JP3836753B2 - カーボンナノチューブカソードの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性を有する基板の表面に直径の小さな複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブカソードの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
カーボンナノチューブは、例えば図2に示すように、完全にグラファイト化した直径4〜50nm程度で長さ1〜10μm程度の筒状をなしている。このカーボンナノチューブは、グラファイトの単層(グラフェン)が円筒状に閉じた形状(図2)と、複数のグラフェンが入れ子構造的に積層し、それぞれのグラフェンが円筒状に閉じた同軸多層構造となっている形状とがある。これら円筒状のグラフェンの中心部分は、空洞となっている。また、先端部は、閉じているものものや、折れるなどのことにより開放しているものもある。
【0003】
このような独特の形状を持つカーボンナノチューブは、特有の電子物性を利用して新規な電子材料やナノテクノロジーへの応用が考えられている。例えば、電子放出のエミッタとして用いることが可能である。固体表面に強い電場をかけると、固体内に電子を閉じこめている表面のポテンシャル障壁が低くなりまた薄くなる。この結果、閉じこめられていた電子が、トンネル効果により固体の外部に放出されるようになる。これらの現象が、電界放出といわれている。
【0004】
この電界放出を観測するためには、107 V/cmもの強い電界を固体表面にかけなければならないが、これを実現するための一手法として先端を鋭く尖らせた金属針を用いるようにしている。このような針を用いて電界をかければ、尖った先端に電界が集中し、必要とされる高電界が得られる。
前述したカーボンナノチューブは、先端の曲率半径が1nmオーダと非常に鋭利であり、しかも化学的に安定で機械的にも強靱であるなど、電界放出のエミッタ材料として適した物理的性質を有している。
【0005】
上述したような特徴を有するカーボンナノチューブを、例えば、FED(Field Emission Display)などの電子放出源に用いる場合、カーボンナノチューブを大きな面積の基板上に、垂直に整列して形成することが要求される。また、基板上に形成される各カーボンナノチューブは、直径や長さ及び基板上における形成密度などが、容易に調整することも要求される。
【0006】
カーボンナノチューブの製造方法としては、ヘリウムガス中で2本の炭素電極を1〜2mm程度離した状態で直流アーク放電を起こすことで行う電気放電法や、レーザ蒸着法などがある。ところが、これらの製造方法では、カーボンナノチューブの直径や長さを調整しにくく、また、目的とするカーボンナノチューブの収率があまり高くできないという問題があった。また、カーボンナノチューブ以外の多量の非晶質状態の炭素生成物が同時に生成されるため、精製工程を必要とするなど、製造に手間がかかるという問題がある。
【0007】
これらを解消するため、基板上に複数の微小な触媒金属を配置し、基板を加熱した状態で触媒金属を配置した表面上にカーボンソースガスを供給し、触媒金属の箇所よりカーボンナノチューブを大量に成長させる方法が提案されている。この熱化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造は、触媒金属を粒状としてこの大きさを小さくしておくことで、形成されるカーボンナノチューブの直径を容易に制御できる技術である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
熱化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造では、上述したように、複数の微細な粒状の触媒金属を用いるが、カーボンナノチューブを成長させようとするときには基板を加熱するため、粒状の触媒金属が溶解し、近隣の触媒金属同士と溶け合い、粒径が大きくなってしまう場合がある。特に、カーボンナノチューブの形成密度を高く使用とすると、複数の触媒金属粒をより密集して基板上に配置することになり、触媒金属粒同士が溶け合って集合しやすい状態となる。
【0009】
このように触媒金属の粒径を微小な状態に保持できないと、基板上に直径の小さな複数のカーボンナノチューブを形成することが困難となり、複数のカーボンナノチューブが基板上に配置されたカーボンナノチューブカソードが容易に製造できない。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、直径の小さな複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブカソードを容易に製造できるようにすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るカーボンナノチューブカソードの製造方法は、導電性を有する基板上にゼオライトから構成されて基板に到達する複数の貫通孔を備えたゼオライト層を形成する第1の工程と、ゼオライト層の貫通孔の底部に触媒金属粒を基板の表面に接触して配置する第2の工程と、カーボンソースガスが導入された反応炉中に基板を配置してこの基板を加熱することで、触媒金属粒の表面に化学的気相成長法によりカーボンナノチューブを成長させる第3の工程とを少なくとも備えたものであり、ゼオライト層が備える貫通孔は、ゼオライトが結晶中に有する空洞から構成されたものである。
この製造方法によれば、ゼオライトが有する微細な空洞によるゼオライト層の貫通孔底部に配置された触媒金属粒は、基板表面においてゼオライト層により区画された状態となる。
なお、触媒金属は、例えば、鉄,ニッケル,コバルトもしくはこれらの合金のいずれかである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるカーボンナノチューブカソードの製造方法例を示す工程図である。
まず、導電性を有する材料から構成された基板101を用意し、図1(a)に示すように、基板101の上に膜厚2μmのゼオライト層102を形成する。ゼオライト層102は、例えば、石炭灰から製造される人工ゼオライトを用いるようにすればよい。
【0012】
例えば、石炭灰のペーストを基板101上に塗布し、これを加熱・乾燥して石炭灰の層を形成し、形成した石炭灰の層を90〜100℃とした水酸化ナトリウム水溶液に反応させることで、分子レベルの複数の細孔を持ったゼオライト層102が形成できる。ゼオライト層102の膜厚を2μm程度とすることで、表面より基板101に到達する直径数nmの複数の貫通孔を備えた状態となる。
【0013】
次いで、図1(b)に示すように、ゼオライト層102の複数の貫通孔底部、すなわち貫通孔内で露出している基板101の表面に、触媒金属粒103を形成する。触媒金属粒103は、所望とする領域における各々の貫通孔底部に形成すればよい。また、触媒金属粒103は、例えば、鉄,ニッケル,コバルト及びこれらの合金などの金属材料から構成すればよい。
【0014】
触媒金属粒103は、例えば、メッキ法により、選択的に貫通孔底部に形成することができる。例えば、ゼオライト層102を形成した基板101を、硫酸鉄などの鉄イオンが溶解したメッキ液に浸漬し、基板101を一方の電極として対向する電極との間に10〜50V程度の電圧を加えることで、貫通孔底部に露出する基板101表面に、鉄からなる触媒金属粒103を形成できる。このとき、電圧や印加時間などで鉄の析出力が制御可能であり、適当な大きさ触媒金属粒103を形成することができる。
ゼオライト層102における複数の貫通孔は、約1〜50nmの間隔で配置され、また、貫通孔の穴径は、0.5〜10nm程度である。従って、触媒金属粒103は、1〜50nm間隔で配置され、また、粒径が0.5〜10nm程度に形成される。
【0015】
次いで、図1(c)に示すように、例えば石英管などから構成された反応炉104内に、ゼオライト層102及び触媒金属粒103を形成した基板101を載置し、反応炉104の一方より原料ガスと水素ガス(キャリアガス)を流した状態で、ヒータ105により基板101を加熱する。原料ガスとしては、アセチレン,エチレン,エタン,プロピレン,プロパン,またはメタンガスなどのC1〜C3の炭化水素ガスを用いればよく、流量は、20〜200sccm程度とすればよい。また、基板101の加熱温度は、700〜1000℃程度とすればよい。
【0016】
以上の化学的気相成長工程を10〜60分間行うことで、図1(d)に示すように、ゼオライト層102が備える多数の貫通孔底部に配置された触媒金属粒103上に、カーボンナノチューブ106が成長する。また、このとき、触媒金属粒103は、ゼオライト層102により区画されているので、加熱により溶け合って集合して大きな金属粒を形成することがないので、分離した微細な触媒金属粒103各々に、カーボンナノチューブ106が成長する。
【0017】
前述したような化学的気相成長法により触媒金属上に成長するカーボンナノチューブの直径は、触媒金属の大きさにより制御される。上述した本実施の形態によれば、化学気相成長法によりカーボンナノチューブを生長させている期間に、ゼオライト層102が備える微細な貫通孔により、触媒金属粒103が寸法や配置間隔を変化させることが抑制される。また、ゼオライト層102が備える微細な貫通孔は、穴径が0.5〜10nm程度であり、この密度が108〜1012個/mm2であるので、触媒金属粒103も、粒径が0.5〜10nm程度に形成され、基板101上に密度108〜1012個/mm2に存在することになる。
【0018】
この結果、本実施の形態では、まず、粒径0.5〜10nmとされた触媒金属粒103により、直径2〜6程度のDWNT(ダブルウオールカーボンナノチューブ)が精度良く形成されるようになる。また、複数の触媒金属粒103は、ゼオライト層102により各々分離されており、化学的気相成長法によるカーボンナノチューブの成長において、触媒金属粒同士が溶け合って集合することが抑制されるようになる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、複数のDWNTを備えたカーボンナノチューブカソードを容易に製造できる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ゼオライトが有する微細な空洞によるゼオライト層の貫通孔底部に触媒金属粒を配置し、基板表面において触媒金属粒がゼオライト層により区画された状態としたので、直径の小さな複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブカソードを容易に製造できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態におけるカーボンナノチューブカソードの製造方法例を示す工程図である。
【図2】 カーボンナノチューブを模式的に示す構成図である。
【符号の説明】
101…基板、102…ゼオライト層、103…触媒金属粒、104…反応炉、105…ヒータ、106…カーボンナノチューブ。
Claims (2)
- 導電性を有する基板上にゼオライトから構成されて前記基板に到達する複数の貫通孔を備えたゼオライト層を形成する第1の工程と、
前記ゼオライト層の前記貫通孔の底部に触媒金属粒を前記基板の表面に接触して配置する第2の工程と、
カーボンソースガスが導入された反応炉中に前記基板を配置してこの基板を加熱することで、前記触媒金属粒の表面に化学的気相成長法によりカーボンナノチューブを成長させる第3の工程と
を少なくとも備え、
前記ゼオライト層が備える前記貫通孔は、ゼオライトが結晶中に有する空洞から構成されたものである
ことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブカソードの製造方法において、
前記触媒金属は、鉄,ニッケル,コバルトもしくはこれらの合金のいずれかであることを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。
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