパシタの上方に配置された縦型電界効果トランジスタとを備えたメモリーセルであって、
上記トレンチキャパシタにおいては、
半導体基板(1)の中にトレンチ(5)が形成されており、上記トレンチ(5)の下部トレンチ領域(5B)では、
下部キャパシタ電極が上記トレンチ(5)の壁と境を接しており、上記トレンチ(5)には、
メモリー誘電体(9)、および、
上部キャパシタ電極(10)としての導電性トレンチ充填部が埋設されており、
上記上部キャパシタ電極(10)が、その上端部の周りを少なくとも一部取り囲んでいる接触領域(7.1)によって、上記選択トランジスタ(20)の第1ソース/ドレイン領域(21)に接続されており、
上記接触領域(7.1)の下部が上部キャパシタ電極(10)の上端部を、また、上記接触領域(7.1)の上部が上記第1ソース/ドレイン領域(21)を、管状または輪状に取り囲んでいることを特徴とするメモリーセル。 - 上記接触領域(7.1)は、ドープされた単結晶半導体材料からなり、
上記第1ソース/ドレイン領域(21)が、上記接触領域(7.1)の上記トレンチ(5)の内部に向いた側面に沿ってエピタキシー成長したものであることを特徴とする請求項1に記載のメモリーセル。 - 上記上部キャパシタ電極(10)の上端部の上面に絶縁層(12)が析出されており、
上記絶縁層(12)の上に上記第1ソース/ドレイン領域(21)が堆積されていることを特徴とする請求項1または2に記載のメモリーセル。 - 上記上部キャパシタ電極(10)の上端部の少なくとも表面が、多結晶半導体材料によって形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のメモリーセル。
- 上記上部キャパシタ電極(10)の上端部の少なくとも表面が、金属を含んだ材料によって形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のメモリーセル。
- 上記接触領域(7.1)と上記上部キャパシタ電極(10)の上端部との間に、トンネル接触層(11)が配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のメモリーセル。
- 上記接触領域(7.1)とそれを取り囲んでいる上記半導体基板(1)との間に、絶縁層(6)が配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のメモリーセル。
- 上記下部キャパシタ電極が、上記半導体基板(1)をドーピングすることによって形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のメモリーセル。
- 上記選択トランジスタ(20)は、上記第1ソース/ドレイン層(21)と、チャネル層(22)と、第2ソース/ドレイン層(23)とからなる積層を備えており、
上記積層は、少なくとも上記チャネル層(22)の領域において、上面から見た周辺形状がほぼ楕円形のゲート電極層(24)、および、上記チャネル層(22)と上記ゲート電極層(24)との間に位置するゲート酸化物層(25)によって、取り囲まれていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のメモリーセル。 - 上記積層が、上面から見てほぼ長方形または楕円形の断面を有するように縦型に成形されていることを特徴とする請求項9に記載のメモリーセル。
- 上記メモリーセルが、上記半導体基板(1)の上に析出された絶縁層( 2)を貫通して上記半導体基板(1)の中に形成されており、
上記ゲート電極層(24)が、上記絶縁層(2)の内部に形成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のメモリーセル。 - 上記接触領域(7.1)が、上記半導体基板(1)と上記絶縁層(2)との界面まで延びていることを特徴とする請求項11に記載のメモリーセル。
- 請求項9〜12のいずれか一項に記載のメモリーセルを、一方向に沿って複数配置したメモリーセル構造体であって、
上記メモリーセルでは、隣り合うメモリーセルの上記ゲート電極層(24)同士は、この層の上面から見て楕円形の周辺形状部の一部分(24.3)が互いに重なり合っており、この部分(24.3)において上記ゲート電極層(24)同士が重なるように、互いに接合されている、メモリーセル構造体。 - 複数の上記メモリーセルを、マトリックス状に配置し、ワード線(24.1,24.2)とビット線(15)とによって駆動可能な状態にし、
上記ワード線(24.1,24.2)は、直交する2つの方向のうちの一方に沿って配置されたメモリーセルの上記ゲート電極層(24)によって形成されており、
上記ビット線(15)は、直交する2つの方向のうちのもう一方に、上記選択トランジスタ(20)の上方に延びており、それぞれ、選択トランジスタの上記第2ソース/ドレイン層(23)に電気的に接続されていることを特徴とする請求項13に記載のメモリーセル構造体。 - トレンチキャパシタと、その上に配置された縦型電界効果トランジスタ(20)とを備えた、メモリーセルの製造方法において、
半導体基板(1)の上に絶縁層(2)を堆積し、
上記絶縁層(2)および上記半導体基板(1)の一部を貫いて延びるトレンチ(5)を形成し、
上記半導体基板(1)中の基板トレンチ部分(5A)を等方性エッチングによって横に広げ、これにより、ほぼ環状の接触領域(7.1)に適した空間を形成し、
上記基板トレンチ部分(5A)の側面の内壁に絶縁層(6)を形成し、
上記基板トレンチ部分(5A)を完全に充填する半導体層(7)を、上記基板トレンチ部分(5A)の底面に露出する上記半導体基板(1)からエピタキシー成長させ、
上記半導体層(7)を上記基板トレンチ部分(5A)を横に広げて形成した空間にのみ環状の接触領域(7.1)として残すように除去し、
上記トレンチ(5)を掘り下げ、
下部トレンチ領域において上記トレンチ(5)の壁に沿って配置された下部キャパシタ電極と、メモリー誘電体(9)と、上記接触領域(7.1)の少なくとも下部周辺部まで上記トレンチ(5)を充填している上部キャパシタ電極(10)とを形成し、
上記上部キャパシタ電極(10)を上記接触領域(7.1)と電気的に接触させ、
上記縦型電界効果トランジスタ(20)の第1ソース/ドレイン層(21)と、チャネル層(22)と、第2ソース/ドレイン層(23)とからなる積層を、上記接触領域(7.1)の上記トレンチ(5)内への露出面に沿って、上記上部キャパシタ電極(10)の上方においてエピタキシー成長させ、
上記絶縁層(2)中に上記積層の少なくとも上記チャネル層(22)を取り囲むゲート電極層(24)を形成することを特徴とするメモリーセルの製造方法。 - 上記上部キャパシタ電極(10)と上記接触領域(7.1)とを電気的に接触した後、上記上部キャパシタ電極(10)の上に絶縁層(12)を形成し、続いて、
上記縦型電界効果トランジスタ(20)の上記積層を、絶縁層(12)のすぐ上で、上記接触領域(7.1)の上記トレンチ(5)内への露出面に沿ってエピタキシー成長させることを特徴とする請求項15に記載のメモリーセルの製造方法。 - 上記縦型電界効果トランジスタ(20)の上記積層の周りの上記絶縁層(2)に、上面から見てほぼ楕円形のトレンチをエッチングし、上記トレンチを導電性材料によって充填することにより、上記ゲート電極層(24)を形成することを特徴とする請求項15または16に記載のメモリーセルの製造方法。
- メモリーセル構造体の製造方法であって、
請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法によりメモリーセルのマトリックスを形成し、
直交する2つの方向のうちの一方に沿って配置された隣り合うメモリーセルの上記ゲート電極層(24)同士を、ワード線(24.1,24.2)を形成するために、それぞれ互いに接続する工程を有する、メモリーセル構造体の製造方法。 - 上記ゲート電極層(24)の層の上面から見て楕円形の周辺形状部の一部分(24.3)が互いに重なり合っており、この部分(24.3)において両方のメモリーセルの上記ゲート電極層(24)同士が重なるように、隣り合うメモリーセルの上記ゲート電極層(24)同士を互いに接合することを特徴とする、請求項18に記載のメモリーセル構造体の製造方法。
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