JP6455037B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は、回路パターンが形成された絶縁基板に配置された半導体素子（の電極）と、当該絶縁基板が収納されたケースに設けられたリードフレームとをワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング工程を経て製造される。
このワイヤボンディング工程では、半導体素子とリードフレームとの接続が完了すると、これらの接続部分以外の残りのワイヤをカッターで切断する。しかし、半導体素子側に接合されたワイヤの切断を行う場合には、カッターによるワイヤの切断時に半導体素子の表面を損傷させてしまうおそれがある。そこで、ワイヤの切断位置を中空に浮かせて、ハーフカットして、引きちぎることで半導体素子のワイヤとの接合箇所に損傷を与えずに、ワイヤを切断する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００２−０２６０５８号公報
しかし、特許文献１のワイヤの切断方法では、引きちぎり方に依存してワイヤの切断面に尖り（並びにバリ）が発生してしまうおそれがある。尖りが発生したワイヤでワイヤボンディング工程を行うと、ワイヤを接続対象物に接合する際に、尖りの向きまたは発生箇所によっては、当該尖りが接合箇所に損傷を与えてしまう。
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、切断されたワイヤに尖りの発生が抑制された半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、半導体装置に含まれる導電性部材にワイヤを接合する接合工程と、前記導電性部材に接合された前記ワイヤの接合領域外の切断位置をハーフカットして、前記ワイヤに切れ込みを形成する切れ込み形成工程と、第１の振動数で振動する振動部材を前記切れ込み内に接触させ、前記切れ込みを振動させて、前記切断位置で前記ワイヤを切断する切断工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
開示の技術によれば、切断されたワイヤの切断部に尖りの発生が抑制されるため、このようなワイヤが接合された導電性部材に対するストレスを低減する。
第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程を説明するための図である。 半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程の参考例を説明するための図である。 第２の実施の形態のワイヤボンディング装置の一例の要部を示す図である。 第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。 第２の実施の形態のワイヤボンディング工程のワイヤの接続を説明するための図である。 第２の実施の形態のワイヤボンディング工程のワイヤの切断を説明するための図である。 第３の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
図面を参照して実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程について、図１を用いて説明する。
図１は、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程を説明するための図である。
なお、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、ワイヤボンディング工程を時系列的に示すものである。
まず、半導体装置に含まれる導電性部材１にワイヤ２を接合する（図１（Ａ））。
ワイヤ２は、その接合領域３にて導電性部材１に接合される。また、導電性部材１は、金属等で構成されており、例えば、半導体装置に含まれる半導体素子の電極、リードフレーム、半導体素子が配置される絶縁基板に形成された回路パターン等である。
なお、ワイヤ２は、先に、ワイヤ２の一端が他の導電性部材（図示を省略）に接合された後に、図１（Ａ）に示されるように、接合領域３で導電性部材１に接合される。これにより、ワイヤ２は導電性部材間の電気的接続を実現する。
次いで、導電性部材１に接合されたワイヤ２の接合領域３外の切断位置４をハーフカットして切れ込み５を形成する（図１（Ｂ））。
次いで、切れ込み５を振動させて、切断位置４でワイヤ２を切断する（図１（Ｃ））。
切れ込み５を振動させるために、例えば、所定の振動数で振動する振動部材６の先端部を切れ込み５内に接触させる。ワイヤ２の切れ込み５は、振動部材６からの振動により繰り返し負担がかかることで疲労する。すなわち、ワイヤ２の切れ込み５を構成する結晶粒のすべりが生じ、切れ込み５から導電性部材１に向かって亀裂が生じる。切れ込み５は、さらに、振動部材６から振動を受けると、亀裂が導電性部材１に向かって広がり、最終的には、ワイヤ２が切断位置４で破断して切断する（図１（Ｄ））。
このようにして、ワイヤ２は、その切断面２ａには尖りが発生することなく切断される。
ここで、このような半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程に対する参考例として、別のワイヤボンディング工程について図２を用いて説明する。
図２は、半導体装置の製造方法に含まれるワイヤボンディング工程の参考例を説明するための図である。
なお、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、半導体装置の製造方法で実行される図１とは別のワイヤボンディング工程を時系列的に示すものである。また、図１と同じ構成には同じ符号を付して、その説明については省略する。
まず、図１（Ａ）と同様に、半導体装置に含まれる導電性部材１にワイヤ２を接合する（図２（Ａ））。
次いで、導電性部材１に接合されたワイヤ２の接合領域３外の切断位置４を、例えば、カッター６ａを矢印方向（図２中上方から導電性部材１側）に移動させてカットして、ワイヤ２を切断する（図２（Ｂ））。
この際、ワイヤ２は、切断位置４で切断されるものの、導電性部材１の切断位置４に対応する箇所がカッター６ａから損傷を受けるおそれがある。特に、導電性部材１が半導体素子の電極である場合、半導体素子の電極がカッター６ａから損傷を受けると、電極下部の半導体層も損傷することで、半導体素子の特性の劣化につながる。
また、ワイヤ２は、カッター６ａがワイヤ２に対して導電性部材１側に移動することで切断される。このため、ワイヤ２の切断面２ａには、カッター６ａの切断方向に沿って尖り２ｂが生じてしまう（図２（Ｃ））。
特に、ワイヤ２がアルミニウム等の比較的柔らかい材質で構成されている場合には、このような尖り２ｂが生じやすい。
切断面２ａに尖り２ｂが生じたワイヤ２でワイヤボンディング工程を行うと、尖り２ｂにより、ワイヤ２と、導電性部材１との間に隙間が生じるため、ワイヤ２と導電性部材１との接合性が低下してしまうおそれがある。また、導電性部材１が半導体素子の電極である場合には、当該電極が尖り２ｂによりストレスを受けると、電極下部の半導体層が損傷することで、半導体素子の特性が劣化してしまう。
そこで、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法で実行されるワイヤボンディング工程では、図１で説明したように、導電性部材１に接合されたワイヤ２の接合領域３外の切断位置４をハーフカットして切れ込み５を形成し、切れ込み５に振動を与えて、切断位置４でワイヤ２を切断するようにした。
ワイヤ２はハーフカットされるために、カット時の導電性部材１に対する損傷が低減される。また、ワイヤ２に形成された切れ込み５を振動させることで、切れ込み５の近傍が疲労してワイヤ２は切れ込み５からの破断により切断される。したがって、ワイヤ２の切断面２ａには、（少なくとも導電性部材１側を向いた）尖り２ｂの発生が抑制される。このように切断面２ａに尖り２ｂがないワイヤ２でワイヤボンディング工程を行うと、ワイヤ２を、導電性部材１に適切に接合することができるようになる。また、導電性部材１が半導体素子の電極である場合でも、当該電極にストレスを与えることはなく、半導体素子の特性の劣化が抑制されるようになる。
なお、切断位置４の切れ込み５の振動により接合領域３も振動すると、ワイヤ２が導電性部材１から剥離してしまうおそれがある。このため、切れ込み５に対する振動は、ワイヤ２が切れ込み５で疲労しつつ、接合領域３が振動により導電性部材１から剥離してしまわないような振動数であることが望ましい。または、接合領域３が切れ込み５に対する振動から影響を受けないように、切断位置４を接合領域３から離れた位置に設定することが望ましい。
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態では、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法で実行されるワイヤボンディング工程についてより詳細に説明する。
まず、ワイヤボンディング工程で利用されるワイヤボンディング装置の一例について、図３を用いて説明する。
図３は、第２の実施の形態のワイヤボンディング装置の一例の要部を示す図である。
なお、図３（Ａ）は、ワイヤボンディング装置１０をワイヤＷの接合位置にセットした際の図を、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の矢印Ｓ方向に見たワイヤボンディング装置１０のボンディングツール１１の先端部の図をそれぞれ示している。
ワイヤボンディング装置１０は、その先端部に、例えば、図３（Ａ）に示されるように、ボンディングツール１１と、ワイヤガイド１２と、カッター１３と、クランプ機構１４と、を備える。
ボンディングツール１１は、超音波を発生する超音波振動子１５が設けられており、ボンディングツール１１の先端部には、図３（Ｂ）に示されるように、ワイヤＷに沿った溝部１１ａが形成されている。なお、超音波振動子１５は、例えば、６０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚの周波数の超音波を発振する。また、ボンディングツール１１は、矢印Ｙ１に沿って上下方向（図３中）に移動する。このようなボンディングツール１１は、後述するようにワイヤＷが供給されると、ボンディングツール１１が下方向（図３中）に移動し、ワイヤＷを溝部１１ａで挟持し、接合予定箇所に押圧する。ボンディングツール１１は、ワイヤＷを押圧しながら、且つ超音波振動子１５からの超音波を受けて超音波振動することで、接合予定箇所にワイヤＷを接合する。ボンディングツール１１は、このようにしてワイヤＷが接合予定箇所に接合されると、超音波振動子１５からの振動が停止され、上方向（図３中）に移動して元の位置に戻る。
ワイヤガイド１２は、内部にワイヤＷを収納しており、ワイヤＷの外部への供給をガイドする。
カッター１３は、ボンディングツール１１とは独立して、矢印Ｙ２に沿って上下方向（図３中）に移動して、接続対象物のワイヤＷによる接続終了後、余分なワイヤＷに切れ込みを形成する。また、カッター１３は、切れ込み形成後、超音波振動子１５に接触して、超音波振動子１５からの超音波を受けて超音波振動しつつ、カッター１３の先端部を切れ込みに接触させる。
クランプ機構１４は、ワイヤガイド１２に設けられて、ワイヤガイド１２でガイドされるワイヤＷを保持し、または、開放してワイヤＷをワイヤガイド１２からガイドさせて、ワイヤガイド１２からのワイヤＷの供給を制御する。
次に、このようなワイヤボンディング装置１０が用いられる半導体装置の製造方法の一例について、図４を用いて説明する。
図４は、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
なお、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、半導体装置の製造方法で実行される各工程を時系列的に示すものである。
まず、金属等で構成された放熱ベース１１０の上面にはんだ１２０ａを配置する。はんだ１２０ａの上に、表裏面に、例えば、銅箔等で構成された導電性パターン１２２，１２３がそれぞれ形成されたセラミックス１２１により構成される絶縁基板１２０を搭載する。当該絶縁基板１２０の表面の導電性パターン１２３にはんだ１３１ａ，１３２ａを介して半導体素子１３１，１３２をそれぞれ搭載する。
このような状態において、加熱し、各はんだ１２０ａ，１３１ａ，１３２ａを溶融させた後に、冷却並びに再凝固させる。このため、放熱ベース１１０と絶縁基板１２０と半導体素子１３１，１３２とが一体になった状態となる（図４（Ａ））。
なお、半導体素子１３１，１３２は、例えば、一方にスイッチング素子を、他方にダイオードをそれぞれ適用することができる。スイッチング素子は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulating Gate Bipolar Transistor）素子、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等の縦型のパワー半導体素子を適用することができる。また、ダイオードは、例えば、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）素子等のパワーダイオード素子を適用することができる。
絶縁基板１２０上に載置される半導体素子１３１，１３２は、この二つに限らず、半導体装置１００の設計等に応じて、必要な機能及び数の半導体素子を適用することができる。
次いで、半導体素子１３１，１３２を取り囲むように、放熱ベース１１０の外側に、電流取り出しのためのリードフレーム端子１５１，１５２を備えた樹脂ケース１４０を配置する。リードフレーム端子１５１，１５２は、例えば、エミッタ端子及びコレクタ端子として、樹脂ケース１４０にインサート成型されている。この樹脂ケース１４０の放熱ベース１１０と対峙する面に予めシリコーン接着剤１４１を塗布しておき、樹脂ケース１４０と放熱ベース１１０の外周部分を嵌合する。その後、シリコーン接着剤１４１を加熱硬化して、樹脂ケース１４０と放熱ベース１１０とを固着する（図４（Ｂ））。
次いで、リードフレーム端子１５１と半導体素子１３１（の電極（図示を省略））とをワイヤボンディングにより、ワイヤ１６１により電気的に接続する。同様にワイヤボンディングにより、半導体素子１３１，１３２をワイヤ１６２により、また、リードフレーム端子１５２と絶縁基板１２０の導電性パターン１２３とをワイヤ１６３により、それぞれ電気的に接続する（図４（Ｃ））。
なお、ワイヤ１６１〜１６３は、例えば、アルミニウムを主成分とし、径が１００μｍ〜５００μｍとする。
なお、上記ワイヤボンディング工程の詳細については後述する。
最後に、樹脂ケース１４０内に封止樹脂１７０を充填することにより、半導体装置１００が完成する（図４（Ｄ））。
なお、封止樹脂１７０を充填してその上面に蓋をかぶせるようにすることも可能である。
次に、上記半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程（図４（Ｃ））の詳細について説明する。
まず、半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１との間のワイヤ１６１による接続について図５を用いて説明する。
なお、以下で説明するワイヤボンディング工程は、半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１との間に限らず、半導体素子１３１，１３２の間のワイヤ１６２、リードフレーム端子１５２と絶縁基板１２０の導電性パターン１２３との間のワイヤ１６３の接続にも同様に適用することが可能である。
図５は、第２の実施の形態のワイヤボンディング工程のワイヤの接続を説明するための図である。
なお、図５（Ａ）は、半導体素子１３１にワイヤ１６１の一端を接合させている時を、図５（Ｂ）は、リードフレーム端子１５１にワイヤ１６１を接合させている時を、また、図５（Ｃ）は、図５（Ａ），（Ｂ）の接合を矢印Ｓから見たボンディングツール１１の先端部についてそれぞれ示している。
また、図５では、半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１を備えた樹脂ケース１４０のみを図示している。
ワイヤボンディング装置１０では、ワイヤガイド１２からワイヤ１６１の一端部が延びた状態でクランプ機構１４により保持されている。ワイヤボンディング装置１０は、その先端部を移動させて、ワイヤ１６１の一端部を半導体素子１３１のボンディング位置に位置合わせする。ワイヤボンディング装置１０は、ボンディングツール１１を矢印Ｙ方向（半導体素子１３１側）に移動させる（図５（Ａ））。
ワイヤ１６１の一端部は、ボンディングツール１１の溝部１１ａに挟持され、半導体素子１３１のボンディング位置に押圧される。ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１を押圧した状態で超音波振動子１５から超音波を発振させてボンディングツール１１を振動することで、ワイヤ１６１の一端部は当該位置に接合される（図５（Ｃ））。
なお、この際、ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１の一端部が半導体素子１３１と接合できるような押圧力、振動数、押圧時間でボンディングツール１１を動作させる。このうち振動数は、例えば、超音波振動子１５から発振される６０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚの振動数のうち、１２０ｋＨｚ超と比較的高く設定される。なお、このように押圧されたワイヤ１６１は、図５（Ｃ）に示されるように、溝部１１ａの形状に伴って変形する。
ワイヤボンディング装置１０は、このようにしてワイヤ１６１の一端部の半導体素子１３１への接合が完了すると、超音波振動子１５の発振を停止し、クランプ機構１４によるワイヤ１６１の保持を開放して、ワイヤ１６１をワイヤガイド１２から供給させる。ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤガイド１２からワイヤ１６１を供給しながら、ワイヤボンディング装置１０の先端部を移動させて、リードフレーム端子１５１のボンディング位置に位置合わせする。なお、ワイヤボンディング装置１０は、その先端部のリードフレーム端子１５１のボンディング位置に対する位置合わせが完了すると、クランプ機構１４にワイヤ１６１を保持させる。ワイヤボンディング装置１０は、図５（Ａ）の場合と同様にして、ボンディングツール１１を矢印方向（半導体素子１３１側）に移動させる（図５（Ｂ））。
ワイヤ１６１の一端部は、ボンディングツール１１の溝部１１ａに挟持され、半導体素子１３１のボンディング位置に押圧される。ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１を押圧した状態で超音波振動子１５から超音波を発振させてボンディングツール１１を振動することで、ワイヤ１６１の一端部は当該位置に接合される（図５（Ｃ））。
なお、この際も、ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１がリードフレーム端子１５１と接合できるような押圧力、振動数、押圧時間でボンディングツール１１を動作させる。
以上により、ワイヤボンディング装置１０により、半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１とがワイヤ１６１により電気的に接続される。
次に、半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１とを接続したワイヤ１６１の切断について図６を用いて説明する。
図６は、第２の実施の形態のワイヤボンディング工程のワイヤの切断を説明するための図である。
なお、図６（Ａ）は、ワイヤボンディング装置１０のカッター１３にワイヤ１６１の切断位置をハーフカットさせている時を、図６（Ｂ）は、カッター１３によりハーフカットした箇所を振動させている時をそれぞれ示している。また、図６（Ｃ）は、図６（Ａ），（Ｂ）の時を矢印Ｓから見たボンディングツール１１の先端部についてそれぞれ示している。
ワイヤボンディング装置１０は、クランプ機構１４によるワイヤ１６１の保持を開放して、ワイヤ１６１をワイヤガイド１２から供給させる。ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１を供給させながらその先端部を、図５（Ｂ）の位置から、図６中右側に移動して、カッター１３をワイヤ１６１の任意の切断位置１６１ｂに位置合わせする。
ワイヤボンディング装置１０は、ボンディングツール１１をリードフレーム端子１５１側に移動させる。この際のボンディングツール１１のワイヤ１６１に対する押圧力は、図５（Ｃ）の場合の押圧力よりも小さくする。このため、ワイヤ１６１は、図６（Ｃ）に示されるように、ボンディングツール１１の溝部１１ａとリードフレーム端子１５１とで位置ずれしない程度に押さえられた状態となる。
ワイヤボンディング装置１０は、この状態を維持して、カッター１３をリードフレーム端子１５１側に移動させて、ワイヤ１６１の切断位置１６１ｂをハーフカットして、切れ込みを形成する（図６（Ａ））。
なお、ワイヤボンディング装置１０は、切れ込みの深さが、ワイヤ１６１の径に対して浅すぎると、その後の振動によってワイヤ１６１を疲労破断させて切断する際に、時間を要し、または、切断できない場合がある。また、ワイヤボンディング装置１０は、切れ込みの深さは、その装置によって、カッター１３による切断深さに限りがある。このような点を鑑みると、切れ込みの深さは、ワイヤ１６１の径に対して、５０％〜９５％程（ハーフカットされたワイヤ１６１の残りが元の径に対して５０％〜５％）になるように、カッター１３によるハーフカットを行う。
ワイヤボンディング装置１０は、ワイヤ１６１の切断位置１６１ｂに形成された切れ込みに先端部が接触した状態のカッター１３（の先端部の反対側の端部）を超音波振動子１５に接触させて、超音波振動子１５から超音波を発振させる（図６（Ｂ））。
この際の超音波振動子１５から発振される超音波の振動数は、図５で説明したワイヤ１６１を半導体素子１３１またはリードフレーム端子１５１に接合させる際の振動数よりも小さくしておく。そのような振動数は、例えば、超音波振動子１５から発振される６０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚの振動数のうち、８０ｋＨｚ以下程度とする。
超音波振動子１５から超音波が発振させると、ボンディングツール１１も振動する。この超音波の振動数をワイヤ１６１の接合（図５）の場合よりも振動数を小さくすることで、ボンディングツール１１によって押さえられたワイヤ１６１はリードフレーム端子１５１に接合することはない。
このため、ワイヤ１６１は、リードフレーム端子１５１に接合することなく、超音波振動するカッター１３の先端部が接触された切れ込みにも振動が伝わり、切れ込みで疲労破断が起こり、切断する。この際、切断されたワイヤ１６１の切断面には、尖りが発生しない。
このように、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法で実行されるワイヤボンディング工程では、リードフレーム端子１５１に接合され、ボンディングツール１１とリードフレーム端子１５１とで位置ずれしないように押さえられたワイヤ１６１の切断位置１６１ｂをカッター１３でハーフカットして切れ込みを形成する。カッター１３の先端部を切れ込みに接触させた状態で、ボンディングツール１１から振動が伝導されたカッター１３を振動させる。カッター１３の振動に伴い切れ込みも振動して疲労破断が生じ、ワイヤ１６１は切断位置１６１ｂにより切断する。また、ワイヤ１６１の切断位置１６１ｂの疲労破断による切断の際、ボンディングツール１１も同様に振動する。しかし、この振動数はワイヤ１６１をリードフレーム端子１５１に接合させる際の振動数よりも小さくしているために、ワイヤ１６１はリードフレーム端子１５１に接合されることがない。
したがって、ワイヤ１６１の切断面には、尖り等の発生が抑制され、リードフレーム端子１５１に接合されることなく適切に切断されるようになる。
このため、ワイヤボンディング装置１０が、例えば、再び、別の半導体装置１００の半導体素子１３１とリードフレーム端子１５１との間の接続を行う場合（再び、図５（Ａ））、切断面に尖りがないワイヤ１６１であれば、半導体素子１３１に適切に接合することができる。この際、半導体素子１３１にストレスを与えることはなく、半導体素子１３１の特性の劣化が抑制される。
なお、第２の実施の形態でも、切断位置１６１ｂの切れ込みに対する振動により接合領域１６１ａも振動すると、ワイヤ１６１がリードフレーム端子１５１から剥離してしまうおそれがある。このため、切れ込みに対するカッター１３からの振動は、ワイヤ１６１が切れ込みで疲労しつつ、ワイヤ１６１の接合領域１６１ａが振動によりリードフレーム端子１５１から剥離してしまわないような振動数であることが望ましい。または、ワイヤ１６１の接合領域１６１ａが切れ込みに対する振動から影響を受けないように、切断位置１６１ｂを接合領域１６１ａから離れた位置に設定することが望ましい。
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、ダイパッドを備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法で実行されるワイヤボンディング工程について説明する。
なお、ワイヤボンディング工程で利用されるワイヤボンディング装置は第２の実施の形態と同様のものを利用するものとする。
図７は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
なお、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、半導体装置の製造方法で実施される各工程を時系列的に示すものである。図７（Ａ）は半導体素子１８４が搭載されたリードフレーム１８０の要部平面図、図７（Ｂ）〜図７（Ｄ）は、図７（Ａ）における一点鎖線Ｘ−Ｘの断面図を示す。
まず、ダイパッド１８１とリード端子１８２とを備えたリードフレーム１８０のダイパッド１８１上に、はんだ１８３を介して半導体素子１８４を搭載する（図７（Ａ），図７（Ｂ））。
半導体素子１８４の搭載は、ダイパッド１８１を加熱してダイパッド１８１上のはんだ１８３を溶融させた後に半導体素子１８４を配置して、溶融したはんだ１８３を冷却並びに凝固させダイパッド１８１上に半導体素子１８４を固定する。もしくは、ダイパッド１８１上に、例えば、板状のはんだ１８３を配置し、さらにその上に半導体素子１８４を配置して、加熱して板状のはんだ１８３を溶融させた後に、冷却並びに再凝固させて、第パッド１８１上に半導体素子１８４を固定してもよい。
なお、半導体素子１８４は、ＩＧＢＴ素子、パワーＭＯＳＦＥＴ等の縦型のパワー半導体素子、または、ＳＢＤ、ＦＷＤ素子等のパワーダイオード素子を適用することができる。
次いで、リード端子１８２と半導体素子１８４（の電極（図示を省略））とを、例えば、第２の実施の形態で説明したワイヤボンディング装置１０を用いて、ワイヤ１８５により電気的に接続する（図７（Ｃ））。
この際、ワイヤボンディング装置１０によるワイヤボンディングを行うことで、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、ワイヤ１８５は、例えば、アルミニウムを主成分とし、径が１００μｍ〜５００μｍとする。
次に、トランスファーモールド樹脂成型を行って、ダイパッド１８１上のはんだ１８３と、半導体素子１８４と、ワイヤ１８５とを樹脂１８６を用いて封止する（図７（Ｄ））。
なお、上記のように、第１の実施の形態と、第２の実施の形態と、第３の実施の形態とでは、ワイヤ（線状）によるワイヤボンディング工程を例にして説明したが、ワイヤに限らず、リボン状でも同様にワイヤボンディングを実行することができる。
１ 導電性部材
２ ワイヤ
２ａ 切断面
３ 接合領域
４ 切断位置
５ 切れ込み
６ 振動部材

Claims (8)

  1. 半導体装置に含まれる導電性部材にワイヤを接合する接合工程と、
    前記導電性部材に接合された前記ワイヤの接合領域外の切断位置をハーフカットして、前記ワイヤに切れ込みを形成する切れ込み形成工程と、
    第１の振動数で振動する振動部材を前記切れ込み内に接触させ、前記切れ込みを振動させて、前記切断位置で前記ワイヤを切断する切断工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記接合工程では、ボンディングツールにより、前記接合領域が前記導電性部材側に押圧されつつ第２の振動数で振動させられることで接合し、
    前記切れ込み形成工程及び前記切断工程では、前記ワイヤは、前記ボンティングツールと前記導電性部材とにより押さえられている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記振動部材は、カッターであって、
    前記切れ込み形成工程では、前記カッターにより、前記ワイヤは前記切断位置でハーフカットされ、
    前記切断工程では、前記カッターが、前記切れ込みに入り込んだ状態で、前記ボンディングツールの振動により振動する、
    ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記ボンディングツールは、前記接合工程での前記第２の振動数よりも前記切断工程での前記第１の振動数の方が小さいことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記切れ込みの深さは、前記ワイヤの厚さに対して５０％〜９５％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記切断位置は、前記接合領域から所定長さ以上離れていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記ワイヤは、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記ワイヤは、線状またはリボン状であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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