JP3833984B2 - テストベクタの生成装置、テストベクタの生成方法、半導体集積回路の故障解析装置、およびテストベクタを生成するためのプログラム - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の遅延故障テストに関し、特に遅延故障テストのテストベクタの生成方法および遅延故障テストにてフェイルした半導体集積回路の遅延故障の解析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路、主に論理回路製品では、機能とタイミング検証のためにシミュレーションを実施し、そのシミュレーションに使用したテストベクタを半導体集積回路のテスタでのタイミング解析のテストに利用する。また、タイミング解析の結果判明したクリティカルなパスを活性化するために、遅延故障のテストベクタの自動生成も行っている。
【０００３】
半導体集積回路のタイミング検証では、各パスでの信号の遅延が狙いの動作周波数におけるタイミングに違反していないのかを確認する。タイミング違反しやすいと考えられる信号遅延の大きなパスについてタイミング検証するので、検証されるパスが特定の回路ブロックに集中し、タイミング違反したパスが特定の回路ブロックに集中することがある。遅延故障のテストベクタも半導体集積回路内の特定領域にしか存在しないことになる。
【０００４】
一方、半導体集積回路の製造プロセスでは製造バラツキが存在し、半導体集積回路内に構造上のバラツキが存在している。この構造上のバラツキにより、設計段階のタイミング検証ではタイミング違反しやすいパスが、製造された半導体集積回路の実際のパスでもタイミング違反しやすいとは限らず、別のパスでタイミング違反が発生することがある。
【０００５】
そこで、半導体集積回路全面に分布するように選択されたパスについて、遅延故障のテストを実施したいという要求があった。しかしながら、この要求を満たすために必要となる半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する装置はなかった。
【０００６】
半導体集積回路のパスの遅延故障解析では、遅延故障したパスから、パスを構成する複数のセルのうち、遅延故障がどこのセルで起きているのかを究明する。この究明を行うために必要となる半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する装置はなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタの生成装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタの生成方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタを生成するためのプログラムを提供することにある。
【００１２】
本発明の目的とするところは、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析をするためのプログラムを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の特徴は、半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定する検索条件指定手段と、半導体集積回路の回路情報に基づいてタイミング解析を実行し検索条件を満足するパスを検索し検索されたパスを構成するセルをタイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成するパスリスト生成手段と、パスリストに基づいて半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成するテストベクタ生成手段と、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定手段と、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止する終了条件判定手段を有するテストベクタ生成装置にある。
【００１４】
本発明の第２の特徴は、半導体集積回路内のパスで遅延故障が発生しているか否かのテスト結果に基づいて遅延故障が発生しているパスを構成するセルのリストを生成するフェイルパスのセルリスト生成手段と、遅延故障が発生しているパスの一部を有する故障セル探索用パスを検索するための検索条件を指定する検索条件指定手段と、検索条件に基づいて故障セル探索用パスを検索し検索された故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成する故障セル探索用パスリスト生成手段と、故障セル探索用パスリストに基づいて故障セル探索用パスリストのテストベクタを生成する故障セル探索用テストベクタ生成手段と、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定手段と、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止する終了条件判定手段とを有する半導体集積回路の故障解析装置にある。
【００１５】
本発明の第３の特徴は、半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定することと、半導体集積回路の回路情報に基づいてタイミング解析を実行し検索条件を満足するパスを検索し検索されたパスを構成するセルをタイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成することと、パスリストに基づいて半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成することと、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止することを有するテストベクタの生成方法にある。
【００１６】
本発明の第４の特徴は、半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定することと、半導体集積回路の回路情報に基づいてタイミング解析を実行し検索条件を満足するパスを検索し検索されたパスを構成するセルをタイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成することと、パスリストに基づいて、半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成することと、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止することをコンピュータに実行させるテストベクタを生成するためのプログラムにある。
【００１７】
本発明の第５の特徴は、半導体集積回路内のパスで遅延故障が発生しているか否かのテスト結果に基づいて遅延故障が発生しているパスを構成するセルのリストを生成することと、遅延故障が発生しているパスの一部を有する故障セル探索用パスを検索するための検索条件を指定することと、検索条件に基づいて故障セル探索用パスを検索し検索された故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成することと、故障セル探索用パスリストに基づいて故障セル探索用パスリストのテストベクタを生成することと、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止することとを有する半導体集積回路の故障解析方法にある。
【００１８】
本発明の第６の特徴は、半導体集積回路内のパスで遅延故障が発生しているか否かのテスト結果に基づいて遅延故障が発生しているパスを構成するセルのリストを生成することと、遅延故障が発生しているパスの一部を有する故障セル探索用パスを検索するための検索条件を指定することと、検索条件に基づいて故障セル探索用パスを検索し検索された故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成することと、故障セル探索用パスリストに基づいて故障セル探索用パスリストのテストベクタを生成することと、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、終了条件を満足する場合にパスリストの作成を停止することをコンピュータに実行させる半導体集積回路の故障解析をするためのプログラムにある。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率の異なる部分が含まれるのはもちろんである。
【００２０】
（第１の実施の形態）
（半導体集積回路の設計／製造方法）
第１の実施の形態に係る半導体集積回路の設計／製造方法では、図１に示すように、まず、ステップＳ１で、半導体集積回路の仕様を入力する。ステップＳ２で、半導体集積回路の仕様に基づいて論理合成を行い、論理式を生成する。この論理式に基づいて回路ブロックとセルを用いてネットリストを生成する。このネットリストに基づいて回路ブロックとセルの配置配線を行い、半導体集積回路のレイアウトパターンを生成する。
【００２１】
ステップＳ３で、テストパタンを生成する。このテストパタンに基づいて、テストベクタ１を生成する。できる限り半導体集積回路全面の遅延故障のテストを実施するために、半導体集積回路の特定領域を指定することで、その領域をテストするテストベクタ１を生成する。テストベクタ１は、準備ベクタ、システムクロックベクタと検出ベクタで構成される。準備ベクタで、半導体集積回路の外部端子と内部端子の論理の初期値を設定することができる。システムクロックベクタでは、クロック線に限らず任意の外部端子と内部端子から制御信号を半導体集積回路に入力する。準備ベクタで外部端子と内部端子の論理の初期値を設定し、システムクロックベクタで外部端子と内部端子の論理を制御することで、半導体集積回路の所望のパスを活性化し、パス上のセルと回路ブロックを動作させる。検出ベクタでは、準備ベクタとシステムクロックベクタに基づいて動作したセルと回路ブロックから外部端子と内部端子に出力されると期待される期待値が配置される。半導体集積回路の機能とタイミングの検証のためにシミュレーションを行う。このシミュレーションはテストパタンに基づいて行われる。シミュレーションではテストベクタ１を使用する。
【００２２】
ステップＳ４で、準備ベクタとシステムクロックベクタに基づいて出力される論理演算値が、検出ベクタに基づく期待値と一致しているか否か判断する。一致していればステップＳ５に進み、不一致であればステップＳ２に戻り半導体集積回路のネットリストやレイアウトパターンの修正を行う。
【００２３】
ステップＳ５で、半導体基板を加工し、動作テストが可能な半導体集積回路を製造する。
【００２４】
ステップＳ６で、製造した半導体集積回路の遅延故障のテストを行う。テストベクタ１は、ステップＳ６の遅延故障のテストにも使用する。なお、特に、ステップＳ３のタイミングの検証の結果判明したクリティカルなパスに関して、対応するテストベクタ１を使用して遅延故障のテストを行ってもよいし、できる限り半導体集積回路全面の遅延故障のテストを実施するために、半導体集積回路の特定領域を指定することで、その領域をテストするテストベクタ１を生成してもよい。半導体集積回路の動作周波数に違反しないように定められた所定の遅延時間内に、期待値に対応する信号が出力されるか否かのテストと、遅延時間の測定値が測定される。なお、クリティカルなパスを活性化するための遅延故障用テストベクタは、ステップＳ６で生成してもよい。
【００２５】
ステップＳ７で、活性化したパスで遅延故障が発生したかを判断する。この判断に基づいて半導体集積回路の故障解析の要否を判断する。遅延故障が発生すれば故障解析は必要と判断し、ステップＳ８に進む。遅延故障が発生しなければ故障解析は不要と判断し、ステップＳ９に進み、半導体集積回路は完成する。半導体集積回路の製造方法が終了する。
【００２６】
ステップＳ８では、遅延故障が発生した故障パスの故障解析を行う。パスの遅延故障解析では、遅延故障のテストでフェイルしたテストベクタと半導体集積回路の回路情報より、故障パスを推定する。あるいは、遅延故障のテストベクタを生成した場合には、テストでフェイルしたテストベクタの生成時に入力したパスから故障パスが明確になる。
【００２７】
故障パスが半導体集積回路のどの回路ブロックとセルをテストしたのかは、半導体集積回路のレイアウトパターンに故障パスの情報を加味すれば、レイアウトパターンの表示画面上に故障パスを表示することができる。故障パスの存在する範囲は限定できる。
【００２８】
しかしながら、故障パスは複数のセルが接続して構成されているために、遅延故障がどこのセルで起きているのかは不明である。遅延故障の原因となっているセルを絞り込むために、故障パスと一部のセルを共有する新たな故障セル探索用パスを探し、その故障セル探索用パスを活性化するテストベクタを生成し、このテストベクタを用いて故障セル探索用パスの遅延故障のテストを行う。
【００２９】
故障セルとの共有部分が異なる複数の故障セル探索用パスのテストベクタを生成してテストする。このとき、遅延故障の原因となっているセルが含まれたテストベクタだけがテストでフェイルする。そして、フェイルを起こすセルの範囲が狭められ、最終的にフェイルを起こすセルを特定できる。
【００３０】
（テストベクタの生成装置）
第１の実施の形態に係るテストベクタの生成装置は、コンピュータであり、図２に示すように、検索条件指定手段１１、終了条件指定手段１２、回路情報格納部１３、パスリスト生成手段１４、パスリスト格納部１５、テストベクタ生成手段１６、テストベクタ格納部１７、テストベクタ生成情報格納部１８と終了条件判定手段１９を有している。
【００３１】
検索条件指定手段１１では、半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定する。
【００３２】
回路情報格納部１３では、コンピュータが読み出し可能な状態に半導体集積回路の回路情報を記録する。
【００３３】
パスリスト生成手段１４では、半導体集積回路の回路情報に基づいてタイミング解析を実行し、検索条件を満足するパスを検索し、検索されたパスを構成するセルをタイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを生成する。
【００３４】
パスリスト格納部１５では、生成されたパスリストを記録し、コンピュータが読み出し可能な状態にする。
【００３５】
テストベクタ生成手段１６では、パスリストに基づいて、半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタ１とテストベクタ生成情報を生成する。
【００３６】
テストベクタ格納部１７では、生成されたテストベクタ１を記録し、コンピュータが読み出し可能な状態にする。
【００３７】
テストベクタ生成情報格納部１８では、生成されたテストベクタ生成情報を記録し、コンピュータが読み出し可能な状態にする。
【００３８】
終了条件指定手段１２では、テストベクタ１の生成を終了させる終了条件を指定する。なお、終了条件指定手段１２は、被覆判定条件指定手段と被覆率定義手段を有している。
【００３９】
終了条件判定手段１９では、終了条件を満足する場合に、パスリスト生成手段１４におけるパスリストの生成を停止する。
【００４０】
被覆判定条件指定手段は、半導体集積回路を複数の領域に分割し、生成されたテストベクタの基となるパスリストのパスがその領域を被覆していると判定するための被覆判定条件を指定する。終了条件判定手段１９がこの被覆判定条件を終了条件として被覆の判定を行う。パスリスト生成手段１４とテストベクタ生成手段１６がこの被覆判定条件を検索条件として被覆の判定を行い、被覆と判定されるパスのパスリストやテストベクタを抽出する。被覆判定条件としては、例えば、その領域を通過するパスの本数や、その領域に含まれるパス上の論理素子の数、パスの配線長、ビアやコンタクトの数が所定値以上であること、パス上の配線やビアの層が所定の層であることなどが考えられる。この被覆の概念を用いることにより、領域毎に過不足ないテストができる。すなわち、１本のパスが領域の端のごく一部を通過するとき、このパスのテストベクタでこの領域を適切にテストすることは難しいのである。そこで、適切なテストができるように、この領域にパスを通過させたい。被覆の概念はこのような要求を満足させることができる。
【００４１】
被覆率定義手段は、被覆されていると判定された前記領域の数の前記領域の総数に対する比率を被覆率として指定する。終了条件指定手段１２は、テストベクタの生成に伴うパスの被覆率が指定された被覆率以上であることを終了条件として指定する。検索条件指定手段１１は、検索条件として、パスの被覆率が指定された被覆率以上であることを指定する。
【００４２】
これらのチップ領域におけるテストベクタ生成に成功したパスの被覆率を検索条件及び終了条件に用いることにより、被覆率が一定値以上になる複数のパスによる複数のテストベクタを生成することができる。このことにより、チップ上の一部の領域にパスが偏ることがないので、チップを一様にテストできる品質の高いテストベクタを生成することできる。
【００４３】
（テストベクタの生成方法）
第１の実施の形態に係るテストベクタの生成方法は、コンピュータに実行させることができる。第１の実施の形態に係るテストベクタの生成方法は、図３に示すように、まず、ステップＳ１１で、半導体集積回路の回路情報格納部１３からパスリスト生成手段１４に回路情報を入力する。回路情報は、回路ブロックやセルの接続情報を記述したネットリストでもよいし、より詳細な回路ブロックやセルの配置配線情報を検索条件として指定するならば、回路ブロックやセルの配置配線情報である半導体集積回路のレイアウトパターンであってもよい。
【００４４】
次に、ステップＳ１２で、終了条件指定手段１２が、テストベクタ１の生成過程を終了させるための条件を発生させる。終了条件の発生では、例えば、生成に成功したテストベクタ１の数、生成したテストベクタ１が通る論理素子の和、生成したテストベクタ１の始点および終点の和などが超えることを終了条件とする数値を終了条件指定手段１２が生成し指定する。
【００４５】
ステップＳ１３で、検索条件指定手段１１が、半導体集積回路の論理回路上で、テストすべきパスを検索する条件を発生させる。検索条件の発生では、初回の検索用の検索条件と２回目以降の検索用の検索条件を発生させる。
【００４６】
初回の検索用の検索条件の発生では、例えば、パス上の信号伝搬時間いわゆる遅延時間が最大のものから並べたパスの順位について、より上位の順位であることを検索条件とする特定の順位を検索条件指定手段１１が生成し指定する。
【００４７】
２回目以降の検索用の検索条件の発生では、例えば、半導体集積回路内を分割して分割領域を生成し、初回及び２回目以降の検索用の検索条件によるテストベクタの生成が成功したパスの生成結果から、まだパスが通らない分割領域を通ることという検索条件を検索条件指定手段１１が生成し指定する。
【００４８】
初回の検索用の検索条件としては、他に、パス上のセルの数の和である総段数、パスの信号伝達する配線の総配線長、パスの信号伝達経路上のビアやコンタクトの数や、パスの信号伝達経路上の配線やビアの多層配線において属する層の指定などが考えられる。
【００４９】
また、分割領域をパスが通ったことを被覆と定義する被覆条件を設定することができる。この被覆条件としては、対象の分割領域での、パスの総段数や総配線長、ビアやコンタクトの数、配線やビアの属する層の指定などが考えられる。
【００５０】
なお、ステップＳ１１、Ｓ１２とＳ１３の実施の順序は任意であってよく、また、ステップＳ１１、Ｓ１２とＳ１３の実施は同時に並行して行ってもよい。
【００５１】
次に、ステップＳ１４で、パスリスト生成手段１４が、指定された検索条件を基に、半導体集積回路のタイミング解析を行いながら、テストパタン生成の対象となる半導体集積回路上のパスのパスリストを生成し、パスリスト格納部１５へ格納する。
【００５２】
ステップＳ１５で、テストパタン生成の対象となるパスのパスリストが新たに抽出されたか判断する。図３のフローチャートのステップＳ１３からステップＳ１８へ、そしてステップＳ１３に戻るループが存在する。このループの１回目のサイクルでは、新たなパスのパスリストが生成されるように検索条件が指定されることが望ましく、この指定の結果ステップＳ１６に進むことができる。
【００５３】
ステップＳ１６で、テストベクタ生成手段１６が、パスリスト格納部１５に格納されたパスのパスリストと、回路情報格納部１３に格納された半導体集積回路の回路情報を入力する。そして、各パスに対して遅延故障を検出可能なテストベクタを生成する。入力される回路情報は、ステップＳ１４のパスリストの生成で使用する回路情報とは、その詳細度や記述形式のレベルが、異なるものであってもよい。テストベクタ生成手段１６は、生成に成功したテストベクタに対しては、そのテストベクタをテストベクタ格納部１７に記録して格納する。また、各パスに対してテストベクタの生成に成功したかどうかのテストベクタ生成情報を、テストベクタ生成情報格納部１８に記録して格納する。
【００５４】
ステップＳ１７で、終了条件判定手段１９が、テストベクタ生成情報格納部１８に格納された現在のテストベクタの生成の状況が、ステップＳ１２の終了条件の指定で指定された終了条件を満たし合致するかどうかを判定する。
【００５５】
ステップＳ１８で、テストベクタ生成情報格納部１８に格納された現在のテストベクタの生成の状況が、終了条件に合致しない場合は、ステップＳ１３に戻る。ステップＳ１３で、再度新たな検索条件を更新して指定する。新たな検索条件は先の検索条件よりテストベクタ生成が成功しやすいように変更する。そして、再度、ステップＳ１４で、新たな検索条件を基に、新たなパスを検索しそのパスのパスリストを生成する。ステップＳ１５で、新たな検索条件の基、新たなパスのパスリストが生成されたか判断する。新たなパスのパスリストが生成された場合はステップＳ１６に進む。新たなパスのパスリストが生成されない場合はステップＳ１９に進む。ステップＳ１９で、最終的なテストベクタ生成情報を外部記憶装置に出力する。さらに、ステップＳ２０で、最終的なテストベクタを外部記憶装置に出力する。そして、テストベクタの生成方法を終了する。なお、新たなパスのパスリストが生成されない場合に、再度ステップＳ１３に戻ってもよい。
【００５６】
ステップＳ１８で、テストベクタ生成情報格納部１８に格納された現在のテストベクタの生成の状況が、終了条件に合致する場合は、ステップＳ１９に進み最終的なテストベクタ生成情報を外部記憶装置に出力する。さらに、ステップＳ２０で、最終的なテストベクタを外部記憶装置に出力する。そして、テストベクタの生成方法を終了する。すなわち、テストベクタの生成方法は、検索条件に合致するパスが新たに検索されなくなることにより、または、テストベクタの生成状況が終了条件に合致することにより終了する。
【００５７】
このように、テストベクタの生成装置において、テストベクタの生成方法を実施することにより、検索条件や終了条件をもとにパスのテストベクタの生成を行うことができるので、テストベクタの生成方法を高度に自動化でき、生成されるテストベクタの品質を高められる。そして、テストベクタの生成に要する期間が、従来は人手がかかり数週間だったものが、数日間になる。
【００５８】
（第１の実施の形態の変形例１）
第１の実施の形態の変形例１に係るテストベクタの生成装置は、図４に示すように、図２の第１の実施の形態のテストベクタの生成装置にチップ領域指定手段２０を加えた装置である。第１の実施の形態の変形例１のテストベクタの生成方法は、図３の第１の実施の形態のテストベクタの生成方法のステップＳ１３を拡充して変更される。
【００５９】
チップ領域指定手段２０は、半導体集積回路の論理回路情報を回路情報格納部１３から読み込む。チップ領域指定手段２０は、半導体集積回路のチップ全面、あるいは、チップ上の一部のパス遅延故障用のテストベクタの作成対象となる論理回路部分（汎用的に組み込まれる回路ブロックを除いた、いわゆるユーザロジック部）の表示像を生成する。この表示像はテストベクタの生成装置のオペレータに認識可能な表示像として、チップ領域指定手段２０の表示部に表示される。そして、チップ領域指定手段２０は、テストベクタの作成対象となる論理回路部分の表示像を分割する領域を発生させる。この表示像の分割方法は、チップ領域指定手段２０が、論理回路部分の表示像の縦方向および横方向の分割数をそれぞれ決定して指定し、これらの分割数に論理回路部分の表示像を等分割して表示する。チップ領域指定手段２０は、論理回路部分の表示像を分割する為の線分の表示像の表示位置を有する表示像分割情報を生成する。チップ領域指定手段２０は、この表示像分割情報に基づいて、論理回路部分の表示像に重ねて、分割する為の線分の表示像を表示することにより、論理回路部分の表示像を分割する。
【００６０】
チップ領域指定手段２０が、領域に分割された半導体集積回路の表示像を表示する。この表示により、半導体集積回路の表示像に基づく分割された領域の指定を、テストベクタの生成装置のオペレータに促す。このオペレータへの促しの際には、既にテストベクタの生成に成功したパスの表示像を半導体集積回路の表示像に重ねて表示することが望ましい。オペレータは、パスの表示像を半導体集積回路の表示像に重ねた表示を見ることにより、どの分割された領域にテストベクタの生成されたパスが配置され、どの分割された領域にテストベクタの生成されたパスが配置されていないかを瞬時に確認することができる。テストベクタの生成装置のオペレータは、チップ領域指定手段２０の促しに応じ、オペレータがパスを配置したいと考える分割された領域を指定し、この特定の分割された領域を指定する旨をチップ領域指定手段２０の入力部からチップ領域指定手段２０に入力する。オペレータは、パスを配置したいと考える領域として、まだテストベクタの生成されたパスが配置されていない領域を選択すればよい。表示像に対して、出力表示と入力を行うことになるので、出力部と入力部は一体となったタッチパネルのような入出力部であることが望ましい。オペレータによる領域を指定する旨の入力は、タッチパネルに表示された領域の表示像にオペレータがタッチすることによって行われる。
【００６１】
検索条件指定手段１１は、入力された特定の領域を指定する旨に基づいて、指定された領域に配置されるパスを検索可能な検索条件を指定する。検索条件指定手段１１では、表示された半導体集積回路上でパスを配置したい領域を装置使用者が明示的に指定することにより、この指定された領域にパスを配置することを検索条件として再設定する。パスリスト生成手段１４では、この再設定された検索条件に基づく生成が行われる。
【００６２】
なお、検索条件指定手段１１が、パスが配置されていない領域を配置することを、検索条件としてオペレータによらず自動的に指定して、検索条件を再設定してもよい。このことにより、パスを半導体集積回路上に均一に配置することができる。
【００６３】
チップ領域指定手段２０では、上記のように単一の領域を指定するだけでなく、複数の領域を指定でき、この複数の領域間の優先順位を指定することもできる。このことにより、優先順位の高い領域から、それぞれの領域に配置されているパスが検索される。また、チップ領域指定手段２０における領域の指定は、ステップＳ１３に戻るたびに毎回行ってもよいし、図３のフローチャートのループを設定された回数だけ繰り返した後に行ってもよい。すなわち、チップ領域指定手段２０による行為は、ステップＳ１３の検索条件指定に付随する行為、あるいは、ステップＳ１３に含まれる行為であると考えることができる。
【００６４】
このように、ステップＳ１３の検索条件指定において、テストベクタ生成状況を表示することによりオペレータに確認させたり、以降のテストベクタ生成における優先順位などの条件を指定したりできることで、最終的に生成されるテストベクタの集合が、装置使用者の意図するものになるよう、調整することができる。
【００６５】
また、オペレータがテストベクタを作成したいパスが属する領域を指定する一方で、テストベクタの生成装置が指定した検索条件を変更しながら繰り返し新たなパスを選択するので、オペレータのその領域指定により最終的に生成されるテストベクタの品質をより高くすることができる。
【００６６】
（第１の実施の形態の変形例２）
第１の実施の形態の変形例２に係るテストベクタの生成装置は、図５に示すように、図２の第１の実施の形態のテストベクタの生成装置の検索条件指定手段１１が更に回路情報設定部２１、検索優先順位決定部２２と回路情報変更部２３を持つ装置である。
【００６７】
回路情報設定部２１が、回路情報に関する検索項目と検索項目に対応しパスが検索される設定範囲とを設定する。回路情報設定部２１は、検索条件として、プロセスや設計に関する複数の項目に関してパスが検索で抽出されるか否かの尺度を選択する。回路情報設定部２１は、この尺度に対して抽出されるセルが備えるべき目標値を決定して設定する。例えば、そのプロセスや設計の項目とその項目の尺度と目標値としては次の組合せが考えられる。項目がセルのピン名である場合は、尺度と目標値がパスの始点あるいは終点が特定のピン名であることである。項目が配線である場合は、尺度がパスの信号経路となる配線の配線長の和であり、目標値が２ｍｍ以上等の長さの範囲である。項目がビアである場合は、尺度がパスの信号経路となるビアの個数であり、目標値が７００個以上等の個数の範囲である。項目がコンタクトであれば、その尺度と目標値はビアと同様に扱える。項目が配線やビアの層である場合は、尺度と目標値がパスの信号経路が特定の配線やビアの層を含んでいることである。目標がパスの段数である場合は、尺度がパスを構成するセルの個数であり、目標値が２０個以上等の個数の範囲である。なお、１つの項目に対して複数の尺度と複数の目標値を設けてもかまわない。また、１つの尺度に対して複数の目標値を設けてもかまわない。
【００６８】
検索優先順位決定部２２が、検索されるパスの満たすべき検索項目の組合せの優先順位を決定する。検索優先順位決定部２２は、図６のループのサイクル毎に更新される検索条件として採用されるプロセスや設計に関する項目尺度目標値に、何サイクル目の検索条件として採用されるかの優先順位等の優先度を設定する。
【００６９】
回路情報変更部２３が、パスリスト生成手段１４で新たなパスリストが生成されず、テストベクタ生成手段１６で新たなテストベクタが生成されない場合に、回路情報設定部２１の設定値を緩和し新たなパスリスト又は新たなテストベクタを生成しやすくする。回路情報変更部２３は、検索条件のもとパスが選択されなかったり、選択したパスに対してテストベクタの生成に失敗したりした時に、検索条件を再設定して緩和する。
【００７０】
すなわち、検索条件は、回路情報条件、検索順位条件と回路情報変更条件を有する。回路情報条件は、回路情報に関する検索項目とこの検索項目に対応しパスが検索される範囲を定める設定値とを有する。検索順位条件は、検索されるパスの満たすべき検索項目の組合せの優先順位を有する。回路情報変更条件は、パスリスト生成手段１４で新たなパスリストが生成されず、テストベクタ生成手段１６で新たなテストベクタが生成されない場合に、新たなパスリスト又は新たなテストベクタを生成しやすくするために緩和された設定値を有する。
【００７１】
検索条件指定手段１１が、回路情報設定部２１、検索優先順位決定部２２と回路情報変更部２３を持つことにより、検索条件を緩和して更新することができる。例えば、１サイクル目の検索条件として多数の項目を採用し、２サイクル目以降で既採用の項目を検索条件から削除することができる。また、１サイクル目の検索条件としてパスを抽出しにくい目標値を採用し、２サイクル目以降で既採用の目標値と同じ項目の同じ尺度でパスを抽出しやすい方向に変更している目標値を採用することができる。
【００７２】
なお、検索条件指定手段１１が、回路情報設定部２１、検索優先順位決定部２２と回路情報変更部２３を全部を備えることはもちろん、一部の機能のみを備えることも可能である。
【００７３】
第１の実施の形態の変形例２のテストベクタの生成方法は、図６に示すように、図３の第１の実施の形態のテストベクタの生成方法に対してステップＳ２１とＳ２２が加えられる。第１の実施の形態の変形例２のテストベクタの生成方法では、新たに更新した検索条件の基での新たなパスの検索や新たなテストベクタ生成に失敗したときに、ステップＳ２２で検索条件を緩和する処理をおこなう。
【００７４】
ステップＳ１５で、ステップＳ１４のパスリストの生成において新たなパスの抽出に失敗したと判断すると、ステップＳ２２に進み、パスリスト生成手段１４は検索失敗フラグをパスリスト格納部１５に立てる。同様に、ステップＳ２１で、ステップＳ１６のテストベクタの生成において新たなテストベクタの生成に失敗したと判断すると、ステップＳ２２に進み、テストベクタ生成手段１６は検索失敗フラグをテストベクタ格納部１７に立てる。
【００７５】
ステップＳ２２で、回路情報変更部２３が、検索失敗フラグを検出し、検索条件の緩和を行う。この機能によって、検索条件を変更しながら新たなパスの選択を繰り返し行うことが可能になる。
【００７６】
このように、テストベクタ生成の過程において、指定した検索条件を変更しながら繰り返し新たなパスの選択ができ、選択したパスに対するテストベクタが条件を変更しながら繰り返し生成できるので、最終的に生成されるテストベクタの品質がより高くなるように、オペレータは調整することができる。
【００７７】
（第１の実施の形態の変形例３）
第１の実施の形態の変形例３に係るテストベクタの生成装置は、図７に示すように、図５の第１の実施の形態の変形例２のテストベクタの生成装置が、更に、チップ領域指定手段２０、ピン名リスト作成手段２５、ピンリスト格納部２６、回路情報抽出手段２４とピンリスト毎回路情報格納部２７を持つ装置である。
【００７８】
ピン名リスト作成手段２５が、チップ内の指定された領域の回路情報におけるセルの配置配線情報に基づいて、指定された領域内のセルのピン名を抽出したピン名リストを作成する。回路情報抽出手段２４が、ピン名リスト毎に、検索項目別の回路情報を抽出する。
【００７９】
テストベクタの生成方法のフローチャートは図６と基本的に同じである。チップ領域指定手段２０によってチップ内の領域が指定される。この指定された領域の領域情報と、回路情報格納部１３に格納された回路情報から、ピン名リスト作成手段２５がピン名リストを作成する。作成されたピン名リストはピンリスト格納部２６に格納される。パスリスト生成手段１４が、ピン名リストと検索項目別の回路情報に基づいて、タイミング解析を実行し、指定された領域を被覆するパスを検索する。
【００８０】
回路情報抽出手段２４は、回路情報格納部１３の回路情報のデータをもとに、ピンリスト格納部２６に格納されているそれぞれのピン名リスト毎に、回路情報設定部２１が設定した項目に関して回路情報を抽出する。ここでいうピン名リスト毎の回路情報とは、例えば、ピン名リスト毎に記載されたそれぞれのピン名に相当するピン毎に接続するそれぞれの配線の配線長である。また、ピン名リスト毎の回路情報としては、ピン名リスト毎に記載されたそれぞれのピン名に相当するピン毎に接続するそれぞれの配線の配線層名などの情報である。抽出された回路情報は、ピンリスト毎回路情報格納部２７に格納される。
【００８１】
このように、テストベクタの生成方法において、チップ領域指定手段２０がテストベクタを作成したい領域を選択すると、選択された領域のピン名リストやそのピン名リストに対する配線長や配線層などの情報を自動的に得ることができるので、最終的に生成されるテストベクタの品質がより高くなるように、検索条件指定手段１１及びオペレータは調整することができる。調整方法としては、配線長が一番長い等の特定の配線が接続したピンを含むようにパスの検索条件を指定する等が考えられる。
【００８２】
（第１の実施の形態の変形例４）
第１の実施の形態の変形例４に係るテストベクタの生成装置は、図８に示すように、図７の第１の実施の形態の変形例３のテストベクタの生成装置のパスリスト生成手段１４に、更に、ピンリスト格納部２６からピンリストが入力され、ピンリスト毎回路情報格納部２７からピンリスト毎回路情報が入力される。
【００８３】
チップ領域指定手段２０が、チップ内の領域を指定する。ピン名リスト作成手段２５が、この指定された領域のピン名リストを作成する。作成されたピン名リストはピンリスト格納部２６が記憶保持される。回路情報抽出手段２４が、ピン名リスト、回路情報と検索条件をもとに、ピン名リスト毎に検索条件の検索項目についての回路情報を抽出し、ピンリスト毎回路情報を生成する。生成されたピンリスト毎回路情報は、ピンリスト毎回路情報格納部２７が記憶保持する。
【００８４】
ピンリスト格納部２６が記憶しているピン名リストと、ピンリスト毎回路情報格納部２７が記憶しているピンリスト毎回路情報を元に、パスリスト生成手段１４が新たなパスのパスリストを作成する。回路情報格納部１３に記録された膨大な回路情報の中から必要な回路情報を読み出しながらパスリストを作成しなくてよい。ピンリスト毎回路情報は、回路情報格納部１３に記録された回路情報よりはるかに情報量を少なくできる。また、ピン名リストに限って回路情報を記憶しているので、一層情報量を少なくすることができる。
【００８５】
新たなパスのパスリストが生成できずに、新たなパスの抽出に失敗したときは、パスリスト生成手段１４は抽出失敗フラグを立てる。回路情報変更部２３は抽出失敗フラグを検出し、検索条件を緩和する。パスリスト生成手段１４が、緩和された検索条件に基づいて、新たなパスのパスリストを作成し、新たなパスの抽出を続ける。
【００８６】
作成されたパスリストは、チップ領域指定手段２０が指定した領域を通るパスのパスリストである。このパスリストに対してテストベクタ生成手段１６がテストベクタを生成する。このテストベクタにより指定された領域のテストを行うことができる。テストベクタ生成手段１６が、テストベクタの生成に失敗したときは、回路情報変更部２３が、検索条件を緩和する。テストベクタ生成手段１６が、緩和された検索条件に基づいてテストベクタの生成を続ける。すなわち、図６のステップＳ２２で緩和された検索条件によっては、ステップＳ１７、Ｓ１８とＳ１３を経て行うステップＳ１４のパスリスト生成に関する検索条件が緩和されていない場合がある。ステップＳ１６のテストベクタ生成に関する検索条件のみが緩和されている場合がある。このようなテストベクタ生成に関してのみの検索条件の緩和に対しては、ステップＳ１８のＮＯの判定の後にあたかもステップＳ１６にジャンプするかのようなフローチャートを構成する。
【００８７】
このように、テストベクタの生成装置において、テストベクタを作成したいパスが属する領域を指定することや、指定した領域に対するパスリストの検索条件を変更しながら繰り返し検索できることや、抽出したパスに対するテストベクタの生成条件を変更しながら繰り返し作成できることで、最終的に生成されるテストベクタはより品質が高いテストベクタを得ることができる。
【００８８】
また、このテストベクタの生成装置のオペレータが、チップ領域指定手段２０がテストベクタを作成したいパスが属する領域を指定する際に、チップ領域指定手段２０の促しに応じ希望する領域をチップ領域指定手段２０に入力することができる。この希望する領域の入力により、チップ領域指定手段２０が、オペレータが希望する領域をテストベクタを作成するパスが属する領域として指定する。このようにして、オペレータはテストベクタの品質を調整することができる。
【００８９】
（第１の実施の形態の変形例５）
第１の実施の形態の変形例５に係るテストベクタの生成装置は、図９に示すように、図８の第１の実施の形態の変形例４のテストベクタの生成装置に、更に、パス回路情報作成手段１９１、パス回路情報格納部１９２、強調表示パス選択手段１９３、強調表示パス情報格納部１９４と区切り値指定手段１９５を備えている。
【００９０】
パス回路情報作成手段１９１は、回路情報抽出手段２４によって抽出された検索項目別のピンリスト毎回路情報に基づいて、チップ領域指定手段２０によって指定された領域を被覆するパスの検索項目別の回路情報を作成する。
【００９１】
区切り値指定手段１９５は、検索条件の検索項目の設定範囲内外で区切り値を設定する。この設定範囲を区切り値で複数の区域に分割すれば、テストベクタの生成の際にパスに生成順の優先順位を設けることができる。設定範囲外に区切り値を設定すれば、設定範囲を満足するパスが終了条件を満足しない場合に、区切り値まで設定範囲を広げてパスの数を増やし終了条件を満足させることができる。なお、区切り値指定手段１９５は、検索条件指定手段１１内に設けられることが望ましい。これは、区切り値が、検索条件の検索項目の中から選択された項目に関して設定されるからである。
【００９２】
強調表示パス選択手段１９３は、パスの検索項目別の回路情報と区切り値の比較を行い、パスの検索項目別の回路情報が属する区切り値で分割された区域毎にそのパスを識別表示して、半導体集積回路の表示像に重ねて表示する。
【００９３】
パスリスト生成手段１４がパスリストを生成する。生成されたパスリストをパスリスト格納部１５が記憶する。これらのパスリストのパスの回路情報を回路情報作成手段１９１が作成する。作成されたパスの回路情報をパス回路情報格納部１９２が記憶する。
【００９４】
強調表示パス選択手段１９３が、パス回路情報格納部１９２で記憶されているパスのうち、そのパスの回路情報の値が区切り値指定手段１９５の設定した区切り値を超えたパスを選択する。区切り値の設けられる検索項目は値が大きいほどそのパスを抽出したい傾向が強くなる。したがって、設定した区切り値を超えることはそのパスを抽出する基準となる。強調表示パス選択手段１９３は、半導体装置の表示画像に重ねてそのパスの強調表示を行うパスのリストを作成する。強調表示を行うパスのリストは、強調表示パス情報格納部１９４が記憶保持する。
【００９５】
強調表示パス情報格納部１９４で格納されているパスリストのパスについては、チップ領域指定手段２０が、半導体装置の表示画像に重ねてそのパスの強調表示を行う。強調表示の方法としては、強調表示されるパスの線分の線幅を強調表示しないパスより太くしたり、パスの線分の色を強調表示するしないにより変えたりする方法を用いることができる。
【００９６】
このようにテストベクタの生成方法において、チップ領域指定手段２０がパスの領域を選択できることや、区切り値指定手段１９５が検索条件の検索項目に対して強調表示の区切り値を設定し、強調表示パス選択手段１９３が区切り値に基づいて強調表示するパスを選択し、チップ領域指定手段２０が選択されたパスを強調表示する。オペレータは、選択した領域を強調表示されたパスが配置されているかの確認を行える。この確認により、最終的に生成されるテストベクタの集合がより品質の高いテストベクタになるよう、オペレータは再度のチップの領域の選択を効果的に行うことができる。例えば、オペレータは、強調表示されたパスの配置されていない領域を選択することができる。
【００９７】
（第２の実施の形態）
（半導体集積回路の故障解析装置）
第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析装置は、第１の実施の形態の半導体集積回路の製造方法の図１のステップＳ６乃至Ｓ８に相当する部分を実行する。故障解析装置は、加工された半導体集積回路のテストと、必要に応じて半導体集積回路の故障解析を実行する。故障解析装置は、まず、半導体集積回路のパス遅延故障の解析に関して、テストを実行してフェイルしたパスを分析してセル名のリストおよびセルのピン名のリストを生成する。故障解析装置は、このパスの一部のパスを共有する別のパスのパスリストを生成する。さらに、故障解析装置は、この別のパスのパスリストに対してテストベクタを生成し、テストを行う。このテストにおいても別のその別のパスがフェイルすれば、共有する部分のパスにおいて故障が発生していると判断する。このようにフェイルしたパスの一部のパスを共有する別のパスのテストベクタを生成しテストすることを繰り返すことで、故障個所をつきとめることができる。このような故障解析において、故障解析装置は、第１の実施の形態のテストベクタの生成装置と同様に、パスリストを生成する際にはパスの検索条件を指定し、テストベクタ生成の際には生成終了条件を指定する。このことにより、パス遅延故障の解析用テストベクタの生成方法が高度に自動化されるとともに、生成される解析用テストベクタの品質を一定品質以上に高めることができる。
【００９８】
第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析装置は、図１０に示すように、テスト実行手段４１、フェイルデータ格納部４２、セルリスト生成手段４３、セルリスト格納部４４、パスリスト生成手段３４、パスリスト格納部３５、テストベクタ生成手段３６、テストベクタ格納部３７、検索条件指定手段３１、終了条件指定手段３２、回路情報格納部３３、終了条件判定手段３９とベクタ生成情報格納部３８を有している。
【００９９】
テスト実行手段４１は、加工された半導体集積回路内のパスで遅延故障が発生しているか否かのテストを行う。テストには図１のテストベクタ１を用いることができる。テストベクタ１は図２のテストベクタ格納部１７に格納されている。フェイルデータ格納部４２は、遅延故障のテスト結果を記憶保持する。特に、遅延故障が発生しているフェイルパスの識別表示を記憶する。
【０１００】
セルリスト生成手段４３は、遅延故障のテスト結果と回路情報格納部３３に記憶された半導体集積回路に基づいて、フェイルパスを構成するセルのセルリストを生成する。セルリスト格納部４４は、生成したフェイルパスを構成するセルリストを記憶保持する。
【０１０１】
検索条件指定手段３１は、フェイルパスの一部を有する故障セル探索用パスを検索するための検索条件を指定する。
【０１０２】
パスリスト生成手段３４は、指定された検索条件に基づいて故障セル探索用パスを検索し、検索された故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成する。パスリスト格納部３５は、生成された故障セル探索用パスリストを記憶保持する。
【０１０３】
テストベクタ生成手段３６は、回路情報格納部３３の回路情報に基づいて、故障セル探索用パスリストのパス毎に故障セル探索用テストベクタを生成する。テストベクタ格納部３７は、故障セル探索用テストベクタを記憶保持する。ベクタ生成情報格納部３８は、テストベクタの生成の状況をベクタ生成情報として記憶保持する。
【０１０４】
終了条件指定手段３２は、テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する。なお、指定される終了条件は固定型でも変動型でもかまわない。終了条件判定手段３９は、ベクタ生成情報が終了条件を満足する場合に、パスリストの作成を停止する。
【０１０５】
（半導体集積回路の故障解析方法）
第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析方法は、コンピュータに実行させることができる。第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析方法は、図１１に示すように、まず、ステップＳ３１で、テスト実行手段４１が半導体集積回路の遅延故障のテストを実行する。半導体集積回路のユーザー回路の論理回路上の特定のパスを活性化する。活性化には、そのパスの遅延故障をテストするためのテストベクタを使用する。ステップＳ３１は、図１のステップＳ６に相当する。続くステップＳ７で、テストにおけるフェイルパスの発生の有無により、半導体集積回路の故障解析の要否を判断する。フェイルパスが発生していない場合は、ステップＳ９に進み半導体集積回路の製造方法をストップする。フェイルパスが発生した場合は、ステップＳ８に進み故障解析を行う。ステップＳ８は、以下に説明する図１１のステップＳ３２乃至Ｓ４３を有する。
【０１０６】
テストにおいてフェイルパスが発生した場合は、ステップＳ３２で、テスト実行手段４１が、テスト結果としてフェイルパスの識別表示を含むフェイルデータを作成する。フェイルデータ格納部４２が、作成されたフェイルデータを記憶保持する。フェイルデータは、パス毎のテストの良否判定結果、テスト番号や測定した遅延時間などである。
【０１０７】
次に、ステップＳ３３で、セルリスト生成手段４３が、回路情報格納部３３から半導体集積回路の回路情報を入力する。入力する回路情報は、セルの接続情報を記述したネットリストでもよいし、より詳細なセルの配置配線をパスの検索の検索条件とするならば、セルの配置配線である回路のレイアウト情報であってもよい。
【０１０８】
ステップＳ３４で、セルリスト生成手段４３が、フェイルデータと回路情報を基に、フェイルパスを構成するセルのセルリストを生成する。セルリスト格納部４４が、生成されたセルリストを記憶保持する。
【０１０９】
ステップＳ３５で、検索条件指定手段３１が、フェイルパスの一部を共有するパスを検索する故障セル探索用検索条件を指定する。故障セル探索用検索条件としては、図３のステップ１３と同様に、パスの総段数や配線長、コンタクトやビアの数、配線やビアの層の指定などの検索項目を取り上げることができる。検索項目に対応する検索範囲は、図３のステップ１３の検索範囲とは変えることが望ましい。また、検索条件として、故障解析の対象となるフェイルパスと共有するパスの段数を指定することで、テストベクタの数を少なくしつつ、品質の高いテストベクタを生成することが可能となる。
【０１１０】
ステップＳ３６で、終了条件指定手段３２が、テストベクタの生成を終了させるための故障セル探索用終了条件を指定する。故障セル探索用終了条件としては、図３のステップＳ１２と同様に、生成に成功したテストベクタの数が所定の数以上であることや、テスト対象となる全てのパスについてテストベクタの生成を試みることなどが考えられる。このように、パスリスト全てに対してベクタを生成することで、フェイルパスのほぼ全部が共有されて故障個所の絞込みが容易になる。故障セル探索用終了条件は、この条件を満たしたテストベクタの群によってフェイルパスのなかのどのセルがフェイルの原因となっているのかを明らかにできるように設定できる。また、終了条件は、半導体集積回路の故障解析のために生成するテストベクタとしてどの程度詳細な解析をするのかを考慮して指定できる。なお、ステップＳ３５とＳ３６とは実行の順序は任意であって良く同時であっても良い。
【０１１１】
ステップＳ３７で、パスリスト生成手段３４が、フェイルパスのセルリストと検索条件を基に、セルを抽出し、そのセルの識別表示としてのセル名を指定した上で検索条件に係るそのパスの回路のタイミング解析などを行い、検索条件を満足する故障セル探索用パスの故障セル探索用パスリストを作成する。パスリスト格納部３５が作成した故障セル探索用パスリストを記憶保持する。ステップＳ３８で、パスリスト生成手段３４が、故障セル探索用検索条件を満足する故障セル探索用パスが抽出されたか判断する。抽出されている場合はステップＳ３９に進む。抽出されていない場合は、ステップＳ３５に戻り検索条件を再度調整する。なお、ステップＳ３５乃至Ｓ４１のステップＳ４１でＮＯに進むループによって、既に抽出された故障セル探索用パスが存在しそのパスの故障セル探索用テストベクタが生成されている場合は、ステップＳ４２に進む。
【０１１２】
ステップＳ３９で、テストベクタ生成手段３６が、故障セル探索用パスリストと、回路情報格納部３３に格納された半導体集積回路の回路情報を入力し、故障セル探索用パスリストに含まれる各パスの遅延故障を検出可能な故障セル探索用テストベクタの生成を行う。回路情報は、ステップＳ３７のパスリスト生成において使用する回路情報とは、その詳細度や記述形式のレベルが異なるものであってもよい。テストベクタ生成手段３６は、故障セル探索用テストベクタの生成に成功した場合は、そのテストベクタをテストベクタ格納部３７へ格納し、また、対応する故障セル探索用パスの識別表示とテストベクタの生成に成功したか否かのベクタ生成情報を、ベクタ生成情報格納部３８へ格納する。
【０１１３】
ステップＳ４０で、終了条件判定手段３９は、ベクタ生成情報が、故障セル探索用終了条件に合致するかどうかを判定する。
【０１１４】
ステップＳ４１で、終了条件判定手段３９は、ベクタ生成情報が故障セル探索用終了条件に合致する場合は、テストベクタの生成を中止するために、ステップをステップＳ４２に進める。
【０１１５】
ステップＳ４１で、終了条件判定手段３９は、故障セル探索用終了条件に合致しない場合は、ステップをステップＳ３５に戻す。ステップＳ３５で、検索条件指定手段３１が、新たな故障セル探索用検索条件に更新する。このステップＳ３５乃至Ｓ４１のループを処理することによって、更新された故障セル探索用検索条件を満足する新たな故障セル探索用パスが検索され、この故障セル探索用パスのパスリストとテストベクタが生成される。このループは、故障セル探索用検索条件に合致するパスが新たに検索されなくなった時点か、ベクタ生成情報が故障セル探索用終了条件に合致した時点で終了し、ステップはステップＳ４２に進む。
【０１１６】
ステップＳ４２で、テストベクタ生成手段３６が、最終的なベクタ生成情報を抽出し、外部記憶装置に出力する。ステップＳ４３で、テストベクタ生成手段３６が、生成された故障セル探索用テストベクタを外部記憶装置に出力する。および生成したテストベクタを外部記憶装置に出力する。
【０１１７】
このように、フェイルパスのセルリストと故障セル探索用検索条件と終了条件を基に、故障セル探索用パスのテストベクタの生成を行うことにより、パス遅延故障の故障解析用テストベクタの生成方法を高度に自動化でき、生成される故障セル探索用テストベクタの品質を高く均一にすることができる。そして、故障解析に要する期間として、従来は人手により数週間から数ヶ月かかっていたものが、数日から数週間になる。
【０１１８】
（第２の実施の形態の変形例１）
第２の実施の形態の変形例１に係る半導体集積回路の故障解析装置は、図１２に示すように、図１０の第２の実施の形態の半導体集積回路の故障解析装置に、更に、チップ領域指定手段５０を備えている。
【０１１９】
チップ領域指定手段５０は、フェイルパスの表示像を含む半導体集積回路の表示像の上に、そのフェイルパスの表示像に沿うようにフェイルパス線分を表示する。フェイルパス線分は、半導体集積回路の表示像と識別可能である。フェイルパス線分は、強調表示することが好ましい。
【０１２０】
チップ領域指定手段５０は、フェイルパスの一部を有する故障セル探索用パスの表示像に沿うように故障セル探索用パス線分を表示する。故障セル探索用パス線分は、半導体集積回路とフェイルパスの表示像とフェイルパス線分に識別可能である。故障セル探索用パス線分は、強調表示することが好ましい。特に、フェイルパス線分と故障セル探索用パス線分を区別するために線分の色を変えて表すことが好ましい。線分の区別の方法はこれ以外に、線分の太さを変えたり、実線点線の区別をしたり、その他の方法を用いることができる。
【０１２１】
この故障解析装置を用いた半導体集積回路の故障解析方法は、基本的には図１１と変わらない。さらに、ステップＳ４０で、チップ領域指定手段５０は、半導体集積回路の配置配線情報を、回路情報格納部３３から読込み、半導体集積回路のチップ領域をイメージ表示する。チップ領域指定手段５０は、次に、セルリスト格納部４４からフェイルパスのセルリストを、また、パスリスト格納部３５から新たに検索されたパスのリストを、さらに、ベクタ生成情報格納部３８からベクタ生成情報を入力し、フェイルパスと新たにテストベクタが生成されたパスをチップ領域のイメージ表示上にイメージ表示する。
【０１２２】
チップ領域指定手段５０は、イメージ表示することにより、オペレータに、故障解析のためのテストベクタが不足していれば、新たに検索するパスの検索条件を更新するように促す。オペレータは促しに応じ、チップ領域指定手段５０に検索条件を更新する旨あるいは具体的な検索条件を入力する。チップ領域指定手段５０は、入力された検索条件等を検索条件指定手段３１に出力する。検索条件指定手段３１は、入力された検索条件等に検索条件を更新する。以上により、最終的に生成されるテストベクタが、故障解析用ベクタとして最適なものになるように、調整することができる。
【０１２３】
あるいは、チップ領域指定手段５０は、イメージ表示することにより、フェイルパスと新たにテストベクタが生成されたパスの重なり具合を調べる。チップ領域指定手段５０は、フェイルパスの中に新たなパスで共有できていないセルがあれば、そのセルを通過するパスを新たに検索するために検索条件の更新を検索条件指定手段３１に促す。検索条件指定手段３１は、検索条件を、そのセルを通過するパスを検索可能な検索条件に更新する。
【０１２４】
（第２の実施の形態の変形例２）
第２の実施の形態の変形例２に係る半導体集積回路の故障解析装置は、図１３に示すように、図１０の第２の実施の形態の半導体集積回路の故障解析装置に、更に、ピン座標位置格納部５１を備えている。図１３では、ピン座標位置格納部５１の追加に係る部分のみを記載している。
【０１２５】
セルリスト生成手段４３は、半導体集積回路のセルの配置配線情報を、回路情報格納部３３から読込み、フェイルパスを構成するセルの入出力端子のピン座標位置情報をセルの配置配線情報を基に生成する。ピン座標位置格納部５１が、ピン座標位置情報を記憶保持する。ピン座標位置情報では、ネットリストに書かれたセルのピン名に対してそのセルのピンのＸとＹの座標位置が検索可能なように関係付けられている。ピン座標位置情報は、そのピン名が記憶可能なデータ領域と、そのピンのＸとＹの座標位置が記憶可能なデータ領域を有している。
【０１２６】
半導体集積回路の故障解析手法では、チップに電子線を照射して電位を解析するテスト方法などを併用する場合がある。このテスト方法では、電子線をセルの入出力端子のピンに照射するため、セルの入出力端子のピン座標位置情報は不可欠である。このテスト方法のために、フェイルパスの情報としてピン座標位置情報を自動的に生成し、故障解析の短期化を可能にする。
【０１２７】
（第２の実施の形態の変形例３）
第２の実施の形態の変形例３に係る半導体集積回路の故障解析装置は、図１４に示すように、図１２の第２の実施の形態の変形例１の半導体集積回路の故障解析装置のチップ領域指定手段５０に、更に、フェイルデータ格納部４２からフェイルデータが入力される。更に、チップ領域指定手段５０から、検索条件指定手段３１へ検索条件等が出力され、終了条件指定手段３２へ終了条件等が出力される。一方、セルリスト格納部４４からチップ領域指定手段５０へセルリストは出力されない。
【０１２８】
これらの相違により、まず、チップ領域指定手段５０は、半導体集積回路の論理回路情報を、回路情報格納部３３から読込み、チップ上でのパステストのテストベクタを作成したいユーザーロジック等の論理回路部分をイメージ表示する。また、チップ領域指定手段５０は、このテストベクタを作成したい論理回路部分を領域に分割する方法を指定し、領域に分割し、領域の形状、大きさと配置位置を有する領域分割情報を生成する。チップ領域指定手段５０は、この分割された領域を、領域分割情報に基づいて、論理回路部分のイメージ表示に重ねてイメージ表示する。領域分割方法は、論理回路部分の縦方向および横方向の分割数をそれぞれ指定することにより、領域を等分割しても、また、イメージ表示する表示装置上でオペレータが領域を指定できるようにしてもよい。
【０１２９】
チップ領域指定手段５０は、フェイルデータ格納部４２からフェイルせずに合格したパスとフェイルパスのフェイルデータを入力し、合格したパスとフェイルパスのチップ上での物理的な位置をイメージ表示するとともに、フェイルパスと合格したパスを区別して識別可能なように表示する。このパスとフェイルパスの表示により、各領域において、合格したパスとフェイルパスの割合や、全チップ内での合格したパスとフェイルパスの偏りをオペレータは確認することができる。
【０１３０】
チップ領域指定手段５０は、第１の実施の形態の検索条件の被覆の定義の生成されたパスをフェイルパスに置き換えたフェイルパスの被覆に基づいて、このフェイルパスの被覆の条件を設定し、この被覆の条件を満たす被覆領域を満たさない領域に対して識別して表示する。これにはイメージ表示の表示色を変えればよい。フェイルパスの被覆の条件としては、領域を通過するフェイルパスの本数が一定値以上であることが考えられる。
【０１３１】
検索条件指定手段３１は、フェイルパスが被覆している領域を、故障セル探索用パスが被覆することを検索条件として新たに設定する。あるいは、チップ領域指定手段５０は、フェイルパスが被覆している領域をチップ上に識別表示することで、オペレータに故障セル探索用パスで被覆したい領域を明示し入力するよう促す。オペレータはこの促しに応じて被覆したい領域をチップ領域指定手段５０に入力する。チップ領域指定手段５０は入力されたオペレータが被覆したい領域を検索条件指定手段３１に出力する。検索条件指定手段３１は、オペレータが被覆したい領域を被覆することを検索条件として新たに設定する。
【０１３２】
これらの新たな検索条件に基づいて、パスリスト生成手段３４が故障セル探索用パスを検索しこのパスのパスリストを生成する。テストベクタ生成手段３６は、生成されたパスリストのテストベクタの生成を行う。テストベクタ生成手段３６は、テストベクタ生成に成功した場合、ベクタ生成情報をベクタ生成情報格納部３８に出力し記憶させる。チップ領域指定手段５０は、ベクタ生成情報に基づいて、この新たな故障セル探索用パスもイメージ表示する。
【０１３３】
チップ領域指定手段５０は、上記のように領域を指定する検索条件だけでなく、パスリスト生成の優先順位を検索条件として指定することもできる。また、チップ領域指定手段５０は、テストベクタ生成の優先順位を終了条件として指定することもできる。また、チップ領域指定手段５０における領域の指定は、図１１のステップＳ４０のテストベクタ生成の後のループにおけるステップＳ３５とＳ３６において、ループ毎行ってもよいし、設定された回数ループを実行する毎に行ってもよい。
【０１３４】
このように、テストに合格したパス及びフェイルパスの状況を表示したり、故障セル探索用パスのテストベクタの生成途中において、テストベクタ生成状況を表示したりすることができる。これらの表示に基づいて、以降のパスリストの検索条件とテストベクタ生成の終了条件の優先順位をオペレータがあるいは自動的に指定できる。このことにより、最終的に生成されるテストベクタの集合は、精度の高い故障解析作業を提供することができる。
【０１３５】
（実施例）
（第１の実施の形態の実施例１）
第１の実施の形態の実施例１のテストベクタの生成方法は、図３に示すように、まず、ステップＳ１１で、回路情報格納部１３からパスリスト生成手段１４に回路情報を入力する。
【０１３６】
次に、ステップＳ１２で、終了条件指定手段１２が、図１６に示すような終了条件を発生させる。終了条件は、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、終了条件項目データ領域５４と終了条件範囲データ領域５５を有する。終了条件項目データ領域５４は、項目データとして、テストベクタ本数とテストベクタが通過する論理素子数を有している。終了条件範囲データ領域５５は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。テストベクタ本数は２０本以上と関係付けられ、テストベクタが通過する論理素子数は２００ゲート以上と関係付けられている。
【０１３７】
ステップＳ１３で、検索条件指定手段１１が、図１５に示すような初回の検索用の検索条件を発生させる。検索条件終了条件は、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、検索条件項目データ領域５２と検索条件範囲データ領域５３を有する。検索条件項目データ領域５２は、項目データとして、パスの総段数、テストベクタが通過する論理素子数とビア（ＶＩＡ）の数を有している。検索条件範囲データ領域５３は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。パスの総段数は１０段以上と関係付けられ、テストベクタが通過する論理素子数は３００ゲート以上と関係付けられ、ビアの数は１０００個以上と関係付けられている。
【０１３８】
次に、ステップＳ１４で、パスリスト生成手段１４が、図１７に示すようなパスのパスリストを生成する。パスリストは、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、パスリストデータ領域５６を有する。パスリストデータ領域５６は、先頭行データ：パス１−１として、パスの識別表示ｐａｔｈ１を有している。パスリストデータ領域５６は、セル行データ：セル１−１として、セルの識別表示（ＧＦＤ１ＥＸ２）を有している。パスリストデータ領域５６は、セル行データ：セル１−２として、セルの識別表示（ＧＮＲ２Ｘ１）を有している。セル行データ：セル１−２は、セル行データ：セル１−１の下行に配置される。同様に、パスリストデータ領域５６は、セル行データ：セル１−３として、セルの識別表示（ＧＩＶＸ１）を有している。セル行データ：セル１−３は、セル行データ：セル１−２の下行に配置される。以下同様にして、パスリストデータ領域５６は、セル行データ：セル１−４乃至１−１９として、セルの識別表示を有している。セル行データ：セル１−４乃至１−１９は、順次下行に配置される。パスリストデータ領域５６のこの構成は、パスｐａｔｈ１が、セル１−１乃至１−１９を順に１９段接続したものであることを表す。この１９段は、図１５のパスの総段数が１０段以上である検索条件を満足している。
【０１３９】
ステップＳ１５で、パスのパスリストが新たに抽出されたか判断する。新たなパスｐａｔｈ１のパスリストが生成されているので、ステップＳ１６に進む。
【０１４０】
ステップＳ１６で、テストベクタ生成手段１６がテストベクタを生成し、図１８に示すような各パスに対してテストベクタの生成に成功したかどうかのテストベクタ生成情報を生成する。テストベクタ生成情報は、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、テストベクタ生成情報の項目データ領域５７とテストベクタ生成情報の状況データ領域５８を有する。項目データ領域５７は、項目データとして、入力パス数、テストベクタ生成本数、テストベクタ生成成功パス番号、テストベクタ生成失敗パス番号とテストベクタ名を有している。状況データ領域５８は、各項目データから検索可能なように関係付けられた状況データを有している。入力パス数は１０本と関係付けられ、テストベクタ生成本数は５本と関係付けられ、テストベクタ生成成功パス識別表示（番号）はｐａｔｈ１、４、５、７と８と関係付けられ、テストベクタ生成失敗パス番号はｐａｔｈ２、３、６、９と１０と関係付けられ、テストベクタ名はｐａｔ１、ｐａｔ４、ｐａｔ５、ｐａｔ７とｐａｔ８と関係付けられている。
【０１４１】
ステップＳ１７で、終了条件判定手段１９が、テストベクタ生成情報が終了条件を満たすかどうかを判定する。図１８のテストベクタ生成情報のテストベクタ生成本数が５本であるのに対して、図１６の終了条件のテスタベクタ本数は２０本以上であり、テストベクタ生成情報は終了条件を満たしていない。ステップＳ１８で、ステップＳ１３に戻る。
【０１４２】
ステップＳ１３で、再度新たな検索条件を更新して指定する。再度、ステップＳ１４で、新たなパスを検索しそのパスリストを生成する。ステップＳ１５で、新たなパスのパスリストが生成されたか判断する。新たなパスのパスリストが生成された場合はステップＳ１６、Ｓ１７、Ｓ１８最終的にステップＳ１９に進む。新たなパスのパスリストが生成されない場合もステップＳ１９に進む。ステップＳ１９で、最終的なテストベクタ生成情報を外部記憶装置に出力する。さらに、ステップＳ２０で、最終的なテストベクタを外部記憶装置に出力する。
【０１４３】
このように、テストベクタの生成装置において、テストベクタの生成方法を実施することにより、検索条件や終了条件をもとにパスのテストベクタの生成を行うことができるので、テストベクタの生成方法を高度に自動化できる。
【０１４４】
（第１の実施の形態の実施例２）
第１の実施の形態の実施例２は、第１の実施の形態の変形例１の図４に示すテストベクタの生成装置の場合である。テストベクタの生成装置は図４に示すように、チップ領域指定手段２０を有する。第１の実施の形態の実施例２のテストベクタの生成方法は、図３の第１の実施の形態の実施例１のテストベクタの生成方法のステップＳ１３を拡充して変更される。
【０１４５】
チップ領域指定手段２０は、半導体集積回路の論理回路情報に基づいて、図１９に示すような半導体集積回路のチップ全面の表示像６１を生成する。この表示像６１はオペレータに認識可能な表示像として、チップ領域指定手段２０の表示部に表示される。
【０１４６】
次に、チップ領域指定手段２０は、表示像６１を分割する領域６９乃至８０を発生させる。チップ領域指定手段２０が、表示像６１の縦方向３等分割と横方向４等分割を決定する。チップ領域指定手段２０は、表示像６１を分割する為の線分の表示像の表示位置を有する表示像分割情報を生成する。チップ領域指定手段２０は、この表示像分割情報に基づいて表示像６１に重ねて分割する為の線分の表示像を表示することにより、表示像６１を領域６９乃至８０に分割する。表示像６１の周辺部に電極パッドの表示領域６２乃至６６が設けられる。例えば、パスの表示領域６７は電極パッドの表示領域６３と６６の間に設けられる。パスの表示領域６７は領域７１と７３乃至７５を通過している。パスの表示領域６８は電極パッドの表示領域６４と６５の間に設けられる。パスの表示領域６８は領域６９のみを通過している。
【０１４７】
図１９の半導体集積回路のチップ全面の表示像６１は、領域６９乃至８０の分割で等分割を行った。以下では等分割が適さない場合とその際の分割について説明する。チップ領域指定手段２０は、半導体集積回路の論理回路情報に基づいて、図２０に示すような半導体集積回路のチップ全面の表示像８１を生成し、表示部に表示する。チップ全面の表示像８１は、メガセルの表示領域８２乃至８６を有する。このメガセルの表示領域８２乃至８６を除いた表示像８１が大規模論理回路の表示領域９３と９４である。メガセル８２乃至８６は汎用的に組み込まれる回路ブロックであり、メガセル８２乃至８６毎にテストすることができ、汎用化される過程での故障解析により既にテストすべきパス１０８とそのテストベクタを備えている。大規模論理回路９３と９４はこのチップ８１の為に設計されたいわゆるユーザーロジックであり、遅延故障のテストが必要である。大規模論理回路９３と９４についてパスを検索しテストベクタを生成する。
【０１４８】
大規模論理回路９３は、スキャン用フリップフロップレジスター１００とこのレジスター１００に配線１０９で接続された電極パッド８７と８８を有している。同様に、スキャン用フリップフロップレジスター９８と９９とこのレジスター９８と９９に配線１１０で接続された電極パッド８９と９０を有している。パス１０１はレジスター９９と１００の間に設けられている。レジスター９９と１００には電極パッド８７乃至９０のように信号を直接入出力させることができない。そこで、このパス１０１のテストをするために、テストベクタとして準備ベクタ、システムクロックベクタと検出ベクタを用いる。準備ベクタは、電極パッド８７と８９から入力され、レジスター９９と１００等のテスト前の初期論理を設定する。システムクロックベクタは、電極パッド８７と８９や９７等から入力され、パス１０１を活性化させる。検出ベクタは、テストの期待値であり、活性化されたパス１０１からの出力信号による電極パッド８８からの出力ベクタと比較される。
【０１４９】
同様に、大規模論理回路９４は、レジスター１０３、１０５、１０６、１１１とこれらのレジスター１０３、１０５、１０６、１１１に配線で接続された電極パッド９１と９２を有している。パス１０４は電極パッド１０２とレジスター１０３の間に設けられている。パス１０７はレジスター１０５と１０６の間に設けられている。レジスター１０３、１０５、１０６に信号を入出力させるためにテストベクタが生成される。
【０１５０】
大規模論理回路９３、９４を図１９と同じように等分割して領域を形成すると、図２１に示すように、大きい領域７１、７４、７５、７８、７９、８０と小さい領域６９、７０、７２、７３、７６、７７が形成される。特に小さい領域６９、７６が存在することは、パスのチップ上での均一性を制御しにくくする。
【０１５１】
そこで、大規模論理回路９３、９４を、図２２に示すように、領域１１６乃至１２８を、チップ領域指定手段２０がそれぞれ直接指定することにより、領域１１６乃至１２８の面積の不均一を緩和する。
【０１５２】
チップ領域指定手段２０が、半導体集積回路の大規模論理回路９３、９４の表示像を表示する。この表示により、半導体集積回路の表示像に基づき大規模論理回路９３、９４の表示像を分割して、分割された領域を指定するように、テストベクタの生成装置のオペレータに促す。オペレータは、図２２に示すように、チップ領域指定手段２０の促しに応じ、大規模論理回路９４の表示像を選択し、大規模論理回路９４の表示像を５つの均等面積の領域１１６乃至１２０に分割する旨をチップ領域指定手段２０に入力する。また、オペレータは、チップ領域指定手段２０の促しに応じ、大規模論理回路９３の表示像を選択し、大規模論理回路９３の表示像の一部を指定しその一部を３つの均等面積の領域１２１乃至１２３に分割する旨と、表示像９３の他の一部を指定しその一部を４つの均等面積の領域１２４乃至１２７に分割する旨と、表示像９３の最後の一部を指定しその一部を領域１２８に設定する旨をチップ領域指定手段２０に入力する。オペレータによる領域を分割生成する旨の入力は、タッチパネルに表示された領域の表示像にオペレータがタッチすることによって行われる。検索条件指定手段１１は、オペレータによる領域を分割生成する旨に基づいて、大規模論理回路９３、９４を分割し領域１１６乃至１２８を生成する。これらのことにより、半導体集積回路８１がメガセルを有する場合であっても、回路面積がほぼ均一な領域１１６乃至１２８を生成することができる。なお、以下の説明では、説明をわかりやすくするために図１９のような画一的に縦方向と横方向を均等間隔に分割する。
【０１５３】
図２３に示すように、チップ領域指定手段２０が、領域６９乃至８０に分割された半導体集積回路の表示像６１に、既にテストベクタの生成に成功したパス１３３、１３４の表示像を重ねて表示する。パス１３３、１３４の表示像は、パスリスト１３１と回路情報１３２から生成することができる。パス１３３の表示像が、領域６９、７３、７４の表示像に重なるように設けられ、パス１３４の表示像が、領域７０、７４、７７、７８の表示像に重なるように設けられる。
【０１５４】
チップ領域指定手段２０が、図２４に示すようなパス１３３、１３４による領域６９乃至８０の被覆の定義（被覆条件）を発生させる。被覆の定義は、被覆の定義の項目データ領域１４１と範囲データ領域１４２を有する。項目データ領域１４１は、項目データとして、領域内通過パス数、それぞれの領域内でパスに接続された総配線長を有している。範囲データ領域１４２は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。領域内通過パス数は３本以上と関係付けられ、パスに接続された総配線長は２ｍｍ以上と関係付けられている。
【０１５５】
チップ領域指定手段２０が、図２７に示すように、それぞれの領域６９、７０、７３、７４、７７、７８のパスに接続された総配線長が２ｍｍ以上であることを調査認定し、領域６９、７０、７３、７４、７７、７８に被覆の識別表示であるハッチングを行う。被覆された領域６９、７０、７３、７４、７７、７８が６個で領域の総数が１２個であるので、その比率である被覆率は５０％である。なお、表示されたパス１４７はテストベクタの生成に失敗したパスである。
【０１５６】
すでに、終了条件指定手段１２が、図２６に示すような終了条件を発生させる。終了条件は、項目データ領域１４５と範囲データ領域１４６を有する。項目データ領域１４５は、項目データとして、被覆率、テストベクタ本数、テストベクタが通過する論理素子数を有している。範囲データ領域１４６は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。被覆率は７０％以上と関係付けられ、テストベクタ本数は３０本以上と関係付けられ、テストベクタが通過する論理素子数は３００ゲート以上と関係付けられている。
【０１５７】
終了条件判定手段１９が、被覆率が５０％で、条件範囲の７０％以上を満足していないと判定する。
【０１５８】
そこで、チップ領域指定手段２０が、図２５に示すような検索条件を発生させる。検索条件は、検索条件の項目データ領域１４３と範囲データ領域１４４を有する。項目データ領域１４３は、項目データとして、被覆率、パスの総段数、テストベクタが通過する論理素子数とＶＩＡの数を有している。範囲データ領域１４４は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。被覆率は７０％以上と関係付けられ、パスの総段数は７段以上と関係付けられ、テストベクタが通過する論理素子数は２００ゲート以上と関係付けられ、ＶＩＡの数は５００個以上と関係付けられている。
【０１５９】
チップ領域指定手段２０が、図２７のハッチングされた表示像６１により、半導体集積回路の表示像６１に基づく分割された領域６９乃至８０の指定を、テストベクタの生成装置のオペレータに促す。
【０１６０】
オペレータは、図２８に示すように、ハッチングされた表示像６１を見ることにより、チップ領域指定手段２０の促しに応じ、パスを配置したいと考える領域８０を指定し、領域８０を指定する旨をチップ領域指定手段２０に入力する。オペレータは、パスを配置したいと考える領域８０として、まだ被覆されていない領域７１、７１、７５、７６、７９、８０の中から選択すればよい。
【０１６１】
検索条件指定手段１１は、領域８０を指定する旨に基づいて、指定された領域８０に配置されるパスを検索可能な検索条件を図２５の検索条件に加えて再設定する。パスリスト生成手段１４では、再設定された検索条件を満足するパスリストの生成が行われる。さらに、テストベクタ生成手段１６は、テストベクタの生成に成功して、図２９に示すようなパス１４８を表示する。
【０１６２】
チップ領域指定手段２０は、図２９に示すように、パス１４８をパス１４７と区別可能なように強調して表示する。チップ領域指定手段２０は、まだ、被覆を表すハッチングが無くパス１４８が通過する領域７５、７９、８０について図２４の被覆の定義を満足するか否かを判断する。領域７５、７９、８０は、パスに接続された総配線長が２ｍｍ以上であるので、領域７５、７９、８０に被覆を表すハッチングを行う。被覆された領域６９、７０、７３乃至７５、７７乃至８０の数は９個に達し、被覆率は７５％になる。
【０１６３】
終了条件判定手段１９は、テストベクタの生成の状況が図２６の終了条件を満足するか否か判断する。例えば、被覆率は７５％に達し、条件範囲の７０％を超えているので、テストベクタの生成の状況が終了条件を満足したと判断する。そして、テストベクタの生成方法を終了させる。このことにより、パスを半導体集積回路上に均一に配置することができる。
【０１６４】
（第１の実施の形態の実施例３）
第１の実施の形態の実施例３は、第１の実施の形態の変形例２の図５に示すテストベクタの生成装置の場合である。テストベクタの生成装置は図５に示すように、検索条件指定手段１１が、回路情報設定部２１、検索優先順位決定部２２と回路情報変更部２３を有する。第１の実施の形態の実施例３のテストベクタの生成方法は、図３の第１の実施の形態の実施例１のテストベクタの生成方法のステップＳ１３を拡充して変更される。
【０１６５】
回路情報設定部２１は、図３０に示す検索条件のデータ領域１５１の回路情報設定データ領域１５２に回路情報設定データを生成させる。回路情報設定データのデータ構造は、図１５の検索条件のデータ構造と同じである。
【０１６６】
検索優先順位決定部２２は、検索条件のデータ領域１５１の優先順位決定データ領域１５３に優先順位決定データを生成させる。優先順位決定データのデータ構造は、回路情報設定データの項目データが優先順位に並べられ、優先順位によって項目データが検索可能なように関係付けられている。従って、最初の検索条件は、パスの総段数が２０段以上で、かつ、ＶＩＡの数が７００個以上であることになる。そして、テストベクタの生成状況が終了条件を満足せず、更新された検索条件は、パスの総段数が２０段以上であることのみである。更に、更新された場合の検索条件は、論理素子数が３００ゲート以上であることのみである。更に、更新された場合の検索条件は、ＶＩＡの数が７００個以上であることのみである。
【０１６７】
回路情報変更部２３は、検索条件のデータ領域１５１の回路情報変更データ領域１５７に回路情報変更データを生成させる。回路情報変更データのデータ構造は、項目データ領域１５４、第１変更条件範囲データ領域１５５と第２変更条件範囲データ領域１５６を有している。項目データ領域１５４は、回路情報設定データ領域１５２の項目データ領域と同じ項目データを有する。第１変更条件範囲データ領域１５５は、項目データによって第１変更条件範囲データが検索可能なように関係付けられている。第１変更条件範囲データは、回路情報設定データの範囲データに比較して緩和されている。従って、さらに更新した場合の検索条件は、パスの総段数が１５段以上で、かつ、ＶＩＡの数が５００個以上であることになる。以下同様に、第２変更条件を検索条件に適用させることができる。
【０１６８】
このように検索条件を一定のルールで緩和しているので、最終的に生成されるテストベクタの集合が、オペレータによらず再現性を持たせることができる。
【０１６９】
（第１の実施の形態の実施例４）
第１の実施の形態の実施例４は、第１の実施の形態の変形例４の図８に示すテストベクタの生成装置の場合である。テストベクタの生成装置は図８に示すように、ピン名リスト作成手段２５、回路情報抽出手段２４、ピンリスト格納部２６とピンリスト毎回路情報格納部２７を有する。第１の実施の形態の実施例４のテストベクタの生成方法は、図３の第１の実施の形態の実施例１のテストベクタの生成方法のステップＳ１４のパスリストの生成を拡充して変更する。
【０１７０】
チップ領域指定手段２０が、チップ内の領域あるいはチップ全面を指定する。ピン名リスト作成手段２５が、図３１に示すようなピン名リストを作成する。ピン名リストのデータ構造は、ピン名データ領域１５８とピン情報データ領域１５９を有している。
【０１７１】
ピン名データ領域１５８は、ピン名データとして、セル名とそのセルのピン名を表すＣＬＴＯＰ／ｐｅａｃｅ／Ｕ２６８／Ｚ等を有している。ピン情報データ領域１５９は、各ピン名データから検索可能なように関係付けられたピン情報データを有している。ピン情報データは、項目毎に設けられたデータ領域に格納される。項目としては、ピンのＸ座標、Ｙ座標、ピンに接続する配線の配線長、ピンを有するセル内の信号伝達経路上のコンタクト数とＶＩＡ数を有する。
【０１７２】
回路情報抽出手段２４が、ピン名リスト、回路情報と検索条件をもとに、ピン名リスト毎に検索条件の検索項目についての回路情報を抽出し、ピンリスト毎回路情報を生成する。
【０１７３】
ピン名リストと、ピンリスト毎回路情報を元に、パスリスト生成手段１４が新たなパスのパスリストを作成する。回路情報格納部１３に記録された膨大な回路情報の中から必要な回路情報を読み出しながらパスリストを作成しなくてよい。ピンリスト毎回路情報は、回路情報格納部１３に記録された回路情報よりはるかに情報量を少なくできる。また、ピン名リストに限って回路情報を記憶しているので、一層情報量を少なくすることができる。
【０１７４】
（第１の実施の形態の実施例５）
第１の実施の形態の実施例５は、第１の実施の形態の変形例５の図９に示すテストベクタの生成装置の場合である。テストベクタの生成装置は図９に示すように、パス回路情報作成手段１９１、区切り値指定手段１９５と強調表示パス選択手段１９３を有する。第１の実施の形態の実施例３のテストベクタの生成方法は、図３の第１の実施の形態の実施例１のテストベクタの生成方法のステップＳ１４のパスリストの生成を拡充して変更する。
【０１７５】
回路情報抽出手段２４は、図２５に示すような更新された最新の検索条件の検索項目、被覆率、パスの総段数等についてピンリスト毎回路情報を生成する。パス回路情報作成手段１９１は、このピンリスト毎回路情報から、チップ領域指定手段２０によって指定された領域に限定した回路情報を作成する。
【０１７６】
区切り値指定手段１９５は、図２５の検索条件の検索項目、被覆率、パスの総段数の設定範囲外で図３２に示すような区切り値を設定する。検索条件の被覆率が７０％以上のところ、区切り値は４０％以上に設定する。検索条件のパスの総段数が７段以上のところ、区切り値は５段以上に設定する。区切り値のデータ構造は、項目データ領域１６０と範囲データ領域１６１を有する。項目データ領域１６０は、項目データとして被覆率とパスの段数を有している。範囲データ領域１６１は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。被覆率は４０％以上と関係付けられ、パスの段数は５段以上と関係付けられている。
【０１７７】
強調表示パス選択手段１９３は、検索項目別の回路情報に基づいて区切り値を満足するパスのパスリストを生成する。図３３に示すように、検索項目パスの段数の条件範囲７段以上に含まれず、区切り値５段以上に含まれる区域に属するパス１６４を、検索条件を満たすパス１６２、１６３に対して識別表示する。区切り値を満足するパス１６４を検索し表示することにより、終了条件を満たさない場合に容易に対応策の指針を得ることができる。
【０１７８】
（第２の実施の形態の実施例１）
第２の実施の形態の実施例１の半導体集積回路の故障解析方法は、図１１に示すように、まず、ステップＳ３１で、テスト実行手段４１が半導体集積回路の遅延故障のテストを実行する。テストにおいてフェイルパスが発生した場合は、ステップＳ３２で、テスト実行手段４１が、図３４に示すようなテスト結果を作成する。テスト結果のデータ構造は、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、データ領域１６５を有する。
【０１７９】
データ領域１６５は、データとして、テストの通し番号ＴｅｓｔＮｏ．７０１等、テストに用いたテストベクタの識別表示ＰａｔｔｅｒｎＮａｍｅ：Ｐａｔ１等、パスの合格Ｐａｓｓと不合格Ｆａｉｌ、テストで計測された遅延時間ＤｅｌａｙＴｉｍｅ＝７．５ｎｓｅｃ等を有している。
【０１８０】
次に、ステップＳ３３で、セルリスト生成手段４３が、回路情報格納部３３から半導体集積回路の回路情報を入力する。ステップＳ３４で、セルリスト生成手段４３が、テスト結果と回路情報を基に、テストベクタの識別表示ＰａｔｔｅｒｎＮａｍｅがＰａｔ２のフェイルパスについて、図３５に示すようなセルリストを生成する。
【０１８１】
セルリストのデータ構造は、セルの回路識別子名データ領域１６６とセル名データ領域１６７を有している。セルの回路識別子名データ領域１６６には、フェイルパスを構成するセルの回路識別子名がセルの信号伝送順に並べられている。セルの回路識別子名からセルの信号伝送経路の配線長等を回路情報に検索することができる。セル名データ領域１６７には、フェイルパスを構成するセルのセル名がセルの信号伝送順に並べられている。
【０１８２】
ステップＳ３５で、検索条件指定手段３１が、フェイルパスの一部を共有するパスを検索する図３６のような故障セル探索用検索条件を生成する。故障セル探索用検索条件のデータ構造は、検索条件の項目データ領域１６８と範囲データ領域１６９を有する。項目データ領域１６８は、項目データとして、パスの共有段数、配線長とＶＩＡの数を有している。範囲データ領域１６９は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。パスの共有段数は３段以上と関係付けられ、配線長は１．５ｍｍ以上と関係付けられ、ＶＩＡの数は３０個以上と関係付けられている。
【０１８３】
ステップＳ３６で、終了条件指定手段３２が図３７のような故障セル探索用終了条件を生成する。故障セル探索用終了条件のデータ構造は、終了条件の項目データ領域１７０と範囲データ領域１７１を有する。項目データ領域１７０は、項目データとして、パスの共有率、テストベクタの本数を有している。パスの共有率とは、フェイルパスのセルの総段数に対する故障セル探索用パスと共有するフェイルパスのセルの段数の比率のことである。範囲データ領域１７１は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。パスの共有率は８０％以上と関係付けられ、テストベクタ本数は１０本以上と関係付けられている。
【０１８４】
ステップＳ３７で、パスリスト生成手段３４が、フェイルパスのセルリストを基に検索条件を満足する図３８に示すような故障セル探索用パスの故障セル探索用パスリストを作成する。故障セル探索用パスリストは、コンピュータが書き込み読み出し可能なように、パスリストデータ領域１７２を有する。パスリストデータ領域１７２は、先頭行データ：パス２−１として、パスの識別表示ｐａｔｈ２を有している。パスリストデータ領域１７２は、セル行データ：セル２−１として、セルの識別表示（ＧＦＤ２ＥＸ２）を有している。パスリストデータ領域１７２は、同様にセル２−２乃至セル２−９に関しセルの識別表示を有している。セル２−１乃至セル２−９はパスｐａｔｈ１の信号伝搬の順番に配置される。パスｐａｔｈ１はこれより９段有していることがわかる。パスｐａｔｈ１は、図３６の検索条件のパスの共有段数が３段以上であることを満足している。
【０１８５】
ステップＳ３８で、パスのパスリストが新たに抽出されたか判断する。新たなパスｐａｔｈ１のパスリストが生成されているので、ステップＳ３９に進む。ステップＳ３９で、テストベクタ生成手段３６が、故障セル探索用パスリストの各パスの故障セル探索用テストベクタの生成とベクタ生成情報の生成を行う。ベクタ生成情報によれば、生成された故障セル探索用テストベクタのパス１７４と１７５は、図３９に示すように、フェイルパス１７３と一部が重なっている。この重なっている部分に共有するセルが存在する。
【０１８６】
ステップＳ４０で、終了条件判定手段３９は、図３９のベクタ生成情報が、図３７の故障セル探索用終了条件に合致するかどうかを判定する。図３９のベクタ生成情報から、パスの共有率が８０％に達しておらず、テストベクタの本数も２本で１０本には達していないので、ステップＳ４１で、ステップをステップＳ３５に戻す。
【０１８７】
ステップＳ３５で、検索条件指定手段３１が、新たな故障セル探索用検索条件に更新する。更新された故障セル探索用検索条件を満足する新たな故障セル探索用パスが検索され、この故障セル探索用パスのパスリストとテストベクタが生成される。ベクタ生成情報が故障セル探索用終了条件に合致した時点で、生成したテストベクタを外部記憶装置に出力する。
【０１８８】
このように、フェイルパスのセルリストと故障セル探索用検索条件と終了条件を基に、故障セル探索用パスのテストベクタの生成を行うことにより、パス遅延故障の故障解析用テストベクタの生成方法を高度に自動化でき、生成される故障セル探索用テストベクタの品質を高く均一にすることができる。
【０１８９】
（第２の実施の形態の実施例２）
第２の実施の形態の実施例２に係る半導体集積回路の故障解析装置は、図１３に示すようにピン座標位置格納部５１を備えている。
【０１９０】
セルリスト生成手段４３は、図４０に示すようなフェイルパスを構成するセルの入出力端子のピン座標位置情報をセルの配置配線情報を基に生成する。ピン座標位置格納部５１が、ピン座標位置情報を記憶保持する。ピン座標位置情報は、フェイルパスのセルリストデータ領域１７６とセルのピン座標データ領域１７７を有する。セルリストデータ領域１７６は、セルリストを構成するセルの回路識別子名を有している。セルのピン座標データ領域１７７は、各セル名から検索可能なように関係付けられたＸ座標とＹ座標を有している。
【０１９１】
半導体集積回路の故障解析手法では、チップに電子線を照射して電位を解析するテスト方法などを併用する場合がある。このテスト方法では、電子線をセルの入出力端子のピンに照射するため、セルの入出力端子のピン座標位置情報は不可欠である。このテスト方法のために、フェイルパスの情報としてピン座標位置情報を自動的に生成できる。
【０１９２】
（第２の実施の形態の実施例３）
第２の実施の形態の実施例３に係る半導体集積回路の故障解析方法は、図１１に示す第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析方法のステップＳ３５の検索条件の入力について拡充し変更している。第２の実施の形態の実施例３に係る半導体集積回路の故障解析装置は、検索条件指定手段３１が、図８に示すように、回路情報設定部２１、検索優先順位決定部２２と回路情報変更部２３を有する。
【０１９３】
回路情報設定部２１は、図４１に示す検索条件データ領域１８１の回路情報設定データ領域１８２に回路情報設定データを生成させる。回路情報設定データのデータ構造は、項目データ領域と範囲データ領域を有する。項目データ領域は、パスの共有段数、配線長とコンタクト数を有している。範囲データ領域は、各項目データから検索可能なように関係付けられた範囲データを有している。パスの共有段数は５段以上と関係付けられ、配線長は１ｍｍ以上と関係付けられ、コンタクト数は２０個以上と関係付けられている。
【０１９４】
検索優先順位決定部２２は、検索条件のデータ領域１８１の優先順位決定データ領域１８３に優先順位決定データを生成させる。優先順位決定データのデータ構造は、回路情報設定データの項目データが優先順位に並べられ、優先順位によって項目データが検索可能なように関係付けられている。従って、最初の検索条件は、パスの共有段数が５段以上で、かつ、配線長が１ｍｍ以上であることになる。そして、更新された検索条件は、パスの共有段数が５段以上であることのみである。更に、更新された場合の検索条件は、配線長が１ｍｍ以上であることのみである。更に、更新された場合の検索条件は、コンタクト数が２０個以上であることのみである。
【０１９５】
回路情報変更部２３は、検索条件のデータ領域１８１の回路情報変更データ領域１８７に回路情報変更データを生成させる。回路情報変更データのデータ構造は、項目データ領域１８４、第１変更条件範囲データ領域１８５と第２変更条件範囲データ領域１８６を有している。項目データ領域１８４は、回路情報設定データ領域１８２の項目データ領域と同じ項目データを有する。第１変更条件範囲データ領域１８５は、項目データによって第１変更条件範囲データが検索可能なように関係付けられている。第１変更条件範囲データは、回路情報設定データの範囲データに比較して緩和されている。従って、さらに更新した場合の検索条件は、パスの共有段数が３段以上で、配線長が０．５ｍｍで、コンタクトの数が１０個以上であることになる。以下同様に、第２変更条件を検索条件に適用させることができる。
【０１９６】
このように検索条件を一定のルールで緩和しているので、最終的に生成されるテストベクタの集合が、オペレータによらず再現性を持たせることができる。
【０１９７】
検索条件を更新するたびに、故障セル探索用パスリストの各パスの故障セル探索用テストベクタの生成とベクタ生成情報の生成を行う。ベクタ生成情報によれば、図４２に示すように、フェイルパス１７３に対して、回路情報設定データ領域１８２の検索条件でパス１７４と１７５が検索され、テストベクタが生成された。さらに、検索条件が緩和更新され、回路情報変更データ領域１８７の第１変更条件１８５でパス１８８が検索されテストベクタが生成された。
【０１９８】
このように、パスの検索方法として故障解析に適した条件からパスを検索して、テストベクタを生成する。仮に生成したテストベクタが解析のために不充分と判断されたならば、検索条件を変更してテストベクタを追加していくことで、故障解析用ベクタとして最適なものになるように、調整することができる。
【０１９９】
（第２の実施の形態の実施例４）
第２の実施の形態の実施例４では、図１４の第２の実施の形態の変形例３に係る半導体集積回路の故障解析装置を用いる。
【０２００】
まず、チップ領域指定手段５０は、図４３に示すように、半導体集積回路の論理回路情報を、回路情報格納部３３から読込み、チップ６１をイメージ表示する。また、チップ領域指定手段５０は、このチップ６１を領域６９乃至８０に分割し、領域６９乃至８０の形状、大きさと配置位置を有する領域分割情報を生成する。そして、領域６９乃至８０を、領域分割情報に基づいて、チップ６１のイメージ表示に重ねてイメージ表示する。領域分割方法は、チップ６１を縦方向に３等分割および横方向に４等分割である。
【０２０１】
チップ領域指定手段５０は、フェイルデータ格納部４２からフェイルせずに合格したパス１６４とフェイルパス１６２、１６３のフェイルデータを入力し、合格したパス１６４とフェイルパス１６２、１６３のチップ上での物理的な位置をイメージ表示する。フェイルパス１６２、１６３と合格したパス１６４を区別して識別可能なように表示する。
【０２０２】
チップ領域指定手段５０は、フェイルパス１６２、１６３が一部でも領域を通過することを被覆の条件として、被覆された領域７０、７１、７４、７５、７７乃至７９の表示色を変えている。
【０２０３】
チップ領域指定手段５０は、フェイルパス１６２、１６３が被覆している領域７０、７１、７４、７５、７７乃至７９をチップ上に識別表示することで、オペレータに故障セル探索用パスで被覆したい領域を明示し入力するよう促す。図４４に示すように、オペレータはこの促しに応じて被覆したい領域７１をチップ領域指定手段５０に入力する。チップ領域指定手段５０は入力されたオペレータが被覆したい領域７１を検索条件指定手段３１に出力する。検索条件指定手段３１は、オペレータが被覆したい領域７１を被覆することを検索条件として新たに設定する。
【０２０４】
これらの新たな検索条件に基づいて、パスリスト生成手段３４が図４５の示すような故障セル探索用パス１８９を検索しこのパス１８９のパスリストを生成する。テストベクタ生成手段３６は、生成されたパスリストのテストベクタとベクタ生成情報の生成を行う。チップ領域指定手段５０は、ベクタ生成情報に基づいて、この新たな故障セル探索用パス１８９もイメージ表示する。
【０２０５】
このように、テストに合格したパス及びフェイルパスの状況を表示したり、故障セル探索用パスのテストベクタの生成途中において、テストベクタ生成状況を表示したりすることができる。これらの表示に基づいて、以降のパスリストの検索条件をオペレータが指定できる。このことにより、最終的に生成されるテストベクタの集合は、精度の高い故障解析作業を提供することができる。
【０２０６】
（第２の実施の形態の実施例５）
パス遅延故障のテストはチップごとに行われる。チップ領域指定手段５０は、このテストのフェイル情報をチップ配置されていたウェーハ１９０上の配置位置毎に集計し、図４６に示すように、各チップのウェーハ１９０上での位置とともにこれらフェイル情報も表示する。フェイル情報は、ウェーハ１９０上の各チップについて、フェイルパスの数である。オペレータは、ウェーハ１９０上でのフェイルパスの分布状況を確認することができる。例えば、行Ｌ４列Ｒ３ではフェイルパスが７個発生していることがわかる。ただ、ウェーハ１９０全体の分布状況に偏りの傾向は観察されない。この偏りの有無や偏りの傾向からフェイルパスの発生原因を推定することができる。なお、フェイルパスの数を直接表示する替わりに、フェイルパスの数を区分分けし、区分に応じて表示色を変えるなどの区別をすることもできる。また、フェイル情報としては、複数のウェーハ１９０にわたる特定のフェイルパスの発生の有無が取り上げられる。また、ウェーハ単位の表示において、チップをより詳細に領域分割し、領域ごとのフェイルパス数あるいはフェイルパス数区分を表示することもできる。
【０２０７】
フェイル情報の表示はこの他、ロット単位や、複数ロットにわたって行うことができる。すなわち、フェイルパスを、ウェーハに対する半導体集積回路毎、ロットに対するウェーハ毎、あるいは、複数ロットに対するロット毎に収集してカウントする。このカウントした数に応じて、半導体集積回路、ウェーハ、あるいは、ロットそれぞれを区別して表示すればよい。
【０２０８】
このように、複数の半導体集積回路をテストすることにより、各テストベクタが対象とする論理回路内のパスに対して、その遅延時間の測定値の統計をとることができる。これらの測定値と、パス遅延テスト用テストベクタを生成する際のタイミング解析やシミュレーションに用いた計算値の比率を求め、その比率に応じて各パスを区別して表示してもよい。これにより、実チップにおける測定値と、タイミング解析やシミュレーションに用いられる計算値の差異を、容易に確認することができる。
【０２０９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタの生成装置を提供できる。
【０２１０】
本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタの生成方法を提供できる。
【０２１１】
本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析装置を提供できる。
【０２１２】
本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析方法を提供できる。
【０２１３】
本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成するテストベクタを生成するためのプログラムを提供できる。
【０２１４】
本発明によれば、半導体集積回路の特定領域を指定することでその特定領域をテストするテストベクタを生成する半導体集積回路の故障解析をするためのプログラムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体集積回路の製造方法のフローチャートである。
【図２】第１の実施の形態に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図３】第１の実施の形態に係るテストベクタ生成方法のフローチャートである。
【図４】第１の実施の形態の変形例１に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図５】第１の実施の形態の変形例２に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図６】第１の実施の形態の変形例２に係るテストベクタ生成方法のフローチャートである。
【図７】第１の実施の形態の変形例３に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例４に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図９】第１の実施の形態の変形例５に係るテストベクタ生成装置の構成図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析装置の構成図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る半導体集積回路の故障解析方法のフローチャートである。
【図１２】第２の実施の形態の変形例１に係る半導体集積回路の故障解析装置の構成図である。
【図１３】第２の実施の形態の変形例２に係る半導体集積回路の故障解析装置の構成図である。
【図１４】第２の実施の形態の変形例３に係る半導体集積回路の故障解析装置の構成図である。
【図１５】第１の実施の形態の実施例１に係るテストベクタ生成方法の検索条件のデータ構造である。
【図１６】第１の実施の形態の実施例１に係るテストベクタ生成方法の終了条件のデータ構造である。
【図１７】第１の実施の形態の実施例１に係るテストベクタ生成方法のパスリストのデータ構造である。
【図１８】第１の実施の形態の実施例１に係るテストベクタ生成方法のテストベクタ生成情報のデータ構造である。
【図１９】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の半導体集積回路を指定可能領域に分割して出力表示した表示画像である。
【図２０】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の半導体集積回路の構造図である。
【図２１】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の半導体集積回路を指定可能領域に均等幅で分割して出力表示した表示画像である。
【図２２】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の半導体集積回路を指定可能領域に均等面積で分割して出力表示した表示画像である。
【図２３】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の半導体集積回路を指定可能領域に分割して出力表示した表示画像にパスの表示画像を重ねる方法を説明するための図である。
【図２４】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の被覆の定義のデータ構造である。
【図２５】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の被覆率を含む検索条件のデータ構造である。
【図２６】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法の被覆率を含む終了条件のデータ構造である。
【図２７】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法を説明するための図（その１）である。
【図２８】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法を説明するための図（その２）である。
【図２９】第１の実施の形態の実施例２に係るテストベクタ生成方法を説明するための図（その３）である。
【図３０】第１の実施の形態の実施例３に係るテストベクタ生成方法の検索条件のデータ構造である。
【図３１】第１の実施の形態の実施例４に係るテストベクタ生成方法の回路情報を含むピン名リストのデータ構造である。
【図３２】第１の実施の形態の実施例５に係るテストベクタ生成方法の区切り値のデータ構造である。
【図３３】第１の実施の形態の実施例５に係るテストベクタ生成方法のパスの表示画像を区切り値に基づいて表示する方法を説明するための図である。
【図３４】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法のテスト結果のデータ構造である。
【図３５】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法のセルリストのデータ構造である。
【図３６】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法の検索条件のデータ構造である。
【図３７】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法の終了条件のデータ構造である。
【図３８】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法のパスリストのデータ構造である。
【図３９】第２の実施の形態の実施例１に係る半導体集積回路の故障解析方法のテストで故障が判明しているパスと故障解析用のパスを説明するための図である。
【図４０】第２の実施の形態の実施例２に係る半導体集積回路の故障解析方法のピン座標位置情報のデータ構造である。
【図４１】第２の実施の形態の実施例３に係る半導体集積回路の故障解析方法の検索条件のデータ構造である。
【図４２】第２の実施の形態の実施例３に係る半導体集積回路の故障解析方法のテストで故障が判明しているパスと故障解析用のパスを説明するための図である。
【図４３】第２の実施の形態の実施例４に係る半導体集積回路の故障解析方法を説明するための図（その１）である。
【図４４】第２の実施の形態の実施例４に係る半導体集積回路の故障解析方法を説明するための図（その２）である。
【図４５】第２の実施の形態の実施例４に係る半導体集積回路の故障解析方法を説明するための図（その３）である。
【図４６】第２の実施の形態の実施例５に係る半導体集積回路の故障解析方法のテストで故障が判明しているパスを有する半導体集積回路のウェーハ分布を説明するための図である。
【符号の説明】
１ テストベクタ
１１、３１ 検索条件指定手段
１２、３２ 終了条件指定手段
１３、３３ 回路情報格納部
１４、３４ パスリスト生成手段
１５、３５ パスリスト格納部
１６、３６ テストベクタ生成手段
１７、３７ テストベクタ格納部
１８、３８ テストベクタ生成情報格納部
１９、３９ 終了条件判定手段
２０、５０ チップ領域指定手段
２１ 回路情報設定部
２２ 検索優先順位設定部
２３ 回路情報変更部
２４ 回路情報抽出手段
２５ ピン名リスト作成手段
２６ ピンリスト格納部
２７ ピンリスト毎回路情報格納部
４１ テスト実行手段
４２ フェイルデータ格納部
４３ セルリスト生成手段
４４ セルリスト格納部
５１ ピン座標位置格納部
５２ 検索条件項目データ領域
５３ 検索条件範囲データ領域
５４ 終了条件項目データ領域
５５ 終了条件範囲データ領域
５６ パスリストデータ領域
５７ テストベクタ生成情報の項目データ領域
５８ テストベクタ生成情報の状況データ領域
６１ 半導体集積回路の表示領域
６２乃至６６ 電極パッドの表示領域
６７、６８ パスの表示領域
６９乃至８０ 指定可能領域の表示領域
８１ 半導体集積回路の表示領域
８２乃至８６ メガセルの表示領域
８７乃至９２ 電極パッドの表示領域
９３、９４ 大規模論理回路の表示領域
９５、９６、９７、１０２ 電極パッドの表示領域
９８乃至１００、１０３、１０５、１０６、１１１ スキャン用フリップフロップレジスターの表示領域
１０１、１０４、１０７、１０８ パスの表示領域
１０９、１１０ 配線の表示領域
１１６乃至１２８ 指定可能領域の表示領域
１３１ パスリスト
１３２ 回路情報
１３３、１３４ パスの表示領域
１４１ 被覆率を設定するための被覆条件の項目データ領域
１４２ 被覆条件の範囲データ領域
１４３ 検索条件の項目データ領域
１４４ 検索条件の範囲データ領域
１４５ 終了条件の項目データ領域
１４６ 終了条件の範囲データ領域
１４７、１４８ パス
１５１ 検索条件のデータ領域
１５２ 回路情報設定データ領域
１５３ 優先順位決定データ領域
１５４ 回路情報変更の項目データ領域
１５５ 回路情報変更の第１変更条件データ領域
１５６ 回路情報変更の第２変更条件データ領域
１５７ 回路情報変更データ領域
１５８ ピン名データ領域
１５９ ピン情報データ領域
１６０ 区切り値の項目データ領域
１６１ 区切り値の範囲データ領域
１６２乃至１６４ パス
１６５ テスト結果のデータ領域
１６６ セルリストのセルの回路識別子名データ領域
１６７ セルリストのセル名データ領域
１６８ 検索条件の項目データ領域
１６９ 検索条件の範囲データ領域
１７０ 終了条件の項目データ領域
１７１ 終了条件の範囲データ領域
１７２ パスリストのデータ領域
１７３乃至１７５ パスの表示領域
１７６ フェイルパスのセルリストデータ領域
１７７ セルのピン座標データ領域
１８１ 検索条件データ領域
１８２ 回路情報設定データ領域
１８３ 優先順位決定データ領域
１８４ 回路情報変更の項目データ領域
１８５ 回路情報変更の第１変更条件データ領域
１８６ 回路情報変更の第２変更条件データ領域
１８７ 回路情報変更データ領域
１８８、１８９ パス
１９０ 半導体ウェーハ
１９１ パス回路情報作成手段
１９２ パス回路情報格納部
１９３ 強調表示パス選択手段
１９４ 強調表示パス情報格納部
１９５ 区切り値指定手段

Claims (5)

1. 検索条件として、半導体集積回路の回路情報に関する複数の検索項目と前記複数の検索項目に関する複数の尺度を選択し、前記尺度に対してセルが備えるべき複数の目標値を設定する回路情報設定部と、
   前記半導体集積回路のパスが満たすべき複数の前記検索項目、前記尺度、前記目標値の組合わせの優先順位を決定する検索優先順位決定部と、
   前記半導体集積回路の前記回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記優先順位に従って前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成する前記セルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストの生成を開始するパスリスト生成部と、
   前記パスリスト生成部で新たな前記パスリストが生成された場合、前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタの生成を開始するテストベクタ生成部と、
   前記テストベクタ生成部で新たな前記テストベクタが生成された場合、前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定部と、
   前記パスリスト生成部で新たな前記パスリストが生成されない場合及び前記テストベクタ生成部で新たな前記テストベクタが生成されない場合、前記複数の目標値を緩和して更新する回路情報変更部と、
   前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの生成を停止する終了条件判定部
   とを有することを特徴とするテストベクタ生成装置。
2. 前記終了条件指定部は、前記半導体集積回路を複数の領域に分割し、生成された前記テストベクタと前記パスリストの基となる前記パスが前記領域を被覆していると判定するための条件を指定する被覆判定条件指定部と、
   被覆されていると判定された前記領域の数の前記領域の総数に対する比率を指定する被覆率定義部
   とを有することを特徴とする請求項１に記載のテストベクタ生成装置。
3. 半導体集積回路内のパスで前記遅延故障が発生しているか否かのテスト結果に基づいて、前記遅延故障が発生している前記パスを構成するセルのリストを生成するフェイルパスのセルリスト生成部と、
   検索条件に基づいて故障セル探索用パスを検索し、検索された前記故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成する故障セル探索用パスリスト生成部と、
   前記故障セル探索用パスリストに基づいて、前記故障セル探索用パスリストのテストベクタを生成する故障セル探索用テストベクタ生成部と、
   前記フェイルパスの中に新たな前記パスで共有できていない前記セルがあれば、前記セルを通過する前記パスを新たに検索するための検索条件に更新し、前記遅延故障が発生している前記パスの一部を有する前記故障セル探索用パスを検索するための前記検索条件を指定する検索条件指定部と、
   前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定部と、
   前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの生成を停止する終了条件判定部
   とを有することを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
4. 検索条件として、半導体集積回路の回路情報に関する複数の検索項目と前記複数の検索項目に関する複数の尺度を選択し、前記尺度に対してセルが備えるべき複数の目標値を設定することと、
   前記半導体集積回路のパスが満たすべき複数の前記検索項目、前記尺度、前記目標値の組合わせの優先順位を決定することと、
   前記半導体集積回路の前記回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記優先順位に従って前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成する前記セルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストの 生成を開始することと、
   新たな前記パスリストが生成された場合、前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタの生成を開始することと、
   新たな前記パスリストが生成されない場合、前記複数の目標値を緩和し再設定することと、
   新たな前記テストベクタが生成された場合、前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、
   新たな前記テストベクタが生成されない場合、前記複数の目標値を緩和し再設定することと、
   前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの生成を停止すること
   を有することを特徴とするテストベクタの生成方法。
5. 検索条件として、半導体集積回路の回路情報に関する複数の検索項目と前記複数の検索項目に関する複数の尺度を選択し、前記尺度に対してセルが備えるべき複数の目標値を設定する手順と、
   前記半導体集積回路のパスが満たすべき複数の前記検索項目、前記尺度、前記目標値の組合わせの優先順位を決定する手順と、
   前記半導体集積回路の前記回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記優先順位に従って前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成する前記セルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストの生成を開始する手順と、
   新たな前記パスリストが生成された場合、前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタの生成を開始する手順と、
   新たな前記パスリストが生成されない場合、前記複数の目標値を緩和し再設定する手順と、
   新たな前記テストベクタが生成された場合、前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する手順と、
   新たな前記テストベクタが生成されない場合、前記複数の目標値を緩和し再設定する手順と、
   前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの生成を停止する手順
   としてコンピュータを機能させることを特徴とするテストベクタを生成するためのプログラム。

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