JP4015598B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents
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Description
但し、△Vz:ツェナー電圧変化分、
△Tj:接合部温度(自己発熱温度+周囲温度)変化分
実際のツェナー電圧温度係数γz(周囲温度T1〜T2)は一般的に次式で算出できる。
また、図6は、温度変化に伴う基準値REFとシャント抵抗値との関係を示す図である。この図において、横軸が雰囲気温度Ta(℃)であり、縦軸が電圧及び抵抗値である。雰囲気温度Taが高くなると、基準値REFがツェナー電圧の上昇とともに増加するが、シャント抵抗の値は、既述したように、安定した温度特性のものが用いられていて、ほぼ一定である。
前記シャント抵抗は、その抵抗値が温度に依存する抵抗温度特性を有しており、かつ、プリント基板上で前記ツェナーダイオードの配置場所の温度雰囲気に近い温度雰囲気の場所に配置され、前記高周波加熱装置内の雰囲気温度が変化するとき、前記シャント抵抗の抵抗値が前記ツェナーダイオードのツェナー電圧と同じように変化し、前記基準値及び前記入力電流情報がともに同じだけ変化することを特徴とする。
なお、本発明では、上記の電源部1のうち、ツェナーダイオード104,107を含んで直流電源(20V,12V)を生成する回路部を直流電源部と称している。また直流電源部は、インバータ部を含む主基板とは別基板として形成し、主基板上の基準値生成部へ直流電源を供給するようにしてもよい。
2 インバータ部
3 高圧整流回路
4 マグネトロン
5 入力電流検出部
6 基準値生成部
7 制御部
20 商用電源
101 ダイオードブリッジ
102 シャント抵抗
103 セメント抵抗
104、107 ツェナーダイオード
205 IGBT
Claims (2)
- 少なくともプリント基板上に、商用電源よりインバータ電源電圧を生成する整流平滑部と、
半導体スイッチング素子を含みこの半導体スイッチング素子をオン/オフすることにより前記整流平滑部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、
前記整流平滑部から前記インバータ部に流入する入力電流を検出するためのシャント抵抗と、
前記商用電源に整流用ダイオードを介して接続した抵抗と電圧が温度に依存する電圧温度特性を有するツェナーダイオードとで分圧生成されるツェナー電圧を直流電源とする直流電源部と、
前記直流電源部にて生成された直流電源の電圧値と前記直流電源部の整流用ダイオードを介して取り出した直流出力とを比較して前記入力電流を一定に制御するための基準値を生成する基準値生成部と、
前記基準値生成部にて生成された基準値と前記シャント抵抗により検出された入力電流情報とが等しくなるように、前記インバータ部の半導体スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部と
を具備する高周波加熱装置であって、
前記シャント抵抗は、その抵抗値が温度に依存する抵抗温度特性を有しており、かつ、プリント基板上で前記ツェナーダイオードの配置場所の温度雰囲気に近い温度雰囲気の場所に配置され、
前記高周波加熱装置内の雰囲気温度が変化するとき、前記シャント抵抗の抵抗値が前記ツェナーダイオードのツェナー電圧と同じように変化し、前記基準値及び前記入力電流情報がともに同じだけ変化することを特徴とする高周波加熱装置。 - 前記シャント抵抗が、プリント基板上で前記ツェナーダイオードの近傍に配置されることを特徴とする請求項1記載の高周波加熱装置。
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