JP3191597B2

JP3191597B2 - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JP3191597B2
Application number: JP03213495A
Authority: JP
Inventors: 誠三原; 和穂坂本; 治雄末永; 伸一酒井; 嘉朗石尾
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-02-21
Filing date: 1995-02-21
Publication date: 2001-07-23
Anticipated expiration: 2016-07-23
Also published as: JPH08227790A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は食品や流体等を加熱する
ための高周波加熱装置に関し、さらに詳しく言えば、そ
の電源装置に高周波電力を発生する半導体電力変換器を
用いた高周波加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来例を特開昭６４−１２４９１号公報
を引用して示す。図９はその高周波加熱装置の回路図。
家庭用の高周波加熱装置の電源回路において図９に示す
ような構成のものが多く用いられている。

【０００３】商用電源２、ダイオードブリッジ９及びチ
ョークコイル１０とコンデンサ１１よりなるフィルター
回路とで単方向電源部２０を構成しており、共振コンデ
ンサ１２、昇圧トランス３、トランジスタ１５、転流ダ
イオード１４、コンデンサ５、ダイオード６、及びマグ
ネトロン７よりなる電力変換器２１に電力を供給する。
電力変換器２１は、共振コンデンサ１２、昇圧トランス
３、トランジスタ１５、転流ダイオード１４よりなるイ
ンバータと、昇圧トランス３の出力を整流するコンデン
サ５と、ダイオード６よりなる高圧整流回路と、高周波
電力を発生するマグネトロン７とで構成されている。

【０００４】トランジスタ１５は、制御部１６より２０
〜５０KHzのスイッチング制御信号を与えられスイッチ
ング動作する。従って、昇圧トランス３の１次巻線１３
には高周波電圧が発生し、この高周波電圧が昇圧されマ
グネトロン７が発振する。制御部１６にはカレントトラ
ンス等で構成される入力電流検知器１９により商用電源
２から供給される入力電流に比例した信号が送られる。
制御部１６は入力電流が定められた値になるようにトラ
ンジスタ１５の導通時間と非導通時間を制御する、いわ
ゆるパルス幅制御によってマグネトロン７の電磁波出力
を一定制御する構成となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、マグネトロン
の特性上、一定の電磁波出力を連続して動作させると、
温度上昇に伴い永久磁石によって発生している磁界が弱
まり陽極電圧が低下することになる。これは永久磁石に
使用されるフェライト等の磁性体がもつ温度特性として
如何ともしがたいものである。

【０００６】当然、入力電力を一定に制御している関係
上、電力変換効率が不変とするとマグネトロンに供給さ
れる電力（陽極電流×陽極電圧）も一定になるため、陽
極電圧は低下することにより、陽極電流は逆に増加す
る。さらに温度が上昇し続けると陽極電流がマグネトロ
ンの絶対最大定格をオーバーし寿命を著しく短縮化させ
るという課題があった。当然それを考慮した設計をする
と電磁波出力を低く抑えざるをえず加熱装置としての能
力を低下させる要因となっていた。

【０００７】そこで、本発明は昇圧トランスの２次側で
生じているマグネトロンの陽極電流の異常増加を電流検
出器等を一切使用せずにトランスの１次側で遠隔的に検
出し、速やかに電磁波出力を低下させマグネトロンの陽
極電流の絶対最大定格オーバーによる寿命短縮を防止す
るとともに冷却条件にあった最大限の電磁波出力を得る
ことを第１の目的としている。

【０００８】また、マグネトロンへの入力電力を一定と
すると陽極電流は陽極電圧に反比例することは既に述べ
たが、マグネトロンの製造上のバラツキにより定格陽極
電圧（ある条件下で規定した代表特性）も相応の許容範
囲を有している。従って、マグネトロンへの入力電力を
一定とした時の陽極電流の温度特性は図１０の様にな
る。(a)は陽極電圧最大のマグネトロン、(b)は陽極電圧
最小の場合のマグネトロンである。全製造物は(a)と(b)
の範囲に存在することになる。ここで所定の陽極電流値
で異常温度状態を検知すると、(a)の場合Ｔ2で検出でき
る。しかし(b)の場合はＴ1で検出することになる。従っ
て、そこには△Ｔの温度検出誤差が生じることになる。

【０００９】そこで本発明は、マグネトロンの定格陽極
電圧が製造上ばらついても正確にマグネトロンの陽極温
度をマグネトロンへの密着型あるいは近接型の温度検出
装置などを一切使用せず遠隔的に検出し、所定値に達す
ると速やかに電磁波出力を低下させマグネトロンを熱的
ダメージから保護するとともに冷却条件にあった最大限
の電磁波出力を得ることを第２の目的としている。

【００１０】

【発明を解決するための手段】そこで、前記第１の目的
を達成するために本発明は、商用電源を単方向に変換す
る単方向電源部と、少なくとも１個の半導体素子を有
し、半導体素子を高周波でＯＮ／ＯＦＦすることにより
単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバ
ータ部と、インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トラ
ンスと、昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流部
と、高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネト
ロンと、単方向電源部への電流を検出する入力電流検出
手段と、半導体素子を制御する制御部と、半導体素子の
ＯＮ／ＯＦＦのデューティー比を検出するスイッチング
レート検出手段とを設けたものである。

【００１１】また、第２の目的を達成するために本発明
は、商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少な
くとも１個の半導体素子を有し、半導体素子を高周波で
ＯＮ／ＯＦＦすることにより単方向電源部からの電力を
高周波電力に変換するインバータ部と、インバータ部の
出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、昇圧トランスの出
力電圧を整流する高圧整流部と、高圧整流部の出力を電
磁波として放射するマグネトロンと、単方向電源部への
電流を検出する入力電流検出手段と、半導体素子を制御
する制御部と、半導体素子のＯＮ／ＯＦＦのデューティ
ー比を検出するスイッチングレート検出手段と、マグネ
トロンがある所定温度で動作している時のスイッチング
レート検出手段の出力を所定値に調整するスイッチング
レート調整手段とを備えたものである。

【００１２】

【作用】本発明は上記構成によって以下の作用を果たす
ものである。

【００１３】まず第１の目的を達成するために本発明の
高周波加熱装置は、制御部によって入力電流検出手段の
出力を所望値に一定制御すべく前記半導体素子をＯＮ／
ＯＦＦ制御するとともに、スイッチングレート検出手段
の出力が所定しきい値以下になったとき、一定に制御し
ていた入力電流値を低く変更する。それによって、昇圧
トランスの２次側で生じているマグネトロンの陽極電流
の異常増加を、電流検出器等を一切使用せずにトランス
の１次側で遠隔的に検出して速やかに電磁波出力を低下
させることができる。

【００１４】また、第２の目的を達成するために本発明
の高周波加熱装置は、制御部によって入力電流検出手段
の出力を所望値に一定制御すべく前記半導体素子をＯＮ
／ＯＦＦ制御するとともに、スイッチングレート調整手
段によってマグネトロン間の偏差なく調整されたスイッ
チングレート検出手段の出力が所定しきい値以下になっ
たとき、一定に制御していた入力電流値を低く変更す
る。それによって、マグネトロンの定格陽極電圧が製造
上ばらついても正確にマグネトロンの陽極温度をマグネ
トロンへの密着型あるいは近接型の温度検出装置などを
一切使用せず遠隔的に検出し、所定値に達すると速やか
に電磁波出力を低下させることができる。

【００１５】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。

【００１６】図１は本発明の一実施例における回路図で
ある。ここで、図９と同一要素番号については制御部１
６を除いて機能・動作が同一であり詳述を割愛する。単
方向電源部２０からの直流電圧を高周波電力に変換する
インバータ部１はコンデンサ１２と昇圧トランスの１次
巻線１３からなる共振タンク回路と、それに接続された
トランジスタ１５とダイオード１４からなる半導体スイ
イッチング手段からなり、制御部１６からのＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令でトランジスタ１５を駆動することにより上記機
能を実現している。１７は制御部１６からのＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令を受けそのスイッチングレートに比例した電圧レ
ベルを出力するスイッチングレート検出手段である。

【００１７】ここで、制御部１６は入力電流検知器１９
で検出した信号を受け、それが一定値となるようにトラ
ンジスタ１５へのＯＮ／ＯＦＦ指令信号を制御する。こ
れによって機器は入力電流を一定で動作する。さらに動
作中の力率及び効率が概ね変化しないことを考慮する
と、電磁波出力一定で動作することになる。

【００１８】さらに、制御回路１６は上記動作条件下
（入力電流一定）でマグネトロンのアノード電圧に比例
するスイッチングレート検出手段１７の出力を受け、そ
の値が所定出力以下になったとき入力電流を軽減する動
作となっている。

【００１９】従って、入力電流一定とするとマグネトロ
ンへの入力電力もほぼ一定となるためマグネトロンの陽
極電流Ib、陽極電圧ebm、入力電力Pinは各々 Pin＝Ib×ebm の式で関連づけられることになる。この式からすると図
２（ａ）のごとくマグネトロンの温度（陽極温度Ta）が
上昇するにつれ陽極電圧ebmは低下する。さらに図２
（ｂ）のごとく陽極電圧ebmは低下するにつれて陽極電
流Ibが増加することになる。従って、トランジスタ１５
へのＯＮ／ＯＦＦ指令信号によるスイッチングレートは
陽極電圧ebm比例関係にあること鑑みると陽極電流Ibと
の関係は図３（ｃ）の様な関係になる。

【００２０】この関係から、スイッチングレートに比例
したスイッチングレート検出手段１７の出力を検出し、
ある所定値（マグネトロンの陽極電流の絶対最大定格に
匹敵する出力値）をしきい値として、それを下回った時
入力電流を低下させるような制御にしておけば過度の温
度上昇が生じた際にもマグネトロンの陽極電流が絶対最
大定格を超え寿命を短縮化させることはない。また陽極
電流の増加をみこして電磁波出力の定格を低く設計する
必要もなくなる冷却条件にあった最大限の電磁波出力を
得ることができる。

【００２１】それではスイッチングレート検出手段１７
の動作を図３、制御回路１６の動作を図４及び図５を用
いて説明する。

【００２２】まずスイッチングレート検出手段１７の動
作を説明する。図３でトランジスタ１５へのＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令信号（ＤＲＩＶＥ）は抵抗７１及び抵抗７２から
なるローパスフィルターを通過して概ね直流化される。
さらに後段の制御回路１６との電圧レベルの整合を図る
ため抵抗７３、７４、オペアンプ７５からなる非反転増
幅器によってレベルシフトし電流制限抵抗７６を通じて
出力される。この信号はＯＮ／ＯＦＦ指令信号によるト
ランジスタ１５のスイッチングの比率を直流値で表した
信号（ＤＵＴＹ／ＤＣ）である。このＤＵＴＹ／ＤＣ信
号と陽極電流Ibの関係は図２（ｃ）と同じであることは
自明である。

【００２３】次ぎに、制御回路１６の動作を説明する。
図４で入力電流検知器１９を介して伝達された入力電流
信号はダイオードブリッジ７０によって全波整流され
る。ここで抵抗３９は入力電流検知器１９の負荷抵抗で
ある。抵抗３９の両端に発生した入力電流信号は抵抗３
８とコンデンサ４０からなるローパスフィルターで高周
波成分を除去され概ね直流化された入力電流の平均値に
相当する信号（Ｉｉｎ／ＤＣ信号）が通過する。

【００２４】抵抗３６、３７オペアンプ３４から入力電
流制御のための負帰還増幅器が構成される。抵抗３６に
入ったＩｉｎ／ＤＣはオペアンプ３４の非反転端子に入
力される入力電流制御信号（Ｖｒｅｆ）を基準電位とし
て負帰還増幅される。オペアンプ３４の出力はトランジ
スタ１５のＯＮ／ＯＦＦ指令信号のパルス幅を決定する
しきい値信号（Ｔｏｎ）となる。Ｔｏｎ信号はオペアン
プ３５の非反転端子に入力される。一方、反転端子には
後述する三角波信号が入力され、オペアンプ３５がコン
パレータ動作しＨｉｇｈでトランジスタ１５をＯＮ、Ｌ
ＯＷでＯＦＦするＤＲＩＶＥ信号を出力する。

【００２５】Ｖｒｅｆ信号はマグネトロンの正常発振時
には抵抗２８と抵抗２９の分圧で決定される電圧である
がマグネトロンの過度の温度上昇により陽極電流が増加
し、ある限度値を超えるとトランジスタ７７がオンして
抵抗２７が抵抗２９に並列に挿入される形となりＶｒｅ
ｆの値は低下する。するとオペアンプ３４の出力信号で
あるＴｏｎ信号は減少しトランジスタ１５のＯＮ期間が
短くなって入力電流が低下するしくみとなっている。

【００２６】一方、マグネトロンの非発振時すなわちマ
グネトロンの陰極が十分温まっていなくて陽極電流が流
れていない状態での動作について説明する。非発振時に
は入力電流は極めて低くＩｉｎ／ＤＣ信号も同様に極低
いレベルとなっている。そのＩｉｎ／ＤＣ信号は抵抗３
１、３３の分圧で決定される発振しきい値とオペアンプ
３０によって比較され、非発振時はＨｉｇｈ出力となり
抵抗３２を介してトランジスタ２２をＯＮさせる。従っ
て抵抗２９と並列に抵抗７８が挿入される形となり非発
振時に最適なＶｒｅｆ信号となる。そして一旦発振が開
始するとＩｉｎ／ＤＣ信号は発振しきい値を超えトラン
ジスタ２２はＯＦＦする。

【００２７】次ぎにスイッチングレート検出手段１７か
ら入力されるＤＵＴＹ／ＤＣ信号はオペアンプ２５、抵
抗２３、２４からなる比較器によって抵抗２３、２４の
分圧で決定される陽極電流限度値（Ｉｂ／ＭＡＸ）と比
較される。マグネトロンの正常動作時にはＩｂ／ＭＡＸ
信号を超えるＤＵＴＹ／ＤＣ信号が発生しておりオペア
ンプ２５の出力はＨｉｇｈとなっているためトランジス
タ７７はＯＦＦとなり通常のＶｒｅｆ信号となってい
る。

【００２８】それではオペアンプ３５の反転端子に入力
される三角波の発生メカニズムについて図５を交えて説
明する。図１におけるインバータ部のトランジスタ１５
のコレクターエミッタ間電圧Ｖｃｅとコンデンサ１１の
両端の電圧Ｖｃ２の波形を図５（ａ）に示す。Ｖｃｅと
Ｖｃ２が交差するタイミング(1)で(f)に示すパルス信号
(2)が発生する。これを図５で説明する。

【００２９】Ｖｃ２とＶｃｅは各々抵抗６５、６６及び
抵抗６７、６８でレベルシフト後オペアンプ６９で比較
されＶｃｅ＞Ｖｃ２の時ＬｏｗでＶｃｅ＜Ｖｃ２の時Ｈ
ｉｇｈの矩形波信号を出力する。コンデンサ６４、抵抗
６３、ダイオード６２は微分回路で矩形波信号の立ち上
がりと立ち下がりで各々正負のパルス信号を発生する。
ここでダイオード６２の働きで負のパルスはカットされ
正のパルス信号が発生する。従って図５の(1)のタイミ
ングで(2)のパルスが発生することになる。

【００３０】次ぎに図４で抵抗４１とコンデンサ４２か
らなる共振回路は抵抗４３とトランジスタ４４を介して
アースに接続されており、トランジスタ４４はＲＳフリ
ップフロップ４９のＱ２出力から抵抗４８を通じて駆動
される。ここでＲＳフリップフロップ４９はＳ入力がＬ
ｏｗからＨｉｇｈへの移行時にＱ１出力をＨｉｇｈ状態
に遷移させ、かつＱ２出力はそれと逆の論理となる。こ
の状態はＲ入力に信号が入力されるまで保持される。抵
抗４３と、抵抗４１とコンデンサ４２からなる共振回路
の接点(a)点の信号は抵抗４５、抵抗４７、オペアンプ
４９からなる比較器に入力されその出力はＲＳフリップ
フロップ４９のＳ入力に入力される。

【００３１】図５に戻りＱ２がＬｏｗの間トランジスタ
４４はＯＦＦで共振回路のコンデンサ４２の電荷は抵抗
４１を通じて放電され(a)点の電位は上昇していくが(2)
のパルスがＲＳフリップフロップ４９のＲ入力に入力さ
れるとリセットがかかりＱ２出力はＨｉｇｈになる
（(e)図の(3)点）。そうするとトランジスタ４４はＯＮ
し、今まで放電していたコンデンサ４２は抵抗４３を通
じて充電に転じ(a)点の電位は下降し始める（(c)図の
(4)時点）。そして(a)点の電位が抵抗４５と抵抗４７の
分圧レベルをもった折り返し信号と交差した時点（(c)
図の(5)時点）でオペアンプ４６の出力はＬｏｗからＨ
ｉｇｈに転じ再度Ｑ２出力はＬｏｗとなり（(e)図の(6)
時点）トランジスタ４４はＯＦＦして(a)点が上昇する
モードに戻る。このサイクルを繰り返して(c)図のよう
な三角波信号が(a)点に発生しオペアンプ３５の反転端
子に入力される。そしてＴｏｎ信号との比較がされ(d)
図に示すようなＤＲＩＶＥ信号が発生する。

【００３２】この動作メカニズムにより図１における電
流Ｉｃは図５（ｂ）のように流れる。ここで負方向に流
れている電流はダイオード１４に流れている電流で、こ
の期間に(d)図のようにＤＲＩＶＥ信号がＨｉｇｈにな
りトランジスタ１５のＶｃｅがほぼ０電圧（実際にはダ
イオード１４の順方向電圧が逆バイアスされている）で
がＯＮになるため損失は極めて少なくなる。いわゆるＺ
ＶＳ（Zero Volt Switting）動作が実現できる。

【００３３】それでは、各信号の動特性を図６に示す。
(b)図に示すようにＤＵＴＹ／ＤＣ信号は時間の経過に
ともなうマグネトロンの温度上昇によって下降してい
く。その間当然(d)図に示すように陽極電流Ｉｂは増加
を続ける。そして(b)図に示すように陽極電流限度値Ｉ
ｂ／ＭＡＸ信号にＤＵＴＹ／ＤＣ信号が到達すると(C)
図に示すようにＴｏｎ信号のレベルが低く変更される。
それにともなって(a)図の入力電流も減少して(d)図の陽
極電流も減少する。このように陽極電流限度値Ｉｂ／Ｍ
ＡＸ信号を適当に設定することによって陽極電流は絶対
最大定格を超えることがない。

【００３４】さらに本発明の一実施例における高周波加
熱装置について説明する。全体の構成は図１と同じであ
る。また制御回路１６の構成も図４と同じである。図７
を用いてスイッチングレート検出手段１７の構成につい
て説明する。ここで図３と同一符号の部品に関しては同
一機能であり説明を割愛する。本発明の特徴としてはス
イッチングレート調整手段たる半固定抵抗７３が抵抗７
９と直列に配されている。この半固定抵抗を用いてマグ
ネトロンがある特定の温度で動作しているときのＤＵＴ
Ｙ／ＤＣ信号が所定値になるように機器に装着されるマ
グネトロンごとに調整する。例えば若干の誤差は生じる
が十分室温に馴染んだ状態からマグネトロンを駆動し数
十秒以内に同調整を完了することにより、ある狭い範囲
の温度でマグネトロンが動作している状態でのＤＵＴＹ
／ＤＣ信号を所定値に調整することが可能となる。そう
することにより図８の(a)図に示すように調整を行わず
ＤＵＴＹ／ＤＣ信号がＩｂ／ＭＡＸ信号と交差した時点
で入力電流を減少させていた時の温度誤差がマグネトロ
ンの定格陽極電圧最大のもの(a)と最小のもの(b)で△Ｔ
（Ｔ２−Ｔ１）あったものが(b)図に示すように調整を
行うことによって△Ｔ’（Ｔ２’−Ｔ１’）に縮小する
ことがわかる。△Ｔ’は調整時のマグネトロンの温度を
均一化することにより限りなく少なくすることが可能な
ことは自明である。

【００３５】このようにすることで、マグネトロンの定
格陽極電圧が製造上ばらついても正確にマグネトロンの
陽極温度をマグネトロンへの密着型あるいは近接型の温
度検出装置などを一切使用せず遠隔的に検出し、所定温
度に達すると速やかに入力電流を低下させることでマグ
ネトロンを熱的ダメージから保護することことなく冷却
条件に応じた最大限の電磁波出力を提供することができ
る。

【００３６】

【発明の効果】本発明の高周波加熱装置によると以下の
ような効果を得ることができる。

【００３７】（１）入力電流を一定に制御する高周波加
熱装置において、昇圧トランスの２次側で生じているマ
グネトロンの過剰温度上昇による陽極電流の異常増加を
電流検出器等を一切使用せずにトランスの１次側で遠隔
的に検出し、速やかに電磁波出力を低下させマグネトロ
ンの陽極電流の絶対最大定格オーバーによる寿命短縮を
防止することが可能であり、かつ冷却条件にあった最大
限の電磁波出力を得ることができる。これによってユー
ザーが誤って食品の収納を忘れるという異常使用や吸気
口が塵埃で閉塞されたような冷却条件が極めて厳しい動
作環境下の時でもマグネトロンが劣化して寿命が短縮化
することがない高信頼性で高出力の高周波加熱装置を提
供することができる。

【００３８】（２）マグネトロンの定格陽極電圧が製造
上ばらついても正確にマグネトロンの陽極温度をマグネ
トロンへの密着型あるいは近接型の温度検出装置などを
一切使用せず遠隔的に検出し、所定値に達すると速やか
に電磁波出力を低下させマグネトロンを熱的ダメージか
ら保護することができ、かつ冷却条件にあった最大限の
電磁波出力を得ることができる。これによってユーザー
が誤って食品の収納を忘れるという異常使用や吸気口が
塵埃で閉塞されたような冷却条件が極めて厳しい動作環
境下の時でもマグネトロンが異常温度上昇して熱破壊す
るというよう不具合が生じない高信頼性で高出力の高周
波加熱装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における高周波加熱装置の要
部回路図

【図２】（ａ）同高周波加熱装置のマグネトロンの陽極
電圧と陽極温度との関係を示す図（ｂ）同高周波加熱装置のマグネトロンの陽極電流と陽
極電圧との関係を示す図（ｃ）同高周波加熱装置のマグネトロンの陽極電流とト
ランジスタのスイッチングレートとの関係を示す図

【図３】同高周波加熱装置のスイッチングレート検出回
路の回路図

【図４】同高周波加熱装置の制御回路の回路図

【図５】同高周波加熱装置の制御回路の動作を表す回路
各部の波形のタイミングチャート

【図６】同高周波加熱装置の入力電流の変化に付随した
回路各部の波形のタイミングチャート

【図７】本発明の他の実施例における高周波加熱装置の
スイッチングレート検出回路の回路図

【図８】（ａ）同高周波加熱装置のＤＵＴＹ／ＤＣ信号
の調整を行なわない時の特性図（ｂ）同高周波加熱装置のＤＵＴＹ／ＤＣ信号の調整を
行なった時の特性図

【図９】従来の高周波加熱装置の要部回路図

【図１０】同高周波加熱装置の不具合点を示す特性図

【符号の説明】

１インバータ部２商用電源３昇圧トランス７マグネトロン１５トランジスタ（半導体素子）１６制御部１７スイッチングレート検出手段１８高圧整流部１９入力電流検出手段２０単方向電源部７９スイッチングレート調整手段

フロントページの続き (72)発明者酒井伸一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者石尾嘉朗大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平５−129075（ＪＰ，Ａ) 実開平２−71993（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 6/66 - 6/68

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】商用電源を単方向に変換する単方向電源部
と、少なくとも１個の半導体素子を有し、前記半導体素
子を高周波でＯＮ／ＯＦＦすることにより前記単方向電
源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部
と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トラン
スと、前記昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流
部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマ
グネトロンと、前記単方向電源部への電流を検出する入
力電流検出手段と、前記半導体素子を制御する制御部
と、前記半導体素子のＯＮ／ＯＦＦのデューティー比を
検出するスイッチングレート検出手段とを備え、前記制
御部は、前記入力電流検出手段の出力を所望値に一定制
御すべく前記半導体素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、かつ前
記スイッチングレート検出手段の出力が所定しきい値以
下になったとき、一定に制御していた入力電流値を低く
変更する構成とした高周波加熱装置。
【請求項２】商用電源を単方向に変換する単方向電源部
と、少なくとも１個の半導体素子を有し、前記半導体素
子を高周波でＯＮ／ＯＦＦすることにより前記単方向電
源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部
と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トラン
スと、前記昇圧トランスの出力電圧を整流する高圧整流
部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマ
グネトロンと、前記単方向電源部への電流を検出する入
力電流検出手段と、前記半導体素子を制御する制御部
と、前記半導体素子のＯＮ／ＯＦＦのデューティー比を
検出するスイッチングレート検出手段と、前記マグネト
ロンがある所定温度で動作している時の前記スイッチン
グレート検出手段の出力を所定値に調整するスイッチン
グレート調整手段とを備え、前記制御部は、前記入力電
流検出手段の出力を所望値に一定制御すべく前記半導体
素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、かつ前記スイッチングレー
ト検出手段の出力が所定しきい値以下になったとき、一
定に制御していた入力電流値を低く変更する構成とした
高周波加熱装置。