JP3872741B2 - プラズマ化学蒸着装置 - Google Patents
プラズマ化学蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3872741B2 JP3872741B2 JP2002288997A JP2002288997A JP3872741B2 JP 3872741 B2 JP3872741 B2 JP 3872741B2 JP 2002288997 A JP2002288997 A JP 2002288997A JP 2002288997 A JP2002288997 A JP 2002288997A JP 3872741 B2 JP3872741 B2 JP 3872741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- impedance
- discharge electrode
- frequency power
- voltage distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを発生させて基板上の物質を処理するプラズマ化学蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば半導体等の物質を基板に蒸着させるために、真空状態にした基板と、該基板と平行に対面配置された放電電極との間にこれらの物質を含む製膜用ガスを導入すると共に、該放電電極へ高周波電力を給電し、基板と放電電極との間にプラズマを発生させ、該プラズマにより物質を含む製膜用ガスを分解することにより目的の物質を基板に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置（プラズマＣＶＤ装置）がある（特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２７４０９９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようなプラズマ化学蒸着装置では、例えば縦方向×横方向の寸法が１［ｍ］×１［ｍ］を超える大面積基板を製膜するような場合、生成される膜の膜厚分布を基板全体で均一化することが難しいという問題がある。
そのため、例えば特許文献１に記載の技術では、基板上の複数の放電電極へ給電するための複数の高周波ケーブルを均一のインピーダンスに調整し、高周波電力給電回路により発生した高周波電力を安定的に供給すると共に、周波数の異なる２つの高周波電力を放電電極に供給することにより、膜厚の均一化の妨げとなる放電電極上の定在波の発生を抑制し、膜厚分布を均一化しようとするものの、放電電極の配置に起因する局所的な膜厚分布の不平衡が発生し、大面積基板における膜厚の分布特性が十分に改善されていないという問題があった。
【０００５】
特に、放電電極にラダー型電極や網目状電極を用いる場合、隣接する放電電極が左右に存在する基板中央部の放電電極と、隣接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存在しない、給電方向と直角の方向の基板端部（以下、基板左右部とする）近傍の放電電極とでは、その配置及び構造上、それぞれの放電電極が基板に与える影響が異なるため、蒸着される膜の膜厚分布が均一にならない傾向があった。そのため、膜厚の分布特性が均一な基板を得ようとする場合、基板左右部の膜厚が不均一な部分の利用をあきらめて、希望の大きさの基板より一回り大きな基板を製膜し、膜厚の分布特性が均一な部分のみを切り出すような処理が必要となり、物質が蒸着された基板生産の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、基板上の物質の膜厚分布を容易に均一化することができるプラズマ化学蒸着装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明に係るプラズマ化学蒸着装置は、高周波電力給電回路（例えば実施の形態の電力分配器１０ａ、１０ｂと高周波電源１１ａ、１１ｂとマッチングボックス１２ａ、１２ｂ）により発生した高周波電力を複数の放電電極（例えば実施の形態のラダー電極２の縦方向電極棒２ａ）へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室（例えば実施の形態の製膜室１）内の前記放電電極と基板（例えば実施の形態の基板３）との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、該電圧分布調整手段が、前記放電電極の給電点（例えば実施の形態の給電点６ａ〜６ｈと給電点７ａ〜７ｈ）から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記高周波電力給電回路から前記複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブル（例えば実施の形態の同軸ケーブル８ａ〜８ｈと同軸ケーブル９ａ〜９ｈ）の中の少なくとも１つに設けられるインピーダンス変更手段であり、該インピーダンス変更手段が、前記高周波ケーブルから分岐する分岐ケーブル（例えば実施の形態の分岐ケーブル２２）により構成されたスタブであり、該スタブが、前記分岐ケーブルの先端に接続された受動素子を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００１０】
以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、隣接する放電電極が左右に存在する基板中央部の放電電極と、隣接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存在しない基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）の放電電極との配置及び構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させることができる。
【００１２】
また、インピーダンス変更手段により、高周波電力給電回路から複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００１４】
さらに、複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合をスタブにより調整することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を容易に調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００１６】
そして、受動素子の定数の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
【００２１】
請求項２の発明に係るプラズマ化学蒸着装置は、高周波電力給電回路（例えば実施の形態の電力分配器１０ａ、１０ｂと高周波電源１１ａ、１１ｂとマッチングボックス１２ａ、１２ｂ）により発生した高周波電力を複数の放電電極（例えば実施の形態のラダー電極２の縦方向電極棒２ａ）へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室（例えば実施の形態の製膜室１）内の前記放電電極と基板（例えば実施の形態の基板３）との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、前記電圧分布調整手段が、前記放電電極の給電点から前記放電電極の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記放電電極と接地点との間に設けられるインピーダンス変更手段であり、該インピーダンス変更手段が、前記放電電極と前記接地点との間に接続された受動素子（例えば実施の形態の終端用コイル３１ａ〜３１ｄ）を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極と前記接地点との間のインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００２２】
以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、インピーダンス変更手段により、直接放電電極のインピーダンスを変更することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００２４】
さらに、受動素子の定数の選び方で、放電電極と接地点との間のインピーダンスを自由に設定することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
まず、図面を参照して、本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置について説明する。図１は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部の構成を示すブロック図である。
図１において、符号１は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室であって、製膜室１内には、放電電極として用意されたラダー電極２と、ラダー電極２と所定の間隔をもって対面配置され、かつ接地されているアース電極（図示せず）と、該アース電極により保持された基板３とが備えられている。
【００３０】
また、製膜室１には、基板３への蒸着を希望するアモルファスシリコンや多結晶薄膜シリコン等の物質を含む製膜用ガスを導入するためのガス供給管４と、プラズマによる分解後のガスを排気するためのガス排気管５とが備えられ、製膜室１は、図示しないガス供給源からガス供給管４を介して製膜用ガスが供給されると共に、図示しない真空ポンプにより、ガス排気管５を介してプラズマによる分解後のガスが吸引される構成をなしている。
【００３１】
一方、ラダー電極２は、平行な複数本の縦方向電極棒２ａと平行に対面配置された一対の横方向電極棒２ｂ、２ｃとを格子状に組み立ててなるものであり、更にラダー電極２は、アース電極（図示せず）により保持される基板３と平行に対面配置されている。また、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｂには例えば８つの給電点６ａ〜６ｈが設けられ、同様にラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｃにも８つの給電点７ａ〜７ｈが設けられている。なお、各給電点６ａ〜６ｈ、及び各給電点７ａ〜７ｈは、それぞれが受け持つ縦方向電極棒２ａの本数が同じになるように横方向電極棒２ｂ、２ｃを等分する位置にそれぞれ設けられている。
【００３２】
なお、基板３が例えば１１００［ｍｍ］×１４００［ｍｍ］角サイズである場合は、ラダー電極２は、１２００［ｍｍ］×１５００［ｍｍ］角サイズ程度の基板３よりも一回り大きなサイズのものを利用する。
【００３３】
また、給電点６ａ〜６ｈには、製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生させる高周波電力をラダー電極２へ給電するために、８本の同軸ケーブル８ａ〜８ｈが接続されており、給電点６ａ〜６ｈに接続された８本の同軸ケーブル８ａ〜８ｈの反対側は、製膜室１の外部に配置された電力分配器１０ａの出力端子に接続されている。
【００３４】
ここで電力分配器１０ａは、高周波電源１１ａの出力する高周波電力を均等に給電点６ａ〜６ｈへ分配するための分配器であって、電力分配器１０ａの入力端子は、効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器１０ａと高周波電源１１ａとの間のインピーダンス整合を調整するためのマッチングボックス１２ａを介して、高周波電源１１ａへ接続されている。
【００３５】
同様に、給電点７ａ〜７ｈには、製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生させる高周波電力をラダー電極２へ給電するために、８本の同軸ケーブル９ａ〜９ｈが接続されており、給電点７ａ〜７ｈに接続された８本の同軸ケーブル９ａ〜９ｈの反対側は、製膜室１の外部に配置された電力分配器１０ｂの出力端子に接続されている。また、電力分配器１０ｂの入力端子は、マッチングボックス１２ｂを介して、高周波電源１１ｂへ接続されている。
【００３６】
なお、ここで電力分配器１０ｂは、電力分配器１０ａと同様に、高周波電源１１ｂの出力する高周波電力を均等に給電点７ａ〜７ｈへ分配するための分配器である。また、マッチングボックス１２ｂは、マッチングボックス１２ａと同様に、効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器１０ｂと高周波電源１１ｂとの間のインピーダンス整合を調整するために用いられる。
また、電力分配器１０ａ、１０ｂと、高周波電源１１ａ、１１ｂと、マッチングボックス１２ａ、１２ｂは、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の高周波電力給電回路を構成している。
【００３７】
このような構成により、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、真空状態にした製膜室１内に、ガス供給管４から例えばアモルファスシリコンを含む製膜用ガスを導入すると共に、ガス排気管５からプラズマによる分解後のガスを排気しながら、マッチングボックス１２ａと電力分配器１０ａとを介して、高周波電源１１ａからは、例えば周波数６０．０ＭＨｚの高高周波（ＶＨＦ）電力をラダー電極２へ給電する。
【００３８】
一方、マッチングボックス１２ｂと電力分配器１０ｂとを介して、高周波電源１１ｂからは、高周波電源１１ａと同一周波数６０．０ＭＨｚの高高周波（ＶＨＦ）電力をラダー電極２へ給電し、高周波電源１１aの位相を基準にして高周波電源１１ｂの位相を時間的に変動させて、給電点６ａ〜６ｈと７ａ〜７ｈ間の縦方向電極棒２ａの電圧分布の均一化を行う。また、この時、高周波電源１１ａ及び高周波電源１１ｂから供給される全電力は、例えば３０００Ｗとなるように調整する。
【００３９】
そして、この状態で５〜１０分間程度、ラダー電極２と基板３との間にプラズマを発生させると、プラズマ中でアモルファスシリコンを含む製膜用ガスが分解され、基板３の表面に希望のアモルファスシリコンの結晶が生成される。また、この時、高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることにより、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化が促進される。
【００４０】
次に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置において、上述のように物質を基板３に蒸着させる際の、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させる手段について説明する。
まず、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈについて更に説明すると、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈとの間のインピーダンス整合を調整するためのインピーダンス変更手段が設けられている。
【００４１】
具体的に図面を参照して説明すると、図２は、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈを代表して、同軸ケーブル８ｈについて詳細に示した図であって、同軸ケーブル８ｈは、製膜室１の外側（大気側）に、同軸ケーブル８ｈを分岐するＴ字コネクタ２１と、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子に接続された分岐ケーブル２２とを備えている。
【００４２】
ここで、同軸ケーブル８ｈからＴ字コネクタ２１により分岐された分岐ケーブル２２は、同軸ケーブル８ｈに対するスタブを構成するものであって、該スタブのインピーダンスを調整することにより、給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを変更することができる。
【００４３】
これを、図３に示すモデル化されたスタブを用いて説明すると、スタブに用いる分岐ケーブル２２の特性インピーダンスを同軸ケーブル８ｈの特性インピーダンス（例えば５０［オーム］）と同じ特性インピーダンスＺ０、分岐ケーブル２２の長さをｄ、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端（Ｔ字コネクタ２１の分岐端子とは反対の方向）に接続される負荷のインピーダンスをＺＲとした時、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺは、下記（１）式により求めることができる。
【数１】
【００４４】
なお、図２、図３及び（１）式において各要素の文字（インピーダンスを示す文字）上部に点が付与されているのは、各要素が抵抗成分とインダクタンス成分とを含む複素数で表されることを示し、本実施の形態、及び後述する第２の実施の形態で扱うインピーダンスは、全て複素数で表されるものとする。
【００４５】
これにより、図４（ａ）に示すスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡させた場合（短絡線路：インピーダンスＺＲ＝０）における分岐ケーブル２２の長さｄに対するインピーダンスＺの特性と、図４（ｂ）に示すスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を開放させた場合（開放線路：インピーダンスＺＲ＝無限大）における分岐ケーブル２２の長さｄに対するインピーダンスＺの特性とを比較してもわかるように、分岐ケーブル２２の長さｄが同一でも、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡あるいは開放するだけで、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。
【００４６】
なお、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、短絡線路及び開放線路では、電圧定在波の波節の点（短絡線路ではｄ＝０、λ／２、λ・・・の点、開放線路ではｄ＝λ／４、３λ／４、５λ／４の点）では電圧がゼロになるのでインピーダンスＺはゼロとなり、電圧定在波の波腹の点（短絡線路ではｄ＝λ／４、３λ／４、５λ／４の点、開放線路ではｄ＝０、λ／２、λ・・・の点）では電流がゼロになるのでインピーダンスＺは無限大となる。
【００４７】
従って、スタブのインピーダンスＺとＴ字コネクタ２１の入力端子から電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスとの合成インピーダンスとなる、給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端の短絡あるいは開放の処理により変更することができる。
【００４８】
また、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡あるいは開放のどちらかに固定した場合でも、分岐ケーブル２２の長さｄを変更することにより、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、分岐ケーブル２２の長さｄによっても変更することができる。
【００４９】
更に、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端にコイルやコンデンサ、または抵抗等の受動素子、あるいはこれらの複合回路による負荷を接続し、受動素子の定数変更により負荷のインピーダンスＺＲを変更することでも、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、受動素子の定数変更によっても変更することができる。
【００５０】
また、スタブに用いる分岐ケーブル２２自体の特性インピーダンスを同軸ケーブル８ｈの特性インピーダンスとは異なるものとすることでも、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、分岐ケーブル２２自体の特性インピーダンスによっても変更することができる。
なお、同軸ケーブル８ｈ以外の同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈにも、同様のＴ字コネクタ２１と分岐ケーブル２２が備えられている。
【００５１】
これにより、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに設けられたスタブを用いて、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈと、対応する給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈとの間のインピーダンス整合を調整し、給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈに給電される高周波電力、すなわちラダー電極２を構成する平行な複数本の縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力をそれぞれ調整することで、基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００５２】
そのため、プラズマを発生させるためにラダー電極２と基板３との間に印加される電圧分布を基板３全体において均一化させ、均一化された電圧分布により膜厚が均一な基板を製膜することができる。
【００５３】
図５は、一例として、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。図５に示すように、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈが接続される給電点６ａ、６ｈ、７ａ、７ｈに対応する基板３の一方の端から１００〜３００［ｍｍ］程度、及び１３００〜１５００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５４】
また、図６は、一例として、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。図６に示すように、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇが接続される給電点６ｂ、６ｇ、７ｂ、７ｇに対応する基板３の一方の端から２００〜４００［ｍｍ］程度、及び１２００〜１４００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５５】
更に、図７は、一例として、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。この例では、図５及び図６に示すスタブの効果が合成され、図７に示すように、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈが接続される給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈに対応する基板３の一方の端から１００〜４００［ｍｍ］程度、及び１２００〜１５００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５６】
なお、図５、図６、及び図７に示すシミュレーションの計算条件は、（１）電子質量：９．１１Ｅ−３１［ｋｇ］、（２）高周波電力周波数：６０［ＭＨｚ］、（３）ガス圧：６．６６［Ｐａ］、（４）電子温度：３．０［ｅＶ］、（５）電極−対向電極間距離：３８［ｍｍ］、（６）電子質量：１．６２Ｅ−１９［Ｃ］、（７）ラダー導電体半径：５［ｍｍ］、（８）電子密度：５．０Ｅ−８［１／ｃｃ］、（９）誘電率：８．８５４Ｅ−１２［Ｆ／ｍ］、（１０）シース長／デバイス長：２［倍］とした。また、図５、及び図６において示す「ｌｅｎ」は、波長λで表された分岐ケーブル２２の長さｄを、実際の高周波電力の波長λに合わせて数値化した値である。
【００５７】
本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、図５、図６、及び図７を参照してスタブの条件を求めた結果、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置した場合は、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈに配置したスタブの分岐ケーブル２２の長さｄをｄ＝λ／２．２２２とし、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇに配置したスタブの分岐ケーブル２２の長さｄをｄ＝λ／２．０８３とした時に、最適な状態が得られた。具体的には、高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制する方向に十分に調整した効果と合わせて、基板３全体の膜厚の誤差が膜厚自体の±１０％程度の値まで改善することができる。
【００５８】
なお、上述の実施の形態では、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈの中で、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈにスタブを配置する場合を説明したが、スタブを配置する同軸ケーブルの位置及び数は、これら８個のスタブに限らず、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈがこれより多くなった場合も含め、どの同軸ケーブルに配置しても良い。従って、ｎ本（ｎは正の整数）の同軸ケーブルに対するスタブの配置の組合せは、同軸ケーブルを１本、２本、３本、・・・ｎ本ずつ選択する組合せ数の総計数だけ考えられる。
【００５９】
また給電点から電力分配器方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを変更する手段は、上述のようなスタブに限らず、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点との間のインピーダンス整合を調整することができるものであれば、どのような手段であっても良い。
【００６０】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、基板３の表面に希望の物質を蒸着させる際に、高周波電源１１ａ、１１ｂによる周波数が同一な高周波電力をラダー電極２に供給し，高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化を促進すると共に、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるように、高周波電力給電回路からラダー電極２へ高周波電力を供給するための複数の同軸ケーブルに配置したスタブにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００６１】
従って、大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
特に、ＰｉＮ構造を持つ例えばアモルファスシリコン太陽電池等に用いる基板を製膜する際に、ｐ層、ｉ層、ｎ層のいずれも有効に製膜することができ、電池性能を大きく向上させることができる。また、膜厚分布が均一化するため、プロセス中のレーザエッチング工程におけるレーザ切れが大幅に向上すると共に、製品の概観が良くなるという効果も得られる。更に、製膜室内への物質の付着も均一化されるため、セルフクリーニング時のクリーニング時間を短縮し、クリーニング前後における製膜への影響も最小化できるという効果も得られる。
【００６２】
（第２の実施の形態）
次に、図面を参照して、本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置について説明する。第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置が、高周波電力給電回路からラダー電極２へ高周波電力を供給するための複数の同軸ケーブルに配置したスタブにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整していたのに対し、第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブルにスタブは設けず、ラダー電極２側のインピーダンスを変更することで、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整する場合について説明する。
【００６３】
従って、以下の説明ではプラズマ化学蒸着装置の製膜室１内の構成についてのみ説明し、その他の構成は、上述のように同軸ケーブルにスタブを設けないことを除き、図１を用いて説明した第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置と同一であるので、ここでは説明を省略する。図８は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室１内の主要部の構成を示す図である。
【００６４】
図８において、終端コイル３１ａ、３１ｂは、主に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の８つの給電点６ａ〜６ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、基板３の基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）近傍において、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｂと接地点（例えば図示しないアース電極）との間に接続されたコイルであって、コイルのインピーダンスとラダー電極２のインピーダンスとの合成インピーダンスが、給電点６ａ〜６ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスとなる。
【００６５】
同様に、図８において、終端コイル３１ｃ、３１ｄは、主に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の８つの給電点７ａ〜７ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、基板３の基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）近傍において、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｃと接地点（例えば図示しないアース電極）との間に接続されたコイルであって、コイルのインピーダンスとラダー電極２のインピーダンスとの合成インピーダンスが、給電点７ａ〜７ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスとなる。
【００６６】
これにより、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数を変更することにより、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈと、対応する給電点６ａ〜６ｈ、及び給電点７ａ〜７ｈとの間のインピーダンス整合を調整し、ラダー電極２を構成する平行な複数本の縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００６７】
図９は、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数Ｌをパラメータにして、終端コイル３１ａ〜３１ｄの挿入位置（図９の中ではコイルを模した記号で示す）と、調整された電圧分布による放電電極中央位置（図８に示す放電電極中央位置Ｓ）における製膜速度比率の関係をシミュレーションした結果である。図９に示すように、ラダー電極２上の調整された電圧分布による基板３上の製膜速度を、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数により有効に調整可能なことがわかる。
従って、終端コイル３１ａ〜３１ｄにより、プラズマを発生させるためにラダー電極２と基板３との間に印加される電圧分布を基板３全体において均一化させ、均一化された電圧分布により膜厚が均一な基板を製膜することができる。
【００６８】
なお、上述の実施の形態では、給電点からラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、ラダー電極２と接地点との間に接続された終端コイル３１ａ〜３１ｄを用いたが、終端コイル３１ａ〜３１ｄの代わりに、コンデンサや抵抗等の受動素子、あるいはコイルを含むこれらの複合回路を接続し、受動素子の定数変更により、給電点からラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するようにしても良い。更に、インピーダンスを変更するための終端コイル、及びコンデンサや抵抗等の受動素子、あるいはコイルを含むこれらの複合回路の数は、上述のように４個に限らず、いくつあっても良い。
【００６９】
また給電点からラダー電極の方向を見た場合のインピーダンスを変更する手段は、上述のような受動素子やその複合回路に限らず、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点との間のインピーダンス整合を調整することができるものであれば、どのような手段であっても良い。
【００７０】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、基板３の表面に希望の物質を蒸着させる際に、高周波電源１１ａ、１１ｂによる周波数が同一な高周波電力をラダー電極２に供給し，高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化を促進すると共に、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるように、ラダー電極２に挿入した終端コイル３１ａ〜３１ｄにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００７１】
従って、第１の実施の形態と同様に、大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７２】
なお、上述の第１、第２の実施の形態では、同軸ケーブルに配置するスタブ（インピーダンス調整手段）によるインピーダンスの調整と、ラダー電極２に挿入する終端コイル（インピーダンス調整手段）によるインピーダンスの調整とを、それぞれ独立に実施する場合を説明したが、両方を同時に実施するようにしても良い。これにより、両者のインピーダンス調整の組合せにより、更に細かい電圧分布の調整が可能となる。
また、上述の第１、第２の実施の形態では、プラズマを発生させることで基板上に物質を蒸着させる場合を説明したが、ラダー電極２に給電する高周波電力を調整することで、発生したプラズマを利用した基板上の物質のエッチング処理を行うこともできる。
【００７３】
【発明の効果】
以上の如く、本願発明によれば、放電電極の配置・構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させ、基板上の物質を均一に処理することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果が得られる。
【００７４】
また、放電電極の配置・構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７５】
さらに、インピーダンス変更手段により、高周波ケーブルと放電電極の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差を、インピーダンス整合の調整による放電電極の給電点における電圧調整によって容易に解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７６】
そして、高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合をスタブにより調整することで、容易に基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、スタブを構成する分岐ケーブルを製膜室の外部に設ければ、製膜室内の状態に影響を与えることなく、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整することができ、更に安定して物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７７】
また、受動素子の定数の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせてスタブのインピーダンスを容易にかつ細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００７８】
さらに、分岐ケーブルのケーブル長の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて、コストをかけずにスタブのインピーダンスを細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００７９】
そして、分岐ケーブル自体の特性インピーダンスの選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、請求項５と同様に、コストをかけずにスタブのインピーダンスを細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００８０】
また、インピーダンス変更手段により、直接放電電極のインピーダンスを変更することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差を、放電電極のインピーダンスの調整による放電電極の電圧調整によって容易に解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００８１】
さらに、受動素子の定数の選び方で、放電電極と接地点との間のインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて放電電極と接地点との間のインピーダンスを容易にかつ細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００８２】
そして、プラズマ処理装置において、基板全体において均一化された電圧分布により、膜厚が均一な基板を生成することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果が得られる。
また、大面積基板を製膜する際に、基板全体において均一化された電圧分布により、膜厚が均一な基板を製膜することができる。
従って、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部を示すブロック図である。
【図２】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の同軸ケーブルに設けられたスタブについて示した図である。
【図３】 図２に示すスタブをモデル化した回路図である。
【図４】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置のスタブにおける分岐ケーブルの長さｄに対するインピーダンスＺの特性を示す図である。
【図５】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図６】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図８】 本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室内の主要部の構成を示す図である。
【図９】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の終端コイルの位置及び定数に対する基板上の製膜速度のシミュレーション結果を示したグラフである。
【符号の説明】
１ 製膜室
２ ラダー電極（放電電極）
２ａ 縦方向電極棒（放電電極）
２ｂ、２ｃ 横方向電極棒（放電電極）
３ 基板
４ ガス供給管
５ ガス排気管
６ａ〜６ｈ、７ａ〜７ｈ 給電点
８ａ〜８ｈ、９ａ〜９ｈ 同軸ケーブル（高周波ケーブル）
１０ａ、１０ｂ 電力分配器（高周波電力給電回路）
１１ａ、１１ｂ 高周波電源（高周波電力給電回路）
１２ａ、１２ｂ マッチングボックス（高周波電力給電回路）
２１ Ｔ字コネクタ
２２ 分岐ケーブル
３１ａ〜３１ｄ 終端用コイル（受動素子）
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを発生させて基板上の物質を処理するプラズマ化学蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば半導体等の物質を基板に蒸着させるために、真空状態にした基板と、該基板と平行に対面配置された放電電極との間にこれらの物質を含む製膜用ガスを導入すると共に、該放電電極へ高周波電力を給電し、基板と放電電極との間にプラズマを発生させ、該プラズマにより物質を含む製膜用ガスを分解することにより目的の物質を基板に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置（プラズマＣＶＤ装置）がある（特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２７４０９９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようなプラズマ化学蒸着装置では、例えば縦方向×横方向の寸法が１［ｍ］×１［ｍ］を超える大面積基板を製膜するような場合、生成される膜の膜厚分布を基板全体で均一化することが難しいという問題がある。
そのため、例えば特許文献１に記載の技術では、基板上の複数の放電電極へ給電するための複数の高周波ケーブルを均一のインピーダンスに調整し、高周波電力給電回路により発生した高周波電力を安定的に供給すると共に、周波数の異なる２つの高周波電力を放電電極に供給することにより、膜厚の均一化の妨げとなる放電電極上の定在波の発生を抑制し、膜厚分布を均一化しようとするものの、放電電極の配置に起因する局所的な膜厚分布の不平衡が発生し、大面積基板における膜厚の分布特性が十分に改善されていないという問題があった。
【０００５】
特に、放電電極にラダー型電極や網目状電極を用いる場合、隣接する放電電極が左右に存在する基板中央部の放電電極と、隣接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存在しない、給電方向と直角の方向の基板端部（以下、基板左右部とする）近傍の放電電極とでは、その配置及び構造上、それぞれの放電電極が基板に与える影響が異なるため、蒸着される膜の膜厚分布が均一にならない傾向があった。そのため、膜厚の分布特性が均一な基板を得ようとする場合、基板左右部の膜厚が不均一な部分の利用をあきらめて、希望の大きさの基板より一回り大きな基板を製膜し、膜厚の分布特性が均一な部分のみを切り出すような処理が必要となり、物質が蒸着された基板生産の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、基板上の物質の膜厚分布を容易に均一化することができるプラズマ化学蒸着装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明に係るプラズマ化学蒸着装置は、高周波電力給電回路（例えば実施の形態の電力分配器１０ａ、１０ｂと高周波電源１１ａ、１１ｂとマッチングボックス１２ａ、１２ｂ）により発生した高周波電力を複数の放電電極（例えば実施の形態のラダー電極２の縦方向電極棒２ａ）へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室（例えば実施の形態の製膜室１）内の前記放電電極と基板（例えば実施の形態の基板３）との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、該電圧分布調整手段が、前記放電電極の給電点（例えば実施の形態の給電点６ａ〜６ｈと給電点７ａ〜７ｈ）から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記高周波電力給電回路から前記複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブル（例えば実施の形態の同軸ケーブル８ａ〜８ｈと同軸ケーブル９ａ〜９ｈ）の中の少なくとも１つに設けられるインピーダンス変更手段であり、該インピーダンス変更手段が、前記高周波ケーブルから分岐する分岐ケーブル（例えば実施の形態の分岐ケーブル２２）により構成されたスタブであり、該スタブが、前記分岐ケーブルの先端に接続された受動素子を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００１０】
以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、隣接する放電電極が左右に存在する基板中央部の放電電極と、隣接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存在しない基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）の放電電極との配置及び構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させることができる。
【００１２】
また、インピーダンス変更手段により、高周波電力給電回路から複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００１４】
さらに、複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合をスタブにより調整することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を容易に調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００１６】
そして、受動素子の定数の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
【００２１】
請求項２の発明に係るプラズマ化学蒸着装置は、高周波電力給電回路（例えば実施の形態の電力分配器１０ａ、１０ｂと高周波電源１１ａ、１１ｂとマッチングボックス１２ａ、１２ｂ）により発生した高周波電力を複数の放電電極（例えば実施の形態のラダー電極２の縦方向電極棒２ａ）へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室（例えば実施の形態の製膜室１）内の前記放電電極と基板（例えば実施の形態の基板３）との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、前記電圧分布調整手段が、前記放電電極の給電点から前記放電電極の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記放電電極と接地点との間に設けられるインピーダンス変更手段であり、該インピーダンス変更手段が、前記放電電極と前記接地点との間に接続された受動素子（例えば実施の形態の終端用コイル３１ａ〜３１ｄ）を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極と前記接地点との間のインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００２２】
以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、インピーダンス変更手段により、直接放電電極のインピーダンスを変更することで、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００２４】
さらに、受動素子の定数の選び方で、放電電極と接地点との間のインピーダンスを自由に設定することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
まず、図面を参照して、本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置について説明する。図１は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部の構成を示すブロック図である。
図１において、符号１は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室であって、製膜室１内には、放電電極として用意されたラダー電極２と、ラダー電極２と所定の間隔をもって対面配置され、かつ接地されているアース電極（図示せず）と、該アース電極により保持された基板３とが備えられている。
【００３０】
また、製膜室１には、基板３への蒸着を希望するアモルファスシリコンや多結晶薄膜シリコン等の物質を含む製膜用ガスを導入するためのガス供給管４と、プラズマによる分解後のガスを排気するためのガス排気管５とが備えられ、製膜室１は、図示しないガス供給源からガス供給管４を介して製膜用ガスが供給されると共に、図示しない真空ポンプにより、ガス排気管５を介してプラズマによる分解後のガスが吸引される構成をなしている。
【００３１】
一方、ラダー電極２は、平行な複数本の縦方向電極棒２ａと平行に対面配置された一対の横方向電極棒２ｂ、２ｃとを格子状に組み立ててなるものであり、更にラダー電極２は、アース電極（図示せず）により保持される基板３と平行に対面配置されている。また、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｂには例えば８つの給電点６ａ〜６ｈが設けられ、同様にラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｃにも８つの給電点７ａ〜７ｈが設けられている。なお、各給電点６ａ〜６ｈ、及び各給電点７ａ〜７ｈは、それぞれが受け持つ縦方向電極棒２ａの本数が同じになるように横方向電極棒２ｂ、２ｃを等分する位置にそれぞれ設けられている。
【００３２】
なお、基板３が例えば１１００［ｍｍ］×１４００［ｍｍ］角サイズである場合は、ラダー電極２は、１２００［ｍｍ］×１５００［ｍｍ］角サイズ程度の基板３よりも一回り大きなサイズのものを利用する。
【００３３】
また、給電点６ａ〜６ｈには、製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生させる高周波電力をラダー電極２へ給電するために、８本の同軸ケーブル８ａ〜８ｈが接続されており、給電点６ａ〜６ｈに接続された８本の同軸ケーブル８ａ〜８ｈの反対側は、製膜室１の外部に配置された電力分配器１０ａの出力端子に接続されている。
【００３４】
ここで電力分配器１０ａは、高周波電源１１ａの出力する高周波電力を均等に給電点６ａ〜６ｈへ分配するための分配器であって、電力分配器１０ａの入力端子は、効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器１０ａと高周波電源１１ａとの間のインピーダンス整合を調整するためのマッチングボックス１２ａを介して、高周波電源１１ａへ接続されている。
【００３５】
同様に、給電点７ａ〜７ｈには、製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生させる高周波電力をラダー電極２へ給電するために、８本の同軸ケーブル９ａ〜９ｈが接続されており、給電点７ａ〜７ｈに接続された８本の同軸ケーブル９ａ〜９ｈの反対側は、製膜室１の外部に配置された電力分配器１０ｂの出力端子に接続されている。また、電力分配器１０ｂの入力端子は、マッチングボックス１２ｂを介して、高周波電源１１ｂへ接続されている。
【００３６】
なお、ここで電力分配器１０ｂは、電力分配器１０ａと同様に、高周波電源１１ｂの出力する高周波電力を均等に給電点７ａ〜７ｈへ分配するための分配器である。また、マッチングボックス１２ｂは、マッチングボックス１２ａと同様に、効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器１０ｂと高周波電源１１ｂとの間のインピーダンス整合を調整するために用いられる。
また、電力分配器１０ａ、１０ｂと、高周波電源１１ａ、１１ｂと、マッチングボックス１２ａ、１２ｂは、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の高周波電力給電回路を構成している。
【００３７】
このような構成により、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、真空状態にした製膜室１内に、ガス供給管４から例えばアモルファスシリコンを含む製膜用ガスを導入すると共に、ガス排気管５からプラズマによる分解後のガスを排気しながら、マッチングボックス１２ａと電力分配器１０ａとを介して、高周波電源１１ａからは、例えば周波数６０．０ＭＨｚの高高周波（ＶＨＦ）電力をラダー電極２へ給電する。
【００３８】
一方、マッチングボックス１２ｂと電力分配器１０ｂとを介して、高周波電源１１ｂからは、高周波電源１１ａと同一周波数６０．０ＭＨｚの高高周波（ＶＨＦ）電力をラダー電極２へ給電し、高周波電源１１aの位相を基準にして高周波電源１１ｂの位相を時間的に変動させて、給電点６ａ〜６ｈと７ａ〜７ｈ間の縦方向電極棒２ａの電圧分布の均一化を行う。また、この時、高周波電源１１ａ及び高周波電源１１ｂから供給される全電力は、例えば３０００Ｗとなるように調整する。
【００３９】
そして、この状態で５〜１０分間程度、ラダー電極２と基板３との間にプラズマを発生させると、プラズマ中でアモルファスシリコンを含む製膜用ガスが分解され、基板３の表面に希望のアモルファスシリコンの結晶が生成される。また、この時、高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることにより、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化が促進される。
【００４０】
次に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置において、上述のように物質を基板３に蒸着させる際の、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させる手段について説明する。
まず、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈについて更に説明すると、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈとの間のインピーダンス整合を調整するためのインピーダンス変更手段が設けられている。
【００４１】
具体的に図面を参照して説明すると、図２は、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈを代表して、同軸ケーブル８ｈについて詳細に示した図であって、同軸ケーブル８ｈは、製膜室１の外側（大気側）に、同軸ケーブル８ｈを分岐するＴ字コネクタ２１と、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子に接続された分岐ケーブル２２とを備えている。
【００４２】
ここで、同軸ケーブル８ｈからＴ字コネクタ２１により分岐された分岐ケーブル２２は、同軸ケーブル８ｈに対するスタブを構成するものであって、該スタブのインピーダンスを調整することにより、給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを変更することができる。
【００４３】
これを、図３に示すモデル化されたスタブを用いて説明すると、スタブに用いる分岐ケーブル２２の特性インピーダンスを同軸ケーブル８ｈの特性インピーダンス（例えば５０［オーム］）と同じ特性インピーダンスＺ０、分岐ケーブル２２の長さをｄ、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端（Ｔ字コネクタ２１の分岐端子とは反対の方向）に接続される負荷のインピーダンスをＺＲとした時、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺは、下記（１）式により求めることができる。
【数１】
なお、図２、図３及び（１）式において各要素の文字（インピーダンスを示す文字）上部に点が付与されているのは、各要素が抵抗成分とインダクタンス成分とを含む複素数で表されることを示し、本実施の形態、及び後述する第２の実施の形態で扱うインピーダンスは、全て複素数で表されるものとする。
【００４５】
これにより、図４（ａ）に示すスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡させた場合（短絡線路：インピーダンスＺＲ＝０）における分岐ケーブル２２の長さｄに対するインピーダンスＺの特性と、図４（ｂ）に示すスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を開放させた場合（開放線路：インピーダンスＺＲ＝無限大）における分岐ケーブル２２の長さｄに対するインピーダンスＺの特性とを比較してもわかるように、分岐ケーブル２２の長さｄが同一でも、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡あるいは開放するだけで、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。
【００４６】
なお、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、短絡線路及び開放線路では、電圧定在波の波節の点（短絡線路ではｄ＝０、λ／２、λ・・・の点、開放線路ではｄ＝λ／４、３λ／４、５λ／４の点）では電圧がゼロになるのでインピーダンスＺはゼロとなり、電圧定在波の波腹の点（短絡線路ではｄ＝λ／４、３λ／４、５λ／４の点、開放線路ではｄ＝０、λ／２、λ・・・の点）では電流がゼロになるのでインピーダンスＺは無限大となる。
【００４７】
従って、スタブのインピーダンスＺとＴ字コネクタ２１の入力端子から電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスとの合成インピーダンスとなる、給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端の短絡あるいは開放の処理により変更することができる。
【００４８】
また、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端を短絡あるいは開放のどちらかに固定した場合でも、分岐ケーブル２２の長さｄを変更することにより、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、分岐ケーブル２２の長さｄによっても変更することができる。
【００４９】
更に、スタブ（分岐ケーブル２２）の先端にコイルやコンデンサ、または抵抗等の受動素子、あるいはこれらの複合回路による負荷を接続し、受動素子の定数変更により負荷のインピーダンスＺＲを変更することでも、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、受動素子の定数変更によっても変更することができる。
【００５０】
また、スタブに用いる分岐ケーブル２２自体の特性インピーダンスを同軸ケーブル８ｈの特性インピーダンスとは異なるものとすることでも、Ｔ字コネクタ２１の分岐端子からスタブ（分岐ケーブル２２）の先端を見たインピーダンスＺを変更することができる。従って、同様に給電点６ｈから、電力分配器１０ａ方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを、分岐ケーブル２２自体の特性インピーダンスによっても変更することができる。
なお、同軸ケーブル８ｈ以外の同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈにも、同様のＴ字コネクタ２１と分岐ケーブル２２が備えられている。
【００５１】
これにより、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに設けられたスタブを用いて、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈと、対応する給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈとの間のインピーダンス整合を調整し、給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈに給電される高周波電力、すなわちラダー電極２を構成する平行な複数本の縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力をそれぞれ調整することで、基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００５２】
そのため、プラズマを発生させるためにラダー電極２と基板３との間に印加される電圧分布を基板３全体において均一化させ、均一化された電圧分布により膜厚が均一な基板を製膜することができる。
【００５３】
図５は、一例として、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。図５に示すように、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈが接続される給電点６ａ、６ｈ、７ａ、７ｈに対応する基板３の一方の端から１００〜３００［ｍｍ］程度、及び１３００〜１５００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５４】
また、図６は、一例として、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。図６に示すように、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇが接続される給電点６ｂ、６ｇ、７ｂ、７ｇに対応する基板３の一方の端から２００〜４００［ｍｍ］程度、及び１２００〜１４００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５５】
更に、図７は、一例として、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置し、分岐ケーブル２２の長さｄを変更した場合に、図１に示す放電電極中央位置Ｓにおいて給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。この例では、図５及び図６に示すスタブの効果が合成され、図７に示すように、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈが接続される給電点６ａ、６ｂ、６ｇ、６ｈ、７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｈに対応する基板３の一方の端から１００〜４００［ｍｍ］程度、及び１２００〜１５００［ｍｍ］程度の電圧分布を、分岐ケーブル２２の長さｄにより有効に調整可能なことがわかる。
【００５６】
なお、図５、図６、及び図７に示すシミュレーションの計算条件は、（１）電子質量：９．１１Ｅ−３１［ｋｇ］、（２）高周波電力周波数：６０［ＭＨｚ］、（３）ガス圧：６．６６［Ｐａ］、（４）電子温度：３．０［ｅＶ］、（５）電極−対向電極間距離：３８［ｍｍ］、（６）電子質量：１．６２Ｅ−１９［Ｃ］、（７）ラダー導電体半径：５［ｍｍ］、（８）電子密度：５．０Ｅ−８［１／ｃｃ］、（９）誘電率：８．８５４Ｅ−１２［Ｆ／ｍ］、（１０）シース長／デバイス長：２［倍］とした。また、図５、及び図６において示す「ｌｅｎ」は、波長λで表された分岐ケーブル２２の長さｄを、実際の高周波電力の波長λに合わせて数値化した値である。
【００５７】
本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、図５、図６、及び図７を参照してスタブの条件を求めた結果、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈに分岐ケーブル２２の先端が開放されたスタブを配置した場合は、同軸ケーブル８ａ、８ｈ、９ａ、９ｈに配置したスタブの分岐ケーブル２２の長さｄをｄ＝λ／２．２２２とし、同軸ケーブル８ｂ、８ｇ、９ｂ、９ｇに配置したスタブの分岐ケーブル２２の長さｄをｄ＝λ／２．０８３とした時に、最適な状態が得られた。具体的には、高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制する方向に十分に調整した効果と合わせて、基板３全体の膜厚の誤差が膜厚自体の±１０％程度の値まで改善することができる。
【００５８】
なお、上述の実施の形態では、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈの中で、同軸ケーブル８ａ、８ｂ、８ｇ、８ｈ、９ａ、９ｂ、９ｇ、９ｈにスタブを配置する場合を説明したが、スタブを配置する同軸ケーブルの位置及び数は、これら８個のスタブに限らず、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈがこれより多くなった場合も含め、どの同軸ケーブルに配置しても良い。従って、ｎ本（ｎは正の整数）の同軸ケーブルに対するスタブの配置の組合せは、同軸ケーブルを１本、２本、３本、・・・ｎ本ずつ選択する組合せ数の総計数だけ考えられる。
【００５９】
また給電点から電力分配器方向（高周波電力給電回路方向）を見た場合のインピーダンスを変更する手段は、上述のようなスタブに限らず、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点との間のインピーダンス整合を調整することができるものであれば、どのような手段であっても良い。
【００６０】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、基板３の表面に希望の物質を蒸着させる際に、高周波電源１１ａ、１１ｂによる周波数が同一な高周波電力をラダー電極２に供給し，高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化を促進すると共に、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるように、高周波電力給電回路からラダー電極２へ高周波電力を供給するための複数の同軸ケーブルに配置したスタブにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００６１】
従って、大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
特に、ＰｉＮ構造を持つ例えばアモルファスシリコン太陽電池等に用いる基板を製膜する際に、ｐ層、ｉ層、ｎ層のいずれも有効に製膜することができ、電池性能を大きく向上させることができる。また、膜厚分布が均一化するため、プロセス中のレーザエッチング工程におけるレーザ切れが大幅に向上すると共に、製品の概観が良くなるという効果も得られる。更に、製膜室内への物質の付着も均一化されるため、セルフクリーニング時のクリーニング時間を短縮し、クリーニング前後における製膜への影響も最小化できるという効果も得られる。
【００６２】
（第２の実施の形態）
次に、図面を参照して、本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置について説明する。第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置が、高周波電力給電回路からラダー電極２へ高周波電力を供給するための複数の同軸ケーブルに配置したスタブにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整していたのに対し、第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、同軸ケーブルにスタブは設けず、ラダー電極２側のインピーダンスを変更することで、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整する場合について説明する。
【００６３】
従って、以下の説明ではプラズマ化学蒸着装置の製膜室１内の構成についてのみ説明し、その他の構成は、上述のように同軸ケーブルにスタブを設けないことを除き、図１を用いて説明した第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置と同一であるので、ここでは説明を省略する。図８は、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室１内の主要部の構成を示す図である。
【００６４】
図８において、終端コイル３１ａ、３１ｂは、主に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の８つの給電点６ａ〜６ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、基板３の基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）近傍において、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｂと接地点（例えば図示しないアース電極）との間に接続されたコイルであって、コイルのインピーダンスとラダー電極２のインピーダンスとの合成インピーダンスが、給電点６ａ〜６ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスとなる。
【００６５】
同様に、図８において、終端コイル３１ｃ、３１ｄは、主に、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の８つの給電点７ａ〜７ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、基板３の基板左右部（給電方向と直角の方向の基板端部）近傍において、ラダー電極２を構成する横方向電極棒２ｃと接地点（例えば図示しないアース電極）との間に接続されたコイルであって、コイルのインピーダンスとラダー電極２のインピーダンスとの合成インピーダンスが、給電点７ａ〜７ｈよりラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスとなる。
【００６６】
これにより、本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数を変更することにより、同軸ケーブル８ａ〜８ｈ、及び同軸ケーブル９ａ〜９ｈと、対応する給電点６ａ〜６ｈ、及び給電点７ａ〜７ｈとの間のインピーダンス整合を調整し、ラダー電極２を構成する平行な複数本の縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００６７】
図９は、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数Ｌをパラメータにして、終端コイル３１ａ〜３１ｄの挿入位置（図９の中ではコイルを模した記号で示す）と、調整された電圧分布による放電電極中央位置（図８に示す放電電極中央位置Ｓ）における製膜速度比率の関係をシミュレーションした結果である。図９に示すように、ラダー電極２上の調整された電圧分布による基板３上の製膜速度を、終端コイル３１ａ〜３１ｄの定数により有効に調整可能なことがわかる。
従って、終端コイル３１ａ〜３１ｄにより、プラズマを発生させるためにラダー電極２と基板３との間に印加される電圧分布を基板３全体において均一化させ、均一化された電圧分布により膜厚が均一な基板を製膜することができる。
【００６８】
なお、上述の実施の形態では、給電点からラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するために、ラダー電極２と接地点との間に接続された終端コイル３１ａ〜３１ｄを用いたが、終端コイル３１ａ〜３１ｄの代わりに、コンデンサや抵抗等の受動素子、あるいはコイルを含むこれらの複合回路を接続し、受動素子の定数変更により、給電点からラダー電極２の方向を見た場合のインピーダンスを変更するようにしても良い。更に、インピーダンスを変更するための終端コイル、及びコンデンサや抵抗等の受動素子、あるいはコイルを含むこれらの複合回路の数は、上述のように４個に限らず、いくつあっても良い。
【００６９】
また給電点からラダー電極の方向を見た場合のインピーダンスを変更する手段は、上述のような受動素子やその複合回路に限らず、それぞれの同軸ケーブルと、対応する給電点との間のインピーダンス整合を調整することができるものであれば、どのような手段であっても良い。
【００７０】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、基板３の表面に希望の物質を蒸着させる際に、高周波電源１１ａ、１１ｂによる周波数が同一な高周波電力をラダー電極２に供給し，高周波電源１１ａ、１１ｂによる同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極２上の定在波の発生を抑制し、給電方向の膜厚分布の均一化を促進すると共に、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるように、ラダー電極２に挿入した終端コイル３１ａ〜３１ｄにより、同軸ケーブルのそれぞれと、対応するラダー電極２の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、ラダー電極２のそれぞれの縦方向電極棒２ａに給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
【００７１】
従って、第１の実施の形態と同様に、大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７２】
なお、上述の第１、第２の実施の形態では、同軸ケーブルに配置するスタブ（インピーダンス調整手段）によるインピーダンスの調整と、ラダー電極２に挿入する終端コイル（インピーダンス調整手段）によるインピーダンスの調整とを、それぞれ独立に実施する場合を説明したが、両方を同時に実施するようにしても良い。これにより、両者のインピーダンス調整の組合せにより、更に細かい電圧分布の調整が可能となる。
また、上述の第１、第２の実施の形態では、プラズマを発生させることで基板上に物質を蒸着させる場合を説明したが、ラダー電極２に給電する高周波電力を調整することで、発生したプラズマを利用した基板上の物質のエッチング処理を行うこともできる。
【００７３】
【発明の効果】
以上の如く、本願発明によれば、放電電極の配置・構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させ、基板上の物質を均一に処理することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果が得られる。
【００７４】
また、放電電極の配置・構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを、電圧分布調整手段を用いて均衡させて、プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、前記基板全体において均一化させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７５】
さらに、インピーダンス変更手段により、高周波ケーブルと放電電極の給電点との間のインピーダンス整合を調整することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差を、インピーダンス整合の調整による放電電極の給電点における電圧調整によって容易に解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７６】
そして、高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、対応する放電電極の給電点との間のインピーダンス整合をスタブにより調整することで、容易に基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、スタブを構成する分岐ケーブルを製膜室の外部に設ければ、製膜室内の状態に影響を与えることなく、それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整することができ、更に安定して物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００７７】
また、受動素子の定数の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせてスタブのインピーダンスを容易にかつ細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００７８】
さらに、分岐ケーブルのケーブル長の選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて、コストをかけずにスタブのインピーダンスを細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００７９】
そして、分岐ケーブル自体の特性インピーダンスの選び方で、スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、請求項５と同様に、コストをかけずにスタブのインピーダンスを細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００８０】
また、インピーダンス変更手段により、直接放電電極のインピーダンスを変更することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差を、放電電極のインピーダンスの調整による放電電極の電圧調整によって容易に解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【００８１】
さらに、受動素子の定数の選び方で、放電電極と接地点との間のインピーダンスを自由に設定することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて放電電極と接地点との間のインピーダンスを容易にかつ細かく設定することで、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００８２】
そして、プラズマ処理装置において、基板全体において均一化された電圧分布により、膜厚が均一な基板を生成することができる。
従って、放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果が得られる。
また、大面積基板を製膜する際に、基板全体において均一化された電圧分布により、膜厚が均一な基板を製膜することができる。
従って、物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部を示すブロック図である。
【図２】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の同軸ケーブルに設けられたスタブについて示した図である。
【図３】 図２に示すスタブをモデル化した回路図である。
【図４】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置のスタブにおける分岐ケーブルの長さｄに対するインピーダンスＺの特性を示す図である。
【図５】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図６】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。
【図８】 本発明の第２の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室内の主要部の構成を示す図である。
【図９】 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の終端コイルの位置及び定数に対する基板上の製膜速度のシミュレーション結果を示したグラフである。
【符号の説明】
１ 製膜室
２ ラダー電極（放電電極）
２ａ 縦方向電極棒（放電電極）
２ｂ、２ｃ 横方向電極棒（放電電極）
３ 基板
４ ガス供給管
５ ガス排気管
６ａ〜６ｈ、７ａ〜７ｈ 給電点
８ａ〜８ｈ、９ａ〜９ｈ 同軸ケーブル（高周波ケーブル）
１０ａ、１０ｂ 電力分配器（高周波電力給電回路）
１１ａ、１１ｂ 高周波電源（高周波電力給電回路）
１２ａ、１２ｂ マッチングボックス（高周波電力給電回路）
２１ Ｔ字コネクタ
２２ 分岐ケーブル
３１ａ〜３１ｄ 終端用コイル（受動素子）
Claims (2)
- 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室内の前記放電電極と基板との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、
前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、
該電圧分布調整手段が、前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記高周波電力給電回路から前記複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルの中の少なくとも１つに設けられるインピーダンス変更手段であり、
該インピーダンス変更手段が、前記高周波ケーブルから分岐する分岐ケーブルにより構成されたスタブであり、
該スタブが、前記分岐ケーブルの先端に接続された受動素子を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更することを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。 - 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電し、物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室内の前記放電電極と基板との間にプラズマを発生させて、前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置において、
前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備え、
前記電圧分布調整手段が、
前記放電電極の給電点から前記放電電極の方向を見た時のインピーダンスを変更するために、前記放電電極と接地点との間に設けられるインピーダンス変更手段であり、
前記インピーダンス変更手段が、
前記放電電極と前記接地点との間に接続された受動素子を備えると共に、該受動素子の定数の変更によって、前記放電電極と前記接地点との間のインピーダンスを変更することを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002288997A JP3872741B2 (ja) | 2002-10-01 | 2002-10-01 | プラズマ化学蒸着装置 |
| PCT/JP2003/012563 WO2004031442A1 (ja) | 2002-10-01 | 2003-10-01 | プラズマ処理装置とその基板処理方法、及びプラズマ化学蒸着装置とその製膜方法 |
| US10/519,475 US20050223990A1 (en) | 2002-10-01 | 2003-10-01 | Plasma processing system and its substrate processing process, plasma enhanced chemical vapor deposition system and its film deposition process |
| EP03748631A EP1548150A4 (en) | 2002-10-01 | 2003-10-01 | PLASMA PROCESSING SYSTEM AND ITS SUBSTRATE PROCESSING METHOD, PLASMA-LOWEST CVD SYSTEM AND ITS FILM DISTINCTION METHOD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002288997A JP3872741B2 (ja) | 2002-10-01 | 2002-10-01 | プラズマ化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004124153A JP2004124153A (ja) | 2004-04-22 |
| JP3872741B2 true JP3872741B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=32063702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002288997A Expired - Fee Related JP3872741B2 (ja) | 2002-10-01 | 2002-10-01 | プラズマ化学蒸着装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050223990A1 (ja) |
| EP (1) | EP1548150A4 (ja) |
| JP (1) | JP3872741B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004031442A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004040629A1 (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | プラズマ化学蒸着装置における高周波プラズマの大面積均一化方法及び装置 |
| JP4088616B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2008-05-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置、基板処理システム、及び製膜・セルフクリーニング方法 |
| JP4884793B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2012-02-29 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 |
| JP4817923B2 (ja) | 2006-03-29 | 2011-11-16 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 |
| JP5039476B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-10-03 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理装置、及び真空処理装置の調整方法 |
| DE102009014414A1 (de) | 2008-10-29 | 2010-05-12 | Leybold Optics Gmbh | VHF-Elektrodenanordnung, Vorrichtung und Verfahren |
| JP2013004172A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 高周波電力分配装置およびそれを用いた基板処理装置 |
| HUP1100436A2 (en) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Ecosolifer Ag | Gas flow system for using in reaction chamber |
| CN103943449B (zh) * | 2013-06-28 | 2016-08-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种射频串扰的测量方法、设备和系统 |
| CN110029328A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-19 | 上海稷以科技有限公司 | 一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2816365B2 (ja) * | 1990-09-19 | 1998-10-27 | 株式会社 ユーハ味覚糖精密工学研究所 | ラジカル反応による無歪精密加工装置 |
| JP2961103B1 (ja) * | 1998-04-28 | 1999-10-12 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
| JP3697110B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-09-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
| JP3276346B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2002-04-22 | 三菱重工業株式会社 | 放電電極、高周波プラズマ発生装置、給電方法および半導体製造方法 |
| JP4286404B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 整合器およびプラズマ処理装置 |
| JP3377773B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2003-02-17 | 三菱重工業株式会社 | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| TW507256B (en) * | 2000-03-13 | 2002-10-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus |
| JP3418590B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2003-06-23 | 日本高周波株式会社 | 均一電界分布型プラズマ処理装置 |
-
2002
- 2002-10-01 JP JP2002288997A patent/JP3872741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-01 WO PCT/JP2003/012563 patent/WO2004031442A1/ja active Application Filing
- 2003-10-01 EP EP03748631A patent/EP1548150A4/en not_active Withdrawn
- 2003-10-01 US US10/519,475 patent/US20050223990A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004031442A1 (ja) | 2004-04-15 |
| EP1548150A1 (en) | 2005-06-29 |
| EP1548150A4 (en) | 2012-05-30 |
| JP2004124153A (ja) | 2004-04-22 |
| US20050223990A1 (en) | 2005-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3902113B2 (ja) | プラズマ化学蒸着方法 | |
| JP3332857B2 (ja) | 高周波プラズマ発生装置及び給電方法 | |
| JP5290579B2 (ja) | プラズマ生成方法、及びプラズマ生成に用いる高周波生成器の製造方法 | |
| JP3697110B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP3377773B2 (ja) | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 | |
| JP3872741B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP4564213B2 (ja) | プラズマ生成用アンテナ及びｃｖｄ装置 | |
| JPH11312647A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP5506826B2 (ja) | 大面積プラズマ処理装置 | |
| JP3276346B2 (ja) | 放電電極、高周波プラズマ発生装置、給電方法および半導体製造方法 | |
| JPH1116843A (ja) | 電子デバイス製造装置 | |
| JP4410788B2 (ja) | プラズマ化学蒸着方法及びプラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH11340150A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP3611309B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置における放電電極の構造 | |
| JP5489803B2 (ja) | 高周波プラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜製造方法 | |
| JP3396879B2 (ja) | プラズマ処理装置、マッチングボックス及び給電体 | |
| JP5690299B2 (ja) | プラズマ形成装置 | |
| JP2006066779A (ja) | プラズマｃｖｄ装置、基板処理システム、及び製膜・セルフクリーニング方法 | |
| JP2012507126A (ja) | Ｖｈｆ装置 | |
| JP2002305151A (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| JP2012014991A (ja) | 高周波プラズマ発生装置および高周波プラズマ発生装置を用いた薄膜製造方法 | |
| JP2004266038A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
| JP2003059839A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP2010232684A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060825 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061020 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131027 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |