JP4003914B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体 Download PDF

Info

Publication number
JP4003914B2
JP4003914B2 JP2000146922A JP2000146922A JP4003914B2 JP 4003914 B2 JP4003914 B2 JP 4003914B2 JP 2000146922 A JP2000146922 A JP 2000146922A JP 2000146922 A JP2000146922 A JP 2000146922A JP 4003914 B2 JP4003914 B2 JP 4003914B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
charge transport
layer
polymer
transport layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000146922A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001330973A (ja
Inventor
英利 紙
宏 田村
哲郎 鈴木
勝一 大田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2000146922A priority Critical patent/JP4003914B2/ja
Publication of JP2001330973A publication Critical patent/JP2001330973A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4003914B2 publication Critical patent/JP4003914B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機系電子写真感光体に関し、詳しくは電子写真複写機、プリンタなどに用いられる電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に応用されている電子写真感光体を用いた電子写真方法とは、少なくとも電子写真感光体に帯電、画像露光、現像の過程を経た後、画像保持体(転写紙)へのトナー画像の転写、定着及び電子写真感光体表面のクリーニングというプロセスよりなる方法である。
電子写真感光体が、この電子写真方法において要求される基本的な特性としては、▲1▼暗所で適当な電位に帯電できること、▲2▼暗所において電荷の散逸が少ないこと、▲3▼光照射によって速やかに電荷を散逸できること、等が挙げられる。
近年はこれらの特性に加えて、▲4▼低コストであること、▲5▼低公害性であること、▲6▼長期にわたり画像欠陥の生じない安定した画像が得られること、が非常に強く要求されている。
【0003】
従来、電子写真方式において使用される感光体としては、導電性支持体上にセレンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けたもの、酸化亜鉛・硫化カドミウム等の無機系光導電材料をバインダー中に分散させたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたもの等が一般的に知られているが、近年ではコストの低さ、感光体設計の自由度の高さ、低公害性等から有機系電子写真感光体が広く利用されるようになってきている。
【0004】
有機系電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【0005】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、且つ、有用である。しかしながら、かかる有機系電子写真感光体においても、特に耐久性においては必ずしも満足できるものではなく、近年、電子写真感光体の高耐久化に対する期待が高まる中で、高品質な画像を機械寿命まで確保することが極めて重要な技術課題となっている。
【0006】
有機系電子写真感光体において、大量印刷を行なっても常に安定した出力画像を得るためには、大量印刷による画像欠陥や地汚れないし画像濃度低下の発生を防止する技術が必須となる。画像欠陥や地汚れ等の異常画像の出力は、感光体表面上の創傷や、帯電電位の低下ないし残留電位の上昇に起因することが周知の事実とされている。したがって、大量印刷を行なっても異常画像の出力を防止するためには、優れた耐擦性(耐摩耗性)と静電特性の耐久性を有機系電子写真感光体に付与する必要がある。
【0007】
これまでにも、有機系感光体の特性を改善する目的で多くの提案がなされているが、感光体表層の耐擦性(耐摩耗性)を向上する手段として、以下に記載する提案がなされている。
【0008】
(1)電荷輸送層の膜強度向上化による手段
例えば、特開平10−288846号公報、特開平10−239870号公報には、バインダーとしてポリアリレートを用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。また、特開平10−239871号公報、特開平9−160264号公報には、バインダーとしてポリカーボネートを用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。また更に、特開平10−186688号公報にはターフェニル骨格を有するポリエステル樹脂を、特開平10−186687号公報にはトリフェニルメタン骨格を有するポリエステル樹脂を、特開平5−40358号公報にはフルオレン骨格を有するポリエステル樹脂をそれぞれバインダーとして用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
【0009】
(2)電荷輸送層の摩擦係数低減化による手段
例えば、特開平10−246978号公報、特開平10−20534号公報には、電荷輸送層中にシロキサン成分を含有することによる感光体の摩擦係数の低減化が提案されている。また、特開平5−265241号公報、特開平8−328286号公報には、電荷輸送層中にフッ素樹脂粒子を含有することによる感光体の摩擦係数の低減化が提案されている。これらの提案は、感光体表面の摩擦係数を低減させることにより、感光体表面に印加される当接圧を低下せしめ、この結果、感光体の耐擦性を向上させる手段であると考えられる。
【0010】
(3)電荷輸送層の改質による手段
例えば、特開平1−129260号公報、特開平8−101517号公報には、電荷輸送層にフィラーを含有させることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。また、特開平9−12637号公報、特開平9−235442号公報には、スチレン系エラストマーを含有したポリマーブレンドを電荷輸送層のバインダーとして用いることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
【0011】
上記、(1)〜(3)は、いずれも光減衰の感度の制約から感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を含有する必要がある。低分子電荷輸送物質は、膜の脆化を著しくもたらす材料であり、低分子電荷輸送物質の含有量に比例して感光層の耐擦性は急激に劣化する。このため、低分子電荷輸送物質に起因する感光体表面のキズの発生、及び膜削れが激しく、上記(1)〜(3)に記載した如何なる手段を用いても大きな効果を得ることができなかった。
この他、感光体表層の耐擦性を向上させる手段としては、以下に示す提案がされている。
【0012】
(4)保護層を設けることによる手段
例えば、特開平10−177268号公報には、電荷輸送層の更に上層に保護層を設けることによる感光体の耐摩耗性向上化が提案されている。
しかしながら、表面保護層を設けた場合、酸化性物質が感光体表面に滞留してしまい、画像流れを伴うことが少なくない。また、感度劣化等の静電特性が犠牲になる場合が多く、有効な手段であるということはできない。
【0013】
(5)高分子電荷輸送物質を含有することによる手段
以上の事情を鑑み、近年、低分子電荷輸送物質の代わりに高分子電荷輸送物質を用いる手段が提案されている(特開平7−325409号公報記載)。かかる手段は、感光層中の樹脂成分比を極めて大きくすることが可能であるため、良好な耐摩耗性を示すことが期待される。しかしながら、単に低分子電荷輸送物質を高分子電荷輸送物質に変更するだけでは、充分な耐擦性を感光体に付与できないケースが多い。加えて、電荷輸送層の主成分を高分子電荷輸送物質とする感光体の多くは、使用後まもなく感光層の著しい低抵抗化をもたらし、結果、出力画像にカブリが発生してしまうという問題を抱えている。
しかしながら、これらに対する解決手段は未だなく、このため、電荷輸送物質として高分子電荷輸送物質を用いる場合においても、画像品質の安定性に対して大きな効果が得られていないのが現状である。
【0014】
次に、耐摩耗性以外の因子によって画像安定性を改善する手段として、以下に示す提案がなされている。
(6)酸化防止剤添加による手段
例えば、特開昭57−122444号公報、特開昭61−156052号公報には、感光層中に酸化防止剤を添加する提案がなされている。
【0015】
(7)可塑剤添加による手段
例えば、特開平8−272126号公報、特開平8−95278号公報には、感光層中に可塑剤を添加する提案がなされている。
【0016】
上記(6)、(7)による手段は、大量印刷による感光層の帯電性劣化の抑制に有効な手段であるといえる。しかしながら、以上の化合物を低分子電荷輸送物質とバインダー樹脂から構成される低分子分散型電荷輸送層に適用する場合、既にバインダー樹脂には低分子電荷輸送物質が高濃度に分散されているため、これら化合物の添加量は極めて制限されたものとなる。したがって、添加による大きな効果は期待できない。
また、かかる低分子分散型電荷輸送層は、ガラス転移点が低い場合が多く、上記化合物を更に添加すると、ガラス転移点が機内温度まで低下するケースが少なくない。このとき、感光層の変形やトナーの融着などを誘発させてしまうため、かかる電荷輸送層に対しては必ずしも有用な手段とはいえない。
【0017】
以上のように、低分子電荷輸送物質を大量に用いる従来型の有機系電子写真感光体において、感光体の耐擦性を改善することは極めて困難な状況にある。また、低分子電荷輸送物質の代わりに、単に高分子電荷輸送物質を用いても実用上解決すべき問題点が多い。すなわち、大量印刷によっても高品質な画像を安定して出力できる感光体は未だ得られていないのが現状である。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、大量の印刷を行なっても、画像欠陥の発生と地汚れの発生が極めて少ない電子写真感光体を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題に対し鋭意検討を重ねた結果、感光層の膜強度と水蒸気透過度を特定することにより、上記課題が達成できることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0020】
すなわち、本発明によれば、導電性支持体上に引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上である感光層を有し、且つ、水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下であり、しかも該感光層中に少なくとも主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質を含有する感光層を有することを特徴とする有機系電子写真感光体、この感光体を装着した電子写真装置が提供される。
【0021】
以下、説明の都合上、主に積層型感光体について詳細に説明するが、本発明は積層型感光体に限られるものではない。
従来型の低分子電荷輸送物質とバインダー樹脂を主成分とする電荷輸送層(以下、低分子電荷輸送層と称す。)は、光減衰の感度の制約から低分子電荷輸送物質がバインダー樹脂中に50wt%程度の割合で分散されており、該電荷輸送層の膜質はバインダー樹脂単独膜と比較して著しく脆いことが知られている。このため、感光体に加えられる力学的な負荷により、低分子電荷輸送層をもつ感光体は膜削れやキズおよびクラックが生じやすいという欠点を有している。従来、かかる欠点を改善することを目的として様々な手段が提案されてきたが、いずれの手段によっても低分子電荷輸送物質に起因する膜削れが激しく、大きな効果は得られていなかった。
【0022】
このうち、特開平5−142792号公報には、感光層の引張破断強度(σ;単位kg・mm-2)と引張破断伸び(ε;単位%)の積ε・σが0.4kg・mm-2以上とする電子写真感光体が提案されている。上記公報の実施例に記載のごとく、該感光層のε・σ値は、高々0.81kgf・mm-2を示している。ε・σ値がこれ以上大きくできない原因は、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質が含有されているためであり、従来の方法を踏襲する限り、感光層の膜強度を充分に大きくすることには限界があることが示されていると解釈できる。
【0023】
また、特開平9−235442号公報では、引張強さ(σ;単位kgf・mm-2)と伸び(ε;単位%)の積ε・σが1000以上であるスチレン/ブタジエン共重合体含有耐摩耗性材料を、電子写真感光体の電荷輸送層ないし保護層のバインダー樹脂として用いることが提案されている。膜強度を向上させる手段として靱性の高い材料を用いることは有用な手段であると考えられる。しかしながら、かかる材料を保護層ないし電荷輸送層のバインダー樹脂成分として大量に用いると、粘着性が極度に増大し、クリーニング不良を頻発してしまう。また、このようなゴム成分は、伸び(ε)の項が桁違いに大きい一方で、引張強さ(σ)が桁違いに小さい材料が極めて多い。この場合、形状変化を誘発させてしまうことも少なくない。また、このような樹脂成分に、充分な感度を付与するほどの多量の低分子電荷輸送物質を含有させると、ガラス転移点の極端な低下が伴うことも懸念され、実用上、疑問視される手段であると言える。更に、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を含有するため、感光層の膜強度を充分に大きくすることはできなかった。
【0024】
これは、バインダー樹脂に対して低分子電荷輸送物質が材料の脆化をもたらすantiplasticizer(剛性可塑剤)として作用してしまうことが主たる原因であると考えられる。このため、感光層中に大量の低分子電荷輸送物質を用いる限り、感光層の膜強度は、如何なる手段によっても極めて低い強度しか得ることができないと判断される。実際、強靭な低分子電荷輸送層は、現在に至るまで見い出されていない。
【0025】
これに対し、近年、高分子電荷輸送物質を電荷輸送層の主成分とする検討がなされてきた。これにより電荷輸送層中に大量の低分子成分(従来の低分子電荷輸送物質)を含有させる必要がなくなり、非常に強靱な感光層を得ることが期待される。引張破断伸び(ε;単位%)と、引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)の積ε・σが低分子電荷輸送層と比較して格段に大きな値を示す材料が見い出されている。
【0026】
電子写真感光体に多用されるバインダー樹脂に対して、可塑剤を含む大多数の低分子化合物は、膜のε・σを低減させてしまうと言える。特に、低分子電荷輸送物質は、樹脂の伸び(ε)性を激減させてしまうケースがほとんどと言っても過言ではない。図6に、従来型の低分子電荷輸送物質とバインダー樹脂からなるCTL膜、高分子電荷輸送物質のみからなるCTL膜、及び高分子電荷輸送物質からなるCTL膜中に低分子化合物の可塑剤をCTL膜全重量に対して10wt%含有させたものの引張強度−ひずみ曲線の一例を示す。図中のひずみは、これまで記載してきた伸び(ε)性の尺度と見なしても説明上支障はない。これら3種類のサンプルの引張強度−ひずみ曲線は、化合物を変えても、高分子電荷輸送物質を用いた場合とそうでない場合について、ほとんどのケースにおいてこの特徴を示すカーブが得られる。図から明らかなように、従来型の低分子電荷輸送物質含有型のCTL膜が僅かな伸びを示した後、直ちに破断してしまうのに対して、高分子電荷輸送物質が含有されるCTL膜は、段違いの伸び性と、従来型に匹敵する引張強度を示すことがわかる。また、高分子電荷輸送物質が含有されるCTL膜に可塑剤を添加しても、伸び性が低下することから、この場合の可塑剤は剛性可塑剤として作用していることがわかる。かかる測定結果から、高分子電荷輸送物質が含有されるCTL膜の強靭性は従来型の低分子電荷輸送物質含有型CTL膜の強靭性と比較して、段違いに優れていると判断される。
【0027】
しかしながら、高分子電荷輸送物質が含有された電荷輸送層(以下、高分子電荷輸送層と称す。)をもつ感光体(以下、高分子感光体と称す。)を用いても、従来型の感光体と比較して画像品質の安定性に対して大きな改善効果が得られていないのが現状である。これは、電荷輸送物質を単に高分子化するだけでは充分な耐擦性が発現されないことに起因すると考えられる。
【0028】
この問題に対して、高分子電荷輸送物質の分子構造中に、フレキシブルユニットを共重合化することにより、機械的な負荷に対する耐久性を向上させる提案がされている(米国特許第4806443号明細書)。ところが、かかる手段によって作製したか感光体においても、充分な耐擦性は発現されていない。更には、トナーが感光体表面に固着してしまう現象を伴う場合が多く、実用化する上で解決すべき課題が山積していた。
【0029】
ここで、膜強度を表わす引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)の積ε・σについて、発明者らの解釈を整理する。
プラスチックの摩耗量と膜物性の関係は、Ratnerらによって以下に示す関係式が報告されている(S.B.Ratner, I.I.Farberova, O.V.Radyukevich and E. G. Lur'e, ソビエトプラスティックス, ,37-41,1964) 。
【0030】
【数1】
V=μ/(H・ε・σ)
(V=摩耗量、μ=摩擦係数、H=硬度、ε=破断伸び、σ=破断強度)
上記式の右項の分子に荷重値を掛けた関係式が用いられることも多い。
式中、εの大きさは、バルクが破断に至るまで、変形によって発散できる外部応力の大きさと解釈することができる。また、ε・σの大きさは、材料が破断するまでにバルクが蓄積できる応力エネルギーの容量を表わす値であると解釈できる。
特に、ε・σ値の大きさは材料の耐摩耗性を反映する物性値であると広く考えられている。前述した如く、これまでにもε・σを特定することにより、高い耐摩耗性を示す感光体が提案がされてきた。
【0031】
ところが、ε・σ値は2種類の物性値の積の値であるため、殆ど伸びない材料であっても極端に引張破断強さが大きければε・σの値は相応の値を示すことになる。ところが、この様な高分子材料は引張りに対しては強い性質を示しても、摩耗に対しては脆いものが多いことが広く知られている。また、非常に伸びやすい反面、応力に対する抵抗力が極めて小さな材料であっても、ε・σ値は相応の値が得られることになる。しかしながら、かかる材料を感光層材料として用いると、現像剤等によるチッピングを伴うことが多く充分な耐摩耗性を示さない場合が多い。
したがって、優れた耐摩耗性を示す感光体を得るためには、単にε・σ値の大きな材料を感光層の材料として用いるのみでは不十分であると判断される。つまり、一定値以上の引張破断伸びと引張破断強さを兼ね備える材料が必要であると考えられる。
【0032】
そこで、本発明者らは以上の考察に基づき、大量印刷時の画像欠陥発生の低減化について鋭意検討したところ、以下に記す知見を見い出した。
【0033】
すなわち、
(1)感光層の耐摩耗性は、引張破断伸び(ε;単位%)が10%以上であり、且つ、引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)が4.00kgf・mm-2以上の場合にのみ、これらの積(以下、ε・σと表わす)の大きさと対応関係が見られ、ε・σが0.85kgf・mm-2以上の感光層は極めて耐摩耗性に優れた特性を示す。
【0034】
更に発明者は、感光層のεないしσを増加させる手段として以下の方法を見い出した。
(2)感光層中に靭性の高い(ε・σの大きい)成分を少なくとも1種類以上含有させることにより、前記(1)の条件を容易に満足させることができる。これは感光層中にブレンドしたり、高分子化合物の分子骨格中に共重合させてもよい。
これは2種以上の成分からなる高分子材料の機械的強度が、多くの場合、個々の機械的強度の相加平均的な値を示すことに起因すると考えられる。
【0035】
(3)感光層中に、高分子電荷輸送物質を少なくとも1種類以上含有させることにより、前記(1)の条件を容易に満足させることができる。これは高分子電荷輸送物質を用いることにより、感光層中の低分子成分を激減させることが可能であることに起因する。特に、トリアリールアミン構造を有する高分子電荷輸送物質は電荷輸送能に充分な余裕があるため(16V/μm時の移動度(単位;cm2・V-1・sec-1)が10-6オーダーを示すものが多い。)、別の樹脂をブレンドする等、処方設計上の自由度が高く、実使用上、好適に用いることができる。
【0036】
次に、地汚れの発生防止について考察する。
地汚れの発生原因は、その機構の一つとして次のように考えることができる。
すなわち、帯電過程において、感光体は所定の電圧が印加されることになる。印加される電圧は一定であるため、膜削れが進行すると電荷輸送層の電界強度は膜削れ量に比例して大きくなる。このため、電界強度の増加と共に、露光されない部分であっても感光体表層に向かって電荷の移動が生じ易くなり、出力画像に地汚れを生じる。
また、電荷輸送層が酸化性ガスに暴露されることにより、電荷輸送層の電気抵抗が低下しても、帯電性が劣化し、これに伴い地汚れ(カブリ)が生じてしまうと考えられる。このとき、膜削れの度合と地汚れの激しさは無関係であると考えられる。
したがって、地汚れの発生を抑制するためには、電荷輸送層の耐摩耗性を向上し、かつ帯電性劣化を抑制することが必要であると推察される。特に、高分子電荷輸送層の場合、帯電性劣化を抑制することが特に重要な技術となる。
【0037】
そこで、本発明者らは以上の考察に基づき、感光体の帯電性劣化の抑制について検討したところ、以下の知見を見い出した。すなわち、
(1)繰り返し使用による感光体の帯電性劣化は、電荷輸送層の水蒸気透過度が大きいものほど顕著である。
(2)電荷輸送層の水蒸気透過度が低い感光体ほど、オゾンおよびNOx暴露による帯電電位の低下が抑制される。
【0038】
かかる現象の全容は不明であるが、感光体の帯電性は帯電器より発生するオゾン、NOxなど酸化性物質に強く影響され、これらの物質が電荷輸送層中に浸透することにより帯電性劣化が促進されるものと思われる。このため、膜削れが無視できる場合においても地汚れが発生してしまうことが推察される。
【0039】
更に、本発明者らは膜削れが激しい低分子感光体の地汚れ発生の程度が耐摩耗性に優れる高分子感光体と同等である原因について検討したところ、次の知見を得るに至った。
【0040】
(3)低分子電荷輸送層は高分子電荷輸送層と比較して水蒸気透過度が低い。
かかる知見から、低分子電荷輸送層において、低分子電荷輸送物質が担う機能には、電荷輸送の機能に加え、感光層のガスバリアー性を高める機能を担っていると考えられる。このことから、低分子化合物を電荷輸送層中へ添加することにより水蒸気透過度を低減できることが推察される。そこで、発明者らは、酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤および低分子電荷輸送物質などの低分子化合物を添加した高分子電荷輸送層と水蒸気透過度の関係について調査した結果、以下の知見を見い出した。
【0041】
(4)高分子電荷輸送層の水蒸気透過度は酸化防止剤や可塑剤などの低分子量の化合物を少量添加することにより、著しい水蒸気透過度の低減が図れる。また、低分子化合物の添加量に比例して電荷輸送層の水蒸気透過度は低下する。
上記知見から、更に発明者らは以下の知見を得るに至った。
【0042】
(5)高分子電荷輸送層の水蒸気透過度は低分子化合物に限らず、ガスバリアー性の高い樹脂を添加することによっても低減する。また、電荷輸送物質にガスバリアー性の高い樹脂成分を共重合することによっても同様の効果が得られる。
【0043】
更に、本発明者らは電荷輸送層の水蒸気透過度と地汚れの大きさの関係について検討したところ、電荷輸送層の水蒸気透過度が200g・m-2・24h-1以下であれば地汚れの発生が生じないことを見い出した。また、電荷輸送層の水蒸気透過度が200g・m-2・24h-1以上になると地汚れの度合いが水蒸気透過度の大きさに比例して大きくなることを見い出すに至った。これは、積層型感光体に限らず、単層型感光体についても同じことが言える。
【0044】
以上の知見から、本発明者らは、導電性支持体上に引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上である感光層を有し、且つ、この感光層の水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下とし、しかもこの感光層中に少なくとも主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質を含有させることにより、上記課題を達成できることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0045】
本発明による有機系電子写真感光体は、感光層ないし電荷輸送層は強靭な膜であるため、膜削れが極めて小さい。この結果、摩耗による水蒸気透過度の変化も極めて小さい。このため、本発明の電子写真感光体を用いることにより、大量印刷を行なっても安定した特性を得ることが可能となる。これにより、本発明は、解像力を向上させることを目的として感光層を薄膜化することや、電子写真プロセスの小型化を目的として感光体ドラムを小径化することに対して極めて好適に用いることができる。
【0046】
感光層の水蒸気透過度の制御は、酸化防止剤などの低分子化合物を感光層に少量添加することやガスバリアー性の高い樹脂(成分)を高分子電荷輸送物質にブレンドまたは共重合することによって容易に制御できる。
低分子化合物の添加は、添加する材料により感光層の耐摩耗性を劣化させる材料も存在する。発明者らは低分子化合物のうち、特にε・σの低下をもたらす低分子電荷輸送物質を選択した場合、その含有量は積層型感光体の場合、電荷輸送層全体の30wt%以下であれば画像欠陥を伴わないことを確認している。添加量が30wt%を越えると、電荷輸送層のε・σ値は急激な低下を招き、その耐摩耗性も激しく劣化する。このため、低分子化合物の添加量は電荷輸送層全体の30wt%以下が好ましい。
また、ガスバリアー性の高い樹脂を併用する場合、光減衰感度の制約から、その添加量は50wt%以下とすることが好ましい。同様の理由により、高分子電荷輸送物質にガスバリアー性の高い繰り返し単位を共重合する場合、その共重合成分の割合は電荷輸送物質全体の60wt%以下であることが好ましい。
【0047】
2種類以上の高分子化合物の組み合わせからなる感光層ないし電荷輸送層の水蒸気透過度は個々の水蒸気透過度の平均値に近い値を示す場合が多い。このため、電荷輸送層の水蒸気透過度を低減する目的で使用する高分子化合物の水蒸気透過度は、その高分子膜の水蒸気透過度が135g・m-2・24h-1(膜厚は電荷輸送層の膜厚と同じ)以下の材料を選択すると、極めて多種類の高分子電荷輸送物質と組み合わせて使用することが可能となる。高分子電荷輸送物質の共重合成分として共重合する場合においても、上記と同じことが言える。
【0048】
他方、膜強度の強化を目的として使用する高分子化合物は、その高分子膜のε・σが1.20kgf・mm-2以上の材料を選択すると、極めて多種類の高分子電荷輸送物質と組み合わせて使用することが可能となる。高分子電荷輸送物質の共重合成分として共重合する場合においても、上記と同じことが言える。
また、電荷輸送層の膜厚は20μm以下とすることにより、解像力に極めて優れた感光体を得ることができる。
【0049】
に、高分子電荷輸送物質について述べる。高分子電荷輸送物質としては、一般的には以下のような高分子物質を用いることができる。
(a)カルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール、特開昭50−82056号公報、特開昭54−9632号公報、特開昭54−11737号公報、特開平4−175337号公報、特開平4−183719号公報、特開平6−234841号公報に記載の重合体等が例示される。
(b)ヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭57−78402号公報、特開昭61−20953号公報、特開昭61−296358号公報、特開平1−134456号公報、特開平1−179164号公報、特開平3−180851号公報、特開平3−180852号公報、特開平3−50555号公報、特開平5−310904号公報、特開平6−234840号公報に記載の重合体等が例示される。
(c)ポリシリレン重合体
例えば、特開昭63−285552号公報、特開平1−88461号公報、特開平4−264130号公報、特開平4−264131号公報、特開平4−264132号公報、特開平4−264133号公報、特開平4−289867号公報に記載の重合体等が例示される。
(d)トリアリールアミン構造を有する重合体
例えば、N,N−ビス(4−メチルフェニル)−4−アミノポリスチレン、特開平1−134457号公報、特開平2−282264号公報、特開平2−304456号公報、特開平4−133065号公報、特開平4−133066号公報、特開平5−40350号公報、特開平5−202135号公報に記載の重合体等が例示される。
(e)その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭51−73888号公報、特開昭56−150749号公報、特開平6−234836号公報、特開平6−234837号公報に記載の重合体等が例示される。
【0050】
子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、また、例えば特開平3−109406号公報に開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能である。
【0051】
た、とりわけ有効に用いられるトリアリールアミン構造を有する化合物としては、以下に記載の化合物が例示される。
例えば、特開昭64−1728号公報、特開昭64−13061号公報、特開昭64−19049号公報、特開平4−11627号公報、特開平4−225014号公報、特開平4−230767号公報、特開平4−320420号公報、特開平5−232727号公報、特開平7−56374号公報、特開平9−127713号公報、特開平9−222740号公報、特開平9−265197号公報、特開平9−211877号公報、特開平9−304956号公報等がある。
【0052】
発明に用いられる高分子電荷輸送物質として有用なトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する化合物としては、以下に記載の化合物が挙げられる。
以下に、一般式(1)〜(6)で表わされる電荷輸送物質を例示し、具体例を示す。
【0053】
【化1】
Figure 0004003914
式中、R、R、Rは、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わし、Rは水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、R、Rは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 、R のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。また、o、p、qはそれぞれ独立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされる2価基を表わす。
【0054】
【化2】
Figure 0004003914
式中、R101、R102は、各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わす。l、mは0〜4の整数を表わし、Yは単結合、炭素原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わす。)または、
【0055】
【化3】
Figure 0004003914
(式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整数を表わし、R103、R104は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。)を表わす。ここで、R101とR102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【0056】
一般式(1)の具体例
1、R2、R3は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
アルキル基として、好ましくはC1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i-プロピル基、t-ブチル基、s-ブチル基、n-ブチル基、i-ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0057】
4は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては、上記のR1、R2、R3と同様のものが挙げられる。
【0058】
5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0059】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
【0060】
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0061】
上述のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、上記のR1、R2、R3と同様のものが挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR105)。アルコキシ基(−OR105)としては、R105は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ其。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル其。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【0062】
Xは下記一般式(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0063】
【化4】
Figure 0004003914
【0064】
【化5】
Figure 0004003914
【0065】
一般式(B)のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや、1,4−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
【0066】
また、芳香環を有するジオールとしては、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−ジメチル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【0067】
【化6】
Figure 0004003914
式中、R、Rは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 、R のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。Ar、Ar、Arは同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式(1)の場合と同じである。
【0068】
一般式(2)の具体例
7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0069】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、または、
【0070】
【化7】
Figure 0004003914
(ここで、Wは−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−及び以下の2価基を表わす。)
【0071】
【化8】
Figure 0004003914
【0072】
【化9】
Figure 0004003914
【0073】
【化10】
Figure 0004003914
【0074】
【化11】
Figure 0004003914
で表わされる。
【0075】
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ar1、Ar2およびAr3で示されるアリレン基としては、R7およびR8で示したアリール基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【0076】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のR106、R107、R108の具体例として表わされる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C18、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基は、さらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR109)。アルコキシ基(−OR109)としては、R10 9は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)次式で表わされる置換アミノ其。
【0077】
【化12】
Figure 0004003914
式中、R110及びR111は、各々独立に(2)で定義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基、またはナフチル基が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成しても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
(7)メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基、等が挙げられる。
【0078】
Xは下記一般式(C)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(C)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0079】
【化13】
Figure 0004003914
【0080】
【化14】
Figure 0004003914
一般式(B)のジオール化合物は一般式(1)と同じものが挙げられる。
【0081】
【化15】
Figure 0004003914
式中、R、R10は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 、R 10 のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。Ar、Ar、Arは同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式(1)の場合と同じである。
【0082】
一般式(3)の具体例
9、R10は、置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0083】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0084】
また、Ar4、Ar5およびAr6で示されるアリレン基としては、R9およびR10で示したアリール基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR112)。アルコキシ基(−OR112)としては、R112は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基;具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【0085】
Xは下記一般式(D)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(D)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0086】
【化16】
Figure 0004003914
【0087】
【化17】
Figure 0004003914
一般式(B)のジオール化合物は一般式(1)と同じものが挙げられる。
【0088】
【化18】
Figure 0004003914
式中、R11、R12は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 11 、R 12 のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。Ar、Ar、Arは同一又は異なるアリレン基、sは1〜5の整数を表わす。X、k、jおよびnは、一般式(1)の場合と同じである。
【0089】
一般式(4)の具体例
11、R12は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0090】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0091】
また、Ar7、Ar8およびAr9で示されるアリレン基としては、R11およびR12で示したアリール基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR113)。アルコキシ基(−OR113)としては、R113は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【0092】
Xは下記一般式(E)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(E)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0093】
【化19】
Figure 0004003914
【0094】
【化20】
Figure 0004003914
一般式(B)のジオール化合物は一般式(1)と同じものが挙げられる。
【0095】
【化21】
Figure 0004003914
式中、R15、R16、R17、R18は、置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 15 、R 16 、R 17 、R 18 のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又は異なるアリレン基、Y、Y、Yは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、一般式(1)の場合と同じである。
【0096】
一般式(5)の具体例
15、R16、R17、R18は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0097】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0098】
また、Ar13、Ar14、Ar15およびAr16で示されるアリレン基としては、R15、R16、R17およびR18で示した上記のアリール基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR115)。アルコキシ基(−OR115)としては、R115は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【0099】
1、Y2、Y3は、単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。
アルキレン基としては、上記(2)で示したアルキル基より誘導される2価基を表わす。具体的には、メチレン基、エチレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4−メチルフェニルメチレン基、2,2−プロピレン基、2,2−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基としては、1,1−シクロペンチレン基、1,1−シクロへキシレン基、1,1−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【0100】
Xは下記一般式(G)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(G)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0101】
【化22】
Figure 0004003914
【0102】
【化23】
Figure 0004003914
一般式(B)のジオール化合物は一般式(1)と同じものが挙げられる。
【0103】
【化24】
Figure 0004003914
式中、R22、R23、R24、R25は、置換もしくは無置換のアリール基を表わす。但し、R 22 、R 23 、R 24 、R 25 のいずれかは置換基としてメトキシ基を有する。Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式(1)の場合と同じである。
【0104】
一般式(6)の具体例
22、R23、R24、R25は、置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【0105】
芳香族炭化水素基。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
【0106】
複素環基。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0107】
また、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27およびAr28で示されるアリレン基としては、R22、R23、R24およびR25で示した上記のアリール基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル其。アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR118)。アルコキシ基(−OR118)としては、R118は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基。としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基。置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル其。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【0108】
Xは下記一般式(L)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Xは下記一般式(L)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0109】
【化25】
Figure 0004003914
【0110】
【化26】
Figure 0004003914
一般式(B)のジオール化合物は一般式(1)と同じものが挙げられる。
【0111】
その他、トリアリールアミン構造を分岐鎖に有するポリカーボネートとしては、特開平6−234838号公報、特開平6−234839号公報、特開平6−295077号公報、特開平7−325409号公報、特開平9−297419号公報、特開平9−80783号公報、特開平9−80784号公報、特開平9−80772号公報、特開平9−265201号公報等に記載の化合物が例示される。
【0112】
高分子電荷輸送物質のうち、電気的に不活性な構造を有する繰り返し単位は、トリアリールアミン構造のような光導電性を示さない化学構造をもつ単量体に由来するものをさす。この代表的なものとしては、上記一般式(B)で表わされる単量体に由来する繰り返し単位を挙げることができる。
【0113】
【発明の実施の形態】
以下、図面に沿って本発明で用いられる電子写真感光体を詳細に説明する。
図1は、本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体(21)上に感光層(24)が設けられている。
図2は、他の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体(21)上に電荷発生層(22)と電荷輸送層(23)との積層からなる感光層(24)が設けられている。
図3は、別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体(21)と感光層(24)の間に下引き層(25)が設けられている。
図4は、更に別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、感光層(24)上に保護層(26)が設けられている。
図5は、さらに別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持体(21)と感光層(24)の間に下引き層(25)が設けられ、感光層(24)の上に保護層(26)が設けられている。
【0114】
導電性支持体(21)としては、体積抵抗1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を、蒸着またはスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらをD.I.(Drawing Ironing法),I.I.(Impact Ironing法),Extruded Ironing法、Extruded Drawing法、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【0115】
本発明における感光層(24)は、電荷発生物質を電荷輸送層に分散させた単層型でも、電荷発生層と電荷輸送層を順次積層させた積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型感光体について述べる。
【0116】
積層型感光体における各層のうち、はじめに電荷発生層(22)について説明する。電荷発生層(22)は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコーン等が挙げられる。アモルファス・シリコーンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【0117】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独または2種以上の混合物として用いることができる。
【0118】
電荷発生層(22)に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独または2種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【0119】
電荷発生層(22)に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
電子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独または2種以上の混合物として用いることができる。
【0120】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリルアントラセン)、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独または2種以上の混合物として用いることができる。
【0121】
電荷発生層(22)を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系もしくは有機系電荷発生物質を、必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、好ましくは0.05〜2μmである。
【0122】
次に、電荷輸送層(23)について説明する。
電荷輸送層(23)は、少なくとも電荷輸送能を有し、引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上であり、且つ、この電荷輸送層の水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下である層であり、特に、先に挙げた主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質が用いられる。高分子電荷輸送物質ないし高分子電荷輸送物質を主成分とするバインダー樹脂(高分子化合物)等との混合物を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布乾燥することにより形成できる。
低分子電荷輸送物質も併用でき、用いることのできる材料は、上述の正孔輸送物質及び電子輸送物質が挙げられる。
【0123】
バインダー樹脂として用いることのできる高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、スチレン/アクリロニトリル共重合体、スチレン/ブタジエン共重合体、スチレン/無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0124】
これらの高分子化合物は高分子電荷輸送物質のように光導電性を示さない化合物であり、本発明ではこれらの高分子化合物を電気的に不活性な高分子化合物と称す。
【0125】
高分子電荷輸送物質は前述の化合物が使用される。また、必要により適当な酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質などの低分子化合物およびレベリング剤を添加することもできる。これらの化合物は単独または2種以上の混合物として用いることができる。低分子化合物の使用量は、高分子化合物100重量部に対して0.1〜200重量部、好ましくは0.1〜30重量部、レベリング剤の使用量は、高分子化合物100重量部に対して0.001〜5重量部程度が適当である。また、電荷輸送層(23)の膜厚は、5〜100μm程度が適当であり、解像力が要求される場合、10〜20μmが適当である。
必要により電荷輸送層中に2種類以上の高分子化合物を含有することができる。この場合、2種類以上の高分子電荷輸送物質を電荷輸送層に含有させることもできる。
2種類以上の高分子化合物を含有することにより、電荷輸送層の引張破断伸び、引張破断強度および水蒸気透過度を制御することが可能となる。
【0126】
次に、感光層(24)が単層構成の場合について述べる。
単層型の感光層(24)は、少なくとも、引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位 kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上であり、且つ、この感光層の水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下であり、しかも該感光層中に少なくとも主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質を含有する層であり、適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。
【0127】
単層型の感光層に用いる電荷発生物質ならびに電荷輸送物質は、前述の材料を用いることができる。
また、必要により酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層(23)で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層(22)で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、5〜100μm程度が適当であり、好ましくは、10〜20μm程度が適当である。
【0128】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体(21)と感光層(24)との間に下引き層(25)を設けることができ、下引き層(25)は、接着性を向上する、モアレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減する、導電性支持体からの電荷注入を防止するなどの目的で設けられる。下引き層(25)は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。
【0129】
このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層(25)は、前述の感光層のごとく適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【0130】
更に、本発明の下引き層(25)として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
【0131】
この他に、本発明の下引き層(25)にはAl23を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン(パリレン)等の有機物や、SiO、SnO2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は0〜5μmが適当である。
【0132】
本発明の電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層(26)が感光層(24)の上に設けられることもある。これに使用される材料としては、ABS樹脂、ACS樹脂、オレフィン/ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、AS樹脂、AB樹脂、BS樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
【0133】
保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的で、ポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂およびこれら樹脂に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を添加することができる。
保護層(26)の形成法としては、通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さは、0.5〜10μm程度が適当である。また、以上のほかに真空薄膜作製法にて形成したi−C、a−SiCなど公知の材料も保護層として用いることができる。
また、必要により、電荷輸送物質、酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤やレベリング剤を添加することもできる。
【0134】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質及びレベリング剤を添加することができる。これらの化合物の代表的な材料を以下に示す。
【0135】
本発明の電子写真感光体の各層に用いることができる酸化防止剤としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
(a)フェノール系化合物
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネ−ト]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアッシド]グリコールエステル、トコフェロール類など。
【0136】
(b)パラフェニレンジアミン類
N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
【0137】
(c)ハイドロキノン類
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
【0138】
(d)有機硫黄化合物類
ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−3,3’−チオジプロピオネートなど。
【0139】
(e)有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィンなど。
【0140】
本発明の電子写真感光体の各層に用いることができる可塑剤としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
(a)リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
【0141】
(b)フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
【0142】
(c)芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−n−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
【0143】
(d)脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−n−ヘキシル、アジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチルなど。
【0144】
(e)脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
【0145】
(f)オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
【0146】
(g)エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
【0147】
(h)二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−2−エチルブチラートなど。
【0148】
(i)含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
【0149】
(j)ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
【0150】
(k)スルホン酸誘導体
p−トルエンスルホンアミド、o−トルエンスルホンアミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシルアミドなど。
【0151】
(l)クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−n−オクチルデシルなど。
【0152】
(m)その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、2−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【0153】
本発明の電子写真感光体の各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
(a)炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
【0154】
(b)脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
【0155】
(c)脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
【0156】
(d)エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
【0157】
(e)アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
【0158】
(f)金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
【0159】
(g)天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
【0160】
(h)その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【0161】
本発明の電子写真感光体の各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
(a)ベンゾフェノン系
2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2'−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンなど。
【0162】
(b)サルシレート系
フェニルサルシレート、2,4−ジ−t−ブチルフェニル−3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエートなど。
【0163】
(c)ベンゾトリアゾール系
(2'−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ−5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ−5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ−3'−ターシャリブチル−5'−メチルフェニル)5−クロロベンゾトリアゾール
【0164】
(d)シアノアクリレート系
エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、メチル−2−カルボメトキシ−3(パラメトキシ)アクリレートなど。
【0165】
(e)クエンチャー(金属錯塩系)
ニッケル(2,2'−チオビス(4−t−オクチル)フェノレート)ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
【0166】
(f)HALS(ヒンダードアミン)
ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕エチル]−4−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ〔4,5〕ウンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンなど。
【0167】
本発明の電子写真感光体の各層に添加できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層(22)の説明に記載したものと同じものを用いることができる。
【0168】
本発明の電子写真感光体の各層に添加できるレベリング剤としては、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用されるが、これらに限定されるものではない。
【0169】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
先ず、本発明に係わる物性の測定方法について説明する。
<引張試験特性測定>
表面が平滑なAl板上に、後述する処方により作製した電荷輸送層の塗工液を塗布し、引張試験測定用の電荷輸送層を作製した。引張試験測定用の電荷輸送層の膜厚は感光体作製時の電荷輸送層の膜厚と同じ膜厚になるように作製した。この電荷輸送層をAl板より剥離し、ダンベル打ち抜き2号型(JISK−6301に記載)で打ち抜き、引張試験測定用サンプルとした。
上記引張試験用サンプルを精密型荷重測定器(Model 1310NWs、アイコーエンジニアリング社製)に取り付け引張速度5mm/分で引張試験を行ない、引張破断強度と引張破断伸びを求めた。
【0170】
<水蒸気透過度測定>
表面が平滑なAl板上に、後述する処方により作製した電荷輸送層の塗工液を塗布し、水蒸気透過度測定用の電荷輸送層を作製した。水蒸気透過度測定用の電荷輸送層の膜厚は、感光体作成時の電荷輸送層の膜厚と同じ膜厚になるように作成した。この電荷輸送層をAl板より剥離し、水蒸気透過度測定装置L80−4000(LYSSY社製)により水蒸気透過度を測定した。測定方法および測定条件を以下に示す。
【0171】
測定方法
「プラスチックフィルム及びシートの水蒸気透過度試験方法(機械測定法)JIS K7129」による感湿センサー法により行なった。
測定条件
測定温度:40±0.5℃
【0172】
<膜厚測定>
渦電流方式膜厚測定器FISCHER SCOPE mms(Fischer社製)により、感光体ドラム長手方向1cm間隔に膜厚を測定し、それらの平均値を感光層膜厚とした。
【0173】
〔実施例1・・・参考例
φ30mmのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を、順次、塗布乾燥することにより、3.5μmの下引き層、0.2μmの電荷発生層、19μmの電荷輸送層を形成して、電子写真感光体を得た。
【0174】
〔下引き層用塗工液〕
Figure 0004003914
【0175】
【化27】
Figure 0004003914
ポリビニルブチラール(UCC:XYHL) 0.25部シクロヘキサノン 200部メチルエチルケトン 80部〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質 10部
【0176】
【化28】
Figure 0004003914
テトラヒドロフラン 100部
【0177】
〔比較例1〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
ビスフェノールZポリカーボネート(帝人化成:パンライトTS2050)
10部
下記構造の低分子電荷輸送物質 7部
【0178】
【化29】
Figure 0004003914
テトラヒドロフラン 100部
【0179】
〔比較例2〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変更した以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
【0180】
【化30】
Figure 0004003914
【0181】
〔比較例3〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変更した以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
【0182】
【化31】
Figure 0004003914
【0183】
以上のように作製した実施例1(参考例)および比較例1〜3の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機(リコー製:イマジオMF2200)に搭載し、4万枚の通紙試験を行なった。環境条件は25℃/50%RHであった。また、電荷輸送層の膜厚は19.0±0.2μmであった。評価方法としては、試験開始時と試験終了時の画像評価、試験終了時の感光層の摩耗量測定および感光体表面の外観評価を行なった。また、前述の方法にて電荷輸送層の引張破断伸び(ε)と引張破断強さ(σ)、及び水蒸気透過度を測定した。結果を表1に示す。
【0184】
【表1】
Figure 0004003914
注)実施例1は参考例である。
【0185】
表1より明らかなように、電荷輸送層の引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2上の感光体は、耐摩耗性に優れた結果が得られていることがわかる。これら感光体の出力画像は、4万枚試験後においても、コントラストが明瞭でカブリが認められなかった。他方、ε・σが0.85kgf・mm−2以下、または、水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以上を示した感光体の場合、4万枚試験後の出力画像にはカブリが見られ、比較例1においては、スジ状の画像欠陥も認められた。
【0186】
〔実施例2〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
【0187】
【化32】
Figure 0004003914
【0188】
〔実施例3〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
【0189】
【化33】
Figure 0004003914
【0190】
以上のように作製した実施例2、3及び前記実施例1(参考例)の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機(リコー製:イマジオMF2200)に搭載し、5万枚の通紙試験を行なった。環境条件は25℃/50%RHであった。また、電荷輸送層の膜厚は19.0±0.2μmであった。評価方法としては、試験開始時と試験終了時の画像評価、試験終了時の感光層の摩耗量測定及び感光体表面の外観評価を行なった。また、前述の方法にて電荷輸送層の引張破断伸び(ε)と引張破断強さ(σ)、及び水蒸気透過度を測定した。結果を表2に示す。
【0191】
【表2】
Figure 0004003914
注)実施例1は参考例である。
【0192】
表2より明らかなように、εが10%以上、σが4.00kgf・mm−2以上を満たす実施例2は、5万枚試験後に、その外観を観察しても、キズや黒ずんだ様相が全く見られなかった。他方、この条件が満たされない実施例1(参考例)及び実施例3は、試験終了後の感光体表面上に、局所的に黒ずんだ部分やクラックが観察された。このような感光体を長期間使用するためには、プロセス面の制約を受けることになる。
【0193】
〔実施例4〕
実施例2における電荷輸送層の膜厚を15.0μmに変えた以外は、実施例2と全く同様に作製した。
〔実施例5〕
実施例2における電荷輸送層の膜厚を17.0μmに変えた以外は、実施例2と全く同様に作製した。
〔実施例6〕
実施例2における電荷輸送層の膜厚を23.0μmに変えた以外は、実施例2と全く同様に作製した。
〔実施例7〕
実施例2における電荷輸送層の膜厚を25.0μmに変えた以外は、実施例2と全く同様に作製した。
【0194】
以上のように作製した実施例4〜7、及び前記実施例2の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機(リコー製:イマジオMF2200)に搭載し、5万枚の通紙試験を行なった。環境条件は23℃/67%RHであった。評価方法としては、5万枚の通紙試験終了時に50μm幅と100μm幅の細線画像を出力し、このときの実施例2及び実施例4〜7の解像度と地汚れの評価を行なった。また、前述の方法にて電荷輸送層の水蒸気透過度を測定した。結果を表3に示す。
【0195】
【表3】
Figure 0004003914
【0196】
表3より明らかなように、実施例2及び実施例4〜7は、通紙試験終了後の画像評価に対し画像欠陥の生じない、安定した画像が得られている。特に、電荷輸送層の膜厚が20μm以下の感光体は極めて解像力に優れた画像が得られることがわかる。
【0197】
〔実施例8〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層塗工液を、以下に示す塗工液に変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質 10部
【0198】
【化34】
Figure 0004003914
酸化防止剤:n−オクタデシル−3−(4'−ヒドロキシ−3',5'−ジ−t −ブチルフェノール)プロピオネート
(住友化学工業製:Sumilizer BP76) 0.5部
テトラヒドロフラン 100部
【0199】
〔実施例9〕
実施例8における酸化防止剤を、可塑剤:セバシン酸ジオクチル(東京化成製)に変えた以外は、実施例8と全く同様に作製した。
〔実施例10〕
実施例8における酸化防止剤を、滑剤:ステアリン酸ブチル(東京化成製)に変えた以外は、実施例8と全く同様に作製した。
〔実施例11〕
実施例8における酸化防止剤を、紫外線吸収剤:ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート(三共製:サノールLS−765)に変えた以外は、実施例8と全く同様に作製した。
〔実施例12〕
実施例8における酸化防止剤を、下記構造の低分子電荷輸送物質に変えた以外は、実施例8と全く同様に作製した。
【0200】
【化35】
Figure 0004003914
【0201】
〔実施例13〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層用塗工液を以下に示す塗工液に変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質 8部
【0202】
【化36】
Figure 0004003914
下記構造の電気的に不活性な高分子化合物 2部
【0203】
【化37】
Figure 0004003914
テトラヒドロフラン 100部
【0204】
〔実施例14〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層用塗工液を以下に示す塗工液に変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記構造の高分子電荷輸送物質 4部
【0205】
【化38】
Figure 0004003914
下記構造の高分子電荷輸送物質 6部
【0206】
【化39】
Figure 0004003914
テトラヒドロフラン 100部
【0207】
以上のように作製した実施例8〜14および前記比較例2、3の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機(リコー製:イマジオMF2200)に搭載し、4万枚の通紙試験を行なった。環境条件は25℃/50%RHであった。また、電荷輸送層の膜厚は19.0±0.2μmであった。評価方法としては、試験開始時と試験終了時の画像評価、試験終了時の感光層の摩耗量測定および感光体表面の外観評価を行なった。また、前述の方法にて電荷輸送層の引張破断伸び(ε)と引張破断強さ(σ)、及び水蒸気透過度を測定した。結果を表4に示す。
【0208】
【表4】
Figure 0004003914
【0209】
表4より明らかなように、引張破断伸び時(ε;単位%)と、引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)の積ε・σが0.85kgf・mm-2以下、または水蒸気透過度が200g・m-2・24h-1以上の電荷輸送層も酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質などの低分子化合物、ガスバリアー性の高い高分子化合物、および靱性の大きい高分子化合物を併用することにより、ε・σが0.85kgf・mm-2以上にすることが可能であり、同様に、水蒸気透過度も200g・m-2・24h-1以下にすることが可能であることがわかる。これらの感光体はいずれも地汚れや異常画像の発生が見られない安定した高品質画像が得られる。
【0210】
〔実施例15〕
実施例1(参考例)における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は、実施例1(参考例)と全く同様に作製した。
【0211】
【化40】
Figure 0004003914
【0212】
以上のように作製した実施例15および前記実施例2、比較例2、3の電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機(リコー製:イマジオMF2200)に搭載し、5万枚の通紙試験を行った。環境条件は25℃/50%RHであった。また、電荷輸送層の膜厚は19.0±0.2μmであった。評価方法としては、試験開始時と試験終了時の画像評価、試験終了時の感光層の摩耗量測定および感光体表面の外観評価を行なった。また、前述の方法にて電荷輸送層の引張破断伸び(ε)と引張破断強さ(σ)、及び水蒸気透過度を測定した。結果を表5に示す。
【0213】
【表5】
Figure 0004003914
【0214】
表5より明らかなように、電荷輸送層の引張破断伸び(ε;単位%)と、引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)の積ε・σが0.85kgf・mm-2以上で、且つ、水蒸気透過度が200g・m-2・24h-1以下の感光体は、耐摩耗性に優れた結果が得られていることがわかる。これら感光体の出力画像は、5万枚試験後においても、コントラストが明瞭でカブリが認められなかった。他方、ε・σが0.85kgf・mm-2以下、または水蒸気透過度が200g・m-2・24h-1以上を示した感光体の場合、5万枚試験後の出力画像にはカブリが見られた。
【0215】
実施例2、15および比較例2、3で用いた高分子電荷輸送物質について、電気的に不活性な構造のみから構成される高分子膜を電荷輸送層と同じ膜厚(19μm)になるように作成し、その引張破断伸び(ε;単位%)と、引張破断強さ(σ;単位kgf・mm-2)及び水蒸気透過度を測定したところ、以下表6に示すような結果が得られた。
【0216】
【表6】
Figure 0004003914
【0217】
表6のε・σ値と表5のε・σ値は、ほぼ比例関係にあり、0.85kgf・mm-2以上の感光層ないし電荷輸送層を得るためには、導入率により多少の前後が見られるものの、電気的に不活性な繰り返し単位として、1.20kgf・mm-2以上のものが好ましく選択される。
また、水蒸気透過度についても同様のことが言え、135g・m-2・24h-1以下の水蒸気透過度を示す電気的に不活性な繰り返し単位が好ましく選択される。
【0218】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的な説明より明らかなように、本発明の電子写真感光体は、耐擦性に優れ、且つ安定した静電特性を有するため、スジ状の異常画像や地汚れの発生がなく、大量印刷を行なっても、常に高品質画像が得られる実用的価値に極めて優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例を示す断面図である。
【図3】本発明の電子写真感光体の層構成の更に他の一例を示す断面図である。
【図4】本発明の電子写真感光体の層構成の更に他の一例を示す断面図である。
【図5】本発明の電子写真感光体の層構成の更に他の一例を示す断面図である。
【図6】従来型のCTL膜と高分子電荷輸送物質を用いたCTL膜の引張強度−ひずみ曲線を示す図である。
【符号の説明】
21 導電性支持体
22 電荷発生層
23 電荷輸送層
24 感光層
25 下引き層
26 保護層

Claims (8)

  1. 導電性支持体上に感光層を設けた有機系電子写真感光体であり、該感光層の引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上であ、且つ、水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下であり、しかも該感光層中に少なくとも主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質を含有する感光層を有することを特徴とする有機系電子写真感光体。
  2. 導電性支持体上の感光層として少なくとも電荷発生層と電荷輸送層を順次積層した有機系電子写真感光体であり、電荷輸送層の引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが0.85kgf・mm−2以上であり、且つ、水蒸気透過度が200g・m−2・24h−1以下であり、しかも該電荷輸送層中に少なくとも主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有し、該アリール基の1つが置換基としてメトキシ基を有する1種以上の高分子電荷輸送物質を含有する感光層を有することを特徴とする請求項1に記載の有機系電子写真感光体。
  3. 感光層または電荷輸送層の引張破断伸び(ε)が10%以上であり、且つ、引張破断強さ(σ)が4.00kgf・mm−2以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機系電子写真感光体。
  4. 電荷輸送層膜厚が20μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の有機系電子写真感光体。
  5. 感光層または電荷輸送層中に、さらに電気的に不活性な高分子化合物が含有されていることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載の有機系電子写真感光体。
  6. 前記高分子電荷輸送物質が、主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を有する繰り返し単位と電気的に不活性な構造を有する繰り返し単位とからなる共重合体であることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれかに記載の有機系電子写真感光体。
  7. 前記高分子電荷輸送物質のうち、電気的に不活性な構造を有する繰り返し単位として、この繰り返し単位のみから構成される高分子膜を感光体の電荷輸送層と同じ膜厚になるように作製したとき、その引張破断伸び(ε;単位%)と引張破断強さ(σ;単位kgf・mm−2)の積ε・σが1.20kgf・mm−2以上を示す繰り返し単位を含む高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項に記載の有機系電子写真感光体。
  8. 前記高分子電荷輸送物質のうち、電気的に不活性な構造を有する繰り返し単位として、この繰り返し単位のみから構成される高分子膜を感光体の電荷輸送層と同じ膜厚になるように作製したとき、その水蒸気透過度が135g・m−2・24h−1以下を示す繰り返し単位を含む高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項に記載の有機系電子写真感光体。
JP2000146922A 2000-05-18 2000-05-18 電子写真感光体 Expired - Fee Related JP4003914B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000146922A JP4003914B2 (ja) 2000-05-18 2000-05-18 電子写真感光体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000146922A JP4003914B2 (ja) 2000-05-18 2000-05-18 電子写真感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001330973A JP2001330973A (ja) 2001-11-30
JP4003914B2 true JP4003914B2 (ja) 2007-11-07

Family

ID=18653188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000146922A Expired - Fee Related JP4003914B2 (ja) 2000-05-18 2000-05-18 電子写真感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4003914B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8293439B2 (en) 2009-03-13 2012-10-23 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photorecptor, method of manufacturing electrophotographic photorecptor, image forming apparatus, and process cartridge
US8512924B2 (en) 2010-02-17 2013-08-20 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the photoreceptor
US8795935B2 (en) 2009-03-17 2014-08-05 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor, production method of the same, image forming apparatus, and process cartridge

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5464400B2 (ja) 2008-02-20 2014-04-09 株式会社リコー 画像形成装置ないし画像形成用プロセスカートリッジ
JP5578396B2 (ja) * 2009-03-18 2014-08-27 株式会社リコー 電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ、及び電子写真装置
JP5534395B2 (ja) 2009-06-16 2014-06-25 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置および画像形成用プロセスカートリッジ
JP6094864B2 (ja) 2013-01-09 2017-03-15 株式会社リコー 画像形成装置及び画像形成方法
US10416594B2 (en) 2016-10-21 2019-09-17 Ricoh Company, Ltd. Image forming method, image forming apparatus, and process cartridge

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8293439B2 (en) 2009-03-13 2012-10-23 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photorecptor, method of manufacturing electrophotographic photorecptor, image forming apparatus, and process cartridge
US8795935B2 (en) 2009-03-17 2014-08-05 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor, production method of the same, image forming apparatus, and process cartridge
US8512924B2 (en) 2010-02-17 2013-08-20 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the photoreceptor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001330973A (ja) 2001-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6151468A (en) Electrophotographic photoconductor
US5871876A (en) Electrophotographic photoconductor
US7060404B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor
US7270924B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the electrophotographic photoreceptor
JPH11288113A (ja) 電子写真感光体
JP4003914B2 (ja) 電子写真感光体
JP3852812B2 (ja) 電子写真感光体
JP3812871B2 (ja) 電子写真感光体
JP3781639B2 (ja) 電子写真感光体とその製造方法及び画像形成装置
JP3936774B2 (ja) 電子写真感光体
JP2004286887A (ja) 電子写真感光体、及びそれを用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ、画像形成方法
JP3770534B2 (ja) 電子写真感光体とその製造方法及びその電子写真感光体を用いた画像形成装置
JP4145755B2 (ja) 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置並びに電子写真装置用プロセスカートリッジ
JP4145513B2 (ja) フルカラー電子写真装置
JP3990499B2 (ja) 電子写真用感光体
JP2000298365A (ja) 電子写真感光体及び画像形成方法
JP3709068B2 (ja) 電子写真用感光体
JPH09319114A (ja) 電子写真感光体
JP3558147B2 (ja) 電子写真プロセス
JP3643918B2 (ja) 電子写真プロセス
JP3736696B2 (ja) 電子写真プロセス
JP3736697B2 (ja) 電子写真プロセス
JPH11344820A (ja) 電子写真感光体
JP2000292950A (ja) 電子写真感光体
JP2004212821A (ja) 画像形成装置及びプロセスカートリッジ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060306

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060427

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070816

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070817

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees