JP2003332381A - 電子部品の実装方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】接合部の信頼性が高く、生産性に優れた半導体
チップ３の実装方法を提供することを目的とする。 【構成】絶縁基板1の銅配線パターン上にスズめっきさ
れたスズ電極層２に、半導体チップ３の金バンプ４が接
合されてなり、前記絶縁基板1と半導体チップ３の間隙
部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部品
の実装方法であって、前記絶縁基板1上にアンダーフィ
ル樹脂５を滴下する工程、前記熱圧着ツール６により２
８０℃以上に加熱された前記半導体チップ３が前記半導
体チップ３の金バンプ４と前記絶縁基板1上の電極とが
対向するように下降し、前記半導体チップ３の金バンプ
４と前記絶縁基板1上の電極に施されたスズ電極層２と
の間に金-スズ共晶合金層を形成し接合する熱圧着工程
の順に行うことを特徴とする。
チップ３の実装方法を提供することを目的とする。 【構成】絶縁基板1の銅配線パターン上にスズめっきさ
れたスズ電極層２に、半導体チップ３の金バンプ４が接
合されてなり、前記絶縁基板1と半導体チップ３の間隙
部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部品
の実装方法であって、前記絶縁基板1上にアンダーフィ
ル樹脂５を滴下する工程、前記熱圧着ツール６により２
８０℃以上に加熱された前記半導体チップ３が前記半導
体チップ３の金バンプ４と前記絶縁基板1上の電極とが
対向するように下降し、前記半導体チップ３の金バンプ
４と前記絶縁基板1上の電極に施されたスズ電極層２と
の間に金-スズ共晶合金層を形成し接合する熱圧着工程
の順に行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体チップ３を絶縁
基板1に金−スズ共晶合金接合により実装する電子部品
の実装方法に関するものである。
基板1に金−スズ共晶合金接合により実装する電子部品
の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品（半導体チップ３）を絶縁基板
1に金-スズ共晶合金接合により実装する方法としては、
半導体チップ３に金バンプ４を、絶縁基板1には銅配線
パターンにスズめっきを施したスズ電極層２をそれぞれ
形成し、実装時に２８０℃以上に加熱して金−スズ共晶
合金を作り接合させ、接合後、電子部品と絶縁基板1の
隙間にアンダーフィル樹脂５として、液状の熱硬化性樹
脂を注入して加熱硬化させ、電子部品と絶縁基板1の間
隙を封止させる方法が一般的に行われている。上記の電
子部品と絶縁基板1の隙間にアンダーフィル樹脂５を注
入する方法は、半導体チップ３の外周部の絶縁基板1上
にアンダーフィル樹脂５を滴下して、毛細管現象により
隙間にアンダーフィル樹脂５を注入するものである。こ
のアンダーフィル樹脂５は金−スズ共晶合金接合部を包
み込んで半導体チップ３と絶縁基板1の接着強度を高め
て異物の混入防止と半導体チップ３と絶縁基板１の熱膨
張係数差による熱応力で発生する接合部破断防止ととも
に、ＩＣチップ側面外周部にも充填され、耐湿性および
接着強度を向上させる機能を有している。
1に金-スズ共晶合金接合により実装する方法としては、
半導体チップ３に金バンプ４を、絶縁基板1には銅配線
パターンにスズめっきを施したスズ電極層２をそれぞれ
形成し、実装時に２８０℃以上に加熱して金−スズ共晶
合金を作り接合させ、接合後、電子部品と絶縁基板1の
隙間にアンダーフィル樹脂５として、液状の熱硬化性樹
脂を注入して加熱硬化させ、電子部品と絶縁基板1の間
隙を封止させる方法が一般的に行われている。上記の電
子部品と絶縁基板1の隙間にアンダーフィル樹脂５を注
入する方法は、半導体チップ３の外周部の絶縁基板1上
にアンダーフィル樹脂５を滴下して、毛細管現象により
隙間にアンダーフィル樹脂５を注入するものである。こ
のアンダーフィル樹脂５は金−スズ共晶合金接合部を包
み込んで半導体チップ３と絶縁基板1の接着強度を高め
て異物の混入防止と半導体チップ３と絶縁基板１の熱膨
張係数差による熱応力で発生する接合部破断防止ととも
に、ＩＣチップ側面外周部にも充填され、耐湿性および
接着強度を向上させる機能を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体チップ３と絶縁基板1の間隙にアンダーフィル樹
脂５を注入する工程はその隙間が狭く、アンダーフィル
樹脂５の毛細管現象による浸透圧で注入されるので、絶
縁基板1及び半導体チップ３の表面状態（汚れ等）や隙
間の広さ、電極の密集度の差などによってアンダーフィ
ル樹脂５が注入されない部分が生じ、接合部の長期信頼
性を損ねるという問題が生じる。また、アンダーフィル
樹脂５が注入されるまでに時間を要し、生産性が低いと
いう問題点やアンダーフィル工程のために専用の装置が
必要で、設備投資金額が高くなってしまうという問題点
があった。
半導体チップ３と絶縁基板1の間隙にアンダーフィル樹
脂５を注入する工程はその隙間が狭く、アンダーフィル
樹脂５の毛細管現象による浸透圧で注入されるので、絶
縁基板1及び半導体チップ３の表面状態（汚れ等）や隙
間の広さ、電極の密集度の差などによってアンダーフィ
ル樹脂５が注入されない部分が生じ、接合部の長期信頼
性を損ねるという問題が生じる。また、アンダーフィル
樹脂５が注入されるまでに時間を要し、生産性が低いと
いう問題点やアンダーフィル工程のために専用の装置が
必要で、設備投資金額が高くなってしまうという問題点
があった。
【０００４】そこで、本発明は上述した点に鑑み、接合
部の信頼性が高く、生産性に優れた半導体チップ３の実
装方法を提供することを目的とするものである。
部の信頼性が高く、生産性に優れた半導体チップ３の実
装方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決する手段】上記の課題を解決するため、本
発明の電子部品の実装方法は、絶縁基板1の電極には銅
電極にスズめっきを施したスズ電極層２が形成されてな
り、半導体チップ３の電極には金バンプ４が形成されて
なり、前記絶縁基板1の電極と前記半導体チップ３の電
極とが接合され、前記絶縁基板1と半導体チップ３の間
隙部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部
品の実装方法であって、前記絶縁基板1上にアンダーフ
ィル樹脂５を滴下する工程、前記熱圧着ツール６により
２８０℃以上に加熱された前記半導体チップ３が前記半
導体チップ３の金バンプ４と前記絶縁基板1上の電極と
が対向するように下降し、前記半導体チップ３の金バン
プ４と前記絶縁基板1上の電極に施されたスズ電極層２
との間に金-スズ共晶合金層を形成し接合する熱圧着工
程の順に行うことを特徴とする。
発明の電子部品の実装方法は、絶縁基板1の電極には銅
電極にスズめっきを施したスズ電極層２が形成されてな
り、半導体チップ３の電極には金バンプ４が形成されて
なり、前記絶縁基板1の電極と前記半導体チップ３の電
極とが接合され、前記絶縁基板1と半導体チップ３の間
隙部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部
品の実装方法であって、前記絶縁基板1上にアンダーフ
ィル樹脂５を滴下する工程、前記熱圧着ツール６により
２８０℃以上に加熱された前記半導体チップ３が前記半
導体チップ３の金バンプ４と前記絶縁基板1上の電極と
が対向するように下降し、前記半導体チップ３の金バン
プ４と前記絶縁基板1上の電極に施されたスズ電極層２
との間に金-スズ共晶合金層を形成し接合する熱圧着工
程の順に行うことを特徴とする。
【０００６】上記の本発明の電子部品の実装方法は、絶
縁基板1上にアンダーフィル樹脂５を滴下した後に熱圧
着工程を行うので、上記の熱圧着工程は半導体チップ３
の金バンプ４と絶縁基板1のスズ電極層２との接合とア
ンダーフィル樹脂５の封入が同時に行われる。したがっ
て、接合後アンダーフィル樹脂５の注入・封止を行うも
のと較べてアンダーフィル樹脂５の注入・封止の作業性
が各段に向上すると共に、アンダーフィル樹脂５が接合
部に完全に注入され、接合部の信頼性も高いものが得ら
れる。さらに従来は接合装置とアンダーフィル装置を別
の装置にする必要があったが、本発明による電子部品の
実装方法によると、接合装置にアンダーフィル樹脂５の
滴下機構を付加するだけで良いので、１台の装置で一連
の作業を実施することが出来るようになる。
縁基板1上にアンダーフィル樹脂５を滴下した後に熱圧
着工程を行うので、上記の熱圧着工程は半導体チップ３
の金バンプ４と絶縁基板1のスズ電極層２との接合とア
ンダーフィル樹脂５の封入が同時に行われる。したがっ
て、接合後アンダーフィル樹脂５の注入・封止を行うも
のと較べてアンダーフィル樹脂５の注入・封止の作業性
が各段に向上すると共に、アンダーフィル樹脂５が接合
部に完全に注入され、接合部の信頼性も高いものが得ら
れる。さらに従来は接合装置とアンダーフィル装置を別
の装置にする必要があったが、本発明による電子部品の
実装方法によると、接合装置にアンダーフィル樹脂５の
滴下機構を付加するだけで良いので、１台の装置で一連
の作業を実施することが出来るようになる。
【０００７】更に、本発明の電子部品の実装方法は、前
記請求項１において、前記アンダーフィル樹脂５を滴下
する工程は、少なくとも前記半導体チップ３の外周部に
形成された金バンプ４と対応した位置に形成された前記
絶縁基板1の電極により囲まれた中心部近傍の絶縁基板1
上にアンダーフィル樹脂５を塗布するものであることを
特徴とする。
記請求項１において、前記アンダーフィル樹脂５を滴下
する工程は、少なくとも前記半導体チップ３の外周部に
形成された金バンプ４と対応した位置に形成された前記
絶縁基板1の電極により囲まれた中心部近傍の絶縁基板1
上にアンダーフィル樹脂５を塗布するものであることを
特徴とする。
【０００８】上記の本発明の電子部品の実装方法は、加
熱された半導体チップ３がアンダーフィル樹脂５に接触
するまでは、スズ電極層２は輻射熱で直接加熱されるの
で、スズ電極層２が金―スズ共晶合金を形成する適正な
温度とすることができ、金バンプ４の接触と共に金-ス
ズ共晶合金の形成が可能となる。
熱された半導体チップ３がアンダーフィル樹脂５に接触
するまでは、スズ電極層２は輻射熱で直接加熱されるの
で、スズ電極層２が金―スズ共晶合金を形成する適正な
温度とすることができ、金バンプ４の接触と共に金-ス
ズ共晶合金の形成が可能となる。
【０００９】更に本発明の電子部品の実装方法は、前記
請求項１、又は２において、前記アンダーフィル樹脂５
を滴下する工程で用いるアンダーフィル樹脂の粘度は４
００〜２０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする。
請求項１、又は２において、前記アンダーフィル樹脂５
を滴下する工程で用いるアンダーフィル樹脂の粘度は４
００〜２０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする。
【００１０】上記の本発明の電子部品の実装方法は、ア
ンダーフィル樹脂５の粘度は４００〜２０００ｐｏｉｓ
ｅとしたので、適正なフィレット８の形成と、金―スズ
共晶合金の接合が可能となる。
ンダーフィル樹脂５の粘度は４００〜２０００ｐｏｉｓ
ｅとしたので、適正なフィレット８の形成と、金―スズ
共晶合金の接合が可能となる。
【００１１】更に本発明の電子部品の製造方法は、前記
請求項１、２、又は３において、前記アンダーフィル樹
脂５を滴下する工程で用いるアンダーフィル樹脂５を構
成する成分の沸点は２５０℃以上であることを特徴とす
る。
請求項１、２、又は３において、前記アンダーフィル樹
脂５を滴下する工程で用いるアンダーフィル樹脂５を構
成する成分の沸点は２５０℃以上であることを特徴とす
る。
【００１２】上記の本発明の電子部品の実装方法は、ア
ンダーフィル樹脂５を構成する成分の沸点を２５０℃以
上にしたので、接合部にアンダーフィル樹脂５中のボイ
ドの発生がなく信頼性の高い電子部品の提供が可能とな
る。
ンダーフィル樹脂５を構成する成分の沸点を２５０℃以
上にしたので、接合部にアンダーフィル樹脂５中のボイ
ドの発生がなく信頼性の高い電子部品の提供が可能とな
る。
【００１３】更に、本発明の電子部品の製造方法は、前
記請求項１、２、３、又は４において、前記熱圧着工程
は前記熱圧着ツール６により２８０℃以上に加熱された
前記半導体チップ３が下降する速度は０．５〜８ｍｍ／
ｓｅｃであることを特徴とする。
記請求項１、２、３、又は４において、前記熱圧着工程
は前記熱圧着ツール６により２８０℃以上に加熱された
前記半導体チップ３が下降する速度は０．５〜８ｍｍ／
ｓｅｃであることを特徴とする。
【００１４】上記の本発明の電子部品の実装方法は、加
熱された前記半導体チップ３が下降する速度を０．５〜
８ｍｍ／ｓｅｃにしたので、樹脂が硬化する前に接合が
可能となり、衝撃荷重による半導体チップ３へのダメー
ジも生じない。
熱された前記半導体チップ３が下降する速度を０．５〜
８ｍｍ／ｓｅｃにしたので、樹脂が硬化する前に接合が
可能となり、衝撃荷重による半導体チップ３へのダメー
ジも生じない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１６】（実施例１）図１（ａ）〜（ｃ）は電子部
品の実装方法を示す工程断面図である。図２（ａ）は本
発明の電子部品の実装方法で接合された電子部品の平面
図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ方向の断面
図である。
品の実装方法を示す工程断面図である。図２（ａ）は本
発明の電子部品の実装方法で接合された電子部品の平面
図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ方向の断面
図である。
【００１７】まず、図1（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発
明の電子部品の実装方法を説明する。
明の電子部品の実装方法を説明する。
【００１８】絶縁基板1上には、半導体チップ３の周辺
部に形成された金バンプ４と対応した位置にスズ電極層
２が形成されている。その絶縁基板1のスズ電極層２が
形成されていない部分にアンダーフィル樹脂５を塗布す
る。望ましくは半導体チップ３の中心部に対応した位置
にアンダーフィル樹脂５を滴下するのが望ましい。（図
１（ａ）） スズ電極層２のスズの厚みは、０．１０から０．４０μ
ｍｍの範囲が望ましい。０．１０μｍｍ以下では十分な
量の金との共晶合金が生成されず、接合強度が不足して
しまう。０.４０μｍｍ以上では金との共晶合金が過剰
に生成されてしまい、隣接する電極との接触による電気
的短絡不良が発生するおそれがある。
部に形成された金バンプ４と対応した位置にスズ電極層
２が形成されている。その絶縁基板1のスズ電極層２が
形成されていない部分にアンダーフィル樹脂５を塗布す
る。望ましくは半導体チップ３の中心部に対応した位置
にアンダーフィル樹脂５を滴下するのが望ましい。（図
１（ａ）） スズ電極層２のスズの厚みは、０．１０から０．４０μ
ｍｍの範囲が望ましい。０．１０μｍｍ以下では十分な
量の金との共晶合金が生成されず、接合強度が不足して
しまう。０.４０μｍｍ以上では金との共晶合金が過剰
に生成されてしまい、隣接する電極との接触による電気
的短絡不良が発生するおそれがある。
【００１９】絶縁基板1は例えばポリイミドのような軟
質の耐熱性樹脂からなるフイルム状の絶縁基板であって
も、ガラス入りエポキシ樹脂の様な硬質の耐熱性樹脂か
らなる絶縁基板であってもよい。本発明では、ポリイミ
ドフイルム基板を用いた。
質の耐熱性樹脂からなるフイルム状の絶縁基板であって
も、ガラス入りエポキシ樹脂の様な硬質の耐熱性樹脂か
らなる絶縁基板であってもよい。本発明では、ポリイミ
ドフイルム基板を用いた。
【００２０】テーブル７は絶縁基板1を保持するための
ものであるが、できるだけ熱を逃がさないよう熱伝導率
の低いものを用いるのが望ましい。またテーブル７を４
０℃〜８０℃程度に加熱して接合を補助、促進させるこ
とも可能である。
ものであるが、できるだけ熱を逃がさないよう熱伝導率
の低いものを用いるのが望ましい。またテーブル７を４
０℃〜８０℃程度に加熱して接合を補助、促進させるこ
とも可能である。
【００２１】次に、加熱手段と下降手段を有する熱圧着
ツール６にチャッキングされた半導体チップ３は金-ス
ズ共晶合金を形成する２８０℃以上に加熱され、絶縁基
板1に向かって下降する。下降する位置は、半導体チッ
プ３の金バンプ４が絶縁基板1のスズ電極層２と相対す
るようにする。（図１（ｂ）） 下降する速度は、０．５〜８ｍｍ／ｓｅｃの範囲である
ことが望ましい。下降する速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ以
下では熱圧着ツール６からの輻射熱でアンダーフィル樹
脂５が接合する前に硬化を始めてしまうからである。下
降する速度が８ｍｍ／ｓｅｃ以上では衝撃荷重により半
導体チップ３が破損してしまうからである。
ツール６にチャッキングされた半導体チップ３は金-ス
ズ共晶合金を形成する２８０℃以上に加熱され、絶縁基
板1に向かって下降する。下降する位置は、半導体チッ
プ３の金バンプ４が絶縁基板1のスズ電極層２と相対す
るようにする。（図１（ｂ）） 下降する速度は、０．５〜８ｍｍ／ｓｅｃの範囲である
ことが望ましい。下降する速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ以
下では熱圧着ツール６からの輻射熱でアンダーフィル樹
脂５が接合する前に硬化を始めてしまうからである。下
降する速度が８ｍｍ／ｓｅｃ以上では衝撃荷重により半
導体チップ３が破損してしまうからである。
【００２２】熱圧着ツール６が下降する間、絶縁基板1
のスズ電極層２は熱圧着ツール６の輻射熱により加熱さ
れる。また、アンダーフィル樹脂５も加熱されるが硬化
は始まっていない。
のスズ電極層２は熱圧着ツール６の輻射熱により加熱さ
れる。また、アンダーフィル樹脂５も加熱されるが硬化
は始まっていない。
【００２３】熱圧着ツール６が下降し終わると、アンダ
ーフィル樹脂５の広がりと金バンプ４とスズ電極層２の
接合が行われ、アンダーフィル樹脂５は半導体チップ３
と絶縁基板1の間隙（半導体チップ３の金バンプ４と絶
縁基板1のスズ電極層２とで形成される接合層による間
隙）に充填されると同時に、半導体チップ３の側面外周
部にフィレット８を形成するように行う。（図１
（ｃ））
ーフィル樹脂５の広がりと金バンプ４とスズ電極層２の
接合が行われ、アンダーフィル樹脂５は半導体チップ３
と絶縁基板1の間隙（半導体チップ３の金バンプ４と絶
縁基板1のスズ電極層２とで形成される接合層による間
隙）に充填されると同時に、半導体チップ３の側面外周
部にフィレット８を形成するように行う。（図１
（ｃ））
【００２４】上記の熱圧着工程において、アンダーフィ
ル樹脂５の粘度と成分の沸点が重要となる。
ル樹脂５の粘度と成分の沸点が重要となる。
【００２５】すなわち、アンダーフィル樹脂５の粘度
は、４００〜２０００ｐｏｉｓｅの範囲にあることが必
要である。４００ｐｏｉｓｅ以下では、適正なフィレッ
ト８が形成できない。フィレット８は半導体チップ３と
絶縁基板1の接着強度に関係し、接合状態の長期の信頼
性を維持するためには、適正なフィレット８の厚みＦは
半導体チップ３の厚みＴの１/３以上必要となる。もち
ろん、上記の適正なフィレット８の形成において、アン
ダーフィル樹脂５の量は適正量供給する必要がある。２
０００ｐｏｉｓｅ以上では金バンプ４と絶縁基板1のス
ズ電極層２との接合部隙間に入ってしまったアンダーフ
ィル樹脂５を排斥することが困難となり、金―スズ共晶
合金の接合形成が接合面積の一部のみになってしまい、
接合強度が不十分になってしまう。
は、４００〜２０００ｐｏｉｓｅの範囲にあることが必
要である。４００ｐｏｉｓｅ以下では、適正なフィレッ
ト８が形成できない。フィレット８は半導体チップ３と
絶縁基板1の接着強度に関係し、接合状態の長期の信頼
性を維持するためには、適正なフィレット８の厚みＦは
半導体チップ３の厚みＴの１/３以上必要となる。もち
ろん、上記の適正なフィレット８の形成において、アン
ダーフィル樹脂５の量は適正量供給する必要がある。２
０００ｐｏｉｓｅ以上では金バンプ４と絶縁基板1のス
ズ電極層２との接合部隙間に入ってしまったアンダーフ
ィル樹脂５を排斥することが困難となり、金―スズ共晶
合金の接合形成が接合面積の一部のみになってしまい、
接合強度が不十分になってしまう。
【００２６】また、アンダーフィル樹脂５成分の沸点は
２５０℃以上であることが必要である。２５０℃以下で
はアンダーフィル樹脂５が硬化する過程において、成分
が沸騰し、気泡が生じてボイドの発生の原因となってし
まう。接合部にボイドが生じると接着強度不足や耐湿性
の低下の原因となり、信頼性の低下につながる。
２５０℃以上であることが必要である。２５０℃以下で
はアンダーフィル樹脂５が硬化する過程において、成分
が沸騰し、気泡が生じてボイドの発生の原因となってし
まう。接合部にボイドが生じると接着強度不足や耐湿性
の低下の原因となり、信頼性の低下につながる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の電子部品の実装方法は、絶縁基
板1上にアンダーフィル樹脂５を滴下した後に熱圧着工
程を行うので、上記の熱圧着工程は半導体チップ３の金
バンプ４と絶縁基板1のスズ電極層２との接合とアンダ
ーフィル樹脂５の封入が同時に行われる。したがって、
接合後アンダーフィル樹脂５の注入・封止を行うものと
較べてアンダーフィル樹脂５の注入・封止の作業性が各
段に向上すると共に、アンダーフィル樹脂５が接合部に
完全に注入され、接合部の信頼性も高いものが得られ
る。
板1上にアンダーフィル樹脂５を滴下した後に熱圧着工
程を行うので、上記の熱圧着工程は半導体チップ３の金
バンプ４と絶縁基板1のスズ電極層２との接合とアンダ
ーフィル樹脂５の封入が同時に行われる。したがって、
接合後アンダーフィル樹脂５の注入・封止を行うものと
較べてアンダーフィル樹脂５の注入・封止の作業性が各
段に向上すると共に、アンダーフィル樹脂５が接合部に
完全に注入され、接合部の信頼性も高いものが得られ
る。
【００２８】更に、本発明による電子部品の実装方法に
よると、一台の接合装置にアンダーフィル樹脂５の滴下
機構を付加するだけで良いので、１台の装置で一連の作
業を実施することが出来るようになるため、設備投資金
額を削減できる。
よると、一台の接合装置にアンダーフィル樹脂５の滴下
機構を付加するだけで良いので、１台の装置で一連の作
業を実施することが出来るようになるため、設備投資金
額を削減できる。
【００２９】更に、上記の本発明の電子部品の実装方法
は、加熱された半導体チップ３がアンダーフィル樹脂５
に接触するまでは、スズ電極層２は輻射熱で直接過熱さ
れるので、スズ電極層２が金―スズ共晶合金を形成する
適正な温度とすることができ、金バンプ４の接触と共に
金-スズ共晶合金の形成が可能となる。
は、加熱された半導体チップ３がアンダーフィル樹脂５
に接触するまでは、スズ電極層２は輻射熱で直接過熱さ
れるので、スズ電極層２が金―スズ共晶合金を形成する
適正な温度とすることができ、金バンプ４の接触と共に
金-スズ共晶合金の形成が可能となる。
【００３０】更に、本発明の電子部品の実装方法は、ア
ンダーフィル樹脂５を構成する成分の沸点を２５０℃以
上にしたので、接合部にウアンダーフィル樹脂５中のボ
イドの発生がなく信頼性の高い電子部品の提供が可能と
なる。
ンダーフィル樹脂５を構成する成分の沸点を２５０℃以
上にしたので、接合部にウアンダーフィル樹脂５中のボ
イドの発生がなく信頼性の高い電子部品の提供が可能と
なる。
【００３１】更に、上記の本発明の電子部品の実装方法
は、加熱された前記半導体チップ３が下降する速度を
０．５〜８ｍｍ／ｓｅｃにしたので、樹脂が硬化する前
に接合が可能となり、衝撃荷重による半導体チップ３へ
のダメージも生じない。
は、加熱された前記半導体チップ３が下降する速度を
０．５〜８ｍｍ／ｓｅｃにしたので、樹脂が硬化する前
に接合が可能となり、衝撃荷重による半導体チップ３へ
のダメージも生じない。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は電子部品の実装方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の電子部品の実装方法で接合さ
れた電子部品の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＸ−Ｘ方向の断面図である。
れた電子部品の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＸ−Ｘ方向の断面図である。
１ 絶縁基板
２ スズ電極層
３ 半導体チップ
４ 金バンプ
５ アンダーフィル樹脂
６ 熱圧着ツール
７ テーブル
８ フィレット
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁基板（1）の電極にはスズ電極層
（２）が形成されてなり、半導体チップ（３）の電極に
は金バンプ（４）が形成されてなり、前記絶縁基板
（1）の電極と前記半導体チップ（３）の電極とが接合
され、前記絶縁基板（1）と半導体チップ（３）の間隙
部にはアンダーフィル樹脂（５）が充填されてなる電子
部品の実装方法であって、前記絶縁基板（1）上にアン
ダーフィル樹脂（５）を滴下する工程、前記熱圧着ツー
ル（６）により２８０℃以上に加熱された前記半導体チ
ップ（３）が前記半導体チップ（３）の金バンプ（４）
と前記絶縁基板（1）上の電極とが対向するように下降
し、前記半導体チップ（３）の金バンプ（４）と前記絶
縁基板（1）上の電極に施されたスズ電極層（２）との
間に金-スズ共晶合金層を形成し接合する熱圧着工程の
順に行うことを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項２】前記アンダーフィル樹脂（５）を滴下する
工程は、少なくとも前記半導体チップ（３）の外周部に
形成された金バンプ（４）と対応した位置に形成された
前記絶縁基板（1）の電極により囲まれた中心部近傍の
絶縁基板（1）上にアンダーフィル樹脂（５）を塗布す
るものであることを特徴とする請求項１記載の電子部品
の実装方法。 - 【請求項３】前記アンダーフィル樹脂（５）を滴下する
工程で用いるアンダーフィル樹脂の粘度は４００〜２０
００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする請求項１、又は
２記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項４】前記アンダーフィル樹脂（５）を滴下する
工程で用いるアンダーフィル樹脂（５）を構成する成分
の沸点は２５０℃以上であることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項５】前記熱圧着工程は、前記熱圧着ツール
（６）により２８０℃以上に加熱された前記半導体チッ
プ（３）が下降する速度は０．５〜８ｍｍ／ｓｅｃであ
ることを特徴とする請求項１、２、３及び４記載の電子
部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002138769A JP2003332381A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002138769A JP2003332381A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 電子部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332381A true JP2003332381A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29700119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002138769A Pending JP2003332381A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | 電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003332381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012959A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段電子部品の製造方法 |
| JP2009256612A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
| WO2013048473A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Fluxing-encapsulant material for microelectronic packages assembled via thermal compression bonding process |
-
2002
- 2002-05-14 JP JP2002138769A patent/JP2003332381A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012959A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段電子部品の製造方法 |
| JP4556788B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 多段電子部品の製造方法 |
| JP2009256612A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
| WO2013048473A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Fluxing-encapsulant material for microelectronic packages assembled via thermal compression bonding process |
| US9504168B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-11-22 | Intel Corporation | Fluxing-encapsulant material for microelectronic packages assembled via thermal compression bonding process |
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