JP3730166B2 - 半導体素子の実装方法、及び、表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術範囲】
本発明は、携帯機器等や、電子手帳に使用されている表示パネルを駆動するためのドライバICやメモリー,コントローラ等のベアチップ実装している電子回路装置及び液晶,有機EL,プラズマディスプレイ,FED等の表示モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、液晶ドライバICをフィルム基板にフェイスダウン実装を行う方法として金とスズを用いた共晶接続を行っている。液晶ドライバICには、金からなるバンプを形成してある。バンプは、ICのアルミ配線上にSiO2等からなるパッシベーション膜で形成した開口部にフォトレジストで形成した形状で強度を向上するための金属膜をスパッタリングにより成膜し、更に金を電解メッキで析出してバンプを形成する。
【0003】
フレキシブル基板はポリイミドフィルムをベースにクロムとニッケル等からなる密着性を向上するための合金層の上にスパッタリングと電解メッキにより銅を形成した原反をパターニングしたフレキシブル基板か、もしくは銅箔にキャスティング法によりポリアミック酸ワニスを塗布硬化した原反をパターニングしたフレキシブル基板か、ポリイミドフィルムに密着性を向上するための層や銅などの薄膜にアディティブ法によりパターンを形成したフレキシブル基板を用いる。
【0004】
フレキシブル基板は、表裏に配線しスルーホールにより表裏を銅通した両面配線のフレキシブル基板においても、同様の構成である。スルーホールの形成方法はドリルやレーザーやエッチック部などにより表裏導通の穴を形成し銅メッキにより導通する構造が一般的である。
【0005】
更にソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストの形成方法には、レジストインクを全面に形成した後、フォト法により目的の形状を焼き付け、現像、加熱により形成するフォトソルダーレジストとマスク印刷により目的の形状に印刷し熱硬化により形成する方法がある。印刷法は、インクの染み出しがある。
【0006】
ソルダーレジストの被覆部外のパターンには、無電解スズめっきもしくは電解もしくは無電解ニッケルメッキ及び電解もしくは無電解金メッキを形成した。無電解スズメッキを行う場合は、スズメッキ工程で、レジストと銅パターンの隙間に局部電池が発生し、銅パターンが侵食される不具合が発生することがある。この場合、ソルダーレジスト形成前にスズメッキを行う。しかし、後工程のソルダーレジストの硬化条件によっては、スズが拡散して、ICを共晶接続するための純スズ層の厚みである0.20±0.05μmをキープできないことがある。スズメッキは、純スズ層と拡散層に分けられ、純スズ層はスズからなり、拡散層はスズと銅の合金層からなる。純スズ層は、加熱により銅が拡散するために減少する。
【0007】
そのため、ボンディングのスズメッキ形成するには、レジスト形成前にパターン全体に0.01μm以下のスズメッキをおこない、ソルダーレジストを形成した後に共晶接続用のスズメッキをする。スズメッキはメッキ内部の応力によりウイスカと呼ばれる単結晶のひげ状の突起物が経時的に発生するため、120℃1時間程度のメッキ内部の応力緩和を行う。
【0008】
ICのバンプとフレキシブル基板のICを接続するパターンに、熱と圧力をかけてバンプの金とパターンのスズを金−スズ共晶接続するかもしくは、ICの金バンプとパターンの金を超音波などにより金−金接合により接続した。金―スズ共晶接続は、例えばフィルム基板は、熱による伸びの影響を考慮し50℃のステージにセットし、ICを450℃に加熱したヘッドに吸着し、位置あわせを行った後に約2秒間加熱加圧する。加圧は、バンプとリードの重なり面積に1200kg/cm2 の圧力で行う。このとき、ICと基板の間の温度は約370℃となり、金とスズの共晶接続ができる。温度が低い場合は、共晶が不完全となり、接合部にクラックが入る。時間が短い場合も同じである。温度が高い場合は、フレキシブル基板のレジストが熱により変色する。更に高くすると接合部周辺のスズメッキ自体が変色する。
【0009】
金―金接続は、加熱加圧で接続する場合は金―スズ接合より温度が高くする必要がある。また、超音波を用いて接続する場合には、低温で接続することもできる。
【0010】
ICとフレキシブル基板の接続後、アンダーフィルをICの外周に塗布し、外周部全体にアンダーフィルがフィレットを形成するように充填する。アンダーフィルは、通常エポキシ系接着剤を使用するが、ベースがポリイミドからなるフレキシブル基板の場合は、接着力を高めるために変性エポキシアクリレート系接着剤を使用した。充填時のアンダーフィルのヌレを良くするために、粘度を25℃において1000cpから50℃に加温して250cpに下げて充填した。充填後約120℃のオーブンに90分入れて硬化する。
【0011】
アンダーフィルには硬化後の硬さがショアA硬度50程度のものを使う。硬すぎる場合は、SMT工程のリフローを通過する場合に熱膨張による熱応力によって剥離が発生するためである。
【0012】
また、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンのショートを防止するためにフォーミングを行う場合は、アンダーフィルに光硬化と熱硬化併用タイプを用い、アンダーフィル充填後ICとFPCを機械的に押さえ、ICのエッジとパターンの間隔を広げると共に、光によりIC外周部のアンダーフィルを硬化した。光は紫外線を使用し、この場合硬化主波長310nmである。機械的な押さえを解除した後も、アンダーフィルは、フォーミングした形状を維持できる強度であり、更に光のあたらない、ICとフレキシブル基板の間のアンダーフィルを硬化するために約120℃のオーブンに90分入れる。
【0013】
次にチップ抵抗やコンデンサなどの部品をフレキシブル基板に実装する。半田ペーストを印刷し、部品をマウントして、エアーリフロー炉にてスズ鉛の共晶半田を溶融し冷却して接合する。接合温度は240度ピークで220℃10秒である。Pbレス半田を使用する場合は、約10℃高くなる。
【0014】
更に、異方性導電膜を使用してパッシブ液晶やアクティブ液晶や有機ELなどの表示パネルにフレキシブル基板を実装して表示装置を製造する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
このように、共晶接続を用いた実装では、アンダーフィルの充填時に気泡をまき込むことがある。まき込んだ気泡のうち、一部はアンダーフィルが硬化するまでに外部に出るが、ほとんどがアンダーフィルの硬化後そのまま閉じこまれた形で残る。この気泡が大きい場合は、SMT工程のリフローで加熱されるため、気泡が膨張しアンダーフィルと基板の接着力がリフロ−温度で低下するため、この気泡の膨張の影響で接着部が剥がれ接合部に応力が集中し、バンプとリードの界面から断線する不具合が生ずる。また、アンダーフィル充填後真空脱泡を行ってもほとんど気泡が抜けることはない。
【0016】
つまり、本発明はアンダーフィルの充填時にまき込んだ気泡を容易に取り除くことを可能にし、安定した接続品質の表示装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本問題を解決するために、少なくとも金などからなるバンプ付ICとポリイミド等の絶縁フィルムに銅などからなるパターンにスズまたはニッケル及びその表面に金をメッキしたフレキシブル基板とを接続し、ICとフレキシブル基板の間にアンダーフィルを注入して充填させ、更にアンダーフィルを硬化し、表示パネルと接続する表示装置の実装方法において、フレキシブル基板とICのバンプを加熱加圧により金―スズ共晶接続するかもしくは超音波などにより金―金接続する工程と、ICの外周の1部もしくは全面にアンダーフィルを滴下もしくは塗布する工程とアンダーフィルをICの外周全体に充填する工程と、加熱によりICとフレキシブル基板間に囲まれた気泡を熱膨張する事でアンダーフィルの外側に脱泡する工程と、更に加熱によりアンダーフィルを硬化する工程とする。アンダーフィル内にある気泡は加熱した温度により膨張量を制御できる。このときの温度は接着剤が熱硬化のため、硬化に支障の無い範囲の温度と時間で制御して気泡を脱泡する。脱法の温度は、接着剤の熱硬化の温度より高くても、短時間であれば反応は進むとしても硬化までに至らない。そのため、温度の条件は、脱泡時に接着剤内からアウトガスの出ない温度が上限である。
【0018】
また、アンダーフィルを二回に分けて充填する方法において、フレキシブル基板に第一のアンダーフィルを塗布した後にICのバンプを加熱加圧または、超音波などで接続した後、第二のアンダーフィルを塗布充填し、加熱により脱泡する方法においても、第一のアンダーフィルがすでに第二のアンダーフィルを充填するときには硬化しているので、このとき発生する気泡がICの外周に位置するため、脱法が一層容易に可能となった。
【0019】
更にアンダーフィルの硬化方法を光硬化と熱硬化併用型として、加熱によりICとフレキシブル基板間に囲まれた気泡を熱膨張する事でこの気泡を脱泡する工程と、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンのショートを防止するためのフォーミングを行うと共に、光によりアンダーフィルを硬化する工程と、更に加熱によりアンダーフィルを硬化する工程とを備える実装方法でも同様の効果を得ることができた。
【0020】
更にアンダーフィルの硬化方法を光硬化と熱硬化併用型として、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンのショートを防止するためにICのエッジとフレキシブル基板のパターンの間隔を広げ、加熱によりICとフレキシブル基板間に囲まれた気泡を熱膨張する事でこの気泡を脱泡し、ICのエッジとフレキシブル基板の広げた間隔を保持するために光によりアンダーフィルを硬化し、更に光の届かない未硬化の部分を加熱によりアンダーフィルを硬化する工程した実装方法とすることで、脱泡時にICエッジとフレキシブル基板の間隔が広くなっているため、更に脱泡が容易となった。
【0021】
また、上記実装方法でフレキシブル基板とICを接続し、更にフレキシブル基板と表示パネルを接続することにより、安定した品質の表示装置を得ることができた。
【0022】
上述のような表示装置の実装方法では、ICのバンプとフレキシブル基板の接合品質が安定し、歩留まりが向上することにより安価な表示装置を提供できるようになった。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明による半導体素子の実装方法は、基板と半導体素子を接続し、半導体素子の外周の一部もしくは外周すべてにアンダーフィルを配して、アンダーフィルを半導体素子の外周全体に充填する工程と、加熱して半導体素子と基板の間のアンダーフィルに巻き込まれた気泡を熱膨張させることにより脱泡する工程と、アンダーフィルを硬化する工程と、を備えている。さらに、アンダーフィルに光硬化と熱硬化の併用型の接着剤を用いるとともに、脱泡工程が、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンの間隔を広げた状態のままで加熱して気泡を熱膨張させて脱泡する工程と、更にその状態のままで光を照射してアンダーフィルの一部(例えば外周部)を硬化する工程と、照射した光があたらない部分(例えば半導体素子と基板の間隙)のアンダーフィルを加熱により硬化する工程を有することとした。
【0024】
また、本発明による半導体素子の他の実装方法は、基板に第一のアンダーフィルを設けてから基板と半導体素子を接続して、その後、半導体素子の外周の一部もしくは外周すべてに第二のアンダーフィルを配し、この第二のアンダーフィルを半導体素子の外周全体に充填させ、その後、充填時に半導体素子と基板の間に入り込んだ気泡を加熱により熱膨張させることにより脱泡し、その後、第二のアンダーフィルを硬化させることとする。さらに、第二のアンダーフィルに光硬化と熱硬化の併用型接着剤を用いるとともに、第二のアンダーフィルを硬化する工程が、半導体素子のエッジと基板の間隔を広げた状態で光を照射して第二のアンダーフィルの一部(例えば外周部)を硬化する工程と、加熱により照射した光のあたらない部分(例えば半導体素子と基板の間隙)の第二のアンダーフィルを硬化する工程を有することとする。
【0025】
このような方法により、半導体素子と基板の間隙に巻き込まれたアンダーフィルの気泡を除去することが可能になり、安定した品質のIC実装を行うことができる。
【0026】
さらに、このように実装した半導体装置を表示素子に接続して表示装置を形成すれば、信頼性の高い表示装置を提供できる。
【0027】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【0028】
(実施例1)
図1は、本実施例による実装方法を示す図である。図1(a)は、IC1とフレキシブル基板2の接続前の断面図である。IC1には金からなるバンプ1aが電解メッキにより形成してある。バンプ1aは30μmピッチで連続して形成してある。バンプ1aの高さは15μmである。フレキシブル基板2はポリイミドからなる25μmの厚みのベースフィルム2aに、銅からなる8μm厚みのパターン2bの表面に、スズめっきの純スズ層として0.2μm形成してある。
【0029】
図1(b)は、IC1とフレキシブル基板2を接続した断面である。バンプ1aとパターン2bのスズを加熱加圧することにより接続する。ここでは、IC1を450℃に加熱し、フレキシブル基板2を50℃に加熱し、IC1側より加圧する。加圧はバンプ1aとパターン2bの重なり面積に対して、1200kg/cm2 の圧力をかけ、加圧時間は2秒間で行った。
【0030】
図1(c)に、アンダーフィル3を塗布する工程を示す。アンダーフィル3には、熱硬化性のエポキシ系接着剤が用いられる。基板の熱膨張率とICの熱膨張率及びプロセス温度によりフィラーを添加する場合もある。IC1の外形の各角4点にアンダーフィルを塗布した。塗布位置はこれにこだわるものではなく、線引きで外周に塗布しても良い。
【0031】
図1(d)に、アンダーフィル3の充填工程を示す。IC1とフレキシブル基板の間にアンダーフィル3を充填するとともに、IC1の外周にフィレットを形成するまで放置する。条件は、50℃120秒である。この充填により従来問題となる気泡4が発生する。
【0032】
図1(e)は本発明の気泡4を脱泡する工程で、加温は、140〜200℃に加熱したツール(図示せず)をフレキシブル基板の表面に当てて5秒間加熱する条件で行う。この条件では接着剤は硬化しない。接着剤を低粘度化するとともに気泡4を熱膨張し、図1(f)に示すように気泡4がIC外周側より出て行き、図1(g)の状態となる。加熱条件は、接着剤の沸点以下であれば良い。沸点以上の温度では、別の気泡が発生する。
【0033】
次にアンダーフィルを硬化する。硬化条件は、135℃20分放置し、連続して180℃60分放置する。フレキシブル基板と表示パネルに異方性導電膜で接続して、図5に示した表示装置が完成する。
【0034】
(実施例2)
図2は、本実施例の実装方法を示す図である。図2(a)は、IC1とフレキシブル基板2の接続前の断面図である。IC1には金からなるバンプ1aが電解メッキにより形成してある。バンプ1aは30μmピッチで連続して形成してあり、ペリフェラル状に配置してある。バンプ1aの高さは15μmである。フレキシブル基板2はポリイミドからなる25μmの厚みのベースフィルム2aに、銅からなる8μm厚みのパターン2bの表面に、スズめっきを0.2μm形成してある。パターン2bはバンプ1aを介してIC1と電気的に接続される。フレキシブル基板のパターン2bの内側にはパターンを配置してある。アンダーフィルは2回の工程に分けて充填する。第一のアンダーフィル5は、IC1とフレキシブル基板2を接続する前に塗布しておく。このとき、第一のアンダーフィルはICの外周に配置したバンプにかからない量を塗布しておく。
【0035】
図2(b)は、IC1とフレキシブル基板2を接続した断面である。バンプ1aとパターン2bのスズを加熱加圧して接続する。ここで、IC1を450℃に加熱し、フレキシブル基板2を50℃に加熱し、IC1側より加圧する。加圧はバンプ1aとパターン2bの重なり面積に対して、1200kg/cm2 の圧力をかけ、加圧時間は2秒間で行った。接続と同時に第一のアンダーフィルを硬化する。第一のアンダーフィルは、熱硬化性でも、嫌気硬化性でも良い。このとき硬化する第一のアンダーフィルには、問題となる大きな気泡は入らない。
【0036】
このように、第一のアンダーフィルをバンプにかからない範囲でICとフレキシブル基板の間に設けて、ICとフレキシブル基板を接続すると共にこのアンダーフィルを硬化することにより、ICとフレキシブル基板へ加わる機械的なストレスがバンプとパターンの共晶接続部に応力集中し、接合部にダメージがかかることを防ぐことができる。
【0037】
図2(c)は、第二のアンダーフィル6を塗布する工程であり、第二のアンダーフィル6は、熱硬化性のエポキシ系接着剤である。基板の熱膨張率とICの熱膨張率及びプロセス温度によりフィラーを添加する場合もある。IC1の外形の各角4点に第二のアンダーフィルを塗布した。塗布位置はこれにこだわるものではなく、線引きで外周に塗布しても良い。
【0038】
図2(d)は、第二のアンダーフィル6の充填工程を示す模式図である。ここでは、IC1とフレキシブル基板の間に第二のアンダーフィル6を充填させるとともに、IC1の外周にフィレットを形成するまで放置する。条件は、50℃120秒である。この充填により従来問題となる気泡4が発生する。発生する気泡は第一のアンダーフィル5の外周側になる。
【0039】
図2(e)は本実施例の気泡4を脱泡する工程で、加温は、140〜200℃に加熱したツール(図示せず)をフレキシブル基板の表面に当てて5秒間加熱する条件で行う。加熱は、フレキシブル基板側にこだわるものではなくIC側からでも良い。この条件では接着剤は硬化しない。接着剤を低粘度化するとともに気泡4を熱膨張し、図2(f)に示すように気泡4がIC外周側より出て行き、図2(g)の状態となる。加熱条件は、接着剤の沸点以下であれば良い。沸点以上の温度では、別の気泡が発生する。
【0040】
次に第二のアンダーフィルを硬化する。硬化条件は、135℃20分放置し、連続して180℃60分放置して完了する。
【0041】
この実施例では、第一のアンダーフィルが第二のアンダーフィルの充填時にあるため、気泡4の位置が実施例1と比べIC1の外周側に発生する。そのため、容易に気泡4が抜ける。フレキシブル基板と表示パネルに異方性導電膜で接続して、図5に示した表示装置が完成する。
【0042】
(実施例3)
図3は、本実施例の実装方法を示す図である。前述の実施例と同様の部分については一部省略する。
【0043】
図3(a)は、IC1とフレキシブル基板2の接続前の断面図である。IC1には金からなるバンプ1aが電解メッキにより形成してある。バンプ1aは30μmピッチで連続して形成してあり、ペリフェラル状に配置してある。バンプ1aの高さは15μmである。フレキシブル基板2はポリイミドからなる25μmの厚みのベースフィルム2aに銅からなる8μm厚みのパターン2bが設けられており、このパターン2bの表面にスズめっきが0.2μm形成してある。フレキシブル基板のICと接続するパターンの内側にはパターンを配置してある。アンダーフィルは2回の工程に分けて充填する。第一のアンダーフィル5は、IC1とフレキシブル基板2を接続する前に塗布しておく。
【0044】
図3(b)は、IC1とフレキシブル基板2を接続した断面である。バンプ1aとパターン2bのスズを加熱加圧して接続する。ここでは、IC1を450℃に加熱し、フレキシブル基板2を50℃に加熱し、IC1側より加圧した。加圧はバンプ1aとパターン2bの重なり面積に対して、1200kg/cm2の圧力をかけ、加圧時間は2秒間で行った。接続と同時に第一のアンダーフィルを硬化する。第一のアンダーフィルは、熱硬化性でも、嫌気硬化性でも良い。
【0045】
図3(c)は、第二のアンダーフィル6を塗布する工程であり、第二のアンダーフィル6は、熱硬化性のエポキシ系接着剤である。基板の熱膨張率とICの熱膨張率及びプロセス温度によりフィラーを添加する場合もある。IC1の外形の各角4点に第2のアンダーフィル6を塗布した。塗布位置はこれにこだわるものではなく、線引きで外周に塗布しても良い。
【0046】
図3(d)は、第二のアンダーフィル6の充填工程である。ここでは、IC1とフレキシブル基板の間に第二のアンダーフィル6を充填するとともに、IC1の外周にフィレットを形成するまで放置する。条件は50℃120秒である。この充填により従来問題となる気泡4が発生する。発生する気泡は第一のアンダーフィルの外周側になる。
【0047】
図3(e)は本発明の気泡4を脱泡する工程である。ここで、加温は、140〜200℃に加熱したツール(図示せず)をフレキシブル基板の表面に当てて5秒間加熱する条件で行う。加熱は、フレキシブル基板側にこだわるものではなくIC側からでも良い。この条件では接着剤は硬化しない。接着剤を低粘度化するとともに気泡4を熱膨張し、図3(f)に示すように気泡4がIC外周側より出て行き脱泡が完了する。
【0048】
図3(g)は、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンのショートを防止するために、機械的にICエッジ部とパターンの間隔を広げた状態である。機械的な保持を解除してもこの状態を保持するためにIC側より紫外線を照射し、IC外周にある第二のアンダーフィルを硬化する。
【0049】
これは、ICのダイシング工程でダイシングラインにTEG等の回路を配置した場合に、アルミ等のバリが生じ、このバリとフレキシブル基板のパターンが接触することで起こる場合と、フレキシブル基板の変形により発生することがあるため、これを防止するために行う。また、ICとフレキシブル基板の間のアンダーフィルには紫外線が照射できないため、この段階ではアンダーフィルは未硬化である。そのため、さらに、加熱して硬化させる。硬化条件は、120℃90分である。図3(e)で加熱した条件はこの加熱による硬化温度より高いが、短時間であるためアンダーフィルは硬化しない。フレキシブル基板と表示パネルに異方性導電膜で接続して、図5に示した表示装置が完成する。
【0050】
(実施例4)
図4は、本実施例の実装方法を示す図である。前述の実施例と同様の部分については一部省略する。
【0051】
図4(a)は、IC1とフレキシブル基板2の接続前の断面図である。IC1には金からなるバンプ1aが電解メッキにより形成してある。バンプ1aは30μmピッチで連続して形成してあり、ペリフェラル状に配置してある。バンプ1aの高さは15μmである。フレキシブル基板2はポリイミドからなる25μmの厚みのベースフィルム2aに銅からなる8μm厚みのパターン2bが設けられており、そのパターン2bの表面に、スズめっきが0.2μm形成してある。フレキシブル基板のICと接続するパターンの内側にはパターンを配置してある。アンダーフィルは2回の工程に分けて充填する。第一のアンダーフィル5は、IC1とフレキシブル基板2を接続する前に塗布しておく。
【0052】
図4(b)は、IC1とフレキシブル基板2を接続した断面である。バンプ1aとパターン2bのスズを加熱加圧して接続する。ここで、IC1を450℃に加熱し、フレキシブル基板2を50℃に加熱し、IC1側より加圧する。加圧はバンプ1aとパターン2bの重なり面積に対して、1200kg/cm2 の圧力をかけ、加圧時間は2秒間で行った。接続と同時に第一のアンダーフィルを硬化する。第一のアンダーフィルは、熱硬化性でも、嫌気硬化性でも良い。
【0053】
図4(c)は、第二のアンダーフィル6を塗布する工程であり、第二のアンダーフィル6は、熱硬化性のエポキシ系接着剤である。基板の熱膨張率とICの熱膨張率及びプロセス温度によりフィラーを添加する場合もある。IC1の外形の各角4点に第二のアンダーフィル6を塗布した。塗布位置はこれにこだわるものではなく、線引きで外周に塗布しても良い。
【0054】
図4(d)は、第二のアンダーフィル6の充填工程である。ここでは、IC1とフレキシブル基板の間に第二のアンダーフィル6を充填するとともに、IC1の外周にフィレットを形成するまで放置する。条件は50℃120秒である。この充填により従来問題となる気泡4が発生する。発生する気泡は第一のアンダーフィルの外周側になる。
【0055】
図4(e)は、実施例3と同様、ICのエッジとフレキシブル基板のパターンのショートを防止するために、機械的にICエッジ部とパターンの間隔を広げた状態である。
【0056】
図4(f)は本発明の気泡4を脱泡する工程で、加温は、140〜200℃に加熱したツール(図示せず)をフレキシブル基板の表面に当てて5秒間加熱するの条件で行う。加熱は、フレキシブル基板側にこだわるものではなくIC側からでも良い。加熱手段もツールだけでなく、熱風等でも良い。この条件では、接着剤は硬化しない。接着剤を低粘度化するとともに気泡4を熱膨張し、図4(g)に示すように気泡4がIC外周側より出て行き脱泡が完了する。実施例3と比べて、ICエッジとパターンの間隔を広げているため、気泡が出で行きやすい。
【0057】
図4(h)は機械的な保持を解除してもこの状態を保持するために、IC側より紫外線を照射して、IC外周にある第二のアンダーフィルを硬化した状態である。ここで、ICとフレキシブル基板の間のアンダーフィルには紫外線が照射できないため、この段階では未硬化である。そのため、さらに加熱により硬化させる。硬化条件は、120℃90分である。図4(e)で加熱した条件はこの加熱による硬化温度より高いが、短時間であるため硬化しない。フレキシブル基板と表示パネルに異方性導電膜で接続して、図5に示した表示装置が完成する。
【0058】
【発明の効果】
本発明は以上説明したように、極めて気泡の少ない安定した品質のIC実装を行うとともに、IC実装後の半田リフロー等によるダメージの無い、安定した品質の電子回路装置及び表示装置を提供できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1による実装工程の概略を表す工程図である。
【図2】本発明の実施例2による実装工程の概略を表す工程図である。
【図3】本発明の実施例3による実装工程の概略を表す工程図である。
【図4】本発明の実施例4による実装工程の概略を表す工程図である。
【図5】表示装置を表す上面図
【符号の説明】
1 IC
1a 金バンプ
2 フレキシブル基板
2a ポリイミドフィルム
2b パターン
3 アンダーフィル
4 気泡
5 第一のアンダーフィル
6 第二のアンダーフィル
7 液晶パネル
8 チップ部品
Claims (4)
- 基板と半導体素子を接続する工程と、
前記半導体素子の外周の一部もしくは全面にアンダーフィルを配し、前記アンダーフィルを前記半導体素子の外周全体に充填する工程と、
前記半導体素子と前記基板との間に前記アンダーフィルの充填時にまき込んだ気泡を加熱して熱膨張させることにより、前記気泡を前記半導体素子の外周側より排出する脱泡工程と、
前記アンダーフィルを硬化する工程と、を備えることを特徴とする半導体素子の実装方法。 - ICが実装されたフレキシブル基板を表示パネルに接続してなる表示装置の製造方法であって、
前記フレキシブル基板と前記ICを接続する第一工程と、
前記ICの外周の少なくとも一部にアンダーフィルを設け、前記アンダーフィルを前記ICの外周全体に充填する第二工程と、
前記ICと前記フレキシブル基板との間に前記アンダーフィルの充填時にまき込んだ気泡を加熱して熱膨張させることにより、前記気泡を前記ICの外周側より排出する脱泡工程と、
前記アンダーフィルを硬化する工程と、
前記フレキシブル基板を表示パネルに接続する工程と、を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第一工程は、前記フレキシブル基板に第二のアンダーフィルを設けて前記ICを接続する工程であり、前記第二工程の前に前記第二のアンダーフィルを硬化させることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 加熱されたツールを用いて前記気泡が加熱されることを特徴とする請求項2または3に記載の表示装置の製造方法。
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