JP3975411B2 - オキシムスルホン酸エステルおよび潜伏性スルホン酸としてのそれらの使用 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オキシムスルホン酸エステルを含む光重合され得る組成物、および長波長で活性化され得る潜伏性スルホン酸光開始剤としての前記化合物の使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＰ−Ａ−１３９６０９は感光性オキシムスルホネートおよび慣用の酸−硬化性樹脂に基づく表面塗料組成物を開示する。
【０００３】
ＥＰ−Ａ−５７１３３０は３４０−３９０ｎｍの波長用の、特に、水銀ｉ線（３６５ｎｍ）の放射線領域でのポジおよびネガ型フォトレジストの潜伏性酸供与体としてのα−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニドおよびα−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−３−チエニルメチルシアニドの使用を開示する。
【０００４】
当該技術においては、特に長い波長光による照射の場合に、酸により触媒される反応、例えば縮重合反応、酸−触媒解重合反応、酸触媒求電子置換反応または保護基の酸により触媒される除去、の変化のための触媒として使用できる、熱的および化学的に安定でありそして後に光により活性化される反応性非イオン潜酸供与体についての要求がまだ存在している。光で照射した際に酸に転換されて、レジスト形成の溶解抑制剤として使用でき得る化合物についても要求がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
驚くべきことに、この様な反応のための触媒として、特定のオキシムスルホネートがとりわけ適当であることが今や見出された。
【０００６】
従って、本発明はａ）酸の作用下で架橋し得る化合物の少なくとも１種および／またはｂ）酸の作用下でその溶解度が変化する少なくとも１種の化合物ならびにｃ）光開始剤として、下式（Ｉ）
【化１０】

〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
Ｒ₁は、１またはそれ以上の基ＯＲ₄および／またはＳＲ₄によって置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ、但し、この場合フェニル環はメトキシ基により置換される場合、他の置換基の少なくとも１つが環に存在しなければならない；あるいは
Ｒ₁はナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し、前記ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により置換されており
；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ナフチル、アントラシルまたはフェナントリル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいは
Ｒ₁ はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
Ｒ₂はＲ₁の意味の１つを有するか、あるいは未置換のもしくはＣＮ−置換されたフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基；未置換のもしくは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄および／またはＮＲ₅Ｒ₆で置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）_n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）_n−炭素原子数６ないし１２のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
Ｒ₁およびＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ ₄ 又はＳＲ ₄ により置換されかつＯ、Ｓ、ＮＲ ₅ によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し；
ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇の１またはそれ以上によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって置換されており；あるいは
ｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
【化１１】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
【化１２】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
Ｒ₄は水素原子、未置換であるかもしくはフェニル基、ＯＨ、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数２ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか、あるいはＲ₄はフェニル基を表し；
Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびに
Ｒ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される化合物の少なくとも１種からなる光活性化され得る組成物に関する。
【０００７】
炭素原子数１ないし１８のアルキル基は直鎖もしくは分枝鎖であり、例えば炭素原子数１ないし１２の、炭素原子数１ないし８の、炭素原子数１ないし６のまたは炭素原子数１ないし４のアルキル基である。具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基およびオクタデシル基である。例えば、Ｒ₃ は炭素原子数１ないし８のアルキル基、特に炭素原子数１ないし６のアルキル基、好ましくは、炭素原子数１ないし４のアルキル基、例えばメチル基、イソプロピル基またはブチル基である。
【０００８】
炭素原子数１ないし１６のアルキル基および炭素原子数１ないし１２のアルキル基は、同様に直鎖もしくは分枝鎖であり、および例えば、上記に定義された炭素原子の適当な数までのものである。重要なものには、例えば炭素原子数１ないし８の、特に炭素原子数１ないし６の、好ましくは炭素原子数１ないし４のアルキル基、例えばメチル基またはブチル基である。
−Ｏ−によりもしくは−Ｓ−により１もしくは数回中断されている炭素原子数２ないし１２のアルキル基は、例えば−Ｏ−により、例えば１ないし５回、例えば１ないし３回、または１回ないし２回中断されているものである。それらにより例えば：−Ｓ（ＣＨ₂ ）₂ ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ ＯＣＨ₃ 、−Ｏ（ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ）₂ ＣＨ₂ ＣＨ₃ 、−ＣＨ₂ −Ｏ−ＣＨ₃ 、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −Ｏ−ＣＨ₂ ＣＨ₃ 、−［ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ］_y −ＣＨ₃ （ｙ＝１ないし５）、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ）₅ ＣＨ₂ ＣＨ₃ 、−ＣＨ₂ ＣＨ（ＣＨ₃ ）−Ｏ−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ ＣＨ₃ または−ＣＨ₂ −ＣＨ（ＣＨ₃ ）−Ｏ−ＣＨ₂ −ＣＨ₃ のような構造単位を生じる。
【０００９】
炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基は、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、特にシクロペンチル基およびシクロヘキシル基、好ましくはシクロヘキシル基である。
【００１０】
炭素原子数２ないし１２のアルキレン基は、直鎖もしくは分枝鎖であり、例えば炭素原子数２ないし８の、炭素原子数２ないし６のもしくは炭素原子数２ないし４のアルキレン基である。具体例しては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基およびドデシレン基である。例えば、Ｒ₃ は炭素原子数１ないし８のアルキレン基、特に炭素原子数１ないし６のアルキレン基、好ましくは炭素原子数１ないし４のアルキレン基、例えばメチレン基またはブチレン基である。
【００１１】
置換されたフェニル基はフェニル環に１ないし５個の、例えば１、２もしくは３個の、特には１または２個の置換基をもつ。置換基はフェニル環の４−、３，４−、３，５−もしくは３，４，５−位に好ましく存在する。
【００１２】
ナフチル、フェナントリル、ヘテロアリールおよびアントラシル基が１もしくはそれ以上の基で置換されている場合、それは例えば１ないし５置換の、例えば１、２もしくは３置換の、特に１もしくは２置換されているものである。
【００１３】
Ｒ₁ が、ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ によりおよび／またはＮＲ₅ Ｒ₆ により置換されたフェニル基であって、前記置換基ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ によりおよび／またはＮＲ₅ Ｒ₆ が、基Ｒ₄ 、Ｒ₅ もしくはＲ₆ を介して他の置換基とまたはフェニル環の炭素原子の一つとともに５ないし６−員環を形成する場合、例えば、以下の構造単位
【化１３】

が得られる。
【００１４】
本願明細書では、用語「ヘテロアリール」は、未置換のおよび置換された基を示し、例えば２−チエニル基、
【化１４】

（基中、Ｒ₅ およびＲ₆ は上記で定義した意味を表す。）、チアントレニル基、イソベンゾフラニル基、キサンテニル基、フェノキサンチニル基、
【化１５】

（式中、ＸはＳ、ＯもしくはＮＲ₅ を表し、Ｒ₅ は上記で定義した基である。）を示す。これらの具体例は、ピラゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イソチアゾリル基もしくはイソキサゾリル基である。また、例えばフリル基、ピロリル基、１，２，４−トリアゾリル基、
【化１６】

または縮合した芳香族化合物を有する５−員環ヘテロ環、例えばベンズイミダゾリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾアゾリル基およびベンゾチアゾリル基も含まれる。
【００１５】
ヘテロアリール基の他の例は、ピリジル基、特に３−ピリジル基、
【化１７】

（式中、Ｒ₄ は上記に定義した意味を表す。）、ピリミジニル基、ピラジニル基、１，３，５−トリアジニル基、２，４−、２，２−もしくは２，３−ジアジニル基、インドリジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、イソキノリル基、キノリル基、フェノキサジニル基またはフェナジニル基である。本明細書では、「ヘテロアリール基」はまた、チオキサンチル基、キサンチル基、
【化１８】

（基中、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₆ およびｍは上記で定義した意味を表す。）、
【化１９】

またはアントラキノニル基に示される。ヘテロアリール基のそれぞれは、上記にまたは請求項１に示される基を保持している。
カンホリル基は
【化２０】

である。
【００１６】
Ｒ₁ およびＲ₂ が、適当ならばＣＯ基と一緒になって、５−もしくは６−員環を形成する場合、それは、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、ピランまたはピペリジン環である。例えばまた、ベンゾ環、ナフト環、アントラセノ環、フェナントレノ環またはヘテロアリール基である環に縮合されていてもよく、例えば
【化２１】

（式中、ＸはＳ、ＯもしくはＮＲ₅ を表し、およびＲ₅ は上記に定義した意味を表す。）のような構造を形成し、該構造では、芳香族環は上記または請求項１で定義した他の置換基をもっていてもよい。それらは例えば、テトラヒドロナフタレン、ジヒドロアントラセン、インダン、クロマン、フルオレン、キサンテンもしくはチオキサンテン環系である。カルボニル基を含む環の場合は、例えばベンゾキノン、ナフトキノンもしくはアントラキノン基が形成される。
【００１７】
炭素原子数１ないし６のアルカノイル基は、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基またはヘキサノイル基、特にアセチル基である。
【００１８】
炭素原子数１ないし４のアルコキシ基は例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基およびブトキシ基であり、２個より多いの炭素原子を有するアルコキシ基中の前記アルキル基はまた枝分かれしていてよい。
【００１９】
炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基は（炭素原子数１ないし５のアルキル）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−（基中、炭素原子数１ないし５のアルキル基は適当な炭素原子数までの上記で定義した意味を表す。）である。具体例はメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基もしくはペンチルオキシカルボニル基であり、２個以上の炭素原子を有するアルコキシ基中の前記アルキル基はまた枝分かれしていてよい。
【００２０】
炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基および炭素原子数１ないし４のハロアルキル基は、ハロゲン原子により一もしくは多置換された炭素原子数１ないし１０の、および炭素原子数１ないし４のアルキル基であり、炭素原子数１ないし１０の、および炭素原子数１ないし４のアルキル基は上記に定義されたものである。アルキル基において、例えば１ないし３、または１ないし２個のハロゲン置換基が存在する。具体例はクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基または２−ブロモプロピル基、特にトリフルオロメチル基またはトリクロロメチル基である。
【００２１】
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であり、特に塩素原子またはフッ素原子、好ましくはフッ素原子である。
【００２２】
未置換であるか、または炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されていてもよい基Ｓ（Ｏ）_n −炭素原子数６ないし１０のアリール基中、該アリール基はフェニル基、トシル基、ドデシルスルホニル基または１もしくは２−ナフチル基である。
【００２３】
フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基は、例えば、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、α−メチルベンジル基もしくはα，α−ジメチルベンジル基であり、特にはベンジル基である。
【００２４】
オキシジフェニレン基は
【化２２】

である。
【００２５】
Ｒ₅ およびＲ₆ がそれらが結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−により、もしくは−ＮＲ₄ −により中断されていてもよい５−、６−もしくは７−員環を形成する場合、例えば、以下の構造
【化２３】

が得られる。
【００２６】
好ましいものは式Ｉで表される化合物中、
Ｒ₁ が炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ によりおよび／またはＮＲ₅ Ｒ₆ によって置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ およびＮＲ₅ Ｒ₆ は基Ｒ₄ 、Ｒ₅ および／またはＲ₆ を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができるもので表される。
【００２７】
さらに興味深い組成物は式Ｉで表される化合物中、
Ｒ₁ が未置換であるかまたは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ によりおよび／またはＮＲ₅ Ｒ₆ により一または多置換されたヘテロアリール基を表し、前記置換基ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ およびＮＲ₅ Ｒ₆ は、基Ｒ₄ 、Ｒ₅ および／またはＲ₆ を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができるものである。
【００２８】
式Ｉで表される化合物中、
Ｒ₂ が炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）_n −炭素原子数１ないし６のアルキル基または未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル置換されたＳ（Ｏ）_n −炭素原子数６ないし１０のアリール基である、組成物は特別言及されるものである。
【００２９】
好ましいものは式Ｉで表される化合物中、
Ｒ₄ が未置換であるかまたはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基および／または炭素原子数２ないし６のアルカノイル基によって置換されおよびさらに−Ｏ−により中断されていてもよい炭素原子数１ないし６のアルキル基である組成物に特に示されるものである。
【００３０】
興味深い組成物は式Ｉで表される化合物中、ｍが０を表しおよびｘが１を表す組成物である。
【００３１】
好ましいものはまた、式Ｉで表される化合物中、
Ｒ₃ が炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、または未置換であるかまたはハロゲン原子、ＮＯ₂ 、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、ＯＲ₄ 、ＣＯＯＲ₇ によっておよび／または−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基によって置換されたフェニル基を表す、組成物に示されるものである。
【００３２】
同様に好ましいものは 式Ｉで表される化合物中、
ｍが０を表しおよびｘは１を表し；
Ｒ₁ が３，４−ジメトキシフェニル基、３，４−ジ（メチルチオ）フェニル基、３−メトキシ−４−メチルチオフェニル基または４−メチルチオフェニル基を表し；
Ｒ₂ がＣＮまたは４−シアノフェニル基を表し；および
Ｒ₃ がフェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、メチル基、イソプロピル基、ｎ−オクチル基、２，４，６−（トリイソプロピル）−フェニル４−ニトロフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基または４−ドデシルフェニル基を表すか、あるいは
Ｒ₁ およびＲ₂ は一緒になって、芳香族環がメトキシ基またはヒドロキシエチルチオ基により置換されたフルオレン系を形成する、組成物に示される。
【００３３】
本発明は酸の作用下で架橋し得る化合物のための光開始剤としておよび／または酸の作用下でその溶解度が変化する化合物のための溶解抑制剤としての請求項１に記載の式Ｉで表される化合物の使用にもまた関する。
【００３４】
光架橋され得る組成物では、オキシムスルホン酸エステルは、潜伏性硬化触媒、即ち、光に照射されたときそれは架橋反応を触媒する酸を放出する、として作用する。加えて、放射線により脱離された酸は、例えば、適当な酸に感受性のある保護基（acid-sensitive protecting groups) のポリマー構造からの除去、またはポリマー主鎖における酸に感受性のある基を含むポリマーの開裂を触媒する。他の用途は、例えば、酸に感受性のある保護基により保護された顔料のｐＨのまたはその溶解性の変化に基づく色変え系（color-change systems) である。
【００３５】
最後に、水性アルカリ現像液に僅かに可溶なオキシムスルホン酸エステルは遊離酸への光誘発性の転換によって現像液に可溶になることができ、その結果、それらは適当な塗膜形成樹脂と組み合わせる溶解抑制剤として使用できる。
【００３６】
酸触媒により架橋され得る樹脂は、例えば、多官能価アルコールまたはヒドロキシ基含有アクリルおよびポリエステル樹脂の混合物、または、多官能価アセタール誘導体により部分的に加水分解されたポリビニルアセタールまたはポリビニルアルコールである。ある条件下では、例えばアセタール−官能化樹脂（acetal-functionalised resins) の酸により触媒される自己縮合もまた可能である。
【００３７】
さらに、オキシムスルホネートは例えば、シロキサン基含有樹脂用の光活性化され得る（light-activatable)硬化剤として使用できる。これらの樹脂は、例えば、酸で触媒される加水分解によって自己縮合され得るか、または多官能価アルコール、ヒドロキシ基含有アクリルもしくはポリエステル樹脂、部分的に加水分解されたポリビニルアセタールまたはポリビニルアルコールのような、樹脂の第二の成分により架橋され得る。このタイプのポリシロキサンの縮重合は、例えばＪ．Ｊ．レブルン，Ｈ．ポーデ（J.J.Lebrun,H.Pode)，Comprehensive Polymer Science,Volume 5,593頁,Pergamon Press, Oxford, 1989 に記載されている。
【００３８】
長い波長光で照射される場合にもまたこれらの反応において酸が放出されることが望ましい。驚いたことに、あるオキシムスルホン酸エステルが３９０ｎｍより上の長い波長で照射される場合でも酸を放出することができることが見出された。
【００３９】
従って、本発明はまた、３９０ｎｍより上の波長における放射線用の感光性酸供与体としての下式（Ｉａ）
【化１３】

〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
Ｒ₁’はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄により一または多置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ₁’はナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により置換されており、前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ナフチル、アントラシルまたはフェナントリル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ₁’はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
Ｒ₂はＲ₁’の意味の１つを有するか、あるいは未置換のフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基；未置換であるかもしくは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄によりおよび／またはＮＲ₅Ｒ₆により置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）_n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）_n−炭素原子数６ないし１２のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
Ｒ₁’またはＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ ₄ 又はＳＲ ₄ により置換されかつＯ、Ｓ、ＮＲ ₅ によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し
；
ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって一または多置換されており；あるいはｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
【化１４】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
【化１５】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
Ｒ₄は水素原子または、未置換であるかまたはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびにＲ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される化合物の使用にも関する。
【００４０】
式中、Ｒ₁ ’が炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ によっておよび／またはＮＲ₅ Ｒ₆ によって置換されたフェニル基を表し、前記置換基ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ およびＮＲ₅ Ｒ₆ は基Ｒ₄ 、Ｒ₅ および／またはＲ₆ を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができる、式Ｉａで表される化合物に対する使用が興味深い。
【００４１】
式中、Ｒ₁ ’が未置換であるかまたは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ および／またはＮＲ₅ Ｒ₆ により置換されたヘテロアリール基を表し、前記置換基ＯＲ₄ 、ＳＲ₄ およびＮＲ₅ Ｒ₆ は、基Ｒ₄ またはＲ₅ を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができるものである、式Ｉａで表される化合物に対する使用がさらにまた興味深い。
【００４２】
本発明はまた、式（Ｉｂ）
【化１６】

〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
Ｒ₁’’はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄によって一または多置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ₁’’はナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により一または多置換されており；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ナフチル、アントラシルまたはフェナントリル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ₁’’はＯＲ₄ および／またはＳＲ₄ により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄ およびＳＲ₄ は、基Ｒ₄ を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
Ｒ₂はＲ₁’’の意味の１つを有するか、あるいは未置換のフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基；未置換であるかまたは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄および／またはＮＲ₅Ｒ₆で置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）_n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）_n−炭素原子数６ないし１０のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
Ｒ₁’’またはＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ ₄ 又はＳＲ ₄ により置換されかつＯ、Ｓ、ＮＲ ₅ によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し；
ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって一または多置換されており；但し、Ｒ₃がフェニル基、３−クロロフェニル基もしくは４−メチルフェニル基である場合、メトキシ置換フェニル環としてのＲ₁は環上に他の置換基の少なくとも１つを含まなければならず、前記他の置換基はしかし、メトキシ基またはメチル基ではなく；かつ、但し置換基ＯＲ₄の２つは１，３−ジオキソラン環を形成しない；あるいはｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
【化１７】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
【化１８】

、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
Ｒ₄は水素原子または、未置換のもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；
Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびにＲ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される新規なオキシムスルホン酸エステルにも関する。
【００４３】
特に興味深い化合物は、
α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニドまたはα−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−チオメチルベンジルシアニド、α−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（４−メトキシフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（２，４，６−トリス（イソプロピル）−フェニル−スルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（４−クロロフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（３−トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、α−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン、９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン、９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレン、９−（４−（ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレン、α−（２，４，６−トリス（メチル）フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（４−ニトロフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド、α−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、α−（４−クロロフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、α−（３−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、α−（４−ニトロフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジチオメチルベンジルシアニド、α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジチオメチルベンジルシアニド、α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３−メトキシ−４−メチルチオ−ベンジルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−３−メトキシ−４−メチルチオ−ベンジルシアニド、９−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシ−フルオレン、９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）−フルオレン、３−（パラ−シアノ−１−［４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ］−ベンジル）−５，７−ジブトキシクマリンである。
【００４４】
本発明は式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物の異性体型の混合物にもまた関する。
【００４５】
（式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される）オキシムスルホン酸エステルは文献に記載された方法、例えば適当な（下記、式IIで表される）遊離オキシムと（下記、式III で表される）スルホン酸ハライドとを塩基、例えばトリエチルアミンの存在下で反応させることによって、またはオキシムの塩とスルホン酸クロリドとの反応によって製造することができる。これらの方法は例えば、ＥＰ−Ａ−４８６１５に記載される。
【化３０】

上記反応は、第三アリールアミンの存在下、不活性有機溶媒中で都合よく行われる。
【００４６】
オキシムのナトリウム塩は、たとえばＤＭＦ中で当該オキシムをナトリウムアルコラートと反応させることにより得ることができる。
複素環式芳香族５−員環置換基をもつオキシムスルホン酸誘導体は、適当な１，３−双極化合物例えばニトリルオキシドに対して、適当なスルホン酸誘導体、例えばオキシミノマロジニトリルのエステルまたはオキシミノシアノ酢酸エステルの１，３−双極付加環化によって製造できる。このタイプの合成は例えば、Ｊ．ペロシュ，Ｒ．カレ（J.Perrocheau, R.Carre)，Bull. Soc. Chim. Belge 1994,103,9 に記載される。
【００４７】
オキシムスルホン酸エステルはシン（シス）型およびアンチ（トランス）型の両方、または２つの配座異性体の混合物として存在できる。本発明においては、個々の配座異性体および２つの配座異性体のいずれかの混合物の両方が使用できる。
【００４８】
反応に必要とされる式IIで表されるオキシムは公知の方法と同様に、例えば、ベンゾルシアニド誘導体もしくはフェニル酢酸誘導体のような反応性メチレン基をもつ化合物と、例えば亜硝酸メチルもしくは亜硝酸イソアミルのような亜硝酸アルキルおよびナトリウムメタノラートのようなナトリウムアルコラートと反応させることによって製造できる。このような反応は、例えば”The systematic identification of organic compounds", John Wiley and Sons,New York,1980,p.181、"Die Makromolekulare Chemie"(Macromolecular Chemistry),1967,108,170 または"Organic Synthesis", 1979,59,95 に記載されている。オキシムはまた、相当するカルボニル化合物またはチオニルカルボニル化合物とヒドロキシルアミンとの反応によって得ることもできる。他の可能性はヒドロキシ−芳香族化合物のニトロソ化である。
【００４９】
（式III で表される）スルホン酸ハライドの製造は、当業者にとってよく知られているものであり、そして例えば、慣用の化学教本に記載されている。
【００５０】
オキシムスルホン酸エステルは、酸硬化性樹脂のための光活性化され得る硬化剤として使用できる。適当な酸硬化性樹脂は、例えばアミノプラストもしくはフェノール系レゾール樹脂のような、その硬化が酸触媒によって促進され得る全てての樹脂である。これらの樹脂は、特にメラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂およびアルキド樹脂であるが、特にアクリル樹脂、ポリエステル樹脂もしくはアルキド樹脂と、メラミン樹脂との混合物である。変性された表面塗料用樹脂、例えばアクリル−変性ポリエステル樹脂およびアルキド樹脂である。表記アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂に含まれる樹脂の個々のタイプの例は、ワグナー(Wagber),Sarx/Lackkunstharze(Munich 1971),86ないし123 頁および229 ないし238 頁、またはUllmann/Encyclopadie der thechn. Chemie, 4th Edition,Volume 15(1978),613ないし628 頁、またはUllmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Verlag Chemie,1991,Vol.18,360 頁以降、Vol.A19,371 頁以降に記載されている。
【００５１】
表面塗料は好ましくはアミノ樹脂からなる。これらの例は、エーテル化されたまたはエーテル化されないメラミン樹脂、尿素樹脂、グアニジン樹脂、ビウレット樹脂である。酸触媒はエーテル化したアミノ樹脂、例えばメチル化したもしくはブチル化したメラミン樹脂（Ｎ−メトキシメチル−もしくはＮ−ブトキシメチル−メラミン）またはメチル化した／ブチル化したグリコールウリルを含む表面塗料の硬化において特に重要である。他の樹脂組成物の例は多官能価アルコールまたはヒドロキシ基含有アクリルもしくはポリエステル樹脂、あるいは３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−カルボン酸の誘導体のような多官能価ジヒドロプロパニル誘導体により、部分的に加水分解されたポリビニルアセテートもしくはポリビニルアルコールである。既に上述したように、例えばポリシロキサンはまた酸触媒を使用して架橋することもできる。表面塗料の製造に適当な他のカチオン重合性材料は、カチオン性の機構により重合され得るエチレン性不飽和化合物であり、例えば、メチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテルのようなビニルエーテル；３，４−ジヒドロ−２−ホルミル−２Ｈ−ピラン（二量体性アクロレイン）または２−ヒドロキシメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−カルボン酸エステルのような環状ビニルエーテル；酢酸ビニルおよびステアリン酸ビニルのようなビニルエステル；α−メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカルバゾールのようなモノ−およびジ−オレフィンである。
【００５２】
ある目的のために、重合性不飽和基を含むモノマーのまたはオリゴマーの成分が使用される。この様な表面塗料はまた式Ｉ、ＩａもしくはＩｂで表される化合物を使用して硬化され得る。この方法では、ａ）放射線重合開始剤またはｂ）光開始剤またはｂ）光開始剤をさらに使用できる。前者は加熱処理の間に、そして後者は紫外線照射の間に不飽和基の重合を開始する。
【００５３】
追加の光開始剤の例は例えば、ベンゾフェノン類、アセトフェノン誘導体の類からのものの放射線光開始剤、例えばα−ヒドロキシシクロアルキルフェニルケトン、ジアルコキシアセトフェノン、α−ヒドロキシ−もしくはα−アミノアセトフェノン、４−アロイル−１，３−ジオキソラン、ベンゾインアルキルエーテルおよびベンジルケタール、モノアシルホスフィンオキシド、ビスアシルホスフィンオキシドまたはチタノセンである。特に適当な追加の光開始剤は：１−（４−ドデシルベンゾイル）−１−ヒドロキシ−１−メチルエタン、１−（４−イソプロピルベンゾイル）−１−ヒドロキシ−１−メチルエタン、１−ベンゾイル−１−ヒドロキシ−１−メチルエタン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−ベンゾイル］−１−ヒドロキシ−１−メチルエタン、１−［４−（アクリロイルオキシエトキシ）−ベンゾイル］−１−ヒドロキシ−１−メチルエタン、ジフェニルケトン、フェニル−１−ヒドロキシ−シクロヘキシルケトン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチルアミノプロパン、１−（３，４−ジメトキシフェニル）−２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−ブタン−１−オン、（４−メチルチロベンゾイル）−１−メチル−１−モルホリノ−エタン、ベンジルジメチルケタール、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−ピリル−フェニル）チタン、トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシ−ベンゾイル）−（２，４，４−トリメチル−ペンチル）−ホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−２，４−ジペンチルオキシフェニル−ホスフィンオキシドまたはビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニル−ホスフィンオキシドである。他の適当な追加の光開始剤は米国特許４９５０５８１号、２０欄、３５行ないし２１欄、３５行に見出される。他の例はトリハロメチルトリアジン誘導体またはヘキサアリールベイスイミダゾリル化合物である。
【００５４】
追加の光開始剤の他の例は、例えば、カチオン系光開始剤、例えばパーオキサイド化合物例えば、ベンゾイルパーオキサイド（他の適当なパーオキサイドは米国特許４９５０５８１号、第１９欄、第１７−２５行に記載されている）、芳香族スルホニウムもしくはヨードニウム塩、例えば米国特許４９５０５８１号、第１８欄、第６０行ないし第１９欄第１０行に記載されている、またはシクロペンタジエニル−アレーン−鉄（II）錯塩、例えば、（η⁶ −イソプロピルベンゼン）−（η⁵ −シクロペンタジエニル）−鉄（II）ヘキサフルオロホスフェートである。
【００５５】
表面塗料は表面塗料の有機溶媒もしくは水の溶液または分散液であってもよいが、それらは溶媒なしのものであってもよい。特に重要なものは低い溶媒含量、所謂「ハイソリッド表面塗料」をもつ表面塗料、および粉体塗料組成物である。表面塗料は、例えば多層塗装のための仕上げラッカーとして自動車工業で使用されるクリアラッカーであってもよい。これらは無機もしくは有機顔料であってよい顔料、およびメタル効果仕上げ（Metal effect finishes)用の金属粉末をも含んでいてよい。
【００５６】
表面塗料はまた、表面塗料技術に慣用の特定の添加剤例えば流れ改良剤、チキソトロピー剤、光安定剤、酸化防止剤または増感剤の比較的少量を含むこともできる。
【００５７】
ヒドロキシフェニル−ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンソフェノン、シュウ酸アミドもしくはヒドロキシフェニル−ｓ−トリアジン型のような紫外線吸収剤は光安定剤として添加できる。個々の化合物またはそれらの化合物の混合物は立体障害性アミンの添加によりもしくは添加なしに使用できる。
【００５８】
このような紫外線吸収剤および光安定剤の例は次のものである：
１． ２− ( ２′−ヒドロキシフェニル ) ベンゾトリアゾール、例えば、
２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’，５’−ジ−第三ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（５’−第三ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（２’−ヒドロキシ−５’−（１，１，３，３−テトラメチルブチル) フェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’，５’−ジ−第三ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３’−第二ブチル−５’−第三ブチル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（２’−ヒドロキシ−４’−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’，５’−ジ−第三アミル−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’，５’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール；
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−（２’−オクチルオキシカルボニルエチル）フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−５’−［２−（２−エチルヘキシルオキシ）カルボニルエチル］−２’−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−（２−メトキシカルボニルエチル）フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−（２−メトキシカルボニルエチル）フェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−（２−オクトキシカルボニルエチル）フェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３’−第三ブチル−５’−［２−（２−エチルヘキシルオキシ）カルボニルエチル］−２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（３−ドデシル−２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、および
２−（３’−第三ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−（２−イソオクチルオキシカルボニルエチル）フェニルベンゾトリアゾールの混合物、
２，２’−メチレン−ビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−ベンゾトリアゾール−２−イルフェノール］；２−［３’−第三ブチル−５’−（２−メトキシカルボニルエチル）−２’−ヒドロキシフェニル］ベンゾトリアゾールとポリエチレングリコール３００とのエステル交換生成物；［Ｒ−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）₃ −］₂ −（式中，Ｒ＝３’−第三ブチル−４’−ヒドロキシ−５’−２Ｈ−べンゾトリアゾール−２−イル−フェニルである。）。
【００５９】
２． ２−ヒドロキシ−ベンゾフェノン、例えば
４−ヒドロキシ−、４−メトキシ−、４−オクトキシ−、４−デシルオキシ−、４−ドデシルオキシ−、４−ベンジルオキシ−、４，２′，４′−トリヒドロキシ−または２′−ヒドロキシ−４，４′−ジメトキシ誘導体。
【００６０】
３． 置換されたおよび非置換安息香酸のエステル、例えば
４−第三ブチルフェニル＝サリチレート、
フェニル＝サリチレート、
オクチルフェニル＝サリチレート、
ジベンゾイルレゾルシノール、
ビス（４−第三ブチルベンゾイル）レゾルシノール、
ベンゾイルレゾルシノール、
２，４−ジ−第三ブチルフェニル＝３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル＝３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、オクタデシル＝３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、２−メチル−４，６−ジ第三ブチルフェニル＝３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート。
【００６１】
４． アクリレート、例えば
エチルα−シアノ−β, β−ジフェニル−アクリレート、
イソオクチルα−シアノ−β, β−ジフェニル−アクリレート、
メチルα−カルボメトキシ−シンナメート、メチルα−シアノ−β−メチル−ｐ−メトキシ−シンナメート、
ブチルα−シアノ−β−メチル−ｐ−メトキシ−シンナメート、
メチルα−カルボメトキシ−ｐ−メトキシシンナメート、および
Ｎ−（β−カルボメトキシ−β−シアノビニル) −２−メチルインドリン。
【００６２】
５． 立体障害性アミン、例えば
ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）セバケート、
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジル）サクシネート、
ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）セバケート、
ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）ｎ−ブチル−３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンジルマロネート、
１−ヒドロキシエチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロキシピペリジンとコハク酸との縮合生成物、
Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）ヘキサメチレンジアミンと４−第三オクチルアミノ−２，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンとの縮合生成物、
トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ニトリロトリアセテート、
テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、
１，１′−（１，２−エタンジイル）−ビス（３，３，５，５−テトラメチルピペラジノン），
４−ベンゾイル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、
４−ステアリルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、
ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）−２−ｎ−ブチル−２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチル−ベンジル）マロネート、３−ｎ−オクチル−７，７，９，９−テトラメチル−１，３，８−トリアザスピロ［４．５］デカン−２，４−ジオン、ビス（１−オクチルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）セバケート、ビス（１−オクチルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）サクシネート、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−ヘキサメチレンジアミンと４−モルホリノ−２，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンとの縮合生成物、２−クロロ−４，６−ジ（４−ｎ−ブチルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）−１，３，５−トリアジンと１，２−ビス（３−アミノプロピルアミノ）エタンの縮合生成物、２−クロロ−４，６−ジ（４−ｎ−ブチルアミノ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）−１，３，５−トリアジンと１，２−ビス（３−アミノプロピルアミノ）エタンとの縮合生成物、８−アセチル−３−ドデシル−７，７，９，９−テトラメチル−１，３，８−トリアザスピロ［４．５］デカン−２，４−ジオン、３−ドデシル−１−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ピロリジン−２，５−ジオン、３−ドデシル−１−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）−ピロリジン−２，５−ジオン。
【００６３】
６． シュウ酸ジアミド、例えば
４，４′−ジ−オクチルオキシオキサニリド、
２，２′−ジ−オクチルオキシオキサニリド、
２，２′−ジ−オクチルオキシ−５，５′−ジ−第三ブチルオキサニリド、
２，２′−ジ−ドデシルオキシ−５，５′−ジ−第三ブチルオキサニリド、
２−エトキシ−２′−エチルオキサニリド、
Ｎ，Ｎ′−ビス（３−ジメチルアミノプロピル）オキサミド、
２−エトキシ−５−第三ブチル−２′−エチルオキサニリドおよび該化合物と２−エトキシ−２′−エチル−５，４′−ジ−第三ブチル−オキサニリドとの混合物，
ｏ−およびｐ−メトキシ−二置換オキサニリドの混合物およびｏ−およびｐ−エトキシ−二置換オキサニリドの混合物。
【００６４】
７． ２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、例えば
２，４，６−トリス（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル) −１，３，５−トリアジン、
２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−プロピルオキシフェニル）−６−（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル) −４，６−ビス（４−メチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシフェニル) −４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−［２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−ブチルオキシ−プロポキシ）フェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−［２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−オクチルオキシ−プロピルオキシ）フェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
２−［４−（ドデシル／トリデシル−オキシ−（２−ヒドロキシプロピル）オキシ−２−ヒドロキシ−フェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、
【００６５】
８． ホスフィットおよびホスホナイト、例えばトリフェニルホスフィット、ジフェニルアルキルホスフィット、フェニルジアルキルホスフィット、トリス（ノニルフェニル）ホスフィット、トリラウリルホスフィット、
トリオクタデシルホスフィット、
ジステアリルペンタエリトリトールジホスフィット、
トリス（２，４−ジ−第三ブチルフェニル）ホスフィット、
ジイソデシルペンタエリトリトールジホスフィット、
ビス（２，４−ジ−第三ブチルフェニル）−ペンタエリトリトールジホスフィット、
ビス（２，６−ジ−第三ブチル−４−メチルフェニル）−ペンタエリトリトールジホスフィット、
ビス−イソデシルオキシ−ペンタエリトリトールジホスフィット、
ビス（２，４−ジ−第三ブチル−６−メチルフェニル）−ペンタエリトリトールジホスフィット
ビス（２，４，６−トリ−第三ブチル−ブチルフェニル）−ペンタエリトリトールジホスフィット、
トリステアリルソルビトールトリホスフィット、
テトラキス（２，４−ジ−第三ブチルフェニル）４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、
６−イソオクチルオキシ−２，４，８，１０−テトラ−第三ブチル−１２Ｈ−ジベンズ［ｄ，ｇ］−１，３，２−ジオキサホスホシン、
６−フルオロ−２，４，８，１０−テトラ−第三ブチル−１２−メチル−ジベンズ［ｄ，ｇ］−１，３，２−ジオキサホスホシン、
ビス（２，４−ジ−第三ブチル−６−メチルフェニル）メチルホスフィット、
ビス（２，４−ジ−第三ブチル−６−メチルフェニル）エチルホスフィット。
【００６６】
このような光安定剤はまた、例えば隣接表面塗り層に添加して、保護される焼付ラッカーの層にそこから徐々に拡散させることも可能である。この隣接表面塗料層は焼付ラッカーの下のプライマーまたは焼付ラッカーの上の仕上げラッカーとすることができる。
【００６７】
照射期間を減少させおよび／または他の光源を使用できるように、例えば、スペクトル感度をシフトまたは増加させる光増感剤を樹脂に添加することもできる。光増感剤の例は芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド（例えば、米国特許第４０１７６５２号に記載されている）、３−アリールクマリン（例えば、米国特許第４３６６２２８号に記載されている）、３−（アロイルメチレン）−チアゾリン、チオキサン、ペリレンのような縮合芳香族化合物、芳香族アミン（例えば、米国特許第４０６９９５４号に記載されている）またはカチオン性または塩基性着色剤（米国特許第４０２６７０５号に記載されている）、例えばエオシン、ローダミンおよびエリスロシン着色剤である。
【００６８】
他の慣用の添加剤は意図する用途によるが、蛍光増白剤、充填剤、顔料、着色量、湿潤剤もしくは流れ改良剤である。
【００６９】
厚いおよび着色した塗膜の硬化のためには、ＵＳ−Ａ−５０１３７６８号に記載されているように微小ガラスビーズまたは粉末化したガラス繊維の添加が適当である。
追加の光開始剤または添加剤の他の例は前に示されたものである。
【００７０】
オキシムスルホン酸エステルがまた例えばハイブリッド系においても使用できる。これらの系は２つの異なる反応機構により完全硬化される配合物をベースとするものである。これらの例は酸により触媒される架橋反応または重合反応を受けることができるがまた第二の機構により架橋する他の成分をも含む系である。第二の機構の例は、ラジカル完全硬化、酸化的架橋または湿潤−開始架橋（humidity-initiated crosslinking)である。第二の硬化機構は必要ならば適当な触媒と共に、純粋に熱的に開始され得るか、または第二の光開始剤を使用して光によって開始され得る。
【００７１】
本発明によって、光活性化され得る組成物は成分ｃ）に加えて別の光開始剤、増感剤および／または添加剤を含むことができ、あるいは式Ｉ、式Ｉａまたは式Ｉｂで表される化合物は別の光開始剤、増感剤および／または添加剤とともに使用できる。
【００７２】
組成物がラジカル的に架橋され得る成分を含む場合、特に着色された（例えば二酸化チタン）組成物の硬化の方法は、例えばＥＰ−Ａ−２４５６３９に記載されるように、熱的条件下でラジカルを形成する成分、アゾ化合物、例えば２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、トリアゼン、ジアゾスルフィド、ペンタザジエンあるいはパーオキシ化合物、例えばヒドロパーオキシドもしくは第三ブチルヒドロパーオキシドのようなパーオキシカーボネート、の添加により補助することもまた可能である。コバルト塩のようなレドックス開始剤の添加は大気中からの酸素による酸化的架橋によって補助される硬化を可能にする。
【００７３】
表面塗料は技術的に慣用な方法の１つにより、例えば噴霧、ペインティング、または浸漬によって塗布可能である。適当な表面塗料を使用する場合、電気的塗布、例えば電気的浸漬塗布（electroimmersion coating) もまた可能である。乾燥後、表面塗料塗膜を照射する。必要ならば、表面塗料塗膜は次に熱処理によって完全に硬化される。
【００７４】
式Ｉ、ＩａおよびＩｂの化合物はまた、複合材料からなる硬化成形品のために使用することもできる。複合材料は例えばガラス繊維布のような、光硬化性配合物を含浸する自立マトリックス材料（self-supporting matrix material)からなる。
【００７５】
レジスト系は、式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物からなる系の画像様（image-wise) の照射、続く現像工程、により製造できる。
既に言及したように、式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物は、特に３９０ｎｍより上の波長での放射線用のフォトレジストにおける感光性酸供与体として使用できる。
【００７６】
本発明は従って、感光性酸供与体としてオキシムスルホネートをベースとする３９０ｎｍより上の波長での放射線用のフォトレジストであって、該フォトレジストがオキシムスルホネートとして式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物を含むものにも関する。
【００７７】
レジストの照射の最中またはその後にレジスト材料の酸で触媒される反応の結果として生じる、照射および非照射部位の間の溶解度の違いは、２つのタイプが可能であり、それに依存して他の成分がレジストに存在する。本発明による組成物が照射の後の現像において組成物の溶解度を増加させる成分を含むときは、このレジストはポジ型である。他方、これらの成分が照射後の組成物の溶解度を減少させる場合には、このレジストはネガ型である。
【００７８】
本発明は従って、ネガ型フォトレジストおよびポジ型フォトレジストにも関する。
【００７９】
式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表されるオキシムスルホン酸エステルはまた、化学的に増幅されたレジストで使用することもできる。化学的に増幅されたフォトレジストは、照射された場合、その感光性成分が単にレジストの酸感受性の成分の少なくとも１つの化学反応を触媒するのに必要な酸の量のみを提供し、それの結果としてフォトレジストの照射された領域および照射されない領域の間の溶解度の根本的違いが最初に現われる、レジスト組成物と理解するべきである。
【００８０】
本発明は従って化学的に増幅されたフォトレジストにも関する。
【００８１】
このようなレジストが長い波長の放射線、特に３９０ｎｍより上の放射線について著しいリソグラフィ感度を示す。本発明によるフォトレジストは優れたリソグラフィ特性、特に高感度をもち、そしてそれらはまた、技術的立場から使用することが実質的に容易な近紫外領域の放射線により作用する利点をもつ。例えば特に大きい範囲の照射が長い波長光によって技術的に可能である。
【００８２】
ネガ型レジスト特性をつくる酸に感受性のある成分は、酸（式Ｉ、ＩａまたはＩｂの照射最中に形成される酸）により触媒される場合、それら自身によりおよび／または組成物の他の成分の１またはそれ以上により架橋反応を受け得る特別な化合物である。このタイプの化合物は、例えば、公知の酸硬化性樹脂であり、それらは例えばアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂またはそれらの混合物のようなものである。アミノ樹脂、フェノール樹脂およびエポキシ樹脂が非常に適している。このタイプの酸硬化性樹脂は一般的に公知であり、例えばUllmann's Encyclopadie der technischen Chemie, 4th Edition, Vol.15(1978),p613-628 に記載されている。架橋剤成分は一般にネガ型組成物の総固形分に基づいて２ないし４０、好ましくは５ないし３０重量％の濃度で存在する。
【００８３】
酸硬化性樹脂として特に好ましいものは、非エステル化またはエステル化された、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアニジン樹脂もしくはビウレット樹脂、特にメチル化されたメラミン樹脂またはブチル化されたメラミン樹脂、相当するグリコールウリルおよびウレオンである。ここでの樹脂については、一般にオリゴマーをも含む慣用の技術的混合物、ならびに純粋なおよび高純度の化合物の両方と理解されるべきである。Ｎ−メトキシメチルメラミンおよびテトラメトキシメチルグルコリルおよびＮ，Ｎ’−ジメトキシメチルウロンは最も好ましく示される酸硬化性樹脂である。
【００８４】
式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物の濃度は一般に、上記と同様に組成物の総固形分に基づいて０．１ないし３０、好ましくは２０重量％までである。１ないし１５重量％は特に好ましい。
【００８５】
適当な場合にはネガ型組成物は塗膜形成重合性バインダーをさらに含む。このバインダーは好ましくはアルカリ−溶解性フェノール樹脂である。この目的に充分適当なものは、例えばアルデヒド例えばアセトアルデヒドまたはフルフルアルデヒド、しかし特にはホルムアルデヒド、から誘導されたノボラック；ならびにフェノール例えば、置換されてないフェノール、モノ−もしくはジ−クロロ置換フェノール例えばｐ−クロロフェノール、炭素原子数１ないし９のアルキル基により一もしくは二置換されたフェノール例えばｏ−、ｍ−もしくはｐ−クレゾール、種々のキシレノール類、ｐ−第三ブチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、レゾルシノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンもしくは２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、から誘導されたノホラックである。また適当なものはエチレン性不飽和フェノールをベースとするホモ−およびコポリマーであり、例えばｐ−ビニルフェノールもしくはｐ−（１−プロペニル）フェノールのようなビニル−および２−プロペニル置換フェノールのホモポリマー、あるいはこれらのフェノールとスチレンのようなエチレン性不飽和材料とのコポリマーである。バインダーの量は一般に３０ないし９５重量％、または好ましくは４０ないし８０重量％である。
【００８６】
従って本発明は、特別な具体例として既に上述したように、上記の式Ｉ、ＩａまたはＩｂのオキシムスルホネート、バインダーとしてアルカリ可溶フェノール樹脂ならびに酸により触媒される場合にそれ自身および／またはバインダーにより架橋反応を受ける成分を含む、３９０ｎｍより上の波長の作業放射線（working radiation)のためのネガ型、アルカリ現像可能なフォトレジストを包含する。
【００８７】
ネガ型レジストの特に好ましい形態は組成物の固形分の百分率に関してオキシムスルホネート１ないし１５重量％、バインダーとしてフェノール樹脂例えば上記に記載したものの１つ、４０ないし９９重量％および架橋剤としてメラミン樹脂０．５ないし３０重量％からなるものである。バインダーとしてのノボラックもしくは特にポリビニルフェノールによって、良好な特性をもつネガ型レジストが得られる。
【００８８】
例えば、ネガ型レジスト系のポリ（グリシジル）メタクリレートの、酸で触媒される架橋に対する光化学的に活性化され得る酸発生剤として使用されるオキシムスルホン酸エステルもまた使用できる。このような架橋反応は例えばチャエら（Chae et al),Pollimo 1993,17(3),292により記載されているものである。
【００８９】
慣用のアルカリ現像液に溶解しおよび／または他のアルカリ不溶なおよび酸に耐性のある別のバインダーが現像液に可溶になるようにさせる反応生成物が残るような方式で、アルカリ−不溶性であるが、酸の存在下で開裂されまたは、分子内転移できるモノマー性またはポリマー性化合物は、本発明によるフォトレジスト組成物におけるポジ型特性を生成する。このタイプの物質はこれ以降溶液抑制剤(solution inhibitor)として述べる。
【００９０】
上記に既に述べたように、本発明はこのため、別の特定の具体例として、３９０ｎｍより上の波長の作業放射線のための、式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物と；現像液に可溶であり、および／またはほかに現像液に実質的に不溶な、酸に耐性のある別のバインダーを現像液に可溶になるようにさせる、反応生成物が残るような方式で、実質的に組成物をアルカリ現像液に溶解することを妨げるが、酸の存在下で開裂できる化合物の少なくとも１つとを含む、ポジ型アルカリ現像可能なフォトレジストを包含する。
【００９１】
それ自体アルカリ媒体に可溶であるが、適当な化合物による反応により化学的に変化するのでそれらが水性アルカリに不溶である、官能基、例えば芳香族ヒドロキシ基、カルボン酸基、第二アミノ基およびケトもしくはアルデヒド基をもつモノマー性およびポリマー性の有機化合物であって、該官能基がその最初の形態に再生されるような方式で、上述した反応において形成される保護基が酸触媒により再度開裂され得る、ものが溶液抑制剤として使用できる。
【００９２】
ヒドロキシ基、カルボン酸基もしくは第二アミノ基の保護のため、例えば、ジヒドロフランまたは３，４−ジヒドロピランおよびそれらの誘導体、ベンジルハライド、アルキルハライド、ハロ酢酸、ハロ酢酸エステル、クロロカルボン酸エステル、アルキルスルホニルハライド、芳香族スルホニルハライド、ジアルキルジカルボネートまたはトリアルキルシリルハライドが適当であり、保護された誘導体を形成する反応を公知の方法で行うことが可能である。ケタールおよびアセタールへの慣用の転換がケトおよびアルデヒド基を保護するのに適当である。
【００９３】
このような化学的に増幅されたポジ型レジスト系は例えば、Ｅ．ライッヒマン，Ｆ．Ｍ．ホウリハン，Ｏ．ナラマス，Ｔ．Ｘ．ニーナン（E.Reichmanis,F.M.Houlihan,O.Nalamasu,T.X.Neenan), Chem. Master. 1991, 3, 394；またはＣ. Ｇ. ウィルソン(C.G.Willson),"Introduction to Mcrolithography", 2nd.Ed.；Ｌ．Ｓ．トンプソン，Ｃ. Ｇ. ウィルソン，Ｍ．Ｊ．ボーデン（L.S.Thompson,C.G.Willson, M.J.Bowden) Eds.,Amer. Chem. Soc., Washington DC, 1994, p.139 に記載されている。
【００９４】
上記のタイプのポジ型レジストでは、塗膜形成性、ポリマー性の溶液抑制剤がフォトレジスト中に単なるバインダーであっても、または酸−不活性バインダー、適当ならば、モノマーの溶液抑制剤との混合物であってもよい。
【００９５】
酸−不活性バインダーの例は、特にｏ−、ｍ−もしくはｐ−クレゾールおよびホルムアルデヒドをベースとするノボラックであり、また、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン）ならびに、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンおよびアセトキシスチレンのコポリマーである。
【００９６】
ポリマー性の溶液抑制剤の例は、特にｏ−、ｍ−もしくはｐ−クレゾールおよびホルムアルデヒドをベースとするノボラックであり、また、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン）ならびに、ｐ−ヒドロキシスチレンもしくはｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンおよびアセトキシスチレンまたはアクリル酸および／またはメタクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルとのコポリマーであり、それは公知の方法により、ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロピラン、ベンジルハライド、アルキルハライド、ハロ酢酸、ハロ酢酸エステル、クロロカルボン酸エステル、アルキルスルホニルハライド、芳香族スルホニルハライド、ジアルキルジカルボネートまたはトリアルキルシリルハライドと反応する。また適当なものはｐ−（２−テトラヒドロピラニル）オキシレンもしくはｐ−（第三ブチルカルボニル）−オキシレンと（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルおよび／またはｐ−アセトキシスチレンとのポリマーならびにｐ−ヒドロキシスチレンおよび／またはｐ−（２−テトラヒドロピラニル）−オキシスチレンと３−ヒドロキシベンジル（メタ）アクリレートとのポリマーであり、それらは、必要ならば上記に挙げた化合物の１つとの反応によりさらに保護することも可能である。
【００９７】
特に好ましいポリマーは１８０ないし１０００ｎｍの波長領域にわたり透明であり、そして酸で触媒される脱保護(deprotecing) の後、溶解度が変化させられる基と、酸発生剤の溶解度を増加させそして水性アルカリ現像可能性が確認されている疎水基もしくは親水基の両方をもつポリマーである。このようなポリマーの実例は相当するモノマーからコ−ないしターポリマー化により製造されるアクリレートおよびメタクリレートである。このモノマーはまた、例えば乾燥エッチング工程の場合の耐性を増加させるため、オルガノシリコン基をもっていてよい。モノマーの例は：メチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、第三ブチル（メタ）アクリレート、トリメチルシリルメチル（メタ）アクリレート、３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ノボルミル（メタ）アクリレートである。
【００９８】
従って本発明はまた、感光性供与体として式Ｉ、ＩａまたはＩｂを含む化学的に増幅されたポジ型レジストにも関する。特別に好ましいものは、感光性供与体として式Ｉｂを含む、化学的に増幅されたポジ型レジストに示される。
【００９９】
本発明はまた、１８０ｎｍの波長領域までで透明であるポリマーを含むフォトレジストにも関する。
【０１００】
本発明によるポジ型レジストの特別な具体例は、組成物の固形分に基づく百分率で、酸触媒により除去され得る保護基を含む塗膜形成ポリマー７５ないし９９．５重量％および式Ｉ、ＩａまたはＩｂのオキシムスルホネート０．５ないし２５重量％からなる。ここでは、好ましいものは上述したポリマー８０ないし９９重量％およびオキシムスルホネート１ないし２０重量％からなる組成物で与えられる。
【０１０１】
他の具体例は、組成物の固形分に基づく百分率で、バインダーとして酸に不活性の塗膜形成ポリマー４０ないし９０重量％、酸触媒により除去され得る保護基をもつ単量体のもしくは重合性の化合物の５ないし４０重量％および式Ｉ、ＩａまたはＩｂのオキシムスルホネート０．５ないし２５重量％からなる。これらの組成物のうち、好ましいのは酸不活性バインダーとして５０ないし８０重量％、単量体のまたは重合体の溶液抑制剤１０ないし３０重量％ならびにオキシムスルホネート１ないし１５重量％からなる組成物で与えられるものである。
【０１０２】
オキシムスルホン酸エステルは光活性化され得る溶解性エンハンサーとして使用できる。この場合には、加熱した場合または化学線照射したときにオキシムスルホン酸エステルにより重合化する成分を実質的に含まない塗膜形成材料に前記化合物を加える。しかし、オキシムスルホン酸エステルは、塗膜形成材料が適当な現像媒体に溶解する速度を減少させる。この抑制作用は化学線により該混合物を照射することにより解消することができ、そしてポジ型画像が形成できる。このような用途は例えばＥＰ−Ａ−２４１４２３に記載されている。
【０１０３】
最後に、本発明の他の特別な具体例は、式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物およびアルカリ現像液に実質的に不溶であり、式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物の光分解生成物の存在下、現像液に可溶になるバインダーとからなるポジ型レジストである。この場合、言及したオキシムスルホン酸エステルの量は一般に、組成物の固形分に基づいて５ないし５０重量％である。
【０１０４】
ポリマーからの保護基の除去の原理に従って操作される、化学的に増幅された系における、本発明によるこのオキシムスルホン酸エステルの使用は、一般にポジ型レジストの製造である。ポジ型レジストは多くの用途において、特により大きい解像度によりネガ型フォトレジストより好ましい。しかし、ポジ型レシストの解像度の高い程度の利点とネガ型レジストの特性とを組み合わせるために、ポジ型レジスト機構を使用してネガ型画像を製造することは興味深い。このことは、例えば、ＥＰ−Ａ−３６１９０６に記載された、いわゆるイメージ−リバーサルステップ（image-reversal step)を導入することによって達成できる。この目的のため、現像工程の前に、画像様に照射されたレジスト材料を例えば気体塩基によって処理して、画像様を生成した酸を中和する。次にその全ての領域にわたる第二の照射および熱後処理がなされ次いでこのネガ型画像を慣用の方法で現像する。
【０１０５】
上述した成分に加えて、ネガ型およびポジ型の両方のフォトレジスト組成物は当業者によく知られた量でフォトレジストに慣用に使用される添加剤、例えば、流れ改良剤、湿潤剤、接着剤、チキソトロピー剤、着色剤、顔料、充填剤、溶解促進剤等の１またはそれ以上をさらに含んでいてよい。前記反応はスペクトル感度をシフトさせおよび／または拡張する光増感剤の添加によって促進できる。これらは特に、ベンゾフェノン、チオキサントン、アントラキノンおよび３−アシルクマリン誘導体およびまた３−（アロイルメチル）チアゾリンであり、しかしまたエオシン、ロダニンおよびエリスロシン着色剤もそうである。
【０１０６】
塗布のため、組成物はまた、一般に溶媒を含まなければならない。適当な溶媒は酢酸エチル、３−メトキシメチルプロピロネート、エチルピバレート、２−ヘプタノン、ジエチルグリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、エチルメチルケトン、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテートおよび特に１−メトキシ−２−プロピルアセテートである。溶媒はまた混合物の形態であってもよく、例えば、上述した溶媒の２またはそれ以上の混合物である。溶媒の選択および濃度は例えば、組成物の性質および塗布方法に依存する。
【０１０７】
溶液は公知の塗布方法、例えばスピン塗布、含浸、ナイフ塗布、カーテン塗布、刷毛塗り、吹付けおよびリバースロール塗布よって基材に均質に施用される。一時的に可撓性支持体へ感光性塗膜を施用しそして次に塗膜を転写（coating transfer) 〔積層〕することによって最終的基材に均質に塗布することも可能である。
【０１０８】
塗布量（塗布厚）および基材の性質（塗布基材）は所望の塗布分野に依存する。塗布厚範囲は原則として約０．１μｍないし１００μｍより大きい値を含む。
【０１０９】
本発明による組成物の使用に可能な領域はを以下に示す：エッチングレジスト、電気メッキレジストもしくはソルダーレジストのようなエレクトロニクスのためのフォトレジストとしての使用、集積回路、薄膜トランジスタレジストの製造；ＴＦＴレジスト、オフセット印刷版またはスクリーン印刷テンプレートのような印刷版の製造、成形品のエッチングもしくはステレオリソグラフィー技術における使用。塗布基材および加工条件は従って多様である。
【０１１０】
本発明による組成物はまた、特に薄膜の形態である、木材、布地、紙、セラミックス、ガラス、プラスチックス例えばポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィンもしくはセルロースアセテートを含むすべての種類の物質のための塗料組成物としてもそうであるが、画像様照射によって画像が施される、金属、特にＮｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｏまたは特別にＣｕおよびＡｌ、またＳｉ、ケイ素酸化物もしくは窒化物をも塗布するために、著しく適している。
【０１１１】
塗布作業後、一般に溶媒を加熱により除去し、基材上にあるフォトレジストの層が得られる。乾燥温度はもちろんレジストのある成分が熱硬化するであろう温度よりも低くなければならない。ネガ型フォトレジストの場合には特にこれに関し注意を要する。一般に乾燥温度は８０ないし１３０℃を超えない。
【０１１２】
上記レジスト塗布物は次に画像様に照射される。用語「画像様照射（image-wise irradiation) 」は化学線を使用する予め決められた照射；即ち、予め決められたパターンを含むフォトマスク、例えば透明画（transparency) 、を通す照射および例えばコンピューター制御下で、塗布された基材の表面上を動くレーザービームを使用する照射の両方を含み、そしてこれにより画像が製造される。
【０１１３】
照射および、必要ならば熱処理後、組成物の、照射されない部位（ポジ型レジストの場合）または照射された部位（ネガ型レジスト）は現像液を使用してそれ自体公知である方法で除去する。
【０１１４】
一般に、レジスト組成物の酸に感受性のある成分を反応させておくために、現像工程の前にある期間そのままにしておくことが必要である。反応を促進し、それにより現像液中でレジスト塗布物の照射された部分と照射されない部分との間の溶解性の充分な差異の発現のため、塗膜は好ましくは現像する前に加熱する。加熱は照射の間に行われるか開始してもよい。６０ないし１５０℃の温度が好ましく使用される。その期間は加熱方法に依存しおよび必要ならば、最適な期間は少しの日常実験で当業者により容易に測定できる。一般にはそれは数秒ないし数分である。例えば、ホットプレートを使用する場合には１０ないし３００秒の期間が、熱対流炉を使用する場合には１ないし３０分が非常に適当である。レジストにおける照射されない部位においてこれらの加工条件で安定であることは本発明の潜伏性の酸供与体にとって特に重要である。
【０１１５】
塗膜は次に現像され、照射後に、現像液により可溶な塗膜の部分は除去される。もし必要ならば、加工品の僅かな攪拌、現像液浴中での塗膜の穏やかなブラッシングまたはスプレー現像（spray developing) がこの作業工程を促進できる。レジスト技術で慣用の水性−アルカリ現像液が例えば、現像のために使用される。このような現像液は、例えば水酸化ナトリウムもしくはカリウム相当するカーボネート、シリケートまたはメタシリケートであるが、好ましくは金属を含まない塩基、例えばアンモニアまたはアミン、例えばエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、アルカノールアミン例えばジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、第四級アンモニウム水酸化物例えば水酸化テトラメチルアンモニウムもしくは水酸化テトラエチルアンモニウムを含む。現像溶液は一般に０．５Ｎまでであるが、通常使用の前に適当な方法により希釈される。例えば約０．１規定を持つ溶液が充分適する。現像液の選択は、光硬化性表面塗料の性質、特に使用するバインダー、結果として生じる光分解生成物の性質に依存する。水性現像溶液は必要ならば、さらに湿潤剤および／または有機溶媒の比較的少量を含んでいてよい。現像溶液に添加することができる代表的な有機溶媒は、例えば、シクロヘキサノン、２−エトキシエタノール、トルエン、アセトン、イソプロパノールおよびこれらの溶媒の２またはそれ以上の混合物である。代表的な水性／有機現像液系は登録商標ブチルセルソルブ／水をベースとする。
【０１１６】
オキシムスルホン酸エステルがガラス、アルミニウムおよび鋼鉄表面の表面処理および洗浄に適当な組成物の光活性化され得る酸発生剤として使用できることはＥＰ−Ａ−５９２１３９から公知である。このようなオルガノシラン系におけるこれらの化合物の使用は遊離酸を使用する場合に得られる化合物よりもかなりよりよい貯蔵安定性をもつ組成物を得られることとなる。
【０１１７】
オキシムスルホン酸エステルはまた、特開平４−３２８５５２またはＵＳ−Ａ−５２３７０５９に記載されるように、化合物をｐＨが変化したとき色が変化する着色剤と一緒に使用したときに、いわゆる「プリント−アウト（print-out)」画像を製造するのに使用することもできる。このような着色変更系はＥＰ−Ａ−１９９６７２によれば、熱または放射線に感受性のあるものを監視することにも使用できる。
【０１１８】
酸により触媒される可溶性顔料分子の脱保護(deprotection)の間に、顔料の結晶を沈澱させるこは可能であり；これはカラーフィルターの製造に使用することができる。
【０１１９】
式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物を含む組成物の架橋に適当なものは約１８０ないし１０００、例えば３００ないし６００であるか好ましくは３８０ないし６００例えば３８０ないし５００ｎｍの波長の放射線を放射する放射線源である。点光源およびプラニフォームプロジェクター（planiform projectors) 〔ランプカーペット（lamp carpets) の両方が好ましい。具体例は、カーボンアークランプ、キセノンアーク灯または所望により金属ハライドでドープ塗布されている中圧、高圧および低圧の水銀蒸気ランプ（金属ハライドランプ）、マイクロウェーブ励起金属蒸気ランプ（microwave-excited metal vapour lamps) 、エキシマーランプ(excimer lamps) 、スーパーアクチニック蛍光灯(superactinic fluoresent tubes) 、蛍光ランプ、アルゴン白熱灯、電子閃光ランプ、写真投光ランプ、シンクロトロンまたはレーザープラズマによる電子ビームおよびＸ線である。ランプと照射される本発明による基材との距離は意図する用途およびランプのタイプおよび強度により変化でき、例えば２ｃｍないし１５０ｃｍである。特に好適な光源はレーザー光源、例えば２４８ｎｍにおける照射に対するクリプトン−Ｆレーザーまたは１９３ｎｍにおける照射に対するＡｒ−Ｆレーザーのようなエキシマーレーザーである。可視領域および赤外領域におけるレーザーもまた使用できる。非常に特別に好ましいものは４３６および４０５ｎｍの波長における水銀ｈおよびｇ線である。適当な光源は従って、水銀蒸気ランプ、特に中圧および高圧水銀ランプであり、放射線から、他の波長におけるその放射線は所望により、フィルターで除くことができる。それは、特に、比較的短い波長の放射線の場合である。ランプと照射される本発明による加工品との距離は意図する用途およびランプのタイプおよび強度により変化でき、例えば２ｃｍないし１５０ｃｍである。しかし、適当な波長領域を放射できる低エネルギーランプ（例えば蛍光灯）を使用することも可能である。これらの例は、フィリップスＴＬ０３ランプ（Philips TL03 Lamp)である。適当なレーザー光源は、例えば４５４、４５８、４６６、４７２、４７８および４８８ｎｍの波長の放射線を放射するアルゴン−イオンレーザーである。また、好ましいのは、例えば４４２ｎｍの放射線をもつヘリウム／カドミウムレーザーまたは紫外領域を放射するレーザーである。このタイプの照射では、ポジ型またはネガ型レジストを製造するための光重合性塗料と接触するフォトレジストを使用することは絶対的に必要でない；制御されたレーザービームは塗膜に直接書き込むができる。この目的のため、本発明による材料の高い感度は非常に有利であり、比較的低い輻射の強さにおいて高い書込み速度を可能にする。照射において、表面塗料の照射した部分の組成物のオキシムスルホネートは分解してスルホン酸を形成する。
【０１２０】
高−強度の放射線による慣用の紫外線硬化と比較して、本発明による化合物では、比較的低い強さの放射線の作用下で活性化に達する。このような放射線は、例えば、昼光（直射日光）および昼光と同等の放射線源を含む。直射日光は紫外線硬化に使用される慣用の人工放射線源の光と分光組成および強度において異なる。本発明による化合物の吸収特性は特に硬化のための天然の放射線源としての直射日光を利用するのに特に適当である。本発明により化合物を活性化するために使用できる昼光と同等の人工光源は、ある種の蛍光ランプ例えばフィリップスＴＬ０５特殊蛍光ランプ（special fluoresent lamp)またはフィリップスＴＬ０９特殊蛍光ランプのような低強度のプロジェクターとして理解されるべきである。高い昼光含有量（daylight content) および昼光それ自体をもつランプは特に不粘着性の手段で、表面塗装層の表面を充分に硬化できる。この場合、高額の硬化装置は必要とせず、そして外部仕上げ材料(exterior finishes) に特に使用できる。昼光または昼光と同等の光源による硬化はエネルギー節約方法であり、外部塗装における有機揮発成分の放出を妨げる。平らな成分(flat components) に対して適当なコンベアベルト法と比較して、昼光硬化はまた静的なまたは固定された製品および構造物における外部仕上げ材料にも使用できる。
硬化される表面塗りは直接、直射日光または昼光と同等の光源に露光させることができる。しかし、硬化は透明な層の背後から行うことも可能である〔例えば、ガラスの枠(pane of glass) またはプラスチックスのシート〕。
【０１２１】
式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物は一般に０．１ないし３０重量％、例えば０．５ないし１０重量％、特に１ないし５重量％の量で光活性化されうる組成物に添加できる。
【０１２２】
本発明はまた、表面塗料、印刷インキ、印刷版、歯科用組成物、カラーフィルター、レジスト材料もしくは画像記録材料、またはホログラフ画像を記録するための画像記録材料の製造における、３９０ｎｍより上の波長において光感受性のある酸供与体としての式Ｉ、ＩａまたはＩｂで表される化合物の使用に関する。
【０１２３】
【実施例】
以下に示す実施例は本発明をさらに説明する。明細書の残りと特許請求の範囲において、他に示さない限り部または百分率で示されるデータは重量に基づく。
【０１２４】
実施例１：α−（メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．１：α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
メタノール４５０ｍｌに溶解したＮａＯＨ４７ｇ（１．１７ｍｏｌ）をスルホン化フラスコ中の３，４−ジメトキシベンジルシアニド２０８．０３ｇ（１．１７ｍｏｌ）に加え、そして溶液を氷浴で０−５℃に冷却する。この温度で、４時間攪拌し気体の亜硝酸メチル（水５９ｍｌおよびメタノール６２ｍｌ中のＮａＮＯ₂ ９７．１ｇの溶液への、水８２ｍｌに溶解した濃Ｈ₂ ＳＯ₄ ３８ｍｌの添加によりその場で製造されたもの；Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ５９，９５，１９７９参照）を溶液中に導入する。反応溶液を次に一夜攪拌し、その後窒素を溶液中に通過させる。メタノールをロータリーエバポレータで留去しそして褐色残渣を次にトルエンと水の混合物中で３０分間攪拌してスラリーにする。この相を分離しそして水相をトルエンで洗浄し、そして次に濃塩酸で酸性にする。ベージュ色の沈澱物の形態で生成物を得る。沈澱物をろ別し、水で洗浄して中和し、減圧下で乾燥させ、次に酢酸エチルから再結晶化する。α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１１４ｇ（４７％）を融点１８３−１９１℃をもつベージュ色の固体の形態で得る。
元素分析： Ｃ₁₀Ｈ₁₀Ｎ₂ Ｏ₃ （２０６．２０）

【０１２５】
１．２：α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド５１．６ｇ（０．２５ｍｏｌ）およびトリエチルアミン３００ｍｌをＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、氷浴０−５℃に冷却する。ＴＨＦ６５ｍｌ中のパラトルエンスルホン酸クロリド５２．４ｇの溶液を前記溶液に滴下で１時間かけて添加する。３時間後氷浴を除去し、そして反応混合物を次に室温で一夜攪拌する。ＣＨ₂ Ｃｌ₂ １５０ｍｌを加え、沈澱させたアンモニウム塩をろ別し、ろ液を水と希塩酸による洗浄を繰り返すことにより過剰なトリエチルアミンを取り除く。硫酸マグネシウムによる乾燥後、溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残った残渣をトルエンから再結晶化する。α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド８０．８ｇ（９０％）を１６１−１６３℃の融点をもつやや黄色の結晶の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３５ｎｍまで拡がる３５０ｎｍで最大（ε＝１１３４０）のブロードな吸収帯を示す。元素分析： Ｃ₁₇Ｈ₁₆Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ （３６０．３８）

【０１２６】
実施例２：α−（４−メチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２において記載したと同様にα−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１４．４ｇ（０．０７ｍｏｌ）をメタンスルホニルクロリド８．８ｇ（０．０７７ｍｏｌ）とトリエチルアミンの存在下で反応させる。反応混合物のＧＣ分析は３：１の比で２つの異性体混合物が形成されることを示す。酢酸エチルからの再結晶化後、α−（４−メチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１２．０ｇ（６０％）を融点１４０−１４６℃をもつ黄色の粉体の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは８：２の比で（Ｅ）および（Ｚ）異性体の混合物の存在を示す。異性体混合物は４３０ｎｍまで拡がる３００ｎｍ（ε＝８４００）および３３７ｎｍ（ε＝１０３３０）における２つの吸収帯を伴う紫外／可視線スペクトル（アセトニトリル）を示す。
元素分析： Ｃ₁₁Ｈ₁₂Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ （２８４．２９）

生成混合物のフラッシュクロマトグラフィー（シリカゲル、溶離液：石油エーテル／酢酸エチル２：１）によって、（Ｚ）異性体は純粋な形態で得られうる。黄色の固体は１５２−１５８℃の融点をもつ。
【０１２７】
実施例３：α−（４−メチルスルホニルオキシイミノ）−４−チオメチルベンジルシアニド
３．１：４−チオメチル−ベンジルアルコールメタンスルホネート
スルホン化フラスコ中で、４−メチルチオベンジルアルコール５０ｇ（０．３２ｍｏｌ）およびメチルスルホニルクロリド４６．３ｇ（０．３２ｍｏｌ）をトルエン２５０ｍｌに溶解し、そして１０℃に冷却しながら、トリエチルアミン３２．５ｇ（０．３２ｍｏｌ）を滴下で添加する。反応混合物を次に室温まで加熱しそして一夜攪拌する。次に２Ｎ塩酸４００ｍｌを反応溶液に冷却しながらゆっくりと添加する。相を分離し、そして有機相を水で洗浄し、ＭｇＳＯ₄ で乾燥させそしてロータリーエバポレーターで濃縮する。４−メチルチオベンンジルアルコールメタンスルホネート６０ｇ（８０％）を黄色の油の形態で得る。
【０１２８】
３．２：４−メチルチオベンジルニトリル
４−メチルチオベンジルアルコールメタンスルホネート９２．４ｇ（０．４ｍｏｌ）を室温でジメチルスルホキシド３００ｍｌ中のナトリウムシアニド３１．６ｇ（０．６４ｍｏｌ）の溶液に添加しそして溶液を室温で一夜攪拌する。溶液を次に氷水に注ぎそして生じた固体をろ別する。生成物をイソプロパノール／水（１：１）から再結晶化する。４−メチルチオベンジルニトリル５６ｇ（８７％）を４４−４４．５℃の融点をもつ無色の固体の形態で得る。
【０１２９】
３．３：α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド
１．１に記載したと同様にメチルチオベンジルニトリル１０ｇ（０．０６ｍｏｌ）を酢酸メチル０．０６ｍｏｌと反応させる。反応終了後、α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド４．２ｇ（３６％）が１３２−１３３℃の融点をもつやや黄色の粉体の形態で得られる。
【０１３０】
３．４：α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）４−チオメチルベンジルシアニド
α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド４ｇ（０．０２１ｍｏｌ）をＴＨＦ２５ｍｌ中で、１．２に記載したと同様に、トリエチルアミン３．１６ｇ（０．０３１ｍｏｌ）の存在下、パラ−トルエンスルホン酸クロリド４．３５ｇ（０．０２３ｍｏｌ）と反応させる。反応終了後、粗生成物６．２５ｇ（８７％）が褐色固体の形態で得られる。酢酸エチルからの再結晶化により、α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）４−チオメチルベンジルシアニド３．８ｇを融点１０２−１０７℃をもつ黄色の固体の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは（Ｚ）および（Ｅ）異性体の混合物の存在を示す。紫外／可視線スペクトルは４４０ｎｍまで拡がる３４８ｎｍにおける吸収帯（ε＝１８８００）を示す。
元素分析： Ｃ₁₆Ｈ₁₄Ｎ₂ Ｏ₃ Ｓ₂ （３４６．４）

【０１３１】
実施例４：α−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
実施例１の製造法と同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１４．４ｇ（０．０７ｍｏｌ）を、トリエチルアミン１０．６ｇ（０．１０５ｍｏｌ）の存在下、テトラヒドロフラン１００ｍｌ中の４−ドデシルベンゼンスルホニルクロリド２６．５６ｇ（０．０７７ｍｏｌ）と室温で反応させる。反応終了のため、反応混合物を水に注加し、そして塩化メチレンで数回抽出する。硫酸マグネシウムにより乾燥させた後、溶媒をロータリーエバポレーターで留去する。次に残っている褐色油をシリカゲルを用いたフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル／酢酸エチル３：１）により精製する。α−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１４．７５ｇ（４１％）が粘稠性の黄色い油の形態で得られる。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは（シン）異性体であることを示す。紫外／可視線スペクトル（アセトニトリル）は４３５ｎｍまで拡がる３５０ｎｍにおける吸収帯（ε＝１０７００）を示す。
元素分析： Ｃ₂₈Ｈ₃₈Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ

【０１３２】
実施例５：α−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載されたと同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１６．５ｇ（０．０８ｍｏｌ）をトリエチルアミンの存在下で２−プロパンスルホニルクロリド１２．６ｇ（０．０８８ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンからの粗生成物の再結晶化により、９０．５−９３．５℃の融点をもつベージュ色の結晶形態のα−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド２１．９ｇ（８８％）を得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３４ｎｍまで拡がる、３４６ｎｍで最大（ε＝１１６５０３４）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₃Ｈ₁₆Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ（３１２．３４）

【０１３３】
実施例６：α−（２，４，６−トリス（イソプロピル）フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−メトキシベンジルシアニド８．２５ｇ（０．０４ｍｏｌ）をトリエチルアミンの存在下で２，４，６−トリス（イソプロピル）ベンゼンスルホニルクロリド１３．３ｇ（０．０４４ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンからの粗生成物の再結晶化後、α−（２，４，６−トリス（イソプロピル）フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１４．２５ｇ（７５％）を９０．５−９３．５℃の融点をもつベージュ色の結晶の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３３ｎｍまで拡がる、３５２ｎｍで最大（ε＝１１０００）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₂₅Ｈ₃₂Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ（４７２．６）

【０１３４】
実施例７：α−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１０．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）を、トリエチルアミンの存在下で１−オクタンスルホニルクロリド１１．７ｇ（０．０５５ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンからの粗生成物の再結晶化後、α−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１９．１ｇ（８７％）を７２−７５℃の融点をもつベージュ色の結晶の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３５ｎｍまで拡がる、３４９ｎｍで最大（ε＝１１３３０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₈Ｈ₂₆Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ（３８２．４８）

【０１３５】
実施例８：α−（４−クロロフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１０．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）を、トリエチルアミンの存在下で４−クロロベンゼンスルホン酸クロリド１２．２ｇ（０．０５５ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンからの粗生成物の再結晶化後、α−（４−クロロフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１５．９ｇ（８４％）を１４５．５−１４８．５℃の融点をもつやや黄色の結晶の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３７ｎｍまで拡がる、３５０ｎｍで最大（ε＝１１６６０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₆Ｈ₁₃ＣｌＮ₂ Ｏ₅ Ｓ（３８０．８０）

【０１３６】
実施例９：α−（メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド
３．４に記載したと同様、α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド１９．２ｇ（０．１ｍｏｌ）を、トリエチルアミン１５．２ｇ（０．１５ｍｏｌ）の存在下でメタンスルホニルクロリド１２．６ｇ（０．１１ｍｏｌ）と反応させる。反応終了後、酢酸エチル１２０ｍｌから再結晶化された、ベージュ色の粗生成物２２．８ｇを得る。α−（メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド１４．０ｇ（５２％）を１４８−１５０℃の融点をもつベージュ色の結晶の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４４０ｎｍまで拡がる、３４９ｎｍで最大（ε＝１４７９０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₀Ｈ₁₀Ｎ₂ Ｏ₃ Ｓ₂ （２７０．３０）

【０１３７】
実施例１０：α−（ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド
３．４に記載したと同様、α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド１０．６ｇ（０．５５ｍｏｌ）を、トリエチルアミン８．３５ｇ（０．０８２５ｍｏｌ）の存在下でドデシルベンゼンスルホニルクロリド２０．９ｇ（０．０６ｍｏｌ）と反応させる。反応終了後、粘稠性の褐色ベージュ色の粗生成物を得て、シリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル／酢酸エチル２０：１）で精製される。α−（ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド１０．０ｇ（３８％）を黄褐色の粘稠性液体の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４５０ｎｍまで拡がる、３５１ｎｍで最大（ε＝９７５０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₂₇Ｈ₃₆Ｎ₂ Ｏ₃ Ｓ₂ （５００．７２）

【０１３８】
実施例１１：９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン
１１．１．３，６−ジメトキシフルオレン−９−オン
３，６−ジメトキシフルオレン−９−オンはJ. Am. Chem. Soc.1985,107,4238にＣ．チャングら（C.Chuang et al) により記載された多段階合成によって製造される。この方法に従って、最終合成段階では、粗生成物の溶液から沈澱させた、精製３，６−ジメトキシフルオレン−９−オンが得られる。やや黄色の結晶は融点１３９−１４４℃（文献では：１４２−１４４℃）をもつ。生成物はさらに精製することなく次の反応段階で使用される。
濃縮後、母液から沈澱する１２３−１２５℃の融点をもつ、他のやや黄色の後退を得る。前記文献に記載されると同様に、この固体は、さらに３，６−ジメトキシフルオレン−９−オンに加えて、異性体１，６−ジメトキシフルオレン−９−オンを含む。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルから、この混合物は、３，６−ジメトキシフルオレン−９−オン、約５５％および、１，６−ジメトキシフルオレン−９−オン約４５％からなると推定できる。上記異性体混合物もまた、さらに精製することなく次の反応段階で使用することができる。
【０１３９】
１１．２．９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン
３，６−ジメトキシフルオレン−９−オン４．７ｇ（０．０１９５ｍｏｌ）およびヒドロキシアンモニウムクロリド２．７ｇ（０．０３９ｍｏｌ）をエタノール５０ｍｌおよび水２０ｍｌの混合物中９０℃で加熱する。５時間後、溶液を氷／水に注加し、酢酸エチルを添加する。得られた懸濁液をろ過しそしてろ別された生成物を水で洗浄しそして減圧下で乾燥する。９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン４．２５ｇ（８６％）を２３０−２４０℃の融点をもつ黄色の固体の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲによれば、粗生成物は未だ、３，６−ジメトキシフルオレン−９−オンの幾分かの量を含んでいる。粗生成物はしかし、さらに精製することなく次の反応段階で使用することができそして３，６−ジメトキシフルオレン−９−オンは最終生成物を精製するまで除去されない。
元素分析： Ｃ₁₅Ｈ₁₃ＮＯ₃ （２５５．２７）

【０１４０】
１１．３．９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン
９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン３．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）およびトリエチルアミン２．３ｇ（０．０２２５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８０ｍｌ中で懸濁させ、そして０℃において、ＴＨＦ２０ｍｌ中のパラ−トルエンスルホン酸クロリド３．１ｇ（０．０１６５ｍｏｌ）を滴下で添加する。４時間後、氷浴を外し、反応混合物を室温で一夜攪拌する。ＣＨ₂ Ｃｌ₂ を加え、そして生じたアンモニウム塩をろ過除去する。ろ液を水と飽和塩化ナトリウムとで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させそしてロータリーエバポレーターで濃縮する。得られた粗生成物はシリカゲルを用いたフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル／酢酸エチル２：１）により精製する。主な生成物が含まれる部分を熱エタノール１００ｍｌに吸収させ、そして溶液を熱い状態でろ過する。冷却して、生成物を沈澱させそしてろ別して、減圧下で乾燥させる。９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン３．２ｇ（５２％）を１４３−１４８℃の融点をもつ黄色の結晶の形態で得る。この物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４５０ｎｍまで拡がる３１４ｎｍで最大（ε＝２１１００）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₂₂Ｈ₁₉ＮＯ₅ Ｓ （４０９．６）

【０１４１】
実施例１２：９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン
１１．３に記載したと同様、９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン５．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）を０℃で、ＴＨＦ１００ｍｌ中のトリエチルアミン３．０ｇ（０．０３ｍｏｌ）の存在下で、４−ドデシルベンゼンスルホニルクロリド５．６ｇ（０．０２２ｍｏｌ）と反応させる。単離後、得られた粗生成物をシリカゲルをもちいるフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：石油エーテル／酢酸エチル４：１）により精製する。９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン５．８ｇ（５１．３％）が粘稠性の黄色の油の形態で得られる。この物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４４３ｎｍまで拡がる３１５ｎｍで最大（ε＝２１１００）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₃₃Ｈ₄₁ＮＯ₅ Ｓ （５６３．７６）

【０１４２】
実施例１３：９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレンの混合物
１３．１．９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−ヒドロシイミノ−１，６−ジメトキシフルオレン
３，６−ジメトキシフルオレン−９−オン約５５％および、１，６−ジメトキシフルオレン−９−オン約４５％からなる実施例１１．１の母液から分離された混合物を実施例１１．２に記載された製造方法と同様にエタノール／水中のヒドロキシアンモニウムクロリドと反応させる。 ¹Ｈ−ＮＭＲにより、９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン約７５％および９−ヒドロキシイミノ−１，６−ジメトキシフルオレン約２５％よりなる、ベージュ色の固体が得られる。粗生成物は、さらに精製することなく次の段階に使用される。
【０１４３】
１３．２．９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレン
実施例１３．１からの粗生成物（８．９ｇ，０．０３５ｍｏｌ）を実施例１１．３と同様に、ＴＨＦ１７５ｍｌ中、０℃で、トリエチルアミン５．３ｇ（０．０５２５ｍｏｌ）の存在下、パラ−トルエンスルホン酸クロリド７．３４ｇ（０．０３８５ｍｏｌ）と反応させる。生じたアンモニウム塩をろ過して除き、溶液を飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮する。沈澱物した粗生成物は熱酢酸エチルに溶解しそしてろ過し、ヘキサンをそれに添加する。反応混合物をその状態のまま放置し、生成物が９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレンの異性体混合物の黄ベージュ色の結晶の形態で沈澱する。収量は８．３ｇ（５８％）であり、融点は１４１−１４８℃である。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルによれば、上記混合物は９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン約７０％およびおよび９−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレン約３０％からなる。この混合物のの紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４４０ｎｍまで拡がる３１４ｎｍで最大（ε＝１８６７０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₂₂Ｈ₁₉ＮＯ₅ Ｓ （４０９．６）

【０１４４】
実施例１４：９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレンの混合物
実施例１３．２．に記載したように、実施例１３．１からの粗生成物８．９ｇ（０．０３５ｍｏｌ）をＴＨＦ中、トリエチルアミンの存在下、４−ドデシルベンゾスルホニルクロリド１３．２ｇ（０．０３８ｍｏｌ）と反応させる。粗生成物として得られた油はシリカゲルを用いるフラッシュクロマトグラフィーに２回かける（溶離液：石油エーテル／酢酸エチル９：１、続いて石油エーテル／酢酸エチル３：１）。９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンおよび９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレンからなる混合物１３．０ｇ（６６％）が粘稠性のやや赤い油の形態で得られる。その ¹Ｈ−ＮＭＲによれば、混合物は９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン約７５％および９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−１，６−ジメトキシフルオレン約２５％からなる。この混合物のの紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４４５ｎｍまで拡がる３１５ｎｍで長い波長の最大値の吸収帯（ε＝１８３３０）を示す。
元素分析： Ｃ₃₃Ｈ₄₁ＮＯ₅ Ｓ （５６３．７６）

【０１４５】
実施例１５：α−（３−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシベンジルシアニド４．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）をトリエチルアミンの存在下、３−トリフルオロメチルフェニルスルホン酸クロリド５．４ｇ（０．０２２ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンからの粗生成物の再結晶化により、α−（３−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド６．６ｇ（８０％）を融点１２９−１３０℃をもつやや黄色の結晶の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルはそれが純粋な立体異性体であることを示す。紫外視線スペクトル（アセトニトリル）は４３０ｎｍまで拡がる３５１ｎｍで最大（ε＝１１７００）の吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₇Ｈ₁₃Ｆ₃ Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ₂ （４１４，３６）

【０１４６】
実施例１６：α−（フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシチオベンジルシアニド１０．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）をトリエチルアミン７．６ｇの存在下、４−ベンゼンスルホン酸クロリド９．７１ｇ（０．０５５ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンから粗生成物の再結晶化により、α−（フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド１１．１ｇ（６４％）を融点１３８．５−１４２℃をもつやや黄色の結晶の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルはそれが純粋な立体異性体であることを示す。紫外視線スペクトル（アセトニトリル）は４３６ｎｍまで拡がる３５０ｎｍで最大（ε＝１１３７０）の吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₆Ｈ₁₄Ｎ₂ Ｏ₅ Ｓ （３４６．３６）

母液の蒸発により、融点１０４−１１０℃のベージュ色の物質２．６ｇが得られ、 ¹Ｈ−ＮＭＲ−分析はα−（フェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニドの（Ｚ）−および（Ｅ）−異性体の混合物（比率、約２：１）と一致する。
【０１４７】
実施例１７：α−（メトキシフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１．２に記載したと同様に、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ジメトキシチオベンジルシアニド１０．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）をトリエチルアミン７．６ｇの存在下、４−メトキシフェニルスルホン酸クロリド１１．３７ｇ（０．０５５ｍｏｌ）と反応させる。酢酸エチル／ヘキサンから粗生成物の再結晶化により、α−（メトキシフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド３．２６ｇ（１７％）を融点１６１−１６７℃をもつやや黄色の結晶の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルはそれが純粋な立体異性体であることを示す。紫外視線スペクトル（アセトニトリル）は４３５ｎｍまで拡がる３４９ｎｍで最大の（ε＝１１７００）吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₇Ｈ₁₆Ｎ₂ Ｏ₆ Ｓ （３７６．３８）

【０１４８】
実施例１８：α−（４−ニトロフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジメトキシベンジルシアニド
１，２に記載した方法によって、α−ヒドロキシイミノ−３，４−メトキシベンジルシアニドおよび４−ニトロフェニルスルホニル酸クロリドを反応させる。物理データを表Ａに示す。
【０１４９】
実施例１９：９−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレン
１１．３に記載したと同様にＴＨＦ６０ｍｌ中のトリエチルアミン１．５ｇ（０．０１５ｍｏｌ）の存在下、０℃で、９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジメトキシフルオレン２，５５ｇ（０．０１ｍｏｌ）をｎ−オクチルスルホニルクロリド２．３４ｇ（０．０１１ｍｏｌ）と反応させる。分離後得られた粗生成物を酢酸アセテートから再結晶化することにより精製する。融点１０５−１１０℃をもつ９−（ｎ−オクチルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジメトキシフルオレンの黄ベージュ色結晶２．２ｇ（５１％）を得る。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４４５ｎｍまで拡がる３１３ｎｍで最大（ε＝２０６２０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₂₃Ｈ₂₉ＮＯ₅ Ｓ （４３１．５５）

【０１５０】
実施例２０：α−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド
実施例３．４の製造方法と同様にトリエチルアミン７．６ｇ（０．０７５ｍｏｌ）の存在下、α−ヒドロキシイミノ−４−メチルチオベンジルシアニド９．６ｇ（０．５ｍｏｌ）を２−プロパンスルホニルクロリド７．８５ｇ（０．０５５ｍｏｌ）と反応させる。反応終了後、粗生成物を酢酸アセテート／ヘキサンから再結晶化することにより精製する。融点８３−８７℃をもつベージュ色結晶の形態でα−（２−プロピルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルチオベンジルシアニド１１．１ｇ（８３％）を得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルはそれが純粋な立体異性体であることを示す。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４３５ｎｍまで拡がる３５０ｎｍで最大（ε＝１４６６０）のブロードな吸収帯を示す。
元素分析： Ｃ₁₂Ｈ₁₄Ｎ₂ Ｏ₃ Ｓ₂ （２６６．３２）

【０１５１】
実施例２１：α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド
２１．１．１，２−ビス（メチルチオ）ベンゼン
１，２−ビス（メチルチオ）ベンゼンはＭ．ドッツら（M.Dotze et al),Phosphorus,Sulfur,and Sillicon 1993, 84,95 の手順に従ってチオフェノールから製造される。それは１５４℃／２２ｍｂａｒの沸点をもつやや黄色の油であり、２９％の収量で得られる。
【０１５２】
２１．２． １，２−ビス（メチルチオ）−４−クロロメチルベンゼン
ＡｌＣｌ₃ ４６ｇ（０．３４３ｍｏｌ）を１．２−ジクロロエタン２００ｍｌに懸濁し、そして０℃でホルムアルデヒドジメチルアセタール９．１ｇ（０．１２ｍｏｌ）を加える。次に１，２−ビス−（メチルチオ）ベンゼン１７．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下で添加しそして懸濁液を室温まで加熱する。出発材料がもはやＧＣ分析により検出されなくなったとき、溶液を氷／水中へ注加しそして有機相を取り出して硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒が留去されたとき、１，２−ビス（メチルチオ）−４−クロロメチルベンゼン１２．１ｇ（５５％）を黄色の油の形態で得る。化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ₃ ）は提案した構造と一致する：７．１７−７．１３，ｓ，およびｄ，３芳香族Ｈ；４．５２，ｓ，２Ｈ；２，４４，ｓ，ＣＨ₃ Ｓおよび２，４３，ｓ，ＣＨ₃ Ｓ。
【０１５３】
２１．３．３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド
１．２−ビス（メチルチオ）−４−クロロメチル−ベンゼン４２．５ｇ（０．１９４ｍｏｌ）およびシアン化カリウム２５．３ｇ（０．３８８ｍｏｌ）をＤＭＳＯ，２００ｍｌ中周囲温度で攪拌する。出発材料がもはやＧＣ分析により検出されなくなったとき、褐色溶液を氷／水中へ注加しそして酢酸アセテートによって抽出し、そして有機相を硫酸マグネシウムで乾燥する。３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド３４．８ｇ（８５．７％）を褐色の物質として得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲ−スペクトルデータ（ＣＤＣｌ₃ ）は化合物の提案した構造と一致する：７．２４−７．０６ｐｐｍ（ｓおよびｄ，３芳香族Ｈ），３，７０ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ），２．４７ｐｐｍ（ｓ，ＣＨ₃ Ｓ）および２．４５ｐｐｍ（２ｓ，ＣＨ₃ Ｓ）。
【０１５４】
２１．４．α−ヒドロキシイミノ−３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド
１．１．に記載した方法に従って，３，４−ビス（メチルチオ）−ベンジルシアニド３４．８ｇ（０．１６６ｍｏｌ）を亜硝酸メチル０．１６６ｍｏｌと反応させる。分離後、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド２３．０ｇ（５８％）を１３１−１３３℃の融点をもつ褐色物質として得る。
元素分析： Ｃ₁₀Ｈ₁₀Ｎ₂ ＯＳ₂ （２３８．３３）

【０１５５】
２１．５．α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジチオメチルベンジルシアニド
１．２に記載した方法に従ってα−ヒドロキシイミノ−３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニド１０．０ｇ（０．０４２ｍｏｌ）をトリエチルアミンの存在下、パラ−トルエンスルホン酸クロリド８．８ｇ（０．０４６ｍｏｌ）と反応させる。トルエンからの再結晶後、α−（４−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジチオメチルベンジルシアニド１０．５ｇ（６４％）を１５５−１５７℃で融解するやや黄色の結晶として得る。物質の紫外線スペクトル（アセトニトリル）は４７６ｎｍまで拡がる３４３ｎｍで最大（ε＝１０７１０）のブロードな吸収帯を示す。
【０１５６】
実施例２２：α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−３，４−ジチオメチルベンジルシアニド
１．２に記載された方法に従って、α−ヒドロキシイミノ−３，４−ビス（メチルチオ）ベンジルシアニドをメタンスルホニルクロリド６．９ｇ（０．０６ｍｏｌ）と反応させる。物理データを表Ａに示す。
【０１５７】
実施例２３：９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン
２３．１．３，６−ジフルオロフルオレン−９−オン
３，６−ジフルオロフルオレン−９−オンはJ.Bioorg.Med.Chem.Lett.1991,2,99にＮ．バラスブラマニアンら（N.Balasubramanian et al)により記載された多段階合成に従って製造される。
【０１５８】
２３．２．３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン−９−オン
３．６−ジフルオロフルオレン−９−オン１０．８ｇ（０．０５ｍｏｌ）、２−メルカプトエタノール９．４ｇ（０．１２ｍｏｌ）および炭酸カリウム（２７．６５ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセタミド１３０ｍｌ中、９０℃で６時間加熱する。冷却後、反応混合物を水で希釈し、水相を酢酸エチルで抽出しそして抽出物を硫酸マグネシウムで乾燥させる。溶媒を留去しそして得られた粘稠性の赤色油をシリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル）により精製する。３．６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン−９−オン３．５ｇ（２１％）を橙色固体の形態で得る。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは提案された構造と一致する。
【０１５９】
２３．３．９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン
３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン−９−オン４．８ｇ（０．０１４ｍｏｌ）およびヒドロキシルアンモニウムクロリド２ｇ（０．０２８８ｍｏｌ）をエタノール２５ｍｌおよび水１０ｍｌ中で還流下３時間加熱する。反応混合物を次に氷／水に注加し、酢酸エチルで抽出して乾燥する。蒸発による濃縮後、９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン４．４ｇ（９０％）が黄色の固体の形態で得られる。 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは提案した構造と一致する。
【０１６０】
２３．４．９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン
９−ヒドロキシイミノ−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレン３．８ｇ（０．０１１ｍｏｌ）およびトリエチルアミン１．６７ｇ（０．０１６５ｍｏｌ）をＣＨ₂ Ｃｌ₂ ６０ｍｌに溶解し、そして０℃で４−ドデシルフェニルスルホニルクロリド４．１ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を滴下で添加する。反応混合物を一夜室温で攪拌し、次に得られたアンモニウム塩をろ別する。硫酸マグネシウムにより乾燥させ、残渣をシリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル）にかける。赤色の粘稠性油の部分を分離し、それは ¹Ｈ−ＮＭＲに従えば、９−（４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ）−３，６−ジ（４−ヒドロキシエチルチオ）フルオレンの構造をもつ。
元素分析： Ｃ₃₅Ｈ₄₅ＮＯ₅ Ｓ₃ （６５５．９４）

【０１６１】
実施例２４：３−（パラ−シアノ−１− [４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ] −ベンジル−５，７−ジブトキシ−クマリン
２４．１．３−（パラ−シアノ−１− [ヒドロキシイミノ] −ベンジル）−５，７−ジブトキシ−クマリン
３−（パラ−シアノベンゾイル）−５，７−ジブトキシ−クマリン〔Ｄ．Ｐ．ペヒトら（D.P.Spechtら),Tetrahedron 1982,38,1203によって製造されたもの〕３．９ｇ（０．０１ｍｏｌ）およびヒドロキシアンモニウムクロリド１．４ｇ（０．０２ｍｏｌ）をエタノール５０ｍｌおよび水２０ｍｌの混合物中還流下で１２時間加熱する。冷却後、反応混合物を氷／水に注加しそしてこの相を分離しそして水相を酢酸エチルで２回抽出する。乾燥させおよび溶媒を留去した後、 ¹Ｈ−ＮＭＲに従えば、主な生成物として３−（パラ−シアノ−１− [ヒドロキシイミノ] −ベンジル）−５，７−ジブトキシ−クマリンを含む橙色の粗生成物４．４ｇを得る。粗生成物はさらに精製することなく次の段階に使用される。
【０１６２】
２４．２．３−（パラ−シアノ−１− [４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ] ベンジル）−５，７−ジブトキシ−クマリン
３−（パラ−シアノ−１− [ヒドロキシイミノ] ベンジル）−５，７−ジブトキシ−クマリン４．４ｇ（０．０１１ｍｏｌ）をトリエチルアミン１．６４ｇ（０．０１６ｍｏｌ）の存在下で、４−ドデシルフェニルスルホニルクロリド４．１ｇ（０．０１１８ｍｏｌ）と、実施例１．２．と同様に反応させる。非常に粘稠性のある粗生成物が得られ、それはヘキサンおよび酢酸アセテートに懸濁させる。沈澱した物質をろ過しそして母液を蒸発させる。赤い樹脂として、３−（パラ−シアノ−１− [４−ドデシルフェニルスルホニルオキシイミノ] ベンジル）−５，７−ジブトキシ−クマリン２．３ｇ（１７％）が得られる。
元素分析： Ｃ₄₁Ｈ₅₀Ｎ₂ Ｏ₇ Ｓ （７１４．９１）

【０１６３】
実施例２５−３０：
実施例２５ないし３０の化合物は１．２のに記載された方法に従って相当する抽出物を反応させることによって得られる。構造および物理データを表Ａに列挙する。
【表１】

【０１６４】
実施例３１：フォトレジストの製造
ポリビニルフェノール（Ｍｗ＝２２０００ Poly Science) ６５部、ヘキサ（メトキシメチル）メラミン（登録商標Cymel 303, Cyanamide) ３０部および試験化合物５部を混合し、この混合物の２．５ｇを流れ助剤（flow assistant) 〔ＦＣ４３０〕１０００ｐｐｍを含む１−メトキシ−２−プロピルアセテート７．５ｇに溶解してレジスト溶液を製造する。溶液を直径１０．２ｃｍ（４インチ）をもつシリコンウエハの研磨しそしてヘキサメチルジシラザン処理した側に５０００回転／分で３０秒間スピン塗布する。これは、１μｍの塗布厚となる。塗布されたウエハを１１０℃のホットプレート上で６０秒間乾燥させることにより溶媒を除去する。このように得られた試料を、３６５ｎｍ、４０５ｎｍもしくは４３６ｎｍの波長の光（Cannon PLA 501, 水銀高圧ランプ) に選択的に透過する干渉フィルターを使用して異なるグレースケールの領域をもつマスクを通して画像様（image-wise) に照射する。次に照射による酸放出によって触媒される、照射領域の架橋を行わせるためウエハを１１０℃で６０秒間加熱する。現像は次にテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド２．８％溶液で６０秒間行う。現像前の厚さに相当する現像後の塗膜厚に到るのに必要な放射線量を測定する。この塗膜厚の測定はＺｅｉｓｓ Ａｘｉｏｔｒｏｎ（白色光干渉）を使用して行う。より低い放射線量が要求されるほど、より反応性に富む潜伏性光硬化剤である。
結果を表１に示す。この結果は本発明の光硬化剤を使用することにより、高い感度をもつネガ型フォトレジストが得られることを示す。
表１：

波長４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの光に照射することにより、画像が良好に得られる。
【０１６５】
実施例３２：ポジ型レジストの製造
ａ）バインダーポリマーの製造をＫ．ナカノら（K.Nakano et al.), Proc. SPIE,2438,433-39(1995)：メタクリル酸テトラヒドロ−２Ｈ−ピラニルエステル，メタクリル酸およびメチルメタクリレートのターポリマー、と同様に行う。
２５０ｍｌの丸底フラスコに、テトラヒドロフラン１００ｍｌ中のメタクリル酸テトラヒドロ−２Ｈ−ピラニルエステル８．５１ｇ（５０ｍｍｏｌ）、メチルメタクリレート４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、メタクリル酸０．８６ｇ（１０ｍｍｏｌ）およびアゾ−ビスイソブチロニトリル０．３２ｇの溶液を窒素雰囲気下で７５℃で２０時間攪拌する。反応溶液を冷却し、次にヘキサン１リットルで沈澱させる。生成した沈澱物をろ別しそして高真空（４×１０^-6 ｂａｒ）下で乾燥させ、白色粉体１１．４ｇ（理論値の８５％）を得る。
ＧＰＣ（ポリスチレン較正）：Ｍｎ＝７１００、Ｍｗ＝１９５００，ＰＤ＝２．７
ＴＧＡ（１０℃／分）： １１０−２１０℃間に３２％の重量損失
【０１６６】
ｂ）ポジ型ｉ−線レジスト
１−メトキシ−２−プロピルアセテート４ｇ中に上記製造実施例ａ）からのポリマー０．９８ｇおよび実施例３からの光硬化剤２０ｍｇを溶解することによりレジスト溶液を製造する。溶液を直径７．６５ｃｍ（３インチ）をもつシリコンウエハに３０００回転／分でスピンコーティングする。次いで１００℃で１分間の乾燥により、１．０μｍの塗膜厚をもつ塗膜を得る。ウシオＵＸＭ−５０２ＭＤタイプの水銀蒸気ランプを使用して、狭いバンドの干渉フィルターおよびクロム／石英マスクを通して、３６０ｎｍ、５ｍＪ／ｃｍ² の線量でこの塗膜を画像様に照射する。次にウエハをホットプレート上で１００℃で１分間加熱し次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキサイドの０．０３３Ｎ水溶液で現像し、レジスト塗膜の予め照射したゾーンが溶解され、非照射ゾーンが残る。マスクのポジ型パターンが良好な解像度で得られる。
【０１６７】
実施例３３：
ポリビニルフェノール（Ｍｗ＝５０００ Maruzen Chemicals)６５部、ヘキサ（メトキシメチル）メラミン（登録商標Cymel 303, Cyanamide) ３０部および試験化合物５部を混合し、この混合物の２．５ｇを流れ助剤（flow assistant) 〔ＦＣ４３０，３Ｍ Company〕１０００ｐｐｍを含む１−メトキシ−２−プロピルアセテート７．５ｇに溶解してレジスト溶液を製造する。溶液を直径１０．２ｃｍ（４インチ）をもつシリコンウエハの研磨しそしてヘキサメチルジシラザン処理した側に５０００回転／分で３０秒間スピン塗布する。これは、１μｍの塗布厚となる。塗布されたウエハを１１０℃のホットプレート上で６０秒間乾燥させることにより溶媒を除去する。このように得られた試料を、３６５ｎｍ、４０５ｎｍもしくは４３６ｎｍの波長の光（Cannon PLA 501, 水銀高圧ランプ) に選択的に透過する干渉フィルターを使用して異なるグレースケールの領域をもつマスクを通して画像様（image-wise) に照射する。次に照射による酸放出によって触媒される、照射領域の架橋を行わせるためウエハを１１０℃で６０秒間加熱する。現像は次にテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド２．８％溶液で６０秒間行う。現像前の厚さに相当する現像後の塗膜厚に到るのに必要な放射線量を測定する。この塗膜厚の測定はＺｅｉｓｓ Ａｘｉｏｔｒｏｎ（白色光干渉）を使用して行う。より低い放射線量が要求されるほど、より反応性に富む潜伏性光硬化剤である。
結果を表２に示す。この結果は本発明の光硬化剤を使用することにより、高い感度をもつネガ型フォトレジストが得られることを示す。
表２：

波長４０５ｎｍまたは４３６ｎｍの光に照射することにより、画像が良好に得られる。実施例１１および１７の化合物による、相当する波長における画像がまた得られる。

Claims (10)

1. ａ）酸の作用下で架橋し得る化合物の少なくとも１種および／または
   ｂ）酸の作用下でその溶解度が変化する少なくとも１種の化合物ならびに
   ｃ）光開始剤として、下式（Ｉ）
   

   

   〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
   Ｒ₁は、１またはそれ以上の基ＯＲ₄および／またはＳＲ₄によって置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ、但し、この場合フェニル環はメトキシ基により置換される場合、他の置換基の少なくとも１つが環に存在しなければならない；あるいは
   Ｒ ₁ はＯＲ₄および／またはＳＲ₄により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は、基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
   Ｒ₂はＲ₁の意味の１つを有するか、あるいは未置換のもしくはＣＮ−置換されたフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基；未置換のもしくは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄および／またはＮＲ₅Ｒ₆で置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）n−炭素原子数６ないし１２のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
   Ｒ₁およびＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ₄又はＳＲ₄により置換されており、かつＯ、Ｓ、ＮＲ₅によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し；
   ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇の１またはそれ以上によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって置換されており；あるいは
   ｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
   Ｒ₄は水素原子、未置換であるかもしくはフェニル基、ＯＨ、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数２ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか、あるいはＲ₄はフェニル基を表し；
   Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびに
   Ｒ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される化合物の少なくとも１種からなる光活性化され得る組成物。
2. 酸の作用下で架橋し得る化合物のための光開始剤として、および／または溶解度が酸の作用下で変化する化合物のための溶解抑制剤としての請求項１に記載の式（Ｉ）で表される化合物の使用。
3. 酸の作用下で架橋し得る化合物を架橋させる方法であって、請求項１に記載の式（Ｉ）で表される化合物を上記化合物に添加し、画像様にまたは全ての領域にわたって１８０−６００ｎｍの波長もつ光で照射することからなる方法。
4. 表面塗料、印刷インキ、印刷版、歯科用組成物、カラーフィルター、レジスト材料および画像記録材料の製造における請求項１に記載の組成物の使用。
5. 式（Ｉｂ）
   

   

   〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
   Ｒ₁’’はＯＲ₄および／またはＳＲ₄によって一または多置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ ₁ ’’はＯＲ₄および／またはＳＲ₄により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は、基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
   Ｒ₂はＲ₁’’の意味の１つを有するか、あるいは未置換のフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基；未置換であるかまたは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄および／またはＮＲ₅Ｒ₆で置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）n−炭素原子数６ないし１０のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
   Ｒ₁’’およびＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ₄又はＳＲ₄により置換されており、かつ、Ｏ、Ｓ、ＮＲ₅によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し；
   ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって一または多置換されており；但し、Ｒ₃がフェニル基、３−クロロフェニル基もしくは４−メチルフェニル基である場合、メトキシ置換フェニル環としてのＲ₁は環上に他の置換基の少なくとも１つを含まなければならず、前記他の置換基はしかし、メトキシ基またはメチル基ではなく；かつ、但し置換基ＯＲ₄の２つは１，３−ジオキソラン環を形成しない；あるいはｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
   Ｒ₄は水素原子または、未置換のもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；
   Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびにＲ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される化合物。
6. ３９０ｎｍより上の波長における放射線用の感光性酸供与体としての下式（Ｉａ）
   

   

   〔式中、ｍは０または１を表しおよびｘは１または２を表し；
   Ｒ₁’はＯＲ₄および／またはＳＲ₄により一または多置換されたフェニル基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記フェニル環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；あるいはＲ ₁ ’はＯＲ₄および／またはＳＲ₄により置換されたヘテロアリール基を表し；前記置換基ＯＲ₄およびＳＲ₄は、基Ｒ₄を介して他の置換基と、または前記ヘテロアリール環の炭素原子の一つとともに５−または６−員環を形成することができ；
   Ｒ₂はＲ₁’の意味の１つを有するか、あるいは未置換のフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基；未置換であるかもしくは炭素原子数１ないし６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ₄、ＳＲ₄によりおよび／またはＮＲ₅Ｒ₆により置換されたベンゾイル基；炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、Ｒ₅Ｒ₆Ｎ、モルホリノ基、ピペリジノ基、ＣＮ、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、Ｓ（Ｏ）n−炭素原子数１ないし６のアルキル基（基中、ｎは１または２を表す。）、未置換のもしくは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されたＳ（Ｏ）n−炭素原子数６ないし１２のアリール基（基中、ｎは１または２を表す。）、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数１ないし６のアルキル基、ＳＯ₂Ｏ−炭素原子数６ないし１０のアリール基またはＮＨＣＯＮＨ₂基を表すか；あるいは
   Ｒ₁’およびＲ₂は、適当ならばＣＯ基と一緒になって、１またはそれ以上のベンゾ基が縮合していてもよい５−または６−員環であって、ＯＲ₄又はＳＲ₄により置換されており、かつ、Ｏ、Ｓ、ＮＲ₅によっておよび／またはＣＯによってさらに中断されていてもよい環を形成し；
   ｘが１のとき、Ｒ₃は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、カンホリル基、炭素原子数１ないし１０のハロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラシル基またはフェナントリル基を表し；前記フェニル基、ナフチル基、アントラシル基およびフェナントリル基は未置換であるかまたはハロゲン、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、ＣＮ、ＮＯ₂、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、ＯＲ₄、ＣＯＯＲ₇、−ＯＣＯ−炭素原子数１ないし４のアルキル基、ＳＯ₂ＯＲ₇によっておよび／またはＲ₅Ｒ₆Ｎによって一または多置換されており；あるいはｘが２のとき、Ｒ₃は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基を表し；前記フェニレン基、ナフチレン基、
   

   

   、ジフェニレン基またはオキシジフェニレン基は未置換であるかまたは炭素原子数１ないし１２のアルキル基で置換されており；
   Ｒ₄は水素原子または、未置換であるかまたはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；Ｒ₅およびＲ₆は各々互いに独立して、水素原子または、未置換であるかもしくはＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基によっておよび／または炭素原子数１ないし６のアルカノイル基によって置換され、およびさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい、炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表すか；あるいはＲ₅およびＲ₆はフェニル基、炭素原子数１ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし６のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、（４−メチルフェニル）スルホニル基、ナフチルスルホニル基、アントラシルスルホニル基またはフェナントリルスルホニル基を表すか、あるいは、Ｒ₅およびＲ₆はそれらに結合している窒素原子と一緒になって、−Ｏ−によりもしくは−ＮＲ₄−により中断されていてもよい５−、６−または７−員環を形成し；ならびにＲ₇は未置換であるかまたはＯＨによりおよび／または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換され、そしてさらに−Ｏ−によって中断されていてもよい炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表す。〕で表される化合物の使用。
7. ３９０ｎｍより上の波長における放射線用のフォトレジストにおける感光性酸供与体としての請求項１に記載の式（Ｉ）、請求項６に記載の（Ｉａ）または請求項５に記載の（Ｉｂ）で表される化合物の使用。
8. フォトレジストがオキシムスルホネートとして請求項１に記載の式（Ｉ）、請求項６に記載の（Ｉａ）または請求項５に記載の（Ｉｂ）で表される化合物を含む、感光性酸供与体としてのオキシムスルホネートをベースとする３９０ｎｍより上の波長における放射線用のフォトレジスト。
9. 感光性酸供与体として、請求項１に記載の式（Ｉ）、請求項６に記載の（Ｉａ）または請求項５に記載の（Ｉｂ）で表される化合物を含む、化学的に増幅されたレジスト。
10. 表面塗料、印刷インキ、印刷版、歯科用組成物、カラーフィルター、レジスト材料または画像記録材料、あるいはホログラフィー画像を記録するための画像記録材料の製造において、３９０ｎｍより上の波長における放射線用の感光性酸供与体としての、請求項１に記載の式（Ｉ）、請求項６に記載の（Ｉａ）または請求項５に記載の（Ｉｂ）で表される化合物の使用。