JP4910747B2 - キャパシタの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、キャパシタ及びその製造方法に関し、特に、半導体集積回路の近傍に実装し、半導体集積回路の高周波領域における安定動作に寄与するデカップリングキャパシタに適用して好適な固体電解コンデンサを対象とする。

近時では、マイクロプロセッサをはじめとする半導体集積回路において、動作速度の高速化と低消費電力化が図られている。ＧＨｚ帯の高周波領域において、低電圧で半導体集積回路を安定して動作させるためには、負荷インピーダンスの急激な変動等に起因して生ずる電源電圧変動を抑制するとともに、電源の高周波ノイズを除去することが極めて重要である。

従来の半導体パッケージ基板上では、電源電圧変動、電源及びグラウンドラインの重畳する基板内の高周波ノイズによる半導体集積回路の誤動作を防止するために、デカップリングキャパシタとして、積層チップキャパシタが半導体集積回路の近傍に実装されているこの積層チップキャパシタとしては、キャパシタ容量の更なる増大化と、高周波領域におけるインダクタンスの更なる低減化とを両立したものが望まれている。

キャパシタ容量を増大するために、誘電体層を薄く形成する技術を導入した薄膜キャパシタは、真空装置を用いて、シリコン等からなる支持基板上に金属及び誘電体酸化物を堆積させる薄膜プロセスにより製造される。この場合、ドライエッチングによる微細加工が可能であるために、低インダクタンス構造のキャパシタを実現することができる（特許文献１〜３を参照）。

一方、従来より、固体電解コンデンサが大容量キャパシタとして利用されてきたが、その構造から等価直列抵抗（以下、単にＥＳＲと称する）及び等価直列インダクタンス（以下、単にＥＳＬと称する）が端子長及び配線長に起因して増加し、高周波領域におけるデカップリングキャパシタとして十分な機能が果たせなかった。こうした課題を解決するために、ＥＳＲ及びＥＳＬを低減することを目的とした固体電解コンデンサが提案されている（特許文献４〜６を参照）。

特開２００３−１９７４６３号公報 特開２００４−７９８０１号公報 特開２００４−２１４５８９号公報 特開２００１−３０７９５５号公報 特開２００５−１２０８４号公報 特開２００４−１７２１５４号公報

しかしながら、特許文献１〜３に記載されている技術では、薄膜キャパシタの電極材料として、酸化し難いＰｔ，Ａｕ等の貴金属材料を使用することが一般的であり、また、高誘電率材料を成膜するためのスパッタリング装置の導入や、歩留向上のためのパーティクル除去対策等、低コスト化を図ることが困難である。

また、特許文献４〜６に記載されている技術では、固体電解コンデンサのキャパシタ構造及びハンダバンプの製造工程における使用材料が煩雑であり、製造工程の複雑化が懸念され、低コストに製造すること困難である。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、極めて簡素なキャパシタ構造を有するも、キャパシタのインダクタンス成分を大幅に低減して優れた高周波特性を実現し、且つ容易に低コストで製造することを可能とする大容量のキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明のキャパシタの製造方法は、弁金属膜の片面上に陽極酸化により選択的に誘電体酸化皮膜を形成する工程と、前記誘電体酸化皮膜上に第１の電極を形成する工程と、前記弁金属膜の前記片面上における前記誘電体酸化皮膜の非形成領域に第２の電極を形成する工程と、基体上に、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ対応するように、前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極を形成する工程と、異方導電性フィルムを介して、前記第１の電極と前記第１の接続電極、及び前記第２の電極と前記第２の接続電極がそれぞれ対向して電気的に接続されるように、前記弁金属と前記基体とを張り合わせる工程と、前記基体を除去する工程とを含む。

本発明によれば、極めて簡素なキャパシタ構造を有するも、キャパシタのインダクタンス成分を大幅に低減して優れた高周波特性を得ることができ、且つ容易に低コストで製造することを可能とする大容量のキャパシタが実現する。

−本発明の基本骨子−
本発明者は、できるだけ簡素な構成及び製造工程により、低インダクタンス且つ大容量が得られるキャパシタを実現すべく鋭意検討した結果、本発明に想到した。
本発明では、先ず、弁金属膜の片面に選択的に陽極酸化により誘電体酸化皮膜を形成し、誘電体酸化皮膜上には第１の電極を、弁金属膜の片面上における誘電体酸化皮膜の非形成領域には第２の電極をそれぞれ形成する。ここで、弁金属膜と第１の電極とが誘電体酸化皮膜を介して容量結合する構成が得られる。

一方、基体上に、第１の電極及び第２の電極にそれぞれ対応するように、第１の接続電極及び第２の接続電極を形成する。そして、異方導電性フィルムを介して、第１の電極と第１の接続電極、及び第２の電極と第２の接続電極がそれぞれ対向するように弁金属と基体とを張り合わせる。

異方導電性フィルムは、接着性絶縁樹脂中に導電性粒子を分散させてなるフィルムであり、接続したい端子間に当該異方導電性フィルムを挟んで加熱加圧することにより、面方向の隣接する端子間では電気的絶縁性を保ちつつ、対向配置された上下の端子間では電気的に導通させるものである。

この異方導電性フィルムを用いて、上記のように弁金属と基体とを圧着することにより、それぞれ対向するように配置された第１の電極と第１の接続電極、及び第２の電極と第２の接続電極が電気的に導通する。そして、基体を除去することにより、第１及び第２の接続電極の端部が露出し、フリップチップ接続が可能な平面状のキャパシタが得られる。ここで、異方導電性フィルム、当該キャパシタの絶縁保護膜としても機能する。従って、キャパシタの特性劣化を防止し、信頼性を向上させることを考慮して、吸水率が低く耐湿性が高い材料を母材とした異方導電性フィルムを用いることが望ましい。

ここで、薄膜型キャパシタを用いて、そのインピーダンス特性を調べた結果について説明する。当該実験結果を図１及び図２に示す。

図１は、実験に用いた薄膜型キャパシタの構造を示す概略平面図である。
この薄膜型キャパシタは、誘電体膜１０１の上方における同一平面において、上部電極と接続された電極パッド１０２と、誘電体膜１０１に形成された開孔を通じて下部電極と接続された電極パッド１０３が交互に複数形成されてなる構成を有する。図１（ａ）では電極パッド１０２，１０３が広ピッチで交互に配されたものを、図１（ｂ）では電極パッド１０２，１０３が図１（ａ）よりも狭ピッチで交互に配されたものを、それぞれ示す。

図２は、図１の薄膜型キャパシタにおけるインピーダンス特性を示す特性図である。
ここで、図１（ａ）の薄膜型キャパシタのインピーダンス特性がインピーダンスカーブＡに、図１（ｂ）の薄膜型キャパシタのインピーダンス特性がインピーダンスカーブＢに、それぞれ対応する。インピーダンスカーブでは、極小値である共振点を基準として、低周波数側が容量の寄与（１／Ｃ）を、高周波数側がインダクタンスの寄与（Ｌ）をそれぞれ表している。

図２に示すように、図１（ｂ）の薄膜型キャパシタでは、図１（ａ）の薄膜型キャパシタと比較して、インダクタンスが約１／１００に激減していることが判る。これは、極性の相異なる電極を平面上で交互に配置することにより、各電極で発生する磁界が打ち消し合うことに加え、隣接する電極間のピッチが狭い程、インダクタンスが低減することを意味する。このように、電極数、電極配置（正負交互に配置）及び電極間距離は、キャパシタが内部に持っているインダクタンスに大きく関係していることを示している。なお図２では、容量の寄与については、図１（ｂ）の薄膜型キャパシタよりも図１（ａ）の薄膜型キャパシタの方が大容量を示すが、これは誘電体膜の開孔サイズ、即ち電極サイズについて図１（ａ）と図１（ｂ）とでさほど差がないことに起因するものと考えられる。従って、電極サイズをできるだけ小さく調節することにより、キャパシタの容量の増大化を図ることができる。

この実験結果に鑑みて、本発明において、第１の電極及び第２の電極を交互に複数設け、電極サイズを小さく形成することが好適である。この構成を採ることにより、大容量且つ低インダクタンスのキャパシタを実現することができる。

このように、本発明のキャパシタは、誘電体膜を形成するためにスパッタリング装置やドライエッチング装置等の大型真空設備を用いることを要せず、しかもパッドとなる電極を形成する際に異方導電性フィルムを用いることで極めて容易に且つ低コストでキャパシタを作製することがでる。これに伴って、極めて簡素な構成でキャパシタのインダクタンス成分を大幅に低減して優れた高周波特性を得ることができ、且つ容易に低コストで製造することを可能とする大容量のキャパシタが実現する。

−本発明を適用した具体的な実施形態−
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、キャパシタとして固体電解コンデンサを開示し、便宜上、その構成を製造方法と共に説明する。
図３及び図４は、本実施形態による固体電解コンデンサの製造方法を工程順に説明する概略断面図であり、図４（ｃ）が完成した様子を示す。図５は、図３（ａ）に対応した概略平面図であり、図５の破線Ｉ−Ｉに沿った断面が図３（ａ）に相当する。

初めに、図３（ａ）及び図５に示すように、アルミニウム膜１の片面上に、アルミ酸化皮膜２、導電性高分子層３、銀層４ａ，４ｂを順次形成する。
詳細には、先ず、弁金属膜として、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びタンタル（Ｔａ）等のうちから選ばれた１種、ここではアルミニウム板又はアルミニウム箔、例えば膜厚０．１５ｍｍ程度のアルミニウム箔であるアルミニウム膜１を用意する。このアルミニウム膜１をフッ硝酸及び蒸留水で洗浄した後に、当該アルミニウム膜１の片面上に、陽極の形成領域を覆うレジストマスク（不図示）を形成する。ここで、レジストマスクは、一定間隔をもって例えば円板形状に複数形成される。

この状態で、このアルミニウム膜１に対して、アジピン酸アンモニウム又は五ホウ酸アンモニウム等の水溶液中で陽極化成処理を行なう。具体的には、例えば、純水１０００ｍｌに対してアジピン酸アンモニウムを１５０ｇ溶解させた水溶液中で、液温度を８５℃、化成電圧を１００Ｖとし、電流を０．３Ａ、電圧印加時間を２０分間として、陽極化成を実行する。これにより、アルミニウム膜１の当該片面の露出部位に選択的に陽極酸化が施され、誘電体酸化皮膜であるアルミ酸化皮膜２が形成される。
その後、レジストマスクをウェットエッチングや灰化処理等により除去する。アルミ酸化皮膜２には、その陽極の形成領域となる開孔２ａが等間隔で形成される。

次に、アルミ酸化皮膜２の隣接する開孔２ａ間の部位に、陰極となる導電性高分子層３を形成する。
具体的には、先ず、アルミ酸化皮膜２の隣接する開孔２ａ間の部位（例えば複数の円板形状）のみを露出させるレジストマスク（不図示）を複数形成する。そして、導電性高分子材料として例えばポリピロール又はポリエチレンジオキシチオフェン等、ここではポリエチレンジオキシチオフェンと、スチレンスルホン酸とを含む溶液を当該片面上に塗布し、乾燥させる。乾燥条件としては、例えば１２０ ℃で５分間である。なお、この導電性高分子材料の成膜には、例えばインクジェット法を用いても良い。
その後、レジストマスクをウェットエッチングや灰化処理等により除去する。アルミ酸化皮膜２の隣接する開孔２ａ間の部位には、陰極となる導電性高分子層３が等間隔で形成される。

次に、アルミ酸化皮膜２の各開孔２ａ内で露出する部位と、各導電性高分子層３上の部位とに、印刷法により例えば銀ペースト又はカーボンペースト、ここでは銀ペーストを例えば膜厚１０μｍ程度にパターン成膜し、銀層４ａ，４ｂを形成する。銀ペーストの硬化条件としては、例えば大気中で２００℃、１時間である。ここで、銀層４ａが第１の電極となり、導電性高分子層３及び、銀層４ｂが第２の電極となる。銀層４ａ，４ｂは、銀層４ａが陽極、銀層４ｂが陰極として、図５に示すように、言わばマトリクス状に交互に配設される。このように陽極と陰極とを交互に配置することにより、電極端子間で発生する相互インダクタンスにより、電流による磁界が相殺されることから、キャパシタの低インダクタンス化が可能となる。

一方、図３（ｂ）に示すように、ガラス板１０上の銀層４ａ，４ｂに対応する部位にハンダ層５ａ，５ｂを形成する。
詳細には、先ず、貼り合せのためのみに用いる基体である暫定基体として、ガラス板又はＰＥＴフィルム、ここでは例えばパイレックス(登録商標)ガラスからなるガラス板１０を用意し、このガラス板１０上にエポキシ樹脂からなる両面テープである熱発泡テープ１１を貼付する。この熱発泡テープ１１は、例えば約２００℃でテープ素材中のマイクロカプセルが発泡し、接着性が消失する性質を有するものである。

そして、熱発泡テープ１１上の銀層４ａ，４ｂに対応する部位に、印刷法により例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるハンダペーストをパターン成膜して、ハンダ層５ａ，５ｂを形成する。ここで、ハンダ層５ａが第１の接続電極となり、導電性高分子層３及び、ハンダ層５ｂが第２の接続電極となる。

続いて、図３（ｃ）に示すように、異方導電性フィルム６を介して、銀層４ａ，４ｂとハンダ層５ａ，５ｂとが対向するように、アルミ酸化皮膜２とガラス板１０とを突き合せて、図４（ａ）に示すように、両者を張り合わせる。

詳細には、例えばフッ素含有樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、及びシアネート樹脂のうちから選ばれた１種、ここではフッ素含有樹脂からなる異方導電性フィルム（ＡＣＦ）６を介して、銀層４ａ，４ｂとハンダ層５ａ，５ｂとが対向するように、アルミ酸化皮膜２とガラス板１０とを突き合せて加熱及び加圧し、両者を張り合わせる。このときの加熱条件としては、例えば１７０℃で２０秒間であり、圧力を０．８ＭＰａ／ｃｍとする。

このように、異方導電性フィルム６を介してアルミ酸化皮膜２とガラス板１０とを張り合わせることにより、銀層４ａ，４ｂの表面とハンダ層５ａ，５ｂの表面とが近接し、異方導電性フィルム６の導電性粒子を介して、銀層４ａとハンダ層５ａ、及び銀層４ｂとハンダ層５ｂが電気的に導通する。ここで、異方導電性フィルム６は、キャパシタの保護膜としても機能し、隣接する銀層４ａ及びハンダ層５ａと銀層４ｂ及びハンダ層５ｂとの間における、十分な絶縁保護及び耐湿保護が実現する。

続いて、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板１０及び熱発泡テープ１１を剥離除去する。
詳細には、例えば２００℃に加熱することにより熱発泡テープ１１の接着性を消失させ、
残してガラス基板１０及び熱発泡テープ１１を異方導電性フィルム６から剥離除去する。このとき、異方導電性フィルム６内にはハンダ層５ａ，５ｂが残り、ハンダ層５ａ，５ｂの裏面が異方導電性フィルム６から露出した状態となる。

しかる後、図４（ｃ）に示すように、外部接続用パッド７を形成する。
異方導電性フィルム６から露出したハンダ層５ａ，５ｂの裏面に、印刷法によりはんだペーストを成膜して、陽極及び陰極の外部接続用パッド７をそれぞれ形成する。以上により、本実施形態による固体電解コンデンサを完成させる。

以上説明したように、本実施形態によれば、極めて簡素なキャパシタ構造を有するも、キャパシタのインダクタンス成分を大幅に低減して優れた高周波特性を得ることができ、且つ容易に低コストで製造することを可能とする大容量の固体電解コンデンサが実現する。

−変形例−
以下、本実施形態の諸変形例について説明する。これらの変形例では、本実施形態と同様の製造方法により固体電解コンデンサを作製するが、その製造工程が若干相違する点で本実施形態と異なる。

（変形例１）
本例では、本実施形態と同様に図３及び図４に示した製造方法により固体電解コンデンサを作製するが、図３（ａ）において、アルミニウム膜１に多孔質構造を形成する。
詳細には、アルミニウム膜１に陽極化成処理を施す前に、アルミニウム膜１の片面上に陽極の形成領域を覆うレジストマスクが形成され状態で、レジストマスクから露出する当該片面の部分を例えばエッチングにより粗面化処理して、当該露出部分を多孔質構造とする。この状態で、アルミニウム膜１の当該多孔質構造とされた領域上に、陽極酸化によりアルミ酸化皮膜２を形成する。この場合、アルミニウム膜１の多孔質構造とされた領域上に形成されるアルミ酸化皮膜２は、当該多孔質構造に倣って粗面化した状態で形成されるため、平坦なアルミニウム膜１上にアルミ酸化皮膜２を形成する場合と比較して、その実効表面積が増大する。この構成により、キャパシタ容量を増加させることができる。その後、本実施形態と同様にして固体電解コンデンサを完成させる。

（変形例２）
本例では、本実施形態と同様に図３及び図４に示した製造方法により固体電解コンデンサを作製するが、誘電体酸化皮膜を本実施形態とは異なる材料で形成する。
図３（ａ）において、弁金属膜として、アルミニウム膜１の代わりに、例えば膜厚０．１ｍｍ程度のニオブ（Ｎｂ）箔であるニオブ膜を用意し、これを酸及び蒸留水で洗浄した後に、リン酸溶液中で陽極化成を実行し、当該ニオブ膜１の片面上の陽極形成部位を除く部分に、アルミ酸化皮膜２の代わりにニオブ酸化皮膜を形成する。陽極化成時の液温度を９０℃、化成電圧を１５０Ｖとし、電流を０．６Ａ、電圧印加時間を１０分間とする。その後、本実施形態と同様にして固体電解コンデンサを完成させる。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）弁金属膜と、
前記弁金属膜の片面上に陽極酸化により選択的に形成された誘電体酸化皮膜と、
前記誘電体酸化皮膜上に形成された第１の電極と、
前記弁金属膜の前記片面上における前記誘電体酸化皮膜の非形成領域に形成された第２の電極と、
異方導電性フィルムと、
前記第１の電極に対応した第１の接続電極と、
前記第２の電極に対応した第２の接続電極と
を含み、
前記第１の電極と前記第１の接続電極、及び前記第２の電極と前記第２の接続電極が、それぞれ前記異方導電性フィルムを介して電気的に接続されてなることを特徴とするキャパシタ。

（付記２）前記第１の電極及び前記第２の電極は、交互に、それぞれ少なくとも２つ形成されてなることを特徴とする付記１に記載のキャパシタ。

（付記３）前記第１の電極は、導電性高分子材料からなることを特徴とする付記１又は２に記載のキャパシタ。

（付記４）前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれ、銀ペースト、金ペースト、銅ペースト、及びグラファイトペーストのうちから選ばれた１種を材料とするものであることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のキャパシタ。

（付記５）前記異方導電性フィルムは、フッ素含有樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、及びシアネート樹脂のうちから選ばれた１種を材料とするものであることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のキャパシタ。

（付記６）前記誘電体酸化皮膜は、粗面化処理により形成された多孔質構造を有することを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載のキャパシタ。

（付記７）前記弁金属膜は、アルミニウム、ニオブ、及びタンタルのうちから選ばれた１種を材料とするものであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載のキャパシタ。

（付記８）前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極は、共にハンダを材料とするものであることを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載のキャパシタ。

（付記９）弁金属膜の片面上に陽極酸化により選択的に誘電体酸化皮膜を形成する工程と、
前記誘電体酸化皮膜上に第１の電極を形成する工程と、
前記弁金属膜の前記片面上における前記誘電体酸化皮膜の非形成領域に第２の電極を形成する工程と、
基体上に、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ対応するように、前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極を形成する工程と、
異方導電性フィルムを介して、前記第１の電極と前記第１の接続電極、及び前記第２の電極と前記第２の接続電極がそれぞれ対向して電気的に接続されるように、前記弁金属と前記基体とを張り合わせる工程と、
前記前記基体を除去する工程と
を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。

（付記１０）前記第１の電極及び前記第２の電極を、交互に、それぞれ少なくとも２つ形成することを特徴とする付記９に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１１）前記第１の電極を、導電性高分子材料により形成することを特徴とする付記９又は１０に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１２）前記第１の電極及び前記第２の電極を、それぞれ、銀ペースト、金ペースト、銅ペースト、及びグラファイトペーストのうちから選ばれた１種を材料として形成することを特徴とする付記９〜１１のいずれか１項に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１３）前記異方導電性フィルムを、フッ素含有樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、及びシアネート樹脂のうちから選ばれた１種を材料として形成することを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１４）前記弁金属膜の前記誘電体酸化皮膜の形成部位を、当該誘電体酸化皮膜を形成する前に粗面化処理することを特徴とする付記９〜１３のいずれか１項に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１５）前記弁金属膜を、アルミニウム、ニオブ、及びタンタルのうちから選ばれた１種を材料として形成することを特徴とする付記９〜１４のいずれか１項に記載のキャパシタの製造方法。

（付記１６）前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極を、共にハンダを材料として形成することを特徴とする付記９〜１５のいずれか１項に記載のキャパシタの製造方法。

実験に用いた薄膜型キャパシタの構造を示す概略平面図である。 図１の薄膜型キャパシタにおけるインピーダンス特性を示す特性図である。 本実施形態による固体電解コンデンサの製造方法を工程順に説明する概略断面図である。 図３に引き続き、本実施形態による固体電解コンデンサの製造方法を工程順に説明する概略断面図である。 図３（ａ）に対応した概略平面図である。

符号の説明

１ アルミニウム膜
２ アルミ酸化皮膜
２ａ 開孔
３ 導電性高分子層
４ａ，４ｂ 銀層
５ａ，５ｂ ハンダ層
６ 異方導電性フィルム
７ 外部接続用パッド
１０ ガラス板
１１ 熱発泡テープ

Claims (3)

1. 弁金属膜の片面上に陽極酸化により選択的に誘電体酸化皮膜を形成する工程と、
   前記誘電体酸化皮膜上に第１の電極を形成する工程と、
   前記弁金属膜の前記片面上における前記誘電体酸化皮膜の非形成領域に第２の電極を形成する工程と、
   基体上に、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ対応するように、前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極を形成する工程と、
   異方導電性フィルムを介して、前記第１の電極と前記第１の接続電極、及び前記第２の電極と前記第２の接続電極がそれぞれ対向して電気的に接続されるように、前記弁金属と前記基体とを張り合わせる工程と、
   前記基体を除去する工程と
   を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
2. 前記第１の電極を、導電性高分子材料により形成することを特徴とする請求項１に記載のキャパシタの製造方法。
3. 前記弁金属膜の前記誘電体酸化皮膜の形成部位を、当該誘電体酸化皮膜を形成する前に粗面化処理することを特徴とする請求項１又は２に記載のキャパシタの製造方法。

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