JP4992475B2

JP4992475B2 - キャパシタの製造方法

Info

Publication number: JP4992475B2
Application number: JP2007049805A
Authority: JP
Inventors: 健司塩賀; 和明栗原; 信幸林
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2007-02-28
Filing date: 2007-02-28
Publication date: 2012-08-08
Anticipated expiration: 2027-02-28
Also published as: JP2008218481A

Description

本発明は，半導体集積回路装置の近傍に実装し、半導体集積回路装置の高周波領域での安定動作に寄与するデカップリングキャパシタとして好適なキャパシタ及びそのキャパシタを製造する方法に関する。

現在、マイクロプロセッサをはじめとする半導体集積回路装置において，動作速度の高速化と低消費電力化が図られている。そして、ＧＨｚ帯の高周波帯域に於いて、低電圧で半導体集積回路装置を安定に動作させる為、負荷インピーダンスの急激な変動等に起因して生ずる電源電圧変動を抑制すると共に電源の高周波ノイズを除去することが極めて重要になっている。

従来の半導体パッケージ基板上では，電源電圧の変動や電源及びグランドラインが重畳する基板内の高周波ノイズによる半導体集積回路装置の誤動作を防止する為、デカップリングキャパシタとして積層チップキャパシタを半導体集積回路装置近傍に実装することが行われている。

この場合のキャパシタとしては、キャパシタの大容量化と高周波帯域における低インダクタンス化とを両立したものが望まれている。

キャパシタ容量を増大する為、誘電体層の厚さを薄くする技術を導入した薄膜キャパシタでは、真空装置を用いシリコンなどの支持基板上に金属および誘電体酸化物を堆積させる薄膜プロセスにより製造され、この場合、ドライエッチングによる微細加工が可能であることから低インダクタンス構造のキャパシタを実現することができる（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３などを参照。）。

図１１は薄膜プロセスを用いて製造された従来の薄膜キャパシタを表す要部切断側面図であり、図に於いて、１は表面にＳｉＯ₂膜を形成したＳｉ基板、２は下部電極、３は誘電体薄膜、４は上部電極、５は保護膜、６はＴｉ（下地）／Ｃｕ膜、７はＮｉめっき膜、８ははんだバンプをそれぞれ示している。尚、Ｔｉ／Ｃｕ膜６及びＮｉめっき膜８でＵＢＭ（ｕｎｄｅｒｂｕｍｐｍｅｔａｌ）膜を構成している。

特許文献１乃至３に開示されている技術では、薄膜キャパシタの電極材料として、酸化し難いＰｔ、Ａｕなどの貴金属材料を使用するのが一般的であり、また、高誘電率材料を成膜するためのスパッタリング装置の導入や製造歩留向上のためにパーティクル除去対策を必要とするなど、低コスト化を図ることが困難である。

また、この技術を用いて、ラミネートフィルム状のキャパシタを形成するには，ポリイミド等の樹脂上に３５０℃以下の低温で誘電体薄膜をスパッタ成膜する必要があり、誘電体の結晶化が不十分なため、大きな容量は実現できず、通常では 0 .３μＦ／ｃｍ²以下である。
特開２００３−１９７４６３号公報特開２００４−０７９８０１号公報特開２００４−２１４５８９号公報

本発明では、半導体集積回路装置の近傍に実装することができる大容量の薄膜キャパシタを低コストで製造できるようにする。

本発明に依るキャパシタ及びその製造方法に於いては、下部電極上に形成された弁金属からなるキャパシタの陽極と、該陽極の表面に形成された陽極酸化膜である誘電体膜と、該誘電体膜の表面に形成された導電性高分子材料からなるキャパシタの陰極と、該陰極の表面に形成された上部電極とを備えてなることを特徴とするキャパシタを実現する。

前記手段を採ることに依り、ガスデポジション法を適用することで粗面化して成膜された弁金属膜からなる陽極を陽極酸化して実現した誘電体膜に起因し、５０μＦ／ｃｍ²〜５００μＦ／ｃｍ²に達する大容量の薄膜キャパシタが実現され、そして、この場合のプロセスとしては、樹脂の硬化温度を下回る低温プロセスの適用が可能である。

また、弁金属膜は選択的に成膜することができるので、従来の技術に於けるような誘電体部分のパターニング工程は不要となり、低コストで薄膜キャパシタを作製することができる。

更にまた，本発明に依るキャパシタは、従来，各種産業で利用されてきた通常の陽極酸化技術を利用してキャパシタ用誘電体膜を簡単且つ容易に作製された平面状の電解コンデンサであって、ラミネートフィルム状を成し、そして、従来では得られなかった大容量が実現されている。

本発明に依るキャパシタを作製するには，ガラス等の支持基板上にポリイミド等の樹脂材料膜を成膜し，その上に例えばスパッタリング法を用いて下部電極を成膜し、この上にガスデポジション法を用いてＮｂ、Ｔａなどの弁金属膜を成膜する。この弁金属膜からなる陽極に対して陽極化成を行なって酸化皮膜を形成することでキャパシタの誘電体膜とする。

この場合、該弁金属膜は以下に記述する特徴のいずれかを有している。
（Ａ）弁金属膜の粒の密度は下層ほど緻密で、かつ、上層ほど粗化されている。
（Ｂ）弁金属膜の表面の凹凸の大きさが酸化皮膜の膜厚よりも大きい。
（Ｃ）弁金属膜の表面の凹凸の大きさが該弁金属膜の粒子径よりも大きい。（Ｄ）弁金属膜の表面が，該弁金属膜の膜厚の１０％以上〜５０％以下の大きさの凹凸を有する。

前記のようにして形成された誘電体膜上に導電性高分子膜からなる陰極を形成し、その上に上部電極を成膜することでキャパシタ構造が実現される。その後、保護樹脂膜、はんだ材料からなる外部接続用導体を形成してから前記ガラス等の支持基板と前記ポリイミド等の樹脂材料膜を剥離することでラミネートフィルム状のキャパシタが得られる。

本発明で適用するガスデポジション法は、ナノ金属粒子をガス流に乗せてノズルより高速で噴射することにより膜形成を行う方法である。

このナノ金属粒子は、ガス中で生成された直後の粒子を使用する装置（前者）と、他の方法で生成した微粒子を粉状で容器に収容し、ガスをこの容器に供給してエアロゾル化して噴射する装置（後者）とが知られている。

前者は、原料生成室において、２〜３気圧に加圧されたヘリウムガス中で蒸発した金属原子がヘリウム分子と衝突して冷却され、これが金属ナノ粒子となって搬送され、ノズルから１００ｍ／ｓｅｃ以上の速度で噴射され、基板に衝突して金属膜を形成する。

ナノ金属粒子は，原料生成室から膜形成室に至る搬送系における圧力差に依って加速される。例えば，圧力差が 0 .１ｋＰａ〜１１ｋＰａでは噴射速度が小さいため、ポーラスな膜となる。

図１２はナノ金属粒子を噴射して成膜したポーラスな膜を表す要部切断側面図であり、図に於いて、２は下部電極、９はナノ金属粒子９Ａからなる膜をそれぞれ示していて、かなりポーラスなものである。

また、圧力差が１０ｋＰａ程度になると、衝突に依ってナノ金属粒子９Ａの一部は融着するのであるが、未だ、金属粒子９Ａ間には隙間が存在する。

図１３は圧力を若干高め、即ち、１０ｋＰａ程度に設定してナノ金属粒子を噴射することで成膜した場合の膜を表す要部切断側面図であり、図１２に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。

また、１００ｋＰａ〜５００ｋＰａでは、噴射速度が大きいため、ナノ金属粒子９Ａ間には隙間がなくなり、緻密な金属膜が形成される。

図１４はナノ金属粒子の噴射速度を大きくして成膜した隙間がない緻密な金属膜を表している。尚、図では緻密な金属膜を記号１４で指示してある。尚、下部電極と金属膜１４との密着性を向上させる為、支持基板温度を２００℃程度にしてもよい。

前記した後者、即ち、微粒子を粉状で容器に収容し、ガスをこの容器に供給してエアロゾル化して噴射する装置に於いては、あらかじめ生成された金属微粒子の容器と成膜室とが接続され、キャリアガスを送出することでエアロゾルを生成する。

キャリアガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガスが好ましい。また、エアロゾルの濃度はキャリアガスの濃度及び流量で制御する。

エアロゾルは、ノズルから基板へ向けて噴射され，基板に衝突して金属膜を形成する。この場合も，噴射速度を５０ｍ／ｓｅｃ〜１０００ｍ／ｓｅｃに調整することで，膜の緻密性および表面凹凸を制御できる。

図１は本発明に於ける基本的なキャパシタを表す要部切断側面図であり、図に於いて、１２は樹脂膜、１３は下部電極、１４は弁金属からなるキャパシタの陽極、１５は陽極酸化膜、１６は導電性高分子からなるキャパシタの陰極、１７は上部電極、１８は樹脂からなる保護膜、１９ははんだ材料からなる外部接続用導体をそれぞれ示している。

このキャパシタに於いては、下部電極１３の上にガスデポジション法で成膜した弁金属からなる陽極１４があり、その表面は陽極酸化されて酸化膜１５が生成されている。この陽極酸化膜１５の表面には、ポリピロールやポリエチレンジオキシチオフェンなどの導電性高分子材料が塗布・成膜され、キャパシタの陰極１６を構成している。その上にカーボンペーストや銀ペーストを塗布、若しくは、スパッタ法やめっき法などを用いて上部電極１７を形成する。その上に感光性樹脂、例えば、ポリイミドを用いて電極形成予定領域に開口をもつ保護膜１８を形成し、その後、はんだ材料を用いて外部接続用導体１９を形成する。

図２乃至図７は図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ工程を説明する。

図２参照
（１）
支持基板１１として、例えばガラス基板を用い、その上にポリイミド樹脂膜１２を成膜する。支持基板１１とポリイミド樹脂膜１２の間の密着性は弱いので、後の工程で、キャパシタをダイシングして個別化する際、支持基板１１とポリイミド樹脂膜１２とは容易に剥離する。

ポリイミド樹脂膜１２の上に下部電極１３として、スパッタリング法を用いてＣｒ（支持基板側）／Ｃｕからなる積層膜を形成する。Ｃｒ膜はＣｕからなる下部電極１３とポリイミド樹脂膜１２との密着性向上の役割を果たす。

図３参照
（２）
ガスデポジション法を用い、下部電極１３上に例えばＮｂ微粒子からなる弁金属からなるキャパシタの陽極１４を形成する。この場合、Ｎｂ微粒子の直径は、１０ｎｍ〜２μｍである。

ガスデポジション法を用いた場合、エッチング工程が不要であり、任意の場所に選択的に成膜できる旨の特徴がある。また、弁金属からなる陽極１４の表面は、前記（Ａ）乃至（Ｄ）として記述した特徴の何れかの特徴をもっている。

（３）
この陽極１４に対して、リン酸、或いは、硫酸の水溶液中で陽極化成処理を行い、Ｎｂからなる陽極１４の表面に酸化弁金属膜である酸化Ｎｂ膜からなる陽極酸化膜１５を形成する。

陽極１４の表面は、前記（Ａ）乃至（Ｄ）の特徴がある為、陽極酸化膜１５の実効表面積が大きくなり、従って、キャパシタ容量は増大する。

図４参照
（４）
この陽極酸化膜１５の上にマスクを形成してから、陰極材料として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子からなるキャパシタの陰極１６を成膜する。尚、このパターニング成膜には、インクジェット法を用いることができる。

（５）
導電性高分子からなるキャパシタの陰極１６上に例えば銀ペースト材料を印刷することで上部電極１７を形成してキャパシタ部分が完成される。

図５参照
（６）
例えば、感光性ポリイミドを塗布することで保護膜１８を形成し、ガラスマスクを用いて露光してから現像することで保護膜１８に開口１８Ａ及び１８Ｂを形成し、開口１８Ａの底に下部電極１３の一部を、また、開口１８Ｂの底に上部電極１７の一部をそれぞれ表出させる。

図６参照
（７）
上部電極１７と下部電極１３との電気的接続をとる為、保護膜１８の開口１８Ａ及び開口１８Ｂに、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペースト材料を印刷法に依って充填し、外部接続用導体１９を形成する。

図７参照
（８）
ダイシングによりキャパシタを個片化するが、その際、ガラスの支持基板１１とポリイミド樹脂膜１２の密着性が小さいので容易に剥離され、ラミネートフィルム状のキャパシタを作製することができる。尚、ガラスからなる支持基板１１の上に熱発泡テープを貼付し、ポリイミド樹脂膜１２を接着してもよい。

本発明では，支持基板１１の材料にはガラスに特定されることはなく、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などからなるプラスチックフィルムを用いることもできる。

図８は図２乃至図７について説明した工程で作成されたキャパシタを俯瞰して、即ち、上面から見た要部説明図であり、図２乃至図７に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。

図示されているように、下部電極１３を正側（＋）とし，上部電極１７を負側（−）とし、下部電極１３には外部接続用導体１９が２個設けてあり、上部電極１７には外部接続用導体１９が１個設けてある。

本発明では、外部接続用導体１９の配置は、図８に見られる構成に限られるものではなく、他に、種々な配置を採ることができる。

図９は外部接続用導体の配置が異なるキャパシタを上面から見た要部説明図であり、下部電極１３（従って、キャパシタの陽極１４）と上部電極１７（従って、キャパシタの陰極１６）とが交互に配置されている構造であってもよい。

実施例１として、さきに図２乃至図７について説明したキャパシタを製造する工程を具体的に説明する。

（１）
支持基板１１として厚さ 0 .４ｍｍのパイレックス（Ｐｙｒｅｘ：ＣｏｒｎｉｎｇＧｌａｓｓＷｏｒｋｓ（米）の商標名）ガラスの上にポリイミド樹脂膜１２を成膜する。

ポリイミド樹脂膜１２の成膜は、ポリイミドワニスをスピンコート法（３０００ｒｐｍ／３０秒）で１０μｍの厚さに成膜し、べーク（３５０℃）を行い、厚さ６μｍのポリイミド樹脂膜１２を形成する。

（２）
この上にスパッタリング法を用いて、Ｃｒ膜（下地）の膜厚を１００ｎｍ、Ｃｕ膜の膜厚を５００ｎｍとして、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを積層して下部電極１３を形成し、適宜、エッチングに依ってパターニングする。

（３）
下部電極１３に於けるＣｕ膜上に、ガスデポジション法で厚さ３０μｍのＡｌからなる弁金属からなる陽極１４を成膜する。その場合、基板温度を１００℃とし，キャリアガスにはヘリウムを使用した。原料生成室と膜形成室の圧力差を成膜初期には２０ｋＰａとして厚さ１０μｍの緻密なＡｌ膜を成膜し、残りの中期から後期の成膜では、圧力差を 0 .５ｋＰａとしてポーラスなＡｌ膜を成膜する。この場合、膜表面の平均粗さＲａは４００〜５００ｎｍ、最大粗さＲｙは５０００〜８０００ｎｍである。

（４）
陽極１４の成膜後、純水１０００ｍｌに対してアジピン酸アンモニウムを１５０ｇ溶解させた水溶液中で陽極化成を行なって膜厚約１００ｎｍのアルミニウム酸化膜である陽極酸化膜１５を形成する。陽極化成時の液温度は８５℃、化成電圧は１００Ｖ、電流は 0 .３Ａ、電圧印加時間は２０分とした。また、この工程中、下部電極１３の表出部分にはレジストでマスキングしておくものとする。

（５）
陰極１６の形成予定領域以外をレジストでマスキングすることで保護し、ポリエチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸を含む溶液を塗布し乾燥させる。この場合の乾燥条件は、１２０℃、５分である。

（６）
レジストを剥離後、印刷法に依って厚さ１０μｍの銀ペースト膜を成膜してから硬化させる。その硬化条件は大気中で１５０℃、１時間である。

（７）
スパッタ法で厚さ３５０ｎｍのＣｕ膜を成膜してから、該Ｃｕ膜をエッチングして上部電極１７を形成する。

（８）
感光性ポリイミド樹脂を使用し、電極の形成および保護を行なう。即ち、感光性ポリイミドワニスをスピンコート法（３０００ｒｐｍ／３０秒）で厚さ６μｍに成膜する。プリベーク（６０℃）後、露光及び現像工程を経て、本ベーク（３７５℃）を行なって４μｍ厚のポリイミド樹脂膜からなり、且つ、開口１８Ａ及び１８Ｂが形成された保護膜１８を形成する。

（９）
印刷法を用い、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを材料として印刷を行い、開口１８Ａ内及び開口１８Ｂ内に表出された下部電極１３及び上部電極１７にコンタクトすると共に開口１８Ａ及び開口１８Ｂを埋める外部接続用導体１９を形成する。

（１０）
ダイシングによる部品の個片化を行なうが、その際、ガラスからなる支持基板１１と、その上に在るポリイミド樹脂膜１２とは密着性が弱い為、容易に剥離して、図７、図８、図９に見られるようなキャパシタが完成される。

（１）
パイレックスガラスからなる支持基板１１の上に両面テープを貼り付ける。この場合、支持基板１１と接着される面のテープは、エポキシからなる熱発泡テープを用いる。この熱発泡テープは、約１８０℃でテープ素材内部のマイクロカプセルが発泡し，接着性がなくなる性質をもっている。この熱発泡テープの上に厚さ１００μｍのポリエチレンナフタレートフィルムを貼り合わせる。

（２）
スパッタリング法を用いて、Ｃｒ及びＣｕからなる下部電極１３を成膜後、エッチングを行って所要のパターンにする。

（３）
ガスデポジション法を用いて、下部電極１３に於けるＣｕ膜の上に厚さ２５μｍの弁金属であるＮｂからなるキャパシタ陽極１４を成膜する。その位置は、図８或いは図９に見られる上部電極１７の下方である。成膜時の基板温度は室温とし、キャリアガスにはヘリウムを使用する。原料生成室と膜形成室の圧力差は、成膜初期に１００ｋＰａとして緻密なＮｂ膜を５μｍの厚さに成膜し、残りの成膜を行う中期から後期にかけては，圧力差を 0 .３ｋＰａとしてポーラスなＮｂ膜を成膜する。この場合、膜表面の平均粗さＲａは３５０〜４００ｎｍ、最大粗さＲｙは５０００ｎｍである。

（４）
リン酸溶液中でＮｂ膜である陽極１４の陽極化成を行なって、厚さ２５０ｎｍのＮｂ酸化膜である陽極酸化膜１５を形成する。陽極酸化時の液温度は９０℃、化成電圧は１２０Ｖ、電流は０．６Ａ、電圧印加時間は１０分とした。

（５）
この後，実施例１と同様、導電性高分子材料膜を成膜して上部電極１７とすることで、図９に見られるようなキャパシタを形成し、次に、感光性エポキシ樹脂を使用し、電極の形成および保護を行なった。即ち、感光性エポキシワニスをスピンコート法（２０００ｒｐｍ／３０秒）で厚さ１０μｍに成膜する。プリベーク（６０℃）後、露光及び現像工程を経て、本ベーク（３００℃）を行なって、５μｍ厚のエポキシ樹脂膜からなり、且つ、開口１８Ａ及び１８Ｂが形成された保護膜１８を形成する。

（６）
印刷法を用い、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを材料として印刷を行い、開口１８Ａ内及び開口１８Ｂ内に表出された下部電極１３及び上部電極１７にコンタクトすると共に開口１８Ａ及び開口１８Ｂを埋める外部接続用導体１９を形成する。

（７）
最後に，各電極上にＵＢＭ及びはんだバンプ（両方とも図１１を参照。）を形成し、適宜ダイシングを行ない、１８０℃に加熱してガラスからなる支持基板１１から剥離することで図９に見られるようなキャパシタを完成させた。

（１）
実施例１と同様な方法で形成した下部電極１３上に成膜する弁金属からなる陽極１４として、Ｎｂ金属微粒子をエアロゾル化して噴射することで成膜した。

この場合、Ｎｂ微粒子の粒径は 0 .１μｍであり、成膜初期には、ノズル噴射速度を１０００ｍ／ｓｅｃ．として緻密なＮｂ膜を１０μｍの厚さに成膜し，残りの成膜中期から後期にかけては，噴射速度を２００ｍ／ｓｅｃ．から５０ｍ／ｓｅｃ．へと変化させ、ポーラスなＮｂ金属膜を成膜した。

この場合、Ｎｂ膜表面の平均粗さＲａは、４００〜５００ｎｍ、最大粗さＲｙは８０００〜１００００ｎｍである。

（２）
陽極１４の成膜後、リン酸溶液中で陽極化成を行ない、のＮｂ酸化膜である陽極酸化膜１５を形成する。陽極化成時の液温度は９０℃、化成電圧は１００Ｖ、電流は 0 .５Ａ、電圧印加時間は１０分とした。酸化膜１５の膜厚は，２００ｎｍである。この後，実施例１と同様の工程によりキャパシタを完成させた。

図１０は多層回路配線板に大容量キャパシタを内蔵した実施例４を表す要部切断側面図であり、図１乃至図９に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。

図に於いて、１００は多層回路配線板、１０１はエポキシ樹脂を主体とするコア層、１０２はエポキシ樹脂を主体とする厚さ５０μｍのビルドアップ層、１０３は内蔵されたキャパシタをそれぞれ示している。

実施例４を作製するには、キャパシタを内蔵できるように設計されたガラス布エポキシ樹脂を主体としてＣｕ配線が形成された基板上に実施例１と同様な工程を実施して、回路配線板１００の任意の場所にガスデポジション法を適用して厚さ２０μｍのＡｌ膜を成膜し、陽極酸化，陰極形成，上部電極形成などの工程を経てキャパシタを作り込むようにする。

本発明に於いては、前記説明した実施の形態を含め、多くの形態で実施することができるので、以下、それを付記として例示する。

（付記１）
下部電極上に形成された弁金属からなるキャパシタの陽極と、
該陽極の表面に形成された陽極酸化膜である誘電体膜と、
該誘電体膜の表面に形成された導電性高分子材料からなるキャパシタの陰極と、該陰極の表面に形成された上部電極と
を備えてなることを特徴とするキャパシタ。

（付記２）
弁金属からなるキャパシタの陽極は下部電極側が密であると共に上部電極側が粗であることを特徴とする（付記１）記載のキャパシタ。

（付記３）
弁金属からなるキャパシタの陽極に於ける表面の凹凸の大きさが陽極酸化膜である誘電体膜の膜厚に比較して大きいこと
を特徴とする（付記１）記載のキャパシタ。

（付記４）
弁金属からなるキャパシタの陽極に於ける表面の凹凸の大きさが該弁金属の粒子径に比較して大きいこと
を特徴とする（付記１）記載のキャパシタ。

（付記５）
弁金属からなる陽極の表面に該陽極に於ける膜厚の１０％以上乃至５０％以下の大きさの凹凸が在ること
を特徴とする（付記１）記載のキャパシタ。

（付記６）
弁金属がアルミニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ビスマス、チタンの何れか、若しくは、これ等の合金から選択されたものであること
を特徴とする請求項１記載のキャパシタ。

（付記７）
支持基板上に下部電極を形成する工程と、
該下部電極上に弁金属からなるキャパシタの陽極をガスデポジション法に依って形成する工程と、
該弁金属からなるキャパシタの陽極表面を陽極酸化して誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の表面に導電性高分子材料からなるキャパシタの陰極を形成する工程と、
該陰極上に上部電極を形成する工程と、
該下部電極並びに該上部電極にはんだ材料からなる外部接続用導体を形成する工程と
が含まれてなることを特徴とするキャパシタの製造方法。

（付記８）
（付記７）記載のキャパシタの製造方法を実施する際、
支持基板をガラス、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートから選択された材料からなる暫定基板とし、
該暫定基板上にキャパシタを作製した後、該暫定基板とキャパシタとを剥離してラミネートフィルム状のキャパシタとする工程
が含まれてなることを特徴とする（付記７）記載のキャパシタの製造方法。

本発明に於ける基本的なキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図１について説明したキャパシタを製造する工程を説明する為の工程要所に於けるキャパシタを表す要部切断側面図である。図２乃至図７について説明した工程で作成されたキャパシタを上面から見た要部説明図である。図８と比較して外部接続用導体の配置が異なるキャパシタを上面から見た要部説明図である。多層回路配線板に大容量キャパシタを内蔵した実施例４を表す要部切断側面図である。従来の薄膜キャパシタを表す要部切断側面図である。ナノ金属粒子を噴射して成膜したポーラスな膜を表す要部切断側面図である。圧力を若干高めに設定してナノ金属粒子を噴射することで成膜した場合の膜を表す要部切断側面図である。ナノ金属粒子の噴射速度を大きくして成膜した隙間がない緻密な金属膜を表す要部切断側面図である。

符号の説明

１１支持基板
１２樹脂膜
１３下部電極
１４弁金属からなるキャパシタの陽極
１５陽極酸化膜
１６導電性高分子からなるキャパシタの陰極
１７上部電極
１８樹脂からなる保護膜
１９はんだ材料からなる外部接続用導体

Claims

支持基板上に樹脂膜を形成する工程と、
該樹脂膜上に下部電極を形成する工程と、
該下部電極上に弁金属の微粒子からなるキャパシタの陽極をガスデポジション法に依って形成方向に向かい密度を高密度から低密度に傾斜させて形成する工程と、
該弁金属の微粒子からなるキャパシタの陽極表面を陽極酸化して誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の表面に導電性高分子材料からなるキャパシタの陰極を形成する工程と、
該陰極上に上部電極を形成する工程と、
該下部電極及び該陽極及び該誘電体膜及び該陰極及び該上部電極を覆う保護膜を形成する工程と、
該下部電極並びに該上部電極にはんだ材料からなる外部接続用導体を形成する工程と、該支持基板を除去する工程と
が含まれてなることを特徴とするキャパシタの製造方法。