JP3418590B2 - 均一電界分布型プラズマ処理装置 - Google Patents
均一電界分布型プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
ＣＶＤ、液晶パネル、太陽電池、プラズマアッシャー、
エッチングなどに用いる（高周波合成装置型）均一電界
分布型プラズマ処理装置に関する。
ＣＶＤ、液晶パネル、太陽電池、プラズマアッシャー、
エッチングなどに用いる（高周波合成装置型）均一電界
分布型プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーファーのＣＶＤ、液晶パネ
ル、太陽電池、プラズマアッシャー、エッチングなどに
おいて、高周波プラズマが現在一般的に使用されてい
る。最近半導体ウェーファーの大型化や大面積化の要求
が高まっており、これに対応するプラズマ処理装置が求
められている。大面積ウェーファーの表面処理において
は、ウェーファー面上のプラズマの電子密度が均一であ
ることが望ましく、そのためにはウェーファー面上の電
磁界強度の分布を均一にする（電極の電圧分布の均一化
といい換えてもよい）ことが必要とされる。
ル、太陽電池、プラズマアッシャー、エッチングなどに
おいて、高周波プラズマが現在一般的に使用されてい
る。最近半導体ウェーファーの大型化や大面積化の要求
が高まっており、これに対応するプラズマ処理装置が求
められている。大面積ウェーファーの表面処理において
は、ウェーファー面上のプラズマの電子密度が均一であ
ることが望ましく、そのためにはウェーファー面上の電
磁界強度の分布を均一にする（電極の電圧分布の均一化
といい換えてもよい）ことが必要とされる。
【０００３】そのような状況の下にあって、従来のプラ
ズマ処理では、ウェーファー面上のプラズマの電子密度
およびその分布の均一化の問題を克服する努力がなされ
ている。その一例としてはマイクロ波帯では異なるモー
ドの電磁界の組み合わせ（ＴＥ11とＴＭ01）を用いる方
法などが提案されているが、プラズマの電子密度および
その分布の均一化に対して、他の周波数帯にも適用可能
な、より効果的な別法が求められているのが現状であ
る。
ズマ処理では、ウェーファー面上のプラズマの電子密度
およびその分布の均一化の問題を克服する努力がなされ
ている。その一例としてはマイクロ波帯では異なるモー
ドの電磁界の組み合わせ（ＴＥ11とＴＭ01）を用いる方
法などが提案されているが、プラズマの電子密度および
その分布の均一化に対して、他の周波数帯にも適用可能
な、より効果的な別法が求められているのが現状であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みて提案されたもので、大面積のウェーファー面上に
おけるプラズマの電子密度およびその分布の均一化を図
るために、ウェーファー面上の電磁界分布を均一化する
手段として、均一電界分布型プラズマ処理装置を提供す
ることを目的とする。
鑑みて提案されたもので、大面積のウェーファー面上に
おけるプラズマの電子密度およびその分布の均一化を図
るために、ウェーファー面上の電磁界分布を均一化する
手段として、均一電界分布型プラズマ処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、平板電極の中心または周辺部より高周波
電力を給電する高周波を用いるプラズマ処理装置におい
て、該平板電極の周囲に複数個の素子を前記給電とは別
に配置してそれぞれの一端を該平板電極に電気的に接続
し、該各素子のインピーダンスの値を該平板電極の電界
分布が均一になるように選定することにより、大きな面
積のプラズマ処理を均一に行うことを特徴とする均一電
界分布型プラズマ処理装置である。
めの本発明は、平板電極の中心または周辺部より高周波
電力を給電する高周波を用いるプラズマ処理装置におい
て、該平板電極の周囲に複数個の素子を前記給電とは別
に配置してそれぞれの一端を該平板電極に電気的に接続
し、該各素子のインピーダンスの値を該平板電極の電界
分布が均一になるように選定することにより、大きな面
積のプラズマ処理を均一に行うことを特徴とする均一電
界分布型プラズマ処理装置である。
【０００６】本発明に係るプラズマ処理装置において
は、プラズマ発生用チャンバーの平板電極に電気的に接
続された複数個の素子のインピーダンスを最適な値に選
ぶことにより、ウェーファー面上の電磁界分布を均一化
するものである。本発明はさらに、周波数の異なる複数
の高周波電源を用いることもでき、その場合は、複数個
の素子のインピーダンスを電極の電界分布が均一になる
ようにそれぞれの高周波電力の周波数に対応して最適な
値に選ぶことにより、ウェーファー面上の電磁界分布を
均一化するものである。
は、プラズマ発生用チャンバーの平板電極に電気的に接
続された複数個の素子のインピーダンスを最適な値に選
ぶことにより、ウェーファー面上の電磁界分布を均一化
するものである。本発明はさらに、周波数の異なる複数
の高周波電源を用いることもでき、その場合は、複数個
の素子のインピーダンスを電極の電界分布が均一になる
ようにそれぞれの高周波電力の周波数に対応して最適な
値に選ぶことにより、ウェーファー面上の電磁界分布を
均一化するものである。
【０００７】上記の複数の異なる周波数としては、基本
周波数およびその奇数倍附近の周波数を選ぶことも有効
であり、また、電極に電気的に接続された素子のリアク
タンスを複数の異なる周波数に対応した調整可能な機構
とすることも有効である。すなわち、各素子のインピー
ダンスを複数の異なる周波数に対応した可変リアクタン
スによって調整することもできる。あるいはまた、各周
波数に対応した分波器を設けることにより各周波数の干
渉が発生し難いプラズマ処理装置となる。分波器を設け
る場合の位置は各素子の高周波電源側である。
周波数およびその奇数倍附近の周波数を選ぶことも有効
であり、また、電極に電気的に接続された素子のリアク
タンスを複数の異なる周波数に対応した調整可能な機構
とすることも有効である。すなわち、各素子のインピー
ダンスを複数の異なる周波数に対応した可変リアクタン
スによって調整することもできる。あるいはまた、各周
波数に対応した分波器を設けることにより各周波数の干
渉が発生し難いプラズマ処理装置となる。分波器を設け
る場合の位置は各素子の高周波電源側である。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るプラズマ処理
装置の概略説明図で、処理装置の電極にインピーダンス
Ｚi（Ｚ1〜Ｚ6の例）を接続し、励振した説明図であ
る。これによって本発明の技術的内容を具体的に説明す
る。図１において、１０は平板電極、１１は高周波電力
源、Ｚｓは電源素子Ｓのインピーダンスである。
装置の概略説明図で、処理装置の電極にインピーダンス
Ｚi（Ｚ1〜Ｚ6の例）を接続し、励振した説明図であ
る。これによって本発明の技術的内容を具体的に説明す
る。図１において、１０は平板電極、１１は高周波電力
源、Ｚｓは電源素子Ｓのインピーダンスである。
【０００９】図１に示すように、電極１０の周囲に複数
個、図示例では６個（一般的にはＮ個）の素子１〜６を
配置して、それぞれ電極１０に電気的に接続している。
各素子１〜６のインピーダンスをそれぞれＺ1〜Ｚ6｛一
般的には、Ｚi（ｉ＝１〜Ｎ）｝とする。簡単のために
電力源は１個（１１）とし、電源のインピーダンスをＺ
ｓとする。この素子１〜６を適当に配置し、そのインピ
ーダンスＺiの値を適当に設定すると、電極１０におけ
る電位分布すなわち電界分布が変わる。
個、図示例では６個（一般的にはＮ個）の素子１〜６を
配置して、それぞれ電極１０に電気的に接続している。
各素子１〜６のインピーダンスをそれぞれＺ1〜Ｚ6｛一
般的には、Ｚi（ｉ＝１〜Ｎ）｝とする。簡単のために
電力源は１個（１１）とし、電源のインピーダンスをＺ
ｓとする。この素子１〜６を適当に配置し、そのインピ
ーダンスＺiの値を適当に設定すると、電極１０におけ
る電位分布すなわち電界分布が変わる。
【００１０】このインピーダンスＺi（Ｚ1〜Ｚ6）の素
子１〜６を入れないと、高周波の波長に比して比較的大
きな電極になると電極周辺の電位が高くなり、中心部の
電位が低くなったり、電極の電力フィーダー部分の電位
が低く、電極の先端部分が高電位になる高周波の定在波
が生じたり、また長手方向（Ｘ方向とする）と横方向
（Ｙ方向とする）とが共振条件が異なったりして電位分
布の平均化が非常に難しくなる。
子１〜６を入れないと、高周波の波長に比して比較的大
きな電極になると電極周辺の電位が高くなり、中心部の
電位が低くなったり、電極の電力フィーダー部分の電位
が低く、電極の先端部分が高電位になる高周波の定在波
が生じたり、また長手方向（Ｘ方向とする）と横方向
（Ｙ方向とする）とが共振条件が異なったりして電位分
布の平均化が非常に難しくなる。
【００１１】本発明はこの問題の解決策である。固定さ
れた適当なインピーダンスの値を持った素子を電極周辺
に適当に配置し電極へ電気的に接続することにより、安
定的に電極の共振条件が得られて、電極の電位分布が平
坦に近づき、電界分布の平坦化を図ることができる。
れた適当なインピーダンスの値を持った素子を電極周辺
に適当に配置し電極へ電気的に接続することにより、安
定的に電極の共振条件が得られて、電極の電位分布が平
坦に近づき、電界分布の平坦化を図ることができる。
【００１２】複数の異なった周波数の高周波電力を電極
に加える場合は、電極の周辺に取り付けるインピーダン
ス素子を複数の周波数に対しそれぞれ適当な値となるよ
うなインダクタンスＬ、キャパシタンスＣおよびＲ（Ｒ
はなくてもよい）の構成にすれば、それぞれの周波数の
定在波（共振波）の位相関係が選択できるので電極の電
位分布がより平坦化される。
に加える場合は、電極の周辺に取り付けるインピーダン
ス素子を複数の周波数に対しそれぞれ適当な値となるよ
うなインダクタンスＬ、キャパシタンスＣおよびＲ（Ｒ
はなくてもよい）の構成にすれば、それぞれの周波数の
定在波（共振波）の位相関係が選択できるので電極の電
位分布がより平坦化される。
【００１３】
【実施例】図２に線状の電極の場合を一例として示す。
図２は４０ＭＨｚの場合の電極面の距離に対する電圧分
布図であるが、一般に波長をλ［ｍ］、電極の中心位置
の電圧をＶ0 とすれば、中心から距離ｄにおける電位分
布Ｖは次の式で表される。 Ｖ／Ｖ0 ＝√〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ）｝／２〕
図２は４０ＭＨｚの場合の電極面の距離に対する電圧分
布図であるが、一般に波長をλ［ｍ］、電極の中心位置
の電圧をＶ0 とすれば、中心から距離ｄにおける電位分
布Ｖは次の式で表される。 Ｖ／Ｖ0 ＝√〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ）｝／２〕
【００１４】電極の長さを約１ｍとし、周波数を４０Ｍ
Ｈｚとすれば、波長λ＝７．５ｍであるので電極の先端
ｄ＝０．５では、 Ｖ／Ｖ0 ＝√〔｛１＋ｃｏｓ（４π×０．５／７．
５）｝／２〕＝０．９１４ となり、電位分布は約１０％以内の平坦化が成り立つ。
Ｈｚとすれば、波長λ＝７．５ｍであるので電極の先端
ｄ＝０．５では、 Ｖ／Ｖ0 ＝√〔｛１＋ｃｏｓ（４π×０．５／７．
５）｝／２〕＝０．９１４ となり、電位分布は約１０％以内の平坦化が成り立つ。
【００１５】次に周波数がｆ1、ｆ2の２つの高周波を用
い、ｆ1波の振幅１に対しｆ2波の振幅ｍと位相θを最適
の値に選ぶと次の式から距離ｄにおける電位Ｖが求めら
れる。 ［１＋ｍ×√〔｛１＋ｃｏｓθ｝／２〕］×Ｖ／Ｖ0＝
√〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ1）｝／２〕＋ｍ×√
〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ2＋θ）｝／２〕
い、ｆ1波の振幅１に対しｆ2波の振幅ｍと位相θを最適
の値に選ぶと次の式から距離ｄにおける電位Ｖが求めら
れる。 ［１＋ｍ×√〔｛１＋ｃｏｓθ｝／２〕］×Ｖ／Ｖ0＝
√〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ1）｝／２〕＋ｍ×√
〔｛１＋ｃｏｓ（４πｄ／λ2＋θ）｝／２〕
【００１６】周波数としてｆ1＝４０ＭＨｚとｆ2＝１２
０ＭＨｚの２波を用い、θ＝１．１π、振幅ｍ＝０．０
９７とした場合を図３に示した。この図から電位分布は
約１．５％以内の平坦化が成り立つことがわかる。
０ＭＨｚの２波を用い、θ＝１．１π、振幅ｍ＝０．０
９７とした場合を図３に示した。この図から電位分布は
約１．５％以内の平坦化が成り立つことがわかる。
【００１７】実際には電極の形状は平板状であり、図１
に示したように複数個のインピーダンス素子を接続し電
位分布の平坦化を図る。しかもプラズマ発生の場合、高
周波電力の周波数を高くすることによりプラズマの励起
が容易にでき、電子温度を高くしないで高いプラズマ密
度が得られる。具体的には約１０12／ｃｍ3程度の高密
度が得られる。
に示したように複数個のインピーダンス素子を接続し電
位分布の平坦化を図る。しかもプラズマ発生の場合、高
周波電力の周波数を高くすることによりプラズマの励起
が容易にでき、電子温度を高くしないで高いプラズマ密
度が得られる。具体的には約１０12／ｃｍ3程度の高密
度が得られる。
【００１８】周波数が異なる３つの高周波電力（以下簡
単に「３波」と表す、同様に「２波」、「１波」を使用
する）を加えるとさらに電圧分布を平坦化することがで
きる。電圧分布の平坦化をさらに良好にする方法とし
て、ある基本周波数およびその奇数倍の周波数附近の周
波数を用いる方法がある。その理由を以下に説明する。
単に「３波」と表す、同様に「２波」、「１波」を使用
する）を加えるとさらに電圧分布を平坦化することがで
きる。電圧分布の平坦化をさらに良好にする方法とし
て、ある基本周波数およびその奇数倍の周波数附近の周
波数を用いる方法がある。その理由を以下に説明する。
【００１９】理想的な電圧分布波形として、電極の中心
を軸として一次元で取り扱うことにする。図４に示すよ
うにステップ状の電圧分布Ｖを考える。 Ｖ（ｘ）＝Ｖ0 （│ｘ│≦ａ） Ｖ（ｘ）＝０ （│ｘ│＞ａ）
を軸として一次元で取り扱うことにする。図４に示すよ
うにステップ状の電圧分布Ｖを考える。 Ｖ（ｘ）＝Ｖ0 （│ｘ│≦ａ） Ｖ（ｘ）＝０ （│ｘ│＞ａ）
【００２０】この波形をフーリエ級数で展開すると次の
式が得られる。 Ｖ（ｘ）＝４Ｖ0／πｃｏｓ（πｘ／２ａ）−（１／
３）ｃｏｓ（３πｘ／２ａ）＋（１／５）ｃｏｓ（５π
ｘ／２ａ）−（１／７）ｃｏｓ（７πｘ／２ａ）‥‥‥
式が得られる。 Ｖ（ｘ）＝４Ｖ0／πｃｏｓ（πｘ／２ａ）−（１／
３）ｃｏｓ（３πｘ／２ａ）＋（１／５）ｃｏｓ（５π
ｘ／２ａ）−（１／７）ｃｏｓ（７πｘ／２ａ）‥‥‥
【００２１】この式は理想的な電圧分布波形が基本周波
数およびその奇数倍の周波数の波形を合成することによ
り形成されることを示している。
数およびその奇数倍の周波数の波形を合成することによ
り形成されることを示している。
【００２２】実際には基本周波数およびその３倍附近お
よび５倍附近の周波数の高周波電力を、位相および振幅
を最適化して合成すればよい。この位相条件の設定に本
発明の方法によるインピーダンス素子が有効となる。ま
た、複数個の異なる周波数に対応した可変リアクタンス
を、インピーダンス素子の調整可能な機構として電極に
電気的に接続すると調整が容易になる。さらに、複数個
の異なる周波数に対応した分波器（ローパスフィルタま
たはバンドパスフィルタなど）を高周波電源側に設けれ
ば、その相互の干渉を低減することにより安定した動作
が期待できる。
よび５倍附近の周波数の高周波電力を、位相および振幅
を最適化して合成すればよい。この位相条件の設定に本
発明の方法によるインピーダンス素子が有効となる。ま
た、複数個の異なる周波数に対応した可変リアクタンス
を、インピーダンス素子の調整可能な機構として電極に
電気的に接続すると調整が容易になる。さらに、複数個
の異なる周波数に対応した分波器（ローパスフィルタま
たはバンドパスフィルタなど）を高周波電源側に設けれ
ば、その相互の干渉を低減することにより安定した動作
が期待できる。
【００２３】前記したように、周波数が異なる３つの高
周波電力（３波）を加えるとさらに電圧分布の平坦化が
得られるが、この場合のインピーダンスの選定には十分
注意する必要がある。特に高い周波数におけるインピー
ダンスの値はストレーキャパシタンス（浮遊容量）やス
トレーインダクタンス等の注意を要する。
周波電力（３波）を加えるとさらに電圧分布の平坦化が
得られるが、この場合のインピーダンスの選定には十分
注意する必要がある。特に高い周波数におけるインピー
ダンスの値はストレーキャパシタンス（浮遊容量）やス
トレーインダクタンス等の注意を要する。
【００２４】電極の周辺に配置接続するインピーダンス
の例を以下に示す。加える高周波電力が１波の場合はキ
ャパシタンスＣまたはインダクタンスＬで十分である
が、キャパシタンスＣが一般的である。２波の場合はＬ
とＣの直並列回路を用いる。２波の場合の例を図５およ
び図６に示す。また、３波の場合を図７に示す。図５に
おいてＣ1、Ｌ1は周波数ｆ1用回路、Ｃ2、Ｌ2は周波数
ｆ2用回路を示し、図６においてＣ3、Ｌ3は周波数ｆ1用
回路、Ｃ4、Ｌ4は 周波数ｆ2用回路を示す。図７はそれ
ぞれ３波の周波数ｆ1、ｆ2およびｆ3用回路を示す。図
７において、Ｃ1、Ｌ1は周波数ｆ1用回路、Ｃ2、Ｌ2は
周波数ｆ2用回路、Ｃ3、Ｌ3は周波数ｆ3用回路を示す。
の例を以下に示す。加える高周波電力が１波の場合はキ
ャパシタンスＣまたはインダクタンスＬで十分である
が、キャパシタンスＣが一般的である。２波の場合はＬ
とＣの直並列回路を用いる。２波の場合の例を図５およ
び図６に示す。また、３波の場合を図７に示す。図５に
おいてＣ1、Ｌ1は周波数ｆ1用回路、Ｃ2、Ｌ2は周波数
ｆ2用回路を示し、図６においてＣ3、Ｌ3は周波数ｆ1用
回路、Ｃ4、Ｌ4は 周波数ｆ2用回路を示す。図７はそれ
ぞれ３波の周波数ｆ1、ｆ2およびｆ3用回路を示す。図
７において、Ｃ1、Ｌ1は周波数ｆ1用回路、Ｃ2、Ｌ2は
周波数ｆ2用回路、Ｃ3、Ｌ3は周波数ｆ3用回路を示す。
【００２５】周波数が異なる３波を用いると、２波の場
合よりもさらに電圧分布の平坦化が得られる。さらに電
圧分布の平坦化を良好にする方法として、前記のよう
に、ある基本周波数およびその奇数倍の周波数附近の周
波数を用いる方法を適用することができる。すなわち、
実際には基本周波数およびその３倍附近および５倍附近
の周波数の高周波電力を位相および振幅を最適化して合
成すればよい。この位相条件の設定に本発明の方法によ
るインピーダンス素子が有効となる。
合よりもさらに電圧分布の平坦化が得られる。さらに電
圧分布の平坦化を良好にする方法として、前記のよう
に、ある基本周波数およびその奇数倍の周波数附近の周
波数を用いる方法を適用することができる。すなわち、
実際には基本周波数およびその３倍附近および５倍附近
の周波数の高周波電力を位相および振幅を最適化して合
成すればよい。この位相条件の設定に本発明の方法によ
るインピーダンス素子が有効となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る均一電界型プラズマ処理装
置は上記の構成であるから、プラズマチャンバー内の電
極の周辺に複数個の素子を配置し、これを電極に電気的
に接続し、それらのインピーダンスを最適な値に選ぶと
いう本発明の方法により、大面積の電極の電界分布の均
一化を図ることができる。これにより大面積のウェーフ
ァー面のプラズマ処理に重要な電子密度を均一化するこ
とができるので、プラズマ処理の高品質化、効率化に寄
与するところ極めて大である。
置は上記の構成であるから、プラズマチャンバー内の電
極の周辺に複数個の素子を配置し、これを電極に電気的
に接続し、それらのインピーダンスを最適な値に選ぶと
いう本発明の方法により、大面積の電極の電界分布の均
一化を図ることができる。これにより大面積のウェーフ
ァー面のプラズマ処理に重要な電子密度を均一化するこ
とができるので、プラズマ処理の高品質化、効率化に寄
与するところ極めて大である。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の概略説明図
【図２】４０ＭＨｚの場合の電極面の距離に対する電圧
分布図
分布図
【図３】実施例における電圧分布図
【図４】ステップ状の電圧分布波形の説明図
【図５】２波の場合のＬとＣの直並列回路
【図６】２波の場合のＬとＣの他の直並列回路
【図７】３波の場合のＬとＣの直並列回路
１〜６ 素子
１０ 平板電極
１１ 高周波電源
Ｃ1 〜Ｃ4 キャパシタンス
Ｌ1 〜Ｌ4 インダクタンス
Ｓ 電源素子
Ｚ1 〜Ｚ6 インピーダンス
ＺS 電源インピーダンス
Claims (6)
- 【請求項１】 平板電極の中心または周辺部より高周波
電力を給電する高周波を用いるプラズマ処理装置におい
て、該平板電極の周囲に複数個の素子を前記給電とは別
に配置してそれぞれの一端を該平板電極に電気的に接続
し、該各素子のインピーダンスの値を該平板電極の電界
分布が均一になるように選定することにより、大きな面
積のプラズマ処理を均一に行うことを特徴とする均一電
界分布型プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 各素子の他端を接地した請求項１記載の
均一電界分布型プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 給電する高周波電力を周波数の異なった
複数の高周波電力とし、各素子のインピーダンスの値
を、該平板電極の電界分布が均一になるようにそれぞれ
の高周波電力の周波数に対応して最適な値にした請求項
１又は請求項２記載の均一電界分布型プラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 複数の高周波電力の周波数として、基本
周波数およびその奇数倍附近の周波数を用いる請求項３
記載の均一電界分布型プラズマ処理装置。 - 【請求項５】 各素子のインピーダンスを複数の異なる
周波数に対応した可変リアクタンスにより調整する請求
項３記載の均一電界分布型プラズマ処理装置。 - 【請求項６】 複数の異なる周波数に対応した分波器を
該平板電極と高周波電力の給電源との間に配設すること
により、その相互の干渉を低減した請求項３記載の均一
電界分布型プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000144791A JP3418590B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 均一電界分布型プラズマ処理装置 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001321662A JP2001321662A (ja) | 2001-11-20 |
| JP3418590B2 true JP3418590B2 (ja) | 2003-06-23 |
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ID=18651391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3872741B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2007-01-24 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
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