JP3795720B2 - 排ガスの処理方法 - Google Patents
排ガスの処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3795720B2 JP3795720B2 JP37412099A JP37412099A JP3795720B2 JP 3795720 B2 JP3795720 B2 JP 3795720B2 JP 37412099 A JP37412099 A JP 37412099A JP 37412099 A JP37412099 A JP 37412099A JP 3795720 B2 JP3795720 B2 JP 3795720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- exhaust gas
- dioxins
- pore volume
- pore
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 57
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 40
- 150000002013 dioxins Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 239000012717 electrostatic precipitator Substances 0.000 claims description 10
- KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxin Chemical compound O1C=COC=C1 KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 26
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 3
- 229910004339 Ti-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010978 Ti—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004827 dibenzo-1,4-dioxins Chemical class 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Polymers 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910000349 titanium oxysulfate Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
本発明は排ガスの処理方法に関し、詳しくは焼却炉からの排ガス中に含まれるダイオキシンなどの有害物質を長期にわたり安定して除去し得るようにした排ガスの処理方法に関する。
【従来の技術】
既設の焼却炉の多くは、焼却炉からの排ガスを電気集塵器またはサイクロンで処理して除塵した後、大気中に放出するタイプのものである。しかし、除塵処理しただけの排ガス中にはダイオキシンなどの有害物質(本発明ではダイオキシン類という。)が含まれており、社会的に重大な問題となっている。ダイオキシン類の除去については効果的な方法が開発されており、これらの新規技術を採用した焼却炉を新設することによりダイオキシン類の問題はかなり解決することができる。しかし、直ちに既存の焼却炉を取り壊して、新規技術を採用した焼却炉を新設することは経済的に困難である。このため、既存の焼却設備を利用し、大幅な改造工事を行うことなく、ダイオキシン類の問題を解決できるようにすることが望まれている。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、焼却炉と電気集塵器またはサイクロンとからなる既存の焼却設備を低コストで改造し、ダイオキシン類の排出を効果的に防止し得るようにした、排ガスの処理方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
本発明者らの研究により次のことがわかった。
(1)電気集塵器またはサイクロンの後に触媒層を設置することによりダイオキシン類を効果的に除去できる。
(2)電気集塵器またはサイクロンの集塵効率は悪いのでダストの除去が不十分である。触媒層では、ガス状のダイオキシン類は分解できるが、ダスト中に含まれるダイオキシン類や粒子状のダイオキシン類は除去することができない。ダイオキシン類は、通常、ダスト、粒子状、ガス状のものを合わせて測定する。このため、結果として、十分に高いダイオキシン類除去率を得ることができないことになる。
(3)電気集塵器またはサイクロンの代わりにバグフィルターを設置することも考えられるが、転換工事に多大のコストがかかる。バグフィルターは集塵効率が高いためダスト、粒子状のダイオキシン類の大部分は除去できるが、バグフィルターの運転温度は低いため、触媒層でのダイオキシン類の十分な分解のためには、触媒量を増加させる必要があり、結果として経済的に不利となる。また、運転温度が低いがために、排ガスに硫黄酸化物が含まれることになり、これが触媒劣化の問題を引き起こすことになる。なお、バグフィルターで処理した排ガスを加熱して触媒層に導入することも考えられるが、加熱がコストアップにつながる。
(4)電気集塵器またはサイクロンの後にセラミックフィルターを設けて除塵効率を高め、排ガス中のダストを十分除去した後に触媒層に導入することにより排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。また、触媒層の耐久性を高めることができる。
本発明は上記知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明は、焼却炉の排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、さらにセラミックフィルターで処理し、次いで触媒層と接触させることを特徴とする排ガスの処理方法である。
【発明の実施の形態】
図1は本発明の方法の系統図である。図1において、1は焼却炉、2は電気集塵器(またはサイクロン)、3はセラミックフィルター、4は触媒反応器、5は煙突を示す。焼却炉1からの排ガスを、電気集塵器2に導入して除塵処理を行った後、セラミックフィルター3に導入して更なる除塵処理を行う。このように除塵処理してダストを十分に除去した排ガスを触媒反応器4に導入し、ここで触媒層と接触させて排ガス中のダイオキシン類を分解除去する。
セラミックフィルターとしては、ダストの除去に一般に用いられているセラミックフィルターを用いることができる。材質としては、ムライト、SiC、コージエライトなど、500℃以上の耐熱性を有するものが好適に用いられる。形状については特に制限はないが、ろ過面積が大きく、圧力損失の少ないハニカム形状が好ましい。また、電気集塵器の後流側に設置するため、微細粒子(0.1μm程度)の集塵効率が90%以上のものが好適である。
触媒(1)を詳しく説明すると次のとおりである。なお、触媒(1)における細孔径分布は水銀圧入式ポリシメータを用いて測定したものである。
<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)モリブデン酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.8〜4μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。
なかでも、全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の20〜80%であり、0.8〜4μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の5〜70%である触媒が好ましい。また、成分(c)がモリブデン酸化物である。成分(b)の含有量は、成分(a)の0.1〜25重量%であり、成分(c)の含有量は、成分(a)の0.1〜25重量%である。成分(d)の含有量は成分(a)の0.01〜7重量倍である。平均粒子径は0.001〜100μm、好ましくは0.01〜100μmである。また、BET法による比表面積は30〜250m2/g、好ましくは40〜200m2/gである。
触媒(1)は、触媒活性成分として成分(a)〜(d)を含有させる点を除けば、この種の触媒に一般に用いられている方法にしたがって調製することができる。上記細孔径分布を有する触媒も、(1)触媒調製時にデンプンなどの成型助剤や水分の添加量を調整する、(2)触媒焼成時に分解または揮発する樹脂を混練り時に添加する、などの従来公知の方法によって容易に得ることができる。
触媒(1)の形状については特に制限はなく、板状、波板状、網状、ハニカム状、円柱状、円筒状など適宜選ぶことができる。また、アルミナ、シリカ、コージエライト、チタニア、ステンレス鋼などからなる板状、波板状、網状、ハニカム状、円柱状、円筒状などの担体に担持して使用してもよい。電気集塵器2、セラミックフィルター3および触媒層4の運転条件については特に制限はなく、排ガスの種類、性状、要求される除去性能などを考慮して適宜決定することができる。セラミックフィルターおよび触媒の使用温度は、電気集塵器2で集塵処理した後の排ガスは、通常、そのままセラミックフィルター3および触媒層4に導入するので、一般に採用されている電気集塵器の運転温度範囲内で適宜選ぶことができ、好ましくは200℃以上450℃未満である。セラミックフィルター3および触媒層4での排ガスの空間速度は、通常、各々100〜100,000h−1(STP)、好ましくは200〜50,000h−1(STP)である。
本発明のダイオキシン類とは、一般にダイオキシンといわれるものであり、具体的には、ポリハロゲン化ジベンゾパラダイオキシン、ポリハロゲン化ジベンゾフラン、ポリハロゲン化ビフェニルなどを挙げることができる。
【発明の効果】
本発明の主たる効果を列挙すると次のとおりである。
(1)電気集塵器またはサイクロンを備えた既設の焼却炉にセラミックフィルターと触媒層を設置するだけで排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。
(2)既設の焼却施設の改造を低コストで行うことができる。
(3)セラミックフィルターは耐熱性があるため、高温域で運転可能であり、結果として、排ガスを高温で触媒層に導入できるので、触媒の分解効率が高まり、触媒量を低減することができる。
(4)除塵効率が向上するので触媒の耐久性が向上し、しかもダイオキシン類の除去効率も向上し、粒子状およびガス状いずれのダイオキシン類を効率よく除去可能であり、結果として、出口ダイオキシン類の濃度を0.1ng−TEQ/m3以下の低濃度まで低減することが可能である。
(5)排ガス中のダイオキシン類を長期にわたり安定して除去することができる。
(6)触媒によるダイオキシン類の分解を200℃以上450℃未満で行えるので、触媒性能が十分に発揮され、ダイオキシン類除去率が向上する。特に、前記触媒(1)を用いることによりダイオキシン類除去率が一段と向上する。
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
触媒調製例(参考)
市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)18kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で外径80mm角、目開き4.0mm、肉厚1.0mm、長さ500mmのハニカム状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成して参考触媒(1)を得た。この参考触媒(1)の組成は、V2O5:MoO3:TiO2=5:5:90(重量%)であった。また、この参考触媒(1)の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.41cc/gであり、第一細孔群(0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群)の細孔容積および第二細孔群(0.1〜0.8μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群)の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の35%および57%であった。BET比表面積は75m2/gであった。
触媒調製例1
10質量%アンモニア水700リットルにスノーテックス−20(日産化学(株)製シリカゲル、約20質量%のSiO2含有)21.3kgを加え、攪拌、混合した後、硫酸チタニルの硫酸溶液(TiO2として125g/リットル、硫酸濃度0.55g/リットル)340リットルを攪拌しながら徐々に滴下した。得られたゲルを3時間放置した後、ろ過、水洗し、次いで150℃で10時間乾燥した。これを500℃で焼成し、さらにハンマーミルを用いて粉砕し、分級機で分級して平均粒子径10μmの粉体を得た。得られた粉体の組成はTiO2:SiO2=8.5:1.5(モル比)であり、粉体のX線回折チャートではTiO2やSiO2の明らかな固有のピークは認められず、ブロードな回折ピークによって非晶質な微細構造を有するチタンとケイ素との複合酸化物(Ti−Si複合酸化物)であることが確認された。上記Ti−Si複合酸化物9kgおよび市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)9kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で外径80mm角、目開き4.0mm、肉厚1.0mm、長さ500mmのハニカム状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成した触媒(1)を得た。この触媒(1)の組成は、V2O5:TiO 2 :MoO3:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(重量%)であった。また、この触媒(1)の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.38cc/gであり、第一細孔群(0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群)の細孔容積および第二細孔群(0.8〜4μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群)の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の57%および21%であった。また、BET比表面積は85m2/gであった。
参考例1
図1に示すように、電気集塵器の出口側(ダイオキシン類濃度:1ngーTEQ/m3)に担持セラミックフィルター、またその後流側に触媒反応器を設置し排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
<セラミックフィルター>
種類:コージエライト製ハニカム型セラミックフィルター(目開き9mm、肉厚1mm、
集塵効率99%)
空間速度:30,000h−1
温度:250〜350℃
<触媒層>
参考触媒(1)
空間速度:4,000h−1
温度:250〜350℃
なお、ダイオキシン類除去率は次の式にしたがって求めた。
ダイオキシン類除去率(%)=[(セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度−触媒反応器出口ダイオキシン類濃度)/(セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度)]×100
実施例1
参考例1において、参考触媒(1)の代わりに触媒(1)を用いた以外は、参考例1と同様に排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
比較例1
参考例1において、セラミックフィルターを設けることなく、排ガスを直接触媒反応器に導入し、また触媒反応器温度を250℃にした以外は参考例1と同様にして排ガスの処理を行った。ダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
なお、ダイオキシン類除去率は次の式にしたがって求めた。
ダイオキシン類除去率(%)=[(触媒反応器入口ダイオキシン類濃度−触媒反応器出口ダイオキシン類濃度)/(触媒反応器入口ダイオキシン類濃度)]×100
【表1】
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の方法の系統図である。
Claims (3)
- 焼却炉のダイオキシン類含有排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、さらにセラミックフィルターで処理し、次いで下記触媒(1)を充填してなる触媒層と接触させてダイオキシン類を除去することを特徴とする排ガスの処理方法。<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)モリブデン酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.8〜4μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。 - 触媒(1)において、その全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の20〜80%であり、0.8〜4μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の5〜70%である請求項1記載の排ガスの処理方法。
- 触媒(1)において、BET法による比表面積が30〜250m2/gである請求項1または2記載の排ガスの処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37412099A JP3795720B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 排ガスの処理方法 |
TW089127567A TW565470B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-21 | Process for disposing of exhaust gases |
US09/740,971 US6716404B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-21 | Process for the purification of exhaust gases |
EP00128287A EP1112772B1 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-22 | Process for disposing of exhaust gases |
DE60034207T DE60034207T2 (de) | 1999-12-28 | 2000-12-22 | Verfahren zur Beseitigung von Abgasen |
KR10-2000-0081736A KR100518957B1 (ko) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | 배기가스의 정화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37412099A JP3795720B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 排ガスの処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005287924A Division JP2006116537A (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 排ガスの処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001187320A JP2001187320A (ja) | 2001-07-10 |
JP3795720B2 true JP3795720B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=18503299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP37412099A Expired - Fee Related JP3795720B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 排ガスの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3795720B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4578624B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2010-11-10 | 株式会社日本触媒 | 排ガス処理用触媒の製造方法 |
JP2003176127A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-06-24 | Showa Denko Kk | コージエライトセラミックス用α−アルミナ、該α−アルミナの製造方法及び該α−アルミナを用いた構造物 |
KR20080042902A (ko) | 2004-12-27 | 2008-05-15 | 이비덴 가부시키가이샤 | 세라믹 허니컴 구조체 |
KR100752791B1 (ko) | 2007-02-08 | 2007-08-29 | (주)대성그린테크 | 하수슬러지 및 음식물 처리시 발생하는 배가스 제거 시스템 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37412099A patent/JP3795720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001187320A (ja) | 2001-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3648125B2 (ja) | 有機ハロゲン化合物の除去用触媒および有機ハロゲン化合物の除去方法 | |
KR100328892B1 (ko) | 유기 할로겐 화합물을 제거하기 위한 촉매, 그의 제조방법및 유기 할로겐 화합물의 제거방법 | |
KR100518957B1 (ko) | 배기가스의 정화방법 | |
EP1138379B1 (en) | A titanium, molybdenum and vanadium containing catalyst for purification of exhaust gases, preparation and use thereof | |
JP3795720B2 (ja) | 排ガスの処理方法 | |
JP3312870B2 (ja) | 有機ハロゲン化合物除去用触媒、その調製方法および有機ハロゲン化合物の除去方法 | |
JP2006116537A (ja) | 排ガスの処理方法 | |
JP3825216B2 (ja) | 排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルター | |
JP2006075834A (ja) | 排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルター | |
JP2001286734A (ja) | 塩素化有機化合物の分解方法および燃焼排ガスの処理方法 | |
JPH049581B2 (ja) | ||
JP4177661B2 (ja) | 排ガス処理用触媒の製造方法 | |
JP3639790B2 (ja) | 触媒フィルタ | |
JP3749078B2 (ja) | 脱硝触媒および脱硝方法 | |
JP2001286733A (ja) | 塩素化有機化合物の分解方法および燃焼排ガスの処理方法 | |
JP3920612B2 (ja) | 排ガス処理方法 | |
JP4246412B2 (ja) | 排ガス処理触媒およびそれを用いた排ガス浄化方法 | |
JP3971578B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
JP4084658B2 (ja) | 排ガス処理用触媒の製造方法 | |
JP3860734B2 (ja) | 排ガス処理用触媒、および排ガス処理方法 | |
JP2002066336A (ja) | 有機ハロゲン化合物分解触媒、その製造方法、および用途 | |
JP2000015100A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
JP2001286729A (ja) | 塩素化有機化合物の分解方法および燃焼排ガスの処理方法 | |
JP4283092B2 (ja) | 排ガス処理用触媒および排ガス処理方法 | |
JP2001321667A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガスの処理方法、および排ガス処理用触媒の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040817 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051109 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |