JP2007048987A - フリップチップ実装方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】一旦はんだ接合した半導体チップ1と回路基板4の間隙にアンダーフィル樹脂3を充填した後、はんだ2の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂3を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂3における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ2の形状を鼓状にする。
【選択図】図1
【解決手段】一旦はんだ接合した半導体チップ1と回路基板4の間隙にアンダーフィル樹脂3を充填した後、はんだ2の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂3を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂3における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ2の形状を鼓状にする。
【選択図】図1
Description
本発明は、はんだによる接合部を有するフリップチップ構造の電子部品を回路基板上に実装するフリップチップ実装方法に関するものである。
従来から、フリップチップ構造の電子部品を回路基板上にフリップチップ実装する方法の1つとして、フリップチップ構造の電子部品の電極と回路基板上の配線電極との接合用材料として、はんだを用いる工法(例えば、特許文献1の従来技術を参照)が広く利用されている。
上記のように、フリップチップ構造の電子部品の電極と回路基板上の配線電極との接合用材料として、はんだを用いる従来のフリップチップ実装方法について、図面を用いて以下に説明する。
図4は従来のフリップチップ実装方法により製造された半導体装置の断面構造図である。図4に示すように、まず、バンプ状のはんだ2を半導体チップ1と回路基板4との間に配置し、これらをリフロー装置のリフロー炉を通すことによって、はんだ2を溶融して半導体チップ1と回路基板4の電極間を電気的に接続する。このとき、はんだ2の形状は太鼓状になっている。
上記のように半導体チップ1と回路基板4をはんだ接続した後に、アンダーフィル樹脂3を注入し、アンダーフィル樹脂を、加熱炉などにより、はんだ融点以下である150度C程度の温度を加えて硬化させる。このとき、はんだ2の形状は、アンダーフィル樹脂をはんだ融点以下で硬化させるため、その硬化前後で変化することがなく、同一形状の太鼓状のままである。なお、上記のはんだの融点温度は、通常、Sn−3Ag−0.5Cuの場合で約220度C(217度C〜219度C)であり、Sn−37Pbの場合で約183度Cである。
特開平5−343472号公報
しかしながら上記のような従来のフリップチップ実装方法による構造では、半導体チップや回路基板とはんだとの接合部における界面近傍への熱的および機械的な応力が集中しやすく、また、半導体チップの微細化によるバンプピッチの狭ピッチ化に伴い、フリップチップ実装時に、隣接のはんだ同士がショートするのを防ぐ目的で、フリップチップ実装のはんだの量を少なくしているため、はんだへの局所応力に対して熱的および機械的に弱くなる。
その部分に対して耐温度サイクル性や耐落下衝撃性等の熱的および機械的な応力が加わることにより、歪ストレスが発生し、その歪ストレスにより、特に接合界面での剥離破壊が起こってしまい、最終的に電気的なオープン現象となり、はんだ接合部の信頼性面で大きな問題を有していた。
また、上記の問題点に対して、他の方法(例えば、特許文献1を参照)では、チップと基板の中央付近に緩衝材を用い、この熱膨張を利用してはんだ接合部を鼓状に形成することを特徴とするが、その材料選定や厚みおよび接着面積の設定等に注意しなければ、安定したはんだ高さを実現することはできず、はんだ接合不良となりやすく、また、緩衝材の熱膨張を利用しているため、はんだが鼓状になった状態から急冷しなくてはならず、さらに、緩衝材の部分には、はんだ接合部を設けることはできないため、チップ面積の有効利用ができないという問題点を有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。
上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載のフリップチップ実装方法は、フリップチップ構造の電子部品を回路基板に実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリップチップ構造の電子部品の電極と前記回路基板の配線電極とをはんだを用いて接合する工程と、前記接合した前記フリップチップ構造の電子部品と前記回路基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、前記アンダーフィル樹脂の硬化温度以上でかつ前記接合用のはんだの融点を越える温度を処理温度として、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを有する方法としたことを特徴とする。
また、本発明の請求項2に記載のフリップチップ実装方法は、請求項1記載のフリップチップ実装方法であって、前記アンダーフィル樹脂の硬化処理は、前記はんだによる接合用のはんだリフロー装置を通すことにより実行する方法としたことを特徴とする。
また、本発明の請求項3に記載のフリップチップ実装方法は、請求項1記載のフリップチップ実装方法であって、前記回路基板は、有機系樹脂をベースとした単層もしくは多層構造のものを使用する方法としたことを特徴とする。
以上により、アンダーフィル樹脂を硬化させる際の処理熱によりアンダーフィル樹脂が体積膨張し、アンダーフィル樹脂の硬化処理熱により再溶融した接合用のはんだの形状が、体積膨張したアンダーフィル樹脂からの押圧により鼓状で均等な形状になることによって、電子部品および回路基板の接合部分におけるはんだとの界面に掛かる熱的および機械的な応力を分散して緩和することができる。
以上のように本発明によれば、アンダーフィル樹脂を硬化させる際の処理熱によりアンダーフィル樹脂が体積膨張し、アンダーフィル樹脂の硬化処理熱により再溶融した接合用のはんだの形状が、体積膨張したアンダーフィル樹脂からの押圧により鼓状で均等な形状になることによって、従来の製造工程を増数することなく、電子部品および回路基板の接合部分におけるはんだとの界面に掛かる熱的および機械的な応力を分散して緩和することができる。
その結果、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態を示すフリップチップ実装方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図1は本実施の形態のフリップチップ実装方法により回路基板上に半導体チップが実装された半導体装置の断面構造図である。図1に示すように、半導体チップ1と回路基板4の接合には、はんだ2を用い、さらに、半導体チップ1と回路基板4の間には、アンダーフィル樹脂3が充填された構造であり、はんだ2が鼓状に形成される。
図1は本実施の形態のフリップチップ実装方法により回路基板上に半導体チップが実装された半導体装置の断面構造図である。図1に示すように、半導体チップ1と回路基板4の接合には、はんだ2を用い、さらに、半導体チップ1と回路基板4の間には、アンダーフィル樹脂3が充填された構造であり、はんだ2が鼓状に形成される。
以下、本実施の形態のフリップチップ実装方法における具体的な実装方法について詳述する。
図2は本実施の形態のフリップチップ実装方法におけるアンダーフィル樹脂注入前の断面構造図である。図2に示すように、従来の接合と同じく、半導体チップ1と有機系の材料からなる回路基板4を用い、その接合に錫銀系の鉛フリーはんだ、具体的には、Sn−3Ag−0.5Cuはんだを用い、リフロー装置に設けられたリフロー炉等により、はんだの融点である約220度C以上にて、具体的には、接合用として使用したはんだの融点の約220度C以上で30秒間のプロファイルにて、はんだ2を溶融させ、半導体チップ1と回路基板4を電気的に接合する。このとき、はんだ2は溶融時の表面張力とのバランスにより、その形状は太鼓状となり、そのはんだ高さは約100um程度であり、そのままの形状で冷却され固化される。
図2は本実施の形態のフリップチップ実装方法におけるアンダーフィル樹脂注入前の断面構造図である。図2に示すように、従来の接合と同じく、半導体チップ1と有機系の材料からなる回路基板4を用い、その接合に錫銀系の鉛フリーはんだ、具体的には、Sn−3Ag−0.5Cuはんだを用い、リフロー装置に設けられたリフロー炉等により、はんだの融点である約220度C以上にて、具体的には、接合用として使用したはんだの融点の約220度C以上で30秒間のプロファイルにて、はんだ2を溶融させ、半導体チップ1と回路基板4を電気的に接合する。このとき、はんだ2は溶融時の表面張力とのバランスにより、その形状は太鼓状となり、そのはんだ高さは約100um程度であり、そのままの形状で冷却され固化される。
次に、図3に示すように、主成分がエポキシ樹脂であるアンダーフィル樹脂3を注入し、はんだ2の融点以上の温度にて、アンダーフィル樹脂3を硬化させる。具体的には、はんだリフロー炉を用い、使用した錫銀系はんだの融点である約220度C以上で約30秒間のプロファイルにて硬化させた。この過程において、アンダーフィル樹脂はいったん溶融して、その際に体積膨張を起こし、半導体チップ1と回路基板4の間隔を約100umから約150umまで広げる。同時に、はんだ2は再溶融しており、その形状は鼓状へと変形される。その後、アンダーフィル樹脂4が硬化するとともに、はんだ2は鼓状のまま冷却され、図1に示す形状となる。
これにより、はんだ接合において、はんだ2の形状は、太鼓状の形状から鼓状の形状へと変化し、半導体チップ1とはんだ2の接合界面近傍、およびはんだ2と回路基板4の接合界面近傍への応力の集中が分散されて緩和され、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上することができる。
また、アンダーフィル樹脂3の溶融時の体積膨張を利用することにより、半導体チップ1と回路基板4の間隔を均等にすることが可能であり、安定したはんだ高さとなり、はんだ接合部の安定した信頼性を確保することができる。
なお、上記の実施の形態では、前記した回路基板を、有機系の樹脂基板としたが、無機系のセラミック基板を用いて実施することも可能である。
本発明のフリップチップ実装方法は、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるもので、電子部品実装用基板や電子部品等の接続に有効に適用することができ、加えて、近年の環境問題としてはんだに鉛を使用しない錫銀系合金はんだにおいては、はんだの硬度が増し、はんだ自体、延性に乏しくなり応力緩和しにくくなっているが、その場合にもさらに有用である。
1 半導体チップ
2 はんだ
3 アンダーフィル樹脂
4 回路基板
2 はんだ
3 アンダーフィル樹脂
4 回路基板
Claims (3)
- フリップチップ構造の電子部品を回路基板に実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリップチップ構造の電子部品の電極と前記回路基板の配線電極とをはんだを用いて接合する工程と、前記接合した前記フリップチップ構造の電子部品と前記回路基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、前記アンダーフィル樹脂の硬化温度以上でかつ前記接合用のはんだの融点を越える温度を処理温度として、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴とするフリップチップ実装方法。
- 請求項1記載のフリップチップ実装方法であって、前記アンダーフィル樹脂の硬化処理は、前記はんだによる接合用のはんだリフロー装置を通すことにより実行することを特徴とするフリップチップ実装方法。
- 請求項1記載のフリップチップ実装方法であって、前記回路基板は、有機系樹脂をベースとした単層もしくは多層構造のものを使用することを特徴とするフリップチップ実装方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005232684A JP2007048987A (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | フリップチップ実装方法 |
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JP2011018749A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Olympus Corp | 電子装置と電子装置の製造方法 |
JP2011071436A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2014027037A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Fujitsu Ltd | 電子部品の実装方法及び中間シート |
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- 2005-08-11 JP JP2005232684A patent/JP2007048987A/ja active Pending
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