JP3827638B2 - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、減圧雰囲気にした真空チャンバ内で被処理物にプラズマ処理などを施すための真空処理装置及び真空処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の減圧プラズマ処理は、次のように行なわれる。まず被処理物を真空チャンバ内の陰極電極上又は平行平板電極間に配置し、被処理物全体が真空チャンバ(真空容器)内に配置された状態で、真空チャンバ内を真空ポンブで減圧することにより、減圧プラズマを励起する雰囲気が調整される。そして、この減圧霧囲気内において、被処理物がプラズマ処理される。
【0003】
このような従来技術として、下記特許文献1に開示された「半導体素子接続端子形成方法」が挙げられる。特許文献1に記載されたプラズマ処理は、真空チャンバ内に水素プラズマを発生させて、真空チャンバ内に配置したペレット(半導体素子)の電極部に設けたはんだ端子を水素プラズマで還元することにより、はんだ表面の酸化物を除去している。
【特許文献1】
特開昭63−293952号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、前述したように被処理物全体を真空チャンバ内に収め、真空チャンバ内を減圧雰囲気に調整してプラズマを発生させるため、次のような問題があった。
【0005】
第一に、被処理物全体を真空チャンバ内に収めるため、真空チャンバが大型になることである。真空チャンバの容積が大きくなると、排気機構及びガス供給機構も大きいものが必要になる。もし、排気機構及びガス供給機構を小さいものとすれば、所望の雰囲気にするための時間が長くかかることになる。
【0006】
第二に、被処理物全体が処理雰囲気に曝されるため、処理が不要な部分にまで余計な処理が施されてしまうことである。例えば、プラズマ処理の場合は、プラズマ処理の不要な部分がプラズマに曝されて損傷を受けたり、その弊害を避けるためにマスキングする等の余計な工程を必要としたりする。また、プラズマ処理の不要な部分がプラズマに曝され、そこから生成した反応生成物が本来のプラズマ処理を妨げる場合がある。例えば特開平11−163036号公報には、シリコンチップ上のはんだをフッ素プラズマ処理する場合に、シリコンがフッ素プラズマと反応してフッ化珪素を生じ、このフッ化珪素がはんだバンプと反応することにより、はんだバンプを損傷することが指摘されている。
【0007】
【発明の目的】
そこで、本発明の目的は、真空チャンバを小型化できるとともに、必要な部分だけの処理を可能とする、真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の真空処理装置は、被処理物にシール部材を介して当接する開口端を有する真空チャンバと、真空チャンバ内をプロセスガスを含む減圧雰囲気にする排気機構及びガス供給機構と、排気機構及びガス供給機構によって減圧雰囲気にされた真空チャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生機構を有する処理手段とを備えたものである。プラズマ発生機構は、真空チャンバ内に設けられメッシュ状乃至格子状に開口された電極と、電極に高周波電圧を印加する電源とを有する。
【0009】
被処理物と真空チャンバの開口端とをシール部材を介して当接させ、この状態で真空チャンバ内を減圧雰囲気にし、減圧雰囲気になった真空チャンバ内で被処理物に所定の処理を施す。このとき、真空チャンバは、被処理物の全体を収容するのではなく、被処理物の一部に開口端で接するだけである。そのため、真空チャンバの容積は、被処理物全体を収容する大きさにする必要がないので、極めて小さくなる。また、被処理物は、開口端に囲まれた部分だけが処理されるので、処理不要な部分を処理してしまうことによる問題が回避される。しかも、減圧手段は排気機構とガス供給機構とを有し、処理手段はプラズマ発生機構を有することにより、プラズマ処理が可能である。プラズマ発生機構はメッシュ状乃至格子状に開口された電極を有することにより、電極によってガスの流れが滞らないので、効率よくプラズマが発生するとともに、プラズマが処理対象部位に到達しやすくなる。
【0010】
請求項2記載の真空処理装置は、板状の被処理物の一方の面に第一のシール部材を介して当接する開口端を有する第一の真空チャンバと、前記被処理物の他方の面の前記第一のシール部材に対向する位置に第二のシール部材を介して当接する開口端を有する第二の真空チャンバと、前記第一の真空チャンバ内と前記第二の真空チャンバ内とを同時に減圧雰囲気にする減圧手段と、この減圧手段によって減圧雰囲気にされた前記第一の真空チャンバ内及び前記第二の真空チャンバ内の少なくとも一方で前記被処理物にプラズマ処理を施す処理手段と、を備えたものである。
【0011】
二つの真空チャンバの開口端で被処理物を挟み、この状態でこれらの真空チャンバ内を同時に減圧雰囲気にし、減圧雰囲気になった真空チャンバ内で被処理物に所定の処理を施す。このとき、真空チャンバは、被処理物の全体を収容するのではなく、被処理物の一部に開口端で接するだけである。そのため、真空チャンバの容積は、被処理物全体を収容する大きさにする必要がないので、極めて小さくなる。また、被処理物は、開口端に囲まれた部分だけが処理されるので、処理不要な部分を処理してしまうことによる問題が回避される。更に、二つの真空チャンバの開口端で被処理物を挟持した状態で、これらの真空チャンバ内を同時に減圧雰囲気にすることにより、被処理物の両面に加わる圧力が等しくなるので、機械的強度の小さい被処理物でも変形したり破損したりすることがない。
【0012】
請求項3記載の真空処理装置は、請求項1記載の真空処理装置において、真空チャンバを被処理物の処理対象部位に位置付けるための位置決め手段を、更に備えたものである。この位置決め手段は、真空チャンバ及び被処理物の少なくとも一方を位置決めできるものであればよい。
【0013】
請求項4記載の真空処理装置は、請求項2記載の真空処理装置において、前記第一の真空チャンバを前記被処理物の処理対象部位に位置付けるための位置決め手段を更に備え、前記第一の真空チャンバと前記被処理物の処理対象部位とを当接させるとともに前記第二の真空チャンバと前記被処理物の処理対象部位とを当接させるものである。
【0014】
請求項5記載の真空処理装置は、請求項1乃至4のいずれかに記載の真空処理装置において、前記被処理物に張力を付与する張力付与手段を更に備え、前記張力付与手段を、前記被処理物の周端を挟持する枠状の本体を含み構成したものである。被処理物が例えばシート状などの薄いものである場合、真空チャンバ内を減圧雰囲気にする際に、シール部材での漏れなどにより、被処理物が真空チャンバ内に吸い込まれるおそれがある。これに対処するには、被処理物に張力を付与する張力付与手段として、例えば被処理物の周端を挟持するような構成とすればよい。
【0015】
請求項6記載の真空処理装置は、請求項2又は4記載の真空処理装置において、減圧手段はプロセスガスを含む減圧雰囲気にする排気機構及びガス供給機構を有し、処理手段はプラズマ発生機構を有する、というものである。これにより、プラズマ処理が可能となる。
【0016】
請求項7記載の真空処理装置は、請求項6記載の真空処理装置において、処理手段は、プラズマ発生機構によってプラズマを発生させることにより、被処理物の処理対象部位を酸化、還元、エッチング、アッシング又は表面改質する、というものである。プラズマ処理の具体例を列挙したものである。
【0017】
請求項8記載の真空処理装置は、請求項7記載の真空処理装置において、プラズマ発生機構は、真空チャンバ内に設けられメッシュ状乃至格子状に開口された電極と、電極に高周波電圧を印加する電源とを有する、というものである。メッシュ状乃至格子状の電極によってガスの流れが滞らないので、効率よくプラズマが発生するとともに、プラズマが処理対象部位に到達しやすくなる。
【0018】
請求項9記載の真空処理装置は、請求項1、7又は8記載の真空処理装置において、処理対象部位ははんだバンプであり、ガス供給機構はプロセスガスとして水素ガスを供給し、処理手段は、プラズマ発生機構によって水素プラズマを発生させることにより、はんだバンプの表面の酸化膜を除去する、というものである。プラズマ処理の更に具体的な例である。
【0019】
請求項10記載の真空処理方法は、板状の被処理物の一方の面と第一の真空チャンバの開口端とを第一のシール部材を介して当接させるとともに、前記被処理物の他方の面の前記第一のシール部材に対向する位置と第二の真空チャンバの開口端とを第二のシール部材を介して当接させ、この状態で前記第一の真空チャンバ内と前記第二の真空チャンバ内とを同時に減圧雰囲気にし、減圧雰囲気になった前記第一の真空チャンバ内及び前記第二の真空チャンバ内の少なくとも一方で前記被処理物にプラズマ処理を施す、というものである。請求項2記載の真空処理装置と同じ作用を奏する。
【0020】
請求項11記載の真空処理方法は、請求項10記載の真空処理方法において、前記プラズマ処理は、プラズマを発生させることにより、前記被処理物の処理対象部位を酸化、還元、エッチング、アッシング又は表面改質することである、というものである。プラズマ処理の具体例を列挙したものである。
【0021】
請求項12記載の真空処理方法は、請求項11記載の真空処理方法において、処理対象部位ははんだバンプであり、所定の処理は、水素プラズマを発生させることにより、はんだバンプ表面の酸化膜を除去することである、というものである。プラズマ処理の更に具体的な例である。
【0022】
請求項13記載の真空処理装置は、被処理物にシール部材を介して当接する開口端を有する真空チャンバと、この真空チャンバ内を減圧雰囲気にする減圧手段と、この減圧手段によって減圧雰囲気にされた前記真空チャンバ内で前記被処理物にプラズマ処理を施す処理手段と、前記被処理物が前記真空チャンバ内に吸い込まれることを防止する張力を当該被処理物に付与する張力付与手段とを備え、前記張力付与手段を、前記被処理物の周端を挟持する枠状の本体を含み構成したものである。
【0023】
また、本発明は、次のように言い換えることができる。
【0024】
本発明は、減圧下でのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理物全体を収めることなく処理対象部位にのみ当接するとともに、被処理物表面でのリークを防止するシール部材を有する真空チャンバと、この真空チャンバ内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生機構と、真空チャンバ内を真空引きするための排気機構と、プロセスガス及び復圧ガスを供給するガス供給機構とを有し、更に真空チャンバを被処理物の処理対象部位上に位置付けるための位置決め機構を備える。そして、被処理物と真空チャンバとで閉じられた局所的な空間を形成し、この空間内で減圧プラズマを発生させることにより、被処理物表面を処理する。
【0025】
真空チャンバに設けられたシール部材と被処理物の表面とを位置決め機構による位置合せ後に密着させ、真空チャンバと被処埋物表面とで閉空間を形成する。続いて、この閉空間を排気機構により減圧雰囲気とするとともに、ガス供給機構を用いて閉空間にプロセスガスを供給する。続いて、真空チャンバに設けられたプラズマ発生機構に高周波電圧を印加して閉空間にプラズマを発生させ、被処理物の処理対象部位のみを局所的にプラズマ処理する。これにより、被処理物全体をプラズマに曝す必要がなく、しかも真空チャンバを著しく小型化でき、更には排気機構に用いられる真空ポンプも安価で小型のものが使用できる。また、プラズマを発生させる高周波電源も小型かつ低出力で安価なものを利用できるので、全体的に小型で安価なプラズマ処理装置となる。
【0026】
また、被処理物の反対面に減圧機構を設けてもよい。被処理物が局所的に減圧にされた時に、機械的強度不足から変形する恐れがある場合、被処理物の反対面に減圧機構を設けることにより、被処理物の変形を防ぐ。
【0027】
更に、減圧下でのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理物全体を真空チャンバに収めることなく、被処理物と真空チャンバとで閉じられた局所的な空間で減圧プラズマを発生させ、使用するプロセスガスやプラズマ処理条件により酸化、還元、エッチング、表面改質等を行う、としてもよい。換言すると、被処理物上に局所的な減圧雰囲気を形成し、ここに処理に応じたプロセスガスをガス供給機構から導入し、真空チャンバに設けられたプラズマ発生機構に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、処理対象部位に対し局所的に酸化、還元、エッチング、表面改質等を行う。
【0028】
更にまた、真空チャンバ内に設けられた電極に、メッシュ状乃至格子状などの形状で開口部を設けてもよい。この場合、ガス供給管から排気部までのプロセスガスの流れを電極が妨げることがない。そのため、放電により生じたイオン種やラジカル等も、局所的な処理表面に流入しやすくなる。つまり、真空チャンバ内の電極間及び電極付近で発生したイオン種やラジカル類をプロセスガスの流れに沿って、電極によってその流れが妨げられることなく、局所的な処理部位に運ぶことが可能となる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る真空処理装置の実施形態を、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明に係る真空処理方法は、本発明に係る真空処理装置に使用されるものであるので、本発明に係る真空処理装置の実施形態を説明する中で同時に説明する。また、特許請求の範囲における「真空処理装置」、「被処理物」、「処理対象部位」、「減圧手段」、「処理手段」、「位置決め手段」及び「張力付与手段」は、それぞれ「プラズマ処理装置」、「基板」、「はんだバンプ」、「排気機構及びガス供給機構」、「プラズマ発生機構」、「位置決め機構」及び「張力保持機構」と、具体化して言い換えるものとする。なお、図1〜図4は全て概念図としているが、真空チャンバ及び基板については断面図で表わしている。
【0030】
図1は、本発明に係る真空処理装置の第一実施形態を示す概念図(その1)である。以下、この図面に基づき説明する。
【0031】
本実施形態のプラズマ処理装置10は、基板12にシール部材141を介して当接する開口端142を有する真空チャンバ14と、真空チャンバ14内を減圧雰囲気にする排気機構16及びガス供給機構18と、排気機構16及びガス供給機構18によって減圧雰囲気にされた真空チャンバ14内で基板12に水素プラズマ処理を施すプラズマ発生機構20とを備えたものである。
【0032】
基板12は、例えばセラミックスや合成樹脂又はシリコンからなり、はんだバンプ122が表面121に形成されている。また、基板12の材質は、シール部材141による気密性を高めるために表面に極端な凹凸がなく、かつ両面で圧力差が生じるため機械的強度の大きい材質が好適である。基板12が機械的強度の小さい材質からなる場合は、機械的強度の大きい材質からなる板などに基板12を載置又は装着するようにしてもよい。また、基板12の裏面123側からの圧力に抗するために、基板12に予め張力を加えておくことにより、基板12の変形を防止することも可能である(例えば後述する張力保持機構参照)。
【0033】
真空チャンバ14は、本体が例えば金属、ガラス、又はセラミックスなどからなる円筒型又は角筒型を呈し、開口端142、ガス供給口143、排気口144、予備の排気口145等が形成されている。開口端142には、シール部材141を保持するための溝146が形成されている。シール部材141によって囲まれる大きさは例えば10mm□程度であるので、真空チャンバ14はたいへん小さいものになっている。なお、真空チャンバ14の材質は、低真空の用途であれば、エンジニアリング・プラスチックなどを使用してもよい。
【0034】
シール部材141は、一般に市販されているOリングを用いることができる。シール部材141の材質としては、長期間に渡り減圧及び復圧を繰り返すことを考慮すると、できるだけ弾性変形しやすく、かつヒステリシスの小さいゴムなどが好ましい。なお、シール部材141は、真空チャンバ14側に設けているが、基板12側に設けてもよく、また基板12側と真空チャンバ14側との両方に設けてもよい。
【0035】
排気機構16は、スロットルバルブ161、真空ポンプ162等を備えている。真空ポンプ161は、例えばロータリポンプである。スロットルバルブ161は、真空チャンバ14の排気口144と真空ポンプ162とを接続し、その開き具合に応じて排出ガス流量を変えられるようになっている。なお、予備の排気口145もスロットルバルブ161及び真空ポンプ162に接続することにより、真空チャンバ14内のガスの流れがより均一になる。
【0036】
ガス供給機構18は、復圧ガス用のマスフローコントローラ181及びガスバルブ182と、プロセスガス用のマスフローコントローラ183及びガスバルブ184とを備えている。また、ガスバルブ182はガス供給口143とマスフローコントローラ181とを接続し、ガスバルブ184はガス供給口143とマスフローコントローラ183とを接続している。
【0037】
プラズマ発生機構20は、高周波電圧を発生する電源201、高周波電圧出力用のマッチングボックス202、導線入りの絶縁管203、真空チャンバ14との絶縁性を得るための絶縁部材204,205、メッシュ状の電極206、メッシュ状の対向電極207,208等を備えている。高周波電圧の周波数は、例えば13.56MHzや400kHzなどである。
【0038】
図2は、本発明に係る真空処理装置の第一実施形態を示す概念図(その2)である。以下、図1及び図2に基づき、真空処理装置10の動作を説明する。
【0039】
図1は、基板12を真空チャンバ14の開口端142に当接させる前の状態を示している。図2は、基板12を真空チャンバ14の開口端142に当接させた後に、真空チャンバ14内で水素プラズマ147を発生させている状態を示している。
【0040】
まず、図1に示すように、真空チャンバ14の開口端142と基板12とを、シール部材141を介して当接させる。このとき、シール部材141で囲まれた範囲の中心にはんだバンプ12が来るように、真空チャンバ14と基板12とを位置合わせする。
【0041】
続いて、図2に示すように、スロットルバルブ161を開いて真空ポンプ162をオンにすることにより真空チャンバ14内の残留ガス163を排出するとともに、ガスバルブ182,184を開くことにより復圧ガスとして窒素ガス185及びプロセスガスとして水素ガス186を真空チャンバ14内へ供給する。このとき、マスフローコントローラ181,183及びスロットルバルブ161を調整することにより、真空チャンバ14内を所定の真空度の減圧雰囲気にする。
【0042】
真空チャンバ14内の真空度が所定の値になった頃に、電源201をオンにすることにより、電極206と対向電極207,208との間で、水素プラズマ147を発生させる。水素プラズマ147は、はんだバンプ122に到達することにより、はんだバンプ122表面の酸化膜を還元して除去する。
【0043】
このようにプラズマ処理装置10が動作するとき、真空チャンバ14は、基板12の全体を収容するのではなく、基板12の一部に開口端142で接するだけである。そのため、真空チャンバ14の容積は、基板12全体を収容する大きさにする必要がないので、極めて小さくなる。また、基板12は、開口端142に囲まれた部分だけが処理されるので、処理不要な部分を処理してしまうことによる問題が回避される。
【0044】
また、プラズマ処理装置10は、図5[1]に示すように、位置決め機構40を備えるようにしてもよい。位置決め機構40は、Z軸方向に可動するリニアステージ41に真空チャンバ14が固定され、X−Y軸方向に可動するX−Yステージ42に基板12が固定されたものである。リニアステージ41は、ステッピングモータ411、送りねじ412等を有する。X−Yステージ42は、Y軸可動用のステッピングモータ411、送りねじ422等及び図示しないX軸可動用のステッピングモータ、送りねじ等を有する。
【0045】
又は、図示しないが、位置決め機構40に代えて、基板12の搬送方向は搬送手段(例えばベルトコンベアなど)により位置決めし、搬送方向と直行する方向にZ軸ステージを設けて真空チャンバ14を位置決めすることもできる。或いは、X−Y軸方向にも可動できるステージを真空チャンバ14に併設するか、又は3軸以上のロボットアームで真空チャンバ14を保持することにより、任意の位置に真空チャンバ14を移動させることもできる。
【0046】
図3は、本発明に係る真空処理装置の第二実施形態を示す概念図(その1)である。以下、この図面に基づき説明する。ただし、図1と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【0047】
本実施形態のプラズマ処理装置30は、真空チャンバ14及び真空チャンバ32と、真空チャンバ14内及び真空チャンバ32内を同時に減圧雰囲気にする排気機構16’及びガス供給機構18と、排気機構16’及びガス供給機構18によって減圧雰囲気にされた真空チャンバ14内で基板12に水素プラズマ処理を施すプラズマ発生機構20とを備えたものである。真空チャンバ14は、基板12の表面121に、シール部材141を介して、当接する開口端142を有する。真空チャンバ32は、基板12の裏面123のシール部材142に対向する位置に、シール部材321を介して、当接する開口端322を有する。
【0048】
真空チャンバ32は、本体が例えば金属やガラスからなる円筒型又は角筒型を呈し、開口端322、排気口323等が形成されている。開口端322には、シール部材321を保持するための溝324が形成されている。シール部材321は、シール部材141と同じものを使用している。
【0049】
排気機構16’は、スロットルバルブ161及び真空ポンプ162の他に、真空チャンバ32と真空チャンバ14とを連通する配管164を備えている。配管164によって真空チャンバ32内と真空チャンバ14内とが常に同じ圧力になるので、排気機構16’は真空チャンバ14内及び真空チャンバ32内を同時に減圧雰囲気にすることが可能である。
【0050】
図4は、本発明に係る真空処理装置の第二実施形態を示す概念図(その2)である。以下、図3及び図4に基づき、真空処理装置30の動作を説明する。ただし、図4において図2と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【0051】
図3は、基板12を真空チャンバ14の開口端142及び真空チャンバ32の開口端322に当接させる前の状態を示している。図4は、基板12を真空チャンバ14の開口端142及び真空チャンバ32の開口端322に当接させた後に、真空チャンバ14内で水素プラズマ147を発生させている状態を示している。
【0052】
まず、図3に示すように、真空チャンバ14の開口端142と基板12とをシール部材141を介して当接させるとともに、真空チャンバ32の開口端322と基板12とをシール部材321を介して当接させる。このとき、シール部材141で囲まれた範囲の中心にはんだバンプ12が来るように、かつ、シール部材141とシール部材321とで基板12を挟持するように、真空チャンバ14,32と基板12とを位置合わせする。
【0053】
続いて、図3に示すように、スロットルバルブ161を開いて真空ポンプ162をオンにすることにより真空チャンバ14,32内の残留ガス163を排出するとともに、ガスバルブ182,184を開くことにより復圧ガスとして窒素ガス185及びプロセスガスとして水素ガス186を真空チャンバ14内へ(結果的に真空チャンバ32内へも)供給する。このとき、マスフローコントローラ181,183及びスロットルバルブ161を調整することにより、真空チャンバ14内を所定の真空度の減圧雰囲気にする。
【0054】
真空チャンバ14内の真空度が所定の値になった頃に、電源201をオンにすることにより、電極206と対向電極207,208との間で、水素プラズマ147を発生させる。水素プラズマ147は、はんだバンプ122に到達することにより、はんだバンプ122表面の酸化膜を還元して除去する。
【0055】
プラズマ処理装置30によれば、第一実施形態と同等の作用及び効果を奏する他に、次の作用及び効果を奏する。二つの真空チャンバ14,32の開口端142,322で基板12を挟持した状態で、これらの真空チャンバ14,32内を同時に減圧雰囲気にすることにより、基板12の両面に加わる圧力が等しくなるので、機械的強度の小さい基板12でも変形したり破損したりすることがない。
【0056】
また、プラズマ処理装置30は、図5[2]に示すように、基板12をその周端で挟持することにより基板12に張力を付与する張力保持機構50を備えたものとしてもよい。張力保持機構50は、枠状の本体51、同じく枠状の蓋52、雄ねじ53a,53b等の部品からなる。本体51には、真空チャンバ32のシール部材321を基板12の裏面123に当接させるための貫通部511、基板12を嵌め込む凹部512、雄ねじ53a,53bと螺合する雌ねじ513a,513b等が形成されている。蓋52には、真空チャンバ14のシール部材141を基板12の表面122に当接させるための貫通部521、雄ねじ53a,53bを挿通させるための挿通孔522a,522b等が形成されている。
【0057】
本体51の凹部512に基板12を嵌め込み、この上に蓋51をかぶせ、雄ねじ53a,53bを雌ねじ513a,513bに螺合させることにより、基板12の周端が本体51と蓋52とで挟持される。基板12が例えばシート状などの薄いものである場合、真空チャンバ14,32内を減圧雰囲気にする際に、シール部材141,321での漏れにより、基板12が真空チャンバ14,32内に吸い込まれるおそれがある。これに対処するには、張力保持機構50によって基板12周端を挟持することにより、基板12に張力を付与することが有効である。
【0058】
また、張力保持機構50に代えて、図6に示すように、基板12をその周縁部で掛止させることにより基板12に張力を付与する張力保持機構60を用いてもよい。張力保持機構60は、板状の本体61、本体61の周縁上に設けられた円柱状の凸部62a〜62l等からなる。また、基板12の周縁部には、凸部62a〜62lに嵌合する貫通孔からなる凹部63a〜63lが形成されている。本体61の凸部62a〜62lに基板12の凹部63a〜63lを嵌め込むことにより、基板12の周縁部が本体51の凸部62a〜62lに掛止される。このとき、基板12の上側に抑え部材(図示せず)を載置してもよい。張力保持機構60も張力保持機構50と同等の作用及び効果を奏する。しかも、張力保持機構60は、本体61への基板12の着脱が容易であるので、インライン対応型として好適である。なお、本実施形態で張力保持機構60を用いる場合は、図5[2]の張力保持機構50と同じように、真空チャンバ32のシール部材321を基板12の裏面123に当接させるための貫通部(図示せず)を、本体61に形成する必要がある。
【0059】
更に、プラズマ処理装置30は、図5[1]に示すように、真空チャンバ14及び真空チャンバ32を基板12に位置付けるための位置決め機構40を備えたものとしてもよい。この場合、位置決め機構40は、図示する構成に加えて、Z軸方向に可動するもう一つのリニアステージ(図示せず)に真空チャンバ32が固定されたものとなる。また、X−Yステージ42には、基板12に真空チャンバ32を当接するための貫通孔(図示せず)が形成されている。
【0060】
なお、上記第一第二実施形態は、言うまでもなく例示に過ぎないので、本発明を限定するものではない。本発明は、例えば次のような形態も採り得る。プラズマ処理用の雰囲気ガスとしては、酸素、水素、窒素、メタン等の炭化水素化合物、CF4、SF6、NF3、C5F8等のフッ素化合物、ヘリウムやアルゴン等の不活性ガス、又はこれらのいずれか2以上のガスの混合物を、それぞれ処理用途に応じて用いることができる。また、プラズマを伴なわない処理、例えば真空蒸着、イオンプレーティング、イオン注入、アニーリング等の処理にも使用できる。更に、はんだを水素プラズマで還元する他に、金などのメッキ表面をアルゴン(又は不活性ガス)プラズマで洗浄することにも使用できる。
【0061】
【発明の効果】
本発明に係る真空処理装置及び真空処理方法によれば、被処理物と真空チャンバの開口端とをシール部材を介して当接させ、この状態で真空チャンバ内を減圧雰囲気にし、減圧雰囲気になった真空チャンバ内で被処理物に所定の処理を施すことにより、被処理物全体を真空チャンバ内に収容しなくても被処理物に処理を施すことができるので、真空チャンバを極めて小さくできる。また、被処理物は開口端に囲まれた部分だけが処理されるので、処理不要な部分を処理してしまうことによる問題を回避できる。
【0062】
また、二つの真空チャンバの開口端で被処理物を挟持した状態で、これらの真空チャンバ内を同時に減圧雰囲気にすることにより、被処理物の両面に加わる圧力を等しくできるので、機械的強度の小さい被処理物でも変形又は破損させることなく処理を施すことができる。
【0063】
更に、プラズマ発生機構の電極をメッシュ状乃至格子状にすることにより、ガス流の抵抗を低減することができるので、効率よくプラズマを発生できるとともに、プラズマを容易に処理対象部位に到達させることができる。
【0064】
更にまた、被処理物に張力を付与する張力付与手段を備えることにより、被処理物が例えばシート状などの薄いものである場合でも、被処理物が真空チャンバ内に吸い込まれることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る真空処理装置の第一実施形態を示す概念図(その1)である。
【図2】本発明に係る真空処理装置の第一実施形態を示す概念図(その2)である。
【図3】本発明に係る真空処理装置の第二実施形態を示す概念図(その1)である。
【図4】本発明に係る真空処理装置の第二実施形態を示す概念図(その2)である。
【図5】図5[1]は第一及び第二実施形態で用いられる位置決め機構の一例を示す概略図であり、図5[2]は第一及び第二実施形態で用いられる張力保持機構の一例を示す断面図である。
【図6】第一及び第二実施形態で用いられる張力保持機構の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
10,30 プラズマ処理装置
12 基板(被処理物)
122 はんだバンプ(処理対象部位)
14 真空チャンバ(第一)
32 真空チャンバ(第二)
141,321 シール部材
142,322 開口端
16,16’ 排気機構(減圧手段)
18 ガス供給機構(減圧手段)
20 プラズマ発生機構(処理手段)
40 位置決め機構(位置決め手段)
50,60 張力保持機構(張力付与手段)
Claims (13)
- 被処理物にシール部材を介して当接する開口端を有する真空チャンバと、この真空チャンバ内をプロセスガスを含む減圧雰囲気にする排気機構及びガス供給機構と、これらの排気機構及びガス供給機構によって減圧雰囲気にされた前記真空チャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生機構を有する処理手段とを備え、
前記プラズマ発生機構は、前記真空チャンバ内に設けられメッシュ状乃至格子状に開口された電極と、この電極に高周波電圧を印加する電源とを有する、
ことを特徴とする真空処理装置。 - 板状の被処理物の一方の面に第一のシール部材を介して当接する開口端を有する第一の真空チャンバと、前記被処理物の他方の面の前記第一のシール部材に対向する位置に第二のシール部材を介して当接する開口端を有する第二の真空チャンバと、前記第一の真空チャンバ内と前記第二の真空チャンバ内とを同時に減圧雰囲気にする減圧手段と、この減圧手段によって減圧雰囲気にされた前記第一の真空チャンバ内及び前記第二の真空チャンバ内の少なくとも一方で前記被処理物にプラズマ処理を施す処理手段と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 前記真空チャンバを前記被処理物の処理対象部位に位置付けるための位置決め手段を、
更に備えた請求項1記載の真空処理装置。 - 前記第一の真空チャンバを前記被処理物の処理対象部位に位置付けるための位置決め手段を更に備え、前記第一の真空チャンバと前記被処理物の処理対象部位とを当接させるとともに前記第二の真空チャンバと前記被処理物の処理対象部位とを当接させる、
ことを特徴とする請求項2記載の真空処理装置。 - 前記被処理物に張力を付与する張力付与手段を更に備え、
前記張力付与手段を、前記被処理物の周端を挟持する枠状の本体を含み構成した請求項1乃至4のいずれかに記載の真空処理装置。 - 前記減圧手段はプロセスガスを含む前記減圧雰囲気にする排気機構及びガス供給機構を有し、前記処理手段はプラズマ発生機構を有する、
請求項2又は4記載の真空処理装置。 - 前記処理手段は、前記プラズマ発生機構によってプラズマを発生させることにより、前記被処理物の処理対象部位を酸化、還元、エッチング、アッシング又は表面改質する、
請求項6記載の真空処理装置。 - 前記プラズマ発生機構は、前記真空チャンバ内に設けられメッシュ状乃至格子状に開口された電極と、この電極に高周波電圧を印加する電源とを有する、
請求項6記載の真空処理装置。 - 前記処理対象部位ははんだバンプであり、前記ガス供給機構は前記プロセスガスとして水素ガスを供給し、前記処理手段は、前記プラズマ発生機構によって水素プラズマを発生させることにより、前記はんだバンプの表面の酸化膜を除去する、
請求項1、7又は8記載の真空処理装置。 - 板状の被処理物の一方の面と第一の真空チャンバの開口端とを第一のシール部材を介して当接させるとともに、前記被処理物の他方の面の前記第一のシール部材に対向する位置と第二の真空チャンバの開口端とを第二のシール部材を介して当接させ、
この状態で前記第一の真空チャンバ内と前記第二の真空チャンバ内とを同時に減圧雰囲気にし、減圧雰囲気になった前記第一の真空チャンバ内及び前記第二の真空チャンバ内の少なくとも一方で前記被処理物にプラズマ処理を施す、
ことを特徴とする真空処理方法。 - 前記プラズマ処理は、プラズマを発生させることにより、前記被処理物の処理対象部位を酸化、還元、エッチング、アッシング又は表面改質することである、
請求項10記載の真空処理方法。 - 前記処理対象部位ははんだバンプであり、前記プラズマ処理は、水素プラズマを発生させることにより、前記はんだバンプの表面の酸化膜を除去することである、
請求項11記載の真空処理方法。 - 被処理物にシール部材を介して当接する開口端を有する真空チャンバと、この真空チャンバ内を減圧雰囲気にする減圧手段と、この減圧手段によって減圧雰囲気にされた前記真空チャンバ内で前記被処理物にプラズマ処理を施す処理手段と、前記被処理物が前記真空チャンバ内に吸い込まれることを防止する張力を当該被処理物に付与する張力付与手段とを備え、
前記張力付与手段を、前記被処理物の周端を挟持する枠状の本体を含み構成したことを特徴とする真空処理装置。
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