JP3724633B2 - セラミックレゾネータ - Google Patents

セラミックレゾネータ Download PDF

Info

Publication number
JP3724633B2
JP3724633B2 JP2000218043A JP2000218043A JP3724633B2 JP 3724633 B2 JP3724633 B2 JP 3724633B2 JP 2000218043 A JP2000218043 A JP 2000218043A JP 2000218043 A JP2000218043 A JP 2000218043A JP 3724633 B2 JP3724633 B2 JP 3724633B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric substrate
electrode
lead wire
lead
side plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000218043A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002033637A (ja
Inventor
純一 日下部
誠 高橋
透 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000218043A priority Critical patent/JP3724633B2/ja
Publication of JP2002033637A publication Critical patent/JP2002033637A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3724633B2 publication Critical patent/JP3724633B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックレゾネータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化が進み、セラミックレゾネータも極小化と共に、高感度へと要請が強くなっている。厚み縦モードの第3次高調波用セラミック圧電共振子は、このような要請に応え得るものとして注目され、その構造に関して、種々の提案がなされている。
【0003】
この種のセラミックレゾネータは、一般に、セラミックでなる圧電基板の厚み方向の両面に、第1及び第2の振動電極を形成すると共に、圧電基板の厚み方向の両面に絶縁樹脂層を付着し、絶縁樹脂層によって、第1及び第2の振動電極の周りに、振動を阻害しない空洞部を形成した構造を有する。圧電基板は、(横/縦)寸法比が略2.0の矩形状のものが多用されており、また、樹脂層は通常は、20〜80μmの層厚となるように形成される。
【0004】
第1及び第2の振動電極には、第1及び第2のリード電極が備えられており、第1及び第2のリード電極は圧電基板の横方向の両辺に導出される。そして、圧電基板の横方向の両辺に、第1及び第2のリード線を装着し、第1及び第2のリード線を、半田付け等の手段によって、第1及び第2のリード電極に接続する。
【0005】
従来から多用されていたリード線は、例えば、特開平5ー259795号公報等に開示されているように、先端部が、二股に分割されており、二股に分かれた分割片によって、圧電基板を挟持すると共に、第1及び第2のリード電極に半田等で電気的に接続する。完成品としては、全体に外装樹脂被覆が施される。
【0006】
しかし、上述したセラミックレゾネータは、リード線の先端部が二股構造であるために、空洞部から横方向に一定間隔で、リード線を精度良く、配置固定するのが難しく、リード線の配置位置にバラツキを発生し易い。このようなバラツキが発生すると、Qが変化する等、一定品質を維持するのが難しい。しかも、先端部が二股構造のリード線は、横方向のみならず、縦方向においても、位置ずれを生じ易いために、縦方向の位置変動に起因する品質のバラツキをも生じる。
【0007】
また、リード線の先端部を分割して二股に切り込む長さは、扶持力の低下を防ぐために、自ずと制限される。リード線の切り込み長さの不足分を補うためには、第1のリード電極及び第2のリード電極等は、リード線の導出側に偏って形成しなければならなくなるので、共振周波数がずれる欠点を頻発することになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、小型で、しかも共振ずれの少ないセラミックレゾネータを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るセラミックレゾネータは、圧電共振子と、第1の樹脂層と、第2の樹脂層と、第1のリード線と、第2のリード線とを含む。前記圧電共振子は、セラミックでなる圧電基板の厚み方向の両面に、互いに対向する第1の振動電極及び第2の振動電極を有し、厚み縦振動モードで動作する。前記第1の樹脂層は、前記圧電基板の厚み方向の一面に付着され、前記第1の振動電極の周りに空洞部を形成する。前記第1のリード線は、第1の側面板と、第2の側面板とを有する。前記第1の側面板及び前記第2の側面板は、間隔を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁となっていて、前記開口端縁に第1の突端を有する。この前記第1のリード線は、前記圧電基板の横方向における第1の辺に備えられ、前記第1の振動電極と電気的に導通し、前記圧電基板を前記第1の側面板及び前記第2の側面板によって挟み込む。
【0010】
前記第2のリード線は、第3の側面板と、第4の側面板とを有する。前記第3の側面板及び前記第4の側面板は、間隔を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁となっていて、前記開口端縁に第2の突端を有する。この前記第2のリード線は、前記圧電基板の前記第1の辺と対向する第2の辺に備えられ、前記第2の振動電極と電気的に導通し、前記圧電基板を前記第3の側面板及び前記第4の側面板によって挟み込む。上述した前記第1のリード線及び前記第2のリード線は、前記第1の突端及び前記第2の突端が、前記第1及び第2の樹脂層の外周面に接触する。
【0011】
本発明に係るセラミックレゾネータにおいて、圧電共振子の圧電基板の厚み方向の両面に、第1及び第2の樹脂層が付着され、第1及び第2の振動電極の周りに空洞部が形成されている。従って、圧電共振子は、第1及び第2の樹脂層によって形成された第1及び第2の空洞部において、振動障害を受けることなく、厚み縦振動モードで動作する。好ましくは、厚み縦モードの第3次高調波に対して共振させる。
【0012】
第1のリード線は、第1の側面板及び第2の側面板が間隔を隔てて互いに対向している。第1の側面板及び第2の側面板は一端が互いに連続し、他端が開口端縁となっている。この第1のリード線は、圧電基板の横方向における第1の辺に備えられ、第1の振動電極と電気的に導通し、圧電基板を第1の側面板及び第2の側面板によって挟み込む。従って、従来の二股タイプの端子と異なって、第1の側面板及び第2の側面板の間の間隔による凹溝を利用して、圧電基板の一辺(第1の辺)を、その側方から挟み込むことができる。第2のリード線においても、第3の側面板及び第4の側面板の間の間隔による凹溝を利用して、圧電基板の他辺(第2の辺)を、その側方から挟み込むことができる。このような構造であれば、リード電極等を、偏って配置する必要がなくなる。このため、リード電極の偏り配置等に起因する共振周波数のずれを回避することができる。
【0013】
また、第1のリード線において、第1の側面板及び第2の側面板の間に形成される凹溝、第2のリード線において、第3の側面板及び第4の側面板の間に形成される凹溝を利用して、圧電基板を、その側方から挟み込む構造であるので、圧電基板と第1及び第2のリード線との間に、対向面積が大きく、しかも圧電基板を3方から囲む接続領域が形成される。このため、第1の側面板〜第4の側面板の形状、特に第1及び第2の突端までの高さを小さくできる。このため、圧電基板の(横/縦)寸法比を小さくし、小型化を達成できる。
【0014】
第1のリード線は第1の振動電極と電気的に導通し、第2のリード線は第2の振動電極と電気的に導通する。従って、第1のリード線及び第2のリード線を介して、第1及び第2の振動電極に振動のための電気エネルギーを供給することができる。
【0015】
更に、第1のリード線において、第1の側面板及び第2の側面板は、開口端縁に第1の突端を有する。第2のリード線においても、第3の側面板及び第4の側面板は、開口端縁に第2の突端を有する。これらの第1及び第2の突端は、第1及び第2の樹脂層の外周面に接触している。第1及び第2の樹脂層は、印刷等の手段によって、高精度のパターンとして形成される。この高精度のパターンを有する第1及び第2の樹脂層の外周面に第1及び第2の突端を接触させる。このため、第1及び第2の樹脂層の内部に形成された第1及び第2の空洞部に対して、第1及び第2のリード線を高精度で位置決めし、第1及び第2のリード線の位置ずれに起因する特性の変動を回避することができる。
【0016】
本発明の他の目的、構成及び効果については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。図面は、単なる例示に過ぎない。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係るセラミックレゾネータの部分破断正面図、図2は図1の2ー2線に沿った拡大断面図である。図示されたセラミックレゾネータは、圧電共振子1と、第1及び第2の樹脂層21、22と、第1のリード線3と、第2のリード線4とを含む。圧電共振子1は、セラミックでなる圧電基板11の厚み方向の両面に、互いに対向する第1の振動電極12及び第2の振動電極13を有し、厚み縦振動モードで動作する。
【0018】
圧電共振子1は、第1のリード電極14と、第2のリード電極15とを有する。第1のリード電極14は、圧電基板11の第1の面110に設けられ、第1の面110に設けられた第1の振動電極12と電気的に導通し、圧電基板11の第1の辺16側に導出されている。
【0019】
第2のリード電極15は、圧電基板11の第2の面120に設けられ、前記第2の面120に設けられた第2の振動電極13に電気的に導通し、圧電基板11の第2の辺17側に導出されている。
【0020】
第1及び第2の樹脂層21、22は、圧電基板11の厚み方向の両面に付着され、第1の振動電極12及び第2の振動電極13の周りに第1及び第2の空洞部51、52を形成する。第1及び第2の樹脂層21、22は、好ましくは、厚みが20〜60μmの範囲にある。
【0021】
第1のリード線3は、金属薄板のプレス加工等によって得られたもので、第1の側面板31と、第2の側面板32とを有する。第1の側面板31及び第2の側面板32は、間隔D1を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁33、34となっていて、開口端縁33、34に第1の突端35、36を有する。第1のリード線3は、第1及び第2の側面板31、32の開口端縁33、34が湾曲している。
【0022】
この第1のリード線3は、圧電基板11の横方向Xにおける第1の辺16に備えられ、第1の振動電極12と電気的に導通し、圧電基板11を第1の側面板31及び第2の側面板32によって挟み込む。第1のリード線3は、第1のリード電極14と電気的に導通している。図示実施例において、第1のリード線3は、第1及び第2の側面板31、32の開口端縁33、34が、円弧状に湾曲しており、円弧状湾曲の頂点が第1の突端35、36を構成する。第1のリード線3は、中間部に折り曲げ部37を有するとともに先端部に端子部38を有する。端子部38は、回路基板等に設けられた孔内に挿入され、半田付けされる。
【0023】
第2のリード線4も、金属薄板のプレス加工等によって得られたもので、第3の側面板41と、第4の側面板42とを有する。第3の側面板41及び第4の側面板42は、間隔D1を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁43、44となっていて、開口端縁43、44に第2の突端45、46を有する。この第2のリード線4は、圧電基板11の第1の辺16と対向する第2の辺17に備えられ、第2の振動電極13と電気的に導通し、圧電基板11を第3の側面板41及び第4の側面板42によって挟み込む。第2のリード線4は、第2のリード電極15と電気的に導通している。図示実施例において、第2のリード線4は、第3及び第4の側面板41、42の開口端縁43、44が、円弧状に湾曲しており、円弧状湾曲の頂点が第2の突端45、46を構成する。第2のリード線4は、中間部に折り曲げ部47を有するとともに先端部に端子部48を有する。端子部48は、回路基板等に設けられた孔内に挿入され、半田付けされる。
【0024】
上述した第1のリード線3及び第2のリード線4は、第1の突端35、36及び第2の突端45、46が、第1及び第2の樹脂層21、22の外周面に接触する。接触態様は、点状接触が最良である。更に、全体に、絶縁樹脂被覆7が施されている。第1のリード線3及び第2のリード線4は、更に、半田61〜64により、第1のリード電極14、第1のダミー電極81、第2のダミー電極82及び第2のリード電極15に接続されている。
【0025】
上述したように、圧電共振子1の圧電基板11の厚み方向の両面110、120に、第1及び第2の樹脂層21、22が付着され、第1及び第2の振動電極12、13の周りに第1及び第2の空洞部51、52が形成されている。従って、圧電共振子1は、第1及び第2の樹脂層21、22によって形成された第1及び第2の空洞部51、52において、振動障害を受けることなく、厚み縦振動モードで動作する。実施例では、厚み縦モードの第3次高調波に対して共振させる。
【0026】
第1のリード線3に備えられた第1の側面板31及び第2の側面板32は、間隔D1を隔てて互いに対向している。第1の側面板31及び第2の側面板32は一端が互いに連続し、他端が開口端縁33、34となっている。この第1のリード線3は、圧電基板11の横方向Xにおける第1の辺16に備えられ、第1の振動電極12と電気的に導通し、圧電基板11を第1の側面板31及び第2の側面板32によって挟み込む。
【0027】
従って、従来の二股タイプの端子と異なって、第1の側面板31及び第2の側面板32の間の間隔D1による凹溝を利用して、圧電基板11の第1の辺16を、その側方から挟み込むことができる。第2のリード線4においても、第3の側面板41及び第4の側面板42の間の間隔D1による凹溝を利用して、圧電基板11の第2の辺17を、その側方から挟み込むことができる。このような構造であれば、第1及び第2のリード電極14、15を、偏って配置する必要はなくなる。このため、第1及び第2のリード電極14、15の偏り配置等に起因する共振周波数のずれを回避することができる。
【0028】
また、第1のリード線3において、第1の側面板31及び第2の側面板32の間に形成される凹溝、第2のリード線4において、第3の側面板41及び第4の側面板42の間に形成される凹溝を利用して、圧電基板11を、その側方から挟み込む構造であるので、圧電基板11と第1及び第2のリード線4との間に、対向面積が大きく、かつ、圧電基板11を3方から囲む接続領域が形成される。このため、第1の側面板31〜第4の側面板42の形状、特に第1及び第2の突端35、36、45、46までの高さH1、H2(図2参照)を小さくし、圧電基板11の横寸法A及び縦寸法Bの比(A/B)を小さくし、小型化を達成できる。具体的には、従来は、約2.0であった比(A/B)を、略1.2〜1.6とし、小型化することができる。
【0029】
第1のリード線3は第1の振動電極12と電気的に導通し、第2のリード線4は第2の振動電極13と電気的に導通する。従って、第1のリード線3及び第2のリード線4を介して、第1及び第2の振動電極12、13に振動のための電気エネルギーを供給することができる。
【0030】
更に、第1のリード線3において、第1の側面板31及び第2の側面板32は、開口端縁に第1の突端35、36を有する。第2のリード線4においても、第3の側面板41及び第4の側面板42は、開口端縁43、44に第2の突端45、46を有する。これらの第1及び第2の突端35、36、45、46は第1及び第2の樹脂層21、22の外周面に接触している。従って、第1及び第2ののリード線3、4の横方向Xのずれを規制できる。
【0031】
しかも、第1及び第2の樹脂層21、22は、印刷等の手段によって、高精度のパターンとして形成される。この高精度のパターンを有する第1及び第2の樹脂層21、22の外周面に第1及び第2の突端45、46を接触させる。このため、第1及び第2の樹脂層21、22の内部に形成された第1及び第2の空洞部51、52に対して、第1及び第2のリード線3、4を高精度で位置決めし、第1及び第2のリード線3、4の位置ずれに起因する特性の変動を回避することができる。
【0032】
縦方向Yについては、第1及び第2の樹脂層21、22に対する第1の突端35、36及び第2の突端45、46の接触位置が、圧電基板11の中心O1から縦方向Yにずれ過ぎると、第3次高調波共振に対する基本波の影響が出て、基本波振動に起因する共振ずれを生じる。従って、第1及び第2の樹脂層21、22に対する第1の突端35、36及び第2の突端45、46の接触位置は、制限された範囲内に設定しなければならない。本発明者等の実験によれば、第1の突端35、36及び第2の突端45、46を、圧電基板11の中心O1を基準にして、縦方向Yに、偏位量△Bだけ偏位した位置で、第1及び第2の樹脂層21、22の外周面に接触させたとき、
−0.2≦△B/B≦+0.2
を満たすようにすると、第3次高調波共振に対する基本波の影響を軽減し、共振ずれの少ないセラミックレゾネータを得ることができることが解った。以下に、実験データを挙げて説明する。
【0033】
表1は(±△B/B)×100(%)の値を異ならせた試料1〜6のQ1感度及びQ3感度を示すデータである。Q1感度は基本周波数における感度であり、Q3感度は第3次高調波における感度である。(±△B/B)×100(%)の値は、試料1が±(0〜5)%、試料2が±(5〜10)%、試料3が±(10〜15)%、試料4が±(15〜20)%、試料5が±(20〜25)%、試料6が±(25〜30)%である。比較例は、Q1感度が0.95、Q3感度が12.3の従来品である。この従来品は前述した二股型のリード線を用いている。
Figure 0003724633
【0034】
図3は表1に示すデータをグラフ化して示す図である。曲線Q11は基本波の特性、曲線Q31は第3高調波の特性を示している。
【0035】
表1及び図3から判るように、−20%≦△B/B)×100(%)≦20(%)であれば、Q1感度は0.6〜0.88の範囲、Q3感度は12.1〜12.3であり、従来品である比較例1に、十分に対応できる。
【0036】
次に、第1及び第2の空洞層51、52を構成する第1及び第2の樹脂層21、22は、厚みが20〜60μmの範囲に設定することが好ましい。
【0037】
表2は第1及び第2の樹脂層21、22の膜厚の値を異ならせた試料11〜16のQ1感度を示すデータである。比較例2は、Q1感度が0.95の従来品である。この従来品は前述した二股型のリード線を用いている。
Figure 0003724633
【0038】
図4は表2に示すデータをグラフ化して示す図である。曲線Q12は基本波の特性、曲線Q32は第3高調波の特性を示している。表2及び図4から判るように、膜厚が20(μm)以上60(μm)以下であれば、Q3感度の劣化を殆ど生じることなく、Q1感度を1.5以下の値に低下させ、第3次高調波共振に対する基本波の影響を軽減できる。
【0039】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、 本発明の課題は、小型で、しかも共振ずれの少ないセラミックレゾネータを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る本発明に係るセラミックレゾネータの部分破断正面図である。
【図2】図1の2ー2線に沿った拡大断面図である。
【図3】表1に示すデータをグラフ化して示す図である。
【図4】表2に示すデータをグラフ化して示す図である。
【符号の説明】
1 圧電共振子
11 圧電基板
12、13 第1及び第2の振動電極
14、15 第1及び第2のリード電極
16、17 第1及び第2の辺
21、22 第1及び第2の樹脂層
3、4 第1及び第2のリード線
31 、32 第1及び第2の側面板
33、34 開口端縁
35、36 第1の突端
41、42 第3及び第4の側面板
43、44 開口端縁
45、46 第2の突端

Claims (4)

  1. 圧電共振子と、第1の樹脂層と、第2の樹脂層と、第1のリード線と、第2のリード線とを含むセラミックレゾネータであって、
    前記圧電共振子は、セラミックでなる圧電基板の厚み方向の両面に、互いに対向する第1の振動電極及び第2の振動電極を有し、厚み縦振動モードで動作するものであり、
    前記第1の樹脂層は、厚みが20〜60μmの範囲にあり、前記圧電基板の厚み方向の一面に付着され、前記第1の振動電極の周りに空洞部を形成しており、
    前記第2の樹脂層は、厚みが20〜60μmの範囲にあり、前記圧電基板の厚み方向の他面に付着され、前記第2の振動電極の周りに空洞部を形成しており、
    前記第1のリード線は、第1の側面板と、第2の側面板とを有し、
    前記第1及び前記第2の側面板は、間隔を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁となっていて、前記開口端縁に第1の突端を有しており、
    前記第1のリード線は、前記圧電基板の横方向における第1の辺に備えられ、前記第1の振動電極と電気的に導通し、前記第1、第2の側面板、及び、前記第1、第2の側面板の互いに連続する面によって、前記圧電基板を挟み込んでおり、
    前記第2のリード線は、第3の側面板と、第4の側面板とを有し、
    前記第3及び前記第4の側面板は、間隔を隔てて互いに対向し、一端が互いに連続し、他端が開口端縁となっていて、前記開口端縁に第2の突端を有しており、
    前記第2のリード線は、前記圧電基板の前記第1の辺と対向する第2の辺に備えられ、前記第2の振動電極と電気的に導通し、前記第3、第4の側面板、及び、前記第3、第4の側面板の互いに連続する面によって、前記圧電基板を挟み込んでおり、
    前記第1及び前記第2のリード線は、前記第1及び前記第2の突端が、前記第1及び第2の樹脂層の外周面に接触している
    セラミックレゾネータ。
  2. 請求項1に記載されたセラミックレゾネータであって、
    前記第1及び第2の突端は、前記セラミック圧電基板の縦方向の中心から縦方向に偏位した位置で、前記第1及び第2の樹脂層の外周面に接触しており、前記第1及び第2の突端の偏位量を△Bとし、前記圧電基板の縦寸法をBとしたとき、
    −0.2≦(△B/B)≦+0.2
    を満たすセラミックレゾネータ。
  3. 請求項1または2の何れかに記載されたセラミックレゾネータであって、前記圧電共振子は、第3次高調波を用いるセラミックレゾネータ。
  4. 請求項1乃至3の何れかに記載されたセラミックレゾネータであって、
    前記圧電共振子は、第1のリード電極と、第2のリード電極とを有しており、
    前記第1のリード電極は、前記圧電基板の第1の面に設けられ、前記第1の面に設けられた前記第1の振動電極に電気的に導通し、前記圧電基板の前記第1の辺側に導出されており、
    前記第2のリード電極は、前記圧電基板の第2の面に設けられ、前記第2の面に設けられた前記第2の振動電極に電気的に導通し、前記圧電基板の前記第2の辺側に導出されており、
    前記第1のリード線は、前記第1のリード電極と電気的に導通しており、
    前記第2のリード線は、前記第2のリード電極と電気的に導通している
    セラミックレゾネータ。
JP2000218043A 2000-07-18 2000-07-18 セラミックレゾネータ Expired - Fee Related JP3724633B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000218043A JP3724633B2 (ja) 2000-07-18 2000-07-18 セラミックレゾネータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000218043A JP3724633B2 (ja) 2000-07-18 2000-07-18 セラミックレゾネータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002033637A JP2002033637A (ja) 2002-01-31
JP3724633B2 true JP3724633B2 (ja) 2005-12-07

Family

ID=18713058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000218043A Expired - Fee Related JP3724633B2 (ja) 2000-07-18 2000-07-18 セラミックレゾネータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3724633B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4855713B2 (ja) * 2005-05-18 2012-01-18 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 超音波振動子の製造方法、及び超音波内視鏡装置
WO2006009220A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Olympus Corporation 超音波振動子
CN107181470B (zh) 2016-03-10 2020-10-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法
JP6791766B2 (ja) * 2017-01-17 2020-11-25 日本電波工業株式会社 圧電振動片及び圧電デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002033637A (ja) 2002-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100667608B1 (ko) 초박막 압전 공명기
US20080238557A1 (en) Tuning fork flexural crystal vibration device, crystal vibrator, and crystal oscillator
US7939995B2 (en) Piezoelectric resonator in a small-sized package
EP2071721B1 (en) Piezoelectric resonator in a small-sized package
JP3724633B2 (ja) セラミックレゾネータ
JP6756564B2 (ja) 水晶素子、水晶デバイスおよび水晶素子の製造方法
JP5228948B2 (ja) 圧電振動デバイス
JP2006311310A (ja) 圧電振動子
JPH0244806A (ja) 複合型セラミック共振子
JP4107160B2 (ja) 複合電子部品
JP4360534B2 (ja) リード端子、レゾネータ及び電子部品連
JP5292491B2 (ja) シート状セラミックベース及びその製造方法
JP5800591B2 (ja) 表面実装水晶振動子
JP6787735B2 (ja) 水晶素子および水晶デバイス
JP3669280B2 (ja) 高周波特性測定基板及び高周波特性測定装置
JP3800849B2 (ja) 圧電振動子用気密端子、それを使用した表面実装型圧電振動子およびその製造方法
JP2010136419A (ja) 音叉型圧電振動子
JP3758002B2 (ja) 電子部品
JP4080728B2 (ja) 表面実装型水晶振動子の製造方法
JPH0644113U (ja) インピーダンス素子
JP4652728B2 (ja) 表面実装用の水晶振動子
JP3000687U (ja) 誘電体共振器
JPH0236262Y2 (ja)
JP3157975B2 (ja) ラダー型フィルタ
JP3883071B2 (ja) 非可逆回路素子

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050323

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050517

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130930

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees