JP2000212779A - 機能膜の表面処理方法および表面処理を施した機能膜 - Google Patents
機能膜の表面処理方法および表面処理を施した機能膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多層膜から成る機能膜であって導電層を備える
機能膜において、最外層が導電膜でない場合に導電膜の
アースをとるための機器筐体との接続のための電極を機
能膜上に形成する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】最外層１４の除去したい部位を真空槽２０
の開口２８と整合させた状態で真空槽２０によってプラ
ズマエッチングを行ない、最外層１４を部分的に除去し
てその下側の第３層１３を局部的に露出させて導電層露
出部３４を形成し、この部分に電極を形成する。
機能膜において、最外層が導電膜でない場合に導電膜の
アースをとるための機器筐体との接続のための電極を機
能膜上に形成する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】最外層１４の除去したい部位を真空槽２０
の開口２８と整合させた状態で真空槽２０によってプラ
ズマエッチングを行ない、最外層１４を部分的に除去し
てその下側の第３層１３を局部的に露出させて導電層露
出部３４を形成し、この部分に電極を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は機能膜の表面処理方
法および表面処理を施した機能膜に係り、とくに２層以
上の多層膜が形成された機能膜の表面処理方法および表
面処理を施した機能膜に関する。
法および表面処理を施した機能膜に係り、とくに２層以
上の多層膜が形成された機能膜の表面処理方法および表
面処理を施した機能膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管から成るテレビジョン受像機や
画像出力装置のスクリーン面上には、ガラス基材上に直
接ＡＲＡＳ膜（反射防止および電磁シールド膜）を形成
し、これによってスクリーン面の反射を防止するととも
に、電磁波が外部に漏出するのを防止している。あるい
はまた陰極線管のスクリーン面の上側に透明なプラスチ
ックフィルムを接合するようにしている。ここでプラス
チックフィルムの表面には上記ＡＲＡＳ膜を構成する多
層薄膜を形成するようにしており、これによってガラス
基材の表面に直接ＡＲＡＳ膜を形成したのと同じ機能を
達成するようにしている。
画像出力装置のスクリーン面上には、ガラス基材上に直
接ＡＲＡＳ膜（反射防止および電磁シールド膜）を形成
し、これによってスクリーン面の反射を防止するととも
に、電磁波が外部に漏出するのを防止している。あるい
はまた陰極線管のスクリーン面の上側に透明なプラスチ
ックフィルムを接合するようにしている。ここでプラス
チックフィルムの表面には上記ＡＲＡＳ膜を構成する多
層薄膜を形成するようにしており、これによってガラス
基材の表面に直接ＡＲＡＳ膜を形成したのと同じ機能を
達成するようにしている。
【０００３】このように陰極線管のガラス基材の表面
に、あるいはまたプラスチックフィルムを介してＡＲＡ
Ｓ膜を形成するようにした表示装置において、機能膜の
内の電磁波シールド等の目的で導電性を有する膜につい
ては、このような導電層をアースに落す必要がある。と
ころが従来は多層膜により構成される機能膜で導電性を
有するものの内最外層が導電膜でない場合には、アース
をとるための確実な方法がなく、半田を溶かして機能膜
上に盛り、下層の導電層との導電をとることによって電
極を形成していた。
に、あるいはまたプラスチックフィルムを介してＡＲＡ
Ｓ膜を形成するようにした表示装置において、機能膜の
内の電磁波シールド等の目的で導電性を有する膜につい
ては、このような導電層をアースに落す必要がある。と
ころが従来は多層膜により構成される機能膜で導電性を
有するものの内最外層が導電膜でない場合には、アース
をとるための確実な方法がなく、半田を溶かして機能膜
上に盛り、下層の導電層との導電をとることによって電
極を形成していた。
【０００４】すなわち図５に示すように、下側から第１
層１、第２層２、および第３層３から成る３層構造の機
能膜を陰極線管のスクリーン面を構成するガラス基材４
上に形成し、中間の導電層から成る第２層２をアースに
落す場合に、機能膜の上から半田５を溶かして機能膜上
に盛り、導電層２との間で導通をとり、このような半田
５を電極として導電層２を接地するようにしていた。
層１、第２層２、および第３層３から成る３層構造の機
能膜を陰極線管のスクリーン面を構成するガラス基材４
上に形成し、中間の導電層から成る第２層２をアースに
落す場合に、機能膜の上から半田５を溶かして機能膜上
に盛り、導電層２との間で導通をとり、このような半田
５を電極として導電層２を接地するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すような従来
の半田５による接地用電極の形成は、必ずしも十分な信
頼性が得られないという問題があった。すなわち中間層
を構成する導電層２と半田５との電気的な接続が必ずし
も確実でなく、このために導電層２を確実にアースに落
すことができないという問題があった。
の半田５による接地用電極の形成は、必ずしも十分な信
頼性が得られないという問題があった。すなわち中間層
を構成する導電層２と半田５との電気的な接続が必ずし
も確実でなく、このために導電層２を確実にアースに落
すことができないという問題があった。
【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、とくに機能膜を構成する多層膜の内の
内側の任意の膜を露出させるようにし、これによって該
膜に確実に電極を形成することが可能な機能膜の表面処
理方法を提供することを目的とするものである。
たものであって、とくに機能膜を構成する多層膜の内の
内側の任意の膜を露出させるようにし、これによって該
膜に確実に電極を形成することが可能な機能膜の表面処
理方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の一発明は、２層以
上の多層膜が形成された機能膜の表面処理方法におい
て、最下層よりも上側の膜の一部をエッチングによって
除去することを特徴とする機能膜の表面処理方法に関す
るものである。
上の多層膜が形成された機能膜の表面処理方法におい
て、最下層よりも上側の膜の一部をエッチングによって
除去することを特徴とする機能膜の表面処理方法に関す
るものである。
【０００８】本願の別の発明は、２層以上の多層膜が形
成された機能膜の表面処理方法において、最外層の膜の
一部をエッチングによって除去することを特徴とする機
能膜の表面処理方法に関するものである。
成された機能膜の表面処理方法において、最外層の膜の
一部をエッチングによって除去することを特徴とする機
能膜の表面処理方法に関するものである。
【０００９】本願のさらに別の発明は、最外層が非導電
層で、その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜
の表面処理方法において、前記導電層の上側の層である
前記非導電層の一部をエッチングによって除去すること
により導電層を露出させることを特徴とする機能膜の表
面処理方法に関するものである。
層で、その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜
の表面処理方法において、前記導電層の上側の層である
前記非導電層の一部をエッチングによって除去すること
により導電層を露出させることを特徴とする機能膜の表
面処理方法に関するものである。
【００１０】ここで機能膜が反射防止および／または電
磁波シールド膜であってよい。また機能膜が表示装置の
スクリーン面の反射防止および／または電磁波シールド
膜であってよい。
磁波シールド膜であってよい。また機能膜が表示装置の
スクリーン面の反射防止および／または電磁波シールド
膜であってよい。
【００１１】また一部の膜を除去するエッチングがドラ
イエッチングであってよい。あるいはまた上記エッチン
グが反応性イオンエッチングであってよい。また機能膜
の外表面であってエッチングを行なう部分のみを真空チ
ャンバにより真空状態としてよい。またエッチングが大
気圧プラズマプロセスであってよい。
イエッチングであってよい。あるいはまた上記エッチン
グが反応性イオンエッチングであってよい。また機能膜
の外表面であってエッチングを行なう部分のみを真空チ
ャンバにより真空状態としてよい。またエッチングが大
気圧プラズマプロセスであってよい。
【００１２】本願のさらに別の発明は、２層以上の多層
膜が形成された機能膜において、最下層よりも上側の膜
の一部をエッチングによって除去する表面処理を施すこ
とを特徴とする機能膜に関するものである。
膜が形成された機能膜において、最下層よりも上側の膜
の一部をエッチングによって除去する表面処理を施すこ
とを特徴とする機能膜に関するものである。
【００１３】本願のさらに別の発明は、２層以上の多層
膜が形成された機能膜において、最外層の膜の一部をエ
ッチングによって除去する表面処理を施すことを特徴と
する機能膜に関するものである。
膜が形成された機能膜において、最外層の膜の一部をエ
ッチングによって除去する表面処理を施すことを特徴と
する機能膜に関するものである。
【００１４】本願のさらに別の発明は、最外層が非導電
層で、その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜
において、前記導電層の上側の層である前記非導電層の
一部をエッチングによって除去することにより導電層を
露出させる表面処理を施すことを特徴とする機能膜に関
するものである。
層で、その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜
において、前記導電層の上側の層である前記非導電層の
一部をエッチングによって除去することにより導電層を
露出させる表面処理を施すことを特徴とする機能膜に関
するものである。
【００１５】ここで機能膜が反射防止および／または電
磁波シールド膜であってよい。また機能膜が表示装置の
スクリーン面の反射防止および／または電磁波シールド
膜であってよい。またエッチングがドライエッチングで
あってよい。またエッチングが反応性イオンエッチング
であってよい。また機能膜の外表面であってエッチング
を行なう部分のみを真空チャンバにより真空状態として
よい。またエッチングが大気圧プラズマプロセスであっ
てよい。
磁波シールド膜であってよい。また機能膜が表示装置の
スクリーン面の反射防止および／または電磁波シールド
膜であってよい。またエッチングがドライエッチングで
あってよい。またエッチングが反応性イオンエッチング
であってよい。また機能膜の外表面であってエッチング
を行なう部分のみを真空チャンバにより真空状態として
よい。またエッチングが大気圧プラズマプロセスであっ
てよい。
【００１６】本発明の好ましい態様は、最外層が非導電
層である２層以上の多層膜が形成された機能膜におい
て、導電層の上側の膜の一部をエッチングによって除去
することにより導電層を露出させるようにしたものであ
る。ここでエッチングがドライエッチングまたは反応性
エッチングであってよい。また機能膜の面内の内のエッ
チングを行なう部分のみを真空チャンバによって真空状
態としてよい。
層である２層以上の多層膜が形成された機能膜におい
て、導電層の上側の膜の一部をエッチングによって除去
することにより導電層を露出させるようにしたものであ
る。ここでエッチングがドライエッチングまたは反応性
エッチングであってよい。また機能膜の面内の内のエッ
チングを行なう部分のみを真空チャンバによって真空状
態としてよい。
【００１７】このような発明の態様によれば、機能膜を
構成する１層から成る導電層を確実に露出させることが
可能になるために、このような露出された部分にアース
をとるための電極を形成し、これによって導電層を確実
にアースに落すことが可能になる。また電極として必要
な部分のみを真空状態にしたり、エッチング液槽に漬け
ることによって、装置を小型にすることができ、短時間
での処理が可能になる。
構成する１層から成る導電層を確実に露出させることが
可能になるために、このような露出された部分にアース
をとるための電極を形成し、これによって導電層を確実
にアースに落すことが可能になる。また電極として必要
な部分のみを真空状態にしたり、エッチング液槽に漬け
ることによって、装置を小型にすることができ、短時間
での処理が可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１〜図３は本発明の一実施の形
態に係る機能膜の表面処理方法を示すものであって、こ
こでは陰極線管のスクリーン面を構成するガラス基材１
０上に形成された機能膜を表面処理するようにしてい
る。すなわち図１に示すように、陰極線管のスクリーン
面上には、そのガラス基材１０の表面に直接第１層１
１、第２層１２、第３層１３、および第４層１４が順次
形成されており、これらの４層１１〜１４によって機能
膜が形成されている。
態に係る機能膜の表面処理方法を示すものであって、こ
こでは陰極線管のスクリーン面を構成するガラス基材１
０上に形成された機能膜を表面処理するようにしてい
る。すなわち図１に示すように、陰極線管のスクリーン
面上には、そのガラス基材１０の表面に直接第１層１
１、第２層１２、第３層１３、および第４層１４が順次
形成されており、これらの４層１１〜１４によって機能
膜が形成されている。
【００１９】すなわちこれら４層１１〜１４の内の第３
層１３が電磁波シールドのための導電層を構成してお
り、ＩＴＯ層から構成されている。そしてその外側であ
って機能膜の最外層を構成する第４層１４が非導電層で
あって、ＳｉＯ2 層を構成している。第４層によって機
能膜に反射防止の機能が付与され、このために陰極線管
は非常に見易いスクリーン面を有することになる。すな
わち陰極線管のスクリーン面の表面に機能膜を形成する
ことによって、反射防止および電磁波シールドの機能を
有するＡＲＡＳ膜が形成されることになる。
層１３が電磁波シールドのための導電層を構成してお
り、ＩＴＯ層から構成されている。そしてその外側であ
って機能膜の最外層を構成する第４層１４が非導電層で
あって、ＳｉＯ2 層を構成している。第４層によって機
能膜に反射防止の機能が付与され、このために陰極線管
は非常に見易いスクリーン面を有することになる。すな
わち陰極線管のスクリーン面の表面に機能膜を形成する
ことによって、反射防止および電磁波シールドの機能を
有するＡＲＡＳ膜が形成されることになる。
【００２０】上述の機能膜の内の第３層１３は導電層か
ら構成されており、このような導電層が電磁シールドを
行なうためには、この第３層がアースされなければなら
ない。そこで図２に示すような真空槽２０を用いてプラ
ズマエッチングの方法により最外層１４の一部を除去
し、導電層から成る第３層１３の一部を露出させるよう
にしている。
ら構成されており、このような導電層が電磁シールドを
行なうためには、この第３層がアースされなければなら
ない。そこで図２に示すような真空槽２０を用いてプラ
ズマエッチングの方法により最外層１４の一部を除去
し、導電層から成る第３層１３の一部を露出させるよう
にしている。
【００２１】真空槽２０はその内部に支持板２１を介し
てエッチング電極２２を備えるとともに、排気弁２３に
よって真空ポンプと接続されている。また給気弁２４を
介してエッチングガス源と接続されている。またこの真
空槽２０はその下部に比較的面積の小さな開口２８を備
えるとともに、この開口２８よりも外側において外表面
に臨むようにＯリング２９が装着されている。
てエッチング電極２２を備えるとともに、排気弁２３に
よって真空ポンプと接続されている。また給気弁２４を
介してエッチングガス源と接続されている。またこの真
空槽２０はその下部に比較的面積の小さな開口２８を備
えるとともに、この開口２８よりも外側において外表面
に臨むようにＯリング２９が装着されている。
【００２２】従ってこのようなＯリング２９が装着され
ている開口２８を基材１０上に形成された機能膜上に当
てがい、真空槽２０内を真空ポンプによって真空吸引す
るとともに、空気に代えて真空槽２０内にエッチングガ
スを導入する。そしてエッチング電極２２によって電圧
を印加することにより、真空槽２０内にプラズマ３３を
発生させる。そしてこのようなプラズマ３３によって開
口２８を通して機能膜の最外層を構成する第４層１４の
一部を除去することによって、図３に示すような導電層
露出部３４を形成することが可能になる。
ている開口２８を基材１０上に形成された機能膜上に当
てがい、真空槽２０内を真空ポンプによって真空吸引す
るとともに、空気に代えて真空槽２０内にエッチングガ
スを導入する。そしてエッチング電極２２によって電圧
を印加することにより、真空槽２０内にプラズマ３３を
発生させる。そしてこのようなプラズマ３３によって開
口２８を通して機能膜の最外層を構成する第４層１４の
一部を除去することによって、図３に示すような導電層
露出部３４を形成することが可能になる。
【００２３】このように本実施の形態の機能膜の表面処
理方法は、陰極線管のスクリーン面上に形成された反射
防止および電磁波シールドのためのＡＲＡＳ膜の表面処
理に関するものであって、基材であるガラス１０上に形
成されている多層薄膜の内の最外層１４が非導電層であ
るＳｉＯ2 膜から形成されるとともに、その下側の第３
層１３が導電層であるＩＴＯ膜となっている。本実施の
形態においては最外層を構成する第４層１４のＳｉＯ2
膜を反応性イオンエッチングによって部分的に除去し、
ＩＴＯ膜１３を部分的に露出させるようにしている。
理方法は、陰極線管のスクリーン面上に形成された反射
防止および電磁波シールドのためのＡＲＡＳ膜の表面処
理に関するものであって、基材であるガラス１０上に形
成されている多層薄膜の内の最外層１４が非導電層であ
るＳｉＯ2 膜から形成されるとともに、その下側の第３
層１３が導電層であるＩＴＯ膜となっている。本実施の
形態においては最外層を構成する第４層１４のＳｉＯ2
膜を反応性イオンエッチングによって部分的に除去し、
ＩＴＯ膜１３を部分的に露出させるようにしている。
【００２４】真空槽２０の内部には上述の如くエッチン
グ電極２２が配されている。エッチング電極２２は図示
をしていないエッチング用電源と接続されている。また
真空槽２０には排気弁２３を介して真空ポンプが接続さ
れている。さらに真空槽２０は図示を省略した昇降手段
によって図面中上下方向に昇降可能に支持されている。
また真空槽２０の下部には開口部２８が設けられるとと
もに、Ｏリング２９が取付けられている。このＯリング
２９が図２に示すように被加工物と密着することによっ
て、真空槽２０が密閉される。真空槽２０にはガス導入
用の給気弁２４が接続されており、ＳｉＯ2 膜１４の反
応性エッチングを行なう際の反応ガスであるＣＦ4 ガス
が真空槽２０内に導入できるようにしている。
グ電極２２が配されている。エッチング電極２２は図示
をしていないエッチング用電源と接続されている。また
真空槽２０には排気弁２３を介して真空ポンプが接続さ
れている。さらに真空槽２０は図示を省略した昇降手段
によって図面中上下方向に昇降可能に支持されている。
また真空槽２０の下部には開口部２８が設けられるとと
もに、Ｏリング２９が取付けられている。このＯリング
２９が図２に示すように被加工物と密着することによっ
て、真空槽２０が密閉される。真空槽２０にはガス導入
用の給気弁２４が接続されており、ＳｉＯ2 膜１４の反
応性エッチングを行なう際の反応ガスであるＣＦ4 ガス
が真空槽２０内に導入できるようにしている。
【００２５】最外層１４のＳｉＯ2 膜をエッチングする
際のエッチングの動作を説明する。真空槽２０の下側に
搬送手段によって被加工物であるＣＲＴが搬送されかつ
位置決めされる。ＣＲＴのガラス基材１０上には多層薄
膜１１〜１４が形成されており、最外層が非導電層であ
るＳｉＯ2 膜から構成され、その下側に導電層であるＩ
ＴＯ膜１３が形成されている。
際のエッチングの動作を説明する。真空槽２０の下側に
搬送手段によって被加工物であるＣＲＴが搬送されかつ
位置決めされる。ＣＲＴのガラス基材１０上には多層薄
膜１１〜１４が形成されており、最外層が非導電層であ
るＳｉＯ2 膜から構成され、その下側に導電層であるＩ
ＴＯ膜１３が形成されている。
【００２６】陰極線管が位置決めされた後に真空槽２０
が昇降手段によって下降し、開口部２８がＳｉＯ2 層１
４と密着する。このような状態において排気弁２３を開
放し、真空槽２０内を排気する。真空槽２０が所定の真
空度になったところでガス導入用の給気弁２４を開き、
ＣＦ4 ガスを真空槽２０内に導入する。
が昇降手段によって下降し、開口部２８がＳｉＯ2 層１
４と密着する。このような状態において排気弁２３を開
放し、真空槽２０内を排気する。真空槽２０が所定の真
空度になったところでガス導入用の給気弁２４を開き、
ＣＦ4 ガスを真空槽２０内に導入する。
【００２７】このような状態において真空層２０内のエ
ッチング電極２２内に電圧を印加すると、真空槽２０内
にプラズマ３３が発生し、ＳｉＯ2 層１４の反応性エッ
チングが開始される。エッチングが進行するとＳｉＯ2
層１４が次第に除去され、これに応じてＩＴＯ層１３が
露出したところで反応を停止するためにエッチングを終
了する。すなわちエッチング電極２２に対する電源を遮
断し、ガス導入用の給気弁２４を閉じるとともに、排気
バルブ２３を閉じた状態で図示を省略したリークバルブ
を開くことによって、真空槽２０内に大気を導入する。
真空槽２０内が大気圧になった状態で真空槽２０を上昇
させ、陰極線管を次工程へ搬送する。
ッチング電極２２内に電圧を印加すると、真空槽２０内
にプラズマ３３が発生し、ＳｉＯ2 層１４の反応性エッ
チングが開始される。エッチングが進行するとＳｉＯ2
層１４が次第に除去され、これに応じてＩＴＯ層１３が
露出したところで反応を停止するためにエッチングを終
了する。すなわちエッチング電極２２に対する電源を遮
断し、ガス導入用の給気弁２４を閉じるとともに、排気
バルブ２３を閉じた状態で図示を省略したリークバルブ
を開くことによって、真空槽２０内に大気を導入する。
真空槽２０内が大気圧になった状態で真空槽２０を上昇
させ、陰極線管を次工程へ搬送する。
【００２８】これによって図３に示すように陰極線管の
スクリーン面を構成するガラス基材１０の機能膜上に導
電層露出部３４が形成されることになる。従って次工程
においてエッチングで露出したＩＴＯ膜部１３に導電テ
ープを貼ることによって、導電層１３を例えばＣＲＴの
筐体とアースをとることが可能になる。
スクリーン面を構成するガラス基材１０の機能膜上に導
電層露出部３４が形成されることになる。従って次工程
においてエッチングで露出したＩＴＯ膜部１３に導電テ
ープを貼ることによって、導電層１３を例えばＣＲＴの
筐体とアースをとることが可能になる。
【００２９】なお本実施の形態は被加工物として陰極線
管のガラス面上に直接多層膜から成る機能膜を形成した
例を示したが、プラスチックフィルム上に多層薄膜を形
成するようにしてもかまわない。図４はこのような構成
を示しており、プラスチックフィルム４０上に上記実施
の形態と同様に第１層１１、第２層１２、第３層１３、
および第４層１４を順次形成している。そして最外層で
ある第４層１４を上記実施の形態と同様の方法によって
エッチングにより除去し、導電層露出部３４を形成する
ようにしている。
管のガラス面上に直接多層膜から成る機能膜を形成した
例を示したが、プラスチックフィルム上に多層薄膜を形
成するようにしてもかまわない。図４はこのような構成
を示しており、プラスチックフィルム４０上に上記実施
の形態と同様に第１層１１、第２層１２、第３層１３、
および第４層１４を順次形成している。そして最外層で
ある第４層１４を上記実施の形態と同様の方法によって
エッチングにより除去し、導電層露出部３４を形成する
ようにしている。
【００３０】また上記実施の形態においては、ＳｉＯ2
膜１４の反応性イオンエッチング用のガスとしてＣＦ4
ガスを使用しているが、Ｃ2 Ｆ6 やＣＨＦ3 等のガスを
用いるようにしてもよい。また本実施の形態においては
ＳｉＯ2 膜１４を反応性エッチングによって除去加工す
る例を示しているが、他の膜であってもそれに応じた反
応ガスを選択すればよい。また本実施の形態においては
反応ガスを用いた反応性イオンエッチングの例を示した
が、例えばアルゴンガスのみの非反応性エッチングであ
ってもよい。また本実施の形態は真空槽２０内における
真空中でのドライエッチングの例を示したが、エッチン
グ液を用いたウエットエッチングによって非導電層１４
を部分的に除去するようにしてもよい。また真空中では
なく大気圧でのプラズマを利用したエッチングによって
非導電層１４を部分的に除去するようにしてもよい。
膜１４の反応性イオンエッチング用のガスとしてＣＦ4
ガスを使用しているが、Ｃ2 Ｆ6 やＣＨＦ3 等のガスを
用いるようにしてもよい。また本実施の形態においては
ＳｉＯ2 膜１４を反応性エッチングによって除去加工す
る例を示しているが、他の膜であってもそれに応じた反
応ガスを選択すればよい。また本実施の形態においては
反応ガスを用いた反応性イオンエッチングの例を示した
が、例えばアルゴンガスのみの非反応性エッチングであ
ってもよい。また本実施の形態は真空槽２０内における
真空中でのドライエッチングの例を示したが、エッチン
グ液を用いたウエットエッチングによって非導電層１４
を部分的に除去するようにしてもよい。また真空中では
なく大気圧でのプラズマを利用したエッチングによって
非導電層１４を部分的に除去するようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、２層以上の多層
膜が形成された機能膜の表面処理方法において、最下層
よりも上側の膜の一部をエッチングによって除去するよ
うにしたものである。
膜が形成された機能膜の表面処理方法において、最下層
よりも上側の膜の一部をエッチングによって除去するよ
うにしたものである。
【００３２】従って最下層よりも上側の膜の一部を任意
に除去することが可能になる。
に除去することが可能になる。
【００３３】別の発明は、２層以上の多層膜が形成され
た機能膜の表面処理方法において、最外層の膜の一部を
エッチングによって除去するようにしたものである。
た機能膜の表面処理方法において、最外層の膜の一部を
エッチングによって除去するようにしたものである。
【００３４】従ってこのような構成によれば、最外層の
膜の一部が除去されることになり、その下側の膜の所望
の部位を露出させることが可能になる。
膜の一部が除去されることになり、その下側の膜の所望
の部位を露出させることが可能になる。
【００３５】さらに別の発明は、最外層が非導電層で、
その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜の表面
処理方法において、導電層の上側の層である非導電層の
一部をエッチングによって除去することにより導電層を
露出させるようにしたものである。
その下側に導電層が形成された２層以上の多層膜の表面
処理方法において、導電層の上側の層である非導電層の
一部をエッチングによって除去することにより導電層を
露出させるようにしたものである。
【００３６】従ってこのような構成によれば、非導電層
の下側の導電層が部分的に露出することになり、このよ
うな導電層に容易に電極を形成することが可能になる。
またこのような電極を用いて導電層を接地できるように
なり、信頼性の高い接地が達成される。
の下側の導電層が部分的に露出することになり、このよ
うな導電層に容易に電極を形成することが可能になる。
またこのような電極を用いて導電層を接地できるように
なり、信頼性の高い接地が達成される。
【図１】エッチングを行なうための真空槽の構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】真空槽によるエッチングの状態を示す縦断面図
である。
である。
【図３】エッチングによって最外層の一部が除去された
陰極線管の機能膜の縦断面図である。
陰極線管の機能膜の縦断面図である。
【図４】プラスチックフィルム上に形成された機能膜の
一部をエッチングした状態を示す縦断面図である。
一部をエッチングした状態を示す縦断面図である。
【図５】従来の電極の形成方法を示す陰極線管のスクリ
ーン面上の機能膜の拡大断面図である。
ーン面上の機能膜の拡大断面図である。
１‥‥第１層、２‥‥第２層（導電層）、３‥‥第３層
（非導電層）、４‥‥基材（ガラス）、５‥‥半田、１
０‥‥基材（ガラス）、１１‥‥第１層、１２‥‥第２
層、１３‥‥第３層（導電層、ＩＴＯ層）、１４‥‥第
４層（非導電層、ＳｉＯ2 層）、２０‥‥真空槽、２１
‥‥支持板、２２‥‥エッチング電極、２３‥‥排気
弁、２４‥‥給気弁、２８‥‥開口、２９‥‥Ｏリン
グ、３３‥‥プラズマ、３４‥‥導電層露出部、４０‥
‥プラスチックフィルム
（非導電層）、４‥‥基材（ガラス）、５‥‥半田、１
０‥‥基材（ガラス）、１１‥‥第１層、１２‥‥第２
層、１３‥‥第３層（導電層、ＩＴＯ層）、１４‥‥第
４層（非導電層、ＳｉＯ2 層）、２０‥‥真空槽、２１
‥‥支持板、２２‥‥エッチング電極、２３‥‥排気
弁、２４‥‥給気弁、２８‥‥開口、２９‥‥Ｏリン
グ、３３‥‥プラズマ、３４‥‥導電層露出部、４０‥
‥プラスチックフィルム
Claims (18)
- 【請求項１】２層以上の多層膜が形成された機能膜の表
面処理方法において、 最下層よりも上側の膜の一部をエッチングによって除去
することを特徴とする機能膜の表面処理方法。 - 【請求項２】２層以上の多層膜が形成された機能膜の表
面処理方法において、 最外層の膜の一部をエッチングによって除去することを
特徴とする機能膜の表面処理方法。 - 【請求項３】最外層が非導電層で、その下側に導電層が
形成された２層以上の多層膜の表面処理方法において、 前記導電層の上側の層である前記非導電層の一部をエッ
チングによって除去することにより導電層を露出させる
ことを特徴とする機能膜の表面処理方法。 - 【請求項４】機能膜が反射防止および／または電磁波シ
ールド膜であることを特徴とする請求項３に記載の機能
膜の表面処理方法。 - 【請求項５】機能膜が表示装置のスクリーン面の反射防
止および／または電磁波シールド膜であることを特徴と
する請求項３に記載の機能膜の表面処理方法。 - 【請求項６】エッチングがドライエッチングであること
を特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の機能膜の表
面処理方法。 - 【請求項７】エッチングが反応性イオンエッチングであ
ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の機能
膜の表面処理方法。 - 【請求項８】機能膜の外表面であってエッチングを行な
う部分のみを真空チャンバにより真空状態とすることを
特徴とする請求項６または請求項７に記載の機能膜の表
面処理方法。 - 【請求項９】エッチングが大気圧プラズマプロセスであ
ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の機能
膜の表面処理方法。 - 【請求項１０】２層以上の多層膜が形成された機能膜に
おいて、 最下層よりも上側の膜の一部をエッチングによって除去
する表面処理を施すことを特徴とする機能膜。 - 【請求項１１】２層以上の多層膜が形成された機能膜に
おいて、 最外層の膜の一部をエッチングによって除去する表面処
理を施すことを特徴とする機能膜。 - 【請求項１２】最外層が非導電層で、その下側に導電層
が形成された２層以上の多層膜において、 前記導電層の上側の層である前記非導電層の一部をエッ
チングによって除去することにより導電層を露出させる
表面処理を施すことを特徴とする機能膜。 - 【請求項１３】機能膜が反射防止および／または電磁波
シールド膜であることを特徴とする請求項１２に記載の
機能膜。 - 【請求項１４】機能膜が表示装置のスクリーン面の反射
防止および／または電磁波シールド膜であることを特徴
とする請求項１２に記載の機能膜。 - 【請求項１５】エッチングがドライエッチングであるこ
とを特徴とする請求項１０〜１４の何れかに記載の機能
膜。 - 【請求項１６】エッチングが反応性イオンエッチングで
あることを特徴とする請求項１０〜１４の何れかに記載
の機能膜。 - 【請求項１７】機能膜の外表面であってエッチングを行
なう部分のみを真空チャンバにより真空状態とすること
を特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の機能
膜。 - 【請求項１８】エッチングが大気圧プラズマプロセスで
あることを特徴とする請求項１０〜１４の何れかに記載
の機能膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11009786A JP2000212779A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 機能膜の表面処理方法および表面処理を施した機能膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11009786A JP2000212779A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 機能膜の表面処理方法および表面処理を施した機能膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212779A true JP2000212779A (ja) | 2000-08-02 |
Family
ID=11729921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11009786A Pending JP2000212779A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 機能膜の表面処理方法および表面処理を施した機能膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000212779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007023828A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Toray Industries, Inc. | 平面ディスプレイ部材およびその製造方法並びに平面ディスプレイおよびその製造方法 |
| WO2008029709A1 (fr) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Toray Industries, Inc. | Filtre d'affichage et son procédé de fabrication, et procédé de fabrication d'un affichage |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP11009786A patent/JP2000212779A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007023828A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Toray Industries, Inc. | 平面ディスプレイ部材およびその製造方法並びに平面ディスプレイおよびその製造方法 |
| US7973875B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-07-05 | Toray Advanced Film Co., Ltd | Flat-panel display member and its manufacturing method and flat-panel display and its manufacturing method |
| WO2008029709A1 (fr) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Toray Industries, Inc. | Filtre d'affichage et son procédé de fabrication, et procédé de fabrication d'un affichage |
| JPWO2008029709A1 (ja) * | 2006-09-06 | 2010-01-21 | 東レ株式会社 | ディスプレイ用フィルター及びその製造方法並びにディスプレイの製造方法 |
| JP4650812B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-03-16 | 東レフィルム加工株式会社 | ディスプレイ用フィルター及びその製造方法並びにディスプレイの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |