JP2006075834A - 排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルター - Google Patents
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 12
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 8
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 5
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000002013 dioxins Chemical class 0.000 abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 45
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012717 electrostatic precipitator Substances 0.000 description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxin Chemical compound O1C=COC=C1 KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004339 Ti-Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010978 Ti—Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- -1 molybdenum Chemical compound 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004827 dibenzo-1,4-dioxins Chemical class 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Polymers 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000349 titanium oxysulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Electrostatic Separation (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
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Abstract
【課題】焼却炉と電気集塵器またはサイクロンとからなる既存の焼却設備を低コストで改造し、ダイオキシン類の排出を効果的に防止し得るようにした、排ガスの処理方法、およびこの処理方法に使用するに好適な触媒構造体としての触媒担持セラミックフィルターを提供する。
【解決手段】焼却炉の排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、触媒担持セラミックフィルターと接触させる。触媒担持セラミックフィルターとして、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持したものを用いる。
【選択図】図1
【解決手段】焼却炉の排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、触媒担持セラミックフィルターと接触させる。触媒担持セラミックフィルターとして、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持したものを用いる。
【選択図】図1
Description
本発明は排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルターに関し、詳しくは焼却炉からの排ガス中に含まれるダイオキシンなどの有害物質を長期にわたり安定して除去し得るようにした排ガスの処理方法、および焼却炉からの排ガスの処理に使用するに好適な触媒担持セラミックフィルターに関する。
既設の焼却炉の多くは、焼却炉からの排ガスを電気集塵器またはサイクロンで処理して除塵した後、大気中に放出するタイプのものである。しかし、除塵処理しただけの排ガス中にはダイオキシンなどの有害物質(本発明ではダイオキシン類という。)が含まれており、社会的に重大な問題となっている。ダイオキシン類の除去については効果的な方法が開発されており、これら新規技術を採用した焼却炉を新設することによりダイオキシン類の問題はかなり解決することができる。しかし、直ちに既存の焼却炉を取り壊して、新規技術を採用した焼却炉を新設することは経済的に困難である。このため、既存の焼却設備を利用し、大幅な改造工事を行うことなく、ダイオキシン類の問題を解決できるようにすることが望まれている。
本発明は、焼却炉と電気集塵器またはサイクロンとからなる既存の焼却設備を低コストで改造し、ダイオキシン類の排出を効果的に防止し得るようにした、排ガスの処理方法、およびこの処理方法に使用するのに好適な触媒構造体としての触媒担持セラミックフィルターを提供しようとするものである。
本発明者らの研究により次のことがわかった。
(1)電気集塵器またはサイクロンの後に触媒層を設置することによりダイオキシン類を効果的に除去できる。
(2)電気集塵器またはサイクロンの集塵効率は悪いのでダストの除去が不十分である。触媒層では、ガス状のダイオキシン類は分解できるが、ダスト中に含まれるダイオキシン類や粒子状のダイオキシン類は除去することができない。ダイオキシン類は、通常、ダスト、粒子状、ガス状のものを合わせて測定する。このため、結果として、十分に高いダイオキシン類除去率を得ることができないことになる。
(3)電気集塵器またはサイクロンの代わりにバグフィルターを設置することも考えられるが、転換工事に多大のコストがかかる。バグフィルターは集塵効率が高いためダスト、粒子状のダイオキシン類の大部分は除去できるが、バグフィルターの運転温度は低いため、触媒層でのダイオキシン類の十分な分解のためには、触媒量を増加させる必要があり、結果として経済的に不利となる。また、運転温度が低いがために、排ガスに硫黄酸化物が含まれることになり、これが触媒劣化の問題を引き起こすことになる。なお、バグフィルターで処理した排ガスを加熱して触媒層に導入することも考えられるが、加熱がコストアップにつながる。
(4)電気集塵器またはサイクロンの後にセラミックフィルターを設けて除塵効率を高め、排ガス中のダストを十分除去した後に触媒層に導入することにより排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。また、触媒層の耐久性を高めることができる。
(5)セラミックフィルターに触媒を担持して排ガスを処理すると、セラミックフィルターで除塵処理した後、触媒層に接触させる場合と同様の効果が得られる。
(1)電気集塵器またはサイクロンの後に触媒層を設置することによりダイオキシン類を効果的に除去できる。
(2)電気集塵器またはサイクロンの集塵効率は悪いのでダストの除去が不十分である。触媒層では、ガス状のダイオキシン類は分解できるが、ダスト中に含まれるダイオキシン類や粒子状のダイオキシン類は除去することができない。ダイオキシン類は、通常、ダスト、粒子状、ガス状のものを合わせて測定する。このため、結果として、十分に高いダイオキシン類除去率を得ることができないことになる。
(3)電気集塵器またはサイクロンの代わりにバグフィルターを設置することも考えられるが、転換工事に多大のコストがかかる。バグフィルターは集塵効率が高いためダスト、粒子状のダイオキシン類の大部分は除去できるが、バグフィルターの運転温度は低いため、触媒層でのダイオキシン類の十分な分解のためには、触媒量を増加させる必要があり、結果として経済的に不利となる。また、運転温度が低いがために、排ガスに硫黄酸化物が含まれることになり、これが触媒劣化の問題を引き起こすことになる。なお、バグフィルターで処理した排ガスを加熱して触媒層に導入することも考えられるが、加熱がコストアップにつながる。
(4)電気集塵器またはサイクロンの後にセラミックフィルターを設けて除塵効率を高め、排ガス中のダストを十分除去した後に触媒層に導入することにより排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。また、触媒層の耐久性を高めることができる。
(5)セラミックフィルターに触媒を担持して排ガスを処理すると、セラミックフィルターで除塵処理した後、触媒層に接触させる場合と同様の効果が得られる。
本発明は上記知見に基づいて完成されたものである。
すなわち、本発明は、焼却炉の排ガスを、焼却炉の排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、触媒担持セラミックフィルターと接触させて排ガスを処理する方法であって、該触媒担持セラミックフィルターとして、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持したものを用いることを特徴とする排ガスの処理方法である。
また、本発明は、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持してなる触媒担持セラミックフィルターである。
本発明の主たる効果を列挙すると次のとおりである。
(1)電気集塵器またはサイクロンを備えた既設の焼却炉に触媒担持セラミックフィルターを設置するだけで排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。
(2)既設の焼却施設の改造を低コストで行うことができる。
(3)セラミックフィルターは耐熱性があるため、高温域で運転可能であり、そのため、排ガスを高温で触媒層に導入できるので、触媒の分解効率が高まると同時に除塵も行えるのでダイオキシン類の除去効率が一段と向上し、結果的に出口ダイオキシン類の濃度を0.1ng−TEQ/m3以下の低濃度まで低減することができる。
(4)排ガス中のダイオキシン類を長期にわたり安定して除去することができる。
(1)電気集塵器またはサイクロンを備えた既設の焼却炉に触媒担持セラミックフィルターを設置するだけで排ガス中のダイオキシン類を効果的に除去することができる。
(2)既設の焼却施設の改造を低コストで行うことができる。
(3)セラミックフィルターは耐熱性があるため、高温域で運転可能であり、そのため、排ガスを高温で触媒層に導入できるので、触媒の分解効率が高まると同時に除塵も行えるのでダイオキシン類の除去効率が一段と向上し、結果的に出口ダイオキシン類の濃度を0.1ng−TEQ/m3以下の低濃度まで低減することができる。
(4)排ガス中のダイオキシン類を長期にわたり安定して除去することができる。
図1は本発明の方法の系統図である。図1において、1は焼却炉、2は電気集塵器(またはサイクロン)、3は触媒担持セラミックフィルター、4は煙突を示す。本発明の方法によれば、焼却炉1からの排ガスを、電気集塵器2に導入して集塵処理を行った後、触媒担持セラミックフィルター6で処理して排ガス中のダイオキシン類を分解除去する。
触媒担持セラミックフィルターは、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持することにより容易に得られる。形状については特に制限はないが、ろ過面積が大きく、圧力損失の少ないハニカム形状が好ましい。
ダイオキシン類分解触媒としては、ダイオキシン類を分解し得るものであればいずれでもよく、公知のダイオキシン類分解触媒のなかから適宜選ぶことができる。例えば、下記触媒(1)または(2)を用いることができる。
<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有する触媒。
<触媒(2)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有する触媒。
<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有する触媒。
<触媒(2)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有する触媒。
上記触媒(1)、(2)のなかでも、成分(c)がモリブデンまたはタングステン、特にモリブデンである触媒が、活性に優れ、好適に用いられる。なお、触媒(1)、(2)における各成分の含有量は後記の触媒(3)、(4)の場合と同じである。上記ダイオキシン類分解触媒のなかでも、本出願人が先に提案した触媒(3)、(4)が好適に用いられる(特願平11−180933号明細書参照)。なお、触媒(3)、(4)における細孔径分布は水銀圧入式ポリシメータを用いて測定したものである。
<触媒(3)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.1〜0.8μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。なかでも、全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の10〜70%であり、0.1〜0.8μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の10〜70%である触媒が好ましい。また、成分(c)がモリブデンまたはタングステン、特にモリブデンである触媒が、活性に優れ、好適に用いられる。成分(b)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(c)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%である。平均粒子径は0.001〜100μm、好ましくは0.01〜100μmである。また、BET法による比表面積は30〜250m2/g、好ましくは40〜200m2/gである。触媒(3)は、触媒活性成分として成分(a)〜(c)を含有させる点を除けば、この種の触媒に一般に用いられている方法にしたがって調製することができる。上記細孔径分布を有する触媒も、(1)触媒調製時にデンプンなどの成型助剤や水分の添加量を調整する、(2)触媒焼成時に分解または揮発する樹脂を混練り時に添加する、などの従来公知の方法によって容易に得ることができる。
<触媒(4)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.8〜4μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。なかでも、全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の20〜80%であり、0.8〜4μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の5〜70%である触媒が好ましい。また、成分(c)がモリブデンまたはタングステン、特にモリブデンである触媒が、活性に優れ、好適に用いられる。成分(b)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(c)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(d)の含有量は成分(a)の0.01〜7質量倍である。平均粒子径は0.001〜100μm、好ましくは0.01〜100μmである。また、BET法による比表面積は30〜250m2/g、好ましくは40〜200m2/gである。触媒(4)は、触媒(3)と同様に、触媒活性成分として成分(a)〜(d)を含有させる点を除けば、この種の触媒に一般に用いられている方法にしたがって調製することができる。
<触媒(3)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.1〜0.8μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。なかでも、全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の10〜70%であり、0.1〜0.8μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の10〜70%である触媒が好ましい。また、成分(c)がモリブデンまたはタングステン、特にモリブデンである触媒が、活性に優れ、好適に用いられる。成分(b)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(c)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%である。平均粒子径は0.001〜100μm、好ましくは0.01〜100μmである。また、BET法による比表面積は30〜250m2/g、好ましくは40〜200m2/gである。触媒(3)は、触媒活性成分として成分(a)〜(c)を含有させる点を除けば、この種の触媒に一般に用いられている方法にしたがって調製することができる。上記細孔径分布を有する触媒も、(1)触媒調製時にデンプンなどの成型助剤や水分の添加量を調整する、(2)触媒焼成時に分解または揮発する樹脂を混練り時に添加する、などの従来公知の方法によって容易に得ることができる。
<触媒(4)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有し、0.01〜0.05μmおよび0.8〜4μmの範囲にピークを有する細孔径分布を示す触媒。なかでも、全細孔容積が0.2〜0.6cc/gであり、0.01〜0.05μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の20〜80%であり、0.8〜4μmの範囲の細孔群の細孔容積が全細孔容積の5〜70%である触媒が好ましい。また、成分(c)がモリブデンまたはタングステン、特にモリブデンである触媒が、活性に優れ、好適に用いられる。成分(b)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(c)の含有量は、成分(a)の0.1〜25質量%であり、成分(d)の含有量は成分(a)の0.01〜7質量倍である。平均粒子径は0.001〜100μm、好ましくは0.01〜100μmである。また、BET法による比表面積は30〜250m2/g、好ましくは40〜200m2/gである。触媒(4)は、触媒(3)と同様に、触媒活性成分として成分(a)〜(d)を含有させる点を除けば、この種の触媒に一般に用いられている方法にしたがって調製することができる。
本発明の触媒担持セラミックフィルターは、例えば、次のように調製することができる。
(1)触媒を粉砕した後、水に分散してスラリー状にする。このスラリー溶液にセラミックフィルターを浸漬して、触媒成分を担持した後、乾燥、焼成する。
(2)水に各触媒成分の水溶性塩を溶解し、均一混合溶液を調製する。この溶液にセラミックフィルターを浸漬して、触媒成分を含浸担持した後、乾燥、焼成する。
(3)チタン酸化物またはチタン−ケイ素複合酸化物をセラミックフィルターに担持した後、乾燥、焼成し、次いでこのセラミックフィルターにバナジウムや他の金属成分を含む溶液を含浸担持した後、乾燥、焼成する。触媒の担持量は、セラミックフィルターの質量に対し、通常、1〜20質量%であり、好ましくは2〜15質量%である。担持量が多すぎるとセラミックフィルターの気孔率が低下し、圧力損失が大きくなる。一方、担持量が少なすぎると十分な触媒活性が得られない。
(1)触媒を粉砕した後、水に分散してスラリー状にする。このスラリー溶液にセラミックフィルターを浸漬して、触媒成分を担持した後、乾燥、焼成する。
(2)水に各触媒成分の水溶性塩を溶解し、均一混合溶液を調製する。この溶液にセラミックフィルターを浸漬して、触媒成分を含浸担持した後、乾燥、焼成する。
(3)チタン酸化物またはチタン−ケイ素複合酸化物をセラミックフィルターに担持した後、乾燥、焼成し、次いでこのセラミックフィルターにバナジウムや他の金属成分を含む溶液を含浸担持した後、乾燥、焼成する。触媒の担持量は、セラミックフィルターの質量に対し、通常、1〜20質量%であり、好ましくは2〜15質量%である。担持量が多すぎるとセラミックフィルターの気孔率が低下し、圧力損失が大きくなる。一方、担持量が少なすぎると十分な触媒活性が得られない。
電気集塵器2および触媒担持セラミックフィルター3の運転条件については特に制限はなく、排ガスの温度、性状、要求される除去性能などを考慮して適宜決定することができる。触媒担持セラミックフィルターの使用温度は、電気集塵器2で集塵処理した後の排ガスは、通常、そのまま触媒担持セラミックフィルター3に導入するので、一般に採用されている電気集塵器の運転温度範囲内で適宜決定することができ、好ましくは200℃以上450℃未満である。触媒担持セラミックフィルター3での排ガスの空間速度は、通常、100〜100,000h−1(STP)、好ましくは200〜50,000hー1(STP)である。
本発明のダイオキシン類とは、一般にダイオキシンといわれるものであり、具体的には、ポリハロゲン化ジベンゾパラダイオキシン、ポリハロゲン化ジベンゾフラン、ポリハロゲン化ビフェニルなどを挙げることができる。
なお、本発明の触媒担持セラミックフィルターは、ダスト中に含まれるダイオキシン類や粒子状のダイオキシン類を除去すると同時に、ガス状のダイオキシン類の分解活性に優れ、これらダイオキシン類を含む産業廃棄物や都市廃棄物を処理する焼却施設から発生する排ガスの処理に好適に用いられる。
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
(実施例1)
市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)18kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で5mmφx5mmLのペレット状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成した触媒を得た。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:TiO2=5:5:90(質量%)であった。また、この触媒(1)の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.39cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.1〜0.8μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の37%および54%であった。BET比表面積は73m2/gであった。次に、上記触媒をハンマーミルを用いて粉砕し、この粉体2.5kgを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液にコージェライトハニカム型セラミックフィルター(目開き9mm、肉厚1mm、集塵効率99%)を浸漬した。余分なスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(1)を得た。このときの触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例2)
10質量%アンモニア水700リットルにスノーテックス−20(日産化学(株)製シリカゾル、約20質量%のSiO2含有)21.3kgを加え、攪拌、混合した後、硫酸チタニルの硫酸溶液(TiO2として125g/リットル、硫酸濃度0.55g/リットル)340リットルを攪拌しながら徐々に滴下した。得られたゲルを3時間放置した後、ろ過、水洗し、続いて150℃で10時間乾燥した。これを500℃で焼成し、さらにハンマーミルを用いて粉砕し、分級機で分級して平均粒子径10μmの粉体を得た。得られた粉体の組成はTiO2:SiO2=8.5:1.5(モル比)であり、粉体のX線回折チャートではTiO2やSiO2の明らかな固有のピークは認められず、ブロードな回折ピークによって非晶質な微細構造を有するチタンとケイ素との複合酸化物(Ti−Si複合酸化物)であることが確認された。上記Ti−Si複合酸化物9kgおよび市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)9kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で5mmφx5mmLのペレット状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成した触媒を得た。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。また、この触媒の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.37cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.8〜4μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の55%および20%であった。BET比表面積は73m2/gであった。次に、上記触媒をハンマーミルを用いて粉砕し、この粉体2.5kgを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液に実施例1で使用したと同じセラミックフィルターを浸漬した。余分なスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(2)を得た。このときの触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例3)
実施例1で使用したのと同じ、酸化チタン粉体2.5kgとフェノール樹脂0.5kgとを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液に実施例1で使用したと同じセラミックフィルターを浸漬した。余分はスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して酸化チタン担持セラミックフィルターを得た。このときの酸化チタンの担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。次いで、メタバナジン酸アンモニウム1.16kgおよびシュウ酸0.21kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム0.154kgおよびモノエタノールアミン0.048kgを水5リットルに溶解させた溶液を混合し、均一溶液を調製した。この溶液に上記酸化チタン担持セラミックフィルターを浸漬した後、80℃で乾燥し、空気雰囲気下450℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(3)を調製した。この場合の、触媒成分の組成は、V2O5:MoO3:TiO2=5:5:90(質量%)であった。この触媒成分の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例4)
実施例3において、酸化チタンに加えて実施例2で調製したTi−Si複合酸化物を用い、実施例3の方法に準じて、触媒担持セラミックフィルター(4)を調製した。この場合の、触媒成分の組成は、V2O5:MoO3:TiO2:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。この触媒成分の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例5)
実施例2において、モリブデンの代わりにタングステンを使用した以外は、実施例2と同様の方法で触媒を調製した。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:TiO2:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。この触媒の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.40cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.8〜4μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の58%および24%であった。BET比表面積は83m2/gであった。以下、上記触媒を用いた以外は、実施例1と同様にして触媒担持セラミックフィルター(5)を得た。触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例6)
図1に示すように、電気集塵器の出口側(ダイオキシン類濃度:1ngーTEQ/m3)に触媒担持セラミックフィルター(1)を設置し排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
空間速度:2,000h−1
反応温度:250〜350℃
なお、ダイオキシン類除去率は次の式にしたがって求めた。
ダイオキシン類除去率(%)=[(触媒担持セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度−触媒担持セラミックフィルター出口ダイオキシン類濃度)/(触媒担持セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度)]×100
(実施例7)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに触媒担持セラミックフィルター(2)、(3)、(4)または(5)を用いた以外は実施例6と同様に排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
(比較例1)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに実施例1で使用したセラミックフィルターを、触媒成分を担持しないで、250℃で使用した場合のダイオキシン類除去率は15%であった。また、その時の出口ダイオキシン類濃度は0.85ng−TEQ/m3であった。
(比較例2)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに実施例1で使用した触媒で、目開き9mm、肉厚1mmのハニカム形状に成形した以外は同様の方法で調製した触媒のみを用いて、250℃でのダイオキシン類の除去率を測定した。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
(実施例1)
市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)18kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で5mmφx5mmLのペレット状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成した触媒を得た。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:TiO2=5:5:90(質量%)であった。また、この触媒(1)の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.39cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.1〜0.8μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の37%および54%であった。BET比表面積は73m2/gであった。次に、上記触媒をハンマーミルを用いて粉砕し、この粉体2.5kgを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液にコージェライトハニカム型セラミックフィルター(目開き9mm、肉厚1mm、集塵効率99%)を浸漬した。余分なスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(1)を得た。このときの触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例2)
10質量%アンモニア水700リットルにスノーテックス−20(日産化学(株)製シリカゾル、約20質量%のSiO2含有)21.3kgを加え、攪拌、混合した後、硫酸チタニルの硫酸溶液(TiO2として125g/リットル、硫酸濃度0.55g/リットル)340リットルを攪拌しながら徐々に滴下した。得られたゲルを3時間放置した後、ろ過、水洗し、続いて150℃で10時間乾燥した。これを500℃で焼成し、さらにハンマーミルを用いて粉砕し、分級機で分級して平均粒子径10μmの粉体を得た。得られた粉体の組成はTiO2:SiO2=8.5:1.5(モル比)であり、粉体のX線回折チャートではTiO2やSiO2の明らかな固有のピークは認められず、ブロードな回折ピークによって非晶質な微細構造を有するチタンとケイ素との複合酸化物(Ti−Si複合酸化物)であることが確認された。上記Ti−Si複合酸化物9kgおよび市販の酸化チタン粉体(DT−51(商品名)、ミレニアム社製)9kgに、メタバナジン酸アンモニウム1.29kgおよびシュウ酸1.68kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム1.23kgおよびモノエタノールアミン0.43kgを水3リットルに溶解させた溶液とを加え、さらにフェノール樹脂(ベルバール(商品名)、カネボウ(株)製)0.9kgと成形助剤としてのデンプン0.45kgとを加えて混合し、ニーダーで混練りした後、押出成形機で5mmφx5mmLのペレット状に成形した。次いで、80℃で乾燥した後、450℃で5時間空気雰囲気下で焼成した触媒を得た。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。また、この触媒の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.37cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.8〜4μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の55%および20%であった。BET比表面積は73m2/gであった。次に、上記触媒をハンマーミルを用いて粉砕し、この粉体2.5kgを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液に実施例1で使用したと同じセラミックフィルターを浸漬した。余分なスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(2)を得た。このときの触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例3)
実施例1で使用したのと同じ、酸化チタン粉体2.5kgとフェノール樹脂0.5kgとを10リットルの水に投入し、よく攪拌してスラリー状の溶液を調製した。このスラリー溶液に実施例1で使用したと同じセラミックフィルターを浸漬した。余分はスラリーを除去した後、60℃で乾燥し、空気雰囲気下500℃で焼成して酸化チタン担持セラミックフィルターを得た。このときの酸化チタンの担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。次いで、メタバナジン酸アンモニウム1.16kgおよびシュウ酸0.21kgを水5リットルに溶解させた溶液と、パラモリブデン酸アンモニウム0.154kgおよびモノエタノールアミン0.048kgを水5リットルに溶解させた溶液を混合し、均一溶液を調製した。この溶液に上記酸化チタン担持セラミックフィルターを浸漬した後、80℃で乾燥し、空気雰囲気下450℃で焼成して触媒担持セラミックフィルター(3)を調製した。この場合の、触媒成分の組成は、V2O5:MoO3:TiO2=5:5:90(質量%)であった。この触媒成分の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例4)
実施例3において、酸化チタンに加えて実施例2で調製したTi−Si複合酸化物を用い、実施例3の方法に準じて、触媒担持セラミックフィルター(4)を調製した。この場合の、触媒成分の組成は、V2O5:MoO3:TiO2:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。この触媒成分の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例5)
実施例2において、モリブデンの代わりにタングステンを使用した以外は、実施例2と同様の方法で触媒を調製した。この触媒の組成は、V2O5:MoO3:TiO2:Ti−Si複合酸化物=5:5:45:45(質量%)であった。この触媒の細孔径分布を水銀圧入式ポロシメータにより測定した結果、全細孔容積は0.40cc/gであった。また、0.01〜0.05μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積および0.8〜4μmの範囲に細孔径分布のピークを有する細孔群の細孔容積は、それぞれ、全細孔容積の58%および24%であった。BET比表面積は83m2/gであった。以下、上記触媒を用いた以外は、実施例1と同様にして触媒担持セラミックフィルター(5)を得た。触媒の担持量はセラミックフィルターの質量に対し10質量%であった。
(実施例6)
図1に示すように、電気集塵器の出口側(ダイオキシン類濃度:1ngーTEQ/m3)に触媒担持セラミックフィルター(1)を設置し排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
空間速度:2,000h−1
反応温度:250〜350℃
なお、ダイオキシン類除去率は次の式にしたがって求めた。
ダイオキシン類除去率(%)=[(触媒担持セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度−触媒担持セラミックフィルター出口ダイオキシン類濃度)/(触媒担持セラミックフィルター入口ダイオキシン類濃度)]×100
(実施例7)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに触媒担持セラミックフィルター(2)、(3)、(4)または(5)を用いた以外は実施例6と同様に排ガスの処理を行った。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
(比較例1)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに実施例1で使用したセラミックフィルターを、触媒成分を担持しないで、250℃で使用した場合のダイオキシン類除去率は15%であった。また、その時の出口ダイオキシン類濃度は0.85ng−TEQ/m3であった。
(比較例2)
実施例6において、触媒担持セラミックフィルター(1)の代わりに実施例1で使用した触媒で、目開き9mm、肉厚1mmのハニカム形状に成形した以外は同様の方法で調製した触媒のみを用いて、250℃でのダイオキシン類の除去率を測定した。初期性能、2,000時間、5,000時間、10,000時間後のダイオキシン類除去率および出口ダイオキシン類濃度を表1に示す。
1.焼成炉
2.電気集塵器またはサイクロン
3.触媒担持セラミックフィルター
4.煙突
2.電気集塵器またはサイクロン
3.触媒担持セラミックフィルター
4.煙突
Claims (4)
- 焼却炉の排ガスを、電気集塵器またはサイクロンで除塵処理した後、触媒担持セラミックフィルターと接触させて排ガスを処理する方法であって、該触媒担持セラミックフィルターとして、ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持したものを用いることを特徴とする排ガスの処理方法。
- ダイオキシン類分解触媒が、下記触媒(1)または(2)である請求項1記載の排ガスの処理方法。
<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有する触媒。
<触媒(2)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有する触媒。 - ダイオキシン類分解触媒を、ムライト、SiCまたはコージエライトからなり、0.1μm微細粒子の集塵効率が90%以上のセラミックフィルターに担持してなる触媒担持セラミックフィルター。
- ダイオキシン類分解触媒が、下記触媒(1)または(2)である請求項3記載の触媒担持セラミックフィルター。
<触媒(1)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物および(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含有する触媒。
<触媒(2)>
(a)チタン酸化物、(b)バナジウム酸化物、(c)タングステン、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、スズ、タンタル、ランタンおよびセリウムから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および(d)チタン−ケイ素複合酸化物を含有する触媒。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP37412899A Division JP3825216B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006075834A true JP2006075834A (ja) | 2006-03-23 |
Family
ID=36155726
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005288013A Pending JP2006075834A (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 排ガスの処理方法および触媒担持セラミックフィルター |
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---|---|---|---|---|
CN106076042A (zh) * | 2016-08-16 | 2016-11-09 | 中电建水环境治理技术有限公司 | 河湖泊涌底泥碳化制陶尾气多级净化处理系统 |
JP2017177075A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | イビデン株式会社 | ハニカム触媒、及びハニカム触媒の製造方法 |
-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005288013A patent/JP2006075834A/ja active Pending
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