JP5016791B2 - グラファイトナノファイバーの製造方法 - Google Patents
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Description
(比較例1)
(比較例2)
(比較例4)
3 触媒層 4 グラファイトナノファイバー
21 基板 22 Al層パターン
23 触媒層 24 グラファイトナノファイバー
Claims (6)
- 気相成長法により基板上にグラファイトナノファイバーを製造する方法において、
基板の表面にAl層を10〜50nmの厚さで形成し、このAl層をパターン化し、パターン化したAl層上を含む基板表面の全面に触媒層を形成し、次いで、炭素原子含有ガスを供給して、大気圧以下の圧力下で、パターン化されたAl層上に形成された触媒層上にグラファイトナノファイバーを選択的に気相成長せしめることを特徴とするグラファイトナノファイバーの製造方法。 - 前記気相成長を1000〜80000Paの圧力で行うことを特徴とする請求項1記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
- 前記気相成長を250〜600℃の温度で行うことを特徴とする請求項1又は2記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
- 前記炭素原子含有ガスと共に水素ガスを供給して、前記触媒層上で気相成長を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
- 前記触媒層が、Co、Ni及びFeのいずれかの金属、これらの金属の少なくとも1種を含む合金、又はこれらの金属の2種以上からなる合金を用いて形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
- 前記基板が、ガラス、シリコン、セラミックス、半導体又は金属からなる基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のグラファイトナノファイバーの製造方法。
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