WO2004031442A1 - プラズマ処理装置とその基板処理方法、及びプラズマ化学蒸着装置とその製膜方法 - Google Patents

Abstract

　基板上の物質の膜厚分布を均一化できるプラズマ処理装置とその基板処理方法、及びプラズマ化学蒸着装置とその製膜方法を提供することを目的とする。　基板（３）の表面に希望の物質を蒸着させる際に、２つの電源から周波数が同一で位相差を時間的に変化させた高周波電力をラダー電極（２）に供給し、給電方向の膜厚分布の均一化を促進すると共に、給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるように、ラダー電極（２）へ高周波電力を供給するための同軸ケーブルに配置した分岐ケーブル（２２）により、同軸ケーブルのそれぞれと対応するラダー電極（２）の給電点との間のインピーダンス整合の調整を行い、ラダー電極（２）のそれぞれの縦方向電極棒（２ａ）に給電される高周波電力を調整し、基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、ラダー電極（２）上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善する。

Description

明 細 書 ブラズマ処理装置とその基板処理方法、 及びブラズマ化学蒸着装置とその製膜方 法 技術分野

本発明は、 ブラズマを発生させて基板上の物質を処理するブラズマ処理装置とそ の基板処理方法、 及びプラズマ化学蒸着装置とその製膜方法に関する。 背景技術

従来、 例えば半導体等の物質を基板に蒸着させるために、 真空状態にした基板 と、 該基板と平行に対面配置された放電電極との間にこれらの物質を含む製膜用 ガスを導入すると共に、 該放電電極へ高周波電力を給電し、 基板と放電電極との 間にプラズマを発生させ、'該プラズマにより物質を含む製膜用ガスを分解するこ とにより目的の物質を基板に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置 （プラズマ C V D 装置） がある （特開 2 0 0 1— 2 7 4 0 9 9号公報参照） 。 発明の開示

ところで、 上述のようなプラズマ化学蒸着装置では、 例えば縦方向 X横方向 の寸法が 1 [m] X I [m] を超える大面積基板を製膜するような場合、 生成 される膜の膜厚分布を基板全体で均一化することが難しいという問題がある。 そのため、 例えば特許文献 1に記載の技術では、 基板上の複数の放電電極へ給 電するための複数の高周波ケーブルを均一のインピーダンスに調整し、 高周波電 力給電回路により発生した高周波電力を安定的に供給すると共に、 周波数の異な る 2つの高周波電力を放電電極に供給することにより、 膜厚の均一化の妨げとな る放電電極上の定在波の発生を抑制し、 膜厚分布を均一化しようとするものの、 放電電極の配置に起因する局所的な膜厚分布の不平衡が発生し、 大面積基板にお ける膜厚の分布特 が十分に改善されていないという問題があった。

特に、 放電電極にラダー型電極や網目状電極を用いる場合、 隣接する放電電極 が左右に存在する基板中央部の放電電極と、 隣接する放電電極が左右のどちらか 一方にしか存在しない、 給電方向と直角の方向の基板端部 （以下、 基板左右部と する） 近傍の放電電極とでは、 その配置及び構造上、 それぞれの放電電極が基板 に与える影響が異なるため、 蒸着される膜の膜厚分布が均一にならない傾向があ つた。 そのため、 膜厚の分布特性が均一な基板を得ようとする場合、 基板左右部 の膜厚が不均一な部分の利用をあきらめて、 希望の大きさの基板より一回り大き な基板を製膜し、 膜厚の分布特性が均一な部分のみを切り出すような処理が必要 となり、 物質が蒸着された基板生産の歩留まりが低下するという問題があった。 本発明は、 上記課題に鑑みてなされたもので、 基板上の物質の膜厚分布を容易 に均一化することができるプラズマ処理装置とその基板処理方法、 及びプラズマ 化学蒸着装置とその製膜方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、 本発明のプラズマ処理装置は、 高周波電力給電回 路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電し、 処理用ガスが導入され た処理室内の前記放電電極と基板との間にプラズマを発生させて、 前記基板上の 物質を処理するプラズマ処理装置において、 前記放電電極による給電方向に対し て直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整するための電圧 分布調整手段を備えたことを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ処理装置は、 隣接する放電電極が左右に存在する 基板中央部の放電電極と、 隣接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存在し ない基板左右部 （給電方向と直角の方向の基板端部） の放電電極との配置及び構 造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布と を、 電圧分布調整手段を用いて均衡させて、 プラズマを発生させるために前記放 電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、 前記基板全体において均一化 させ、 基板上の物質を均一に処理することができる。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を 解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果 が得られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 高周波電力給電回路 （例えば発明を 実施するための最良の形態における電力分配器 1 0 a、 1 0 bと高周波電源 1 1 a、 1 1 bとマッチングボックス 1 2 a、 1 2 b ) により発生した高周波電力を 複数の放電電極 （例えば 明を実施するための最良の形態におけるラダー電極 2 の縦方向電極棒 2 a ) へ給電し、 物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室 （例 えば発明を実施するための最良の形態における製膜室 1 ) 内の前記放電電極と基 板 （例えば発明を実施するための最良の形態における基板 3 ) との間にプラズマ を発生させて、 前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置におい て、 前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上 の電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備えたことを特徴とす る。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 隣接する放電電極が左右に存在 する基板中央部の放電電極と、 P粦接する放電電極が左右のどちらか一方にしか存 在しない基板左右部 （給電方向と直角の方向の基板端部） の放電電極との配置及 び構造の違いにより偏差が発生する基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分 布とを、 電圧分布調整手段を用いて均衡させて、 プラズマを発生させるために前 記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、 前記基板全体において均 一化させることができる。 ， . 従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を 解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善し、 物質が蒸着された基板生 産の歩留まりを向上させると共に、 生産された基板の品質を向上させることがで きるという効果が得られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記電圧分布調整手段が、 前記放電電極の給電点 （例えば発明を実施するた めの最良の形態における給電点 6 a〜 6 hと給電点 7 a〜 7 h ) から前記高周波 電力給電回路の方向を見た時のィンピーダンスを変更するために、 前記高周波電 力給電回路から前記複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数の高周波 ケーブル （例えば発明を実施するための最良の形態における同軸ケーブル 8 a〜 8 hと同軸ケーブル 9 a ~ 9 h ) の中の少なくとも 1つに設けられるインピーダ ンス変更手段であることを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 インピーダンス変更手段によ り、 高周波電力給電回路から複数の放電電極へ高周波電力を供給するための複数 の高周波ケーブルのそれぞれと、 対応する放電電極の給電点との間のインピーダ ンス整合を調整することで、 それぞれの放電電極に給電される高周波電力を調整 し、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができ る。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差を、 インピーダンス整合の調整による放 電電極の給電点における電圧調整によつて容易に解消して大面積基板における膜 厚の分布特性を改善し、 物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共 に、 生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。 また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記インピーダンス変更手段が、 前記高周波ケーブルから分岐する分岐ケー プル （例えば発明を実施するための最良の形態における分岐ケーブル 2 2 ) によ り構成されたスタブであることを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 複数の放電電極へ高周波電力を 供給するための複数の高周波ケーブルのそれぞれと、 対応する放電電極の給電点 との間のィンピーダンス整合をスタブにより調整することで、 それぞれの放電電 極に給電される高周波電力を容易に調整し、 基板左右部の電圧分布と基板中央部 の電圧分布とを均衡させることができる。

従って、 スタブを構成する分岐ケーブルを製膜室の外部に設ければ、 製膜室内 の状態に影響を与えることなく、 それぞれの放電電極に給電される高周波電力を 調整することができ、 更に安定して物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上 させると共に、 生産された基板の品質を向上させることができるという効果が得 られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記スタブが、 前記分岐ケーブルの先端に接続された受動素子を備えると共 に、 該受動素子の定数の変更によって、 前記放電電極の給電点から前記高周波電 力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更することを特徴とする。 以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 受動素子の定数の選び方で、 ス タブのインピーダンスを自由に設定することができる。 従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に合わせてスタブのインピーダンスを容 易にかつ細かく設定することで、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布 とを均衡させ、 大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させることがで きるという効果が得られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記スタブが、 前記分岐ケーブルのケーブル長の変更によって、 前記放電電 極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更 することを特徴とする。

以上の構成を備えたブラズマ化学蒸着装置は、 分岐ケーブルのケーブル長の選 び方で、 スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて、 コストをかけずにスタブの ィンピーダンスを細かく設定することで、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の 電圧分布とを均衡させ、 大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向上させる ことができるという効果が得られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記スタブが、 前記分岐ケーブル自体の特性インピーダンスの変更によつ て、 前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピ 一ダンスを変更することを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 分岐ケーブル自体の特性インピ 一ダンスの選び方で、 スタブのインピーダンスを自由に設定することができる。 従って、 コストをかけずにスタブのインピーダンスを細かく設定することで、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させ、 大面積基板におけ る膜厚の分布特性の精度を向上させることができるという効果が得られる。 また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記電圧分布調整手段が、 前記放電電極の給電点から前記放電電極の方向を 見た時のインピーダンスを変更するために、 前記放電電極と接地点との間に設け られるインピーダンス変更手段であることを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 インピーダンス変更手段によ り、 直接放電電極のィンピーダンスを変更することで、 それぞれの放電電極に給 電される高周波電力を調整し、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布と を均衡させることができる。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差を、 放電電極のインピーダンスの調整に よる放電電極の電圧調整によって容易に解消して大面積基板における膜厚の分布 特性を改善し、 物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、 生産 された基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。

また、 本発明のプラズマ化学蒸着装置は、 上記プラズマ化学蒸着装置におい て、 前記インピーダンス変更手段が、 前記放電電極と前記接地点との間に接続さ れた受動素子 （例えば発明を実施するための最良の形態における終端用コイル 3 1 a〜3 1 d ) を備えると共に、 該受動素子の定数の変更によって、 前記放電電 極と前記接地点との間のインピーダンスを変更することを特徴とする。

以上の構成を備えたプラズマ化学蒸着装置は、 受動素子の定数の選び方で、 放 電電極と接地点との間のインピーダンスを自由に設定することができる。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に合わせて放電電極と接地点との間のィ ンピーダンスを容易にかつ細かく設定することで、 基板左右部の電圧分布と基板 中央部の電圧分布とを均衡させ、 大面積基板における膜厚の分布特性の精度を向 上させることができるという効果が得られる。

本発明のプラズマ処理装置の基板処理方法は、 高周波電力給電回路により発生 した高周波電力を複数の放電電極へ給電し、 処理用ガスが導入された処理室内の 前記放電電極と基板との間にプラズマを発生させて、 前記基板上の物質を処理す るプラズマ処理装置の基板処理方法であって、 前記放電電極による給電方向に対 して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を調整することによ り、 給電方向と直角の方向の前記基板端部の電圧分布と前記基板中央部の電圧分 布とを均衡させて、 プラズマを発生させるために前記放電電極と前記基板との間 に印加される電圧分布を、 前記基板全体において均一化させることを特徴とす る。

以上の方法では、 プラズマ処理装置において、 基板全体において均一化された 電圧分布により、 膜厚が均一な基板を生成することができる。

従って、 放電電極上の電圧分布の偏差に起因する局所的な膜厚分布の不平衡を 解消して大面積基板における膜厚の分布特性を改善することができるという効果 が得られる。

本発明のプラズマ化学蒸着装置の製膜方法は、 高周波電力給電回路により ^生 した高周波電力を複数の放電電極へ給電し、 物質を含む製膜用ガスが導入された 製膜室内の前記放電電極と基板との間にプラズマを発生させて、 前記物質を前記 基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装置の製膜方法であって、 前記放電電極に よる給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の電圧分布の偏差を 調整することにより、 給電方向と直角の方向の前記基板端部の電圧分布と前記基 板中央部の電圧分布とを均衡させて、 プラズマを発生させるために前記放電電極 と前記基板との間に印加される電圧分布を、 前記基板全体において均一化させる ことを特徴とする。

以上の方法では、 プラズマ化学蒸着装置において大面積基板を製膜する際に、 基板全体において均一化された電圧分布により、 膜厚が均一な基板を製膜するこ とができる。

従って、 物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、 生産され た基板の品質を向上させることができるという効果が得られる。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明の第 1の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部を示すブ ロック図である。

図 2は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の同軸ケーブルに設けられたス タブについて示した図である。

図 3は、 図 2に示すスタブをモデル化した回路図である。

図 4は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置のスタブにおける分岐ケーブル の長さ dに対するインピーダンス Zの特性を示す図である。

図 5は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに 対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。 図 6は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに 対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。 図 7は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置における分岐ケーブルの長さに 対する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。 図 8は、 本発明の第 2の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室内の主要 部の構成を示す図である。

図 9は、 同実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の終端コイルの位置及び定数に 対する基板上の製膜速度のシミュレーション結果を示したグラフである。 発明を実施するための最良の形態

以下、 図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

(第 1の実施の形態）

まず、 図面を参照して、 本発明の第 1の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置に ついて説明する。 図 1は、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の主要部の構成 を示すブロック図である。

図 1において、 符号 1は、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の製膜室であ つて、 製膜室 1内には、 放電電極として用意されたラダー電極 2と、 ラダー電極 2と所定の間隔をもって対面配置され、 かつ接地されているアース電極 （図示せ ず） と、 該アース電極により保持された基板 3とが備えられている。

また、 製膜室 1には、 基板 3への蒸着を希望するアモルファスシリコンや多結 晶薄膜シリコン等の物質を含む製膜用ガスを導入するためのガス供給管 4と、 プ ラズマによる分解後のガスを排気するためのガス排気管 5とが備えられ、 製膜室 1は、 図示しなレ、ガス供給源からガス供給管 4を介して製膜用ガスが供給される と共に、 図示しない真空ポンプにより、 ガス排気管 5を介してプラズマによる分 解後のガスが吸引される構成をなしている。

—方、 ラダー電極 2は、 平行な複数本の縦方向電極棒 2 aと平行に対面配置さ れた一対の横方向電極棒 2 b、 2 cとを格子状に組み立ててなるものであり、 更 にラダー電極 2は、 アース電極 （図示せず） により保持される基板 3と平行に対 面配置されている。 また、 ラダー電極 2を構成する横方向電極棒 2 bには例えば 8つの給電点 6 a〜 6 hが設けられ、 同様にラダー電極 2を構成する横方向電極 棒 2 cにも 8つの給電点 7 a〜7 hが設けられている。 なお、 各給電点 6 a〜6 h、 及び各給電点 7 a 〜 7 hは、 それぞれが受け持つ縦方向電極棒 2 aの本数が 同じになるように横方向電極棒 2 b 、 2 cを等分する位置にそれぞれ設けられて レ、る。

なお、 基板 3が例えば 1 1 0 0 [mm] X 1 4 0 0 [mm] 角サイズである 場合は、 ラダー電極 2は、 1 2 0 0 [mm] X 1 5 0 0 [mm] 角サイズ程度 の基板 3よりも一回り大きなサイズのものを利用する。

また、 給電点 6 a 〜 6 hには、 製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生さ せる高周波電力をラダー電極 2へ給電するために、 8本の同軸ケーブル 8 a 〜 8 hが接続されており、 給電点 6 a 〜 6 hに接続された 8本の同軸ケーブル 8 a ~ 8 hの反対側は、 製)]莫室 1の外部に配置された電力分配器 1 0 aの出力端子に接 続されている。

ここで電力分配器 1 0 aは、 高周波電源 1 1 aの出力する高周波電力を均等に 給電点 6 a ~ 6 hへ分配するための分配器であって、 電力分配器 1 0 aの入力端 子は、 効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器 1 0 aと高周波電源 1 l aとの間のインピーダンス整合を調整するためのマッチングボックス 1 2 aを 介して、 高周波電源 1 1 a へ接続されている。

同様に、 給電点 7 a 〜 7 hには、 製膜用ガスを分解するためのプラズマを発生 させる高周波電力をラダー電極 2へ給電するために、 8本の同軸ケーブル 9 a ~ 9 hが接続されており、 給電点 7 a 〜 7 hに接続された 8本の同軸ケーブル 9 a 〜 9 hの反対側は、 製膜室 1の外部に配置された電力分配器 1 0 bの出力端子に 接続されている。 また、 電力分酉己器 1 0 bの入力端子は、 マッチングボックス 1 2 bを介して、 高周波電源 1 1 b へ接続されている。

なお、 ここで電力分配器 1 0 bは、 電力分配器 1 0 aと同様に、 高周波電源 1 1 bの出力する高周波電力を均等に給電点 7 a 〜 7 hへ分配するための分配器で ある。 また、 マッチングボックス 1 2 bは、 マッチングボックス 1 2 aと同様 に、 効率よく高周波電力が供給されるように電力分配器 1 0 bと高周波電源 1 1 bとの間のインピーダンス整合を調整するために用いられる。

また、 電力分配器 1 0 a、 1 0 bと、 高周波電源 1 1 a 、 1 1 bと、 マツチン • 2 a 、 1 2 bは、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置の高周波電 力給電回路を構成している。

このような構成により、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、 真空状態 にした製膜室 1内に、 ガス供給管 4から例えばアモルファスシリコンを含む製膜 用ガスを導入すると共に、 ガス排気管 5からブラズマによる分解後のガスを排気 しながら、 マッチングボックス 1 2 aと電力分配器 1 0 aとを介して、 高周波電 源 1 1 aからは、 例えば周波数 60. OMHzの高高周波 （VHF) 電力をラダ 一電極 2へ給電する。

一方、 マッチングボックス 1 2 bと電力分配器 1 0 bとを介して、 高周波電源 1 1 bからは、 高周波電源 1 1 aと同一周波数 60. OMHzの高高周波 （VH F ) 電力をラダー電極 2へ給電し、 高周波電源 1 1 aの位相を基準にして高周波 電源、 l i bの位相を時間的に変動させて、 給電点 6 a〜 6 hと 7 a〜 7 h間の縦 方向電極棒 2 aの電圧分布の均一化を行う。 また、 この時、 高周波電源 1 1 a及 び高周波電源 1 1 bから供給される全電力は、 例えば 300 OWとなるように調 整する。

そして、 この状態で 5〜 1 0分間程度、 ラダー電極 2と基板 3との間にプラズ マを発生させると、 プラズマ中でアモルファスシリコンを含む製膜用ガスが分解 され、 基板 3の表面に希望のアモルファスシリコンの結晶が生成される。 また、 この時、 高周波電源 1 1 a、 1 1 bによる同一周波数の高周波電力の位相差を時 間的に変化させることにより、 膜厚の均一化の妨げとなるラダー電極 2上の定在 波の発生を抑制し、 給電方向の膜厚分布の均一化が促進される。

次に、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置において、 上述のように物質を基 板 3に蒸着させる際の、 給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させる手段につい て説明する。

まず、 同軸ケーブル 8 a〜8 h、 及び同軸ケーブル 9 a〜9 hについて更に説 明すると、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hに、 それぞれの同軸ケーブルと、 対応 する給電点 6 a、 6 b、 6 g、 6 h、 7 a、 7 b、 7 g、 7 hとの間のインピー ダンス整合を調整するためのインピーダンス変更手段が設けられている。

具体的に図面を参照して説明すると、 図 2は、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hを代表して、 同軸ケープノレ 8 hについて詳細 に示した図であって、 同軸ケープノレ 8 hは、 製膜室 1の外側 （大気側） に、 同軸 ケーブル 8 hを分岐する T字コネクタ 21と、 T字コネクタ 21の分岐端子に接 続された分岐ケ一プル 22とを備えている。

ここで、 同軸ケーブル 8 hから T字コネクタ 21により分岐された分岐ケープ ル 22は、 同軸ケープノレ 8 hに対するスタブを構成するものであって、 該スタブ のインピーダンスを調整することにより、 給電点 6 hから、 電力分配器 10 a方 向 （高周波電力給電回路方向） を見た場合のインピーダンスを変更することがで さる。 ' これを、 図 3に示すモデル化されたスタブを用いて説明すると、 スタブに用い る分岐ケーブル 22の特性インピーダンスを同軸ケーブル 8 hの特性インピーダ ンス （例えば 50 [オーム] ) と同じ特性インピーダンス Z 0、 分岐ケーブル 2 2の長さを d、 スタブ (分岐ケーブル 22) の先端 (T字コネクタ 21の分岐端 子とは反対の方向） に接続される負荷のインピーダンスを ZRとした時、 T字コ ネクタ 21の分岐端子からスタブ （分岐ケーブル 22) の先端を見たインピーダ ンス Zは、 下記 （1) 式により求めることができる。

" ' ZR+ j Zo tan {βά)

= Zo · — (1)

Zo+ j ZR tan {βά)

伹し β = 2π I λ

なお、 図 2、 図 3及び （1) 式において各要素の文字 （インピーダンスを示す 文字） 上部に点が付与されているのは、 各要素が抵抗成分とインダクタンス成分 とを含む複素数で表されることを示し、 本実施の形態、 及ぴ後述する第 2の実施 の形態で极うインピーダンスは、 全て複素数で表されるものとする。

これにより、 図 4 (a) に示すスタブ (分岐ケーブル 22) の先端を短絡させ た場合 （短絡線路：インピーダンス ZR=0) における分岐ケーブル 22の長さ dに対するインピーダンス Zの特性と、 図 4 (b) に示すスタブ （分岐ケープノレ 22) の先端を開放させた場合 （開放線路：インピーダンス ZR=無限大） にお ける分岐ケーブル 22の長さ dに対するィンピーダンス Zの特性とを比較しても わかるように、 分岐ケーブル 22の長さ dが同一でも、 スタブ （分岐ケーブル 2 2) の先端を短絡あるいは開放するだけで、 T字コネクタ 21の分岐端子からス タブ （分岐ケーブル 22) の先端を見たインピーダンス Zを変更することができ る。

なお、 図 4 (a) 、 （b) に示すように、 短絡線路及び開放線路では、 電圧定 在波の波節の点 （短絡線路では d = 0、 λ/2、 λ · · 'の点、 開放線路では d = λ/4、 3えノ 4、 5又 /4の点) では電圧がゼロになるのでインピーダンス Ζはゼ口となり、 電圧定在波の波腹の点 （短絡線路では d = Z4、 31 4, 5 λ/4の点、 開放線路では d = 0、 λ - · 'の点） では電流がゼロに なるのでィンピーダンス Ζは無限大となる。

従って、 スタブのインピーダンス Ζと Τ字コネクタ 21の入力端子から電力分 酉己器 10 a方向 （高周波電力給電回路方向） を見た場合のインピーダンスとの合 成インピーダンスとなる、 給電点 6 hから、 電力分配器 10 a方向 （高周波電力 給電回路方向） を見た場合のインピーダンスを、 スタブ （分岐ケーブル 22) の 先端の短絡あるいは開放の処理により変更することができる。

また、 スタブ （分岐ケープノレ 22) の先端を短絡あるいは開放のどちらかに固 定した場合でも、 分岐ケーブル 22の長さ dを変更することにより、 T字コネク タ 21の分岐端子からスタブ (分岐ケーブル 22) の先端を見たインピーダンス Zを変更することができる。 従って、 同様に給電点 6 hから、 電力分配器 10 a 方向 （高周波電力給電回路方向） を見た場合のインピーダンスを、 分岐ケーブル 22の長さ dによっても変更することができる。

更に、 スタブ （分岐ケーブル 22) の先端にコイルやコンデンサ、 または抵抗 等の受動素子、 あるいはこれらの複合回路による負荷を接続し、 受動素子の定数 変更により負荷のインピーダンス ZRを変更することでも、 T字コネクタ 21の 分岐端子からスタブ （分岐ケーブル 22) の先端を見たインピーダンス Zを変更 することができる。 従って、 同様に給電点 6 hから、 電力分配器 10 a方向 （高 周波電力給電回路方向） を見た場合のインピーダンスを、 受動素子の定数変更に よっても変更することができる。 また、 スタブに用いる分岐ケープノレ 22自体の特性インピーダンスを同軸ケー ブル 8 hの特性インピーダンスとは異なるものとすることでも、 T字コネクタ 2 1の分岐端子からスタブ (分岐ケープノレ 22) の先端を見たインピーダンス Zを 変更することができる。 従って、 同様に給電点 6 hから、 電力分配器 10 a方向 (高周波電力給電回路方向） を見た場合のインピーダンスを、 分岐ケーブル 22 自体の特 ½£ィンピーダンスによっても変更することができる。

なお、 同軸ケーブル 8 h以外の同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hにも、 同様の T字コネクタ 2 1と分岐ケーブル 22が備えられてい る。

これにより、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hに設けられたスタブを用いて、 同軸 ケープノレ 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hと、 対応する給電点 6 a、 6 b、 6 g、 6 h、 7 a、 7 b、 7 g、 7 hとの間のインピーダンス整合 を調整し、 給電点 6 a、 6 b、 6 g、 6 h、 7 a、 7 b、 7 g、 7 hに給電され る高周波電力、 すなわちラダー電極 2を構成する平行な複数本の縦方向電極棒 2 aに給電される高周波電力をそれぞれ調整することで、 基板左右部 （給電方向と 直角の方向の基板端部） の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させること ができる。

そのため、 プラズマを発生させるためにラダー電極 2と基板 3との間に印加さ れる電圧分布を基板 3全体において均一化させ、 均一化された電圧分布により膜 厚が均一な基板を製膜することができる。

図 5は、 一例として、 同軸ケーブル 8 a、 8 h、 9 a、 9 hに分岐ケーブル 2 2の先端が開放されたスタブを配置し、 分岐ケーブル 22の長さ dを変更した場 合に、 図 1に示す放電電極中央位置 Sにおいて給電方向に対し直角の方向に発生 する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフである。 図 5 に示すように、 同軸ケーブル 8 a、 8 h、 9 a、 9 hが接続される給電点 6 a、 6 h、 7 a、 7 hに対応する基板 3の一方の端から 1 00〜300 [mm] 程 度、 及び 1 300〜 1 500 [mm] 程度の電圧分布を、 分岐ケーブル 22の長 さ dにより有効に調整可能なことがわかる。 ' また、 図 6は、 一例として、 同軸ケーブル 8 b、 8 g、 9 b、 9 gに分岐ケー ブル 22の先端が開放されたスタブを配置し、 分岐ケーブル 22の長さ dを変更 した場合に、 図 1に示す放電電極中央位置 Sにおいて給電方向に対し直角の方向 に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーション結果を示したグラフであ る。 図 6に示すように、 同軸ケーブル 8 b、 8 g、 9 b、 9 gが接続される給電 点 6 b、 6 g、 7 b、 7 gに対応する基板 3の一方の端から 200〜400 [m m] 程度、 及び 1200〜 1400 [mm] 程度の電圧分布を、 分岐ケーブル 2 2の長さ dにより有効に調整可能なことがわかる。

更に、 図 7は、 一例として、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hに分岐ケーブル 22の先端が開放されたスタブを配置し、 分岐ケ 一ブル 22の長さ dを変更した場合に、 図 1に示す放電電極中央位置 Sにおいて 給電方向に対し直角の方向に発生する放電電極上の電圧分布のシミュレーシヨン 結果を示したグラフである。 この例では、 図 5及び図 6に示すスタブの効果が合 成され、 図 7に示すように、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hが接続される給電点 6 a、 6 b、 6 g、 6 h、 7 a、 7b、 7 g、 7 hに対応する基板 3の一方の端から 100〜400 [mm] 程度、 及び 1 200〜 1 500 [mm]程度の電圧分布を、 分岐ケーブル 22の長さ dにより 有効に調整可能なことがわかる。

なお、 図 5、 図 6、 及び図 7に示すシミュレーションの計算条件は、 （ 1 ) 電 子質量： 9 11 E— 31 [k g] 、 （2) 高周波電力周波数： 60 [MH z] 、 ' (3) ガス圧： 6. 66 [P a] 、 （4) 電子温度： 3. 0 [e V] 、 (5) 電極—対向電極間距離： 38 [mm] 、 (6) 電子質量： 1. 62E— 1 9 [C] 、 (7) ラダー導電体半径： 5 [mm] 、 (8) 電子密度： 5. 0E— 8 [1/c c] 、 (9) 誘電率： 8. 854 E- 12 [F/m] 、 （10) シー ス長/デバイス長： 2 [倍] とした。 また、 図 5、 及び図 6において示す 「 1 e n」 は、 波長 λで表された分岐ケープノレ 22の長さ dを、 実際の高周波電力の波 長; Iに合わせて数値ィ匕した値である。

本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、 図 5、 図 6、 及び図 7を参照して スタブの条件を求めた結果、 同軸ケーブル 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hに分岐ケーブル 22の先端が開放されたスタブを配置した場合 は、 同軸ケーブル 8 a、 8 h、 9 a、 9 hに配置したスタブの分岐ケーブル 22 の長さ dを d ^ZS. 222とし、 同軸ケーブル 8 b、 8 g、 9 b、 9 gに配 置したスタブの分岐ケーブル 22の長さ dを d = A/ 2. 08 3とした時に、 最 適な状態が得られた。 具体的には、 高周波電源 1 1 a、 l i bによる同一周波数 の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、 膜厚の均一化の妨げとなる ラダー電極 2上の定在波の発生を抑制する方向に十分に調整した効果と合わせ て、 基板 3全体の膜厚の誤差が膜厚自体の ± 1 0%程度の値まで改善すること ができる。

なお、 上述の実施の形態では、 同軸ケーブル 8 a〜8 h、 及び同軸ケーブル 9 a~9 hの中で、 同軸ケープノレ 8 a、 8 b、 8 g、 8 h、 9 a、 9 b、 9 g、 9 hにスタブを配置する場合を説明したが、 スタブを配置する同軸ケーブルの位置 及び数は、 これら 8個のスタブに限らず、 同軸ケーブル 8 a〜8 h、 及び同軸ケ 一プル 9 a〜9 hがこれより多くなつた場合も含め、 どの同軸ケーブルに配置し ても良い。 従って、 n本 （nは正の整数） の同軸ケーブルに対するスタブの配置 の組合せは、 同軸ケーブルを 1本、 2本、 3本、 ■ ■ ■ n本ずつ選択する組合せ 数の総計数だけ考えられる。

また給電点から電力分配器方向 （高周波電力給電回路方向） を'見た場合のイン ピーダンスを変更する手段は、 上述のようなスタブに限らず、 それぞれの同軸ケ 一ブルと、 対応する給電点との間のインピーダンス整合を調整することができる ものであれば、 どのような手段であっても良い。

以上説明したように、 本発明の第 1の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、 基板 3の表面に希望の物質を蒸着させる際に、 高周波電源 1 1 a、 1 1 bによる 周波数が同一な高周波電力をラダー電極 2に供給し， 高周波電源 1 1 a、 l i b による同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、 膜厚の均 一化の妨げとなるラダー電極 2上の定在波の発生を抑制し、 給電方向の膜厚分布 の均一化を促進すると共に、 給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるよう に、 高周波電力給電回路からラダー電極 2へ高周波電力を供給するための複数の 同軸ケーブルに配置したスタブにより、 同軸ケーブルのそれぞれと、 対応するラ ダー電極 2の給電点との間のィンピーダンス整合を調整することで、 ラダー電極 2のそれぞれの縦方向電極棒 2 aに給電される高周波電力を調整し、 基板左右部 の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させることができる。

従って、 大面積基板における膜'厚の分布特性を改善し、 物質が蒸着された基板 生産の歩留まりを向上させると共に、 生産された基板の品質を向上させることが できるという効果が得られる。

特に、 P i N構造を持つ例えばアモルファスシリコン太陽電池等に用いる基板 を製膜する際に、 p層、 i層、 n層のいずれも有効に製膜することができ、 電池 性能を大きく向上させることができる。 また、 膜厚分布が均一化するため、 プロ セス中のレーザエッチング工程におけるレーザ切れが大幅に向上すると共に、 製 品の概観が良くなるという効果も得られる。 更に、 製膜室内への物質の付着も均 一化されるため、 セルフクリーニング時のクリーニング時間を短縮し、 タリー二 ング前後における製膜への影響も最小化できるという効果も得られる。

(第 2の実施の形態）

次に、. 図面を参照して、 本発明の第 2の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置に ついて説明する。 第 1の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置が、 高周波電力給電 回路からラダー電極 2へ高周波電力を供給するための複数の同軸ケーブルに配置 したスタブにより、 同軸ケーブルのそれぞれと、 対応するラダー電極 2の給電点 との間のインピーダンス整合を調整することで、 ラダー電極 2のそれぞれの縦方 向電極棒 2 aに給電される高周波電力を調整していたのに対し、 第 2の実施の形 態のプラズマ化学蒸着装置では、 同軸ケーブルにスタブは設けず、 ラダー電極 2 側のインピーダンスを変更することで、 同軸ケーブルのそれぞれと、 対応するラ ダー電極 2の給電点との間のインピーダンス整合を調整する場合について説明す る。

従って、 以下の説明ではプラズマ化学蒸着装置の製膜室 1内の構成についての み説明し、 その他の構成は、 上述のように同軸ケーブルにスタブを設けないこと を除き、 図 1を用いて説明した第 1の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置と同一 であるので、 ここでは説明を省略する。 図 8は、 本実施の形態のプラズマ化学蒸 着装置の製膜室 1内の主要部の構成を示す図である。 図 8において、 終端コイル 3 1 a、 3 1 bは、 主に、 本実施の形態のプラズマ 化学蒸着装置の 8つの給電点 6 a〜6 hよりラダー電極 2の方向を見た場合のィ ンピーダンスを変更するために、 基板 3の基板左右部 （給電方向と直角の方向の 基板端部） 近傍において、 ラダー電極 2を構成する横方向電極棒 2 bと接地点 (例えば図示しないアース電極） との間に接続されたコイルであって、 コイルの インピーダンスとラダー電極 2のィンピーダンスとの合成インピーダンスが、 給 電点 6 a〜6 hよりラダー電極 2の方向を見た場合のインピーダンスとなる。 同様に、 図 8において、 終端コイル 3 1 c、 3 1 dは、 主に、 本実施の形態の ブラズマ化学蒸着装置の 8つの給電点 7 a〜7 hよりラダー電極 2の方向を見た 場合のインピーダンスを変更するために、 基板 3の基板左右部 （給電方向と直角 の方向の基板端部） 近傍において、 ラダー電極 2を構成する横方向電極棒 2 cと 接地点 （例えば図示しないアース電極） との間に接続されたコイルであって、 コ ィルのィンピーダンスとラダー電極 2のィンピーダンスとの合成ィンピーダンス 1 給電点 7 a ~ 7 hよりラダー電極 2の方向を見た場合のィンピーダンスとな る。

これにより、 本実施の形態のプラズマ化学蒸着装置では、 終端コイル 3 1 a〜 3 1 dの定数を変更することにより、 同軸ケープノレ 8 a〜8 h、 及び同軸ケープ ノレ 9 a〜 9 hと、 対応する給電点 6 a〜 6 h、 及び給電点 7 a〜 7 hとの間のィ ンピーダンス整合を調整し、 ラダー電極 2を構成する平行な複数本の縦方向電極 棒 2 aに給電される高周波電力を調整することで、 基板左右部の電圧分布と基板 中央部の電圧分布とを均衡させることができる。

図 9は、 終端コイル 3 1 a〜3 1 dの定数 Lをパラメータにして、 終端コイル 3 1 a〜3 1 dの挿入位置 （図 9の中ではコイルを模した記号で示す） と、 調整 された電圧分布による放電電極中央位置 （図 8に示す放電電極中央位置 S ) にお ける製膜速度比率の関係をシミュレーションした結果である。 図 9に示すよう に、 ラダー電極 2上の調整された電圧分布による基板 3上の製膜速度を、 終端コ ィル 3 1 a〜 3 1 dの定数により有効に調整可能なことがわかる。

従って、 終端コイル 3 1 a〜3 1 dにより、 プラズマを発生させるためにラダ 一電極 2と基板 3との間に印加される電圧分布を基板 3全体において均一化さ せ、 均一化された電圧分布により膜厚が均一な基板を製膜することができる。 なお、 上述の実施の形態では、 給電点からラダー電極 2の方向を見た場合のィ ンピーダンスを変更するために、 ラダー電極 2と接地点との間に接続された終端 コイル 3 1 a〜3 1 dを用いたが、 終端コイル 3 1 a〜3 1 dの代わりに、 コン デンサや抵抗等の受動素子、 ·あるいはコイルを含むこれらの複合回路を接続し、 受動素子の定数変更により、 給電点からラダー電極 2の方向を見た場合のインピ 一ダンスを変更するようにしても良い。 更に、 インピーダンスを変更するための 終端コイル、 及びコンデンサや抵抗等の受動素子、 あるいはコイルを含むこれら の複合回路の数は、 上述のように 4個に限らず、 いくつあっても良い。

また給電点からラダー電極の方向を見た場合のインピーダンスを変更する手段 は、 上述のような受動素子やその複合回路に限らず、 それぞれの同軸ケーブル と、 対応する給電点との間のィンピーダンス整合を調整することができるもので あれば、 どのような手段であっても良い。

以上説明したように、 本発明の第 2の実施の形態のプラズマ化学蒸着装置は、 基板 3の表面に希望の物質を蒸着させる際に、 高周波電源 1 l a、 l i bによる 周波数が同一な高周波電力をラダー電極 2に供給し， 高周波電源 1 1 a、 l i b による同一周波数の高周波電力の位相差を時間的に変化させることで、 膜厚の均 —化の妨げとなるラダー電極 2上の定在波の発生を抑制し、 給電方向の膜厚分布 の均一化を促進すると共に、 給電方向と直角の方向の膜厚を均一化させるよう に、 ラダー電極 2に揷入した終端コイル 3 1 a〜3 1 dにより、 同軸ケーブルの それぞれと、 対応するラダー電極 2の給電点との間のィンピーダンス整合を調整 することで、 ラダー電極 2のそれぞれの縦方向電極棒 2 aに給電される高周波電 力を調整し、 基板左右部の電圧分布と基板中央部の電圧分布とを均衡させること ができる。

従って、 第 1の実施の形態と同様に、 大面積基板における膜厚の分布特性を改 善し、 物質が蒸着された基板生産の歩留まりを向上させると共に、 生産された基 板の品質を向上させることができるという効果が得られる。

なお、 上述の第 1、 第 2の実施の形態では、 同軸ケーブルに配置するスタブ (インピーダンス調整手段） によるインピーダンスの調整と、 ラダー電極 2に揷 入する終端コイル （インピーダンス調整手段） によるインピーダンスの調整と を、 それぞれ独立に実施する場合を説明したが、 両方を同時に実施するようにし ても良い。 これにより、 両者のインピーダンス調整の組合せにより、 更に細かい 電圧分布の調整が可能となる。

また、 上述の第 1、 第 2の実施の形態では、 プラズマを発生させることで基板 上に物質を蒸着させる場合を説明したが、 ラダー電極 2に給電する高周波電力を 調整することで、 発生したプラズマを利用した基板上の物質のェツチング処理を 行うこともできる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電 し、 処理用ガスが導入された処理室内の前記放電電極と基板との間にブラズマを 発生させて、 前記基板上の物質を処理するプラズマ処理装置において、

前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の 電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段を備えたことを特徴とするプ ラズマ処理装置。

2 . 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電 し、 物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室内の前記放電電極と基板との間に プラズマを発生させて、 前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装 置において、

前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の 電圧分布の偏差を調整するための電圧分布調整手段

を備えたことを特徴とするブラズマ化学蒸着装置。

3 . 前記電圧分布調整手段が、

前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピー ダンスを変更するために、 前記高周波電力給電回路から前記複数の放電電極へ高 周波電力を供給するための複数の高周波ケーブルの中の少なくとも 1つに設けら れるインピーダンス変更手段である '

ことを特徴とする請求項 2に記載のプラズマ化学蒸着装置。

4 . 前記ィンピーダンス変更手段が、

前記高周波ケープ から分岐する分岐ケーブルにより構成されたスタブである ことを特徴とする請求項 3に記載のプラズマ化学蒸着装置。

5 . 前記スタブが、

前記分岐ケーブルの先端に接続された受動素子を備えると共に、 該受動素子の 定数の変更によって、 前記放電電極の給電点から前記高周波電力給電回路の方向 . を見た時のィンピーダンスを変更する

ことを特¾¾とする請求項 4に記載のプラズマ化学蒸着装置。

6 . 前記スタブが、 前記分岐ケーブルのケーブル長の変更によって、 前記放電電極の給電点から前 記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更する

ことを特徴とする請求項 4に記載のプラズマ化学蒸着装置。

7 . 前記スタブが、

前記分岐ケーブル自体の特性インピーダンスの変更によって、 前記放電電極の 給電点から前記高周波電力給電回路の方向を見た時のインピーダンスを変更する ことを特徴とする請求項 4に記載のブラズマ化学蒸着装置。

8 . 前記電圧分布調整手段が、

前記放電電極の給電点から前記放電電極の方向を見た時のインピーダンスを変 更するために、 前記放電電極と接地点との間に設けられるインピーダンス変更手 段である

ことを特徴とする請求項 2に記載のプラズマ化学蒸着装置。

9 . 前記インピーダンス変更手段が、

前記放電電極と前記接地点との間に接続された受動素子を備えると共に、 該受 動素子の定数の変更によって、 前記放電電極と前記接地点との間のインピーダン スを変更する

ことを特徴とする請求項 8に記載のプラズマ化学蒸着装置。 ' 1 0 . 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電 し、 処理用ガスが導入された処理室内の前記放電電極と基板との間にブラズマを 発生させて、 前記基板上の物質を処理するプラズマ処理装置の基板処理方法であ つて、

前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の 電圧分布の偏差を調整することにより、 給電方向と直角の方向の前記基板端部の 電圧分布と前記基板中央部の電圧分布とを均衡させて、 プラズマを発生させるた めに前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、 前記基板全体にお いて均一化させる

ことを特微とするブラズマ処理装置の基板処理方法。

1 1 . 高周波電力給電回路により発生した高周波電力を複数の放電電極へ給電 し、 物質を含む製膜用ガスが導入された製膜室内の前記放電電極と基板との間に プラズマを発生させて、 前記物質を前記基板上に蒸着させるプラズマ化学蒸着装 置の製膜方法であって、

前記放電電極による給電方向に対して直角の方向に発生する前記放電電極上の 電圧分布の偏差を調整することにより、 給電方向と直角の方向の前記基板端部の 電圧分布と前記基板中央部の電圧分布とを均衡させて、 プラズマを発生させるた めに前記放電電極と前記基板との間に印加される電圧分布を、 前記基板全体にお いて均一化させる

ことを特徴とするブラズマ化学蒸着装置の製膜方法。