JP3717718B2 - 受光装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤外線信号受信機等における受光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
家庭用テレビ、ビデオ等には赤外線リモコン受信機が多く使われている。
【0003】
図12に、従来の赤外線リモコン受信機の受光増幅の等価回路ブロック図の例を示す。この例では受光素子101のアノード側がGNDに接続(接地)され、カソード側が、IV(電流電圧)変換増幅器102の入力に接続され、IV変換増幅器102の出力にローパスフィルタ104が接続され、その出力から直流電流をバイパスするバイパス回路103を介して、IV変換増幅器102の入力に帰還されている。
【0004】
すなわち、受光素子101は電源に対して逆バイアスとなるように接続されており、光を受けないときは起電流を発生させないので、この逆バイアス状態を保っており、待機モードとなっている。一方、例えば赤外線リモコンから赤外線等の光をこの赤外線リモコン受信機の受光部に照射すると、受光素子101がその光を受けて起電流を発生させ、IV変換増幅器102で電圧に変換され、後段の回路へ信号を伝える。
【0005】
光強度を変調しない光(直流光)を赤外線リモコン受信機の受光部に照射すると、受光素子101では光電流として直流が発生する(直流光電流)。一方、光強度を変調した光を照射すると、受光素子101では、光電流として、電流値が経時的に変化する電流、すなわち、この変調に応じた交流信号成分とそれ以外の直流信号成分(直流光電流成分)とを含んだ電流が発生する。上記の構成により、この両成分を分離する。すなわち、交流信号成分は、IV変換増幅器102の出力HAを経て次段の回路へ送られる。一方、直流光電流成分は、バイパス回路103により受光素子101に供給される。そのため、上記の構成は、IV変換増幅器102が直流的に飽和するのを防止できるようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
家庭用テレビ、ビデオの省エネ化で、待機時の消費電力を極力抑えた赤外線リモコン受信機等が市場で強く要望されている。
【0007】
しかしながら、上記のような従来例においては、待機時に、太陽光や白熱電球等の強い直流光が受光部に照射されると、受光素子101で発生する直流光電流成分が増加して常に逆バイアス状態が解除されて常に動作モードとなり、バイパス回路103に流れる直流光電流成分Idcが増加する。そのため、消費電流が増加してしまい、待機時の消費電力が増大してしまう。すなわち、従来の回路では、これは回路の消費電流の増加と等価であり、システムから見ると消費電力が増加し、省エネ化の大きな問題となる。例えば、暗闇の消費電流が100μAであっても、窓際で西日が当たっている状態では消費電流が数倍に増加してしまう。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る受光装置は、命令を表す光を受けるとその光に応じた起電流を発生する光電流発生部と、上記命令を表す命令信号として電圧を出力する電圧出力部とを備えた受光装置において、上記光電流発生部は、他から電源を供給されず、上記電圧出力部は、上記起電流を電圧に変換して上記命令信号として出力することを特徴としている。
【0009】
上記の構成により、操作者のリモコン送信機操作等により、命令を表す光を受けると、光電流発生部が、その光に応じた起電流を発生する。この光電流発生部は、他から電源を供給されない。上記起電流は、電圧出力部によって電圧に変換されて出力される。出力された電圧は、操作者から送られてきた命令を表す命令信号として利用される。なお、この出力された電圧は、必要に応じて増幅回路の入力部に接続して増幅することができる。したがって、太陽光や白熱電球等の直流光を多く含む光が照射されたときに、たとえ多くの起電流が発生しても、従来のように電源を設けて上記起電流によってその電源からの電流量を増加させて動作モードに切り替える構成と異なり、そのような電源からの電流を消費することがない。それゆえ、太陽光や白熱電球等の直流光を多く含む光が照射されることに起因して電源の電力消費量が増加するのを防止することができる。
【0010】
また、比較的簡単な回路構成で実現でき、回路構成の簡単さゆえに、ほとんど製造コストや素子サイズの増加を伴うことなく回路を実現することができる。
【0011】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部としての受光素子の一端が接地され、他端が上記電圧出力部としての負荷の一端と接続され、上記負荷の上記受光素子と接続されていない端部が接地され、上記受光素子と負荷との接続点から上記命令信号としての電圧が出力されることを特徴としている。
【0012】
上記の構成により、受光素子に発生する直流光電流を電源から供給せずに、受光素子の起電力を利用してGNDから電流を供給するようにしている。したがって、電源の電力を消費しないようにできる。それゆえ、上記構成による効果に加え、いっそう簡単な回路構成で実現でき、回路構成の簡単さゆえに、ほとんど製造コストや素子サイズの増加を伴うことなく回路を実現することがさらに容易にできる。
【0013】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力部に、コンデンサが接続されていることを特徴としている。
【0014】
上記の構成により、上記電圧出力部からの出力信号中の交流成分と直流成分とが上記コンデンサにより分離され、交流成分のみを次段へ送ることができる。例えば、上記光電流発生部としての受光素子と上記電圧出力部としての負荷との接続点に、コンデンサを介して、次段の回路として上記命令信号を増幅する増幅回路の入力部を接続した場合、上記電圧出力部と増幅回路とが直流的に分離される。したがって、増幅回路においては交流信号のみを増幅できる。それゆえ、上記構成による効果に加え、直流光電流レベルの影響を受けることなく、直流的な電力の消費増加を抑えることができる。
【0015】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出す、ローパスフィルタおよびトランスコンダクタンスアンプをこの順に接続したバイパス部が設けられていることを特徴としている。
【0016】
上記の構成により、上記バイパス部として、ローパスフィルタおよびトランスコンダクタンスアンプがこの順に接続される。なお、さらに、上記トランスコンダクタンスアンプに、例えばコンデンサを介してIV変換増幅器を接続することができる。上記光電流発生部が起電流を発生させると、それにより上記電圧出力部にて生じた電圧によって、上記トランスコンダクタンスアンプが作動し、上記電圧出力部から出力された電流のうち、上記ローパスフィルタを通過した、所定値以下の周波数を持つ電流成分、すなわち直流および/または低周波電流が、上記トランスコンダクタンスアンプへ流れる。したがって、上記トランスコンダクタンスアンプは、上記電圧出力部から出力された電流のうちの直流(および低周波電流)のバイパスとなる。それゆえ、上記構成による効果に加え、直流光電流に対する動作レンジを維持しつつ、電源からの消費電流の増加を防止することができる。
【0017】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記バイパス部のトランスコンダクタンスアンプとして低スレッシュMOSトランジスタを用いたことを特徴としている。
【0018】
上記の構成により、上記トランスコンダクタンスアンプを低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタで実現している。すなわち、動作開始電圧の閾値が低いMOSトランジスタを用いてトランスコンダクタンスアンプを実現している。したがって、上記光電流発生部で発生する起電流由来の電圧が例えば0.4V程度と比較的小さい値であっても、問題なく作動させることができる。それゆえ、上記構成による効果に加え、バイパス部を非常に簡単な構成で実現でき、回路を簡略化することができる。
【0019】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部を複数個直列接続したことを特徴としている。
【0020】
上記の構成により、光電流発生部で発生する電流を大きくして電圧出力部の出力電圧を高くすることができる。それゆえ、上記構成による効果に加え、直流光電流に対する動作レンジを拡大することができるとともに、その分、バイパス部の設計の容易さを増すことができる。
【0021】
また、上記のように出力する電圧を高くすることができるので、上記バイパス部の能力を増加させることができる。すなわち、上記トランスコンダクタンスアンプをMOSトランジスタで実現する際に、特別な、低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを選択する必要がなくなる。例えば、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。それゆえ、上記構成による効果に加え、バイパス部の設計の容易さがさらに増す。
【0022】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、電源が供給されて、上記光電流発生部が受けるのと同一の光を受けるモニタ受光部と、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部とが設けられ、上記バイパス部が、上記モニタ受光部にて発生する光電流から、上記所定値以下の周波数を持つ電流成分を検出することを特徴としている。
【0023】
上記の構成により、前述の通り光電流発生部は電源からバイアスされないため、その分、消費電流の増加を抑えることができる。その一方で、所定値以下の周波数を持つ光電流成分すなわち直流光および低周波光検出用の受光素子であるモニタ受光部は電源からバイアスされている。したがって、バイパス部へは充分なバイアス電圧を与えることが可能になる。
【0024】
それゆえ、上記構成による効果に加え、直流や低周波電流等の所定値以下の周波数を持つ電流成分をバイパスするバイパス部の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、直流光電流をバイパスするバイパス部の設計の容易さが増す。
【0025】
また、これにより、前記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。
【0026】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部の受光面積S1が上記モニタ受光部の受光面積S2のN倍に設定されており、上記バイパス部が、上記モニタ受光部で発生する光電流をN倍に増幅することを特徴としている。
【0027】
上記の構成により、上記モニタ受光部で発生する光電流がN倍に増幅される。それゆえ、上記構成による効果に加え、直流光電流のバイパスの精度を向上することができる。
【0028】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部が設けられ、上記バイパス部が、電源からバイアスされたトランスコンダクタンスアンプと、上記トランスコンダクタンスアンプの出力部に接続されたトランジスタとを有していることを特徴としている。
【0029】
上記の構成により、電圧出力部から出力された電圧が、トランスコンダクタンスアンプに入力され、ついで、トランジスタの制御端子に入力される。したがって、上記トランジスタの制御端子電圧を大きく使用することができる。それゆえ、上記の構成による効果に加えて、あまり消費電流を増加させることなく、直流光電流をバイパスするバイパス部の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、所定値以下の周波数を持つ電流成分をバイパスするバイパス部の設計の容易さが増す。
【0030】
また、これにより、前記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。
【0031】
また、本発明に係る受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部が設けられ、上記バイパス部が、電源からバイアスされた差動増幅器と、上記差動増幅器の出力部に接続されたMOSトランジスタとを有していることを特徴としている。
【0032】
上記の構成により、直流光電流のバイパスにMOSトランジスタを使用する。直流光電流のバイパスにバイポーラトランジスタを使用すると、ベース端子への電流供給が必要であり、さらに、大電流になるとコレクタ端子が飽和してベース電流が増加し、消費電流の増加となる。MOSトランジスタを使用することにより、これを防止できる。それゆえ、上記の構成による効果に加えて、さらに消費電流の増加を抑制できる。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図1ないし図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図1に示すように、本実施の形態に係る受光装置においては、受光素子(光電流発生部)1の一端(カソード)がGNDに接続され、他端(アノード)が負荷(電圧出力部)2と増幅器3の入力とに接続されている構成となっている。これは、本発明の最も基本部分である。受光素子1は、リモコン送信機等からの命令を意味する信号光を受信し、その信号光の内容に沿った電流値を有する光電流を起電流として発生させるものである。負荷2は、この起電流を、命令信号としての電圧に変換するものである。増幅器3はその電圧を増幅して、次段の回路、すなわちその命令信号に応じた動作をする回路(図示せず)へ送るものである。
【0034】
太陽光や白熱電球等の直流光電流成分を非常に多く持つ光が照射された場合に発生する直流光電流成分IdcをGNDを介してループで供給している。そのため、受光装置をバイアスする電源から受光素子に電流を供給する構成と異なり、このように受光装置をバイアスする電源由来の電流を消費させない構成としている。
【0035】
図2は、図1の構成を変形したものであり、受光素子1の一端(アノード)がGNDに接続され、他端(カソード)が負荷2と増幅器3の入力とに接続されている構成となっている。
【0036】
図3も、図1同様、受光素子1の一端(カソード)がGNDに接続され、他端(アノード)が負荷2と増幅器3の入力とに接続されている構成となっている。ただし、増幅器3の入力にコンデンサを介して接続している。これにより、受光素子1および負荷2と増幅器3とが直流的に分離されるため、直流光電流レベルに無関係に直流的な電力を消費せずに、交流信号のみを増幅できる。
【0037】
図4は、図3の構成を変形したものであり、受光素子1の一端(アノード)がGNDに接続され、他端(カソード)が負荷2と増幅器3の入力とに接続されている構成となっている。
【0038】
なお、受光素子1や負荷2は、直接GNDに接続される以外にも、負荷2以外の別の負荷を介していてもよい。すなわち、受光素子1と上記GNDとの間や、負荷2と上記GNDとの間に、別の負荷を介していてもよい。このことは後述の他の回路例でも同様である。一方、図1ないし図4に示した構成では、受光素子1や負荷2は別の負荷とは接続されていないので、その分受光素子1の起電流を消費せず好ましい。
【0039】
また、図1ないし図4に示した構成例では、各図に示すように、受光素子1の一端(カソードまたはアノード)と増幅器3とはいずれもGNDに接続されているが、これらの接続先は必ずしもGNDである必要はなく、各図における受光素子1のこれら一端(カソードまたはアノード)の電位が、増幅器3の基準となる電位と同じであればよい。このことは、本実施の形態の他の図に示したいずれの例においても同様である。
【0040】
図5は、負荷となる回路の構成として、ローパスフィルタ7、トランスコンダクタンスアンプ8を接続し、さらにその点から、IV変換増幅器9へ、コンデンサC2を介して接続した構成を示している。ローパスフィルタ7およびトランスコンダクタンスアンプ8によりバイパス回路(バイパス部)5が構成されている。また、上記負荷2としての負荷抵抗RL(電圧出力部)が設けられている。
【0041】
上記バイパス回路5は、負荷抵抗RLの出力電流から、所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出す働きを有する。すなわち、命令を含んだ赤外線等の光の照射を受けて受光素子1が起電流として光電流を発生させると、その光電流が負荷抵抗RLを経たのち、その光電流のうちで操作者等からの命令を示す信号成分が命令信号として次段の回路へ送られる。バイパス回路5が取り出す対象とするのは、上記光電流から、この命令信号の成分を除いたものである。次段の回路へ出力すべき命令信号は、通常、ある所定値を超える周波数を持った信号である。このため、上記バイパス回路5は、この所定値以下の周波数を持った信号(ここでは直流も含む)、すなわち、次段へ伝えるべき命令信号としては不要となる低周波電流成分および直流成分を取り出す働きを持つものである。なお、この所定値は、送受信装置を設計する際に任意に決めることができる。
【0042】
図5を用いて動作を定性的に説明すれば、まず、直流光が存在せず交流信号(交流光)のみが存在する場合、受光素子1によって変換された交流電流信号は、負荷抵抗RLによって電圧に変換され、受光素子1と負荷抵抗RLとの接続点である部位VA に電圧が発生する。その電圧はコンデンサC2へ伝えられ、IV変換増幅器9へ電流として入力される。IV変換増幅器9は、入力インピーダンスが、負荷抵抗RLやコンデンサC2のインピーダンスに比べて充分低い値を持つ。したがって、光電流の交流信号成分は、IV変換増幅器9へ流れ込み、等価トランスインピーダンスRf によって、その出力に電圧を発生させる。ここで、コンデンサC2の値は、簡単のために、扱う周波数成分においてそのインピーダンスが負荷抵抗RLのインピーダンスと比べて充分低いような値とする。
【0043】
次に、直流光電流に対する動作を説明する。
光電流の直流成分が増加して部位VA の直流電圧が上昇し、バイパス回路5のトランスコンダクタンスアンプ8が動作すると、トランスコンダクタンスアンプ8により電流パスが出来て、部位VA の電圧変化が小さくなる。このとき、トランスコンダクタンスアンプ8の入力にはローパスフィルタ7が挿入されているため、トランスコンダクタンスアンプ8は主に部位VA の直流レベルか低周波電流に応答して動作する。そのため、トランスコンダクタンスアンプ8は直流光電流のバイパスとなる。したがって、交流信号に対しては、このバイパス回路5が無い場合と等価な動作となる。このようにバイパス回路5を設けた構成により、直流光電流に対するバイパスも行って直流光電流に対する動作レンジを確保しつつ、消費電流の増加を防止することができる。
【0044】
図6は、図5の等価回路ブロックをごく簡単な回路で構成した具体例である。ローパスフィルタ7を抵抗12とコンデンサ13とで構成し、トランスコンダクタンスアンプ8をMOSトランジスタ14で構成している。ここで、例えば受光素子1の起電力が通常0.4V程度である場合には、受光素子1のアノードには0.4V程度の電圧しかかからない。したがって、MOSトランジスタ14のゲート電圧も同様である。しかしながらこの例では、MOSトランジスタ14として低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを使用することにより、ごく簡単な構成で、問題なく動作する回路を実現することができる。
【0045】
図7は、図6の例のさらなる改良の例を示す図である。受光素子1を複数個直列接続することにより、受光素子1のアノード側に発生する電圧を高くすることができる。そのため、直流光電流をバイパスするバイパス回路5の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、バイパス回路5の設計の容易さが増す。また、これにより、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、同図(a)に示すような通常のMOSトランジスタ16や、同図(b)に示すようなバイポーラトランジスタ17により直流光電流のバイパスを行うことができる。
【0046】
図8は、また別の構成を示す図である。受光素子を複数個使用する。すなわち、受光素子(光電流発生部)21および受光素子(モニタ受光部)22を使用する。受光素子21は、受光素子1同様、主に信号光を受光するものである。受光素子22は、直流光電流モニタとして働くものである。受光素子21の一端(カソード)をGNDに接続し、他端(アノード)を抵抗等の負荷(電圧出力部)23の一端に接続し、その抵抗等の負荷23の他端をGNDに接続する。受光素子22の一端(カソード)を電源に接続し、他端(アノード)を、バイパス回路25と接続している。
【0047】
バイパス回路(バイパス部)25は、受光素子22で発生する光電流を増幅して、所定値以下の周波数を持つ光電流成分、すなわち低周波成分および直流光電流を検出する。そして、バイパス回路25から検出された点を、上記受光素子21の上記他端(アノード)に接続して、バイパス回路5同様、受光素子21から低周波成分および直流光電流を引き抜くような構成となっている。
【0048】
この例では、直流光電流をモニタする受光素子22は、電源からバイアスされているので、充分なバイアス電圧をバイパス回路25に与えることができる。これにより、あまり消費電流を増加させることなく、バイパス回路25の低周波成分および直流光電流をバイパスする能力を増加させることができる。そのため、直流光電流に対する動作レンジが拡大するとともに、バイパス回路25の設計の容易さが増す。また、上記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常の通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行うことができる。
【0049】
また、この例では、受光素子21の受光面積S1と受光素子22の受光面積S2との関係を
S1=N×S2 (1)
として、バイパス回路25における、受光素子22で発生する光電流を増幅する際の増幅率をN倍にすることにより、精度良く直流光電流をバイパスすることができる。なお、各受光素子に受光部が複数個ある場合は、上記S1、S2はそれぞれ、各受光素子の受光面積の和を表すものとする。また、太陽光が照射されたときの消費電流の増加を1/5ないし1/10に抑えると、より効果的であると推定されるため、Nは5〜10の値が好ましい。Nをそれ以上大きくすると、逆に回路の精度が悪くなり、設計が難しくなる恐れがある。
【0050】
図9は、バイパス回路25の具体的回路の一例を示したものである。すなわち、バイパス回路25は、MOSトランジスタ31、抵抗32とコンデンサ33とからなるRCのローパスフィルタ、およびMOSトランジスタ34から構成されており、このような1:Nのカレントミラーで容易に実現できる。
【0051】
図10は、図7、図8とは別の手段で同様の効果を得られる等価回路ブロックを示している。低周波および直流電流の光電流バイパス用のバイパス回路(バイパス部)40として、電源からバイアスされたトランスコンダクタンスアンプ41および、トランスコンダクタンスアンプ41の出力に接続されたトランジスタ42を使用する。これにより、直流光電流バイパス用のトランジスタ42の制御端子電圧を大きく使用できるようにした。例えば、トランジスタ42のベース端子は、電源からバイアスされたトランスコンダクタンスアンプ41によって高い電圧で制御できるので、直流光電流バイパスの能力を増加させることができる。
【0052】
図11は、図10においてトランスコンダクタンスアンプ41の代わりに電圧出力の差動増幅器51を使用し、直流光電流バイパス用のトランジスタにMOSトランジスタ52を使用したものである。このようにすると、直流光電流バイパス用のトランジスタの制御端子で電流が消費されるのを防止できる。具体的にいえば、直流光電流バイパス用のトランジスタにバイポーラトランジスタを使用すると、ベース端子へ電流供給が必要であり、さらに、大電流になるとコレクタ端子が飽和してベース電流が増加し、消費電流の増加となる。MOSトランジスタを使用することにより、このような消費電流の増加を防止することができる。
【0053】
以上のように、本実施の形態によれば、赤外線等の通信用受信機において、太陽光や白熱電球等の直流光を多く含む光が受光装置に照射されたときの受光装置での消費電流の増加を防止あるいは抑制することができる。しかもそれは、比較的簡単な回路と構成とで実現でき、回路構成の簡単さゆえに、ほとんど製造コストや素子サイズの増加を伴うことなく実現することができる。
【0054】
なお、本発明に係る受光装置を下記のように構成してもよい。すなわち、受光素子とその光電流信号とを増幅する回路を有する受光装置において、受光素子の一端がGNDに接続され、他端が抵抗等の負荷もしくは負荷となる回路の一端と接続され、その抵抗等の負荷もしくは負荷となる回路の一端がGNDと接続され、受光素子と負荷との接続点を増幅回路の入力と接続した構成としてもよい。
【0055】
上記の構成によれば、受光素子に発生する直流光電流を電源から供給せずに、受光素子の起電力を利用してGNDから電流を供給するようにし、電源の電力を消費しないようにできる。
【0056】
また、上記の構成において、受光素子と負荷との接続点をコンデンサを介して増幅回路の入力部に接続した構成としてもよい。
【0057】
上記の構成によれば、受光素子と増幅回路とが直流的に分離されるため、直流光電流レベルに無関係に直流的な電力を消費せずに、交流信号のみを増幅できる。
【0058】
また、上記の構成において、負荷となる回路にローパスフィルタ、トランスコンダクタンスアンプを接続し、さらにその点から、IV変換増幅器へ、コンデンサを介して接続した構成としてもよい。
【0059】
上記の構成によれば、従来の回路に対して、直流光電流に対する動作レンジを維持しつつ消費電流の増加を防止できる。
【0060】
また、上記の構成において、低周波バイパス回路の低周波光電流バイパス用として低スレッシュMOSトランジスタを使用した構成としてもよい。
【0061】
上記の構成によれば、非常に簡単な構成で実現できる。
【0062】
また、上記の構成において、受光素子を複数個直列接続した構成としてもよい。
【0063】
上記の構成によれば、受光素子のアノード側に発生する電圧を高くすることができるため、直流光電流をバイパスするバイパス回路の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、直流光電流をバイパスするバイパス回路の設計の容易さが増す。また、これにより、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。
【0064】
また、受光素子とその光電流信号を増幅する回路とを有する受光装置において、受光素子を複数個使用し、主に信号光を受光する受光素子の一端がGNDに接続され、他端が抵抗等の負荷の一端と接続され、その抵抗等の負荷の一端がGNDと接続され、複数個使用している受光素子のうちの別の受光素子である低周波光電流をモニタするための受光素子の一端が電源と接続され、その他端は、その受光素子から発生する光電流を増幅して低周波成分を取り出す回路と接続され、取り出された点が、前記の主に信号光を受光する受光素子の他端に接続した構成としてもよい。
【0065】
上記の構成によれば、直流光検出用の受光素子のみを電源からバイアスしているので、あまり消費電流を増加させることなく、直流光電流をバイパスするバイパス回路の能力を増加させることができる。そのため、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、直流光電流をバイパスするバイパス回路の設計の容易さが増す。また、これにより、前記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。
【0066】
また、上記の構成において、主に信号光を受光する受光素子の受光面積の和S1が低周波光電流をモニタするための別の受光素子の受光面積の和S2のN倍に設定されており、低周波光電流をモニタするための受光素子で発生する光電流をN倍に増幅する構成としてもよい。
【0067】
上記の構成によれば、直流光電流のバイパスの精度を向上できる。
【0068】
また、上記の構成において、低周波光電流バイパス用の回路として、電源からバイアスされたトランスコンダクタンスアンプを使用して、その出力に接続されたトランジスタの制御端子電圧を大きく使用できるようにした構成としてもよい。
【0069】
上記の構成によれば、前出のとは別の手段で、同様に、あまり消費電流を増加させることなく、直流光電流をバイパスするバイパス回路の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、直流光電流をバイパスするバイパス回路の設計の容易さが増す。また、これにより、前記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行える。
【0070】
また、上記の構成において、低周波光電流バイパス用の回路として、電源からバイアスされた差動増幅器を使用して、その出力に接続されたトランジスタにMOSトランジスタを使用した構成としてもよい。
【0071】
上記の構成によれば、直流光電流のバイパスにMOSトランジスタを使用するため、前記よりもさらに消費電流の増加を抑制できる。
【0072】
【発明の効果】
以上のように、本発明の受光装置は、光電流発生部が、他から電源を供給されず、電圧出力部が、起電流を電圧に変換して命令信号として出力する構成である。
【0073】
これにより、光電流発生部で発生した起電流自体が、操作者から送られてきた命令を表す命令信号として利用されるので、太陽光や白熱電球等の直流光を多く含む光が照射されたときにたとえ多くの起電流が発生しても、電源からの電流を消費することがない。それゆえ、太陽光や白熱電球等の直流光を多く含む光が照射されることに起因して電源の電力消費量が増加するのを防止することができるという効果を奏する。
【0074】
また、比較的簡単な回路構成で実現でき、回路構成の簡単さゆえに、ほとんど製造コストや素子サイズの増加を伴うことなく回路を実現することができるという効果を奏する。
【0075】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部としての受光素子の一端が接地され、他端が上記電圧出力部としての負荷の一端と接続され、上記負荷の上記受光素子と接続されていない端部が接地され、上記受光素子と負荷との接続点から上記命令信号としての電圧が出力される構成である。
【0076】
それゆえ、受光素子に発生する直流光電流を電源から供給せずに、受光素子の起電力を利用してGNDから電流を供給するようにしているので、上記構成による効果に加え、いっそう簡単な回路と構成とで実現でき、回路構成の簡単さゆえに、ほとんど製造コストや素子サイズの増加を伴うことなく回路を実現することがさらに容易にできるという効果を奏する。
【0077】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力部に、コンデンサが接続されている構成である。
【0078】
それゆえ、受光素子と増幅回路等の次段の回路とが直流的に分離されるので、上記構成による効果に加え、直流光電流レベルの影響を受けることなく、直流的な電力の消費増加を抑えることができるという効果を奏する。
【0079】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出す、ローパスフィルタおよびトランスコンダクタンスアンプをこの順に接続したバイパス部が設けられている構成である。
【0080】
それゆえ、トランスコンダクタンスアンプは、上記電圧出力部から出力された電流のうちの直流および低周波電流のバイパスとなるので、上記の構成による効果に加えて、直流光電流に対する動作レンジを維持しつつ、電源からの消費電流の増加を防止することができるという効果を奏する。
【0081】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記バイパス部のトランスコンダクタンスアンプとして低スレッシュMOSトランジスタを用いた構成である。
【0082】
それゆえ、上記トランスコンダクタンスアンプを低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタで実現しているので、上記の構成による効果に加えて、バイパス部を非常に簡単な構成で実現でき、回路を簡略化することができるという効果を奏する。
【0083】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部を複数個直列接続した構成である。
【0084】
それゆえ、光電流発生部で発生する電流を大きくして電圧出力部の出力電圧を高くすることができるので、上記の構成による効果に加えて、直流光電流に対する動作レンジを拡大することができるとともに、その分、バイパス部の設計の容易さを増すことができるという効果を奏する。
【0085】
また、上記のように出力する電圧を高くすることができるので、上記バイパス部の能力を増加させることができ、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行えるので、上記構成による効果に加え、バイパス部の設計の容易さがさらに増すという効果を奏する。
【0086】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、電源が供給されて、上記光電流発生部が受けるのと同一の光を受けるモニタ受光部と、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部とが設けられ、上記バイパス部が、上記モニタ受光部にて発生する光電流から、上記所定値以下の周波数を持つ電流成分を検出する構成である。
【0087】
それゆえ、バイパス部へ充分なバイアス電圧を与えることが可能になるので、上記の構成による効果に加えて、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、直流電流をバイパスするバイパス部の設計の容易さが増すという効果を奏する。
【0088】
また、上記の構成による効果に加えて、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行えるという効果を奏する。
【0089】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記光電流発生部の受光面積S1が上記モニタ受光部の受光面積S2のN倍に設定されており、上記バイパス部が、上記モニタ受光部で発生する光電流をN倍に増幅する構成である。
【0090】
それゆえ、上記モニタ受光部で発生する光電流がN倍に増幅されるので、上記の構成による効果に加えて、直流光電流のバイパスの精度を向上することができるという効果を奏する。
【0091】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部が設けられ、上記バイパス部が、電源からバイアスされたトランスコンダクタンスアンプと、上記トランスコンダクタンスアンプの出力部に接続されたトランジスタとを有している構成である。
【0092】
それゆえ、トランジスタの制御端子電圧を大きく使用することができるので、上記の構成による効果に加えて、あまり消費電流を増加させることなく、直流光電流をバイパスするバイパス部の能力を増加させることができ、直流光電流に対する動作レンジの拡大と、所定値以下の周波数を持つ電流成分をバイパスするバイパス部の設計の容易さが増すという効果を奏する。
【0093】
また、これにより、前記と同様に、特別な低スレッシュ(閾値)のMOSトランジスタを必要とせず、通常のMOSトランジスタやバイポーラトランジスタにより直流光電流のバイパスを行えるという効果を奏する。
【0094】
また、本発明の受光装置は、上記の構成に加えて、上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部が設けられ、上記バイパス部が、電源からバイアスされた差動増幅器と、上記差動増幅器の出力部に接続されたMOSトランジスタとを有している構成である。
【0095】
それゆえ、直流光電流のバイパスにMOSトランジスタを使用するので、上記の構成による効果に加えて、さらに消費電流の増加を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る受光装置の等価回路の一構成例を示す回路図である。
【図2】本発明に係る受光装置の等価回路の他の構成例を示す回路図である。
【図3】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図4】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図5】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図6】図5の受光装置の等価回路の一構成例を示す回路図である。
【図7】(a)および(b)は、本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図8】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図9】図8の受光装置の等価回路の一構成例を示す回路図である。
【図10】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図11】本発明に係る受光装置の等価回路のさらに他の構成例を示す回路図である。
【図12】従来の受光装置の等価回路の一構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 受光素子(光電流発生部)
2 負荷(電圧出力部)
3 増幅器
5 バイパス回路(バイパス部)
7 ローパスフィルタ
8 トランスコンダクタンスアンプ
9 IV変換増幅器
12 抵抗
13 コンデンサ
14 MOSトランジスタ
16 MOSトランジスタ
17 バイポーラトランジスタ
21 受光素子(光電流発生部)
22 受光素子(モニタ受光部)
23 負荷(電圧出力部)
25 バイパス回路(バイパス部)
31 MOSトランジスタ
32 抵抗
33 コンデンサ
34 MOSトランジスタ
40 バイパス回路(バイパス部)
41 トランスコンダクタンスアンプ
42 トランジスタ
50 バイパス回路(バイパス部)
51 差動増幅器
52 MOSトランジスタ
Idc 直流光電流成分
C2 コンデンサ
RL 負荷抵抗(電圧出力部)
A 部位
f 等価トランスインピーダンス

Claims (5)

  1. 命令を表す光を受けるとその光に応じた起電流を発生する光電流発生部と、上記命令を表す命令信号として電圧を出力する電圧出力部とを備えた受光装置において、
    上記光電流発生部は、他から電源を供給されず、
    上記電圧出力部は、上記起電流を電圧に変換して上記命令信号として出力し、
    上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出す、ローパスフィルタおよび、低スレッシュMOSトランジスタを用いたトランスコンダクタンスアンプをこの順に接続したバイパス部が設けられていることを特徴とする受光装置。
  2. 命令を表す光を受けるとその光に応じた起電流を発生する光電流発生部と、上記命令を表す命令信号として電圧を出力する電圧出力部とを備えた受光装置において、
    上記光電流発生部は、他から電源を供給されず、
    上記電圧出力部は、上記起電流を電圧に変換して上記命令信号として出力し、
    上記光電流発生部が複数個直列接続されていることを特徴とする受光装置。
  3. 命令を表す光を受けるとその光に応じた起電流を発生する光電流発生部と、上記命令を表す命令信号として電圧を出力する電圧出力部とを備えた受光装置において、
    上記光電流発生部は、他から電源を供給されず、
    上記電圧出力部は、上記起電流を電圧に変換して上記命令信号として出力し、
    電源が供給されて、上記光電流発生部が受けるのと同一の光を受けるモニタ受光部と、
    上記電圧出力部の出力電流から所定値以下の周波数を持つ電流成分を取り出すバイパス部とが設けられ、
    上記バイパス部が、上記モニタ受光部にて発生する光電流から、上記所定値以下の周波数を持つ電流成分を検出することを特徴とする受光装置。
  4. 上記光電流発生部の受光面積S1が上記モニタ受光部の受光面積S2のN倍に設定されており、上記バイパス部が、上記モニタ受光部で発生する光電流をN倍に増幅することを特徴とする請求項3記載の受光装置。
  5. 上記電圧出力部からの出力電圧が入力されるコンデンサと、
    上記コンデンサから上記電圧出力部の出力電圧が電流として入力されて電圧増幅を行うIV変換増幅器とを備えていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の受光装置。
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