JP3972133B2 - ウエハ処理液及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウエハの処理液、及びウエハ処理液を得る方法、更に詳しくはシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止するシリコンウエハの処理液及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶からなる半導体基板（ウエハ）上にＬＳＩを形成する半導体集積回路装置の製造工程では、基板表面の酸化膜（ＳｉＯ2）をパターニングしたり、熱処理工程で基板表面に形成される自然酸化膜を除去したりする際に、フッ酸（ＨＦ）水溶液を用いたウエットエッチング処理が行われる。またＳｉＯ2表面のエッチング処理にはフッ酸（ＨＦ）水溶液やバッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）で処理が行われる。またＳｉ3Ｎ4のエッチング処理にはリン酸（Ｈ3ＰＯ4）水溶液で処理が行われる。またＳｉ表面のエッチング処理にはフッ酸（ＨＦ）−硝酸（ＨＮＯ3）水溶液あるいは、フッ酸（ＨＦ）−硝酸（ＨＮＯ3）−酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）水溶液で処理が行われる。また配線形成工程などで基板の表面に付着した金属を除去する際には、フッ酸（ＨＦ）水溶液、フッ酸（ＨＦ）−過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）水溶液、あるいは塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）水溶液を用いたウエット洗浄処理が行われる。これらのウエット洗浄処理においては、上記酸化膜や金属等を除去した後の活性な基板の表面に異物が付着するのを防止するため、エッチング液又は洗浄液を循環濾過させるなど、エッチング液又は洗浄液の清浄度を保つ工夫が必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが集積回路の微細化に伴い、上記エッチング液又は洗浄液にはさらに高い清浄度が求められているにもかかわらず、ウエハプロセスの増加やウエハの大口径化により、処理槽に持ち込まれる異物はむしろ増加する傾向にある。
そのため、これまでに上記の処理液などに界面活性剤を添加する技術が開発されているが、いずれの方法においても、高濃度のＨＦ、或いはＨ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び一般式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドに界面活性剤を溶解度まで溶解させても、希釈または他薬品と混合した場合、界面活性剤が薄まってしまい粒子付着を低減する効果が得られなくなるといった問題がある。また、界面活性剤を希釈または他薬品との混合時に添加した場合でも、手間がかかるだけでなく、充分な粒子付着低減効果を得るためには、界面活性剤を多量に添加する必要があり、泡立ちが激しくなってしまうといった問題が生じていた。
【０００４】
本発明者らはこのような観点から、低濃度のフッ酸等にアニオン系界面活性剤もしくは非イオン系界面活性剤を添加した処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する方法（特許文献１参照）を提案したが、保管及び運搬効率に劣るという問題があった。また、このような特許文献１に記載の界面活性剤が高濃度のフッ酸に高濃度に溶解するか否か不明であった。
【特許文献１】
特開平６−４１７７０号公報
【０００５】
本発明の目的はウエハ表面を洗浄処理又はエッチング処理するにおいて、特定の界面活性剤を高濃度のＨＦ、或いはＨ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び一般式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］-ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドに含有させても、泡立ちが問題とならず溶解性に優れ、保管及び運搬効率が高く、且つ使用時に希釈して低濃度にした場合にもウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れたウエハの処理液を提供することにある。
【０００６】
また本発明の目的はウエハ表面を洗浄処理又はエッチング処理するにおいて、シリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れたウエハの処理液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は２０〜６０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液、及びこの処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて低濃度のウエハ処理液を製造する方法に係る。
【０００８】
また本発明はＨＦ、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドの少なくとも１種に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）、ＣnＨ2n+1ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）及び、ＣnＨ2n-1Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液に係る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエハ処理液は半導体素子の微細化、高集積化に対応して、洗浄もしくはエッチングを湿式で行う場合極めて有効なものである。本発明の処理液は特定の界面活性剤を高濃度のフッ酸に含有させても、泡立ちが問題とならず溶解性に優れ、保管及び運搬効率が高く、且つ使用時に希釈して低濃度にした場合にもウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れている。また、ウエハ表面に付着する微粒子数が、本発明の処理液を使用することで減少することになるので歩留まりが向上する。
【００１０】
本発明においては、上記特定の界面活性剤を添加した、フッ化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）、フッ酸過酸化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、フッ硝酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−Ｈ2Ｏ）、フッ硝酸酢酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｈ2Ｏ）、バッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）、塩酸過酸化水素水溶液（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、リン酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4−Ｈ2Ｏ）、アンモニウムヒドロキシド過酸化水素水溶液（［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）等の洗浄及びエッチング処理液を得ることができる。
本発明においては、特定の界面活性剤を含有させた高濃度のフッ化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）系のウエハ処理液を得ることができ、このウエハ処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて上記各種のウエハ処理液を調製した場合にも同等の効果を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明において上記界面活性剤を含有させたフッ酸水溶液からなるウエハ処理液においては、フッ酸濃度は２０〜６０ｗｔ％が好ましく、界面活性剤濃度は０．１〜１０００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【００１２】
これらのウエハ処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて各種のウエハ処理液を調製する場合、フッ酸水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５ｗｔ％が好ましい。フッ酸過酸化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜１０ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．０１〜３０ｗｔ％が好ましい。フッ硝酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５０ｗｔ％、ＨＮＯ3濃度は０．１〜７０ｗｔ％が好ましい。フッ硝酸酢酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５０ｗｔ％、ＨＮＯ3濃度は０．１〜７０ｗｔ％、ＣＨ3ＣＯＯＨ濃度は０．１〜５０ｗｔ％が好ましい。バッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜１０ｗｔ％、ＮＨ4Ｆ濃度は１〜４０ｗｔ％が好ましい。塩酸過酸化水素水溶液（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においては塩酸濃度は０．１〜３６ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．１〜３０ｗｔ％が好ましい。リン酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4−Ｈ2Ｏ）においてはリン酸濃度は１〜９０ｗｔ％が好ましい。第４級アンモニウム塩過酸化水素水溶液（［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においてはアンモニウムヒドロキシド濃度は０．０１〜１０ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．０１〜３０ｗｔ％が好ましい。
【００１３】
本発明で用いられるアンモニウムヒドロキシドは式
［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表される。アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等を挙げることができる。具体的な化合物としては例えば［ＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3］+ＯＨ-（コリン）、〔（ＣＨ3）4Ｎ〕+ＯＨ-、〔（Ｃ2Ｈ5）4Ｎ〕+ＯＨ-等を挙げることができる。
【００１４】
本発明で用いられる界面活性剤としては式ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）、ＣnＨ2n+1ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）及び、ＣnＨ2n+1Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤が好ましい。ここで塩としてはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二もしくは第三アミン塩等を挙げることができる。
【００１５】
アミンとしてはＣＨ3ＮＨ2，（ＣＨ3）2ＮＨ，（ＣＨ3）3Ｎ等を挙げることができる。
具体例としてはＣ12Ｈ25ｐｈ（ＳＯ3Ｈ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｈ）、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2ＳＯ3Ｈ、Ｃ9Ｈ19ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ3Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｈ19ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）6ＳＯ3Ｈ及びこれらの金属塩、アンモニウム塩、第一、第二もしくは第三アミン塩等を挙げることができる。界面活性剤濃度はいずれも０．０１〜１０００ｐｐｍ、特に０．０１〜１００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【実施例】
【００１６】
以下に実施例及び比較例を挙げて説明する。
【００１７】
実施例１〜３及び比較例１〜５
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハを０．５％ＨＦ水溶液に標準粒子として粒径約０．６μm のポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表１に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（日立電子エンジニアリング製ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表１に示す。表１の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
実施例４〜５及び比較例６〜９
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハを希フッ酸過酸化水素水溶液〔ＨＦ（０．５％）−Ｈ2Ｏ2（１０％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表２に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表２に示す。表２の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２０】
【表２】
【００２１】
実施例６及び比較例１０〜１３
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハをフッ硝酸水溶液〔ＨＦ（１％）−ＨＮＯ3（５％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表３に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表３に示す。表３の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２２】
【表３】
【００２３】
実施例７〜８及び比較例１４〜１７
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハをハッファードフッ酸水溶液〔ＨＦ（６％）−ＮＨ4Ｆ（３０％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表４に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。
その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表４に示す。表４の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２４】
【表４】
【００２５】
実施例９及び比較例１８〜２１
自然酸化膜を除去した４インチシリコンウエハを塩酸過酸化水素水溶液〔ＨＣｌ（３６％）：Ｈ2Ｏ2（３０％）：Ｈ2Ｏ＝１：１：６（容量比）〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表４に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液を８０℃に加熱し、１０分間浸漬した。その後超純水でリンス→０．５％ＨＦによる自然酸化膜の除去→超純水リンス→乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表５に示す。表５の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２６】
【表５】
【００２７】
実施例１０及び比較例２２〜２５
膜厚１００ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜の付いた５インチシリコンウエハを８５ｗｔ％のＨ3ＰＯ4に標準粒子として粒径約０．６μm のポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表６に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液を１５０℃に加熱し、１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表６に示す。表６の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２８】
【表６】
【００２９】
実施例１１〜１６及び比較例２６〜２９
自然酸化膜を除去した４インチシリコンウエハ及び熱酸化膜付４インチウエハをコリン過酸化水素水溶液〔［ＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3］+ＯＨ-（０．１％）−Ｈ2Ｏ2（２％）−Ｈ2Ｏ〕（６０〜７０℃）に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表７に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。
その後、超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表７に示す。表７の付着粒子数は各３枚づつのウエハを処理し、３枚の平均値を記載した。
【００３０】
【表７】
【０００１】
本発明はシリコンウエハの処理液、及びウエハ処理液を得る方法、更に詳しくはシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止するシリコンウエハの処理液及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶からなる半導体基板（ウエハ）上にＬＳＩを形成する半導体集積回路装置の製造工程では、基板表面の酸化膜（ＳｉＯ2）をパターニングしたり、熱処理工程で基板表面に形成される自然酸化膜を除去したりする際に、フッ酸（ＨＦ）水溶液を用いたウエットエッチング処理が行われる。またＳｉＯ2表面のエッチング処理にはフッ酸（ＨＦ）水溶液やバッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）で処理が行われる。またＳｉ3Ｎ4のエッチング処理にはリン酸（Ｈ3ＰＯ4）水溶液で処理が行われる。またＳｉ表面のエッチング処理にはフッ酸（ＨＦ）−硝酸（ＨＮＯ3）水溶液あるいは、フッ酸（ＨＦ）−硝酸（ＨＮＯ3）−酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）水溶液で処理が行われる。また配線形成工程などで基板の表面に付着した金属を除去する際には、フッ酸（ＨＦ）水溶液、フッ酸（ＨＦ）−過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）水溶液、あるいは塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）水溶液を用いたウエット洗浄処理が行われる。これらのウエット洗浄処理においては、上記酸化膜や金属等を除去した後の活性な基板の表面に異物が付着するのを防止するため、エッチング液又は洗浄液を循環濾過させるなど、エッチング液又は洗浄液の清浄度を保つ工夫が必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが集積回路の微細化に伴い、上記エッチング液又は洗浄液にはさらに高い清浄度が求められているにもかかわらず、ウエハプロセスの増加やウエハの大口径化により、処理槽に持ち込まれる異物はむしろ増加する傾向にある。
そのため、これまでに上記の処理液などに界面活性剤を添加する技術が開発されているが、いずれの方法においても、高濃度のＨＦ、或いはＨ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び一般式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドに界面活性剤を溶解度まで溶解させても、希釈または他薬品と混合した場合、界面活性剤が薄まってしまい粒子付着を低減する効果が得られなくなるといった問題がある。また、界面活性剤を希釈または他薬品との混合時に添加した場合でも、手間がかかるだけでなく、充分な粒子付着低減効果を得るためには、界面活性剤を多量に添加する必要があり、泡立ちが激しくなってしまうといった問題が生じていた。
【０００４】
本発明者らはこのような観点から、低濃度のフッ酸等にアニオン系界面活性剤もしくは非イオン系界面活性剤を添加した処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する方法（特許文献１参照）を提案したが、保管及び運搬効率に劣るという問題があった。また、このような特許文献１に記載の界面活性剤が高濃度のフッ酸に高濃度に溶解するか否か不明であった。
【特許文献１】
特開平６−４１７７０号公報
【０００５】
本発明の目的はウエハ表面を洗浄処理又はエッチング処理するにおいて、特定の界面活性剤を高濃度のＨＦ、或いはＨ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び一般式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］-ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドに含有させても、泡立ちが問題とならず溶解性に優れ、保管及び運搬効率が高く、且つ使用時に希釈して低濃度にした場合にもウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れたウエハの処理液を提供することにある。
【０００６】
また本発明の目的はウエハ表面を洗浄処理又はエッチング処理するにおいて、シリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れたウエハの処理液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は２０〜６０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液、及びこの処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて低濃度のウエハ処理液を製造する方法に係る。
【０００８】
また本発明はＨＦ、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4及び式［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドの少なくとも１種に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）、ＣnＨ2n+1ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）及び、ＣnＨ2n-1Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液に係る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエハ処理液は半導体素子の微細化、高集積化に対応して、洗浄もしくはエッチングを湿式で行う場合極めて有効なものである。本発明の処理液は特定の界面活性剤を高濃度のフッ酸に含有させても、泡立ちが問題とならず溶解性に優れ、保管及び運搬効率が高く、且つ使用時に希釈して低濃度にした場合にもウエハ表面の微粒子による汚染を防止する作用に優れている。また、ウエハ表面に付着する微粒子数が、本発明の処理液を使用することで減少することになるので歩留まりが向上する。
【００１０】
本発明においては、上記特定の界面活性剤を添加した、フッ化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）、フッ酸過酸化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、フッ硝酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−Ｈ2Ｏ）、フッ硝酸酢酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｈ2Ｏ）、バッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）、塩酸過酸化水素水溶液（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、リン酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4−Ｈ2Ｏ）、アンモニウムヒドロキシド過酸化水素水溶液（［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）等の洗浄及びエッチング処理液を得ることができる。
本発明においては、特定の界面活性剤を含有させた高濃度のフッ化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）系のウエハ処理液を得ることができ、このウエハ処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて上記各種のウエハ処理液を調製した場合にも同等の効果を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明において上記界面活性剤を含有させたフッ酸水溶液からなるウエハ処理液においては、フッ酸濃度は２０〜６０ｗｔ％が好ましく、界面活性剤濃度は０．１〜１０００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【００１２】
これらのウエハ処理液に水、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ等を加えて各種のウエハ処理液を調製する場合、フッ酸水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５ｗｔ％が好ましい。フッ酸過酸化水素水溶液（ＨＦ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜１０ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．０１〜３０ｗｔ％が好ましい。フッ硝酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５０ｗｔ％、ＨＮＯ3濃度は０．１〜７０ｗｔ％が好ましい。フッ硝酸酢酸水溶液（ＨＦ−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜５０ｗｔ％、ＨＮＯ3濃度は０．１〜７０ｗｔ％、ＣＨ3ＣＯＯＨ濃度は０．１〜５０ｗｔ％が好ましい。バッファードフッ酸水溶液（ＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ）においてはフッ酸濃度は０．１〜１０ｗｔ％、ＮＨ4Ｆ濃度は１〜４０ｗｔ％が好ましい。塩酸過酸化水素水溶液（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においては塩酸濃度は０．１〜３６ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．１〜３０ｗｔ％が好ましい。リン酸水溶液（Ｈ3ＰＯ4−Ｈ2Ｏ）においてはリン酸濃度は１〜９０ｗｔ％が好ましい。第４級アンモニウム塩過酸化水素水溶液（［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）においてはアンモニウムヒドロキシド濃度は０．０１〜１０ｗｔ％、Ｈ2Ｏ2濃度は０．０１〜３０ｗｔ％が好ましい。
【００１３】
本発明で用いられるアンモニウムヒドロキシドは式
［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表される。アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等を挙げることができる。具体的な化合物としては例えば［ＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3］+ＯＨ-（コリン）、〔（ＣＨ3）4Ｎ〕+ＯＨ-、〔（Ｃ2Ｈ5）4Ｎ〕+ＯＨ-等を挙げることができる。
【００１４】
本発明で用いられる界面活性剤としては式ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）、ＣnＨ2n+1ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）及び、ＣnＨ2n+1Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤が好ましい。ここで塩としてはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二もしくは第三アミン塩等を挙げることができる。
【００１５】
アミンとしてはＣＨ3ＮＨ2，（ＣＨ3）2ＮＨ，（ＣＨ3）3Ｎ等を挙げることができる。
具体例としてはＣ12Ｈ25ｐｈ（ＳＯ3Ｈ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｈ）、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2ＳＯ3Ｈ、Ｃ9Ｈ19ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ3Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｈ19ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）6ＳＯ3Ｈ及びこれらの金属塩、アンモニウム塩、第一、第二もしくは第三アミン塩等を挙げることができる。界面活性剤濃度はいずれも０．０１〜１０００ｐｐｍ、特に０．０１〜１００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【実施例】
【００１６】
以下に実施例及び比較例を挙げて説明する。
【００１７】
実施例１〜３及び比較例１〜５
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハを０．５％ＨＦ水溶液に標準粒子として粒径約０．６μm のポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表１に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（日立電子エンジニアリング製ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表１に示す。表１の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００１８】
【表１】
実施例４〜５及び比較例６〜９
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハを希フッ酸過酸化水素水溶液〔ＨＦ（０．５％）−Ｈ2Ｏ2（１０％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表２に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表２に示す。表２の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２０】
【表２】
実施例６及び比較例１０〜１３
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハをフッ硝酸水溶液〔ＨＦ（１％）−ＨＮＯ3（５％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表３に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表３に示す。表３の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２２】
【表３】
実施例７〜８及び比較例１４〜１７
自然酸化膜のついた４インチシリコンウエハをハッファードフッ酸水溶液〔ＨＦ（６％）−ＮＨ4Ｆ（３０％）−Ｈ2Ｏ〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表４に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。
その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表４に示す。表４の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２４】
【表４】
実施例９及び比較例１８〜２１
自然酸化膜を除去した４インチシリコンウエハを塩酸過酸化水素水溶液〔ＨＣｌ（３６％）：Ｈ2Ｏ2（３０％）：Ｈ2Ｏ＝１：１：６（容量比）〕に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表４に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液を８０℃に加熱し、１０分間浸漬した。その後超純水でリンス→０．５％ＨＦによる自然酸化膜の除去→超純水リンス→乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表５に示す。表５の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２６】
【表５】
実施例１０及び比較例２２〜２５
膜厚１００ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜の付いた５インチシリコンウエハを８５ｗｔ％のＨ3ＰＯ4に標準粒子として粒径約０．６μm のポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表６に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液を１５０℃に加熱し、１０分間浸漬した。その後超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってシリコンウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表６に示す。表６の付着粒子数は各２枚づつのシリコンウエハを処理し、２枚の平均値を記載した。
【００２８】
【表６】
実施例１１〜１６及び比較例２６〜２９
自然酸化膜を除去した４インチシリコンウエハ及び熱酸化膜付４インチウエハをコリン過酸化水素水溶液〔［ＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3］+ＯＨ-（０．１％）−Ｈ2Ｏ2（２％）−Ｈ2Ｏ〕（６０〜７０℃）に標準粒子として粒径約０．６μmのポリスチレンラテックスを微粒子数が１０5個／mlになるように添加し、さらに表７に示す各種の界面活性剤を添加して調合した処理液の中に１０分間浸漬した。
その後、超純水でリンスし乾燥した後、レーザー表面検査装置（ＬＳ−５０００）を使ってウエハ表面に付着した微粒子数を測定した。結果を表７に示す。表７の付着粒子数は各３枚づつのウエハを処理し、３枚の平均値を記載した。
【００３０】
【表７】
Claims (15)
- ２０〜６０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- 請求項１の処理液を水で希釈して、０．１〜５ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．０１〜１００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液を製造する方法。
- 請求項１の処理液に水、Ｈ2Ｏ2を加えて、０．１〜１０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、０．０１〜３０ｗｔ％のＨ2Ｏ2に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．０１〜１００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液を製造する方法。
- 請求項１の処理液に水、ＨＮＯ3を加えて、０．１〜５０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、０．１〜７０ｗｔ％のＨＮＯ3に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．０１〜１００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液を製造する方法。
- 請求項４の処理液に更にＣＨ3ＣＯＯＨを０．１〜５０ｗｔ％となるように加えるウエハ処理液の製造方法。
- 請求項１の処理液に水、ＮＨ4Ｆを加えて、０．１〜１０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、１〜４０ｗｔ％のＮＨ4Ｆに、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）が０．０１〜１００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液を製造する方法。
- ０．１〜５ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- ０．１〜１０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、０．０１〜３０ｗｔ％のＨ2Ｏ2に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- ０．１〜５０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、０．１〜７０ｗｔ％のＨＮＯ3に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- 更にＣＨ3ＣＯＯＨを０．１〜５０ｗｔ％含む請求項９のウエハ処理液。
- ０．１〜１０ｗｔ％のフッ化水素（ＨＦ）、１〜４０ｗｔ％のＮＨ4Ｆに、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- ０．１〜３６ｗｔ％のＨＣｌ、０．１〜３０ｗｔ％のＨ2Ｏ2に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- １〜９０ｗｔ％のＨ3ＰＯ4に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
- ０．０１〜１０ｗｔ％の式
［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-
（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシド、０．０１〜３０ｗｔ％のＨ2Ｏ2に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）、ＣnＨ2n+1ｐｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）及び、ＣnＨ2n+1Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ（ｎは５〜２０、ｍは０〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。 - Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4Ｆ、ＨＣｌ及び式
［（Ｒ1）（Ｒ2）（Ｒ3）（Ｒ4）Ｎ］+ＯＨ-
（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ水酸基を有しても良い炭素数１〜６のアルキル基を示す）で表されるアンモニウムヒドロキシドの少なくとも１種に、ＣnＨ2n+1ｐｈ（ＳＯ3Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ3Ｍ）（ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜２０、Ｍは水素または塩を示す）で表される界面活性剤の少なくとも１つが０．０１〜１０００ｐｐｍ溶解し残部が水（合計１００ｗｔ％）からなるウエハ処理液。
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| US6165956A (en) * | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film |
| JP2000091289A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6358847B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Lam Research Corporation | Method for enabling conventional wire bonding to copper-based bond pad features |
| JP4344855B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2009-10-14 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 電子デバイス用基板の有機汚染防止法及び有機汚染を防止した電子デバイス用基板 |
| US6303506B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-10-16 | Infineon Technologies Ag | Compositions for and method of reducing/eliminating scratches and defects in silicon dioxide during CMP process |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US6627587B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
| KR100777701B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조 방법 |
| CN100371809C (zh) * | 2001-07-06 | 2008-02-27 | 三星电子株式会社 | 用于线路的蚀刻液、制造线路的方法和包括此方法的制造薄膜晶体管阵列板的方法 |
| KR20030010180A (ko) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 김경진 | 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| US6610599B1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-08-26 | Lucent Technologies Inc. | Removal of metal veils from via holes |
| JP4434950B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2010-03-17 | ダイキン工業株式会社 | 剥離液 |
| TWI233157B (en) * | 2002-09-17 | 2005-05-21 | M Fsi Ltd | Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system |
| JP4498726B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-07-07 | Ｋｉｓｃｏ株式会社 | 洗浄剤 |
| JP4400281B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-01-20 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの結晶欠陥評価方法 |
| JP2008521246A (ja) * | 2004-11-19 | 2008-06-19 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 半導体用途のための選択的除去化学薬品、この製造方法およびこの使用 |
| KR100588217B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-06-08 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 |
| US7687446B2 (en) | 2006-02-06 | 2010-03-30 | United Microelectronics Corp. | Method of removing residue left after plasma process |
| US7935242B2 (en) * | 2006-08-21 | 2011-05-03 | Micron Technology, Inc. | Method of selectively removing conductive material |
| EP2268765A4 (en) * | 2008-03-07 | 2011-10-26 | Advanced Tech Materials | UNSELECTIVE OXIDIZE WET CLEANING AGENT AND USE |
| KR101520921B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2015-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| US7989346B2 (en) * | 2009-07-27 | 2011-08-02 | Adam Letize | Surface treatment of silicon |
| DE102011050136A1 (de) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht |
| KR20120029767A (ko) * | 2010-09-17 | 2012-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반도체 발광소자 제조 방법 |
| CN102312239B (zh) * | 2011-08-23 | 2013-06-26 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种对硅片表面的硅浆进行腐蚀的化学腐蚀液及其腐蚀方法 |
| JP5873270B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-03-01 | 富士フイルム株式会社 | エッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及び半導体基板製品の製造方法 |
| CN102306687B (zh) * | 2011-09-28 | 2012-12-05 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法 |
| CN102496657A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-06-13 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法 |
| CN104485388A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-01 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法 |
| CN108465164B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-11-12 | 于许善 | 一种基于超声波治疗骨愈装置 |
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Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4055458A (en) * | 1975-08-07 | 1977-10-25 | Bayer Aktiengesellschaft | Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant |
| JPS6084866A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Seiko Epson Corp | 読み出し専用メモリ− |
| US4517106A (en) * | 1984-04-26 | 1985-05-14 | Allied Corporation | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions |
| US5132038A (en) * | 1988-04-25 | 1992-07-21 | Macdermid, Incorporated | Composition for preparing printed circuit through-holes for metallization |
| US5277835A (en) * | 1989-06-26 | 1994-01-11 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Surface treatment agent for fine surface treatment |
| JP2808799B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1998-10-08 | ソニー株式会社 | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
| JP3075778B2 (ja) * | 1991-08-01 | 2000-08-14 | 株式会社東芝 | 半導体基体の表面処理方法 |
| JPH0641770A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-15 | Daikin Ind Ltd | シリコンウエハ表面の処理方法 |
| JPH0684866A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Hitachi Ltd | 異物付着防止方法 |
| JPH0745600A (ja) * | 1993-01-20 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | 液中異物付着防止溶液とそれを用いたエッチング方法及び装置 |
| JPH06302574A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Sony Corp | 洗浄方法とそれに用いる処理剤 |
| JPH07183288A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ処理剤 |
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| US6068788A (en) * | 1995-11-15 | 2000-05-30 | Daikin Industries, Ltd. | Wafer-cleaning solution and process for the production thereof |
| JP3963287B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2007-08-22 | 株式会社アイ・エイチ・アイ・エアロスペース | ブースタロケットの結合装置 |
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