JP3888665B2 - アナログ・ディジタル変換の方法とデバイス - Google Patents
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Description
(発明の分野)
本発明はSC(スイッチドキャパシタ)ADC(アナログ・ディジタル変換器)に関するもので、特に広帯域電気通信応用に用いるものに関する。
【0002】
(関連技術の説明)
広帯域電気通信応用では、SNDR(信号対雑音および歪み比)の高い高速のアナログ・ディジタル変換器(ADC、またはAD変換器)が必要である。
並列方式を用いることにより、多相クロックで制御される複数の低速サブADCから高速ADCを作成することができる。Black 他の「時間インターリーブド変換器アレイ (Time Interleaved Converter Arrays)」、IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol SC-15, No 6, pp 1022-29, December 1980、は並列のすなわち時間インターリービング方式を用いた高速重み付きコンデンサADCを開示している。
【0003】
複数の誤差源があるために並列ADCの性能には限界がある。サブADCのオフセットが異なり、また利得が異なるために歪みが発生する。別の厄介な誤差源は並列チャンネル内のサンプリング位相スキューであって、これも歪みの原因になる。ディジタル領域で信号を再構築するには、2つの連続したサブADCの間のサンプリング時刻の間隔が等しくなければならない。2つの連続したサブADCの間のサンプリング時刻の間隔の差を位相スキューと呼ぶ。位相スキューが発生する理由は、異なる場所の異なるクロック位相によりサンプリング時刻を制御するからである。雑音や不平衡の寄生容量があると位相スキューの原因になる。
【0004】
SNDRと位相スキューの関係については、「不均一にサンプリングされた信号のディジタル・スペクトル: 基礎と高速波形ディジタイザ (Digital Spectra of Nonuniformly Sampled Signals: Fundamentals and High Speed Waveform Digitizers)」,IEEE T. Instrumentation and measurement, Vol 37, No 2, p 245-51, June 1988、に述べられている。
Conroy 他の「1μm CMOS内の8−b 85−Ms/s 並列パイプラインA/D変換器 (An 8-b 85-Ms/s Parellel Pipeline A/D Converter in 1 μm CMOS), IEEE J. Solid State Circuits, Vol 28, No 4, pp 44754, April 1993は、測定値からの近似によるタイミング不一致が約25psであるCMOS内の4チャンネルADCについて開示している。これは、高い信号周波数で高いSNDRを必要とする広帯域電気通信応用には不十分である。
【0005】
これを克服する1つの方法は入力にトラック・ホールド増幅器を置くことである。これは、非常に高い周波数で大きな容量負荷を駆動する高利得演算増幅器を必要とするので望ましくない。
Yagi 他の米国特許番号第5,247,301号は、共通のアナログ入力スイッチと第2のアナログ・スイッチとを直列にしてタイミング誤差を減らす、2段階ADCすなわちサブ・フラッシュ型ADCを開示している。サブ変換器の数に関係なく、アナログ入力スイッチのクロックは全てのサンプル・ホールド・スイッチの制御信号と同じ周波数を有する。全てのスイッチは同じ位相でターンオンする(共通スイッチだけターンオフすれば他のスイッチはターンオフする)。共通スイッチはデバイスの入力にあるので、スイッチ(例えば、MOSトランジスタ)の構造から、ターンオフ時刻は入力電圧の関数である。MOSスイッチの電荷を再配分するために、電荷注入誤差という別の誤差源が生じる。信号に依存しない部分(すなわち、電荷注入によるオフセット電圧)は米国特許番号第5,247,301号の図3、4、5に開示されている補償器を用いて或る程度は補償することができる。しかし信号に依存する電荷注入誤差は補償されない。信号に依存するターンオフ時刻と信号に依存する電荷注入誤差によりADC内に強い歪みが発生するので、このデバイスは高い動的性能のADCに適用することはできない。
【0006】
(概要)
したがって、本発明の目的は並列スイッチドキャパシタADC内のサンプリング位相スキューの問題を解決することである。
本発明の別の目的は、サンプリング位相スキューによる歪みの少ない、受動サンプリングと能動ホールディングを有する高速ADCの方法とデバイスを提供することである。
本発明の更に別の目的は、サンプリングに演算増幅器を用いる必要のない高速並列ADCの方法とデバイスを提供することである。
【0007】
本発明の別の目的は、任意の型のサブADCを用いる高速並列ADCのタイミング特性を改善し、しかも高い動的性能を保つ方法とデバイスを提供することである。
かかる目的は独立クレームの特徴的性能を有する方法とデバイスにより達成される。本発明の別の機能と改善は従属クレームに示す。
【0008】
本発明の或る実施の形態に係る、任意の型のサブADCを用いる並列スイッチドキャパシタADCはグローバル・クロック位相により制御する受動サンプリング方式を含み、サンプリング位相スキューの影響を減らす。グローバル・クロック位相の周波数はチャンネル・クロック位相の周波数に比べてM倍高い。個別のサンプル・ホールド・スイッチのチャンネル・クロック位相はスキューがあるので、個別のサンプル・ホールド・スイッチは同時にはターンオンしない。サンプリング時刻は共通スイッチのターンオフ(グローバル・クロック位相により制御される)により決まる。ターンオフ時刻の信号依存性と電荷の再配分による誤差は大幅に削減される。このため、本発明のデバイスは高い動的性能のADCに適している。また、サンプリング段に演算増幅器を必要としないので高速応用に適している。更に、高速並列SC ADC内のサンプリング位相スキューに関する歪みを20−40dB減らすことができる。
【0009】
(実施の形態の詳細な説明)
制限されない実施の形態を用いて、添付の図面を参照して本発明を以下に説明する。図面中、同じ部分は同じ参照記号で示す。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る、サブADCと呼ぶM個の同じADCを含むMチャンネルの並列ADCのブロック図を示す。第1、第2、第Mのチャンネルだけを示し、その他は簡単のために省略した。各チャンネルはADCの入力1に接続し、S/H(サンプルおよびホールド)手段2、4、6の後に、直列にサブADC8、10、12を接続する。サブADC8、10、12は任意の型のADCでよい。S/H手段2、4、6は受動サンプリング手段3、7、11と能動ホールディング手段5、9、13を含み、当業者によく知られた方法でクロック手段(図示せず)が生成するチャンネル・クロック位相φiによりこれを制御する。各チャンネルはMUX14(マルチプレクサ)に並列に接続する。
【0010】
第1のサブADC8はADCの入力1の入力電圧Vinをクロック位相φ1でサンプリングし、第2のサブADC10は入力電圧Vinをクロック位相φ2でサンプリングし、第MのサブADC12は入力電圧Vinをクロック位相φMでサンプリングする。各位相のサンプリング時間をTs、各位相の繰返し周期をTとする。各サブADCは、変換時間Tcの間にアナログ・サンプルSaをディジタル・サンプルSdに変換する。次にディジタル・サンプルをMUXで結合してADCの出力16に与える。Tcは次式で与えられる。
【数1】
ただし、Tは各位相の繰返し周期、Tsはサンプリング時間、MはサブADCの数である。各サブADCは各繰返し周期T毎に1出力だけ出すが、並列ADCはサンプリング時間Ts=T/M 毎に1出力を出すことができる。したがって、速度はサブADCに比べてM倍に増加する。
【0011】
上の説明から分かるように、複数の低速サブADCを並列に接続することにより高速ADCを作成することができる。唯一の高速部分は受動サンプリング回路であって、この回路は時間間隔Tsの間にアナログ入力を追跡してサンプリングする必要がある。
ディジタル領域で信号を再構築するには、2つの連続するサブADCの間のサンプリング時刻の間隔は等しくなければならない。位相スキューが正規分布であると仮定すると、SNDRと位相スキューの関係は次式で与えられる。
【数2】
【0012】
位相スキューの問題は、サンプリング時刻に差があると、アナログ信号は常に変化するので対応するサブADCが誤ったアナログ値をサンプリングする、ということである。所定の位相スキューでは、信号の周波数が高いほどSNDRは低い。
本発明の第1の実施の形態に係る位相スキューを小さくするため、S/H手段をチャンネル・クロック位相φiで制御するだけでなく、当業者によく知られたクロック手段(図示せず)により生成されるグローバル・クロック位相φで更に制御する。
【0013】
本発明の第1の実施の形態では、受動サンプリング回路のサンプリング時刻を定義するのにグローバル・クロック位相φを用い、アナログ入力のサンプリングは各サブADCで行う。サンプリング回路をグローバル・クロック位相φで制御し、これによりサンプリング時刻を定義する。グローバル・クロック位相φがハイでφiもハイのとき、第iサブADCが入力電圧Vinをサンプリングする。グローバル・クロック位相φがローになるとサンプリング・コンデンサの一方の極板が浮動するので、サンプリング・コンデンサはアナログ値をサンプリングする。グローバル・クロック位相φがローになった後にクロック位相φiはローになる。連続したクロック位相φiの間の位相スキューが大きい場合でもサンプリング時刻に影響しないので、位相スキューの問題はなくなる。しかし寄生コンデンサがあるので、クロック位相φがローであってもクロック位相φiがローでない場合は、アナログ入力が変化するとサンプリング・コンデンサに蓄積される電荷はやはり変化する。
【0014】
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る、S/H(サンプルおよびホールド)手段2、4、6を制御するクロック位相の図を示す。本発明の第1の実施の形態では、グローバル・クロック位相φの繰返し周波数はチャンネル・クロック位相φiの繰返し周波数よりM倍高く、またグローバル・クロック位相φはチャンネル・クロック位相φiより少し前に状態を変える。グローバル・クロック位相φがチャンネル・クロック位相φiより後に状態を変えた場合は、グローバル・クロック位相を有する効果はない。個別のサンプル・ホールド・スイッチ(すなわち、第1のチャンネルでは第1のスイッチSW1と第2のスイッチSW2)のクロック位相は、図2に示すようにスキューがあるので、個別のサンプル・ホールド・スイッチは同時にはターンオンしない。
【0015】
図3は、本発明の第1の実施の形態に係る、1チャンネルの並列ADCのサンプリング手段3を示す。第1のスイッチSW1はサンプリング手段3の入力20とコンデンサCiの第1の側21の間に接続する。コンデンサCiの第2の側23は第2のスイッチSW2を介してサンプリング手段3のノード22に接続する。また前記ノード22は第3のスイッチSW3を介して接地に接続する。図1のS/H手段2、4、6に含まれる全てのサンプリング手段3、7、11は並列に接続するので、第3のスイッチSW3は全てのチャンネルにより共有され、グローバル・クロック位相φにより制御される。チャンネル・クロック位相φiは第1のスイッチSW1と第2のスイッチSW2を制御する。好ましい実施の形態では、スイッチSW1、SW2、SW3はNMOSトランジスタで構成するが、切替え機能は当業者によく知られた多くの方法で実現してよい。
【0016】
サンプリング時刻は、サンプリング・コンデンサCiの第2の側23と接地とを接続する第3のスイッチSW3のターンオフにより決定する(他のチャンネルも同様である)。ターンオフ時刻の信号依存性と電荷再配分による誤差は、大幅に削減される。このため、本発明の実施の形態は高い動的性能のADCに極めて適している。
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る、Mチャンネル並列ADCのサンプリング手段3、7、11を示す。各サンプリング手段3、7、11の構造は図3と同様であり、サンプリング手段3、7、11は全て互いに並列に接続されている。第1、第2、第Mのサンプリング手段だけを図示し、その他は簡単のために省略した。図3で説明したように、第1のサンプリング手段3は第1のスイッチSW1、第1のコンデンサC1、第2のスイッチSW2を含む。第2、第3、第Mのサンプリング手段の設計も同じである。第3のスイッチSW3は全ての並列サンプリング手段に共通である。
【0017】
図5は、本発明の第1の実施の形態に係る、並列ADC内の第iチャンネルのS/H手段を示す。サンプリング手段3は図3に説明したものと同じであり、第1、第2、第3のスイッチSW1、SW2、SW3と、サンプリング・コンデンサCiを含む。サブADCがサンプリングされたアナログ値を処理するためには、サンプル値をホールドする必要がある。ホールディング手段5として各チャンネルのサブADC毎に1個の演算増幅器30を用いる。このため、サンプリング・コンデンサCiを演算増幅器30のフィードバック・ループに入れる。サンプリング・コンデンサCiの両側に第5および第6のスイッチSW5、SW6を追加する。このようにして、サンプリング・コンデンサCiの第1の側21は第5のスイッチSW5を介して増幅器30の出力32に接続し、サンプリング・コンデンサCiの第2の側23は第6のスイッチSW6を介して増幅器30の反転入力34に接続する。非反転入力36は接地に接続する。
【0018】
クロック位相を図2に示す。図5を併せて参照すると、チャンネル・クロック位相φiがハイでグローバル・クロック位相φもハイのときは第1、第2、第3のスイッチSW1、SW2、SW3が閉じ、第5、第6のスイッチSW5、SW6が開いて演算増幅器30は切り離され、コンデンサCiはアナログ入力電圧Vinをサンプリングする。次にグローバル・クロック位相φがローになって第3のスイッチSW3が開く。これがサンプリング位相である。チャンネル・クロック位相φiがロー(すなわち、クロック位相φi)になると、第1および第2のスイッチSW1、SW2が開き、第5および第6のスイッチSW5、SW6が閉じて、コンデンサCiは演算増幅器に負帰還接続する。これがホールド位相である。
【0019】
図5に、サンプリング・コンデンサCiの第2の側23の寄生容量Cp1と、第2のスイッチSW2と第3のスイッチSW3の間のCp2と、演算増幅器の入力容量Copを示す。本発明に係る回路を設計するときはこれらを全て考慮しなければならない。本発明に係るサンプリング法を用いると、これらの寄生容量に起因する誤差が生じる。本発明に係るサンプリング法を並列ADCに適用すると、異なるチャンネルの寄生容量の間の不一致による歪みが生じる。したがって、本発明の方法とデバイスを用いるときに位相スキュー誤差の影響を完全に除去することはできないが、誤差は次の係数倍だけ減少する。
【数3】
【0020】
サンプリング・スイッチ(すなわち、第3のスイッチSW3)が開く時刻をtとし、第2のスイッチSW2が開く時刻をt+τとする。Cp2に蓄積された電荷のために、信号に依存する誤差が出力信号に出る。時刻tにおける第2の側23(すなわち、Ciの右側の極板ノード)の全電荷は
【数4】
第2のスイッチSW2が開く時刻t+τには、サンプリング・コンデンサCiの右側の極板の全電荷は次式で与えられる。
【数5】
【0021】
電荷のやり取りなので、式(3)と(4)は互いに等しくなければならない。したがって、時刻t+τに寄生コンデンサにかかる電圧V2は
【数6】
Cp2に蓄積される電荷は
【数7】
第2のスイッチSW2が開くとCp2に蓄積された電荷は消え、演算増幅器を用いるとサンプリング・コンデンサCiと寄生コンデンサCp1に蓄積された電荷は全てホールド位相中に転送される。かかる構成を図5に示す。
【0022】
理想的な演算増幅器であれば、サンプリング・コンデンサCiと寄生容量Cp1に蓄積された電荷は全て完全に転送される。唯一の誤差源は時刻t+τにCp2に蓄積された消滅電荷によるものである。したがって、サンプリングの後のアナログ出力電圧Voutは次式で与えられる。
【数8】
【0023】
M個の並列チャンネルがあり、クロック位相φにより制御される第3のスイッチSW3が時刻
【数9】
に開き、クロック位相φiにより制御されるチャンネルi(i=1,2,...,M)の第2のスイッチSW2が時刻
【数10】
に開くとする。ただし、Tsは平均サンプリング周期、τは第iチャンネルの第3のスイッチSW3と第2のスイッチSW2のターンオフ間の平均遅れ、tskew,iはクロック位相φiの相対的クロック・スキューである。
【0024】
全てのチャンネルの寄生コンデンサとサンプリング・コンデンサが等しく(すなわち、係数aが全てのチャンネルで等しい)、時間スキューは正規分布であって分散がσi 2の独立ランダム変数と仮定すると、aとfinτが小さいときのSNDRは
【数11】
で近似することができる。ただしfinは入力信号の周波数である。
【0025】
式(11)から、寄生コンデンサがあると位相スキュー誤差の影響は完全には除かれないが、式(2)で与えられる普通のサンプリング法を用いる並列ADCのSNDRに比べて、誤差は1/aに減少する。
本発明ではサンプリングは受動的であって非常に高速のサンプリングが可能である。またホールディングは能動的であるが、演算増幅器が安定する時間はサンプリング時間に比べてM−1倍(Mはチャンネル数)長いので、演算増幅器は高速である必要はない。したがって、図5のS/H回路は高速の並列ADCに適している。
【0026】
2チャンネル並列ADCでは、1個の演算増幅器を2チャンネルで共用することができる。かかる共用は本発明に係るADCでももちろん用いることができる。したがって、MチャンネルのADCは2チャンネル毎に1個の演算増幅器を用いてよい。上に述べた実施の形態のホールディング手段5、9、13はチャンネル毎に1個の演算増幅器を備えているが、1個の演算増幅器を含む2チャンネルに共通のホールディング手段として、または2チャンネルに少なくとも1個の演算増幅器を含む全てのチャンネルに共通のホールディング手段として、設計してもよい。
【0027】
上に説明した実施の形態はシングルエンド型デバイスに適用される新規な概念を示したが、完全な差動形のシステムにも同様にして適用することができる。
また理解されるように、上述の実施の形態は制限されたものではなく、当業者は本発明の範囲内で他の実施の形態を考案することができるものである。
【図面の簡単な説明】
本発明とその目的および利点をよく理解するため、添付の図面を参照して実施の形態の制限されない例を説明する。
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係る並列ADCのブロック図である。
【図2】 本発明の第1の実施の形態に係るS/H(サンプル・ホールド)手段を制御するクロック位相の図を示す。
【図3】 本発明の第1の実施の形態に係る1チャンネルの並列ADCのサンプリング手段を示す。
【図4】 本発明の第1の実施の形態に係るMチャンネルの並列ADCのサンプリング手段を示す。
【図5】 本発明の第1の実施の形態に係る1チャンネルの並列ADCのS/H手段を示す。
Claims (1)
- 並列アナログ・ディジタル変換器であって、入力端末(1)とマルチプレクサ(14)の間に多数の並列チャンネルを備え、各チャンネルは
- チャンネル・クロック位相(φi)の制御により入力端末(1)の信号(Vin)をサンプリングするサンプリング手段(2,4,6)と、
- サンプリング手段(2,4,6)とマルチプレクサ(14)の間に接続されサンプリング手段(2,4,6)からのサンプルを変換する変換器手段(8,10,12)と、
を備え、その特徴は、全てのチャンネルに共通のスイッチ(SW3)と各サンプリング手段(SW1,C1,SW2)とを直列にして接地に接続し、各チャンネル・クロック位相(φi)が状態を変える少し前にその状態を変えるグローバル・クロック位相(φ)によりスイッチ(SW3)を制御して変換器手段(8,10,12)にサンプルを与えることである、並列アナログ・ディジタル変換器。
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