JP3994989B2 - 半導体装置、回路基板、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置、回路基板、電気光学装置および電子機器に関するものである。
各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などでは、ＩＣチップなどの半導体装置が基板上に実装されている。例えば、液晶表示装置においては、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが、液晶パネルを構成するガラス基板（相手側基板）に実装されている（いわゆるＣＯＧ構造）。このように、硬いシリコン基板を用いたＩＣチップを、硬いガラス基板の上に実装する場合には、ＩＣチップおよびガラス基板の反りを吸収することが困難である。そこで、ＩＣチップにはバンプ（突起）電極が形成され、このバンプ電極を押し潰しつつガラス基板に実装することにより、両者が導電接続されている。
近時では、液晶表示装置の高精細化に伴ってＩＣチップの端子数が増加する一方で、ＩＣチップの小型化が強く要求されている。そのため、ＩＣチップに形成されるバンプ電極の狭ピッチ化が必要になっている。なお、従来のバンプ電極はレジスト開口部に電解Ａｕメッキ等を施すことによって形成されているので、バンプ電極を狭ピッチ化するにはレジスト開口部のアスペクト比を大きくする必要がある。そのため、従来のバンプ電極では狭ピッチ化への対応が困難であった。
そこで、図９に示すような樹脂バンプ電極１０が開発されている。樹脂バンプ電極１０は、樹脂突起１２の表面に導電膜２０を形成し、その導電膜２０をＩＣチップ２１の電極パッド２４に接続したものである（例えば、特許文献１参照）。この樹脂バンプ電極１０が相手側基板に当接すると、樹脂突起１２が弾性変形するので、ＩＣチップ２１および相手側基板の反りを吸収することができる。また、アスペクト比を大きくする必要がないので、バンプ電極の狭ピッチ化に対応することができる。
ところで、ＩＣチップ２１を構成するトランジスタ等の電子素子（不図示）の動作チェックや、その電子素子までの導通チェックは、相手側基板との導電接続部であるバンプ電極の頂部に、検査用プローブを接触させることによって行われる。
特開平２−２７２７３７号公報
しかしながら、バンプ電極の頂部に検査用プローブを接触させると、バンプ電極の頂部が削り取られるという問題がある。
従来のバンプ電極は、電解Ａｕメッキ等により相当の厚さに形成されている。そのため、検査用プローブとの接触によりバンプ電極の頂部が削り取られても、バンプ電極と相手側基板との導電接続が不可能になることはなかった。ところが、樹脂バンプ電極１０では、樹脂突起１２の表面の導電膜２０が非常に薄く形成されている。そのため、検査用プローブとの接触により樹脂バンプ電極１０の導電膜２０が削り取られると、樹脂バンプ電極１０と相手側基板との導電接続が不可能になるおそれがある。
なお、電極パッド２４と樹脂バンプ電極１０との間に検査部を設定し、その検査部における導電膜２０に検査用プローブを接触させて各種検査を行うことも考えられる。しかしながら、この場合には、電極パッド２４から樹脂バンプ電極１０までの全体の導通状態を検査することはできない。それどころか、検査用プローブとの接触により検査部における導電膜２０が削り取られると、電極パッド２４と樹脂バンプ電極１０との間の導通が遮断されるおそれがある。
ところで、半導体装置の能動面には酸化ケイ素や窒化ケイ素等の脆性材料からなる絶縁膜２６が形成され、その絶縁膜２６の表面に導電膜２０が形成されている。そのため、検査部における導電膜２０に検査用プローブが接触すると、その衝撃によって脆性材料からなる絶縁膜２６が破壊されるおそれがある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、検査時の破壊を防止することが可能であり、また相手側基板との導電接続を確実に行うことが可能な、半導体装置の提供を目的とする。
また、導電接続の信頼性に優れた回路基板、電気光学装置および電子機器の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、能動面に形成された電極パッドおよび樹脂突起と、前記電極パッドの表面から前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを備え、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される半導体装置であって、前記導電膜が、前記電極パッドから、前記樹脂突起の表面における前記相手側基板との導電接続部のみを通り、前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、前記樹脂突起を挟んで前記電極パッドと反対側の前記導電膜に、検査用電極が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、樹脂突起とその表面の導電膜とにより相手側基板との導電接続部となる樹脂バンプ電極が形成され、その樹脂バンプ電極を挟んで電極パッドの反対側に検査用電極が形成されているので、この検査用電極に検査用プローブを接触させることにより、樹脂バンプ電極から電極パッドまでの間の導通チェックを簡単に行うことができる。また、検査用プローブとの接触により検査用電極を構成する導電膜の一部が削り取られても、半導体装置の導通性能に影響を与えることがないので、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
また、本発明の他の半導体装置は、能動面に形成された電極パッドおよび樹脂突起と、前記電極パッドの表面から前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを備え、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される半導体装置であって、前記能動面には、樹脂層が形成され、前記導電膜が、前記電極パッドから、前記樹脂突起の表面における前記相手側基板との導電接続部のみを通り、前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、前記樹脂突起を挟んで前記電極パッドと反対側の前記樹脂層の表面に配設された前記導電膜に、検査用電極が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、上記と同様に、樹脂バンプ電極と電極パッドとの間の導通チェックを簡単に行うことが可能であり、相手側基板との導電接続を確実に行うことが可能である。これに加えて、弾性を有する樹脂層の表面に検査用電極が形成されているので、検査用電極と検査用プローブとの接触による衝撃から、半導体装置の能動面を保護することができる。
また、前記樹脂突起は、前記樹脂層の表面に形成されていることが望ましい。
この構成によれば、樹脂層によって半導体装置の能動面が平坦化されるので、樹脂突起の高さ寸法を精度よく形成することが可能になる。この樹脂突起を用いて樹脂バンプ電極を構成することにより、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
また、前記樹脂突起と前記樹脂層とは、同じ樹脂材料により構成されていることが望ましい。
この構成によれば、樹脂突起と樹脂層とが密着するので、樹脂バンプ電極の信頼性を向上させることが可能になり、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
また、前記樹脂突起および前記樹脂層のうち少なくとも一方は、感光性樹脂により構成されていることが望ましい。
この構成によれば、樹脂突起および樹脂層のうちいずれか一方、または双方を精度よく形成することができるので、電極パッドを確実に開口させることができる。
また、前記導電膜はスパッタ法により形成され、エッチング法によりパターニングされてなることが望ましい。
この構成によれば、導電膜を簡単に形成することが可能であり、製造コストを低減することができる。
また、前記導電膜の表面に、前記導電膜の補強部材が導電材料により形成されていることが望ましい。
この構成によれば、補強部材により導電膜を保護することが可能であり、また導電膜の電気抵抗を低減することが可能になる。したがって、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
一方、本発明の回路基板は、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置が実装されてなることを特徴とする。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた回路基板を提供することができる。
また、本発明の電気光学装置は、上述した半導体装置または上述した回路基板を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた電気光学装置を提供することができる。
さらに、本発明の電子機器は、上述した回路基板または上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態につき、図１ないし図３を用いて説明する。
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の説明図である。第１実施形態の半導体装置１２１は、能動面１２１ａに形成された電極パッド２４および樹脂突起１２と、電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて配設された導電膜２０とを備え、その樹脂突起１２および導電膜２０により樹脂バンプ電極１０が構成されている。そして、その樹脂バンプ電極１０を挟んで電極パッド２４の反対側に導電膜２０が延設されて、検査用電極３０が形成されている。
（半導体装置）
図２は、第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。半導体装置１２１は、例えば液晶表示装置の画素を駆動するＩＣチップであり、その能動面下には薄膜トランジスタ等の複数の電子素子や各電子素子間を接続する配線などが形成されている（いずれも不図示）。図２に示す第１実施形態の半導体装置１２１では、その能動面１２１ａの長辺に沿って複数の電極パッド２４が整列配置されている。この電極パッド２４は、上述した電子素子等から引き出されたものである。また、能動面１２１ａにおける電極パッド列２４ａの内側には、その電極パッド列２４ａに沿って直線状に連続する樹脂突起１２が形成されている。さらに、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて、複数の導電膜２０が形成されている。そして、樹脂突起１２の表面に配設された各導電膜２０により、複数の樹脂バンプ電極１０が構成されている。
図１（ａ）は樹脂バンプ電極１０の周辺の平面拡大図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。図１（ｂ）に示すように、半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、Ａｌ等の導電性材料からなる複数の電極パッド２４が配列形成されている。なお、半導体装置１２１の能動面全体にＳｉＮ等の電気絶縁性材料からなるパッシベーション膜２６が形成され、上述した各電極パッド２４の表面にパッシベーション膜２６の開口部が形成されている。
図１（ａ）に示すように、そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、直線状に連続する突条とされ、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。この樹脂突起１２は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料からなっている。なお樹脂突起１２は、感光性樹脂によって形成することが望ましい。この場合、感光性樹脂をパッシベーション膜２６の表面にコーティングし、フォトリソグラフィを行うことにより樹脂突起１２が形成される。これにより、半導体装置１２１の能動面における電極パッド列２４ａの内側に、精度よく樹脂突起１２を配設することが可能になる。なお、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィを行うことにより、図１（ｂ）に示すように、樹脂突起１２の断面を台形状や半円状等の弾性変形が容易な先細り形状とすることが望ましい。
さらに、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて、複数の導電膜２０が形成されている。この導電膜２０は、ＡｕやＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ等、または鉛フリーはんだ等の導電性材料からなっている。なお導電膜２０は、ＴｉＷ／Ａｕ等の２層構造としてもよい。導電膜２０の形成は、まず蒸着やスパッタリング等により半導体装置１２１の能動面全体に導電膜を形成し、これに適宜のパターニング処理を行うことによって形成する。
なお、導電膜２０の表面に、補強部材として、金属メッキ等を形成することが望ましい。具体的には、半導体装置１２１の能動面全体に導電膜を形成した後に、その表面全体にフォトレジストを塗布し、そのレジストに導電膜パターンの開口部を形成する。そして、そのレジスト開口部に、電解メッキ法などによりＡｕメッキ等の金属メッキを堆積させる。次にレジストを剥離し、堆積した金属メッキをマスクとして導電膜をエッチングする。なお、スパッタにより形成した導電膜の厚さは例えば０．３μｍ程度であるのに対し、電解メッキ法により形成した金属メッキの厚さは例えば数μｍ程度であるため、金属メッキを残存させつつ導電膜をエッチングすることができる。このように、導電膜２０の表面にメッキを施して導電膜２０の膜厚を増加させれば、検査用プローブとの接触による導電膜２０の破壊を防止することが可能になり、また導電膜２０の電気抵抗を低減することができる。
そして、樹脂突起１２の表面に形成された複数の導電膜２０により、複数の樹脂バンプ電極１０が構成されている。なお、突条の樹脂突起１２は半球状の樹脂突起と比べて高さ寸法を精度よく形成することができるので、突条の樹脂突起１２を用いて樹脂バンプ電極１０を構成することにより、相手側基板との導電接続の信頼性を向上させることができる。また、樹脂突起１２の断面は先細り形状とされているため、相手側基板との当接時に樹脂バンプ電極１０を容易に弾性変形させることが可能になり、相手側基板との導電接続の信頼性を向上させることができる。
なお、直線状に連続する樹脂突起１２に複数の導電膜２０を形成した後に、導電膜２０の非形成領域における樹脂突起１２を除去することにより、各樹脂バンプ電極１０を分離してもよい。具体的には、Ｏ２ガスを処理ガスとするプラズマエッチングを行うことにより、導電膜２０が存在しない部分の樹脂突起１２を除去する。金属材料からなる導電膜２０は樹脂材料に比べてドライエッチングされにくいため、導電膜２０の非形成領域における樹脂突起１２のみを選択的に除去することができる。
ところで、図７に示すように、実装された半導体装置１２１と相手側基板１１１との間は、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂１２２によって封止される。その際、あらかじめ突条の樹脂突起の一部を除去しておけば、封止樹脂１２２の流れを確保することができる。これにより、半導体装置１２１を相手側基板１１１に対して確実に実装することができる。
図１に戻り、導電膜２０が電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側に延設され、検査用電極３０が形成されている。すなわち、樹脂突起１２の外側における各電極パッド２４の表面から、樹脂突起１２の表面を経由して、樹脂突起１２の内側におけるパッシベーション膜２６の表面にかけて、各導電膜２０が形成されている。そして、樹脂突起１２の内側に形成された各導電膜２０により、複数の検査用電極３０が構成されている。検査用電極３０は、後述する検査用プローブを個別に接触させて使用する。そのため、隣接する複数の検査用電極３０に対して１個の検査用プローブが同時に接触しないように、各検査用電極３０を配置する必要がある。
図３は、検査用電極の再配置の説明図である。図３では、樹脂突起１２の内側に配置された検査用電極３０が、さらにその内側に再配置されて、検査用再配置電極３１が形成されている。なお、検査用電極３０は樹脂突起１２に沿って１列に配置されているが、検査用再配置電極３１は複数列に配置されている。これにより、隣接する検査用再配置電極３１相互の間隔を大きくすることが可能になり、検査用プローブの間隔を大きくすることができるので、検査用プローブの製造コストを低減することができる。なお、検査用再配置電極３１は検査用電極３０と導電接続されている。
（半導体装置の検査方法）
次に、上述した半導体装置の検査方法についき、図１を用いて説明する。半導体装置１２１の検査として、半導体装置１２１を構成するトランジスタ等の電子素子（不図示）の動作チェックや、相手側基板との接続部から電子素子までの導通チェックを行う必要がある。なお、半導体装置１２１の電極パッド２４は、上述した電子素子等から引き出されたものである。本実施形態では、上述した複数の検査用電極３０（または検査用再配置電極）に対して、検査用プローブを接触させることにより、上述した動作チェックおよび導通チェックを行う。
本実施形態の半導体装置は、導電膜２０が電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側まで延設されて、検査用電極３０が形成されている構成とした。この検査用電極３０に検査用プローブを接触させることにより、電子素子の動作チェックを行うことができる。また、相手側基板との接続部である樹脂バンプ電極１０から電子素子までの導通チェックを行うことができる。特に、樹脂バンプ電極１０から電極パッド２４までの間に断線が発生していた場合でも、樹脂突起１２を挟んで電極パッド２４の反対側に検査用電極３０を配置して導通チェックを行うので、その断線を検出することができる。
なお従来では、相手側基板との接続部である樹脂バンプ電極の頂部に検査用プローブを接触させて各種検査を行っている。ところが、樹脂バンプ電極１０では、樹脂突起１２の表面の導電膜２０が非常に薄く形成されているため、検査用プローブとの接触により樹脂バンプ電極１０の導電膜２０が削り取られる場合がある。これにより、樹脂バンプ電極１０と相手側基板との導電接続が不可能になるおそれがある。
しかしながら、上述した本実施形態の半導体装置では、検査用プローブとの接触により検査用電極を構成する導電膜の一部が削り取られても、半導体装置の導通性能に影響を与えることがないので、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置つき、図４を用いて説明する。
図４は、第２実施形態に係る半導体装置の説明図であり、図４（ａ）は樹脂バンプ電極１０の周辺の平面拡大図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における側面断面図である。図４に示すように、第２実施形態の半導体装置１２１は、能動面１２１ａにおける電極パッド列２４ａの内側に樹脂層３２が形成され、樹脂層３２の表面に樹脂突起１２が形成され、電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側まで導電膜２０が延設され、その導電膜２０が樹脂層３２の表面に配設されて検査用電極３０が形成されているものである。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
半導体装置１２１の能動面１２１ａにはパッシベーション膜２６が形成され、そのパッシベーション膜２６の表面における電極パッド列２４ａの内側に樹脂層３２が形成されている。この樹脂層３２は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料からなっている。なお樹脂層３２は、感光性樹脂によって形成することが望ましい。この場合、半導体装置１２１における電極パッド列２４ａの内側に精度よく樹脂層３２を配設することができる。
その樹脂層３２の表面に、第１実施形態と同様の樹脂突起１２が形成されている。半導体装置の能動面に樹脂層３２を形成することによって能動面が平坦化されるので、その樹脂層３２の表面に樹脂突起１２を形成することにより、樹脂突起１２の高さ寸法の精度を確保することが可能になる。この樹脂突起１２を用いて樹脂バンプ電極１０を構成することにより、相手側基板との電気的接続の信頼性を向上させることができる。なお、樹脂層３２と同じ樹脂材料により樹脂突起１２を形成することが望ましい。この場合、樹脂突起１２と樹脂層３２とが密着するので、樹脂バンプ電極１０の信頼性を向上させることが可能になり、相手側基板との導電接続を確実に行うことができる。
そして、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて複数の導電膜２０が形成され、樹脂バンプ電極１０が構成されている。さらに、樹脂突起１２を挟んで電極パッド２４の反対側に導電膜２０が延設されて、検査用電極３０が形成されている。すなわち、検査用電極３０は樹脂層３２の表面に形成されている。
ところで、パッシベーション膜２６は酸化ケイ素や窒化ケイ素等の脆性材料からなっている。その表面に直接形成された導電膜によって検査用電極を構成すると、検査用電極に対する検査用プローブの接触が衝撃となってパッシベーション膜２６が破壊されるおそれがある。
これに対して、本実施形態の半導体装置では、パッシベーション膜２６の表面に樹脂層３２を介して導電膜２０が形成されている。この樹脂層は弾性材料であるため、検査用電極に対するプローブの接触の緩衝材として機能する。したがって、パッシベーション膜２６の破壊を防止することが可能になり、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置つき、図５を用いて説明する。
図５は、第３実施形態に係る半導体装置の説明図であり、図５（ａ）は樹脂バンプ電極１０の周辺の平面拡大図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線における側面断面図である。図５に示すように、第３実施形態の半導体装置１２１は、能動面１２１ａにおける電極パッド列２４ａの内側に樹脂突起１２が形成され、能動面１２１ａにおける樹脂突起１２の内側に樹脂層３２が形成され、電極パッド２４から樹脂突起１２を挟んで反対側まで導電膜２０が延設され、その導電膜２０が樹脂層３２の表面に配設されて検査用電極３０が形成されているものである。なお、第１実施形態および第２実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
半導体装置１２１の能動面１２１ａにはパッシベーション膜２６が形成され、そのパッシベーション膜２６の表面における電極パッド列２４ａの内側に樹脂突起１２が形成されている。また、パッシベーション膜２６の表面における樹脂突起１２の内側には、樹脂突起１２より高さの低い樹脂層３２が形成されている。この樹脂層３２は、樹脂突起１２に沿って帯状に形成されているが、樹脂突起１２の内側から能動面の中央部まで連続形成されていてもよい。いずれの場合でも、電極パッド２４から相当距離を隔てて樹脂層３２が形成されるので、電極パッド２４の表面を開口させるため樹脂層３２を精度よく形成する必要はない。したがって、印刷法等の簡易な方法で樹脂層３２を形成することが可能になり、製造コストを低減することができる。
そして、各電極パッド２４の表面から樹脂突起１２の表面にかけて複数の導電膜２０が形成され、樹脂バンプ電極１０が構成されている。さらに、樹脂突起１２を挟んで電極パッド２４の反対側に導電膜２０が延設され、樹脂層３２の表面に導電膜２０が配設されて、検査用電極３０が形成されている。
第３実施形態でも、第２実施形態と同様に、パッシベーション膜２６の表面に樹脂層３２を介して検査用電極が形成され、この樹脂層３２が検査用電極に対するプローブ接触の緩衝材として機能する。したがって、パッシベーション膜２６の破壊を防止することが可能になり、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
［電気光学装置］
次に、上記各実施形態の半導体装置を備えた電気光学装置について説明する。
図６は、電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。図示の液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、液晶駆動用ＩＣチップである半導体装置１２１とを有する。また、必要に応じて、図示しない偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が適宜に設けられる。
液晶パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１及び１１２を備えている。基板１１１と基板１１２は対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には電気光学物質である液晶（不図示）が封入されている。基板１１１の内面上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電体で構成された電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には上記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。なお、電極１１１ａおよび電極１１２ａは直交するように配置されている。そして、電極１１１ａおよび電極１１２ａは基板張出部１１１Ｔに引き出され、その端部にはそれぞれ電極端子１１１ｂｘおよび電極端子１１１ｃｘが形成されている。また、基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成され、その内端部にも端子１１１ｄｘが形成されている。
基板張出部１１１Ｔ上には、未硬化状態（Ａステージ状態）若しくは半硬化状態（Ｂステージ状態）の熱硬化性樹脂で構成される封止樹脂１２２を介して、半導体装置１２１が実装される。この半導体装置１２１は、例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。半導体装置１２１の下面には図示しない多数の樹脂バンプ電極が形成されており、これらのバンプは基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続される。
また、入力配線１１１ｄの外端部に形成された入力端子１１１ｄｙには、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装される。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた図示しない配線にそれぞれ導電接続される。そして、外部からフレキシブル配線基板１２３を介して制御信号、映像信号、電源電位などが入力端子１１１ｄｙに供給され、半導体装置１２１において液晶駆動用の駆動信号が生成されて、液晶パネル１１０に供給されるようになっている。
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１００によれば、半導体装置１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される画素部分の液晶を再配向させて光を変調することができ、これによって液晶パネル１１０内の画素が配列された表示領域に所望の画像を形成することができる。
図７は図６のＨ−Ｈ線における側面断面図であり、上記液晶表示装置１００における半導体装置１２１の実装構造の説明図である。図７に示すように、半導体装置１２１の能動面（図示下面）には、ＩＣ側端子として複数の樹脂バンプ電極１０が設けられ、その先端は上記基板１１１の端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘに直接導電接触している。樹脂バンプ電極１０と端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘとの間の導電接触部分の周囲には熱硬化性樹脂などで構成される硬化された封止樹脂１２２が充填されている。
［電子機器］
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
第１実施形態に係る半導体装置の説明図である。 第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。 検査用電極の再配置の説明図である。 第２実施形態に係る半導体装置の説明図である。 第３実施形態に係る半導体装置の説明図である。 電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。 液晶表示装置における半導体装置の実装構造の説明図である。 電子機器の一例を示す斜視図である。 樹脂バンプ電極の説明図である。
符号の説明
１０‥樹脂バンプ電極 １２‥樹脂突起 ２０‥導電膜 ２４‥電極パッド ３０‥検査用電極 １２１‥半導体装置 １２１ａ‥能動面

Claims (10)

  1. 能動面に形成された電極パッドおよび樹脂突起と、前記電極パッドの表面から前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを備え、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される半導体装置であって、
    前記導電膜は、前記電極パッドから、前記樹脂突起の表面における前記相手側基板との導電接続部のみを通り、前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、
    前記樹脂突起を挟んで前記電極パッドと反対側の前記導電膜に、検査用電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 能動面に形成された電極パッドおよび樹脂突起と、前記電極パッドの表面から前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを備え、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される半導体装置であって、
    前記能動面には、樹脂層が形成され、
    前記導電膜が、前記電極パッドから、前記樹脂突起の表面における前記相手側基板との導電接続部のみを通り、前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、
    前記樹脂突起を挟んで前記電極パッドと反対側の前記樹脂層の表面に配設された前記導電膜に、検査用電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 前記樹脂突起は、前記樹脂層の表面に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記樹脂突起と前記樹脂層とは、同じ樹脂材料により構成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
  5. 前記樹脂突起および前記樹脂層のうち少なくとも一方は、感光性樹脂により構成されていることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記導電膜はスパッタ法により形成され、エッチング法によりパターニングされてなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 前記導電膜の表面に、前記導電膜の補強部材が導電材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  8. 請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置が実装されてなることを特徴とする回路基板。
  9. 請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置、または請求項８に記載の回路基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
  10. 請求項８に記載の回路基板、または請求項９に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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