JP3168842B2

JP3168842B2 - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JP3168842B2
Application number: JP23289594A
Authority: JP
Inventors: 誠三原; 大介別荘; 伸一酒井; 健治安井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-09-28
Filing date: 1994-09-28
Publication date: 2001-05-21
Anticipated expiration: 2016-05-21
Also published as: JPH0896947A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は食品や流体等を加熱する
ための高周波加熱装置に関し、さらに詳しく言えばその
電源装置に高周波電力を発生する半導体電力変換器を用
いた高周波加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】まず第１の従来例を示す。家庭用の電子
レンジ等の高周波加熱装置の電源回路においては図３０
に示す様な構成のものが多く用いられている。図３０に
おいて、運転スイッチ１が投入されると商用電源２が高
圧トランス３に接続される。高圧トランス３の二次巻線
４の出力は、コンデンサ５、ダイオード６により整流さ
れてマグネトロン７に供給される。高圧トランス３のヒ
ーター巻線８はマグネトロン７のカソードに接続されカ
ソードを加熱する。従って、マグネトロン７は発振し、
高周波電磁波（電波）を出力して誘電加熱が可能とな
る。

【０００３】第２の従来例を特開昭６４−１２４９１号
公報を引用して示す。図３１はその高周波加熱装置の回
路図である。商用電源２、ダイオードブリッジ９及びチ
ョークコイル１０とコンデンサ１１よりなるフィルタ回
路と電源部２０を構成しており、共振コンデンサ１２、
高圧トランス３、トランジスタ１５、転流ダイオード１
４、コンデンサ５、ダイオード６、およびマグネトロン
７よりなる電力変換器２１に電力を供給する。電力変換
器２１は、共振コンデンサ１２、高圧トランス３、トラ
ンジスタ１５、転流ダイオード１４よりなるインバータ
と、高圧トランス３の出力を整流するコンデンサ５と、
ダイオード６よりなる高圧整流回路と、高周波電力を発
生するマグネトロン７とで構成され、このマグネトロン
７は、この高周波電力を電磁波エネルギーとして放射す
る電磁波放射部としての作用を兼ねている。

【０００４】トランジスタ１５は、制御部１６より例え
ば２０〜２００ＫＨｚのスイッチング制御信号を与えら
れスイッチング動作する。従って、高圧トランス３の１
次巻線１３には高周波電圧が発生し、この高周波電圧が
昇圧され整流されてマグネトロン７に供給され、マグネ
トロン７が発振する。

【０００５】制御部１６にはカレントトランスなどで構
成される入力電流検知器１９により商用電源２から供給
される入力電流に比例した信号が送られる。制御部１６
は入力電流が定められた値になるようにトランジスタ１
５の導通時間と非導通時間の比を制御する、いわゆるパ
ルス幅制御によってマグネトロン７の電磁波出力を所定
値に一定制御する構成となっている。

【０００６】さらに、この様な構成において高周波加熱
装置を動作させる場合、加熱開始指令が加熱開始回路１
８から起動制御部１７に送られる。起動制御部１７は加
熱開始指令を受け取ると、動作開始時の所定時間の間、
制御部１６に立ち上がり信号を与え、定常時の電磁波出
力より高い値を出力する様に、入力電流を定常時のそれ
より大きい値に一定制御する。これにより調理時間の短
縮を図るものである。

【０００７】図３２はそれによる電磁波出力の時間推移
を表したものである。Ａが定常出力よりも大きい値の期
間、Ｂが定常出力期間である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記第１の従
来例においては入力電圧の変動あるいは商用電源の供給
電圧差によって著しく電磁波出力が異なることになる。
図３３は入力電圧の違いによる電磁波出力の変化を表し
た図である。このように２２０〜２４０Ｖの電圧変化に
対して大きく電磁波出力Ｐｏも変化することがわかる。
ほぼ電圧変動率に等しい程度の電磁波出力Ｐｏの変動は
避けがたい。

【０００９】従って、例えば２００Ｖ系の商用電源環境
を持った諸国に高周波加熱装置を供給しようとする場
合、欧州では２２０、２３０、２４０Ｖの地域が存在
し、また日本では２００Ｖという具合に供給先によって
電圧条件が異なるため、それに応じた仕様の電源回路を
設計する必要があり、設計効率、生産効率を著しく低下
させていることは勿論、２００Ｖ系地域内のいかなる場
所で使用可能な高周波加熱装置をつくるためには、電圧
に対応した部品の重複実装と電圧に応じた重複部品から
の部品選択手段が必要になり極めて高コストの高周波加
熱装置となっていた。また、電源動揺に対しても電磁波
出力が変動し加熱調理性能の悪化をもたらす一要因であ
るという課題があった。

【００１０】また、第２の従来例においても、入力電流
を一定になるような制御をおこなっているため入力電圧
の変動に比例して電磁波出力が変動するという、第１の
従来例と同様の課題をもっている。

【００１１】そこで、本発明は電源電圧に無関係に一定
の電磁波出力を発生しかつ電磁波放射部の温度を温度検
出器などを一切使わず遠隔的に測定しその温度が所定温
度以上になると電磁波出力を低下させ高周波加熱装置を
熱的なダメージから保護をすることを第１の目的として
いる。

【００１２】しかし、一挙に電磁波出力を軽減させる
と、繰り返し加熱調理を行った場合、ある時点から電磁
波放射部の温度が所定温度以上になり電磁波出力が低減
されるため、加熱調理に所用する時間が不連続的に突然
長くなるという機器にとっては極めて不自然な現象が発
生してしまい、使用者に誤って機器の故障あるいは異常
発生を感じさせてしまうという課題がある。

【００１３】そこで、本発明は電源電圧に無関係に一定
の電磁波出力を発生しかつ電源回路の温度に追従して電
磁波出力を暫時軽減していく高周波加熱装置を提供する
ことを第２の目的としている。

【００１４】そして本発明は電源電圧に無関係に一定の
電磁波出力を発生しかつ電源回路の温度上昇に伴って電
磁波出力を段階的に軽減する状態変化がチャタリング動
作せず明確に切り替わりチャタリング動作による制御回
路の不安定性を排除することを第３の目的としている。

【００１５】そして、本発明は電磁波放射部の温度の遠
隔的検出の精度を調整をおこなうことによって高精度化
することを第４の目的としている。

【００１６】そして、本発明は第４の目的を達成するに
あたり容易な調整方法を用いて実現させることを第５の
目的としている。

【００１７】そして、本発明は第４の目的を達成するに
あたり無調整でおこなうことを第６の目的としている。

【００１８】一方、第２の従来例においては、起動初期
の一定期間に定常出力以上の電磁波出力を発生させるも
のであるが、当然連続的に調理がおこなわれた場合、そ
の一定期間が繰り返されることになり、部品の異常温度
上昇による熱破壊の危険性がある。それを避けるために
は電源回路の一部に温度検出器を設けそれを起動制御部
に帰還させ、定常出力以上に上げる電磁波出力の値を軽
減するか、もしくはその期間を短縮するような付加回路
をもうけたり、高周波加熱装置の動作履歴を記憶して、
その状態に応じて同様の出力軽減もしくは期間短縮を図
る付加回路を設けたり、非常に機器として複雑な構成で
かつ高コスト化するという課題があった。

【００１９】そこで、本発明は特別な付加回路機能を具
備せず、起動初期の一定期間に定常出力以上の電磁波出
力を発生させる高周波加熱装置において、繰り返し使用
時の部品の温度保証を実現することを第７の目的として
いる。

【００２０】

【課題を解決するための手段】そこで前記第１の目的を
解決するために本発明は、商用電源を単方向電圧に変換
する単方向電源部と、少なくとも１個の半導体素子を有
し、前記単方向電源部よりの電力を高周波電力に変換す
るインバータ部と、インバータ部の出力電圧を昇圧する
昇圧トランスと、昇圧トランスの出力電圧を整流する高
圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射
する電磁波放射部と、前記半導体素子を制御する制御部
とを備え、前記制御部は前記高圧整流部もしくは前記電
磁波放射部の電流を検出する二次側電流検出手段と、商
用電源の電圧を検出する入力電圧検出手段と、前記単方
向電源部の電流を検出する入力電流検出手段と、前記入
力電流検出手段と前記入力電圧検出手段の出力を受けそ
の乗算値に比例する信号を出力する入力電力検出手段
と、前記入力電力検出手段の出力を所定値に一定制御す
べく前記半導体素子のＯＮ／ＯＦＦを制御する電磁波出
力制御手段からなり、前記電磁波出力制御手段は前記入
力電力検出手段の出力に応じたしきい値と前記二次側電
流検出手段の出力とを比較しその大小関係に応じ前記一
定制御のレベルを変化させる構成としたものである。

【００２１】また第２の目的を達成するための本発明の
手段は、第１の目的を達成する手段における電磁波出力
制御手段を、しきい値を複数個もち前記複数のしきい値
によって区分される領域に応じ一定制御するレベルを変
化させる構成としたものを第１の手段とし、商用電源を
単方向電圧に変換する単方向電源部と、少なくとも１個
の半導体素子を有し、前記単方向電源部よりの電力を高
周波電力に変換するインバータ部と、インバータ部の出
力電圧を昇圧する昇圧トランスと、昇圧トランスの出力
電圧を整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を
電磁波として放射する電磁波放射部と、前記半導体素子
を制御する制御部とを備え、前記制御部は前記高圧整流
部もしくは前記電磁波放射部の電流を検出する二次側電
流検出手段と、商用電源の電圧を検出する入力電圧検出
手段と、前記単方向電源部の電流を検出する入力電流検
出手段と、前記入力電流検出手段と前記入力電圧検出手
段の出力を受けその乗算値に比例する信号を出力する入
力電力検出手段と、前記入力電力検出手段もしくは前記
二次側電流検出手段のいずれか一方を選択しその出力を
所定値に一定制御すべく前記半導体素子のＯＮ／ＯＦＦ
を制御する電磁波出力制御手段からなり、前記電磁波出
力制御手段は起動後の一定期間は前記入力電力検出手段
を選択し、前記入力電力検出手段の出力に応じたしきい
値と前記二次側電流検出手段の出力とを比較しその大小
関係に応じ前記一定制御のレベルを変化させ、かつ前記
一定期間後は前記二次側電流検出手段を選択する構成と
したものを第２の手段としたものである。

【００２２】また第３の目的を達成するために本発明
は、第１及び第２の目的を解決する手段における電磁波
出力制御手段を、二次側電流検出手段としきい値との比
較にヒステリシス機能を持たせる構成としたものであ
る。

【００２３】また第４の目的を達成するための本発明の
手段は、第１及び第２の目的を達成する手段に、電磁波
放射部が所定温度でかつ所定入力電力で動作している時
の二次側電流検出手段の出力を記憶する二次側電流記憶
手段と、前記二次側電流記憶手段の出力に応じてしきい
値に所定バイアスを加えるしきい値変更手段とを設ける
構成としたものを第１の手段とし、電磁波放射部が所定
温度でかつ二次側電流検出手段の出力が所定値で動作し
ている時の入力電流検出手段の出力を記憶する入力電流
記憶手段と、前記入力電流記憶手段の出力に応じてしき
い値に所定バイアスを加えるしきい値変更手段を設ける
構成としたものを第２の手段としたものである。

【００２４】また第５の目的を達成するために本発明
は、機器全体を制御する主制御部に入力電流を検出する
第２の入力電流検出手段と前記第２の入力電流検出手段
の出力を記憶する入力電流記憶手段と、制御部に前記入
力電流記憶手段からの信号を受けそれに応じてしきい値
に所定バイアスを加えるしきい値変更手段を設け、電磁
波放射部が所定温度でかつ二次側電流検出手段の出力が
所定値で動作している時の入力電流を前記第２の入力電
流検出手段で検出しその値を前記入力電流記憶手段によ
って記憶する構成としたものである。

【００２５】また第６の目的を達成するために本発明
は、第５の目的を達成するための手段において、前記入
力電流記憶手段を不揮発性メモリーとした構成のもので
ある。

【００２６】また第７の目的を達成するための本発明の
手段は、第１の目的を達成する手段及び第２の目的を達
成する第２の手段において、電磁波出力制御手段を二次
側電流検出手段の出力がしきい値より大きい時の電磁波
出力を定常値とし、二次側電流検出手段の出力がしきい
値より小さい時の電磁波出力を定常値以上になるように
設定した構成としたものを第１の手段とし、第２の目的
を達成するための第１の手段において、電磁波出力制御
手段を二次側電流検出手段の出力が最大のしきい値より
大きい時の電磁波出力を定常値とし、二次側電流検出手
段の出力が最小のしきい値より小さい時の電磁波出力を
定常値以上の最大電磁波出力とし、その間のしきい値区
分における電磁波出力はしきい値区分の小さい方から大
きい方に向かうに従って段階的に小さくしていくように
設定したものを第２の手段とし、第２の目的を達成する
ための第１の手段において、電磁波出力制御手段を二次
側電流検出手段の出力が最大のしき値より大きい時電磁
波出力を停止し、最大のしきい値とそれより１レベル低
いしきい値との間の区分の電磁波出力を定常値とし、二
次側電流検出手段の出力が最小のしきい値より小さい時
の電磁波出力を定常値以上の最大電磁波出力とし、その
間のしきい値区分における電磁波出力はしきい値区分の
小さい方から大きい方に向かうに従って段階的に小さく
していくように設定したものを第３の手段としたもので
ある。

【００２７】

【作用】本発明は上記構成によって、以下の作用を果た
すものである。

【００２８】また、第１の目的を達成するために本発明
の高周波加熱装置は、制御部を、高圧整流部もしくは電
磁波放射部の電流を検出する二次側電流検出手段と、入
力電流検出手段と入力電圧検出手段の出力を受けその乗
算値に比例する信号を出力する入力電力検出手段と、入
力電力検出手段の出力を所定値に一定制御すべく半導体
素子のＯＮ／ＯＦＦを制御する電磁波出力制御手段から
なり、電磁波出力制御手段は入力電力検出手段の出力に
応じたしきい値と二次側電流検出手段の出力とを比較し
その大小関係によって前記一定制御レベルを変化させ
る。即ち電磁波放射部の特性上温度が過昇状態になると
一定入力電力の条件下では二次側電流検出手段の出力が
増大することから、これを捉えることにより遠隔的に電
磁波放射部の温度状態を検知でき、入力電力の供給を低
減させるこよにより部品の熱的責務の低減を図ることが
でき部品の熱的破壊を回避することができる。

【００２９】また、第２の目的を達成するための第１の
手段によると本発明の高周波加熱装置は、しきい値を複
数個もちその複数のしきい値によって区分される領域に
応じ一定制御するレベルを変化させることにより、電源
電圧に無関係に一定の電磁波出力を発生しかつ電源回路
の温度に追従して電磁波出力を暫時軽減していかせるこ
とができる。

【００３０】また第２の手段によると、電磁波出力制御
手段は入力電力検出手段もしくは二次側電流検出手段の
いずれか一方を選択しその出力を一定制御し、起動後の
一定期間は入力電力検出手段を選択し、入力電力検出手
段の出力に応じたしきい値と二次側電流検出手段の出力
とを比較しその大小関係に応じ前記一定制御のレベルを
変化させ、かつ一定期間後は二次側電流検出手段を選択
し二次側電流一定制御で電磁波出力は電磁波放射部の特
性により漸減する。

【００３１】これらにより、部品の熱的責務の低減を図
るとともに、電磁波出力が徐々に減少し、一度に大きく
減少することがないため使用者が機器に対して異常意識
を持つことがなくなる。

【００３２】また、第３の目的を達成するために本発明
の高周波加熱装置は、第１及び第２の目的を達成する手
段において、電磁波出力制御手段の二次側電流検出手段
としきい値との比較にヒステリシス機能を持たせてい
る。それにより、一旦しきい値を二次電流手段の出力が
超えると、電磁波出力を変化させるとともにそのしきい
値のレベルを下げるためチャタリング現象は発生せず確
実に安定して電磁波出力の状態が遷移する。従ってチャ
タリング動作による回路動作の不安定性を排除すること
ができ機器としての信頼性を向上させることができる。

【００３３】また、第４の目的を達成するための第１の
手段による本発明の高周波加熱装置は、電磁波放射部が
所定温度でかつ所定入力電力で動作している時の二次側
電流検出手段の出力を記憶する二次側電流記憶手段と、
その二次側電流記憶手段の出力に応じてしきい値に所定
バイアスを加えるしきい値変更手段とを設ける構成とし
ている。

【００３４】電磁波放射部の動作電流と動作電圧の関係
（この積の電力が電磁波放射部によりマイクロ波電力に
変換され、この変換効率は比較的バラツキが少ない）は
部品個々によって比較的大きなバラツキをもつため、電
磁波放射部が所定温度でかつ所定入力電力で動作してい
る時の二次側電流検出手段の出力は当然ばらつく。従っ
て、一定入力電力で動作している時の二次側電流検出手
段の出力は電磁波放射部の温度に比例し、それを推定す
るに都合の良い指標であるが、前記部品個々のバラツキ
を配慮せず一律のしきい値を設定することは、電磁波放
射部の温度を遠隔検知して出力を変更するという制御に
とっていささか荒っぽい精度と言わざるを得ない。そこ
で本発明では二次側電流記憶手段でその部品バラツキを
調整を加えることによって記憶し、その出力に応じてし
きい値変更手段がバラツキを解消するに最適のしきい値
変更を行うため、磁波放射部の温度の遠隔的検出の精度
は向上する。

【００３５】また、第４の目的を達成するための第２の
手段による本発明の高周波加熱装置は、電磁波放射部が
所定温度でかつ二次側電流検出手段の出力が所定値で動
作している時の入力電流検出手段の出力を記憶する入力
電流記憶手段と、その入力電流記憶手段の出力に応じて
しきい値に所定バイアスを加えるしきい値変更手段を設
ける構成としている。ここで、電磁波放射部が所定温度
でかつ一定の二次側電流検出手段の出力で動作している
時の入力電流検出手段の出力は電磁波放射部の温度に比
例し、それを推定するに都合の良い指標という観点に立
脚している点が第１の手段との違いである。

【００３６】また、第５の目的を達成するための本発明
の高周波加熱装置は、機器全体を制御する主制御部に入
力電流を検出する第２の入力電流検出手段とその出力を
記憶する入力電流記憶手段とを設け、電源回路の制御部
は前記入力電流記憶手段からの信号を受けそれに応じて
しきい値に所定バイアスを加えるしきい値変更手段がし
きい値変更する。そこで電磁波放射部が所定温度でかつ
二次側電流検出手段の出力が所定値で動作している時の
入力電流を第２の入力電流検出手段で検出しその値を前
記入力電流記憶手段に調整によって記憶させる構成とし
ている。第６の目的を達成するための本発明の高周波加
熱装置では、機器内に記憶手段を内蔵する電源回路が配
置されているため調整作業の勝手が悪く、かつ高圧回路
を同一電源回路内に配置している関係上感電の危険性も
伴った困難な調整作業であったが、電源回路とは距離を
持った主制御側に記憶手段を具備したことにより調整作
業性は著しく改善され、危険を伴わない。

【００３７】また、第６の目的を達成するための本発明
の高周波加熱装置は、記憶手段に不揮発性メモリーを使
用することにより、無調整化を図っている。

【００３８】また、第７の目的を達成するための第１の
手段による本発明の高周波加熱装置は、第１の目的を達
成するため手段において、二次側電流検出手段の出力が
しきい値より大きい時の電磁波出力を定常値とし、二次
側電流検出手段の出力がしきい値より小さい時の電磁波
出力を定常値以上になるように設定しており、電磁波放
射手段の温度が過昇状態になると、自ずと定常値に戻
る。

【００３９】また、第７の目的を達成するための第２の
手段による本発明の高周波加熱装置は、第２の目的を達
成するための手段において、二次側電流検出手段の出力
が最大のしきい値より大きい時の電磁波出力を定常値と
し、二次側電流検出手段の出力が最小のしきい値より小
さい時の電磁波出力を定常値以上の最大電磁波出力と
し、その間のしきい値区分における電磁波出力はしきい
値区分の小さい方から大きい方に向かうに従って段階的
に小さくしていくように設定しており、電磁波放射手段
の温度が過昇状態になると、段階的に電磁波出力を漸減
していき最終的に定常出力で動作する。

【００４０】また、第７の目的を達成するための第３の
手段による本発明の高周波加熱装置は、第２の目的を達
成するための手段において、二次側電流検出手段の出力
が最大のしき値より大きい時電磁波出力を停止し、最大
のしきい値とそれより１レベル低いしきい値との間の区
分の電磁波出力を定常値とし、二次側電流検出手段の出
力が最小のしきい値より小さい時の電磁波出力を定常値
以上の最大電磁波出力とし、その間のしきい値区分にお
ける電磁波出力はしきい値区分の小さい方から大きい方
に向かうに従って段階的に小さくしていくように設定し
ており、電磁波放射手段の温度が過昇状態になると、段
階的に電磁波出力を漸減していき最終的に定常出力で動
作し、何らかの以上で電磁波放射手段の温度が異常状態
になると動作を停止する。

【００４１】従って、第７の目的を達成した本発明の高
周波加熱装置は、起動初期に定常出力以上の高出力を発
生する機能を持ち、かつ連続使用しても部品が熱的に破
壊することなく加熱調理時間の短縮化が図れる。

【００４２】

【実施例】以下本発明の一実施例における高周波加熱装
置について図面に基づいて説明する。

【００４３】図１において、商用電源２、ダイオードブ
リッジ９と、インダクタ１０とコンデンサ１１よりなる
フィルター回路は、単方向電源部２２を構成しており、
コンデンサ１２と昇圧トランス３の１次巻線１３の共振
回路とそれに直列に接続したダイオード１４と半導体素
子たるトランジスタ１５からなるインバータ部２３によ
って単方向電源部２２の単方向電圧は高周波交流電圧に
変換される。その高周波電力は昇圧トランス３によって
高圧の高周波電力に変換され、コンデンサ５とダイオー
ド６からなる高圧整流部２４によって半波倍電圧整流さ
れ高圧直流電圧に変換される。高圧整流部２４について
はこの他にも全波倍電圧整流も考えられる。電磁波放射
部たるマグネトロン７は陰極を昇圧トランス３のヒータ
ー巻線８によってプリヒートされた状態で陽極に高圧整
流部２４の出力である高圧直流電圧を印加することによ
って９００ＭHzあるいは２４５０ＭHzで発振しその高周
波電界によって食品を誘電加熱する。

【００４４】ここでインバータ部２３は制御部２５から
２０〜２００ＫHzのスイッチング制御信号を受けトラン
ジスタ１５をスイッチング動作し昇圧トランス３の１次
巻線１３に高周波電圧を発生させる。

【００４５】制御部２５はカレントトランス等からなる
入力電流検知器１９の信号を入力電流に比例した直流電
圧に変換する入力電流検出手段２６と、商用電源２の交
流電圧を受けその電圧実効値に比例した直流電圧に変換
する入力電圧検出手段２７と、入力電流検出手段２６と
入力電圧検出手段２７の出力を受けその掛け算値に比例
した直流電圧を出力する入力電力検出手段２８と、入力
電力検出手段２８の出力Ｐin(DC)を受けその値を一定値
になるようにトランジスタ１５にスイッチング制御信号
を出力し、入力電力一定の状態で電磁波出力を制御する
電磁波出力制御手段３０からなる。ここで入力電力から
電磁波電力への変換効率は動作中ほぼ一定であるので電
磁波出力も一定に制御できる。

【００４６】図２は入力電流検出手段２６の回路図の一
例である。カレントトランスからなる入力電流検知器１
９の信号はダイオードブリッジ４１と負荷抵抗３４によ
って全波整流された単方向電圧に変換され、その出力は
抵抗とコンデンサからなるローパスフィルター３５によ
ってその直流成分のみが抽出され、入力電流に比例した
直流電圧Iin(DC)を出力する。

【００４７】図３は入力電圧検出手段２７の回路図の一
例である。ダイオードブリッジ９の一部とダイオード３
６と３７によって入力電圧は全波整流され抵抗３８と３
９によって所定のレベルシフトがされたあと抵抗３９の
両端の電圧は抵抗とコンデンサからなるローパスフィル
ター４０によってその直流成分のみが抽出され、入力電
圧に比例した直流電圧Vin(DC)を出力する。

【００４８】図４は入力電力検出手段２８と電磁波出力
制御手段３０の回路図の一例である。入力電流検出手段
２６の出力Iin(DC)と入力電圧検出手段２７の出力Vin(D
C)は例えばモノリシック化された４現象アナログマルチ
プライヤ８０１３などの掛け算器４２を用いて入力電圧
Ｘ、Ｙの乗算値に比例した電圧を出力する。即ち、Ｘ×
Ｙ×Ｋ＝Ｚ（Ｋは比例定数）の積演算を掛け算器４２は
行う。半固定抵抗４３〜４５によってＸｏ、Ｙｏ、Ｚｏ
を調整する。ＸｏはＸ入力零の時のＺ出力バイアス調
整、ＹｏはＹ入力零の時のＺ出力バイアス調整。Ｚｏは
Ｘ、Ｙ入力零の時のＺ出力バイアス調整である。ほぼ０
〜Ｖｃｃ間で所定のマージンを設けてダイナミックレン
ジが確保できるように入力電流検出手段２６と入力電圧
検出手段２７の出力設定を考慮する必要がある。

【００４９】電磁波出力制御手段３０は抵抗４６、４７
及び演算増幅器４８からなる反転増幅回路と、基準電圧
発生手段４９、入力電圧に応じて出力する信号のパルス
幅が変わるＰＷＭ回路５０からなり、入力電力検出手段
２８の出力Ｐin(DC)を受け基準電圧発生手段４９との誤
差を反転増幅器により反転増幅する。その出力を受けＰ
ＷＭ回路はスイッチング制御信号をトランジスタ１５に
出力し駆動させる。制御則としては入力電力が増大する
と入力電力検出手段２８の出力Ｐin(DC)が増加する。す
ると反転増幅器の出力は低下しＰＷＭ回路５０は入力電
力を抑制する方向でスイッチング制御信号を出力し、入
力電力が減少したときにはその逆の制御が働き、結局基
準電圧発生手段４９の出力に応じた一定入力電力で高周
波加熱装置は動作することになる。

【００５０】従って、電源電圧に無関係にかつマグネト
ロン７の陽極電圧が温度依存して低下してきても一定の
電磁波出力を発生する高周波加熱装置を提供することが
できる。

【００５１】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について図５に基づいて説明する。図１と部品、
機能的に同一部分についての説明は割愛する。ここで、
温度検知器３２はサーミスタ、感温抵抗等で構成し、マ
グネトロン７に近接して配されその温度を測定する。温
度検出手段３３はその温度依存性の物理量を、電圧に変
換する。電磁波出力制御手段３０は入力電力検出手段２
８の出力Ｐin(DC)と、温度検出手段３３の出力Ｔ(DC)を
受けスイッチング制御信号をトランジスタ１５に出力し
駆動させる。

【００５２】図６は温度検出手段３３の回路図である。
温度検知器３２は負の温度依存性を持ったサーミスタと
抵抗５１は制御部電源電圧Ｖccを分圧し、その出力は抵
抗５２、抵抗５３、演算増幅器５４からなる非反転増幅
器の非反転端子に入力され所定増幅され、所定のダイナ
ミックレンジをもった温度電圧信号に変換される。従っ
て、マグネトロン７の温度が上昇すると温度電圧信号は
低下する傾向となる。

【００５３】そこでその信号は抵抗５６と抵抗５５でＶ
ccを分圧した所定の温度基準電圧と比較器５８で比較さ
れる。比較器５８は出力段がオープンコレクタ形式でか
つＶccに所定係数Ｋを乗じた電圧にプルアップされてい
る。従って、マグネトロン７の温度が上昇して温度電圧
信号が温度基準電圧以下になると、それまでＫ・Ｖcc電
圧であった温度検出手段の出力電圧Ｔ(DC)がダイオード
ブリッジ９の−端子電圧（制御部２５のグランド電位）
に低下する。

【００５４】図７に電磁波出力制御手段３０の回路図で
ある。第４図において説明した部分については割愛す
る。入力電力検出手段２８の出力Ｐin(DC)は抵抗４６に
入力される。一方温度検出手段３３の出力Ｔ(DC)は基準
電圧発生手段４９に入力される。基準電圧発生手段４９
はバイアス電圧として温度検出手段３３の出力Ｔ(DC)を
持った構成としている。従ってマグネトロン７の温度が
低い時には、バイアス電圧はＫ・Ｖccでそのバイアスを
持った基準電圧発生手段４９の出力に応じた入力電力に
一定制御するように入力電力検出手段２８の出力Ｐin(D
C)及びＰＷＭ回路５０のスイッチング制御信号が決定さ
れる。しかし、マグネトロン７の温度が上昇すると基準
電圧発生手段４９のバイアスは除去され出力は低下する
ため入力電力も低下した状態に変化して一定制御され
る。

【００５５】そのふるまいを時間経過で表したものが図
８である。電磁波放射部の温度は(a)図であるが、動作
時間に伴い徐々に上昇する。すると(b)図に示す様に、
温度検出手段３３の中の温度電圧信号はそれに逆比例し
て下降し、温度基準電圧をいずれ下回る。そのときの温
度検出手段３３の出力Ｔ(DC)は温度電圧信号が温度基準
電圧より高いときはＫ・Ｖcc（Ｋは１以下の定数）の電
圧を発生し、その関係が反転（温度状態遷移）すると零
出力となる。その時、基準電圧発生手段４９は温度検出
手段３３の出力Ｔ(DC)がバイアスされているため(d)図
に示すように電磁波出力の制御レベルを決定する基準電
圧発生手段４９の出力は温度状態遷移の前後でＫ・Ｖcc
電圧だけ異なる。従って、(e)図に示す様に電磁波出力
は温度状態遷移前の温度が低い領域では高く、その後の
温度が高い領域では低くなる。

【００５６】一般的に、入力電力一定で動作させる時の
不具合点は、マグネトロン７が異常な温度過昇状態に陥
ると陽極電圧が減少するため電力が一定の制御下では陽
極電流がそれに反比例して増加することにある。そうす
ると温度がさらに上昇する方向に作用（熱暴走）し、マ
グネトロン７の劣化は勿論、最悪の事態では破壊にいた
る可能性が高い。

【００５７】しかし本発明によると、電源電圧の影響を
受けない一定出力が得られるという特長を備えつつ、前
述した制御によりマグネトロン７の温度が異常に高くな
った時は出力を下げ責務を軽減することができるためマ
グネトロン７の信頼性は飛躍的に向上する。

【００５８】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について図９に基づいて説明する。図１と部品、
機能的に同一部分についての説明は割愛する。ここで３
１はカレントトランスで構成する二次側電流検知器、２
９は二次側電流検知器の出力を受け二次側電流を検出し
所定の制御可能な信号に変換する二次側電流検出手段で
その出力は電磁波出力制御手段３０に入力される。この
実施例では二次側電流検知器３１を図に示す位置に配し
たが、マグネトロン７の陽極電流を検知する位置に配し
てもいささかの不都合もない。

【００５９】図１０は温度検出手段２９の回路図であ
る。カレントトランスからなる二次側電流検知器３１の
信号はダイオードブリッジ５９と負荷抵抗６０によって
全波整流された単方向電圧に変換され、その出力は抵抗
とコンデンサからなるローパスフィルター６１によって
その直流成分のみが抽出され、二次側電流に比例した直
流電圧Is(DC)を出力する。

【００６０】図１１に電磁波出力制御手段３０の回路図
を示す。抵抗６２、６３と演算増幅器６４からなる非反
転増幅器は入力電力検出手段２８の出力Ｐin(DC)は演算
増幅器６４の非反転端子に入力され抵抗６２、６３で決
まる増幅率で増幅される。その非反転増幅器の出力Ｖt
は出力形式がオープンコレクタ形式で抵抗６６を通じて
Ｋ’・Ｖcc（Ｋ’は電磁波出力を変更するレベルを決定
する定数）にプルアップされた比較器６５の非反転端子
に入力される。一方、反転端子には二次側電流検出手段
２９の出力であるＩs(DC)が入力される。比較器６５は
その大小を比較し出力（バイアス電圧Ｖb）を基準電圧
発生手段４９に送る。基準電圧発生手段４９ではバイア
ス電圧を重畳させた電圧を演算増幅器４８の非反転端子
に出力する。以降は図７で説明した通り、基準電圧発生
手段４９の出力に応じた入力電力に一定制御するように
入力電力検出手段２８の出力Ｐin(DC)及びＰＷＭ回路５
０のスイッチング制御信号が決定される。電磁波出力制
御手段３０は以上の構成である。

【００６１】それでは電磁波出力制御手段３０の効果に
ついて説明する。図１２は電源の入力電力を一定で動作
させた時のマグネトロンの陽極電圧ｅbmと陽極電流Ｉa
の温度特性を示したものである。このように温度が上昇
するに従って陽極電流Ｉaは比例的に上昇していく傾向
がある。従って入力電力一定制御で動作させて陽極電流
Ｉaを監視すればマグネトロン７がどれだけの熱的責務
にあるかが判る。

【００６２】本発明では図１１で比較器６５は入力電力
に応じたしきい値を非反転端子に有し、陽極電流に比例
する信号Ｉs(DC)を反転端子に有することによりマグネ
トロンが温度過昇状態になれば反転端子入力＞非反転端
子の状態に変移し基準電圧発生手段４９の出力はＫ’・
Ｖccだけ減少することになる。その結果電磁波出力が低
下しマグネトロンの温度責務は軽減されることになる。

【００６３】このときの電磁波放射部の温度と各部出力
のふるまいを表したものが図１３である。(a)図に示す
ように電磁波放射部の温度が上昇すると、(b)図の二次
側電流検出手段２９の出力Ｉs(DC)が上昇し、やがてし
きい値を超える。すると、(c)図の様にそれまで発生し
ていたバイアス電圧Ｖbは除去され、それに伴って(d)図
の様に電磁波放射部の出力を決定する基準電圧発生手段
の出力もバイアス電圧分低下し,(e)図の様に電磁波放射
部の出力は点線時点前後で変化する。

【００６４】これによりマグネトロン７の温度を直接検
出する手段を講じずとも遠隔的に温度を検知し、マグネ
トロン７が温度過昇状態に陥ることを防止できるという
効果がある。またそれによりマグネトロン７から危険な
高圧部付近を経由して電源部に信号線を配する必要がな
くなるため、安全性が高くシンプルな構成にできること
も効果としてあげられる。

【００６５】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について電磁波出力制御手段３０の回路図である
図１４に基づいて説明する。図１１と同一符号の要素に
ついては同一機能であり詳細な説明を割愛する。

【００６６】演算増幅器６４の出力は電源の入力電力に
比例する電圧信号Ｖpinで、抵抗Ｒ１、Ｒ２により第１
のしきい値電圧Ｖt1がＶpin・Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）で
決定される。同様に抵抗Ｒ３、Ｒ４により第２のしきい
値電圧Ｖt2がＶpin・Ｒ４／（Ｒ３＋Ｒ４）で、抵抗Ｒ
５、Ｒ６により第３のしきい値電圧Ｖt3がＶpin・Ｒ６
／（Ｒ５＋Ｒ６）で各々決定される。そしてＶt1、Ｖt
2、Ｖt3は各々比較器ＣＯＭＰ１、ＣＯＭＰ２、ＣＯＭ
Ｐ３の非反転端子に入力される。各比較器の反転端子に
は二次側電流検出手段２９の出力ＩS(DC)が共通に入力
される。また出力はオープンコレクタ形式とする。

【００６７】図１５に入力電力としきい値電圧の関係を
示す。ここではＶt1＞Ｖt2＞Ｖt3の関係に設定されてお
り、各しきい値で区分される領域を＞Ｖt1 領域１Ｖt1＞Ｖt2領域２Ｖt2＞Ｖt3領域３Ｖt3＞領域４の様に定義する。各領域での基準電圧発生手段４９への
バイアス電圧Ｖbは領域４Ｖcc・Ｒa／（Ｒa＋Ｒb）領域３Ｖcc・（Ｒa//Ｒ9）／（Ｒb＋(Ｒa//Ｒ9）) 領域２Ｖcc・（Ｒa//Ｒ9//Ｒ8）／（Ｒb＋(Ｒa//Ｒ9//Ｒ8）) 領域１Ｖcc・（Ｒa//Ｒ9//Ｒ8//Ｒ7）／（Ｒb＋Ｒa//Ｒ9//Ｒ8//Ｒ7）となる。従って、バイアス電圧Ｖbの大小関係は領域１＜領域２＜領域３＜領域４となる。

【００６８】このときの電磁波放射部の温度と各部出力
のふるまいを表したものが図１６、その時の二次側電流
検出手段の出力の軌跡を示したものが図１７である。最
初入力電力Ｐ１一定で動作を開始する（t1）。すると電
磁波放射部の温度が上昇し図１２の相関特性より二次側
電流検出手段の出力が上昇し、しきい値Ｖt3を超える
（t2）。すると領域４から領域３へ状態遷移し、バイア
ス電圧、基準電圧発生手段の出力、入力電力制御手段の
出力と順次が低下し、電磁波放射部の出力はＰ２に低下
する（ｔ3）。次に入力電力Ｐ２一定で動作する。同様
に磁波放射部の温度が領域４より小さい温度上昇率で上
昇しやがてしきい値Ｖt2を超える（t4）。すると領域３
から領域２へ状態遷移し、中間プロセスを割愛すると最
終的に電磁波放射部の出力はＰ３に低下する（ｔ5）。
次に入力電力Ｐ３一定で動作する。同様に磁波放射部の
温度が領域３より小さい温度上昇率で上昇しやがてしき
い値Ｖt1を超える（t6）。すると領域２から領域１へ状
態遷移し、中間プロセスを割愛すると最終的に電磁波放
射部の出力はＰ４に低下する（t7）。

【００６９】以上の様に、入力電力一定制御で電圧の依
存性を受けず、電磁波放射部の温度上昇を二次側電流を
検出比較するという前述した遠隔的手法により検出し、
かつ複数のしき値を持つことにより段階的に電磁波出力
を減少させていくため、一挙に電磁波出力がある時点で
激減するとこともなく、繰り返し加熱調理を行っていて
も、出力が急に低下し加熱調理に所用する時間が不連続
的に突然長くなるという機器として極めて不自然な現象
は発生せず、使用者に誤って機器の故障あるいは異常の
発生を感じさせてしまうという課題を克服できるという
効果がある。

【００７０】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について図面に基づいて説明する。主要回路構成
については図９と同じである。異なる電磁波出力制御手
段３０についてその回路図である図１８に基づいて説明
する。図１１と同一符号の部品については機能的に同じ
であり説明を割愛する。

【００７１】６７は電源回路の起動に同期して起動トリ
ガー信号を発生する起動指令手段、６８は起動指令手段
６７の指令信号を受け所定時限アクティブ信号を発生す
る時限タイマー回路、６９は時限タイマー回路６８の信
号を受け、その信号がアクティブ時にはポート１とコモ
ンポート３を接続し、非アクティブ時にはもう一方のポ
ート２とコモンポート３とを接続するアナログスイッチ
回路である。アクティブ時には入力電力検出手段２８の
出力Ｐin(DC)が一定になるように制御され、陽極電流Ｉ
aの値に応じて比較器６５の出力は変化し、基準電圧発
生手段４９の出力が変化する結果、電磁波出力は変化す
る。そして、非アクティブ時には二次側電流検出手段２
９の出力Ｉs(DC)が一定になるように電磁波出力が変化
する。

【００７２】この構成により動作した時の時限タイマー
回路の出力と電磁波放射部の出力の時間推移を図１９に
示す。(a)図は時限タイマー回路の出力、(b)図は電磁波
放射部の温度が低い時の動作、(d)図は高い時の動作、
(c)図はその中間の温度の時を示す。

【００７３】(a)図におけるアクティブ期間においては
入力電力一定制御、非アクティブ期間においては二次側
電流一定制御の期間である。アクティブ期間においては
電磁波放射部の温度が低いということで二次側電流も少
なく基準電圧発生手段４９はバイアス電圧ＶbとしてＫ'
・Ｖccを持っている状態で電磁波出力もＰ１outと高い
レベルにある。そして非アクティブ期間においては二次
側電流一定制御となりマグネトロン７の温度上昇にとも
ない電磁波出力は低下していくが、入力電圧の依存性は
受けない。

【００７４】(b)図においては、アクティブ期間の途中
で二次側電流が増加し、しきい値を超えバイアス電圧Ｖ
bのＫ'・Ｖccが取り去られ、電磁波出力はＰ１outから
Ｐ２outに遷移する。非アクティブ期間ではマグネトロ
ン７が(a)図の時に較べ温度上昇しているため、電磁波
出力は少し低いレベルから開始し温度上昇にともない
(a)図より幾分緩やかに低下していく。

【００７５】(c)図においては、マグネトロン７の温度
が相当高い状態で、アクティブ期間の最初から電磁波出
力はＰ２outで、非アクティブ期間においては殆ど温度
的な飽和状態にあり電磁波出力は変化していない。

【００７６】ここで、Ｐ１outとＰ２outを設けている理
由は繰り返し使用された時に電磁波出力を低減し各部品
の温度責務を低減させる目的からきており、かつ後述す
る加熱時間の不連続性の問題から極力差異をつけないよ
うにするのが望ましい。

【００７７】このような構成による効果として、電源電
圧に無関係に一定の電磁波出力を発生しかつ電源回路あ
るいは電磁波放射部が温度上昇するとそれに追従して電
磁波出力を暫時減少していき部品の温度責務を軽減させ
ることができる。また一挙に電磁波出力を軽減させると
いう加熱パターンを排除しているため加熱調理に所用す
る時間が不連続的に突然長くなるという機器にとって極
めて不自然な現象が発生せず、使用者に誤って機器の故
障あるいは異常発生を感じさせるということはない。

【００７８】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について電磁波出力制御手段３０の回路図である
図２０に基づいて説明する。図１１と同一符号の部品に
ついては機能的に同じであり説明を割愛する。

【００７９】比較器６５は外づけ抵抗Ｒ１とＲ２によっ
てヒステリシス機能を持った比較器となっている。演算
増幅器６４の出力をＶin、比較器６５の出力をＶb、比
較器６５の非反転端子の入力をＶtとすると、ＶtはＶt＝Ｖin＋(Ｖb−Ｖin)・Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）で表される。従って、しきい値Ｖtは演算増幅器６４の
出力がＨｉｇｈの時とＬｏｗの時では異なり各々次の式
になる。

【００８０】（Ｌｏｗの時）Ｖt＝Ｖin−Ｖin・Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）（Ｈｉｇｈの時）Ｖt'＝Ｖin+(Ｋ'・Ｖcc−Ｖin)・Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）このしきい値ＶtとＶt'は各々図２１の太い実線と点線
になる。

【００８１】それでは図２１を用いて本発明の構成での
動作を説明する。動作論理については図９の回路図に従
うものとする。加熱がt1時点で開始するとマグネトロン
７の温度上昇に伴い二次側電流検出手段の出力Ｉs(DC)
は増加し、t2時点でしきい値Ｖtを超える。すると入力
電力はＰ1からＰ2に下がりＩs(DC)も下がる。（t3時
点）そこで回路定数等のバラツキがあれば、しきい値Ｖ
tを再度下回ってしまいＰ2からＰ1に戻ってしまい、最
悪Ｐ1とＰ2の間で状態がチャタリング的に移動し、制御
回路は不安定動作状態になる。即ち電力の制御信号とし
ては高速に２つのモード間を移動するような指令をだす
が、電源回路全体としてそれに対して充分追従できるだ
けの応答性を持ち合わせていないのが一般的で、半導体
素子のスイッチングタイミングを間違い破壊させてしま
う等の不安定制御状態に陥るという不具合点が考えられ
る。

【００８２】しかし本発明によれば、しきい値がヒステ
リシス機能を持っているため、電力状態の遷移は確実に
切り替わりチャタリング的な動作をすることはなく制御
回路の不安定性を排除することができるという効果があ
る。

【００８３】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について図面に基づいて説明する。図２２は電源
の入力電力を一定で動作させた時の陽極電圧ｅbmと陽極
電流Ｉaの温度特性をマグネトロンのバラツキも含めて
示したものである。点線で示すものは陽極電圧ｅbmが高
く、実線でしめしたものは逆に陽極電圧ｅbmが低いサン
プルである。入力電力一定で動作させた時、図に示す様
に陽極電流Ｉaは実線と点線間でばらつくことになる。
従って図１１或いは図１４に示す電磁波出力制御手段３
０において、正確に所定温度で電磁波出力を変化させる
ためにはそのばらついた陽極電流Ｉaに応じてしきい値
を最適化する必要である。さもなければ、点線の特性を
持ったマグネトロンに関しては、マグネトロンの温度が
上がってもなかなかしきい値に達せず高い電磁波出力で
動作し続け部品を熱的に破壊してしまう可能性も考えら
れる。逆に実線についは、マグネトロンの温度が少し上
がっただけにも拘わらず低い電磁波出力に変化してしま
い加熱調理時間が長くなってしまうという不具合もあり
機器としての信頼性上好ましくない。

【００８４】そこで本発明は図１１、１４、１８、２０
における抵抗６２或いは６３を二次側電流記憶手段及び
しきい値変更手段として半固定抵抗に置き換え、ある一
定の温度でかつ一定の入力電力で動作している時の二次
側電流検出手段２９の出力に応じてしきい値を変化させ
るように半固定抵抗を調整して演算増幅器６４のゲイン
を最適化することによって、前述したマグネトロンのバ
ラツキの問題を解消しようとするものである。図２２に
よれば陽極電流Ｉaの低い点線のときは二次側電流記憶
手段及びしき値変更手段としての半固定抵抗を調整して
演算増幅器６４のゲインを下げしきい値を下げてやる。
又、実線の時は逆に上げてやるという具合に調整するこ
とによって、前述したバラツキによる不具合点を解消で
きるという効果がある。即ち、図１３(e)、図１６(e)に
おける各出力レベルの放射期間が機器ごとによってバラ
ツキがないということを表す。

【００８５】ちなみにある一定の温度でかつ一定の入力
電力で動作しているという条件の設定については、マグ
ネトロンが室温に充分なじんでいる状態から所定入力電
力で動作させた直後の二次側電流を参照して二次側電流
記憶手段及びしきい値変更手段への入力設定、即ち調整
を実施することが一例として考えられる。

【００８６】さらに前述したマグネトロンの特性バラツ
キによる不具合点を解消するその他の発明について図面
に基づいて説明する。基本的な回路構成に関しては図２
３に示す。図９と同一符号の部分は機能的に同じであり
基本的には説明を割愛するが、機能的に異なる部分につ
いては説明を加える。

【００８７】７０は入力電流検出手段２６の出力を受け
それを記憶する入力電流記憶手段である。入力電流記憶
手段７０はマグネトロン７の温度が所定温度でかつ二次
側電流検出手段２９の出力が所定値で動作している時の
入力電流検出手段２６の出力を記憶する。しきい値変更
手段７１は入力電流記憶手段７０の出力を受け、それに
応じて電磁波出力制御手段３０のしきい値に所定バイア
スを加える構成としている。

【００８８】図２４は入力電流記憶手段７０、しきい値
変更手段７１、電磁波出力制御手段３０の回路図であ
る。これを用いてさらに詳細な構成について説明する。

【００８９】アナログスイッチ回路６９は制御系統選択
信号により、コモンポート３と、ポート１及びポート２
の各々の接続を選択する。そこで、入力電流記憶手段７
０への入力電流情報の記憶方法としては、入力電圧があ
る一定の値に固定しかつ、マグネトロンがある一定の温
度の状態で制御系統選択信号によりポート２とコモンポ
ート３を接続し二次側電流一定制御の状態で動作させ
る。その時の入力電流あるいは入力電流検出手段２６の
値に応じて入力電流記憶手段７０の半固定抵抗ＶＲ１を
調整する。半固定抵抗ＶＲ１はＶｃｃ電圧を分圧した信
号値を入力電流情報として記憶する。その入力電流記憶
手段７０の出力はしきい値変更手段７１の演算増幅器Ｏ
Ｐ１と外づけ抵抗Ｒ１、Ｒ２からなる非反転増幅器によ
り(１＋Ｒ２／Ｒ１)倍に増幅したしきい値補正電圧Ｖc
を得る。Ｖcは外付け抵抗Ｒ３、Ｒ４演算増幅器ＯＰ２
からなる二入力（Ｐin(OUT)とＶc）反転増幅器によって
増幅されさらにその出力は外付け抵抗Ｒ５、演算増幅器
ＯＰ３からなる反転増幅器によって増幅される。その結
果しきい値電圧ＶtはＶt＝（Ｒ４／Ｒ３）・Ｐin(DC)＋Ｖc となる。従って、しきい値変更手段７１の出力である電
圧Ｖcによって装着されたマグネトロンの特性バラツキ
を吸収するかたちでしきい値電圧Ｖtは最適化される。

【００９０】以上の構成による効果を図２５のマグネト
ロンの陽極電流Ｉa、電圧ｅbm及び入力電流Ｉinの関係
を用いて説明する。これは前述した入力電圧がある一定
の値に固定した状態を前提にしている。

【００９１】この時、二次側電流（マグネトロンの陽極
電流Ｉaに比例）を一定に制御し、そしてマグネトロン
の温度が上昇して陽極電圧ｅbmが減少していくと、電磁
波出力は陽極電圧ｅbmと同様に減少していき、入力電力
もそれに伴い減少していくため入力電圧一定の条件下で
は入力電流も減少していくことになる。従ってこの様な
条件下で所定温度Ｔｃでの入力電流を検知することによ
ってマグネトロンの特性のバラツキ（陽極電圧ｅbmのバ
ラツキ）を知ることができる。図中で実線はｅbmが大き
いもの、点線はｅbmが小さいものである。この時の入力
電流Ｉin(max)とIin(min)を検出すればそのマグネトロ
ンの特性のバラツキは把握できる。

【００９２】そこでＩin(max)とIin(min)に替わる機器
に装着される個々のマグネトロンのもつ固有の入力電流
を入力電流記憶手段７０に記憶させておくと、それを参
照することによってマグネトロンの特性が認識でき、そ
れに応じてしきい値変更手段７１によりしきい値を最適
レベルに変更することができる。従って、図８(e)、図
１６(e)における各出力レベルの出力期間が機器ごとに
よってバラツキをもつことがなくなり、マグネトロンの
特性バラツキによる不具合点を解消できる。

【００９３】さらに前述したマグネトロンの特性バラツ
キによる不具合点を解消するその他の発明について図面
に基づいて説明する。図２６はその高周波加熱装置の回
路図、図２７は同高周波加熱装置の外郭ボディーを外し
た状態での外観斜視図である。

【００９４】高周波加熱装置全体を制御する主制御部７
４は、機器前面にあり使用者が機器を操作するための入
出力装置であるコントロールパネル７５に内蔵されてい
る。コントロールパネル７５上には使用者に視覚的に情
報を提供する表示管７８が配されている。７６は加熱室
７７に食品を収納、取り出しするためのドアー。電磁波
放射部たるマグネトロン７は加熱室右側面に装着され加
熱室７７内に電磁波エネルギーを放射して中の食品を加
熱する。７２の第２の入力電流検知器は第１の入力電流
検知器１９と同種のカレントトランスである。第２の入
力電流検出手段７３は図２に示す構造と同一であり入力
電流の直流成分Ｉin(dc)を出力する。Ｉin(dc)はマイク
ロコンピューター７９に入力される。一方入力電流記憶
手段７０は図２４に示す構成と同じであるが一部しきい
値変更手段７１への出力がマイクロコンピューター７９
にも同時に出力されている。そして、入力電流記憶手段
７０の半固定抵抗はコントロールパネル７５の側面に穿
った開口を通じて自在に調整が可能な構成になってい
る。

【００９５】このような構成において、所定マグネトロ
ン温度にて二次側電流一定制御を行ったときの第２の入
力電流検出手段７３の出力はマイクロコンピューター７
９によって検出し、それに応じた入力電流記憶手段７０
の出力値（調整値）を計算する。図２８に第２の入力電
流検出手段７３の出力と入力電流記憶手段７０の出力値
の関係を示す。右側がマグネトロンのｅbmが高い時で二
次側電流が低くなるためしきい値を低く設定すべく入力
電流記憶手段７０の出力値が低くなるように調整する。
逆に左側ではマグネトロンのｅbmが低く二次側電流が高
くなるためしきい値を高く設定すべく入力電流記憶手段
７０の出力値が高くなるように調整する。これにより図
８(e)、図１６(e)における各出力レベルの放射期間が機
器ごとによってバラツキをもつことがなくなり、マグネ
トロンの特性バラツキによる不具合点を解消できる。

【００９６】また調整方法は調整すべき値をマイクロコ
ンピューター７９から表示管７８に出力し表示させる。
一方入力電流記憶手段７０の出力も合わせてマイクロコ
ンピューター７９から表示管７８に出力し表示させる。
作業者は両者の値を一致させるべくコントロールパネル
７５の右側面に穿った開口から入力電流記憶手段７０の
半固定抵抗をドライバー等を用いて調整する。

【００９７】このような構成にすることによって、機械
室内の高圧回路の極めて近傍にある制御部２５を直接触
る事なく調整が可能となり、高圧発生回路に誤って接触
する可能性のある危険な作業を排除することができる。
また外郭のボディーを装着したままで調整ができるため
作業性も向上する。さらに前述したマグネトロンの特性
バラツキによる不具合点を解消するその他の発明につい
て図面に基づいて説明する。図２９は本発明における主
制御部７４の部分回路図である。

【００９８】７２は入力電流を検知する第２の入力電流
検知器、７３は入力電流検知器７２の出力を直流電圧に
変換して入力電流を検出する第２の入力電流検出手段で
あり回路構成は図２と同一である。７９は機器全体の制
御を司るマイクロコンピューターであり、しきい値変更
手段としての機能も果たす。８０は電気的書き込み／消
去可能な不揮発性メモリーＥＥＰＲＯＭ（Electoricall
y Erasable Read OnlyMemory)である。

【００９９】このような構成で、入力電流検知器７２と
第２の入力電流検出手段７３によって検出された入力電
流を直流電圧に変換した信号はマイクロコンピューター
７９に入力され、内蔵するＡ／Ｄコンバータにより８ビ
ットのデジタル信号に変換される。そのデータは信号線
を通じてマイクロコンピューター７９を通じて不揮発性
メモリー８０にシリアル転送され書き込まれる。このデ
ータは不揮発性メモリー８０への電源供給を停止しても
持続して保持され、所望時に逆に不揮発性メモリー８０
からマイクロコンピューター７９に読み込みが可能であ
る。マイクロコンピューター７９は読み込みデータを図
２８に示すような関数に従って図２４のしきい値変更手
段７１の出力値に等しい値を計算し、それをＤ／Ａコン
バータによりアナログ信号に変換して電磁波出力制御手
段３０に出力する。

【０１００】これによりマグネトロンの特性バラツキに
よる不具合点を解消するという効果に加えて、調整作業
は皆無に等しくなり作業性は大幅に改善される（敢え
て、必要な作業としては不揮発性メモリー８０に書き込
みのタイミングの指令を与える作業が残る。）。

【０１０１】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について図面に基づいて説明する。本発明の高周
波加熱装置の回路図は図９に電磁波出力制御手段の回路
図は図１１に示す。電磁波放射部の出力のふるまいは図
１３(e)のようになる。その動作の詳細に関しては既に
詳述したので割愛する。

【０１０２】本発明では図１３における点線時点以後の
電磁波出力を定常出力として各部品の温度性能に関して
はこの定常出力レベルでの連続的動作による温度飽和ま
で保証する設計としている。一方、点線時点以前はその
定常出力以上の出力を出せるような構成としている。こ
れにより動作開始後、点線時点迄は高出力動作し電磁波
放射部の温度が過昇状態になった点線時点以降は定常出
力に切り替わる構成となる。

【０１０３】これにより、食品の再加熱などの比較的短
時間のメニューに関しては殆どこの高出力領域での使用
になり、調理時間の大幅短縮が図れる。しかし、長時間
連続使用した時や、繰り返し使用した時は電磁波放射部
の温度が過昇状態になり最終的には温度保証された定常
出力に変わるため、温度過昇による部品の破壊等の不具
合点は発生しない。但し点線時点の電磁波放射部の温度
が定常出力での飽和温度以上になればその時点で部品が
熱的に破壊する可能性があるので、しきい値の設定の最
適化を図り、そのような温度関係にならないようにする
ことが望ましい。

【０１０４】また、このような構成にすることにより、
電磁波放射部の温度を監視したり、機器としての動作履
歴を管理したりして温度環境を推定し、連続使用時の高
出力発生期間をコントロールせずとも、温度過昇からく
る部品の破壊を未然にかつ自己完結的に防止することが
でき、簡単な構成で機器としての信頼性を確保すること
ができる。

【０１０５】また、同様の効果を得るための本発明の一
実施例における高周波加熱装置について図面に基づいて
説明する。本発明の高周波加熱装置の回路図は図９に電
磁波出力制御手段の回路図は図１４に示す。電磁波放射
部の出力のふるまいは図１６(e)のようになる。その動
作の詳細に関しては既に詳述したので割愛する。

【０１０６】本発明では図１６における領域１の電磁波
放射部の出力Ｐ４として各部品の温度保証に関してはこ
の定常出力レベルでの連続的動作による温度飽和まで保
証する設計としている。一方領域２〜領域４までの電磁
波放射部の出力Ｐ３からＰ１は定常出力Ｐ４より段階的
に高くなる設定としている。これにより動作開始後、領
域１に達するまでは定常出力以上の出力を出し、かつ電
磁波放射部の温度が上昇するにつれ出力が段階的に減少
していく構成となっている。

【０１０７】これにより、食品の再加熱などの比較的短
時間のメニューに関しては殆どこの高出力領域（領域２
〜領域４）での使用になり、調理時間の大幅短縮が図れ
る。しかし、長時間連続使用した時や、繰り返し使用し
た時は電磁波放射部の温度が過昇状態になり最終的には
温度保証された定常出力に変わるため、温度過昇による
部品の破壊等の不具合点は発生しない。

【０１０８】さらに、図１３(e)の出力パターンのよう
に突然出力が定常出力に低下することはなく段階的に定
常出力まで減少していくため、繰り返し加熱調理を行っ
ていても、出力が急に低下することにより加熱調理に所
用する時間が不連続的に突然長くなるという機器として
極めて不自然な現象は発生せず、使用者に誤って機器の
故障あるいは異常の発生を感じさせてしまうという課題
を克服できるという効果がある。

【０１０９】また、このような構成にすることにより、
電磁波放射部の温度を監視したり、機器としての動作履
歴を管理したりして温度環境を推定し、連続使用時の高
出力発生期間をコントロールせずとも、温度過昇からく
る部品の破壊を未然にかつ自己完結的に防止することが
でき、簡単な構成で機器としての信頼性を確保すること
ができる。

【０１１０】また、同様の効果を得るための本発明の一
実施例における高周波加熱装置について図面に基づいて
説明する。本発明の高周波加熱装置の回路図は図９に電
磁波出力制御手段の回路図は図１４に示す。電磁波放射
部の出力のふるまいは図１６(e)のようになる。その動
作の詳細に関しては既に詳述したので割愛する。

【０１１１】本発明では図１６における領域１の出力Ｐ
４を零即ち停止するものとし、出力Ｐ３は定常出力とし
各部品の温度保証に関してはこの定常出力レベルでの連
続的動作による温度飽和まで保証する設計としている。
一方領域３、領域４の出力Ｐ２、Ｐ１は定常出力Ｐ３よ
り段階的に高くなる設定としている。これにより動作開
始後、領域２に達するまでは定常出力以上の出力を出
し、かつ電磁波放射部の温度が上昇するにつれ出力が段
階的に減少していく構成となっている。なお通常時は領
域２にて温度飽和しその領域内で動作することとなる。

【０１１２】このような構成にすることにより、マグネ
トロンがなんらかの理由（例えば、冷却風の吸気口が塵
埃等の堆積によりつまり風量が低下し冷却性能が低下し
た場合。あるいは部品の温度保証ができない様な異常に
高い雰囲気温度の環境で使用された場合等）で異常温度
過昇状態に陥り熱暴走に至るような最悪の事態に陥った
場合、領域１に入り強制的に動作を停止し部品の破壊を
防止することができる。

【０１１３】さらに、図１３(e)の出力パターンのよう
に突然出力が定常出力に低下することはなく段階的に定
常出力まで減少していくため、繰り返し加熱調理を行っ
ていても、出力が急に低下することにより加熱調理に所
用する時間が不連続的に突然長くなるという機器として
極めて不自然な現象は発生せず、使用者に誤って機器の
故障あるいは異常の発生を感じさせてしまうという課題
を克服できるという効果がある。

【０１１４】また、このような構成にすることにより、
電磁波放射部の温度を監視したり、機器としての動作履
歴を管理したりして温度環境を推定し、連続使用時の高
出力発生期間をコントロールせずとも、温度過昇からく
る部品の破壊を未然にかつ自己完結的に防止することが
でき、簡単な構成で機器としての信頼性を確保すること
ができる。

【０１１５】

【発明の効果】以上のように本発明の高周波加熱装置に
よれば次の効果が得られる。

【０１１６】（１）また、電源電圧に無関係に一定の電
磁波出力を発生しかつ電磁波放射部の温度を温度検出器
などを一切使わず遠隔的に測定しその温度が所定温度以
上になると電磁波出力を低下させるため、各部品に熱的
な過大ストレスを与えない信頼性が高く構成のシンプル
な高周波加熱装置を提供することができる。

【０１１７】（２）電源電圧に無関係に一定の電磁波出
力を発生しかつ電源回路の温度に追従して電磁波出力を
暫時軽減していくため動作中突然出力が低下することは
なく段階的に所定出力まで減少していくため、繰り返し
加熱調理を行っていても、出力が急に低下することによ
り加熱調理に所用する時間が不連続的に突然長くなると
いう機器として極めて不自然な現象は発生せず、使用者
に誤って機器の故障あるいは異常の発生を感じさせてし
まうという課題を克服できるという信頼性の高い高周波
加熱装を提供することができる。

【０１１８】（３）電源電圧に無関係に一定の電磁波出
力を発生しかつ電源回路の温度上昇に伴って電磁波出力
を段階的に軽減する状態変化がチャタリング動作せず明
確に切り替わりチャタリング動作による制御回路の不安
定性を排除した信頼性の高い高周波加熱装置を提供する
ことができる。

【０１１９】（４）電磁波放射部の温度の遠隔的検出の
精度を電磁波放射部の特性にあった調整を行うことによ
って高精度化できるのでより信頼性の高い高周波加熱装
置として提供することができる。

【０１２０】（５）機器全体を制御する主制御部側に記
憶手段を具備しているので容易で安全な作業性に優れた
調整方法を用いて実現させることができ、信頼性の高い
高周波加熱装置として供給することができる。

【０１２１】（６）記憶手段に不揮発性メモリーを使用
することにより無調整化を図り作業工数の削減と調整の
高信頼性を実現した信頼性の高い高周波加熱装置を供給
することができる。

【０１２２】（７）起動初期の一定期間に定常出力以上
の電磁波出力を発生させ食品の加熱時間の短縮を図る高
周波加熱装置において、特別な付加回路機能を具備せず
繰り返し使用時の部品の温度保証を実現可能にした信頼
性の高い高周波加熱装置を供給することができる。

【０１２３】（８）起動初期の一定期間に定常出力以上
の電磁波出力を発生させ食品の加熱時間の短縮を図る高
周波加熱装置において、特別な付加回路機能を具備せず
繰り返し使用時の部品の温度保証を実現可能にし、かつ
その一定期間において出力を暫時段階的に減少させるこ
とにより、繰り返し加熱調理を行っていても、出力が急
に低下することにより加熱調理に所用する時間が不連続
的に突然長くなるという機器として極めて不自然な現象
は発生せず、使用者に誤って機器の故障あるいは異常の
発生を感じさせてしまうという課題を克服できるという
信頼性の高い高周波加熱装置を提供することができる。

【０１２４】（９）起動初期の一定期間に定常出力以上
の電磁波出力を発生させ食品の加熱時間の短縮を図る高
周波加熱装置において、特別な付加回路機能を具備せず
繰り返し使用時の部品の温度保証を実現可能にし、かつ
その一定期間において出力を暫時段階的に減少させるこ
とにより、繰り返し加熱調理を行っていても、出力が急
に低下することにより加熱調理に所用する時間が不連続
的に突然長くなるという機器として極めて不自然な現象
は発生せず、使用者に誤って機器の故障あるいは異常の
発生を感じさせてしまうという課題を克服できるととも
に、電磁波放射部が不測の事態で異常温度過昇状態にな
ると動作を停止するため、各部品の過剰な熱的ストレス
による破壊や不安全現象は一切発生しない信頼性の高い
高周波加熱装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における高周波加熱装置の電
源の回路図

【図２】同入力電流検出手段の回路図

【図３】同入力電圧検出手段の回路図

【図４】同入力電力検出手段及び電磁波出力制御手段の
回路図

【図５】本発明の他の実施例における高周波加熱装置の
電源部の回路図

【図６】同温度検出手段の回路図

【図７】同電磁波出力制御手段の回路図

【図８】同電磁波放射部の温度及び制御部内の各部信号
波形の経時推移を示す特性図

【図９】本発明の他の実施例における高周波加熱装置の
電源部の回路図

【図１０】同二次側電流検出手段の回路図

【図１１】同電磁波出力制御手段の回路図

【図１２】マグネトロンの陽極電圧と陽極電流の温度特
性図

【図１３】同電磁波放射部の温度及び制御部内の各部信
号波形の経時推移を示す特性図

【図１４】本発明の他の実施例における高周波加熱装置
の電源部の電磁波出力制御手段の回路図

【図１５】同電磁波出力制御手段における入力電力とし
きい値電圧との関係を示す図

【図１６】同電磁波放射部の温度及び制御部内の各部信
号波形の経時推移を示す特性図

【図１７】同電磁波出力制御手段における入力電力とし
きい値電圧の関係と二次側電流検出手段の出力の時間的
推移を示す特性図

【図１８】本発明の他の実施例における高周波加熱装置
の電源部の電磁波出力制御手段の回路図

【図１９】同時限タイマー回路の出力と各温度条件での
電磁波放射部の出力の時間推移を示す特性図

【図２０】本発明の他の実施例における高周波加熱装置
の電源部の電磁波出力制御手段の回路図

【図２１】同電磁波出力制御手段における入力電力とし
きい値電圧の関係と二次側電流検出手段の出力の時間的
推移を示す特性図

【図２２】同電磁波出力制御手段による制御におけるマ
グネトロンの陽極電圧と陽極電流の温度特性図

【図２３】本発明の他の実施例における高周波加熱装置
の電源部の回路図

【図２４】同電磁波出力制御手段の要部回路図

【図２５】同調整方法の概念を示す各部電流、電圧波形
の温度特性図

【図２６】本発明の他の実施例における高周波加熱装置
の電源部の回路図

【図２７】同高周波加熱装置の外観斜視図

【図２８】第２の二次側電流検出手段の出力と入力電流
記憶手段の出力の関係を示す特性図

【図２９】同主制御部内の要部ブロック図

【図３０】従来の高周波加熱装置の電源の回路図

【図３１】他の従来の高周波加熱装置の電源の回路図

【図３２】従来の高周波加熱装置の電磁波放射出力の時
間推移を示す特性図

【図３３】従来の高周波加熱装置の電源電圧の違いによ
る電磁波放射出力の時間推移とを示す特性図

【符号の説明】

２商用電源３昇圧トランス７電磁波放射部１５半導体素子２２単方向電源部２３インバータ部２４高圧整流部２５制御部２６入力電流検出手段２７入力電圧検出手段２８入力電力検出手段２９二次側電流検出手段３０電磁波出力制御手段３３温度検出手段６２二次側電流記憶手段６３二次側電流記憶手段７０入力電流記憶手段７１しきい値変更手段７３第２の入力電流検出手段７４主制御部８０不揮発性メモリー

フロントページの続き (72)発明者安井健治大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平３−257789（ＪＰ，Ａ) 特開平５−47467（ＪＰ，Ａ) 特開平４−101387（ＪＰ，Ａ) 特開平４−167394（ＪＰ，Ａ) 実開平２−71993（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 6/66 - 6/68

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】商用電源を単方向電圧に変換する単方向電
源部と、少なくとも１個の半導体素子を有し、前記単方
向電源部よりの電力を高周波電力に変換するインバータ
部と、インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランス
と、昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流部と、
前記高圧整流部の出力を電磁波として放射する電磁波放
射部と、前記半導体素子を制御する制御部とを備え、前
記制御部は前記高圧整流部もしくは前記電磁波放射部の
電流を検出する二次側電流検出手段と、商用電源の電圧
を検出する入力電圧検出手段と、前記単方向電源部の電
流を検出する入力電流検出手段と、前記入力電流検出手
段と前記入力電圧検出手段の出力を受けその乗算値に比
例する信号を出力する入力電力検出手段と、前記入力電
力検出手段の出力を所定値に一定制御すべく前記半導体
素子のＯＮ／ＯＦＦを制御する電磁波出力制御手段から
なり、前記電磁波出力制御手段は前記入力電力検出手段
の出力に応じたしきい値と前記二次側電流検出手段の出
力とを比較しその大小関係に応じ前記一定制御のレベル
を変化させる構成とした高周波加熱装置。
【請求項２】しきい値を複数個もち前記複数のしきい値
によって区分される領域に応じ一定制御するレベルを変
化させる構成とした請求項１記載の高周波加熱装置。
【請求項３】商用電源を単方向電圧に変換する単方向電
源部と、少なくとも１個の半導体素子を有し、前記単方
向電源部よりの電力を高周波電力に変換するインバータ
部と、インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランス
と、昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流部と、
前記高圧整流部の出力を電磁波として放射する電磁波放
射部と、前記半導体素子を制御する制御部とを備え、前
記制御部は前記高圧整流部もしくは前記電磁波放射部の
電流を検出する二次側電流検出手段と、商用電源の電圧
を検出する入力電圧検出手段と、前記単方向電源部の電
流を検出する入力電流検出手段と、前記入力電流検出手
段と前記入力電圧検出手段の出力を受けその乗算値に比
例する信号を出力する入力電力検出手段と、前記入力電
力検出手段もしくは前記二次側電流検出手段のいずれか
一方を選択しその出力を所定値に一定制御すべく前記半
導体素子のＯＮ／ＯＦＦを制御する電磁波出力制御手段
からなり、前記電磁波出力制御手段は起動後の一定期間
は前記入力電力検出手段を選択し、前記入力電力検出手
段の出力に応じたしきい値と前記二次側電流検出手段の
出力とを比較しその大小関係に応じ前記一定制御のレベ
ルを変化させ、かつ前記一定期間後は前記二次側電流検
出手段を選択する構成とした高周波加熱装置。
【請求項４】電磁波出力制御手段の二次側電流検出手段
としきい値との比較にヒステリシス機能を持たせる構成
とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波加熱
装置。
【請求項５】電磁波放射部が所定温度でかつ所定入力電
力で動作している時の二次側電流検出手段の出力を記憶
する二次側電流記憶手段と、前記二次側電流記憶手段の
出力に応じてしきい値に所定バイアスを加えるしきい値
変更手段とを設ける構成とした請求項１〜３のいずれか
１項に記載の高周波加熱装置。
【請求項６】電磁波放射部が所定温度でかつ二次側電流
検出手段の出力が所定値で動作している時の入力電流検
出手段の出力を記憶する入力電流記憶手段と、前記入力
電流記憶手段の出力に応じてしきい値に所定バイアスを
加えるしきい値変更手段を設ける構成とした請求項１〜
３のいずれか１項に記載の高周波加熱装置。
【請求項７】機器全体を制御する主制御部に入力電流を
検出する第２の入力電流検出手段と前記第２の入力電流
検出手段の出力を記憶する入力電流記憶手段と、制御部
に前記入力電流記憶手段からの信号を受けそれに応じて
しきい値に所定バイアスを加えるしきい値変更手段を設
け、電磁波放射部が所定温度でかつ二次側電流検出手段
の出力が所定値で動作している時の入力電流を前記第２
の入力電流検出手段で検出しその値を前記入力電流記憶
手段によって記憶する構成とした請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の高周波加熱装置。
【請求項８】入力電流記憶手段を不揮発性メモリーとし
た請求項７記載の高周波加熱装置。
【請求項９】二次側電流検出手段の出力がしきい値より
大きい時の電磁波出力を定常値とし、二次側電流検出手
段の出力がしきい値より小さい時の電磁波出力を定常値
以上になるように設定した請求項１または３記載の高周
波加熱装置。
【請求項１０】二次側電流検出手段の出力が最大のしき
い値より大きい時の電磁波出力を定常値とし、二次側電
流検出手段の出力が最小のしきい値より小さい時の電磁
波出力を定常値以上の最大電磁波出力とし、その間のし
きい値区分における電磁波出力はしきい値区分の小さい
方から大きい方に向かうに従って段階的に小さくしてい
くように設定した請求項２記載の高周波加熱装置。
【請求項１１】二次側電流検出手段の出力が最大のしき
値より大きい時電磁波出力を停止し、最大のしきい値と
それより１レベル低いしきい値との間の区分の電磁波出
力を定常値とし、二次側電流検出手段の出力が最小のし
きい値より小さい時の電磁波出力を定常値以上の最大電
磁波出力とし、その間のしきい値区分における電磁波出
力はしきい値区分の小さい方から大きい方に向かうに従
って段階的に小さくしていくように設定した請求項２記
載の高周波加熱装置。