JP3826214B2 - 高開口率及び高透過率液晶表示装置 - Google Patents
高開口率及び高透過率液晶表示装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に画質特性の改善された液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶表示装置の視野角特性を補償するために提案されたものである（Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｂｅｈａｖｉｏｕｒ ｗｉｔｈ ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ， Ａｓｉａ ｄｉｓｐｌａｙ ９５， ｐ５７７〜５８０）。
【０００３】
この様なＩＰＳ液晶表示装置は、図１に示すように、液晶分子３ａを駆動させる電極２ａ、２ｂを共に下部基板１に設け、下部基板１と上部基板（図示せず）の間の距離よりも電極２ａ、２ｂ間の距離を大きくする。これにより、下部基板１面と平行な電界を形成するようにする。このとき、電極２ａ、２ｂはＭｏＷ、Ａｌ等のような不透明金属膜で形成される。尚、図１において符号Ｒは、配向膜のラビング方向を示す。
【０００４】
液晶内の液晶分子は、公知のように、長軸と短軸の長さが相異して屈折率異方性Δｎを有し、見る方向によって屈折率異方性Δｎが変化する。これにより、極角が０゜付近で方位角が０゜、９０゜、１８０゜、２７０゜付近では白にも拘わらず所定の色相が現れる。
こうした現象をカラーシフトといい、これは次の式１によって詳細に説明される。
Ｔ≒Ｔ０ｓｉｎ２（２χ）・ｓｉｎ２（π・Δｎｄ／λ）・・・・（式１）
Ｔ： 透過率
Ｔ０： 参照（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）光に対する透過率
χ： 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角
Δｎ： 屈折率異方性
ｄ： 上部及び下部基板間の距離またはギャップ（液晶層厚）
λ： 入射される光波長
前記式１によれば、最大透過率Ｔを得るために、χがπ／４であるか、あるいはΔｎｄ／λがπ／２となるべきである。この時、Δｎｄが変化すると（液晶分子の屈折率異方性値は見る方向によって変化する。）、λ値はπ／２を満足させる為に変化する。これによって、変化した光波長λに該当する色相が画面に現れる。
【０００５】
したがって、液晶分子の短軸に向かって見る方向αでは、Δｎが減少するにつれて、最大透過率に至るための入射光の波長は相対的に短くなる。これにより、視認者は白の波長よりも短い波長を有する青色を見ることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一方、液晶分子の短軸に向かって見る方向βでは、Δｎが増大するにつれて、入射光の波長は相対的に長くなる。これにより、視認者は白の波長よりも長い波長を有する黄色を見ることになる。このため、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下してしまう。
【０００７】
また、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、電極２ａ、２ｂが不透明金属膜で形成されるので、開口面積が減少し、透過率が低下する。この結果から適当な輝度を得るためには、強いバックライトを使用すべきなので、消費電力が大きくなるという問題点が生じる。
【０００８】
この様な問題点を解決するため、電極２ａ、２ｂを透明物質で形成する方法が提案された。この方法では、開口率面を少し増大させることができても、透過率面ではあまり優れない。
【０００９】
すなわち、横電界（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｆｉｅｌｄ）を形成するには、前述したように、電極２ａ、２ｂ間の距離ｌを上部及び下部基板間の距離より大きくし、適当な強さの電界を得るため、電極２ａ、２ｂの幅Ｗを、例えば１０〜２０μｍ程度とする。しかし、この様な構造を有するため、電極２ａ、２ｂ間には基板と略平行な電界が形成されるが、広い幅を有する電極２ａ、２ｂの上部の大部分にある液晶分子には、電界が達することなく、等電位面が生じるようになる。これにより、電極上部の液晶分子が、電界印加時にも初期配列状態を維持するので、透過率は殆ど改善されない。
【００１０】
そこで、本発明は、前記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、画質特性を改善し、開口率及び透過率を得ることのできる開口率及び透過率液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成する本発明は、所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、
前記上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、
前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、
前記サブ画素内に形成される長方形板状のカウンタ電極と、
前記カウンタ電極の所定部分とオーバーラップするように形成される第１電極部と、前記第１電極部から斜線形に延長される第２電極部とを有する画素電極と、
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジスタと、
前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜と、
前記下部基板の外側面に配置された偏光子と前記上部基板の外側面に配置された検光子とを備え、
前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の第２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成される第２電極部は、前記選択されたサブ画素の第２電極部と対称をなすように配列され、
前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成され、
前記下部基板に形成される水平配向膜は、ゲートバスラインまたはデータバスラインと平行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラビングされ、
前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸は前記偏光子の偏光軸と垂直である
ことを特徴とする。
【００１２】
また、前記選択されたサブ画素空間のカウンタ電極と前記画素電極の第２電極部の間に形成される電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用いることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態１）図２は実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図、図３は実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【００１４】
図２を参照すると、下部ガラス基板１０上に赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂが限定される。サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂの各々には液晶駆動用第１電極１１が形成される。このとき、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂに形成される第１電極１１は斜線形である。ここで、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃは、同方向に指向するように配列され、緑サブ画素Ｇの第１電極１１ｂは、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃと対称な方向に配列される。各第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃは透明導電膜で形成され、所定幅Ｗ１を有する。
【００１５】
第２電極１２も赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ形成される。第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃは該サブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内の第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃとそれぞれ所定距離をおいて離隔されながら平行に配列される。第２電極１２も透明導電膜で形成される。このとき、第２電極１２は所定幅Ｗ２を有する。ここで、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔ｌは、第１及び第２電極の幅Ｗ１、Ｗ２より狭く、上下基板間の距離より狭く形成される。また、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃの幅Ｗ１、Ｗ２は、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間に発生する電界が電極１１、１２上部まで十分に達する程度である。
【００１６】
第１電極１１及び第２電極１２の形成された下部ガラス基板１０の上部には、液晶分子１３の初期配列を決定する配向膜（図示せず）が形成される。このとき、配向膜は水平配向膜であって、水平配向膜は図のｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビング処理され、電界の形成以前に、液晶分子１３の長軸がｘ軸方向（またはｙ軸方向）に指向するように配列される。
【００１７】
このように配列された第１電極１１及び第２電極１２間に電圧差が発生すると、電界Ｅ１、Ｅ２が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は第１及び第２電極１１、１２が斜線形に配列されて斜線形に形成される。また、赤及び青サブ画素に形成される電界Ｅ１と緑サブ画素に形成される電界Ｅ２は互いに対称をなす。
【００１８】
又、 液晶は電界Ｅ１、Ｅ２とラビング軸のなす角θによって選定される。すなわち、電界とラビング軸のなす角が、４５°〜９０°の場合、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°の場合、誘電率異方性が負の物質を用いる。
【００１９】
このように、電界とラビング軸のなす角によって液晶の誘電率異方性を選択することは最大透過率を得るためである。例えば、θが４５°〜９０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、図２のように、液晶分子１３はその長軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるので、最大透過率が達成される。
【００２０】
また、θが０°〜４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用い、図３のように、液晶分子１３はその短軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるので、最大透過率が達成される。
【００２１】
しかも、前述した電界が形成されると、図２または図３のように、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂでは液晶分子１３が時計方向（図３では反時計方向）に捻れ、緑サブ画素Ｇでは液晶分子１３が反時計方向（図３では時計方向）に捻れる。このとき、人間の目は一つのサブ画素だけが認知できないため、ユニット画素側面で見れば、液晶分子が二方向に分れて配列されたように見える。これにより、液晶分子１３の屈折率異方性が補償され、カラーシフトが発生しない。
【００２２】
また、第１及び第２電極１１、１２の上部にも十分に電界が達するので、電極上部にある液晶分子がともに動作して透過率及び開口率が改善される。
【００２３】
（実施の形態２）図４は、実施の形態２に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。図４を参照すれば、下部基板上に複数のゲートバスライン２１がｘ軸方向に配列され、複数のデータバスライン２２はｘ軸方向と実質的に垂直なｙ軸方向に配列され、それぞれのサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂを限定する。図４では、三つのサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂからなる一つのメーン画素空間を示すために、一対のゲートバスライン２１と三つのデータバスライン２２だけが図示されている。なお、一番目のサブ画素を赤サブ画素Ｒ、二番目のサブ画素を緑サブ画素Ｇ、三番目のサブ画素を青サブ画素Ｂという。
【００２４】ゲートバスライン２１及びデータバスライン２２間には、これら両ラインを絶縁させるためのゲート絶縁膜（図示せず）が介在される。また、前記ゲートバスライン１１とデータバスライン１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、導電特性に優れた不透明な金属膜、例えばＭｏＷ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉの一つの金属膜で形成されている。
【００２５】
カウンタ電極２３はそれぞれのサブ画素に形成される。カウンタ電極２３はゲートバスライン２１及びデータバスライン２２とそれぞれ所定間隔をおいて離隔されて配置される。ここで、それぞれのカウンタ電極２３は、図５に示すように、全体的に長方形枠状を持つ本体２３ａと、本体２３ａに囲まれた空間を所定個に区画する斜線形ブランチ２３ｂとを有する。
【００２６】
ここで、斜線形ブランチ２３ｂの延長方向はサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ別に異なるが、各画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内での斜線形ブランチ２３ｂはともに平行である。ある一つのサブ画素空間内の斜線形ブランチ２３ｂの延長方向と、そのサブ画素空間の上下左右隣接したサブ画素空間内のブランチ２３ｂの延長方向とは互いに対称に配置するのが望ましい。例えば、図５のように、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂ内のブランチ２３ｂはｘ軸とθだけの角度をなし、緑サブ画素空間Ｇ内のブランチ２３ｂはｘ軸にθ＋９０だけの角度をなす。カウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂは等間隔に配置され、それらの幅は約２〜４μｍ程度になるようにする。
【００２７】
画素電極２４はカウンタ電極２３の上部にオーバーラップする。画素電極２４は、カウンタ電極２３の本体２３ａの所定部分とオーバーラップする第１電極部２４ａと、第１電極部２４ａからカウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂ間に配置されるように延長される斜線形の第２電極部２４ｂとを有する。ここで、第２電極部２４ｂは各サブ画素に該カウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂと平行に配列される。
【００２８】
このとき、画素電極２４の第１電極部２４ａは全て、同一サブ画素空間内の第２電極部２４ｂとコンタクトされる。よって、第１電極部２４ａは、例えば実施の形態において、赤及び青サブ画素空間Ｒ、ＢではＬ字形状に形成され、緑サブ画素空間ＧではＬ字形状を時計方向に９０°だけ回転させた形状に形成される。ここで、画素電極２４の第１電極部２４ａの幅はカウンタ電極２３の本体２３ａの幅より狭いか同一であり、第２電極部２４ｂの幅はカウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂと同一であるのが望ましい。しかも、斜線形ブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂ間の距離は、約０．５〜３μｍとなるようにし、実施の形態では１μｍとする。また、斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの間の距離は、前記斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの幅より小さく形成される。
【００２９】
画素電極２４の第２電極部２４ｂの端部はカウンタ電極２３の本体２３ａと鈍角をなす方向に曲げられる。これは、エッジ部に発生する寄生電界をなくすためである。ここで、カウンタ電極２３と画素電極２４はともに透明導電膜、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）物質で形成されるのが望ましい。
【００３０】
ゲートバスライン２１とデータバスライン２２との交点部分には薄膜トランジスタ２５を備える。このとき、薄膜トランジスタ２５は、スイッチング素子であって、ゲートバスライン２１の選択時、データバスライン２２の信号を画素電極２４に伝達する役割を果たす。
【００３１】
共通電極線２６はカウンタ電極２３の所定部分とコンタクトするように配列される。このとき、共通電極線２６はゲートバスライン２１と平行に配置される。ここで、共通電極線２６は、信号遅延が発生しないように、導電性に優れた不透明金属からなり、カウンタ電極２３のそれぞれに共通信号を伝達する。
【００３２】
水平配向膜（図示せず）は下部基板の結果物上部に塗布される。このとき、配向膜はｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビングされる。ここで、符号２７はラビング軸方向を示す。
【００３３】
上部基板（図示せず）は下部基板と所定距離をおいて対向するように設置され、上部基板及び下部基板間には液晶層（図示せず）が介在される。ここで、上部基板及び下部基板間のセルギャップは６μｍ以下程度である。また、液晶層の誘電率異方性は、前記実施の形態１で説明したように、電界の方向によって決定される。実施の形態では、電界とｘ軸のなす角が４５°以下になるように電極を配置し、誘電率異方性が負の液晶を用いる。上部基板（図示せず）の内側表面にも配向膜（図示せず）が形成されるが、この上部基板側配向膜（以下、上部配向膜という）は、前記下部基板側配向膜（以下、下部配向膜という）のラビング軸と逆平行（ａｎｔｉ−ｐａｒａｌｌｅｌ）なラビング軸を持つ。
【００３４】
偏光子（図示せず）は下部基板の外側面に付着され、検光子（図示せず）は上部基板の外側面に付着される。ここで、偏光子の偏光軸は下部基板の配向膜のラビング軸と一致するように付着され、検光子の偏光軸は下部偏光板の偏光軸と交叉する方向に付着される。
【００３５】この様な液晶表示装置の動作は次の通りである。まず、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に電界が形成されない場合には、液晶分子の長軸が一律的にラビング軸に沿って配列される。偏光子を通過した光は液晶を通過するようになって偏光状態が変化しない。これにより、液晶を通過した光は偏光軸と交叉配置された偏光軸を持つ検光子が通過できなくなるので、画面は黒となる。
【００３６】
一方、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に所定の電圧差が発生されると、カウンタ電極２３のブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間に電界が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は該サブ画素空間のブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂと法線形に形成される。すなわち、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂにはｘ軸とθ１＋９０°だけの角度をなす電界Ｅ１が形成され、緑サブ画素空間Ｇにはｘ軸とθ１だけの角度をなす電界Ｅ２が形成される。
【００３７】このため、赤サブ画素空間Ｒと緑サブ画素空間Ｇとは、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成され、さらに緑サブ画素空間Ｇと青サブ画素空間Ｂとも、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成される。すると、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂの液晶分子は反時計方向に捻れ、緑サブ画素空間Ｇの液晶分子は時計方向に捻れる。このとき、電界と短軸が平行に捻れると、液晶分子は偏光板の偏光軸と４５°をなすことになり、最大透過率となり、光の漏れを起こす。よって、画面は白となる。
【００３８】
それぞれのサブ画素別に見ると、液晶分子は一律的に一方に働くが、人間の目は単位サブ画素が識別できる程敏感ではない。従って、Ｒ、Ｇ、Ｂメイン画素側面で見る時、液晶分子の捻れの方向が互いに異なるので、液晶分子の屈折率異方性が補償される。これにより、側面方位角で画面を見る時のカラーシフト現像が補償される。
【００３９】
又、カウンタ電極２３と画素電極２４は透明な金属で形成し、フリンジフィールドを形成するようにし、既存のＩＰＳモードよりも透過率を向上させる。さらに、実質的に電界の形成されるカウンタ電極２３のブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間の距離が電極幅に比べて狭く、ブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂは、その上部にある液晶分子が前記電界Ｅ１、Ｅ２によって十分に動作される程の幅を持つので、透過率は増大する。
【００４０】
（実施の形態３）図６は実施の形態３に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。実施の形態３では、ゲートバスライン、データバスライン、薄膜トランジスタ、共通電極線、第１及び第２配向膜、並びに第１及び第２偏光板の配置は前記実施の形態１と同様であるが、カウンタ電極と画素電極の配置は異なる。すなわち、図６に示すように、実施の形態３におけるカウンタ電極２３０は板状で形成される。このカウンタ電極２３０は透明な導電体、例えばＩＴＯ金属膜で形成される。
【００４１】
画素電極２４はカウンタ電極２３０の上部にオーバーラップする。画素電極２４は、前述した実施の形態２と同様に、カウンタ電極２３０の端部の所定部分に沿って形成される第１電極部２４ａと、第１電極部２４ａから斜線形に延長される複数の第２電極部２４ｂとを有する。この第２電極部２４ｂは等間隔例えば１〜４μｍ以下の間隔に配置される。第２電極部２４ｂとｘ軸は所定角度θ２、例えば２〜３０°とし、これにより、液晶層は誘電率異方性が負の物質を選択する。
【００４２】
実施の形態３において、カウンタ電極２３０及び画素電極２４間の間隔は、ゲート絶縁膜（図示せず）厚さだけであり、ゲート絶縁膜の厚さは電極幅に比べて小さい。また、電界は、画素電極２４の第２電極部２４ｂと、画素電極２４の第２電極部２４ｂによって露出したカウンタ電極２３０との間で形成される。この様な実施の形態３に係る液晶表示装置は実施の形態２の液晶表示装置と同様に動作する。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ある一つのサブ画素に形成される電界と、その画素と隣接するサブ画素に形成される電界は、ともに斜線形を取りながら、互いに対称をなすように形成される。これにより、電界印加時、液晶分子が対称な二方向にツイストされる。従って、液晶分子の屈折率異方性が補償されてカラーシフトが防止されることにより、画質特性が改善される。
【００４４】
さらに、カウンタ電極と画素電極が透明な物質で形成され、カウンタ電極と画素電極間の距離がカウンタ電極や画素電極の電極幅よりも狭いので、電極上部でも電界が達するようにする。このため、液晶表示装置の開口率及び透過率がより改善される。
【００４５】
また、一般的にコントラスト分布はラビング方向でより優れている。本発明のラビング方向は視認者の見慣れた方向の９０°、１８０°（ゲート、データバスライン構造）であるから、視認者の見慣れた方向でのコントラストはより改善される。
【００４６】
尚、本発明は、その要旨から逸脱しない範囲内で多様に変更・実施できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＰＳ液晶表示装置の駆動原理を説明するための図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【図４】実施の形態２に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置のカウンタ電極を示す平面図である。
【図６】実施の形態３に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
【符号の説明】
２１ ゲートバスライン
２２ データバスライン
２３ カウンタ電極
２３ａ 本体
２３ｂ 斜線形ブランチ
２４ 画素電極
２４ａ 第１電極部
２４ｂ 第２電極部
２５ 薄膜トランジスタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に画質特性の改善された液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶表示装置の視野角特性を補償するために提案されたものである（Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｂｅｈａｖｉｏｕｒ ｗｉｔｈ ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ， Ａｓｉａ ｄｉｓｐｌａｙ ９５， ｐ５７７〜５８０）。
【０００３】
この様なＩＰＳ液晶表示装置は、図１に示すように、液晶分子３ａを駆動させる電極２ａ、２ｂを共に下部基板１に設け、下部基板１と上部基板（図示せず）の間の距離よりも電極２ａ、２ｂ間の距離を大きくする。これにより、下部基板１面と平行な電界を形成するようにする。このとき、電極２ａ、２ｂはＭｏＷ、Ａｌ等のような不透明金属膜で形成される。尚、図１において符号Ｒは、配向膜のラビング方向を示す。
【０００４】
液晶内の液晶分子は、公知のように、長軸と短軸の長さが相異して屈折率異方性Δｎを有し、見る方向によって屈折率異方性Δｎが変化する。これにより、極角が０゜付近で方位角が０゜、９０゜、１８０゜、２７０゜付近では白にも拘わらず所定の色相が現れる。
こうした現象をカラーシフトといい、これは次の式１によって詳細に説明される。
Ｔ≒Ｔ０ｓｉｎ２（２χ）・ｓｉｎ２（π・Δｎｄ／λ）・・・・（式１）
Ｔ： 透過率
Ｔ０： 参照（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）光に対する透過率
χ： 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角
Δｎ： 屈折率異方性
ｄ： 上部及び下部基板間の距離またはギャップ（液晶層厚）
λ： 入射される光波長
前記式１によれば、最大透過率Ｔを得るために、χがπ／４であるか、あるいはΔｎｄ／λがπ／２となるべきである。この時、Δｎｄが変化すると（液晶分子の屈折率異方性値は見る方向によって変化する。）、λ値はπ／２を満足させる為に変化する。これによって、変化した光波長λに該当する色相が画面に現れる。
【０００５】
したがって、液晶分子の短軸に向かって見る方向αでは、Δｎが減少するにつれて、最大透過率に至るための入射光の波長は相対的に短くなる。これにより、視認者は白の波長よりも短い波長を有する青色を見ることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一方、液晶分子の短軸に向かって見る方向βでは、Δｎが増大するにつれて、入射光の波長は相対的に長くなる。これにより、視認者は白の波長よりも長い波長を有する黄色を見ることになる。このため、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下してしまう。
【０００７】
また、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、電極２ａ、２ｂが不透明金属膜で形成されるので、開口面積が減少し、透過率が低下する。この結果から適当な輝度を得るためには、強いバックライトを使用すべきなので、消費電力が大きくなるという問題点が生じる。
【０００８】
この様な問題点を解決するため、電極２ａ、２ｂを透明物質で形成する方法が提案された。この方法では、開口率面を少し増大させることができても、透過率面ではあまり優れない。
【０００９】
すなわち、横電界（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｆｉｅｌｄ）を形成するには、前述したように、電極２ａ、２ｂ間の距離ｌを上部及び下部基板間の距離より大きくし、適当な強さの電界を得るため、電極２ａ、２ｂの幅Ｗを、例えば１０〜２０μｍ程度とする。しかし、この様な構造を有するため、電極２ａ、２ｂ間には基板と略平行な電界が形成されるが、広い幅を有する電極２ａ、２ｂの上部の大部分にある液晶分子には、電界が達することなく、等電位面が生じるようになる。これにより、電極上部の液晶分子が、電界印加時にも初期配列状態を維持するので、透過率は殆ど改善されない。
【００１０】
そこで、本発明は、前記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、画質特性を改善し、開口率及び透過率を得ることのできる開口率及び透過率液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成する本発明は、所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、
前記上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、
前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、
前記サブ画素内に形成される長方形板状のカウンタ電極と、
前記カウンタ電極の所定部分とオーバーラップするように形成される第１電極部と、前記第１電極部から斜線形に延長される第２電極部とを有する画素電極と、
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジスタと、
前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜と、
前記下部基板の外側面に配置された偏光子と前記上部基板の外側面に配置された検光子とを備え、
前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の第２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成される第２電極部は、前記選択されたサブ画素の第２電極部と対称をなすように配列され、
前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成され、
前記下部基板に形成される水平配向膜は、ゲートバスラインまたはデータバスラインと平行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラビングされ、
前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸は前記偏光子の偏光軸と垂直である
ことを特徴とする。
【００１２】
また、前記選択されたサブ画素空間のカウンタ電極と前記画素電極の第２電極部の間に形成される電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用いることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態１）図２は実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図、図３は実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【００１４】
図２を参照すると、下部ガラス基板１０上に赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂが限定される。サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂの各々には液晶駆動用第１電極１１が形成される。このとき、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂに形成される第１電極１１は斜線形である。ここで、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃは、同方向に指向するように配列され、緑サブ画素Ｇの第１電極１１ｂは、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃと対称な方向に配列される。各第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃは透明導電膜で形成され、所定幅Ｗ１を有する。
【００１５】
第２電極１２も赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ形成される。第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃは該サブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内の第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃとそれぞれ所定距離をおいて離隔されながら平行に配列される。第２電極１２も透明導電膜で形成される。このとき、第２電極１２は所定幅Ｗ２を有する。ここで、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔ｌは、第１及び第２電極の幅Ｗ１、Ｗ２より狭く、上下基板間の距離より狭く形成される。また、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃの幅Ｗ１、Ｗ２は、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間に発生する電界が電極１１、１２上部まで十分に達する程度である。
【００１６】
第１電極１１及び第２電極１２の形成された下部ガラス基板１０の上部には、液晶分子１３の初期配列を決定する配向膜（図示せず）が形成される。このとき、配向膜は水平配向膜であって、水平配向膜は図のｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビング処理され、電界の形成以前に、液晶分子１３の長軸がｘ軸方向（またはｙ軸方向）に指向するように配列される。
【００１７】
このように配列された第１電極１１及び第２電極１２間に電圧差が発生すると、電界Ｅ１、Ｅ２が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は第１及び第２電極１１、１２が斜線形に配列されて斜線形に形成される。また、赤及び青サブ画素に形成される電界Ｅ１と緑サブ画素に形成される電界Ｅ２は互いに対称をなす。
【００１８】
又、 液晶は電界Ｅ１、Ｅ２とラビング軸のなす角θによって選定される。すなわち、電界とラビング軸のなす角が、４５°〜９０°の場合、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°の場合、誘電率異方性が負の物質を用いる。
【００１９】
このように、電界とラビング軸のなす角によって液晶の誘電率異方性を選択することは最大透過率を得るためである。例えば、θが４５°〜９０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、図２のように、液晶分子１３はその長軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるので、最大透過率が達成される。
【００２０】
また、θが０°〜４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用い、図３のように、液晶分子１３はその短軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるので、最大透過率が達成される。
【００２１】
しかも、前述した電界が形成されると、図２または図３のように、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂでは液晶分子１３が時計方向（図３では反時計方向）に捻れ、緑サブ画素Ｇでは液晶分子１３が反時計方向（図３では時計方向）に捻れる。このとき、人間の目は一つのサブ画素だけが認知できないため、ユニット画素側面で見れば、液晶分子が二方向に分れて配列されたように見える。これにより、液晶分子１３の屈折率異方性が補償され、カラーシフトが発生しない。
【００２２】
また、第１及び第２電極１１、１２の上部にも十分に電界が達するので、電極上部にある液晶分子がともに動作して透過率及び開口率が改善される。
【００２３】
（実施の形態２）図４は、実施の形態２に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。図４を参照すれば、下部基板上に複数のゲートバスライン２１がｘ軸方向に配列され、複数のデータバスライン２２はｘ軸方向と実質的に垂直なｙ軸方向に配列され、それぞれのサブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂを限定する。図４では、三つのサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂからなる一つのメーン画素空間を示すために、一対のゲートバスライン２１と三つのデータバスライン２２だけが図示されている。なお、一番目のサブ画素を赤サブ画素Ｒ、二番目のサブ画素を緑サブ画素Ｇ、三番目のサブ画素を青サブ画素Ｂという。
【００２４】ゲートバスライン２１及びデータバスライン２２間には、これら両ラインを絶縁させるためのゲート絶縁膜（図示せず）が介在される。また、前記ゲートバスライン１１とデータバスライン１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、導電特性に優れた不透明な金属膜、例えばＭｏＷ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉの一つの金属膜で形成されている。
【００２５】
カウンタ電極２３はそれぞれのサブ画素に形成される。カウンタ電極２３はゲートバスライン２１及びデータバスライン２２とそれぞれ所定間隔をおいて離隔されて配置される。ここで、それぞれのカウンタ電極２３は、図５に示すように、全体的に長方形枠状を持つ本体２３ａと、本体２３ａに囲まれた空間を所定個に区画する斜線形ブランチ２３ｂとを有する。
【００２６】
ここで、斜線形ブランチ２３ｂの延長方向はサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ別に異なるが、各画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内での斜線形ブランチ２３ｂはともに平行である。ある一つのサブ画素空間内の斜線形ブランチ２３ｂの延長方向と、そのサブ画素空間の上下左右隣接したサブ画素空間内のブランチ２３ｂの延長方向とは互いに対称に配置するのが望ましい。例えば、図５のように、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂ内のブランチ２３ｂはｘ軸とθだけの角度をなし、緑サブ画素空間Ｇ内のブランチ２３ｂはｘ軸にθ＋９０だけの角度をなす。カウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂは等間隔に配置され、それらの幅は約２〜４μｍ程度になるようにする。
【００２７】
画素電極２４はカウンタ電極２３の上部にオーバーラップする。画素電極２４は、カウンタ電極２３の本体２３ａの所定部分とオーバーラップする第１電極部２４ａと、第１電極部２４ａからカウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂ間に配置されるように延長される斜線形の第２電極部２４ｂとを有する。ここで、第２電極部２４ｂは各サブ画素に該カウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂと平行に配列される。
【００２８】
このとき、画素電極２４の第１電極部２４ａは全て、同一サブ画素空間内の第２電極部２４ｂとコンタクトされる。よって、第１電極部２４ａは、例えば実施の形態において、赤及び青サブ画素空間Ｒ、ＢではＬ字形状に形成され、緑サブ画素空間ＧではＬ字形状を時計方向に９０°だけ回転させた形状に形成される。ここで、画素電極２４の第１電極部２４ａの幅はカウンタ電極２３の本体２３ａの幅より狭いか同一であり、第２電極部２４ｂの幅はカウンタ電極２３の斜線形ブランチ２３ｂと同一であるのが望ましい。しかも、斜線形ブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂ間の距離は、約０．５〜３μｍとなるようにし、実施の形態では１μｍとする。また、斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの間の距離は、前記斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの幅より小さく形成される。
【００２９】
画素電極２４の第２電極部２４ｂの端部はカウンタ電極２３の本体２３ａと鈍角をなす方向に曲げられる。これは、エッジ部に発生する寄生電界をなくすためである。ここで、カウンタ電極２３と画素電極２４はともに透明導電膜、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）物質で形成されるのが望ましい。
【００３０】
ゲートバスライン２１とデータバスライン２２との交点部分には薄膜トランジスタ２５を備える。このとき、薄膜トランジスタ２５は、スイッチング素子であって、ゲートバスライン２１の選択時、データバスライン２２の信号を画素電極２４に伝達する役割を果たす。
【００３１】
共通電極線２６はカウンタ電極２３の所定部分とコンタクトするように配列される。このとき、共通電極線２６はゲートバスライン２１と平行に配置される。ここで、共通電極線２６は、信号遅延が発生しないように、導電性に優れた不透明金属からなり、カウンタ電極２３のそれぞれに共通信号を伝達する。
【００３２】
水平配向膜（図示せず）は下部基板の結果物上部に塗布される。このとき、配向膜はｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビングされる。ここで、符号２７はラビング軸方向を示す。
【００３３】
上部基板（図示せず）は下部基板と所定距離をおいて対向するように設置され、上部基板及び下部基板間には液晶層（図示せず）が介在される。ここで、上部基板及び下部基板間のセルギャップは６μｍ以下程度である。また、液晶層の誘電率異方性は、前記実施の形態１で説明したように、電界の方向によって決定される。実施の形態では、電界とｘ軸のなす角が４５°以下になるように電極を配置し、誘電率異方性が負の液晶を用いる。上部基板（図示せず）の内側表面にも配向膜（図示せず）が形成されるが、この上部基板側配向膜（以下、上部配向膜という）は、前記下部基板側配向膜（以下、下部配向膜という）のラビング軸と逆平行（ａｎｔｉ−ｐａｒａｌｌｅｌ）なラビング軸を持つ。
【００３４】
偏光子（図示せず）は下部基板の外側面に付着され、検光子（図示せず）は上部基板の外側面に付着される。ここで、偏光子の偏光軸は下部基板の配向膜のラビング軸と一致するように付着され、検光子の偏光軸は下部偏光板の偏光軸と交叉する方向に付着される。
【００３５】この様な液晶表示装置の動作は次の通りである。まず、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に電界が形成されない場合には、液晶分子の長軸が一律的にラビング軸に沿って配列される。偏光子を通過した光は液晶を通過するようになって偏光状態が変化しない。これにより、液晶を通過した光は偏光軸と交叉配置された偏光軸を持つ検光子が通過できなくなるので、画面は黒となる。
【００３６】
一方、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に所定の電圧差が発生されると、カウンタ電極２３のブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間に電界が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は該サブ画素空間のブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂと法線形に形成される。すなわち、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂにはｘ軸とθ１＋９０°だけの角度をなす電界Ｅ１が形成され、緑サブ画素空間Ｇにはｘ軸とθ１だけの角度をなす電界Ｅ２が形成される。
【００３７】このため、赤サブ画素空間Ｒと緑サブ画素空間Ｇとは、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成され、さらに緑サブ画素空間Ｇと青サブ画素空間Ｂとも、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成される。すると、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂの液晶分子は反時計方向に捻れ、緑サブ画素空間Ｇの液晶分子は時計方向に捻れる。このとき、電界と短軸が平行に捻れると、液晶分子は偏光板の偏光軸と４５°をなすことになり、最大透過率となり、光の漏れを起こす。よって、画面は白となる。
【００３８】
それぞれのサブ画素別に見ると、液晶分子は一律的に一方に働くが、人間の目は単位サブ画素が識別できる程敏感ではない。従って、Ｒ、Ｇ、Ｂメイン画素側面で見る時、液晶分子の捻れの方向が互いに異なるので、液晶分子の屈折率異方性が補償される。これにより、側面方位角で画面を見る時のカラーシフト現像が補償される。
【００３９】
又、カウンタ電極２３と画素電極２４は透明な金属で形成し、フリンジフィールドを形成するようにし、既存のＩＰＳモードよりも透過率を向上させる。さらに、実質的に電界の形成されるカウンタ電極２３のブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間の距離が電極幅に比べて狭く、ブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂは、その上部にある液晶分子が前記電界Ｅ１、Ｅ２によって十分に動作される程の幅を持つので、透過率は増大する。
【００４０】
（実施の形態３）図６は実施の形態３に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。実施の形態３では、ゲートバスライン、データバスライン、薄膜トランジスタ、共通電極線、第１及び第２配向膜、並びに第１及び第２偏光板の配置は前記実施の形態１と同様であるが、カウンタ電極と画素電極の配置は異なる。すなわち、図６に示すように、実施の形態３におけるカウンタ電極２３０は板状で形成される。このカウンタ電極２３０は透明な導電体、例えばＩＴＯ金属膜で形成される。
【００４１】
画素電極２４はカウンタ電極２３０の上部にオーバーラップする。画素電極２４は、前述した実施の形態２と同様に、カウンタ電極２３０の端部の所定部分に沿って形成される第１電極部２４ａと、第１電極部２４ａから斜線形に延長される複数の第２電極部２４ｂとを有する。この第２電極部２４ｂは等間隔例えば１〜４μｍ以下の間隔に配置される。第２電極部２４ｂとｘ軸は所定角度θ２、例えば２〜３０°とし、これにより、液晶層は誘電率異方性が負の物質を選択する。
【００４２】
実施の形態３において、カウンタ電極２３０及び画素電極２４間の間隔は、ゲート絶縁膜（図示せず）厚さだけであり、ゲート絶縁膜の厚さは電極幅に比べて小さい。また、電界は、画素電極２４の第２電極部２４ｂと、画素電極２４の第２電極部２４ｂによって露出したカウンタ電極２３０との間で形成される。この様な実施の形態３に係る液晶表示装置は実施の形態２の液晶表示装置と同様に動作する。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ある一つのサブ画素に形成される電界と、その画素と隣接するサブ画素に形成される電界は、ともに斜線形を取りながら、互いに対称をなすように形成される。これにより、電界印加時、液晶分子が対称な二方向にツイストされる。従って、液晶分子の屈折率異方性が補償されてカラーシフトが防止されることにより、画質特性が改善される。
【００４４】
さらに、カウンタ電極と画素電極が透明な物質で形成され、カウンタ電極と画素電極間の距離がカウンタ電極や画素電極の電極幅よりも狭いので、電極上部でも電界が達するようにする。このため、液晶表示装置の開口率及び透過率がより改善される。
【００４５】
また、一般的にコントラスト分布はラビング方向でより優れている。本発明のラビング方向は視認者の見慣れた方向の９０°、１８０°（ゲート、データバスライン構造）であるから、視認者の見慣れた方向でのコントラストはより改善される。
【００４６】
尚、本発明は、その要旨から逸脱しない範囲内で多様に変更・実施できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＰＳ液晶表示装置の駆動原理を説明するための図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面図である。
【図４】実施の形態２に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置のカウンタ電極を示す平面図である。
【図６】実施の形態３に係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
【符号の説明】
２１ ゲートバスライン
２２ データバスライン
２３ カウンタ電極
２３ａ 本体
２３ｂ 斜線形ブランチ
２４ 画素電極
２４ａ 第１電極部
２４ｂ 第２電極部
２５ 薄膜トランジスタ
Claims (2)
- 所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、
前記上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、
前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、
前記サブ画素内に形成される長方形板状のカウンタ電極と、
前記カウンタ電極の所定部分とオーバーラップするように形成される第１電極部と、前記第１電極部から斜線形に延長される第２電極部とを有する画素電極と、
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジスタと、
前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜と、
前記下部基板の外側面に配置された偏光子と前記上部基板の外側面に配置された検光子とを備え、
前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の第２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成される第２電極部は、前記選択されたサブ画素の第２電極部と対称をなすように配列され、
前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成され、
前記下部基板に形成される水平配向膜は、ゲートバスラインまたはデータバスラインと平行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラビングされ、
前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸は前記偏光子の偏光軸と垂直である
ことを特徴とする、高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 前記選択されたサブ画素空間のカウンタ電極と前記画素電極の第２電極部の間に形成される電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用いることを特徴とする請求項１に記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。
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