JP3780962B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法に関し、セル上ボンディング等に用いて好適である。
【0002】
【従来の技術】
近年のIGBT、DMOSの使用の拡大に伴い、シリコン素子のコストダウンを図るため、従来デッドスペースであったボンディングパッドを廃止し、トランジスタ上のAl膜に直接ボンディングを行うようになってきている。このようなボンディングは、シリコン素子におけるセル構造を有するアクティブ部に直接ボンディングすることから、セル上ボンディングと呼ばれている。
【0003】
シリコンチップのアクティブ部に、アルミニウム(Al)の太線をワイヤボンディングした例を図4、図5に示す。図5は図4中の丸で囲んだA部の拡大断面図である。
【0004】
図4に示すように、シリコンチップ200が基板210上に搭載されている。このシリコンチップ200のアクティブ部上に、例えばφ100μm以上のAl太線からなるワイヤ30が第1ボンディングされ、基板210上のパッド220に第2ボンディングされている。
【0005】
図5に示すように、アクティブ部は、例えば、ゲート電極201、ソース電極202およびドレイン電極203等を備えたトランジスタ素子が1個のセルとして複数個配列されたセル構造を有している。なお、基板210の上にはドレイン配線203aが形成されている。また、Al膜からなるソース電極202の下にはゲート電極201との絶縁を確保するための層間絶縁膜204が介在しており、この層間絶縁膜204は平坦ではなく、凹凸を持って存在している。
【0006】
そして、ワイヤ30の第1ボンディングは、このセル構造をなすアクティブ部におけるソース電極202としてのAl膜に対して行われている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したセルへに対してAl太線をワイヤボンディングする場合、セルへのダメージは超音波エネルギー(つまり、ボンディングツールの振幅量)が小さければ発生しない。
【0008】
しかし、セル上ボンディングでは、Al太線を上記したような凹凸を持ったAl膜上に接合しなければならないため、平面状のAl膜に対するボンディングよりも大きな超音波エネルギーが必要である。
【0009】
上記図5に示したように、Al膜としてのソース電極202下の層間絶縁膜204が凹凸形状となっているため、第1ボンディング時におけるワイヤ30の振動で層間絶縁膜204の角部に応力がかかり、層間絶縁膜204が破壊することで、リーク不良が発生する。
【0010】
本発明者の検討によれば、このようなワイヤ振動によるボンディング面の損傷は、次のようなメカニズムで主として発生することがわかった。図6は、第1ボンディングにおけるワイヤ振動の状態を示す図である。
【0011】
第2ボンディング後にカットされたワイヤ30は、ボンディングツール100とともに、ボンディング装置のワイヤガイド110によってボンディング面10に載せられる。そして、ツール100によりボンディング面10にワイヤ30を押し付け、超音波振動を与えて第1ボンディングを行う。
【0012】
このとき、ツール100の直下のワイヤ30は、押し潰されてボンディング面10と接合されるが、ツール100から外れたワイヤ30の先端部(テール部)33は延びる。ワイヤ30の接合部では、つぶれたワイヤ30が広い面積でボンディング面10に固定されているため、ツール100が振動しても局部的に応力がかからず、ボンディング面の損傷は少ない。
【0013】
しかし、ワイヤ30のテール部33は、ボンディング面10と接した状態で延び、そのときにテール部33がボンディング面10を摺る。すると、例えば、上記図5に示したようなセル構造では、ソース電極202がその下の層間絶縁膜204上をスリップして、層間絶縁膜204にダメージを与える。それにより、上記したリーク不良等が発生するのである。
【0014】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、アルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法において、第1ボンディングの際に発生するワイヤテール部のボンディング面への摺りによるボンディング面の損傷を抑制することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、鋭意検討した結果、第1ボンディングの際に、ワイヤの先端部(テール部)がボンディング面から浮いた状態とすれば、テール部の摺りを発生しないことに着目し、なされたものである。
【0016】
すなわち、請求項1に記載の発明では、超音波エネルギーを用いてアルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法において、ボンディングツール(100)によって第2ボンディング面(20)にワイヤ(30)を押し付けて、ワイヤを第2ボンディング面に接合する第2ボンディングを行い、第2ボンディングによって形成された接合部(31)から離れた位置にてワイヤをボンディングツールによって第2ボンディング面に押し付け固定し、この状態で、接合部とボンディングツールとの間にてワイヤをハーフカットし、この後ワイヤを引きちぎる工程を行い、この工程では、ワイヤを引きちぎった時点で、ボンディングツールがワイヤから離れるとともに、引きちぎられたワイヤの先端部(33)とワイヤガイド(110)との間の曲がり部(34)がボンディングツールの直下に位置し且つ引きちぎられたワイヤの先端部がボンディングツールの直下から外れた位置にあるような位置関係とし、次に、引きちぎられたワイヤを第1ボンディングする工程を行い、この工程では、ワイヤとボンディングツールとの位置関係を維持したまま、ワイヤをその先端部側から第1ボンディング面(10)に押しつけていくことを特徴とする。
【0017】
それによれば、第1ボンディング工程にてワイヤをボンディング面に押し付ける際に、引きちぎられたワイヤの先端部すなわちテール部が最初にボンディング面に当たり、ワイヤを押し付けていくに連れて、テール部がボンディング面から浮くようにワイヤが曲がる。
【0018】
そして、ボンディングツールのワイヤへの押し付け終了後、ボンディングツールに振動を与えて第1ボンディングを行う際には、テール部がボンディング面から浮いた状態で延びるため、テール部のボンディング面への摺りが発生しないようにすることができる。
【0019】
よって、本発明によれば、アルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法において、第1ボンディングの際に発生するワイヤテール部のボンディング面への摺りによるボンディング面の損傷を抑制することができる。
【0020】
また、請求項2に記載の発明では、ワイヤを引きちぎる工程は、ボンディングツールおよびワイヤガイドをいったん直上に移動させて、ツール溝に入り込んでいるワイヤをボンディングツールのツール溝から外し、それと同時にワイヤガイドからワイヤが引き延ばされるようにし、この後、ボンディングツールおよびワイヤガイドを斜め上方へ移動させて、ワイヤを引きちぎる工程であり、ボンディングツールの斜め上方への移動方向と水平方向とのなす角度(θ)を30°以上とすることを特徴とする。
【0021】
それによれば、請求項1に記載の方法において、ワイヤを引きちぎった後のワイヤとボンディングツールとの位置関係を、適切に実現することができ、好ましい。
【0022】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1〜図3は、本発明の実施形態に係るワイヤボンディング方法を工程順に示す工程図である。本ワイヤボンディング方法は、ワイヤとしてφ100μm以上のAl太線を用いたものであり、限定するものではないが、上記図4、図5に示したようなセル上ボンディングに適用可能である。
【0024】
図1〜図3において、第2ボンディング面20は、例えば基板上のパッドであり、第1ボンディング面10は、例えば基板に搭載されたシリコンチップのアクティブ部である。次に、本実施形態のワイヤボンディング方法について述べる。
【0025】
まず、図1(a)に示す第2ボンディング終了後の状態から本方法は開始される。ボンディングツール100およびワイヤガイド110は、ワイヤボンディング装置に備えられたもので、これら両者100、110は一体に移動するようになっている。
【0026】
ボンディングツール100は、ワイヤ30の一部が入り込むことのできるツール溝を有し、この溝部分にてワイヤ30を押し付けてワイヤ30に超音波振動を与え、ワイヤ30を接合するものである。
【0027】
ワイヤガイド110は、筒状部材の中にワイヤ30が挿入され、ワイヤ30を支持しつつ移動させるものである。ワイヤガイド110に挿入されたワイヤ30は、ワイヤガイド110に固定されているのではなく、ワイヤガイド110内を摺動可能になっている。
【0028】
[図1(a)に示す工程]
図1(a)に示すように、ボンディングツール100によって第2ボンディング面20にワイヤ30を押し付け、図中の矢印Y1に示すような方向へツール100を振動させることにより、接合部31が形成される。これにより、ワイヤ30は第2ボンディング面20に接合される、すなわち、第2ボンディングが完了する。
【0029】
[図1(b)に示す工程]
次に、図1(b)中の白抜き矢印に示すように、ボンディングツール100およびワイヤガイド110を、接合部31から遠ざかるように斜め上方へ方向へ移動させる。
【0030】
[図1(c)に示す工程]
次に、図1(c)中の白抜き矢印に示すように、ボンディングツール100およびワイヤガイド110を下方へ移動させることにより、ボンディングツール100によって、接合部31から離れた位置にてワイヤ30を第2ボンディング面20に押し付け固定する。
【0031】
[図2(a)、(b)、(c)に示す工程]
次に、図2に示すような第2ボンディング後のワイヤ30をハーフカットした後引きちぎる工程を行う。
【0032】
まず、図2(a)に示すように、ボンディングツール100に押さえ荷重を加えてワイヤ30を固定した状態で、カッター120により、接合部31とボンディングツール100との間にてワイヤ30をハーフカットする。このとき、ツール100による押さえ荷重は50gf以下であることが好ましい。
【0033】
このカッター120は、ボンディングツール100と一体に移動するものであるが、さらに必要に応じてカッター120単独で上下にも移動できるように制御可能となっている。
【0034】
次に、図2(b)中の白抜き矢印に示すように、ボンディングツール100およびワイヤガイド110を、いったん直上方向に移動させた後、斜め上方へ移動させる。ボンディングツール100が直上に移動すると、ツール溝に入り込んでいるワイヤ30のハーフカット部分32の切り残し部が引っ張られる。
【0035】
そのため、ワイヤ30がボンディングツール100のツール溝から外れ、それと同時に、図2(b)中の矢印Y2に示すように、ワイヤガイド110からワイヤ30が引き延ばされる。
【0036】
さらに、図2(c)中の白抜き矢印に示すように、ボンディングツール100およびワイヤガイド110を、斜め上方へ移動し続ける。すると、ハーフカット部分32の切り残し部が引きちぎられる。こうして、第2ボンディング後のワイヤ30をハーフカットした後引きちぎる工程が完了する。
【0037】
ここで、この工程においては、図2(c)に示すように、ボンディングツール100の動き等を調整することで、ワイヤ30を引きちぎった時点で、ボンディングツール100の溝がワイヤ30から離れるとともに、引きちぎられたワイヤ30におけるその先端部(すなわちテール部)33とワイヤガイド110との間の曲がり部34が、ボンディングツール100の直下に位置するとともに引きちぎられたワイヤ30の先端部33がボンディングツール100の直下から外れた位置にあるような位置関係とすることが必要である。
【0038】
このような位置関係を実現するには、ワイヤ30を引きちぎるためにボンディングツール100を直上に移動させた後、斜め上方へ移動させるにあたって、このボンディングツール100の斜め上方への移動方向と水平方向とのなす角度θ(図2(c)参照)を30°以上とすることが好ましい。
【0039】
また、上記図2(a)に示したハーフカット時のボンディングツール100によるワイヤ30の押さえ荷重は50gf以下であることが好ましい。この押さえ荷重が大きいと、それだけワイヤ30とボンディングツール100との密着力が大きくなる。
【0040】
すると、ワイヤ30を引きちぎるときに、ワイヤ30はボンディングツール100から離れにくく、ツール100と一体に動いてしまうため、ワイヤ30が簡単に切れやすくなる。簡単にワイヤ30が切れてしまうと、ワイヤ30がワイヤガイド110から引き伸ばされる量が少なく、曲がり部34がツール100の直下まで来ない場合が発生する。
【0041】
大きな押さえ荷重であっても簡単にワイヤ30が切れないようにするには、ワイヤ30のハーフカット量を少なくすればよい。しかし、その場合、ワイヤ30が引きちぎられたときの衝撃が大きく、その大きな衝撃がボンディング面に損傷を与える可能性があり、好ましくない。
【0042】
このような点を鑑みて、ハーフカット時のボンディングツール100によるワイヤ30の押さえ荷重は50gf以下であることが好ましい。
【0043】
このハーフカットおよび引きちぎる工程の具体的な例を、ワイヤ30としてφ300μmのAl太線を用いた場合について示しておく。ハーフカット時の押さえ荷重は上述したように50gfとする。ワイヤ30のハーフカット量は、切り残し部の厚さとして約15μm程度にできる。
【0044】
また、ワイヤ30を引きちぎるためのボンディングツール100の動作として、ボンディングツール100を直上に移動させる距離W1は600μm程度、その後斜め上方へ移動させる場合の水平距離W2は320〜630μm程度、上記角度θは30°以上にできる。各寸法W1、W2、θは図2(c)を参照のこと。
【0045】
[図3(a)、(b)、(c)に示す工程]
次に、図3に示すような引きちぎられたワイヤ20を第1ボンディングする工程を行う。
【0046】
まず、図3(a)中の白抜き矢印に示すように、上記図2(c)に示したようなワイヤ30とボンディングツール100との位置関係を維持したまま、ツール100およびワイヤガイド110とともに、ワイヤ30をその先端部(テール部)33側から第1ボンディング面10に押しつけていく。
【0047】
そして、図3(b)に示すように、ワイヤ30を第1ボンディング面10に押し付けて行くに連れて、先端部(テール部)33が第1ボンディング面10から浮くように、ワイヤ30が曲がる。
【0048】
そして、図3(c)に示すように、ボンディングツール100をワイヤ30に押し付けても、テール部33は第1ボンディング面10から浮いた状態を維持できる。そして、ボンディングツール100に振動を与えて第1ボンディングを行い、接合部35を形成する。この際には、テール部33が第1ボンディング面10から浮いた状態で延びるため、テール部33のボンディング面10への摺りが発生しない。
【0049】
したがって、本実施形態によれば、アルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法において、第1ボンディングの際に発生するワイヤ30のテール部33のボンディング面10への摺りによるボンディング面10の損傷を抑制することができる。
【0050】
なお、本実施形態は、1回目の第1ボンディングでは適用することはできないが、2回目以降の第1ボンディングすなわち第2ボンディングに続いて行われる多数回の第1ボンディングには適用して効果を発揮するものである。
【0051】
そして、このように、第1ボンディングにおけるボンディング面の損傷を抑制可能な本実施形態のボンディング方法は、ボンディング面が弱く損傷を受けやすいセル上ボンディングに好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るワイヤボンディング方法を示す工程図である。
【図2】図1に続くワイヤボンディング方法を示す工程図である。
【図3】図2に続くワイヤボンディング方法を示す工程図である。
【図4】シリコンチップのアクティブ部にアルミニウム太線をワイヤボンディングした例を示す図である。
【図5】図4中のA部拡大断面図である。
【図6】第1ボンディングにおけるワイヤ振動の状態を示す図である。
【符号の説明】
10…第1ボンディング面、30…ワイヤ、33…ワイヤの先端部、
34…ワイヤの曲がり部、100…ボンディングツール、
110…ワイヤガイド。
Claims (2)
- 超音波エネルギーを用いてアルミニウムの太線をワイヤボンディングするワイヤボンディング方法において、
ボンディングツール(100)によって第2ボンディング面(20)にワイヤ(30)を押し付けて、前記ワイヤを前記第2ボンディング面に接合する第2ボンディングを行い、
前記第2ボンディングによって形成された接合部(31)から離れた位置にて前記ワイヤを前記ボンディングツールによって前記第2ボンディング面に押し付け固定し、
この状態で、前記接合部と前記ボンディングツールとの間にて前記ワイヤをハーフカットし、この後前記ワイヤを引きちぎる工程を行い、この工程では、前記ワイヤを引きちぎった時点で、ボンディングツールが前記ワイヤから離れるとともに、引きちぎられた前記ワイヤの先端部(33)とワイヤガイド(110)との間の曲がり部(34)が前記ボンディングツールの直下に位置し且つ前記引きちぎられたワイヤの先端部が前記ボンディングツールの直下から外れた位置にあるような位置関係とし、
次に、前記引きちぎられたワイヤを第1ボンディングする工程を行い、この工程では、前記ワイヤと前記ボンディングツールとの位置関係を維持したまま、前記ワイヤをその先端部側から第1ボンディング面(10)に押しつけていくことを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 前記ボンディングツールは、前記ワイヤの一部が入り込むことのできるツール溝を有し、この溝部分にて前記ワイヤを押し付けて前記ワイヤに超音波振動を与え、前記ワイヤを接合するもので、前記ワイヤを支持しつつ移動させるワイヤガイド(110)と一体に移動するようになっており、
前記ワイヤを引きちぎる工程は、前記ボンディングツールおよび前記ワイヤガイドをいったん直上に移動させて、前記ツール溝に入り込んでいる前記ワイヤを前記ボンディングツールのツール溝から外し、それと同時に前記ワイヤガイドから前記ワイヤが引き延ばされるようにし、この後、前記ボンディングツールおよび前記ワイヤガイドを斜め上方へ移動させて、前記ワイヤを引きちぎる工程であり、
前記ボンディングツールの斜め上方への移動方向と水平方向とのなす角度(θ)を30°以上とすることを特徴とする請求項1に記載のワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057337A JP3780962B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057337A JP3780962B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003258041A JP2003258041A (ja) | 2003-09-12 |
JP3780962B2 true JP3780962B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=28667627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002057337A Expired - Fee Related JP3780962B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3780962B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101464189B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2014-11-21 | 대우전자부품(주) | 헤비 와이어 본딩 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI543284B (zh) | 2014-02-10 | 2016-07-21 | 新川股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法以及打線裝置 |
JP6455037B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2019-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057337A patent/JP3780962B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101464189B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2014-11-21 | 대우전자부품(주) | 헤비 와이어 본딩 방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003258041A (ja) | 2003-09-12 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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