JP3763021B2 - 電子ビーム微細加工方法 - Google Patents
電子ビーム微細加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3763021B2 JP3763021B2 JP2003147189A JP2003147189A JP3763021B2 JP 3763021 B2 JP3763021 B2 JP 3763021B2 JP 2003147189 A JP2003147189 A JP 2003147189A JP 2003147189 A JP2003147189 A JP 2003147189A JP 3763021 B2 JP3763021 B2 JP 3763021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- oxide film
- layer
- natural oxide
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
- H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体、特にAl x Ga y In 1-x-y As z P 1-z (0≦x、y、z≦1)の電子ビーム微細加工方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、マイクロエレクトロニクスの中核をなすULSIの集積度の向上とともに、これら量子デバイスにおける回路パターンは微細化の一途をたどっている。従来、半導体デバイスの作製プロセスでは、絶縁膜や金属薄膜の不要部分を、レジストパターン通りに高精度で取り除くための基礎技術として、半導体結晶のエッチング法が広く採用されている。このエッチング法の一例として、ハロゲンガスを用いたドライエッチングがある。このドライエッチングは、超高真空中の比較的清浄な雰囲気でエッチングを行うため、微細な量子デバイスの加工が可能なものとして期待されている。
【0003】
例えば、デバイス材料として代表的なSiについては、フッ素および塩素系のハロゲンガスによるドライエッチングプロセスが行われている。また、GaAsを含むAlxGayIn1-x-yAszP1-z等の化合物半導体についてもドライエッチングプロセスに関する報告は多いが、量子素子の作製を可能とする技術的手段については完成していないのが実情である。
【0004】
例えば、GaAsはSiに比べ電子の移動度が大きく、Siより高周波、高速の動作が可能な材料であって、資源の豊かさ、結晶の完全性等の点から工業規模の大きさで発展し、Siに代わり、その限界を克服する化合物半導体の1種としてその優れた性質と多様性で注目されているものである。またこのGaAs等の化合物半導体のエピタキシャル結晶技術として、MBE(分子線エピタキシャル成長)法や、MOCVD(有機金属気相成長)法等の技術が進歩し、一様な結晶成長が可能になってきており、化合物半導体のデバイス材料としての重要度は増してきている。
【0005】
そこで、本発明者は、化合物半導体等に対する従来のハロゲンガスによるドライエッチング方法の技術的限界を克服するドライエッチング方法として、半導体結晶表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングする方法を開発し、例えば、特許文献1に開示している。
【0006】
しかしながら、GaAs層表面に精度良く回路パターンを形成するためには、前述の一原子層単位でドライエッチングする場合であっても、ドライエッチング用マスクを形成する必要があった。
【0007】
従来、このドライエッチング用マスクの作製には、例えば、特許文献2に記載されているような電子線リソグラフィー技術を用いて行われている。
【0008】
【特許文献1】
特開平8−321483号公報
【特許文献2】
特開2001−267213号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近年の、量子デバイスにおける回路パターンの微細化、複雑化に伴い、このドライエッチング用マスクそのものの作製も困難となり、形状、寸法の再現性が悪くなり、更にはコストが非常に高くなるという問題があった。
【0010】
また、GaAs層表面には、自然にAs2O3、As2O、Ga2O等の表面酸化膜が形成されており、ドライエッチング用マスクを形成するにあたり、この表面酸化膜を除去する必要もあった。
【0011】
本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、GaAs層表面に、自然に形成されているAs2O3、As2O、Ga2O等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、GaAsを含むAlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に、量子デバイスに用いられる微細でかつアスペクト比の異なる回路パターンをその場で形成する電子ビーム微細加工方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための本発明の電子ビーム微細加工方法は、(1)AlxGayIn1-x-yAszP1-z層の表面上の自然酸化膜に、又は、(2)AlxGayIn1-x-yAszP1-z層の表面に形成したGaAs薄膜表面上の自然酸化膜に、任意の電子ビーム径、電流密度に制御した電子ビームを照射し、前記自然酸化膜を選択的にGa2O3に置換させた後、臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、上記によって、前記(1)にあっては前記Ga2O3に置換した部分以外の前記自然酸化膜及び前記AlxGayIn1-x-yAszP1-z層を選択除去し、前記(2)にあっては前記Ga 2 O 3 に置換した部分以外の前記自然酸化膜、前記GaAs薄膜及び前記Al x Ga y In 1-x-y As z P 1-z 層を選択除去するネガ型リソグラフィを可能にする電子ビーム微細加工方法であり、前記電子ビームの加速電圧が50keV以下、ドーズ量が1016〜1020electron/cm2であり、前記電子ビームの照射量を制御することによって、前記自然酸化膜を置換したGa2O3の結晶化度を異ならせることで、前記ドライエッチングの際にエッチングされる量を制御して、アスペクト比の異なる微細構造物を同一工程で形成することができるものである。
【0013】
本発明は、Al x Ga y In 1-x-y As z P 1-z 層表面上(又は、その表面に形成したGaAs薄膜表面上)に自然に形成されているAs 2 O 3 、As 2 O、Ga 2 O等の自然酸化膜に対し、直接、任意の電子ビーム径及び電流密度に調整した電子ビームを照射し、上記の自然酸化膜を選択的に化学的に安定なGa2O3に置換する。そして、それ以外のAs2O3、As2O、Ga2O等の酸化物を例えば10-3Pa以下程度の減圧環境下において選択的に熱脱離させる。このとき、安定な酸化膜(Ga2O3)に置換された酸化膜が従来のリソグラフィー法に用いられていたマスクと同等の役割を果たし、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層母材を、AsBr3、PBr3、GaBr3、InBr3等の臭素化物の雰囲気で一原子層毎にエッチングすると、化学的に安定な酸化膜であるGa2O3がAlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面(又はGaAs薄膜表面)に残り、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に任意パターンを形成できるものである。したがって、電子ビーム照射時に電子ビームによって、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面(又はGaAs薄膜表面)に任意パターン等を描くことによって、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面(又はGaAs薄膜表面)の電子ビーム照射部には、化学的に安定なGa2O3が形成され、このGa2O3が臭素化物によるドライエッチング時にエッチングされずに残り、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層に任意パターンを加工することが可能となる。
【0014】
また、電子ビーム照射時の電子ビームドーズ量を多くすることによって、置換されるGa2O3の結晶化度が高くなっていき、ドライエッチングの際にエッチングされにくくなり、エッチング後に形成される微細構造物のアスペクト比の大きなものを形成することができる。すなわち、エッチング後に形成される構造物のアスペクト比を大きくする場合には、電子ビームのドーズ量を多くすることによってAlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面のパターンの線幅等をナノ・オーダー単位で制御することが可能になる。このように、本発明の電子ビーム微細加工方法は、ドライエッチングの際に用いていたドライエッチング用マスクを作製して使用する必要もなく、電子ビームドーズ量を制御することによって、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に形成されるパターン形状及びアスペクト比を自在に調整することが可能となる。このため、近年の量子デバイスに用いられる回路パターンのように、複雑化し、微細化した回路パターンにも対応が可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明に係るイオンビーム微細加工方法の実施の形態の一例を説明する。図1において、1はGaAs層であり、2はGaAs層1表面に自然に形成されているAs2O3等の表面の自然酸化膜を示している。また、図1において、紙面左から右にかけて、即ち、図1(a)〜(c)に移るにしたがって電子ビームのドーズ量が増加していることを示している。
【0016】
本実施形態例に係る電子ビーム微細加工方法は、まず、GaAs層1表面に自然に形成されているAs2O3等の自然酸化膜2を除去することなく、この自然酸化膜2の表面に向って電子ビームを加速電圧50keV以下、好ましくは20keV以下、ドーズ量が1016〜1020electron/cm2となるように真空中で照射する。なお、電子ビームドーズ量は、電子ビームの電流量、照射時間を適宜変化させることによって制御する。電子ビームの照射により、自然酸化膜2のAs2O3や、As2O等の酸化物は、化学的に安定した酸化物Ga2O33に置換される(図1(a)上段参照)。次に、表面酸化膜2の一部をGa2O33に置換したGaAs層1を580〜620℃に昇温する事によりGa2O33以外の表面酸化膜2が熱脱離し、その後表面を臭素化物を照射してエッチングする事により原子層一層単位でドライエッチングし、Ga2O33に置換された部分以外を除去する(図1(a)下段参照)。この時、GaAs層1の表面を所定の回路パターンとなるように、Gaイオンによってパターニングすると、GaAs層1表面に任意の回路パターンを加工することが可能となる。
【0017】
ここで、このドライエッチングによると、平坦性のよい表面を再現性よく得ることを可能としている。具体的には、この臭素化物によるエッチングでは、エッチングされていく原子が表面のステップ位置およびキンク位置の原子であって、表面の凹凸を構成しているステップ・キンクを優先的に取り除くため、原子層を一層単位でエッチングすることができる。このような一層単位でのエッチングの結果得られる表面はきわめて平坦性の高いものである。すなわち原子レベルで平坦な表面を得ることができる。さらにこの方法は面指数に関わらない同様なエッチングを可能としている。このため、GaAs結晶の表面は(100)、(110)、(111)のいずれの面でも面指数によらず一層単位でのエッチング、すなわち、ナノ・オーダー単位でのエッチング深さ、及び加工領域の側面形状をその場で制御することが可能となる。
【0018】
このドライエッチングにおいては、臭素化物ガスを用いて超高真空中で、たとえば10-7Paレベルへの排気後、580〜620℃で10-3〜10-7PaのV族分子ガス分圧下でのエッチャントガスの導入によりエッチングを実施することができる。ここで、エッチャントガスとして用いられる臭素化物としては、好ましくはAsとの化合物であるAsBr3、又Pとの化合物であるPBr3がその代表的なものとして例示される。もちろん、他種のものであってもよい。
【0019】
このように、表面原子層一層単位毎にエッチングすることが可能であるため、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に存在する自然酸化膜が電子ビームの照射によって形成される微細寸法の化学的に安定なGa2O3に置換された以外の部分をナノ・オーダー単位で加工することが可能となり、再現性良く且つ容易に高アスペクト比の微細構造を形成することができ、ネガ型リソグラフィーを行う事が可能となる。
【0020】
電子ビーム4を、前述の場合よりも長い時間照射して、そのドーズ量を多くすると、図1(b)、(c)に示すように、Ga2O33のアスペクト比を大きくすることが可能となる。
【0021】
このように、本実施形態例に係る電子ビーム微細加工方法によると、GaAs層表面に自然に形成されているAs2O3等の自然酸化膜を除去することなく、この自然酸化膜に電子ビームを照射することで、表面に化学的に安定なGa2O3を形成することが可能となる。そして、電子ビームドーズ量を制御することによってGaAs層表面に形成されるGa2O3の結晶化度を制御することが可能となり、アスペクト比の異なる構造物を形成することができる。また、電子ビーム照射時に所定の回路パターンとなるようにGaAs層表面に電子ビームで描画することによって、容易に任意の回路パターンを再現性良く加工することができる。これによって、半導体デバイスはもちろんであるが、波長弁別デバイス、マイクロマシニング、フォトニッククリスタルやマイクロコンポーネント等の微細加工、量子細線・量子箱等へ応用が可能となる。
なお、本実施形態例では、GaAs層について説明したが、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層であれば、本実施形態例で説明したGaAs層と同様の効果を奏し、GaAs層に限定されるものではない。また、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に形成したGaAs薄膜表面上に電子ビームを照射することで、その表面に形成した自然酸化膜を選択的にGa2O3に置換するようにしても良い。また、前記AlxGayIn1-x-yAszP1-z層は、化合物半導体基板(特にGaAs基板やInP基板)上にエピタキシャル成長によって形成される場合が考えられるが、その他にも、上記の層が単体のGaAs基板として提供される場合、また、単体のInP基板として提供される場合を含む。
【0022】
以下、実施例によって本発明を更に具体的に説明する。
(実施例)
GaAs層表面に自然に形成されているAs2O3等の表面酸化膜の表面に向って電子ビーム径を0.1μmに絞った電子ビームを真空中で加速電圧30kV、電流量5×10-7A、照射時間を1〜9μsec/dotで、表面の自然酸化膜に電子ビームを照射する。このとき、電子ビームによって、1μmの幅の線を10μmの間隔で格子状に描画した。また、照射時間を変えることによって、ドーズ量を以下のように変化させた。
▲1▼0.6×1019electron/cm2
▲2▼1.2×1019electron/cm2
▲3▼1.8×1019electron/cm2
▲4▼2.4×1019electron/cm2
▲5▼3.0×1019electron/cm2
▲6▼3.6×1019electron/cm2
▲7▼4.2×1019electron/cm2
▲8▼4.8×1019electron/cm2
▲9▼5.4×1019electron/cm2
以上の各ドーズ量で電子ビームを注入後、超高真空装置に設置し、10-6Paレベルへ排気後、600℃に昇温し、Ga2O3以外の酸化膜の除去後に、580℃で10-6〜10-5Paのガス分圧でのAsBr3ガスを導入して17分間エッチングを行なった。
【0023】
図2〜図4に各ドーズ量の時の原子間力顕微鏡(AFM)による観察写真を示す。なお、図中の各番号は、前述の各ドーズ量に対応している。
【0024】
電子ビームドーズ量が多くなるに従い、GaAs層表面に形成されている各パターンの線幅が太くなっているのが、図2〜図4からわかる。このことから、電子ビームドーズ量を制御することによって、線幅の異なる回路パターンを形成することが可能であるといえる。
【0025】
また、図5は、電子ビームドーズ量が異なる場合に形成される微細構造物のアスペクト比の違いを示すAFMによる構造写真を示す図である。図5に示すように、電子ビームドーズ量が多くなるほど、アスペクト比が高くなっていることが図5からわかる。なお、図中における各番号は、前述の電子ビームドーズ量に対応するものである。
【0026】
以上のように、GaAs層表面に形成されている自然酸化膜に電子ビームを注入することによって、臭素化物によってエッチングされない化学的に安定なGa2O3を形成することができ、さらに、電子ビームドーズ量を制御することによって、GaAs層表面に形成されるパターンの線幅及びアスペクト比をナノ・オーダー単位で制御して加工することが同一の装置で一連の工程によって可能となる。したがって、製造コストを大幅に低減することが可能となる。
【0027】
【発明の効果】
以上、詳しく説明した通り、本発明により、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面(又はその表面に形成したGaAs薄膜表面)に自然に形成されている自然酸化膜を除去することなく、その自然酸化膜に電子ビームを注入することによって、臭素化物によってエッチングされない結晶化度の高い化学的に安定なGa2O3を形成することができる。このため、従来のようにエッチングの際にエッチング用マスクを使用することなく表面に任意の回路パターンを加工することができる。さらに、電子ビームドーズ量を制御することによって、AlxGayIn1-x-yAszP1-z層表面に形成されるパターンの線幅及びアスペクト比をナノ・オーダー単位で加工することが可能となる。これによって、多様な量子デバイス特性を生かした有用な素子例えば量子細線、量子箱、回折格子、マイクロマシンの実現も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子ビーム微細加工方法の実施形態例を説明するための図である。
【図2】本発明に係る電子ビーム微細加工方法の各電子ビームドーズ量による基板表面のAFMによる観察写真を示す図である。
【図3】本発明に係る電子ビーム微細加工方法の各電子ビームドーズ量による基板表面のAFMによる観察写真を示す図2の拡大図である。
【図4】本発明に係る電子ビーム微細加工方法の各電子ビームドーズ量による基板表面のAFMによる観察写真を示す図3の斜視図である。
【図5】電子ビームドーズ量が異なる場合に形成される微細構造物のアスペクト比の違いを示すAFMによる構造写真を示す図である。
【符号の説明】
1 GaAs層
2 自然酸化膜
3 酸化膜Ga2O3
4 電子ビーム
Claims (3)
- (1)AlxGayIn1-x-yAszP1-z層(0≦x、y、z≦1)の表面上の自然酸化膜に、又は、(2)AlxGayIn1-x-yAszP1-z層の表面に形成したGaAs薄膜表面上の自然酸化膜に、任意の電子ビーム径、電流密度に制御した電子ビームを照射し、前記自然酸化膜を選択的にGa2O3に置換させた後、臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、
上記により、前記(1)にあっては前記Ga2O3に置換した部分以外の前記自然酸化膜及び前記AlxGayIn1-x-yAszP1-z層を選択除去し、前記(2)にあっては前記Ga 2 O 3 に置換した部分以外の前記自然酸化膜、前記GaAs薄膜及び前記Al x Ga y In 1-x-y As z P 1-z 層を選択除去するネガ型リソグラフィを可能にする電子ビーム微細加工方法であり、
前記電子ビームの加速電圧が50keV以下、ドーズ量が1016〜1020electron/cm2であり、
前記電子ビームの照射量を制御することによって、前記自然酸化膜を置換したGa2O3の結晶化度を異ならせることで、前記ドライエッチングの際にエッチングされる量を制御して、アスペクト比の異なる微細構造物を同一工程で形成することを特徴とする電子ビーム微細加工方法。 - 前記臭素化物に、AsBr3、PBr3、GaBr3、InBr3のいずれかを用いる請求項1に記載の電子ビーム微細加工方法。
- 前記電子ビームの照射量を制御することによって、前記自然酸化膜を置換したGa 2 O 3 の結晶化度を異ならせることで、前記ドライエッチングの際に、前記AlxGayIn1-x-yAszP1-z層のエッチング深さを一原子層単位でその場で制御するとともに、加工領域の側面形状をその場で制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子ビーム微細加工方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147189A JP3763021B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 電子ビーム微細加工方法 |
EP04734750A EP1638137A4 (en) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | METHOD FOR MICRO-PROCESSING AN ELECTRON BEAM |
KR1020057022607A KR101066358B1 (ko) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | 전자 빔 미세 가공 방법 |
CNB2004800147585A CN100405552C (zh) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | 电子束微细加工方法 |
PCT/JP2004/007452 WO2004105111A1 (ja) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | 電子ビーム微細加工方法 |
US10/558,194 US7704861B2 (en) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | Electron beam microprocessing method |
CA002526794A CA2526794A1 (en) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | Electron beam micro/nano fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147189A JP3763021B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 電子ビーム微細加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349597A JP2004349597A (ja) | 2004-12-09 |
JP3763021B2 true JP3763021B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=33475359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003147189A Expired - Fee Related JP3763021B2 (ja) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | 電子ビーム微細加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7704861B2 (ja) |
EP (1) | EP1638137A4 (ja) |
JP (1) | JP3763021B2 (ja) |
KR (1) | KR101066358B1 (ja) |
CN (1) | CN100405552C (ja) |
CA (1) | CA2526794A1 (ja) |
WO (1) | WO2004105111A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060151435A1 (en) * | 2002-09-18 | 2006-07-13 | Jun Taniguchi | Surface processing method |
US7977253B2 (en) * | 2004-08-31 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
EP1879221A4 (en) * | 2005-04-25 | 2011-08-03 | Riber | METHOD FOR MASKING AND METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL MICROFABRICATION |
JP4936530B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶の製造方法 |
US8337712B2 (en) * | 2007-05-15 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device |
JP5152715B2 (ja) * | 2007-09-22 | 2013-02-27 | 学校法人関西学院 | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
CN101946306B (zh) * | 2007-12-21 | 2012-08-22 | 康奈尔研究基金会有限公司 | 使用放射性薄膜的自供电光刻方法和装置 |
JP5267945B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-08-21 | 学校法人関西学院 | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
JP5494992B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-21 | 学校法人関西学院 | 三次元微細加工基板 |
CN103456603B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-04-13 | 大连理工大学 | 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜 |
CN105399049B (zh) * | 2015-12-03 | 2017-05-03 | 中山大学 | 一种二维原子材料的微纳结构及图形化制备方法 |
CN112756602B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-12-16 | 苏州大学张家港工业技术研究院 | 独立单原子厚金属膜及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4994140A (en) * | 1989-01-10 | 1991-02-19 | Optoelectronics Technology Research Corporation | Method capable of forming a fine pattern without crystal defects |
JP3226315B2 (ja) | 1991-03-20 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 微細加工方法及び微細加工装置 |
JPH05175173A (ja) | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体基板の微細加工方法 |
JP2891114B2 (ja) | 1993-11-30 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 半導体のパターン形成方法 |
US5451548A (en) * | 1994-03-23 | 1995-09-19 | At&T Corp. | Electron beam deposition of gallium oxide thin films using a single high purity crystal source |
JP2826972B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1998-11-18 | 光技術研究開発株式会社 | 化合物半導体の極微細パターン形成方法 |
JP3118377B2 (ja) | 1994-09-12 | 2000-12-18 | インペリアル カレッジ オブ サイエンス,テクノロジー アンド メディスン | 半導体結晶のエッチング方法 |
JP2858095B2 (ja) * | 1995-03-22 | 1999-02-17 | 光技術研究開発株式会社 | 化合物半導体の微細埋込構造の形成方法 |
JP3716154B2 (ja) | 2000-03-16 | 2005-11-16 | Tdk株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
JP4803513B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2011-10-26 | 学校法人関西学院 | イオンビーム微細加工方法 |
-
2003
- 2003-05-26 JP JP2003147189A patent/JP3763021B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-25 US US10/558,194 patent/US7704861B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-25 CN CNB2004800147585A patent/CN100405552C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-25 KR KR1020057022607A patent/KR101066358B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-25 WO PCT/JP2004/007452 patent/WO2004105111A1/ja active Application Filing
- 2004-05-25 CA CA002526794A patent/CA2526794A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-25 EP EP04734750A patent/EP1638137A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1638137A1 (en) | 2006-03-22 |
CA2526794A1 (en) | 2004-12-02 |
KR101066358B1 (ko) | 2011-09-20 |
CN100405552C (zh) | 2008-07-23 |
WO2004105111A1 (ja) | 2004-12-02 |
JP2004349597A (ja) | 2004-12-09 |
US20070099334A1 (en) | 2007-05-03 |
KR20060025536A (ko) | 2006-03-21 |
US7704861B2 (en) | 2010-04-27 |
EP1638137A4 (en) | 2010-12-01 |
CN1795541A (zh) | 2006-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8647957B2 (en) | Method for making semi-conductor nanocrystals | |
JP3763021B2 (ja) | 電子ビーム微細加工方法 | |
US6037243A (en) | Method for manufacturing silicon nanometer structure using silicon nitride film | |
US8084365B2 (en) | Method of manufacturing a nano structure by etching, using a substrate containing silicon | |
KR102329036B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
JP4755643B2 (ja) | マスク形成方法、及び三次元微細加工方法 | |
KR102594444B1 (ko) | 황 기반 화학물을 이용한 실리콘 함유 유기 막의 플라즈마 에칭 방법 | |
TWI739812B (zh) | 選擇性蝕刻奈米結構之方法 | |
JP4803513B2 (ja) | イオンビーム微細加工方法 | |
JP4042893B2 (ja) | 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法 | |
JP4052430B2 (ja) | 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 | |
JP2500443B2 (ja) | 化合物半導体のドライエッチング方法 | |
WO2003054973A1 (fr) | Element de reception de rayonnement lumineux et dispositif de reception de rayonnement lumineux comprenant un circuit et une commande a disque optique | |
JP2912214B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法,表面処理装置,並びに半導体装置の製造方法 | |
JP5152715B2 (ja) | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 | |
WO2003054945A1 (fr) | Procede de formation de motifs fins au moyen d'un faisceau ionique sur un resist multicouche inorganique, dispositif a semi-conducteur, dispositif quantique, composant de micromachine et structure fine produite au moyen de ce procede | |
JP5494992B2 (ja) | 三次元微細加工基板 | |
Prinz et al. | Using of self-formed semiconducter micro-and nanotubes as a precise etch mask | |
JPH0562946A (ja) | 表面処理装置及び方法 | |
JPH04306897A (ja) | 半導体量子井戸箱の製造方法 | |
JP2004273610A (ja) | 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 | |
JPH05129252A (ja) | 選択エツチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH0478128A (ja) | 半導体微細構造の作製方法 | |
JPH0766134A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050316 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050325 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3763021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100127 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110127 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120127 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120127 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130127 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140127 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |