JP4026727B2 - 電力分割された電極 - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ反応室内で、プラズマの発生及び/又は局所プラズマの密度制御のための電極に関する。本電極は、上側電極に組み込むこともでき、そして/または、プラズマガス雰囲気中における処理の過程において、半導体ウエーファやフラットパネルデイスプレイ等の基板を保持するためのチャッキング装置等の基板支持部にも組み込み可能である。
発明の背景
プラズマガス雰囲気中において半導体ウエーファを処理する装置は、典型的には、プラズマガスからの高周波(RF)電力をウエーファに結合させて(couple)ウエーファの表面処理(例えば、エッチング、蒸着、その他)を行う。例えば、米国特許4,617,079号は平行平板構造を開示するもので、ここでは、ウエーファが下側電極に支持され、低周波ジェネレータからのRF電力が低周波ネットワークを通過し、一方、高周波ジェネレータからのRF電力1が高周波整合/結合(RF matching and combining)ネットワークにおいて前記低周波RF電力と結合させられ、その結合信号は上側電極と下側電極間に印加される。この構造では、その高周波整合/結合回路は、その高周波源の周波数に同調した高周波トラップ(コンデンサとインダクタの並列結合)を具備することができ、この高周波源により発生した信号が上記低周波源にフィードバックされるのを防止し、その一方で上記低周波源により発生される信号が減衰せずにそれを通過せしめることができる。
米国特許第4,948,458号は平行平板構造を開示し、その特許では、上側電極はプラズマ反応室外に置かれた伝導性コイルの形状をしており、コイル内にRF電流を誘起することにより、磁場が該コイルの面に平行な平面領域内に生成される。このコイルは、主コイルと副ループとを有する整合回路に電力を供給するRFジェネレータにより駆動される。その副ループに直列接続の可変コンデンサが、このRFジェネレータの周波数出力との回路共振周波数を調整し、インピーダンス整合がその平面状コイルへの電力伝達効率を極大化する。前記主回路にコンデンサを付加すると、この回路中の上記コイルの誘導リアクタンスの一部をキャンセルする。
半導体ウエーファをプラズマガス雰囲気中で処理するときに、ウエーファの全表面を均一に処理することが好ましい。例えば、米国特許第4,615,755号は、弧状(bowed)電極に支持されたウエーファをヘリウム・バック冷却法によって、ウエーファ温度が均一にされるプラズマエッチング技術を開示している。エッチングの均一性を得る目的でウエーファを冷却ヘリウムでもって曲げて下側電極から離間させることにより、ウエーファの冷却性能は犠牲にされる。しかしながら、ウエーファの厚さの変動はウエーファの曲げに標準以下の制御をもたらし、結果的にエッチングの均一さを低下させる。
静電気を利用したウエーファのクランプシステム(ESC)を使うプラズマエッチング処理では、ウエーファを曲げて電極表面から離すことはできないのでエッチング速度の均一性を制御することはできない。従って、プラズマ処理におけるウエーファの表面処理の均一さを制御するべく、ESC・ウエーファ・クランプシステムに適用可能であるためには、他の技術が必要である。
発明の概要
本発明は、プラズマ反応室内で基板の均一な処理を行う電力分割された電極を提供するものである。本電力分割電極は、第1と第2の電極と、容量性ネットワークとを有する。この電力分割電極は、プラズマ反応室に取り付け可能で、第1の電極がプラズマ反応室の第1のゾーン部分を横断して分布配置され、前記第2の電極はプラズマ反応室の第2のゾーン部分を横断して分布配置される。
この容量性ネットワークは、前記第1と第2のゾーン部分における高周波電力の分布を制御して、このプラズマ反応室内に支持された基板に結合されたプラズマがその基板に亙って均一な処理をもたらすようになる。好適な実施形態では、その基板は半導体ウエーファを含み、本電力分割電極はプラズマ反応室内に置かれた静電チャック内に組み込むことができる。
本電力分割電極は様々な方法で具体化されうる。例えば、第1の電極を第2の電極から誘電性材料で充填されたギャップにより離間させることが可能で、これにより前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成させることができる。好適な実施形態では、第1の電極は、第2の電極を囲み、第2の電極から誘電性材料で充填されたギャップにより離間されており、これにより前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成する。この場合では、第1と第2のコンデンサは、前記容量性ネットワークの一部を形成することができ、電源からの高周波電力は、前記第1のコンデンサから、前記第1の電極、第2のコンデンサ、第2の電極、電気的グラウンドにまで順に通る。
他の実施形態によれば、第1と第2の電極は、離間した複数の環状電極を構成する同軸電極構造の一部を形成し、この環状電極は前記容量性ネットワークの一部を形成する可変コンデンサを介して高周波電力源に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、前記可変コンデンサの各々を順に通って前記電極の夫々の1つに送られる。この場合、電流検知メカニズムは、その出力である調整信号が前記環状電極の夫々の1つに面する前記基板の環状ゾーン部分内における、前記基板の処理の均一さからのずれを補償するように、前記可変コンデンサの夫々の1つの容量を自動的に調整するために提供されうる。前記容量性ネットワークは第1コンデンサと第2のコンデンサを有し、この第1のコンデンサは前記第1の電極に、前記第2のコンデンサは前記第2の電極にそれぞれ接続され、前記第1のコンデンサと第2のコンデンサは高周波電力源に並列に接続されている。本電力分割電極はさらに第3の電極を有し、前記第1の電極は前記第2の電極を囲み、前記第2の電極は前記第3の電極を囲み、これら電極の各々は高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、順に、電力分割器、前記電極の夫々の1つに伝達される。または、前記第1の電極は第2の電極の一部のみを囲むようにしても良い。この第1と第2の電極は、静電気チャック内に組み込まれ、前記チャックが基板を静電気的にこの上にチャックすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気
的に接続されている。この高周波電力を、前記第1と第2の電極に対して同相もしくは非同相で供給するようにしても良い。また、第1と第2の電極に電力とDCバイアスを供給するための受動的ネットワークを用いても良い。
本発明の他の態様によると、本電力分割電極は、数値的に連続した正弦波を生成する正弦波発生器と、DCオフセット値を発生するバイアスユニットと、前記数値的に連続した正弦波と前記DCオフセット値とを合わせる加算ユニットと、前記加算ユニットからの信号出力をアナログ加算信号に変換するデイジタル/アナログ変換器と、前記アナログ加算信号の所定の低周波成分をフィルタするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタによりフィルタされたアナログ加算信号を増幅してこの増幅信号で前記第1と第2の電極を駆動する電力増幅器とを具備する。この場合、第1の電極は第2の電極を完全に囲むようにされ、前記容量性ネットワークは、前記第1の電極よりも大きな電力を前記第2の電極に供給する。前記第1の電極は、前記第2の電極を囲み、電力が、前記第1の電極、前記第1と第2の電極間のギャップ内におかれた誘電性材料で形成された電極間容量、前記第2の電極、及び前記容量性ネットワークの一部と電気的グラウンドとを形成する直列接続のコンデンサを順に通ることによって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に供給され、前記誘電性材料は、前記直列接続のコンデンサの容量よりも小さい電極間容量を与えるものである。本電力分割電極は、前記第1の電極または前記第2の電極に電気的に接続された電圧分割回路をさらに具備することができる。前記第1の電極は第1の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第2の電極は第2の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第1と第2の能動的電力ドライバは互いに独立して動作するようにしてもよい。
本発明は、プラズマ反応室内で基板をクランプする基板支持部であって、前記基板に隣接する、この基板支持部のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有する基板支持部と、均一な処理が前記基板の全体表面に亙ってもたらされるように、記基板支持部の前記ゾーン部分に前記複数の電極を介して供給される電力を制御する電力コントローラとを具備するプラズマ処理システムを提供するものである。この場合、前記電力コントローラは、前記基板チャックの前記ゾーン部分に電力を分配させるために、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークを有する。前記複数の電極の隣り合う電極はギャップを介して離間し、そのギャップの各々は前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成するように誘電性材料で埋められても良い。また、前記複数の電極は、同軸の環状リングに分割され、そして、または、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすようなパターンに設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
本発明は、以下の説明並びに添付の図面からさらに十分に理解されよう。これら説明及び図面は説明のためにのみ提供されるもので、本発明を限定するためのものではない。
第1(a)図は、本発明の一つの実施形態に用いられる二極型の静電ウエーファ・クランプ・システムを示し、
第1(b)図は、第1(a)図の静電ウエーファ・クランプ・システムの電気回路図を示し、第2図は、本発明の一つの実施形態に係り、複数の同軸環状リングに分割された電極を示し、
第3図は、本発明の一つの実施形態に係り、前記分割電極に用いられる分割駆動システムの構成を示し、
第4図は、本発明の一つの実施形態に関わり、非対称形状の分割電極の構成を示し、
第5図は、本発明の一つの実施形態に関わり、前記分割電極のゾーン部分に伝達される電力を制御するための能動メカニズムの構成を示し、
第6図は、本発明の一つの実施形態に関わり、RFエネルギを静電ウエーファ・クランプ・システムの両ポールに同時に結合するためのシステムの構成を示し、
第7図は、本発明の一つの実施形態に関わり、チャック面に供給されるRF電力をバランスさせ調整するために用いられる電圧分割器とコンデンサ・ネットワークとの構成を示す。
発明の詳細な説明
本発明は、プラズマ反応室の電力分割された電極を提供するもので、この電極は、所望の基板の処理条件を得ることができるようにプラズマ密度を局所的に強化若しくは低下させることができるものである。半導体ウエーファの場合には、ウエーファの中央からエッジまで露出面において均一な処理を実現することが望ましい。本発明によると、RF電力をバランスさせるような容量性ネットワークを用いて、プラズマ密度の局所的な制御を達成することにより、ウエーファの露出面に近接したゾーン部分内において、ウエーファに結合されるプラズマが、ウエーファ上で層をエッチングさせ、或いは積み上げる過程で、均一なウエーファ処理を達成するものである。
本発明の電力分割電極は、半導体ウエーファのような基板をその処理中に保持する機械的もしくは静電的なチャック構造に組み込み可能である。この静電的チャック構造は二極型チャックもしくは他の形式の電極構造を有することができる。しかしながら、本電力分割電極は、プラズマ反応室の平行平板電極構造の上側電極に組み込むこともできる。
ウエーファを処理する場合には、処理対象のウエーファの露出面の上に均一なプラズマ密度を提供することが好ましい。しかしながら、ウエーファ面上で実行すべき処理に応じて、ウエーファ面の上方に不均一なプラズマ密度を発生させることができる。例えば、プラズマ密度を、ウエーファの中央において周辺においてよりも高く、或いはその逆に、することができる。本発明の電力分割電極は、局所的なプラズマ密度制御を達成することができるので、既知の電極構造に比して、均一さにおいて実質的な改良を達成することができる。
本発明を以下にその実施の形態を参照して説明する。1つの実施形態では、本電力分割電極は、第1(a)図に示すように、二極型チャックに組み込まれる。別の実施形態では、本電力分割電極は、第2図に示すように、3つもしくはそれ以上の電極を有する。更に他の実施形態では、第1(a)図に示すように、本電力分割電極の電極は直列に配列され、単一のRF電源によりRF電力が供給される。別の実施形態では、第5図に示すように、本電力分割電極の電極が並列に配列され、単一のRF電源によりRF電力が供給される。後者の場合には、RF電源が、第5図に示すように個々の可変コンデンサを通して、或いは、第2図に示すように電力分割器を通して、供給される。さらに、電極は、第5図に示されるように、電流センサそして/または可変コンデンサに電気的に接続することができる。
第1(a)図の構造では、半導体ウエーファの形態の基板Sが、プラズマ反応器のプラズマ反応室内におかれたウエーファ・チャック・システムという形態の基板支持部2の上に支持されている。このチャック・システムは、ウエーファへのプラズマの結合量を局所的に変更するのに用いる電極4を有する。この電極4は第2の電極8を囲む第1の電極6を有し、この第1の電極6は基板支持部2の第1のゾーン部分10内に置かれ、第2の電極8は前記基板支持部2の第2のゾーン部分12内に位置する。本チャック・システムは、前記第1ゾーン部分10と第2のゾーン部分12とに平衡した(バランスのとれた)RF電力を供給するためのRF電力源16を有する。図示の実施形態では、RF電力源16からの電力は、第1の電極6から、ギャップ18を介して第2の電極8に伝達され、それから、グラウンド20に至る。ギャップ18は、好ましくは誘電性材料で充填されており、その大きさは、第1の電極6と第2の電極8間でRF電力をバランスさせるのに効果的である電極間容量を生じさせ、その結果、第1のゾーン部分10と第2のゾーン部分12でウエーファに結合されるプラズマがウエーファの中央からエッジまで均一な処理をもたらすものであるように、決定される。
本実施形態では、ウエーファを簡単なドーナッツ/ベース構造内に保持するような、二極型タイプのESCウエーファ・クランプ・システムを図示するもので、そこでは、電極は2つのゾーン部分に分割されている。このESC構造では、ウエーファを下側電極から離して曲げることはできず、ヘリウムはウエーファの裏側を冷却するために用いられるに過ぎない。第1(b)図は、このESCウエーファ・クランプ・システムの電気回路図を示す。ソース容量Cdが入力に接続され、第1の電極6に供給される電力を平滑化する。Cbは第2の電極8とグラウンド間の固有容量を表す。ギャップ18の容量(Cgで表す)とベース容量Cbの比が第1の電極6と第2の電極8に供給される電圧を決定する。プラズマ処理は、圧力,流量,電力,温度,ギャップの大きさ,ガス,バッフルの設計,材料,RF周波数,処理範囲の関数であるので、この回路図における容量を、個々のゾーン部分において、既知のRFの位相に対する要求と整合に対する要求とに基づいた電圧要件に合致するように選ぶことができる。こうすることにより、その容量の値を所望のフィールドに合わせて選択して、プラズマ処理の均一さを達成することができる。
第2図は本発明の他の実施形態を示し、電極が複数の同軸環状のリングに分割されている。第2図では、電極4は第1の同軸環状リング4a,第2の同軸環状リング4b,第3の同軸環状リング4cに分割され、これらリングは、ウエーファの中心からエッジまでの表面均一さを制御する独立したRFバイアス電力ゾーン部分を与える。この実施形態では電極4は3つのゾーン部分に分割されているが、所望の表面均一さを得るためには、電極を複数のゾーン部分に分割して任意の数の同軸環状リングを用いても良い。個々のゾーン部分に供給されるエネルギを制御するために、第2図に示すように、電源16を電源分割器26に接続しても良い。また、第2図において、ウエーファを静電的にクランプするためのDCバイアス源28が、本電極の同軸環状リングに接続されている。
さらに、この環状のゾーン分割電極は、ウエーファの表面に供給される電力を制御することにより、プラズマ処理が中心からエッジまで対称的となるようにする。この第1の電極6の各々の同軸環状リングに印加されるべきRF電力とDCバイアスは、RFジェネレータと高電圧電源と共動する受動的なネットワークにより従来のような手法で実現することができる。
本発明の他の実施形態では、分割された本電極を、第3図のような、DCオフセット値に結合させたところの、数値的に連続した正弦波で駆動しても良い。第3図の実施形態では、この連続した正弦波はROM50に格納され、DCオフセット値は電源52により発生される。このROM50と電圧発生器52の出力とは、加算回路54により合わされ、アナログ信号を出力するディジタル−アナログ変換器56に入力される。このディジタル−アナログ変換器56か
らのアナログ信号出力はローパスフィルタ58により低域濾波され、この濾波された信号出力はパワーアンプ60により増幅されて、前記分割された電極4a,4b,4cに印加される。
この電極は、所望の処理の均一さに対する要求に応じて、他のパターンに分割しても良い。第4図は、分割電極の非対称なパターンが用いられた他の実施形態を示す。第4図の実施形態では電極は4つのゾーン部分に分割されているが、この電極を、室の形状、ガスの伝達等の、このプラズマ処理システムの非対称的ポンピング性を補償するようなパターンに設計してもよい。
第5図は、電極の異なるゾーン部分に伝達される電力を制御するのに能動的なメカニズムを用いた他の実施形態を示す。第5図では、分割された電極に接続された複数の電力センサ24と複数の可変コンデンサ22とが示されている。この電力センサ24は可変コンデンサ22に対する能動的コントロールを提供する。
この能動的メカニズムを用いれば、電流センサ24を介した可変コンデンサ22へのフィードバックループにより、電極ゾーン部分に送られる電力の割合を制御することができる。
第6図は他の実施形態を示し、ここでは、2つの可変コンデンサC1,C2がRFエネルギをESCウエーファ・クランプ・システムの両ポールに同時に結合するために用いられる。この実施形態では、チャック部におけるいかなる位相シフトや荷電のアンバランスを防止することができる。
第7図はさらに他の実施形態を示し、ここでは、電圧分割回路とコンデンサ・ネットワークが、チャック面に印加されるRF電圧をバランスさせ調整する。この実施形態では、ベース容量に対して並列の容量Cpを変更して電圧分割器を形成する。この容量値は、均一性テストをパターン化された酸化ウエーファとパターン化されていない酸化ウエーファに対して行い、その結果の検証のために、数値データと直径スキャンとの比較に基づいて、選択される。ウエーファ処理の(中心からエッジまでの)均一性が典型的には5%であるような従来技術と比較すると、本発明の電力分割電極によれば、1.5%又はそれ以下のウエーファ処理の均一さを達成するという点でかなりの改良をもたらすことができる。
上述の事項は、本発明の原理、好適な実施形態、動作モードを説明した。しかしながら、本発明はこのような実施形態に限定して解釈すべきではない。即ち、上述の実施形態は限定的ではなく例示的であると考えるべきである。従って、次に記述する請求の範囲に定義された本発明の範囲から逸脱することなく当業者であればなす事が可能であるような変形例も可能であることを考慮すべきである。
Claims (19)
- プラズマ反応室に取り付け可能で、このプラズマ反応室内の基板に均一な処理をもたらすことが可能な電力分割された電極であって、
第1のゾーン部分と第2のゾーン部分にそれぞれ亙って分布した第1の電極と第2の電極と、
前記プラズマ反応室内に支持された基板に結合されるプラズマが該基板に亙って均一な処理をもたらすように、前記第1の電極と第2の電極を介して前記第1と第2のゾーン部分における高周波電力の分布を制御する容量性ネットワークと、
を具備し、
当該電力分割電極は1枚の半導体ウェーファを支持する基板支持部内に組み込まれ、前記基板支持部は、前記基板をその上に静電気的にクランプする静電チャックを備え、
前記第1の電極と第2の電極とは、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されていることを特徴とする電力分割電極。 - 前記第1の電極は、前記第2の電極を完全に囲み、前記容量性ネットワークは、前記第1の電極に供給するよりも大きな電力を前記第2の電極に供給することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 前記第1の電極は、ギャップによって前記第2の電極から離間し、このギャップは、誘電性材料で満たされて、前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 高周波電力源と、前記容量性ネットワークの一部を形成する第1コンデンサと第2のコンデンサと、電気的グラウンドとをさらに具備し、前記高周波電力源からの高周波電力が、前記第1のコンデンサ、前記第1の電極、前記第2のコンデンサ、及び前記第2の電極を順に通過して前記グラウンドに流れることを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 前記第1の電極と第2の電極は、離間した複数の環状電極を含む同軸電極構造の一部を形成し、この環状電極は前記容量性ネットワークの一部を形成する可変コンデンサを介して高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、前記可変コンデンサの各々を順に通って前記電極の夫々の1つに送られることを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- その出力の調整信号が、前記環状電極の夫々の1つに面する前記基板の環状ゾーン部分内で前記基板の処理の均一性のずれを補償するように、前記可変コンデンサの夫々の1つの容量を自動的に調整するための電流検知メカニズムをさらに具備することを特徴とする請求項5に記載の電力分割電極。
- 前記容量性ネットワークは第1のコンデンサと第2のコンデンサとを有し、前記第1のコンデンサは前記第1の電極に接続され、前記第2のコンデンサは前記第2の電極に接続され、前記第1のコンデンサと第2のコンデンサは高周波電力源に並列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- さらに第3の電極を有し、前記第1の電極は前記第2の電極を囲み、前記第2の電極は前記第3の電極を囲み、これら電極の各々は高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、順に、電力分割器を介して前記電極の夫々の1つに伝達されることを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 前記第1と第2の電極に対して同相もしくは非同相で供給される高周波電力の電力源をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 数値的に連続した正弦波を生成する正弦波発生器と、
DCオフセット値を発生するバイアスユニットと、
前記数値的に連続した正弦波と前記DCオフセット値とを加算する加算ユニットと、
前記加算ユニットからの信号出力をアナログ加算信号に変換するディジタル/アナログ変換器と、
前記アナログ加算信号の所定の低周波成分をフィルタするローパスフィルタと、
前記ローパスフィルタによりフィルタされたアナログ加算信号を増幅してこの増幅信号で前記第1と第2の電極を駆動する電力駆動器と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。 - 前記第1の電極は前記第2の電極を囲み、電力が、前記第1の電極、前記第1と第2の電極間のギャップ内におかれた誘電性材料で形成された電極間容量、前記第2の電極、及び前記容量性ネットワークの一部と電気的グラウンドとを形成する直列接続のコンデンサを順に通ることによって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に供給され、
前記誘電性材料は、前記直列接続のコンデンサの容量よりも小さい電極間容量を与えることを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。 - 前記第1の電極または前記第2の電極に電気的に接続された電圧分割回路をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- 前記第1の電極は第1の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第2の電極は第2の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第1と第2の能動的電力ドライバは互いに独立して動作することを特徴とする請求項1に記載の電力分割電極。
- プラズマ処理システムであって、
このプラズマ処理システムのプラズマ反応室内で基板をクランプする基板支持部であって、前記基板に隣接する、この基板支持部のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有する基板支持部と、
均一な処理が前記基板の全体表面に亙ってもたらされるように、前記基板支持部の前記ゾーン部分に前記複数の電極を介して供給される電力を制御する電力コントローラとを具備し、当該電力分割電極は1枚の半導体ウェーファを支持する基板支持部内に組み込まれ、前記基板支持部は、前記基板を静電気的にその上にクランプする静電チャックを備え、
前記複数の電極は、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されていることを特徴とするプラズマ処理システム。 - 前記電力コントローラは、前記基板チャックの前記ゾーン部分に電力を分配させるために、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークを有することを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理システム。
- 前記複数の電極のうち隣り合う電極はギャップを介して離間し、
そのギャップの各々は前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成するように誘電性材料で埋められ、
前記複数の電極は、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすパターンに設けられたことを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理システム。 - プラズマ処理システム内で基板を処理する方法であって、
(a)プラズマ反応室内の、基板を静電気的にその上にクランプする静電チャックを備える基板支持部に基板を載置する工程と、
(b)前記基板のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有し、基板支持部内に組み込まれた電力分割電極で、前記プラズマ反応室内にプラズマを生成する工程と、
(c)前記静電チャック上に前記基板を静電気的にクランプする工程と、
(d)処理対象の前記基板の表面に亙って均一な処理がもたらされるように、前記複数の電極に供給される電力の分配を制御する工程とを具備し、
前記複数の電極は、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されている基板処理方法。 - 前記工程(d)では、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークにより、前記電力を前記基板の前記ゾーン部分に分配することを特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
- 前記複数の電極は、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすパターンに設けられたことを特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/491,349 US6042686A (en) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Power segmented electrode |
US08/491,349 | 1995-06-30 | ||
PCT/US1996/010805 WO1997002589A1 (en) | 1995-06-30 | 1996-06-20 | Power segmented electrode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11509358A JPH11509358A (ja) | 1999-08-17 |
JP4026727B2 true JP4026727B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=23951816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50517297A Expired - Lifetime JP4026727B2 (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-20 | 電力分割された電極 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6042686A (ja) |
EP (1) | EP0871975B1 (ja) |
JP (1) | JP4026727B2 (ja) |
KR (3) | KR100447583B1 (ja) |
AT (1) | ATE247866T1 (ja) |
AU (1) | AU6339196A (ja) |
DE (1) | DE69629588T2 (ja) |
WO (1) | WO1997002589A1 (ja) |
Families Citing this family (131)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19814871A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-07 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur gezielten Teilchenmanipulierung und -deposition |
KR100292411B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2001-06-01 | 윤종용 | 반도체소자의 제조에 사용되는 플라즈마 장비 |
US6492612B1 (en) * | 1998-12-28 | 2002-12-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma apparatus and lower electrode thereof |
US6367413B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate |
JP2001035808A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
JP4585648B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-11-24 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
US8114245B2 (en) * | 1999-11-26 | 2012-02-14 | Tadahiro Ohmi | Plasma etching device |
US6363882B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Lower electrode design for higher uniformity |
WO2001052302A1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-07-19 | Tokyo Electron Limited | Segmented electrode assembly and method for plasma processing |
US20030079983A1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-05-01 | Maolin Long | Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources |
WO2001063642A1 (en) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone rf electrode for capacitive plasma sources |
JP4655385B2 (ja) * | 2000-03-01 | 2011-03-23 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
WO2001073814A2 (en) | 2000-03-28 | 2001-10-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode |
TWI286338B (en) * | 2000-05-12 | 2007-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2002013225A2 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
TW478026B (en) * | 2000-08-25 | 2002-03-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
TW529085B (en) * | 2000-09-22 | 2003-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Method for evaluating performance of plasma treatment apparatus or performance confirming system of plasma treatment system |
JP4717295B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドライエッチング装置及びエッチング方法 |
TW519716B (en) * | 2000-12-19 | 2003-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Wafer bias drive for a plasma source |
US6741446B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-05-25 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor and method of operating same |
US6838387B1 (en) | 2001-06-21 | 2005-01-04 | John Zajac | Fast etching system and process |
US20050059250A1 (en) * | 2001-06-21 | 2005-03-17 | Savas Stephen Edward | Fast etching system and process for organic materials |
US20060191637A1 (en) * | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
JP2003045874A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法 |
US6642661B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-11-04 | Tokyo Electron Limited | Method to affect spatial distribution of harmonic generation in a capacitive discharge reactor |
TW591714B (en) * | 2002-02-20 | 2004-06-11 | Radiiontech Co Ltd | Cleaning apparatus using atmospheric pressure plasma |
JP4753276B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
TW201041455A (en) * | 2002-12-16 | 2010-11-16 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method, and substrate manufacturing method |
KR100528464B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 스마트카드의 보안장치 |
US7075771B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system |
US20050031796A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for controlling spatial distribution of RF power and plasma density |
US7771562B2 (en) * | 2003-11-19 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Etch system with integrated inductive coupling |
US7426900B2 (en) * | 2003-11-19 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | Integrated electrostatic inductive coupling for plasma processing |
US20050130620A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Andreas Fischer | Segmented radio frequency electrode apparatus and method for uniformity control |
KR100622831B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-09-18 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
US7276135B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-10-02 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage |
US20060021580A1 (en) * | 2004-06-02 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and impedance adjustment method |
US7988816B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7951262B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20060037704A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma Processing apparatus and method |
KR100663351B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
JP4704088B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7993489B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
JP4642528B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5004436B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着電極および処理装置 |
US7851368B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-12-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for igniting a low pressure plasma |
US20070029193A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Limited | Segmented biased peripheral electrode in plasma processing method and apparatus |
US20070044914A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Katsuji Matano | Vacuum processing apparatus |
JP4801522B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2011-10-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体製造装置及びプラズマ処理方法 |
US7776748B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Selective-redeposition structures for calibrating a plasma process |
US7749398B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-07-06 | Tokyo Electron Limited | Selective-redeposition sources for calibrating a plasma process |
US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
US8017029B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
US7976671B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
US7967930B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
US8002946B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
US8012366B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
EP1921655B1 (en) * | 2006-11-10 | 2010-03-31 | Dublin City University | Plasma source with plurality of out of phase electrodes |
US8004293B2 (en) | 2006-11-20 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same |
US20080173538A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Kim Sun-Oo | Method and apparatus for sputtering |
US20080176905A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Santiago Ini | Polymorphic forms of rosiglitazone hydrobromide and processes for preparation thereof |
US8962101B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-02-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for plasma-based deposition |
TWI440405B (zh) * | 2007-10-22 | 2014-06-01 | New Power Plasma Co Ltd | 電容式耦合電漿反應器 |
JP5133750B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
US20140069584A1 (en) * | 2008-07-23 | 2014-03-13 | Applied Materials, Inc. | Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode |
US20140034239A1 (en) * | 2008-07-23 | 2014-02-06 | Applied Materials, Inc. | Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode |
KR101627297B1 (ko) * | 2008-10-13 | 2016-06-03 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법 |
US8664561B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-03-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for selectively controlling ion composition of ion sources |
JP5496568B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9299539B2 (en) * | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
US8501631B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
JP5606063B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
TWI511446B (zh) * | 2010-01-26 | 2015-12-01 | Applied Materials Inc | 平衡的rf電橋組件 |
US20120000606A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma uniformity system and method |
US20120164834A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Kevin Jennings | Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates |
KR101241049B1 (ko) | 2011-08-01 | 2013-03-15 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
KR101246191B1 (ko) | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
US9666414B2 (en) | 2011-10-27 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for etching low k and other dielectric films |
US20130153415A1 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial RF Biasing for Selectable Spot-Site Isolation |
US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
US9171699B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Impedance-based adjustment of power and frequency |
US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
US9295148B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Computation of statistics for statistical data decimation |
US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
US9368329B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system |
US9390893B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-07-12 | Lam Research Corporation | Sub-pulsing during a state |
US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
US9502216B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system |
US9530620B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-27 | Lam Research Corporation | Dual control modes |
US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
US9320126B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
KR101332337B1 (ko) | 2012-06-29 | 2013-11-22 | 태원전기산업 (주) | 초고주파 발광 램프 장치 |
US9530618B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-12-27 | Infineon Technologies Ag | Plasma system, chuck and method of making a semiconductor device |
US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
US9088085B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-07-21 | Novellus Systems, Inc. | High temperature electrode connections |
US9963777B2 (en) * | 2012-10-08 | 2018-05-08 | Analog Devices, Inc. | Methods of forming a thin film resistor |
US9043525B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-05-26 | Lam Research Corporation | Optimizing a rate of transfer of data between an RF generator and a host system within a plasma tool |
US9155182B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Tuning a parameter associated with plasma impedance |
US9620337B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Determining a malfunctioning device in a plasma system |
US9779196B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Segmenting a model within a plasma system |
US9107284B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Chamber matching using voltage control mode |
US9119283B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Chamber matching for power control mode |
US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
US10892140B2 (en) * | 2018-07-27 | 2021-01-12 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Nanosecond pulser bias compensation |
US9594105B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
US9472410B2 (en) * | 2014-03-05 | 2016-10-18 | Applied Materials, Inc. | Pixelated capacitance controlled ESC |
US10950421B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
US10153139B2 (en) * | 2015-06-17 | 2018-12-11 | Applied Materials, Inc. | Multiple electrode substrate support assembly and phase control system |
US10550469B2 (en) * | 2015-09-04 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ALD) reactors |
US11430635B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-08-30 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Precise plasma control system |
US11004660B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-05-11 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Variable output impedance RF generator |
KR101930440B1 (ko) * | 2017-01-04 | 2018-12-18 | 주식회사 메디플 | 플라즈마 생성을 위한 전력 공급 장치 |
CN110291408B (zh) * | 2017-02-16 | 2022-12-13 | 应用材料公司 | 用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法 |
US11289355B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
KR101931692B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2018-12-21 | 주식회사 유진테크 | 배치식 플라즈마 기판처리장치 |
JP6997642B2 (ja) * | 2018-01-30 | 2022-01-17 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR102655866B1 (ko) | 2018-01-31 | 2024-04-05 | 램 리써치 코포레이션 | 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리 |
US11086233B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
US11532457B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-12-20 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Precise plasma control system |
US11222767B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-01-11 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Nanosecond pulser bias compensation |
KR20230025034A (ko) | 2018-08-10 | 2023-02-21 | 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 | RF 플라즈마 반응기용 플라즈마 시스(sheath) 제어 |
US11260432B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ DC plasma for cleaning pedestal heater |
TWI778449B (zh) | 2019-11-15 | 2022-09-21 | 美商鷹港科技股份有限公司 | 高電壓脈衝電路 |
KR102591378B1 (ko) | 2019-12-24 | 2023-10-19 | 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 플라즈마 시스템을 위한 나노초 펄서 rf 절연 |
KR20220000817A (ko) * | 2020-06-26 | 2022-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
US20240120181A1 (en) * | 2022-10-06 | 2024-04-11 | Tokyo Electron Limited | System and Method for Plasma Process Uniformity Control |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4184188A (en) * | 1978-01-16 | 1980-01-15 | Veeco Instruments Inc. | Substrate clamping technique in IC fabrication processes |
US4384918A (en) * | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
JPS5842226A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Nec Corp | プラズマ半導体製造装置 |
GB2106325A (en) * | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
GB2147459A (en) * | 1983-09-30 | 1985-05-09 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck for semiconductor wafers |
GB2154365A (en) * | 1984-02-10 | 1985-09-04 | Philips Electronic Associated | Loading semiconductor wafers on an electrostatic chuck |
US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
US4692836A (en) * | 1983-10-31 | 1987-09-08 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Electrostatic chucks |
US4579618A (en) * | 1984-01-06 | 1986-04-01 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
JPH0644554B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1994-06-08 | 株式会社富士電機総合研究所 | プラズマcvd装置 |
US4617079A (en) * | 1985-04-12 | 1986-10-14 | The Perkin Elmer Corporation | Plasma etching system |
US4615755A (en) * | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
DE3629000C1 (de) * | 1986-08-27 | 1987-10-29 | Nukem Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht durch plasmachemischen Prozess |
US4724910A (en) * | 1986-09-29 | 1988-02-16 | Deutz-Allis Corporation | Implement with resiliently mounted coulter gangs |
US4885074A (en) * | 1987-02-24 | 1989-12-05 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor having segmented electrodes |
DE3854792D1 (de) * | 1987-02-24 | 1996-02-01 | Ibm | Plasmareaktor |
WO1988009054A1 (en) * | 1987-05-06 | 1988-11-17 | Labtam Limited | Electrostatic chuck using ac field excitation |
JPH06104898B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1994-12-21 | 忠弘 大見 | 減圧表面処理装置 |
JP2665242B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-10-22 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
US4962441A (en) * | 1989-04-10 | 1990-10-09 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic wafer blade clamp |
JP2779950B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
JPH0747820B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1995-05-24 | 株式会社日立製作所 | 成膜装置 |
JP3129452B2 (ja) * | 1990-03-13 | 2001-01-29 | 富士電機株式会社 | 静電チャック |
US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
JP3016821B2 (ja) * | 1990-06-15 | 2000-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
US5055964A (en) * | 1990-09-07 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having tapered electrodes |
US5191506A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
KR970005035B1 (ko) * | 1992-03-31 | 1997-04-11 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 플라즈마발생방법 및 그 장치 |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
US5350479A (en) * | 1992-12-02 | 1994-09-27 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high power plasma processing |
US5460684A (en) * | 1992-12-04 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
US5468296A (en) * | 1993-12-17 | 1995-11-21 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for igniting low pressure inductively coupled plasma |
US5463525A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
US5474648A (en) * | 1994-07-29 | 1995-12-12 | Lsi Logic Corporation | Uniform and repeatable plasma processing |
DE4443608C1 (de) * | 1994-12-07 | 1996-03-21 | Siemens Ag | Plasmareaktor und Verfahren zu dessen Betrieb |
-
1995
- 1995-06-30 US US08/491,349 patent/US6042686A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-20 AU AU63391/96A patent/AU6339196A/en not_active Abandoned
- 1996-06-20 JP JP50517297A patent/JP4026727B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-20 KR KR10-2003-7009421A patent/KR100447583B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-20 KR KR1019970709778A patent/KR100479201B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-20 KR KR10-2004-7003858A patent/KR100490781B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-20 EP EP96922561A patent/EP0871975B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-20 DE DE69629588T patent/DE69629588T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-20 AT AT96922561T patent/ATE247866T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-06-20 WO PCT/US1996/010805 patent/WO1997002589A1/en active IP Right Grant
-
2000
- 2000-02-03 US US09/497,234 patent/US6239403B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0871975B1 (en) | 2003-08-20 |
KR20040033316A (ko) | 2004-04-21 |
KR100447583B1 (ko) | 2004-09-04 |
ATE247866T1 (de) | 2003-09-15 |
US6042686A (en) | 2000-03-28 |
JPH11509358A (ja) | 1999-08-17 |
AU6339196A (en) | 1997-02-05 |
DE69629588T2 (de) | 2004-06-24 |
US6239403B1 (en) | 2001-05-29 |
EP0871975A1 (en) | 1998-10-21 |
KR20040004493A (ko) | 2004-01-13 |
KR100479201B1 (ko) | 2005-07-11 |
DE69629588D1 (de) | 2003-09-25 |
KR19990028462A (ko) | 1999-04-15 |
KR100490781B1 (ko) | 2005-05-19 |
WO1997002589A1 (en) | 1997-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |