JP3937457B2 - 半導体集積回路、動作状態検出器及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、外部電圧源より供給された電源電圧を昇圧もしくは降圧させて一定の電圧を生成する定電圧発生部と、前記定電圧発生部で生成された一定の電圧を電源の電圧供給源とする機能ブロックを有する半導体集積回路およびそれを用いた電子機器の改良に関する。
[背景技術]
この種の半導体集積回路の一例を図11に示す。図11において、外部電圧源1より得られる基準電源電圧2は、定電圧発生装置3に供給される。定電圧発生装置3は、基準電源電圧2に基づいて一定の定電圧4を生成して、電源電圧として第1,第2の機能ブロック6A,6Bに供給する。第1,第2の機能ブロック6A,6Bは、任意の入力信号5A,5Bをそれぞれ特定の機能に基づいて変換して、特定の機能を有する出力信号7A,7Bを生成する。さらに、第1,第2の機能ブロック6A,6Bの待機状態においては、機能停止信号8A,8Bにより入力信号5A,5Bをそれぞれ抑制することで、第1,第2の機能ブロック6A,6Bの動作をそれぞれ停止し、定電圧出力4より供給される電源電流を低減していた。
従来の半導体集積回路は、任意の入力信号5A,5Bを特定の機能に変換して出力する全ての動作状態において最高動作速度で応答が可能となる定電圧4が必要であった。
しかしながら、第1,第2の機能ブロック6A,6Bの全ての動作状態で、最高の動作速度で応答可能な定電圧4が供給された場合に、一方の機能ブロック5Aでの動作速度を最高とする必要があっても、他方の機能ブロック5Bではそれほど動作速度が速く求められない場合がある。動作状態における最高動作速度と最低動作速度の差が極端に違う場合として、半導体集積回路内にデータアクセス回路及び周波数変換器を共に配置する場合を挙げることができる。
従来技術によれば、このような場合にも一方の機能ブロック6Aでの最高応答速度に対応した高い電源電圧を必要とし、電力消費量を制限することができなかった。
また、従来技術では、待機時の動作電流を減少させることはできても、動作状態における電源電圧は機能ブロックの最高動作速度での信号応答を実現可能な電圧値が供給されていたために、動作状態における最高動作速度と最低動作速度の差が極端に違う回路が半導体集積回路内に併存する場合には、動作中に多くの動作電流を消費してしまっていた。このため、各機能ブロックが必要とする最高動作速度と最低動作速度での回路応答速度の確保と、電源電流の低減を同時に実現することが困難であった。
また、複数の機能ブロックをそれぞれ構成するMOSトランジスタは、製造工程の時半導体ウエハ面内の不均一性に起因して、しきい値が異なる場合がある。このため、動作速度が同じ各機能ブロックに同一の電源電圧を供給しても、各機能ブロック毎に周波数応答速度が異なってしまうという課題もあった。
本発明の目的は、上述した課題を解決し、最高動作速度と最低動作速度の差が極端に違う回路が半導体集積回路内に併存する場合にも、動作中にながれる動作電流を少なくして消費電力を低減することができる半導体集積回路及びそれを用いた電子機器を提供することにある。
本発明の他の目的は、複数の機能ブロックをそれぞれ構成するMOSトランジスタのしきい値が製造時の要因により異なる場合であって、動作速度が同じ各機能ブロックに同一の電源電圧を供給しても、各機能ブロック毎に周波数応答速度がばらつくことを低減することができる半導体集積回路及びそれを用いた電子機器を提供することにある。
[発明の開示]
本発明に係る半導体集積回路は、
少なくとも一つの外部電源より供給された電源電圧を、基準電圧に基づいて昇圧もしくは降圧させて少なくとも一つの定電圧を生成する少なくとも一つの定電圧発生部と、
前記定電圧発生部で生成された前記少なくとも一つの定電圧が供給される少なくとも一つの機能ブロックと、
前記少なくとも一つの機能ブロックの動作速度情報を有する第1の信号に基づいて、前記少なくとも一つの機能ブロッの動作状態を示す第2の信号を生成する少なくとも一つの動作状態検出部と、
前記第2の信号に基づいて、前記機能ブロックの動作状態を符号化して、動作状態データを生成する少なくとも一つの動作状態符号化部と、
前記動作状態データに基づいて、前記定電圧発生部の前記基準電圧を変更する少なくとも一つの電圧出力制御部と、
を有することを特徴とする。
本発明の半導体集積回路では、機能ブロックの動作速度情報(実動作周波数)を有する第1の信号に基づいて、その機能ブロッの動作状態を示す第2の信号を生成し、それに基づいて機能ブロックの動作に必要とされる最適な電源電圧を得る事が可能となる。さらに本発明の半導体集積回路によれば、製造工程上で発生するMOSトランジスタのしきい値が設計値に対して変動しても、機能ブロックの動作速度に応じた最適な電源電圧を供給する事をも実現できる。
以上により本発明によれば、高速な動作を必要とする信号期間から低速な動作での応答で十分な信号期間の各々の機能ブロックの動作に応じて、最適な電源電圧を設定できることにより、消費電力を低減できるいう効果を奏することができる。
本発明では、機能ブロックには動作設定信号が入力され、機能ブロックは、動作設定信号がアクティブの時に第1の信号を動作検出状態検出部に供給する構成とすることが好ましい。
この場合、動作設定信号は、複数の機能ブロックに対して時間軸で異なるタイミングにてアクティブになるように設定するとよい。
こうすると、複数の機能ブロックに対して、それぞれ一つの動作状態検出器、動作状態符号化部、電圧出力制御部及び前記定電圧発生部を共用することができる。
本発明では、電圧出力制御部は、動作状態データをディジタル−アナログ変換するディジタル−アナログ変換器と、ディジタル−アナログ変換器の出力を動作設定信号に基づいてサンプリングして基準電圧を生成するサンプル−ホールド回路とを有する構成とすることができる。こうすると、各機能ブロックの最適な定電圧を確保するために、各機能ブロック固有の基準電圧を保持つ続けることができる。
本発明ではさらに、動作状態検出部は、第1の信号を積分する積分器と、積分器の出力のピーク値を検出してピーク値を第2の信号として保持するピーク検出器とを有する構成とすることができる。
本発明ではさらに、上述のピーク検出器に代えて積分器の出力の振幅電圧を検出して、その振幅電圧値を第2の信号として保持するピーク トゥ ピーク検出器を用いることができる。
こうすると、製造工程時の条件によりP,N型トランジスタのしきい値が設計値と異なって、積分器出力の立ち上がりと立ち下がりで振幅が異なる場合であっても、正確に負帰還をかけることができる。
本発明ではさらに、動作状態符号化部は、第2の信号の電圧値を複数種の参照電圧値とそれぞれ比較する複数の比較器と、複数の比較器の出力を符号化すエンコーダとを有する構成とすることができる。これにより、第2の信号を用いて負帰還をかけるための符号化が容易となる。
本発明ではさらに、動作状態符号化部は、定電圧発生部からの定電圧を分圧して複数種の参照電圧値を生成する複数の分圧抵抗を有することができる。
こうすると、第2の信号に基づいて符号化するときの予備信号の生成が容易となる。
本発明の他の態様に係る半導体集積回路は、上述の動作状態検出回路を周波数−電圧変換器に変更したものであり、この周波数−電圧変換器は機能ブロックの実動作周波数を電圧値に変換する。
上述した通り、本発明では機能ブロックの実動作周波数を有する第1の信号に基づいて、その機能ブロッの動作状態を示す第2の信号を生成し、それに基づいて機能ブロックの動作に必要とされる最適な電源電圧を得るものであるからである。
この周波数−電圧変換器は、機能ブロックに入力される入力信号の周波数を電圧値に変換することが好ましい。通常入力信号は、機能ブロック内の信号中で最大周波数を有するため、機能ブロックの実動作周波数を反映しているからである。
また、上述した半導体集積回路を有する本発明の電子機器は、消費電力を低減できることから、特に時計、モバイルコンピュータ、携帯電話などに好適に適用できる。。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の第1実施例の実施例のブロック図である。
図2は、図1の第1の機能ブロックを周波数変換器とした場合であって、この周波数変換器に供給される定電圧を負帰還により変更する構成を詳細に示すブロック図である。
図3は、図2に示す構成にて負帰還をかける過程の各信号波形を示すタイミングチャートである。
図4は、図2に示す動作状態符号化部の動作を説明するための概略説明図である。
図5は、第2の機能ブロックに供給される定電圧を負帰還により変更する過程の各信号波形を示すタイミングチャートである。
図6は、第Nの機能ブロックに供給される定電圧を負帰還により変更する過程の各信号波形を示すタイミングチャートである。
図7は、図1に示す各機能ブロックを構成するMOSトランジスタのしきい値電圧Vthが異なる場合であって、同一の入力信号が入力される各機能ブロックに供給される定電圧を、負帰還により変更する過程の各信号波形を示す本発明の第2実施例のタイミングチャートである。
図8は、本発明の第3実施例に係る装置のブロック図である。
図9は、図8に示す回路を用いて複数の機能ブロックに供給される定電圧を負帰還により変更する過程の各信号波形を示すタイミングチャートである。
図10は、本発明の第4実施例に係る電子機器のブロック図である。
図11は、従来の導体集積回路のブロック図である。
[発明を実施するための最良の形態]
(第1実施例)
以下に本発明の第1実施例を図1〜図6を参照して説明する。
図1に本発明の実施例装置の全体構成のブロック図を示す。図1において、本実施例装置は外部電源1と半導体集積回路10とを有する。半導体集積回路10は、定電圧発生部20と、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nと、動作状態検出器40と、動作状態符号化部50と、電圧制御部60とを有する。
本実施例装置は、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nにそれぞれ供給される定電圧VC(VC1〜VCN)を、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nの動作状態つまり実動作周波数に基づいて負帰還をかけて可変制御することが特徴である。
外部電圧源1より出力される電源電圧VSは定電圧発生部20に供給されて、基準電圧VB1〜VBNを基準として定電圧VC1〜VCNを生成する。定電圧発生部20により生成された定電圧VC1〜VCNは第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nにそれぞれ電源電圧として供給される。第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nは、入力信号VIN1〜VINNをそれぞれ特定の機能を用いて変更し、出力信号VOUT1〜VOUTNをそれぞれ生成する。この第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nにそれぞれ入力された入力信号VIN1〜VINNは、動作停止信号SSTOP1〜SSTOPNがそれぞれノンアクティブすなわち“1”であって、かつ動作判定設定信号SSET1〜SSETNがそれぞれアクティブすなわち“1”の状態の場合に、そのまま動作信号S1として動作状態検出器40に出力される。
動作判定設定信号SSET1〜SSETBが”0”の状態の時には、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nからは動作信号S1が発生されない。なお、動作判定設定信号SSET1〜SSETNは、時間軸上でそれぞれ異なるタイミングでアクティブになる。従って、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nの動作状態は、それぞれ異なるタイミングで動作状態検出器40にて検出されることになる。
動作状態検出器40は、動作信号S1に基づいて、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nの動作状態つまり実動作周波数に応じた電圧Vfreを有する動作状態信号S2を、動作状態符号化部50に向けて出力する。この意味で、動作状態検出器40は周波数−電圧変換器として機能する。
動作状態符号化部50は、動作状態信号S2の電圧Vfreを検出して、あらかじめ設定された電圧値符号化情報に従いnビットのディジタル値の動作状態データDを生成する。
この動作状態データDは電圧出力制御部60に入力される。電圧出力制御部60は、あらかじめ設定された電圧生成情報に従い動作状態データDを電圧値に変換する。この変換された電圧値は基準電圧VB1〜VBNとして定電圧発生部20に供給される。
定電圧発生部20は供給された基準電圧VB1〜VBNに基づいて、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nの電源電圧となる定電圧VC1〜VCNの電圧値を変更する。
次に、図1中の第1の機能ブロック30−1の定電圧VC1を、負帰還により変更制御するための具体的構成とその動作を、図2〜図4を参照して説明する。
図2は、第1の機能ブロック30−1の定電圧VC1を負帰還により変更制御するための具体的構成を示すブロック図である。
外部電源1より出力される電源電圧VSは定電圧発生部20に供給されて、基準電圧VB1を基準として定電圧VC1を生成する。この定電圧発生部20は、演算増幅器22と、トランジスタQ1と、2つの抵抗R1,R2とを有する。電圧出力制御部60からの基準電圧VB1は演算増幅器22の反転入力端子に接続され、抵抗R1,R2の接続点は演算増幅器22の正転入力端子に接続されている。この構成により、演算増幅器22等は負帰還増幅回路を構成し、基準電圧VB1に対して正転入力端子の電圧が変化するとき、演算増幅器22の出力を変化させることによって、演算増幅器22の出力が安定する。この時の定電圧発生部20の出力電圧VC1は、
VC1=VB1×R1/(R1+R2)
となる。
このように、基準電圧VB1を変化させれば、定電圧VC1も変化することが分かる。
なお、図2の定電圧発生部20には、基準電圧VB2〜VBNに基づいて、第2〜第Nの機能ブロック30−2〜30−Nに供給される定電圧VC2〜VCNを生成する回路は省略されているが、演算増幅器22、トランジスタQ1及び抵抗R1,R2からなる負帰還増幅回路が、実際には定電圧発生部20内にN個存在している。また、負帰還をかける前の状態にあっては、基準電圧VB1〜VBNは初期電圧に設定されている。
定電圧発生部20により生成された定電圧VC1は第1の機能ブロック30−1に電源電圧として印加される。第1の機能ブロック30−1は任意の入力信号SIN1をフリップフロップDF0〜DFmと、周波数切り替え信号FD0〜FDmを用いて、周波数設定エンコーダ34で生成されるセット信号FS0−FSm及びリセット信号FR0〜FRmに従い、任意の周波数に変更された出力信号VOUT1を生成する。
第1の機能ブロック30−1に入力された入力信号SIN1は機能停止信号SSTOP1とともに論理積ゲートANDに入力されて、機能停止信号SSTOP1がノンアクティブすなわち“1”の状態の時に、入力信号SIN1をそのまま出力する。機能停止信号SSTOP1がアクティブすなわち“0”の状態の時には、論理積ゲートANDは入力信号SIN1を伝達することなく、入力信号SIN1を“0”状態に抑制して、第1の機能ブロック30−1の機能を停止する。
機能停止信号SSTOP1が“1”状態の時に出力される入力信号SIN1は、動作判定設定信号SSET1が“1”の状態の時(図3の期間T1)に、動作状態伝達器32を介して動作信号S1として動作状態検出器40に出力される(図3参照)。なお、動作判定設定信号SSET1が“0”の状態の時には、動作状態伝達器32は入力信号SIN1を伝達せずに、動作信号S1を“0”状態に保持する。
動作状態検出器40は、積分器42とピーク検出器44とを有する。入力された動作信号S1は積分器42にて積分されて積分信号SINTEとなる。この積分信号SINTEは、ピーク検出器44にてそのピーク値が保持され、動作状態信号S2が生成される(図3参照)。
上述した通り、動作状態検出器40は、第1の機能ブロック30−1の動作状態を検出するために、第1の機能ブロック30−1での実動作周波数に応じた電圧を検出する周波数−電圧変換器として機能する。入力信号SIN1は通常、第1の機能ブロック30−1にて用いられる全信号の中で最大周波数を持つため、本実施例の動作状態検出器40は、入力信号SIN1を積分し、そのピーク値を保持するように構成されている。従って、動作状態検出器40の出力である動作状態信号S2の電圧値Vfreは、第1の機能ブロック30−1での実動作周波数に応じた電圧となる。
この動作状態信号S2は動作状態符号化部50に入力される。この動作状態符号化部50は、抵抗r0〜rnと、電圧比較器52−1〜52−nと、エンコーダ54とを有する。抵抗r0〜rnは直列に接続され、抵抗r0には定電圧VC1が印加される。この定電圧VC1は抵抗r0〜rnにより分圧され、各抵抗の接続点に参照電圧Vref1〜Vrefnが生ずる。
n個の電圧比較器52−1〜52−nの各正転入力端子には動作状態信号S2の電圧Vffreが共通に入力され、各反転入力端子には参照電圧Vref1〜Vrefnがそれぞれ入力される。
従って、n個の電圧比較器52−1〜52−nは各々の参照電圧Vref1〜Vrefnと動作状態信号S2の電圧とを比較することになる。このことを図4を参照して説明する。図4の縦軸は電圧を示し、上述の参照電圧Vref1〜Vrefnの抵抗値が全て同じであると、参照電圧Vref1〜Vrefnの関係は図4の通りとなる。動作状態信号S2の電圧Vfreの電圧レベルが図4の通りのVP1であるとすると、n個の電圧比較器52−1〜52−nの出力は、n=8として電圧比較器52−1〜52−nの配列順に1,0で表すと、(00001111)となる。
このn個の電圧比較器52−1〜52−nの出力はエンコーダ54に入力され、ここで符号化される。エンコーダ54は、n個の電圧比較器52−1〜52−nより入力された信号(00001111)のデータの最上位から最下位までのデータの配列を反転して符号化を行う。従って、上述の例の場合には、エンコーダ54の出力は(11110000)となる。この他、動作状態信号S2の電圧Vfreが例えば比較電圧値の最大値Vref1であると判定した場合は、エンコーダ54は最小のディジタルデータ(00000000)に符号化し、例えば最小値Vrefnと判定した場合は最大のディジタルデータ(11111111)に符号化して、nビットの動作状態データDを生成する。
この動作状態データDは、ディジタルアナログ変換器62とサンプルホールド回路64により構成された電圧出力制御部60に入力される。入力されたnビットのディジタルデータである動作状態データDは、ディジタルアナログ変換器62によりアナログ電圧値に変換される。さらに、このアナログ電圧値はサンプルホールド回路64にて動作設定信号SSET1によりサンプリングされ、動作設定期間の終了時(動作設定信号SSET1が“1”から“0”に移行した時)にアナログ電圧の電圧値が保持されて、定電圧発生部20の基準電圧を初期電圧からVB1へと変更する。定電圧発生部20は、変更された基準電圧VB1に基づいて、上述の通り定電圧VC1の電圧値を変更する。この結果、第1の機能ブロック30−1には、その動作状態に適合した定電圧VC1が電源用電圧として供給されることになる。
図5及び図6は、図1に示す回路を用いて第2の機能ブロック30−2及び第Nの機能ブロック30−Nにて負帰還により定電圧VC2及びVCNを変更する過程に用いる信号波形を、図3と同様にして示している。
ここで、図3、図5及び図6にて、動作判定設定信号SSET1,SSET2,SSETNがそれぞれアクティブとなる期間T1,T2,TNは、時間軸上にてそれぞれ異なるタイミングに設定されている。これにより、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nの複数の機能ブロックに対して、負帰還回路としての動作状態検出器40、動作状態符号化部50、電圧出力制御部60及び定電圧発生部20を共用できる。
ここで、図3,図5及び図6の比較から明らかなように、第1,第2,第Nの機能ブロック30−1,30−2,30−Nに入力される入力信号SIN1,SIN2,SINNの周波数をそれぞれSfre1,Sfre2,SfreNとすると、それらの関係は、Sfre2<Sfre1<SfreNとなる。そして、動作周波数が低いほど、入力信号の実効値(矩形波の面積)が大きいので、機能ブロックにて消費される電力が大きくなる。
本実施例では、消費電力が大きくなる機能ブロックほど、供給される定電圧を低くして、消費電力を低減するようにしている。
図3の動作状態信号S2のピーク電圧VP1と、図5及び図6の動作状態信号S2のピーク電圧VP2,VPNとの関係は、VPN<VP1<VP2となっている。このため、サンプルホールド回路64より生成される基準電圧VB1,VB2,VBNの関係は、VB2<VB1<VBNとなる。これにより、動作周波数が低い機能ブロックほど、供給される定電圧を低くして、消費電力を低減できる。
(第2実施例)
図7は、図1に示す半導体集積回路10を構成するMOSトランジスタのしきい値が機能ブロック毎に異なっている場合に、図3と同様に図1,図2に示す回路を用いて負帰還動作をしたときの各信号の波形を示すタイミングチャートである。
ここで、第1の機能ブロック30−1を構成するMOSトランジスタのしきい値をVth1とし、第2の機能ブロック30−2を構成するMOSトランジスタのしきい値をVth2とし、第Nの機能ブロック30−Nを構成するMOSトランジスタのしきい値をVthNとし、各しきい値の関係がVth2<Vth1<VthNであるとする。
第1の機能ブロック30−1の定電圧VC1を負帰還により変更するとき、MOSトランジスタのしきい値電圧がVth1であるため、積分器42から積分信号SINTE1のピーク値はVP1となる。同様に、第2,第Nの機能ブロック30−2,30−Nの定電圧VC2,VCNを負帰還により変更するとき、各ブロックのMOSトランジスタのしきい値電圧がVth2,VthNであるため、積分器42からの積分信号SINTE2,SINTENのピーク値はそれぞれVP2,VPNとなる。
上述の実施例では、入力信号SINの周波数が異なる場合に、各ピーク値が異なったが、本実施例では図7に示す同一周波数の入力信号SINを各機能ブロック30−1,30−2,30−Nに入力させても、各機能ブロックを構成するMOSトランジスタのしきい値の違いにより、ピーク値が異なっている。ただし、図7では期間T1にてアクティブとなる動作設定信号SSET1のみを示しているが、上述のピーク値VP2,VPNは、動作設定信号SSET2,SSETNがそれぞれアクティブとなるT2,TNの時に検出されている。そして、この各ピーク値の関係は、図7の通り、VPN<VP1<VP2となる。
このように、MOSトランジスタのしきい値が製造工程により変動するため、しきい値Vthと入力信号SINの電圧VINは、MOSトランジスタの動作時のオン抵抗Ronに対してRon=1/(K×VIN−Vth))の関係を有する。この定数Kは、半導体集積回路の製造工程及び物理的なMOSトランジスタ形状により決定される。このためMOSトランジスタは入力信号SINの電圧VINが同一で定数Kが固定された場合、オン抵抗Ronはしきい値電圧Vthの変動に依存して変化する。したがって、しきい値電圧Vthの値が大きくなるとオン抵抗Ronは大きくなり、しきい値電圧Vthの値が小さくなるとオン抵抗Ronは小さくなる。このように、積分器42に入力される信号の出力インピーダンスの変化により、積分信号SINTEの振幅電圧が変動する。
MOSトランジスタのオン抵抗RonとVthの関係により、ピーク電圧VP1とピーク電圧VP2とピーク電圧VPNの関係は、上述の通りVPN<VP1<VP2となる。
本実施例でもこのピーク電圧に基づいて変更される基準電圧VB1,VB2,VBNに基づいて、各機能ブロック30−1,30−2,30−Nに供給される定電圧VC1,VC2,VCNを負帰還により変更しているので、第1〜第Nの機能ブロック30−1〜30−Nに同一周波数の入力信号SINが入力された時でも、周波数応答速度が各機能ブロック30−1〜30−Nにて変動することがない。
(第3実施例)
図8は、本発明の第3実施例に係る回路のブロック図を示す。図8に示す回路が図2に示す回路と相違する点は、図2のピーク検出器44に代えてピーク トゥ ピーク検出器70を用いたことである。
このピーク トゥ ピーク検出器70は、ピーク検出器44が積分信号SINTE1のピーク値を検出して保持していたのに対して、積分信号SINTE1の振幅電圧を保持する点で相違している。
図9は、図1に示す半導体集積回路10を構成するMOSトランジスタのしきい値が機能ブロック毎に異なっている場合に、図1及び図8に示す回路を用いて負帰還動作をしたときの各信号の波形を示すタイミングチャートである。
第1,第2及び第Nの機能ブロック30−1,30−2,30−Nを構成するPチャネンネルMOSトランジスタのしきい値の関係が、Vthp2<Vthp1<VthpNであるとする。
ここで、第1の機能ブロック30−1を構成するPチャンネルMOSトランジスタのしきい値がVthp1であり、NチャンネルMOSトランジスタのしきい値がVthn1であり、積分器42より生成される積分信号SINTE1の振幅電圧値はVpp1となる(図9参照)。
第2の機能ブロック30−2を構成するPチャンネルMOSトランジスタのしきい値はVthp2であり、NチャンネルMOSトランジスタのしきい値がVthn2であり、積分器42より生成される積分信号SINTE2の振幅電圧値はVpp2となる(図9参照)。
第Nの機能ブロック30−Nを構成するPチャンネルMOSトランジスタのしきい値はVthpNであり、NチャンネルMOSトランジスタのしきい値はVthnNであり、積分器42より生成される積分信号SINTENの振幅電圧値はVppNとなる(図9参照)。
これらの振幅電圧値の関係は、図9の通り、VppN<Vpp2<Vpp1となり、サンプルホールド回路64よりそれぞれ生成される基準電圧VB1,VB2,VBNの関係は、VB2<VB1<VBNとなり、PチャンネルMOSトランジスタとNチャンネルMOSトランジスタの各々のしきい値が各機能ブロック毎に異なった場合であって、第2実施例と同様に同一周波数の入力信号SINが各機能ブロックに入力された場合でも、各機能ブロックにて周波数応答速度が変動することがない。
特に、図9に示す積分信号SINTE2ように、最初の積分波形だけがその立ち上がりと立ち下がりの振幅が異なる場合でも、他の共通する積分波形の振幅電圧を正確に検出できる点において、図2のピーク検出器44を用いる場合と比較して優れている。
(第4実施例)
図10は、上述した電圧制御部を有する半導体集積回路を用いた電子機器のブロック図である。
この電子機器310は、電源311で駆動されるシステム制御部312及び特定機能発生部313及び半導体集積回路300で構成される。システム制御部312は、マイクロプロセッサー、バス制御システム、またはメモリー制御システムなどの電子機器310の機能システム全体を制御する機能を有する。特定機能発生部313は、データ転送、内部及び外部記憶装置または入出力装置などに対して、特定の制御を行う機能を有する。システム制御部312及び特定機能発生部313は、入出力信号315により接続されて信号及びデータの入出力を行う。電源311は、電子機器310を構成するすべての構成要素に対して電源電圧314を供給する。
電子機器310に設けられた半導体集積回路300は、システム制御部312及び特定機能発生部313より与えられる入力信号301の動作速度が変化する時、内部電源電圧制御部302により、内部定電圧源303を昇圧もしくは降圧して、機能ブロック群304に供給する電源電圧を変更する。また、半導体集積回路300の内部定電圧源303より出力される電圧が変更される時、半導体集積回路300は検出信号305を生成し、システム制御部312と特定機能発生部313とに供給する。この検出信号305を用いることで、半導体集積回路300の電力消費量を制御することが、システム制御部312と特定機能発生部313とに伝達される。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、図1の実施例では複数の機能ブロック30−1〜30−Nに対して定電圧発生部20、動作状態検出器40、動作状態符号化部50及び電圧出力制御部60を共用したが、各機能ブロック毎にそれぞれ設けても良い。また、図1の実施例では一つの外部電源1から半導体集積回路10に給電する構成であったが、電源電圧が例えば3V,5Vなどと異なる複数の外部電源から給電される半導体集積回路にも本発明は適用できる。この場合、定電圧発生部を外部電源の数だけ配置する必要がある。
Claims (13)
- 少なくとも一つの外部電源より供給された電源電圧を、基準電圧に基づいて昇圧もしくは降圧させて少なくとも一つの定電圧を生成する少なくとも一つの定電圧発生部と、
前記定電圧発生部で生成された前記少なくとも一つの定電圧が供給される少なくとも一つの機能ブロックと、
前記少なくとも一つの機能ブロックの動作速度情報を有する第1の信号に基づいて、前記少なくとも一つの機能ブロックの動作状態を示す第2の信号を生成する少なくとも一つの動作状態検出部と、
前記第2の信号に基づいて、前記機能ブロックの動作状態を符号化して、動作状態データを生成する少なくとも一つの動作状態符号化部と、
前記動作状態データに基づいて、前記定電圧発生部の前記基準電圧を変更する少なくとも一つの電圧出力制御部と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記少なくとも一つの機能ブロックには動作設定信号が入力され、前記少なくとも一つの機能ブロックは、前記動作設定信号がアクティブの時に前記第1の信号を前記動作検出状態検出部に供給することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2おいて、
前記複数の機能ブロックに対して、それぞれ一つの前記動作状態検出器、前記動作状態符号化部、前記電圧出力制御部及び前記定電圧発生部が共用され、
前記動作設定信号は、前記複数の機能ブロックに対して時間軸で異なるタイミングにてアクティブになることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記少なくとも一つの電圧出力制御部は、
前記動作状態データをディジタル−アナログ変換するディジタル−アナログ変換器と、
前記ディジタル−アナログ変換器の出力を、前記動作設定信号に基づいてサンプリングして、前記基準電圧を生成するサンプル−ホールド回路と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記少なくとも一つの動作状態検出部は、
前記第1の信号を積分する積分器と、
前記積分器の出力のピーク値を検出して、前記ピーク値を前記第2の信号として保持するピーク検出器と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記少なくとも一つの動作状態検出部は、
前記第1の信号を積分する積分器と、
前記積分器の出力の振幅電圧を検出して、前記振幅電圧値を前記第2の信号として保持する振幅電圧検出器と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記少なくとも一つの動作状態符号化部は、
前記第2の信号の電圧値を、複数種の参照電圧値とそれぞれ比較する複数の比較器と、
前記複数の比較器の出力を符号化するエンコーダと、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7において、
前記少なくとも一つの定電圧発生部からの前記定電圧を分圧して前記複数種の参照電圧値を生成する複数の分圧抵抗を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 少なくとも一つの外部電源より供給された電源電圧を、基準電圧に基づいて昇圧もしくは降圧させて少なくとも一つの定電圧を生成する少なくとも一つの定電圧発生部、
前記定電圧発生部で生成された前記少なくとも一つの定電圧が供給される少なくとも一つの機能ブロックと、
前記少なくとも1つの機能ブロックの実動作周波数を電圧値に変換する少なくとも一つの周波数−電圧変換器と、
前記周波数−電圧変換器の出力電圧に基づいて前記機能ブロックの動作状態を符号化して、動作状態データを生成する少なくとも一つの動作状態符号化部と、
前記動作状態データに基づいて、前記定電圧発生部の前記基準電圧を変更する電圧出力制御部と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項9において、
前記周波数−電圧変換器は、前記少なくとも一つの機能ブロックに入力される入力信号の周波数を電圧値に変換することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10において、
前記少なくとも1つの機能ブロックには動作設定信号が入力され、前記少なくとも一つの機能ブロックは、前記動作設定信号がアクティブの時に、前記入力信号を前記周波数−電圧変換器に供給することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記複数の機能ブロックに対して、それぞれ一つの前記周波数−電圧変換器、前記動作状態符号化部、前記電圧出力制御部及び前記定電圧発生部が共用され、
前記動作設定信号は、前記複数の機能ブロックに対して時間軸で異なるタイミングにてアクティブになることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載された半導体集積回路を有することを特徴とする電子機器。
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