JP2000323567A - 電極形成方法及びそれにより得られた機能膜 - Google Patents
電極形成方法及びそれにより得られた機能膜Info
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- JP2000323567A JP2000323567A JP11126048A JP12604899A JP2000323567A JP 2000323567 A JP2000323567 A JP 2000323567A JP 11126048 A JP11126048 A JP 11126048A JP 12604899 A JP12604899 A JP 12604899A JP 2000323567 A JP2000323567 A JP 2000323567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性が必要とされる機能膜を外部の導
電部材に確実に接続させることができる電極形成方法及
びそれにより得られた機能膜を提供すること。 【解決手段】 真空槽１４の下部に被加工物である機能
膜を有する基材１１が図示しない搬送手段によって搬送
され、処理位置に位置決めされる。基材１１が位置決め
された後に、真空槽１４が下降して、開口部１８が、除
去するＳｉＯ 2膜１３の領域と密着する。この状態で排
気バルブ１６を開けて真空槽１４内を排気する。そし
て、真空槽１４内が所定の真空度になったところでガス
導入バルブ１７を開けてＣＦ4ガスを真空槽１４内に導
入してエッチングを行なう。その後、同様の処理によ
り、ＳｉＯ2膜１３の除去部分に金属層を形成する。
電部材に確実に接続させることができる電極形成方法及
びそれにより得られた機能膜を提供すること。 【解決手段】 真空槽１４の下部に被加工物である機能
膜を有する基材１１が図示しない搬送手段によって搬送
され、処理位置に位置決めされる。基材１１が位置決め
された後に、真空槽１４が下降して、開口部１８が、除
去するＳｉＯ 2膜１３の領域と密着する。この状態で排
気バルブ１６を開けて真空槽１４内を排気する。そし
て、真空槽１４内が所定の真空度になったところでガス
導入バルブ１７を開けてＣＦ4ガスを真空槽１４内に導
入してエッチングを行なう。その後、同様の処理によ
り、ＳｉＯ2膜１３の除去部分に金属層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて使用される電極形成方法及びそれにより得られた
機能膜に関する。
おいて使用される電極形成方法及びそれにより得られた
機能膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】機能膜のうち電磁波シールドなどの目的
で導電性を必要とされるものは、機器の筐体とのアース
を接続する必要がある。従来、多層膜より構成される機
能膜で導電性を必要とされるもののうち、最上層が導電
層でない場合、機器の筐体とアースをとるために表面処
理を行なう。
で導電性を必要とされるものは、機器の筐体とのアース
を接続する必要がある。従来、多層膜より構成される機
能膜で導電性を必要とされるもののうち、最上層が導電
層でない場合、機器の筐体とアースをとるために表面処
理を行なう。
【０００３】例えば、機器の筐体とアースをとるために
行なう表面処理としては、図７に示すように、ガラス基
板など基材７１上の機能膜７２にはんだ７３を用いる方
法などがある。この方法では、はんだ７３を用いること
により、機能膜７２の導電層７２ａ及び非導電層７２ｂ
を溶融してはんだ７３と導電層７２ａとの間で導通をと
っている。このとき、はんだ７３を電極として、外部の
導電部材と電気的に接続できるようにしている。
行なう表面処理としては、図７に示すように、ガラス基
板など基材７１上の機能膜７２にはんだ７３を用いる方
法などがある。この方法では、はんだ７３を用いること
により、機能膜７２の導電層７２ａ及び非導電層７２ｂ
を溶融してはんだ７３と導電層７２ａとの間で導通をと
っている。このとき、はんだ７３を電極として、外部の
導電部材と電気的に接続できるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、はんだつけを行なう条件により、はんだ７３と
導電層７２ａとの間の電気的接続状態が変わるので、接
続の信頼性が低いという問題がある。
法では、はんだつけを行なう条件により、はんだ７３と
導電層７２ａとの間の電気的接続状態が変わるので、接
続の信頼性が低いという問題がある。
【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、導電性が必要とされる機能膜を外部の導電部材に
確実に接続させることができる電極形成方法及びそれに
より得られた機能膜を提供することを目的とする。
あり、導電性が必要とされる機能膜を外部の導電部材に
確実に接続させることができる電極形成方法及びそれに
より得られた機能膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下の手段を講じた。本発明は、基体上に
導電層及び非導電層を備えた機能膜を有する被処理体に
電極を形成する方法であって、前記機能膜における導電
層よりも上層の非導電層を部分的に除去して前記導電層
を露出させる除去工程と、露出した前記導電層上に金属
層を被着することにより電極を形成する形成工程と、を
具備することを特徴とする電極形成方法を提供する。
に、本発明は以下の手段を講じた。本発明は、基体上に
導電層及び非導電層を備えた機能膜を有する被処理体に
電極を形成する方法であって、前記機能膜における導電
層よりも上層の非導電層を部分的に除去して前記導電層
を露出させる除去工程と、露出した前記導電層上に金属
層を被着することにより電極を形成する形成工程と、を
具備することを特徴とする電極形成方法を提供する。
【０００７】この方法によれば、機能膜における導電層
を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、外部
導電部材、例えばアースをとるための導電性テープとの
間の接続信頼性を向上させることができる。
を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、外部
導電部材、例えばアースをとるための導電性テープとの
間の接続信頼性を向上させることができる。
【０００８】本発明の電極形成方法においては、前記除
去工程において、除去する前記非導電層の領域のみを真
空状態にすることが好ましい。また、本発明の電極形成
方法においては、前記形成工程において、金属層を被着
する領域のみを真空状態にすることが好ましい。
去工程において、除去する前記非導電層の領域のみを真
空状態にすることが好ましい。また、本発明の電極形成
方法においては、前記形成工程において、金属層を被着
する領域のみを真空状態にすることが好ましい。
【０００９】これらの方法により、このように除去する
部分のみを真空にすることにより、効率良くしかも確実
に処理を行なうことができ、装置を小型化でき、短時間
での処理が可能となる。
部分のみを真空にすることにより、効率良くしかも確実
に処理を行なうことができ、装置を小型化でき、短時間
での処理が可能となる。
【００１０】本発明の電極形成方法においては、除去工
程においてドライエッチング法や反応性イオンエッチン
グ法が用いられていることが好ましく、除去工程が大気
圧プラズマプロセスであることが好ましい。
程においてドライエッチング法や反応性イオンエッチン
グ法が用いられていることが好ましく、除去工程が大気
圧プラズマプロセスであることが好ましい。
【００１１】本発明の電極形成方法においては、形成工
程においてスパッタリング法や蒸着法が用いられること
が好ましい。
程においてスパッタリング法や蒸着法が用いられること
が好ましい。
【００１２】また、本発明は、導電層及び、前記導電層
よりも上方に形成されており、前記導電層を露出するよ
うにして形成された凹部を有する非導電層を備えた機能
膜本体と、前記凹部内の前記導電層と接触するように形
成された金属層と、を具備することを特徴とする機能膜
を提供する。
よりも上方に形成されており、前記導電層を露出するよ
うにして形成された凹部を有する非導電層を備えた機能
膜本体と、前記凹部内の前記導電層と接触するように形
成された金属層と、を具備することを特徴とする機能膜
を提供する。
【００１３】この構成によれば、機能膜における導電層
を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、外部
導電部材、例えばアースをとるための導電性テープとの
間の接続信頼性を向上させることができる。
を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、外部
導電部材、例えばアースをとるための導電性テープとの
間の接続信頼性を向上させることができる。
【００１４】本発明の機能膜は、反射防止膜及び／又は
電磁波シールド膜、特に表示装置の表示面の反射防止膜
及び／又は電磁波シールド膜として用いられることが好
ましい。
電磁波シールド膜、特に表示装置の表示面の反射防止膜
及び／又は電磁波シールド膜として用いられることが好
ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の電極形成方法は、機能膜
における導電層よりも上層の非導電層を部分的に除去し
て前記導電層を露出させ、露出した前記導電層上に金属
層を被着することにより電極を形成するものである。
における導電層よりも上層の非導電層を部分的に除去し
て前記導電層を露出させ、露出した前記導電層上に金属
層を被着することにより電極を形成するものである。
【００１６】ここで、機能膜としては、ＣＲＴの表示面
上に形成された反射防止膜及び電磁波シールド膜などを
挙げることができる。また、機能膜の基材としては、ガ
ラス基板でもプラスチック基板でも良い。
上に形成された反射防止膜及び電磁波シールド膜などを
挙げることができる。また、機能膜の基材としては、ガ
ラス基板でもプラスチック基板でも良い。
【００１７】また、非導電層を除去する方法としては、
反応性イオンエッチングなどのドライエッチングやウェ
ットエッチングを挙げることができる。エッチング条件
としては、大気圧下でも良く、真空下でも良い。また、
金属層を被着する方法としては、スパッタリング、蒸着
などを挙げることができる。
反応性イオンエッチングなどのドライエッチングやウェ
ットエッチングを挙げることができる。エッチング条件
としては、大気圧下でも良く、真空下でも良い。また、
金属層を被着する方法としては、スパッタリング、蒸着
などを挙げることができる。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について、添付
図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＣＲＴの表
示面上に形成されたＡＲＡＳ膜（反射防止及び電磁波シ
ールド膜）の例を示しており、基材であるガラス基板
（ＣＲＴ）上に形成されている多層薄膜（機能膜）の最
上層が非導電層であるＳｉＯ2膜で、その下の膜が導電
層であるＩＴＯ膜である例である。
図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＣＲＴの表
示面上に形成されたＡＲＡＳ膜（反射防止及び電磁波シ
ールド膜）の例を示しており、基材であるガラス基板
（ＣＲＴ）上に形成されている多層薄膜（機能膜）の最
上層が非導電層であるＳｉＯ2膜で、その下の膜が導電
層であるＩＴＯ膜である例である。
【００１９】この実施の形態では、最上層のＳｉＯ2膜
を反応性イオンエッチングによって部分的に除去してＩ
ＴＯ膜を露出させた後、金属膜（銅膜）を成膜する場合
について説明する。
を反応性イオンエッチングによって部分的に除去してＩ
ＴＯ膜を露出させた後、金属膜（銅膜）を成膜する場合
について説明する。
【００２０】以下、図１〜図６を用いて本発明の一実施
の形態に係る電極形成方法を説明する。図１〜図３は、
本発明の一実施の形態に係る電極形成方法における前半
の工程、すなわち除去工程を示す断面図である。
の形態に係る電極形成方法を説明する。図１〜図３は、
本発明の一実施の形態に係る電極形成方法における前半
の工程、すなわち除去工程を示す断面図である。
【００２１】この方法において使用する装置は、図１に
示すように、真空槽１４を備えている。真空槽１４の内
部の上方には、エッチング電極１５が配置されている。
エッチング電極１５には、図示しないエッチング用電源
が接続されている。真空槽１４の側壁には、排気バルブ
１６を介して真空ポンプが接続されている。なお、真空
槽１４全体は、図示しない昇降手段によって上下方向
（図中矢印方向）に昇降可能に構成されている。
示すように、真空槽１４を備えている。真空槽１４の内
部の上方には、エッチング電極１５が配置されている。
エッチング電極１５には、図示しないエッチング用電源
が接続されている。真空槽１４の側壁には、排気バルブ
１６を介して真空ポンプが接続されている。なお、真空
槽１４全体は、図示しない昇降手段によって上下方向
（図中矢印方向）に昇降可能に構成されている。
【００２２】真空槽１４の下面中央には、少なくとも非
導電層を除去する領域の広さを有する開口部１８が形成
されており、その開口部１８の外側にはＯリング１９が
設けられている。したがって、被加工物（機能膜）とＯ
リング１９が密着することにより、真空槽１４を密閉す
ることができる。
導電層を除去する領域の広さを有する開口部１８が形成
されており、その開口部１８の外側にはＯリング１９が
設けられている。したがって、被加工物（機能膜）とＯ
リング１９が密着することにより、真空槽１４を密閉す
ることができる。
【００２３】真空槽１４の上部には、ガス導入バルブ１
７が接続されており、ＳｉＯ2膜の反応性エッチングを
行なう際の反応ガスであるＣＦ4ガスを真空槽１４内部
に導入できるようになっている。
７が接続されており、ＳｉＯ2膜の反応性エッチングを
行なう際の反応ガスであるＣＦ4ガスを真空槽１４内部
に導入できるようになっている。
【００２４】上記構成を有する装置を用いて、機能膜に
除去処理を施す。この機能膜は、ガラス基板である基材
１１上に２層の非導電層（ＳｉＯ2膜）１３が形成さ
れ、その上に導電層（ＩＴＯ膜）１２が形成され、さら
にその上に非導電層（ＳｉＯ2膜）１３が形成されて構
成されている。
除去処理を施す。この機能膜は、ガラス基板である基材
１１上に２層の非導電層（ＳｉＯ2膜）１３が形成さ
れ、その上に導電層（ＩＴＯ膜）１２が形成され、さら
にその上に非導電層（ＳｉＯ2膜）１３が形成されて構
成されている。
【００２５】まず、機能膜の最上層のＳｉＯ2膜をエッ
チングする。図１に示すように、真空槽１４の下部に被
加工物である機能膜を有する基材１１が図示しない搬送
手段によって搬送され、処理位置に位置決めされる。
チングする。図１に示すように、真空槽１４の下部に被
加工物である機能膜を有する基材１１が図示しない搬送
手段によって搬送され、処理位置に位置決めされる。
【００２６】基材１１が位置決めされた後に、図２に示
すように、真空槽１４が下降して、開口部１８が、除去
するＳｉＯ2膜１３の領域と密着する。このように除去
する部分のみを真空にすることにより、効率良くしかも
確実に処理を行なうことができ、装置を小型化でき、短
時間での処理が可能となる。この状態で排気バルブ１６
を開けて真空槽１４内を排気する。そして、真空槽１４
内が所定の真空度になったところでガス導入バルブ１７
を開けてＣＦ4ガスを真空槽１４内に導入する。
すように、真空槽１４が下降して、開口部１８が、除去
するＳｉＯ2膜１３の領域と密着する。このように除去
する部分のみを真空にすることにより、効率良くしかも
確実に処理を行なうことができ、装置を小型化でき、短
時間での処理が可能となる。この状態で排気バルブ１６
を開けて真空槽１４内を排気する。そして、真空槽１４
内が所定の真空度になったところでガス導入バルブ１７
を開けてＣＦ4ガスを真空槽１４内に導入する。
【００２７】次いで、エッチング電極１５に電源を印加
すると、真空槽１４内にプラズマ２０が発生し、ＳｉＯ
2膜１３の反応性エッチングが始まる。エッチングが進
行してＩＴＯ膜が露出したところで反応が停止するた
め、エッチングは終了する。このエッチングにより、図
３に示すように、非導電層１３に導電層露出部２１が形
成される。
すると、真空槽１４内にプラズマ２０が発生し、ＳｉＯ
2膜１３の反応性エッチングが始まる。エッチングが進
行してＩＴＯ膜が露出したところで反応が停止するた
め、エッチングは終了する。このエッチングにより、図
３に示すように、非導電層１３に導電層露出部２１が形
成される。
【００２８】そして、エッチング電極１５への電源の印
加を停止し、ガス導入バルブ１７を閉じて排気バルブ１
６を閉じたのち、図示しないリークバルブを開いて真空
槽１４内に大気を導入する。真空槽１４内が大気圧にな
った後に真空槽１４を上昇させ、基材１１を次工程の金
属層（銅膜）の成膜工程に搬送する。
加を停止し、ガス導入バルブ１７を閉じて排気バルブ１
６を閉じたのち、図示しないリークバルブを開いて真空
槽１４内に大気を導入する。真空槽１４内が大気圧にな
った後に真空槽１４を上昇させ、基材１１を次工程の金
属層（銅膜）の成膜工程に搬送する。
【００２９】次工程では、導電層露出部２１に金属層を
形成する。図４〜図６は、本発明の一実施の形態に係る
電極形成方法における後半の工程、すなわち形成工程を
示す断面図である。
形成する。図４〜図６は、本発明の一実施の形態に係る
電極形成方法における後半の工程、すなわち形成工程を
示す断面図である。
【００３０】この方法において使用する装置は、図４に
示すように、真空槽３１を備えている。真空槽３１の内
部の上方には、スパッタリングカソード３２が配置され
ている。スパッタリングカソード３２には、図示しない
スパッタリング用電源が接続されている。真空槽３１の
側壁には、排気バルブ３４を介して真空ポンプが接続さ
れている。なお、真空槽３１全体は、図示しない昇降手
段によって上下方向（図中矢印方向）に昇降可能に構成
されている。
示すように、真空槽３１を備えている。真空槽３１の内
部の上方には、スパッタリングカソード３２が配置され
ている。スパッタリングカソード３２には、図示しない
スパッタリング用電源が接続されている。真空槽３１の
側壁には、排気バルブ３４を介して真空ポンプが接続さ
れている。なお、真空槽３１全体は、図示しない昇降手
段によって上下方向（図中矢印方向）に昇降可能に構成
されている。
【００３１】真空槽３１の下面中央には、少なくとも非
導電層を除去する領域の広さを有する開口部３５が形成
されており、その開口部３５の外側にはＯリング３６が
設けられている。したがって、被加工物（機能膜）とＯ
リング３６が密着することにより、真空槽３１を密閉す
ることができる。
導電層を除去する領域の広さを有する開口部３５が形成
されており、その開口部３５の外側にはＯリング３６が
設けられている。したがって、被加工物（機能膜）とＯ
リング３６が密着することにより、真空槽３１を密閉す
ることができる。
【００３２】真空槽３１の上部には、ガス導入バルブ３
３が接続されており、銅膜の被着を行なう際のスパッタ
リングガスであるアルゴンガスを真空槽３１内部に導入
できるようになっている。
３が接続されており、銅膜の被着を行なう際のスパッタ
リングガスであるアルゴンガスを真空槽３１内部に導入
できるようになっている。
【００３３】上記構成を有する装置を用いて、機能膜に
形成処理を施す。まず、図４に示すように、真空槽３１
の下部に被加工物である機能膜を有する基材１１が図示
しない搬送手段によって搬送され、処理位置に位置決め
される。
形成処理を施す。まず、図４に示すように、真空槽３１
の下部に被加工物である機能膜を有する基材１１が図示
しない搬送手段によって搬送され、処理位置に位置決め
される。
【００３４】基材１１が位置決めされた後に、図５に示
すように、真空槽３１が下降して開口部３５が導電層露
出部２１を含むＳｉＯ2膜１３の領域と密着する。すな
わち、開口部３５がエッチングによって形成された導電
層露出部２１をカバーするように基材１１が位置決めさ
れる。このように除去する部分のみを真空にすることに
より、効率良くしかも確実に処理を行なうことができ、
装置を小型化でき、短時間での処理が可能となる。
すように、真空槽３１が下降して開口部３５が導電層露
出部２１を含むＳｉＯ2膜１３の領域と密着する。すな
わち、開口部３５がエッチングによって形成された導電
層露出部２１をカバーするように基材１１が位置決めさ
れる。このように除去する部分のみを真空にすることに
より、効率良くしかも確実に処理を行なうことができ、
装置を小型化でき、短時間での処理が可能となる。
【００３５】この状態で排気バルブ３４を開けて真空槽
３１内を排気する。そして、真空槽３１内が所定の真空
度になったところでガス導入バルブ３３を開けてアルゴ
ンガスを真空槽３１内に導入する。
３１内を排気する。そして、真空槽３１内が所定の真空
度になったところでガス導入バルブ３３を開けてアルゴ
ンガスを真空槽３１内に導入する。
【００３６】次いで、スパッタリングカソード３２に電
源を印加すると、真空槽３１内にプラズマが発生し、金
属層の被着、すなわちスパッタリングが始まる。スパッ
タリングにより、図６に示すように、非導電層１３の導
電層露出部２１に金属層３７が形成される。
源を印加すると、真空槽３１内にプラズマが発生し、金
属層の被着、すなわちスパッタリングが始まる。スパッ
タリングにより、図６に示すように、非導電層１３の導
電層露出部２１に金属層３７が形成される。
【００３７】そして、スパッタリングカソード３２への
電源の印加を停止し、ガス導入バルブ３３を閉じて排気
バルブ３４を閉じたのち、図示しないリークバルブを開
いて真空槽３１内に大気を導入する。真空槽３１内が大
気圧になった後に真空槽３１を上昇させ、基材１１を次
工程に搬送する。次工程では、形成した金属層３７に導
電性テープなどを貼ることによりＣＲＴの筐体とアース
をとる。
電源の印加を停止し、ガス導入バルブ３３を閉じて排気
バルブ３４を閉じたのち、図示しないリークバルブを開
いて真空槽３１内に大気を導入する。真空槽３１内が大
気圧になった後に真空槽３１を上昇させ、基材１１を次
工程に搬送する。次工程では、形成した金属層３７に導
電性テープなどを貼ることによりＣＲＴの筐体とアース
をとる。
【００３８】このように、本実施の形態における電極形
成方法及びそれにより得られた機能膜は、機能膜におけ
る導電層を確実に露出させた後に金属電極を形成するた
め、外部導電部材、例えばアースをとるための導電性テ
ープとの間の接続信頼性を向上させることができる。
成方法及びそれにより得られた機能膜は、機能膜におけ
る導電層を確実に露出させた後に金属電極を形成するた
め、外部導電部材、例えばアースをとるための導電性テ
ープとの間の接続信頼性を向上させることができる。
【００３９】本発明は上記実施の形態に限定されず、種
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態においては、除去工程と形成工程で異なる真空
槽を用いた場合について説明しているが、エッチング電
極及びスパックカソードを備えた真空槽で両方の工程を
実施しても良い。
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態においては、除去工程と形成工程で異なる真空
槽を用いた場合について説明しているが、エッチング電
極及びスパックカソードを備えた真空槽で両方の工程を
実施しても良い。
【００４０】また、上記実施の形態では、ＳｉＯ2膜の
反応性イオンエッチング用のガスとしてＣＦ4ガスを使
用している場合について説明しているが、反応性イオン
エッチング用のガスとしてＣ2Ｆ6ガスやＣＨＦ3ガスを
用いても構わない。また、上記実施の形態では、反応性
イオンエッチングで行なっているが、例えばアルゴンガ
スのみのエッチング（反応性でない）でも構わない。ま
た、上記実施の形態では、非導電層としてＳｉＯ2膜を
用いているが、他の非導電性の膜を用いても良い。この
場合には、適宜反応ガスを選択する必要がある。
反応性イオンエッチング用のガスとしてＣＦ4ガスを使
用している場合について説明しているが、反応性イオン
エッチング用のガスとしてＣ2Ｆ6ガスやＣＨＦ3ガスを
用いても構わない。また、上記実施の形態では、反応性
イオンエッチングで行なっているが、例えばアルゴンガ
スのみのエッチング（反応性でない）でも構わない。ま
た、上記実施の形態では、非導電層としてＳｉＯ2膜を
用いているが、他の非導電性の膜を用いても良い。この
場合には、適宜反応ガスを選択する必要がある。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電極形成方
法及びそれにより得られた機能膜は、機能膜における導
電層を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、
外部導電部材、例えばアースをとるための導電性テープ
との間の接続信頼性を向上させることができる。
法及びそれにより得られた機能膜は、機能膜における導
電層を確実に露出させた後に金属電極を形成するため、
外部導電部材、例えばアースをとるための導電性テープ
との間の接続信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
ける前半の工程、すなわち除去工程を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
【図５】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
【図６】本発明の一実施の形態に係る電極形成方法にお
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
ける後半の工程、すなわち形成工程を示す断面図であ
る。
【図７】従来の電極形成方法を説明するための断面図で
ある。
ある。
１１…基材、１２…導電層、１３…非導電層、１４，３
１…真空槽、１５…エッチング電極、１６，３４…排気
バルブ、１７，３３…ガス導入バルブ、１８，３５…開
口部、１９，３６…Ｏリング、２０…プラズマ、２１…
導電層露出部、３２…スパッタリングカソード、３７…
金属層。
１…真空槽、１５…エッチング電極、１６，３４…排気
バルブ、１７，３３…ガス導入バルブ、１８，３５…開
口部、１９，３６…Ｏリング、２０…プラズマ、２１…
導電層露出部、３２…スパッタリングカソード、３７…
金属層。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 BA04 BB13 BB32 BC01 BD05 CA02 CA05 DA01 DB03 EB01 EB02 5F033 JJ01 JJ11 KK38 PP15 PP19 QQ09 QQ11 QQ13 QQ37 RR04 VV07 XX12
Claims (11)
- 【請求項１】 基材上に導電層及び非導電層を備えた機
能膜を有する被処理体に電極を形成する方法であって、 前記機能膜における導電層よりも上層の非導電層を部分
的に除去して前記導電層を露出させる除去工程と、 露出した前記導電層上に金属層を被着することにより電
極を形成する形成工程と、を具備することを特徴とする
電極形成方法。 - 【請求項２】 前記除去工程において、除去する前記非
導電層の領域のみを真空状態にすることを特徴とする請
求項１記載の電極形成方法。 - 【請求項３】 前記形成工程において、金属層を被着す
る領域のみを真空状態にすることを特徴とする請求項１
記載の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記除去工程においてドライエッチング
法が用いられることを特徴とする請求項１記載の電極形
成方法。 - 【請求項５】 前記除去工程において反応性イオンエッ
チング法が用いられていることを特徴とする請求項１記
載の電極形成方法。 - 【請求項６】 前記除去工程は、大気圧プラズマプロセ
スであることを特徴とする請求項１記載の電極形成方
法。 - 【請求項７】 前記形成工程においてスパッタリング法
が用いられることを特徴とする請求項１記載の電極形成
方法。 - 【請求項８】 前記形成工程において蒸着法が用いられ
ることを特徴とする請求項１記載の電極形成方法。 - 【請求項９】 導電層及び、前記導電層よりも上方に形
成されており、前記導電層を露出するようにして形成さ
れた凹部を有する非導電層を備えた機能膜本体と、 前記凹部内の前記導電層と接触するように形成された金
属層と、を具備することを特徴とする機能膜。 - 【請求項１０】 反射防止膜及び／又は電磁波シールド
膜として用いられることを特徴とする請求項９記載の機
能膜。 - 【請求項１１】 表示装置の表示面の反射防止膜及び／
又は電磁波シールド膜として用いられることを特徴とす
る請求項９記載の機能膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126048A JP2000323567A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 電極形成方法及びそれにより得られた機能膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126048A JP2000323567A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 電極形成方法及びそれにより得られた機能膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323567A true JP2000323567A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14925369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126048A Pending JP2000323567A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 電極形成方法及びそれにより得られた機能膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207577A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
-
1999
- 1999-05-06 JP JP11126048A patent/JP2000323567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207577A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
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