JP2513435B2 - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JP2513435B2 JP2513435B2 JP5311607A JP31160793A JP2513435B2 JP 2513435 B2 JP2513435 B2 JP 2513435B2 JP 5311607 A JP5311607 A JP 5311607A JP 31160793 A JP31160793 A JP 31160793A JP 2513435 B2 JP2513435 B2 JP 2513435B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光受信回路に係り、特に
光通信において使用するアバランシェホトダイオードを
含む光受信回路に関するものである。
光通信において使用するアバランシェホトダイオードを
含む光受信回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の光受信回路では、アバランシェ
ホトダイオード（以下、「ＡＰＤ」と略称する）接続さ
れたバイアス回路がフルー自動利得制御（Ｆｕｌｌ−Ａ
ＧＣ）回路などで制御され、そのＡＧＣ回路からの制御
信号によりＡＰＤのバイアス回路を制御し、ＡＰＤの電
流増幅率を制御して前置増幅回路に入力される信号を制
御することにより、受信回路のダイナミックレンジを確
保している。
ホトダイオード（以下、「ＡＰＤ」と略称する）接続さ
れたバイアス回路がフルー自動利得制御（Ｆｕｌｌ−Ａ
ＧＣ）回路などで制御され、そのＡＧＣ回路からの制御
信号によりＡＰＤのバイアス回路を制御し、ＡＰＤの電
流増幅率を制御して前置増幅回路に入力される信号を制
御することにより、受信回路のダイナミックレンジを確
保している。
【０００３】図３はこのような従来の光受信回路の例を
示したものである。同図において、ＡＰＤ１のアノード
側には前置増幅回路２の入力ポート側が接続され、その
前置増幅回路２の出力ポート側に自動利得制御（ＡＧ
Ｃ）回路の入力ポ−ト側が接続され、ＡＰＤ１で受光さ
れた光信号を電気信号に変換し、その電気信号を前置増
幅回路２で増幅してＡＧＣ回路３に入力する。このとき
ＡＧＣ回路３では、ピーク電圧が整流されることによ
り、等化振幅が検出される。このＡＧＣ回路３の一方の
出力ポート側には、高電圧発生回路４を制御する制御回
路５が接続され、ＡＧＣ回路３から制御信号２００を制
御回路５へ入力することにより、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路
を構成する。また、ＡＰＣ１のカソード側には、高電圧
発生回路４より出力される高電圧のレベルを適宜調整等
する制御回路５が接続される。なお、ＡＧＣ回路３の他
方の出力側は、次段の図示しない回路部と接続されてい
る。
示したものである。同図において、ＡＰＤ１のアノード
側には前置増幅回路２の入力ポート側が接続され、その
前置増幅回路２の出力ポート側に自動利得制御（ＡＧ
Ｃ）回路の入力ポ−ト側が接続され、ＡＰＤ１で受光さ
れた光信号を電気信号に変換し、その電気信号を前置増
幅回路２で増幅してＡＧＣ回路３に入力する。このとき
ＡＧＣ回路３では、ピーク電圧が整流されることによ
り、等化振幅が検出される。このＡＧＣ回路３の一方の
出力ポート側には、高電圧発生回路４を制御する制御回
路５が接続され、ＡＧＣ回路３から制御信号２００を制
御回路５へ入力することにより、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路
を構成する。また、ＡＰＣ１のカソード側には、高電圧
発生回路４より出力される高電圧のレベルを適宜調整等
する制御回路５が接続される。なお、ＡＧＣ回路３の他
方の出力側は、次段の図示しない回路部と接続されてい
る。
【０００４】このような光受信回路の例としては、図３
に例示したものの他に、小受信電力時にＡＰＤの増幅率
が一定になるように制御して、ＡＰＤの増幅率変動に起
因する感度の劣化を少なくしたもの（特開平３−２７６
０８号公報）、電源のオン−オフ時や光信号を入力する
際の急激な変動に対して応答を早くできるもの（特開平
１−１６０３４５号公報）、受光パワーの強弱に応じて
ＡＰＤの電流増幅率を変化させるもの（特開昭６３−７
０６２５号公報）、及びトランジスタ及びＡＰＤに流れ
る光電流の総和が一定になる定電流回路を設けて、バイ
アス電圧を変化させ電流増幅率を応答特性が良くなるよ
うに制御したもの（特開昭５９−１６０３４５号公報）
などがある。
に例示したものの他に、小受信電力時にＡＰＤの増幅率
が一定になるように制御して、ＡＰＤの増幅率変動に起
因する感度の劣化を少なくしたもの（特開平３−２７６
０８号公報）、電源のオン−オフ時や光信号を入力する
際の急激な変動に対して応答を早くできるもの（特開平
１−１６０３４５号公報）、受光パワーの強弱に応じて
ＡＰＤの電流増幅率を変化させるもの（特開昭６３−７
０６２５号公報）、及びトランジスタ及びＡＰＤに流れ
る光電流の総和が一定になる定電流回路を設けて、バイ
アス電圧を変化させ電流増幅率を応答特性が良くなるよ
うに制御したもの（特開昭５９−１６０３４５号公報）
などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この種の光受信回路で
は、前置増幅回路が飽和しない最大光電流は前置増幅回
路から決定されており、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ制御回路によ
り電流増幅率の値を小さくしても、最大受信レベルを確
保することができず、受信回路において十分なダイナミ
ックレンジを確保できなくなる虞れがあった。
は、前置増幅回路が飽和しない最大光電流は前置増幅回
路から決定されており、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ制御回路によ
り電流増幅率の値を小さくしても、最大受信レベルを確
保することができず、受信回路において十分なダイナミ
ックレンジを確保できなくなる虞れがあった。
【０００６】また、例えば、特開昭６３−７０６２５号
公報などでは、ＡＰＤバイアス電圧をＡＧＣループを用
いて制御すると、回路が複雑になり、ＡＧＣループの時
定数により安定化するまでにかなりの時間を要するか
ら、ＡＰＤのバイアスとして定電流を供給し、安定性が
向上するようにしたものにすぎなかった。さらに、例え
ば、特開昭５９−１６０３４５号公報などでは、高電圧
電源出力間に接続するコンデンサを充電させるため時間
がかかり、出力電圧を上昇させる側の回路の応答性が悪
くなるから、高電圧電源の出力電圧を変化させないよう
に、ＡＰＤと制御トランジスタを並列に接続し、これに
直列に定電流源を接続することにより、制御トランジシ
タの電流を変化させていたが、このときにはＡＰＤの電
流も上昇し、安定性が悪くなるおそれがあった。
公報などでは、ＡＰＤバイアス電圧をＡＧＣループを用
いて制御すると、回路が複雑になり、ＡＧＣループの時
定数により安定化するまでにかなりの時間を要するか
ら、ＡＰＤのバイアスとして定電流を供給し、安定性が
向上するようにしたものにすぎなかった。さらに、例え
ば、特開昭５９−１６０３４５号公報などでは、高電圧
電源出力間に接続するコンデンサを充電させるため時間
がかかり、出力電圧を上昇させる側の回路の応答性が悪
くなるから、高電圧電源の出力電圧を変化させないよう
に、ＡＰＤと制御トランジスタを並列に接続し、これに
直列に定電流源を接続することにより、制御トランジシ
タの電流を変化させていたが、このときにはＡＰＤの電
流も上昇し、安定性が悪くなるおそれがあった。
【０００７】そこで、本発明は、ＡＰＤの電流増幅率を
制御する際に、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路を用いることな
く、高速性及び安定性を維持しながら光信号を受信でき
るようにした光受信回路を提供することを目的とする。
制御する際に、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路を用いることな
く、高速性及び安定性を維持しながら光信号を受信でき
るようにした光受信回路を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、請求項１記載の発明は、アバランシェホトダイオ
ード（ＡＰＤ）素子，前置増幅回路，前記ＡＰＤ素子を
含むバイアス用高電圧発生回路及びＡＰＤバイアス回路
から構成される光受信回路において、前記ＡＰＤ素子と
高電圧発生回路との間にＡＰＤバイアス回路を接続し、
このＡＰＤバイアス回路は、第１トランジスタと第２ト
ランジスタと第１乃至第４の抵抗からなり、その第１ト
ランジスタのコレクタ電極が前記高電圧発生回路に接続
されると共に、その第１トランジスタのコレクタ電極が
第１抵抗を介して第１トランジスタのベース電極に接続
され、そのべース電極が第２トランジスタのコレクタ電
極に接続され、第１トランジスタのエミッタ電極が第２
抵抗を介してＡＰＤ素子のカソード電極に接続され、こ
のＡＰＤ素子のカソード電極が第３及び第４抵抗を介し
てアースグランドに接続されて過電流保護回路を構成す
る。
めに、請求項１記載の発明は、アバランシェホトダイオ
ード（ＡＰＤ）素子，前置増幅回路，前記ＡＰＤ素子を
含むバイアス用高電圧発生回路及びＡＰＤバイアス回路
から構成される光受信回路において、前記ＡＰＤ素子と
高電圧発生回路との間にＡＰＤバイアス回路を接続し、
このＡＰＤバイアス回路は、第１トランジスタと第２ト
ランジスタと第１乃至第４の抵抗からなり、その第１ト
ランジスタのコレクタ電極が前記高電圧発生回路に接続
されると共に、その第１トランジスタのコレクタ電極が
第１抵抗を介して第１トランジスタのベース電極に接続
され、そのべース電極が第２トランジスタのコレクタ電
極に接続され、第１トランジスタのエミッタ電極が第２
抵抗を介してＡＰＤ素子のカソード電極に接続され、こ
のＡＰＤ素子のカソード電極が第３及び第４抵抗を介し
てアースグランドに接続されて過電流保護回路を構成す
る。
【０００９】また請求項２記載の発明は、ＡＰＤバイア
ス回路は、受光レベルが最小受光レベルの近傍にあると
き光電流を制限せず、受光レベルが所定電流レベルに達
するとき光電流を減少させることができるものである。
ス回路は、受光レベルが最小受光レベルの近傍にあると
き光電流を制限せず、受光レベルが所定電流レベルに達
するとき光電流を減少させることができるものである。
【００１０】さらに請求項３記載の発明は、ＡＰＤバイ
アス回路と前記ＡＰＤを光インターフェース回路に含む
ものである。
アス回路と前記ＡＰＤを光インターフェース回路に含む
ものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ＡＰＤの受光レベルが、例え
ば最小受光レベルにあるときにはダイ１トランジスタが
オン動作し導通するが過電流保護回路が動作せず、光電
流がＡＰＤに入力されるが、そのＡＰＤの受光レベルが
所定電流値になると、その所定電流値を境として、ＡＰ
Ｄバイアス回路の第２のトランジスタを動作させて過電
流をアースグランドに流すことにより、ＡＰＤのバイア
ス電圧が低下するから、ＡＰＤに入力される光電流が制
限され減少する。このため、本発明では、ＡＰＤバイア
ス回路のみで電流増幅率を調整することができるため、
高速性及び安定性を維持しながら光電流を受信すること
ができる。
ば最小受光レベルにあるときにはダイ１トランジスタが
オン動作し導通するが過電流保護回路が動作せず、光電
流がＡＰＤに入力されるが、そのＡＰＤの受光レベルが
所定電流値になると、その所定電流値を境として、ＡＰ
Ｄバイアス回路の第２のトランジスタを動作させて過電
流をアースグランドに流すことにより、ＡＰＤのバイア
ス電圧が低下するから、ＡＰＤに入力される光電流が制
限され減少する。このため、本発明では、ＡＰＤバイア
ス回路のみで電流増幅率を調整することができるため、
高速性及び安定性を維持しながら光電流を受信すること
ができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の光受信回路について図面を参
照して説明する。第１図は、本発明光受信回路の一実施
例を示す回路図、図２は本発明光受信回路の一部である
ＡＰＤバイアス回路部の電圧−電流特性を示す特性図で
ある。なお、図１の説明において、図３の従来の光受信
回路と同一の構成については、同一の符号を付し、ここ
では詳しい説明を省略する。
照して説明する。第１図は、本発明光受信回路の一実施
例を示す回路図、図２は本発明光受信回路の一部である
ＡＰＤバイアス回路部の電圧−電流特性を示す特性図で
ある。なお、図１の説明において、図３の従来の光受信
回路と同一の構成については、同一の符号を付し、ここ
では詳しい説明を省略する。
【００１３】ＡＰＤ１のアノ−ド側には前置増幅回路２
の入力ポ−ト側が接続され、その前置増幅回路２の出力
ポ−ト側に自動利得制御（ＡＧＣ）回路の入力ポ−ト側
が接続され、ＡＰＤ１で受光された光信号は電気信号に
変換し、その電気信号を前置増幅回路２で増幅してＡＧ
Ｃ回路３に入力する。このときＡＧＣ回路３では、ピ−
ク電圧が整流されることにより、等化振幅が検出され
る。このＡＧＣ回路３の一方の出力ポ−ト側には、高電
圧発生回路４を制御する制御回路５が接続され、ＡＧＣ
回路３から制御信号２００を制御回路５へ入力すること
により、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路を構成する。
の入力ポ−ト側が接続され、その前置増幅回路２の出力
ポ−ト側に自動利得制御（ＡＧＣ）回路の入力ポ−ト側
が接続され、ＡＰＤ１で受光された光信号は電気信号に
変換し、その電気信号を前置増幅回路２で増幅してＡＧ
Ｃ回路３に入力する。このときＡＧＣ回路３では、ピ−
ク電圧が整流されることにより、等化振幅が検出され
る。このＡＧＣ回路３の一方の出力ポ−ト側には、高電
圧発生回路４を制御する制御回路５が接続され、ＡＧＣ
回路３から制御信号２００を制御回路５へ入力すること
により、Ｆｕｌｌ−ＡＧＣ回路を構成する。
【００１４】また、本実施例では、ＡＰＣ１のカソ−ド
側と高電圧発生回路５との間には、ＡＰＣ１に所定のバ
イアス電圧を印加するＡＰＤバイアス回路が接続されて
いる。このＡＰＤバイアス回路は、第１及び第２トラン
ジスタ７，８、第１乃至第４抵抗９〜１２から主に構成
される。
側と高電圧発生回路５との間には、ＡＰＣ１に所定のバ
イアス電圧を印加するＡＰＤバイアス回路が接続されて
いる。このＡＰＤバイアス回路は、第１及び第２トラン
ジスタ７，８、第１乃至第４抵抗９〜１２から主に構成
される。
【００１５】その第１トランジスタ７のコレクタ電極１
３は、第１抵抗９を介して第１トランジスタ７のベ−ス
電極１４に接続され、所定のしきい値電圧が印加される
と、第１トランジスタ７がオン動作して導通する。一
方、この第１トランジスタ７のべ−ス電極１４は、第２
トランジスタ８のコレクタ電極１５に接続され、前記第
１トランジスタ７のエミッタ電極１６が第２抵抗１０を
介してＡＰＤ１のカソ−ド電極１９に接続され、第２ト
ランジスタ８のべ−ス電極１７に所定のしきい値電圧が
印加されると、第１トランジスタ７がオン動作して導通
する。
３は、第１抵抗９を介して第１トランジスタ７のベ−ス
電極１４に接続され、所定のしきい値電圧が印加される
と、第１トランジスタ７がオン動作して導通する。一
方、この第１トランジスタ７のべ−ス電極１４は、第２
トランジスタ８のコレクタ電極１５に接続され、前記第
１トランジスタ７のエミッタ電極１６が第２抵抗１０を
介してＡＰＤ１のカソ−ド電極１９に接続され、第２ト
ランジスタ８のべ−ス電極１７に所定のしきい値電圧が
印加されると、第１トランジスタ７がオン動作して導通
する。
【００１６】またＡＰＤ１のカソ−ド電極１９には、第
３の抵抗１１を介して第１トランジスタ７のエミッタ電
極１６が接続され、そのＡＰＤ１のカソ−ド電極１９が
第３抵抗１１及び第４抵抗１２を介してア−スグランド
２０に接続されて過電流保護回路が構成されるようにな
っている。
３の抵抗１１を介して第１トランジスタ７のエミッタ電
極１６が接続され、そのＡＰＤ１のカソ−ド電極１９が
第３抵抗１１及び第４抵抗１２を介してア−スグランド
２０に接続されて過電流保護回路が構成されるようにな
っている。
【００１７】次に、本発明の一実施例の動作を図２に基
づいて、図１を参照して説明する。図２のバイアス回路
特性では、縦軸がＡＰＤのカソ−ド電圧であり、横軸が
光電流（フォトカレント）を表すものである。この特性
図において、図１に示すＡＰＤ１の受光レベルが、例え
ば最小受光レベルにあるときには、第１トランジシタ７
がオン動作し導通するが、過電流保護回路が動作せず、
一定の光電流がＡＰＤ１に入力される。そして、例え
ば、そのＡＰＤ１の受光レベルが所定電流値Ｉｓになる
と、その所定電流値を境として、ＡＰＤバイアス回路の
第２のトランジスタ８を動作させて過電流をア−スグラ
ンド２０に流すことにより、ＡＰＤ１のバイアス電圧が
低下するから、ＡＰＤ１に入力される光電流が制限され
減少する。このため、本実施例では、ＡＰＤバイアス回
路のみで電流増幅率を調整することができるため、高速
性及び安定性を維持しながら光電流を受信することがで
きる。
づいて、図１を参照して説明する。図２のバイアス回路
特性では、縦軸がＡＰＤのカソ−ド電圧であり、横軸が
光電流（フォトカレント）を表すものである。この特性
図において、図１に示すＡＰＤ１の受光レベルが、例え
ば最小受光レベルにあるときには、第１トランジシタ７
がオン動作し導通するが、過電流保護回路が動作せず、
一定の光電流がＡＰＤ１に入力される。そして、例え
ば、そのＡＰＤ１の受光レベルが所定電流値Ｉｓになる
と、その所定電流値を境として、ＡＰＤバイアス回路の
第２のトランジスタ８を動作させて過電流をア−スグラ
ンド２０に流すことにより、ＡＰＤ１のバイアス電圧が
低下するから、ＡＰＤ１に入力される光電流が制限され
減少する。このため、本実施例では、ＡＰＤバイアス回
路のみで電流増幅率を調整することができるため、高速
性及び安定性を維持しながら光電流を受信することがで
きる。
【００１８】なお、所定電流値ＩＩｓは以下の式で表す
ことができる。
ことができる。
【数１】 Ｉｓ＝ＶBE／Ｒｓ１・〔Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）〕…(1) (1) 式において、ＶBEは第２のトランジスタ８のベ−ス
−エミッタ間の電圧、Ｒｓ1 は第３抵抗１１の抵抗値、
Ｒ1 ，Ｒ2 は第２抵抗１０及び第４抵抗１２の抵抗値で
ある。
−エミッタ間の電圧、Ｒｓ1 は第３抵抗１１の抵抗値、
Ｒ1 ，Ｒ2 は第２抵抗１０及び第４抵抗１２の抵抗値で
ある。
【００１９】一方、最大受光レベルにおける最大受光電
流Ｉｋは、以下の(2) 式のように表すことができる。
流Ｉｋは、以下の(2) 式のように表すことができる。
【数２】 Ｉｋ＝Ｉｓ＋（Ｖ０／Ｒｓ１・Ｒ１／Ｒ２）…(2) (2) 式において、Ｖ0 はＡＰＤカソ−ド電圧で、(1) 式
を(2) 式に代入することにより、最大受光電流Ｉｋを求
めることができる。
を(2) 式に代入することにより、最大受光電流Ｉｋを求
めることができる。
【００２０】以上の式(1) 及び式(2) に基づいて許容最
大電流Ｉｋを決定することができる。そして、前置増幅
回路２の飽和電流よりも許容最大電流Ｉｋを小さく設定
することにより、前置増幅回路２の飽和を避けることが
できるので、光受信回路のダイナミックレンジを拡大す
ることができる。また、前記バイアス回路と前記ＡＰＤ
を光インタ−フェ−ス回路に実装することにより、光受
信回路の回路構成を平易にすることができる。
大電流Ｉｋを決定することができる。そして、前置増幅
回路２の飽和電流よりも許容最大電流Ｉｋを小さく設定
することにより、前置増幅回路２の飽和を避けることが
できるので、光受信回路のダイナミックレンジを拡大す
ることができる。また、前記バイアス回路と前記ＡＰＤ
を光インタ−フェ−ス回路に実装することにより、光受
信回路の回路構成を平易にすることができる。
【００２１】なお、上記実施例においては受光素子とし
てＡＰＤを用いたものについて例示して説明したが、受
光素子としてはＡＰＤに限定されるものではなく、ＰＩ
Ｎ−ＰＤなどの光受信回路に好適な受光素子であればよ
い。
てＡＰＤを用いたものについて例示して説明したが、受
光素子としてはＡＰＤに限定されるものではなく、ＰＩ
Ｎ−ＰＤなどの光受信回路に好適な受光素子であればよ
い。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように請求項１から請求項
３の光受信回路によれば、最大受信レベルを改善すうこ
とができるので、実用的な価値を高めることができるな
どの優れた効果を奏することができる。
３の光受信回路によれば、最大受信レベルを改善すうこ
とができるので、実用的な価値を高めることができるな
どの優れた効果を奏することができる。
【００２３】特に、請求項１及び請求項２によれば、Ａ
ＰＤバイアス回路のみで電流増幅率を調整することがで
きるため、高速性及び安定性を維持しながら光電流を受
信することができる。
ＰＤバイアス回路のみで電流増幅率を調整することがで
きるため、高速性及び安定性を維持しながら光電流を受
信することができる。
【００２４】また請求項３によれば、前記バイアス回路
と前記ＡＰＤを光インタ−フェ−ス回路に 実装するこ
とにより、光受信回路の回路構成を平易にすることがで
きる。
と前記ＡＰＤを光インタ−フェ−ス回路に 実装するこ
とにより、光受信回路の回路構成を平易にすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光受信回路の一実施例の回路図であ
る。
る。
【図２】本発明の光受信回路の一実施例のＡＰＤバイア
ス回路の回路特性を示す例である。
ス回路の回路特性を示す例である。
【図３】従来の光受信回路の例を示す回路図である。
１ ＡＰＤ ２ 前置増幅回路 ３ ＡＧＣ回路 ４ 高電圧発生回路 ５ 制御回路 ７ 第１トランジスタ ８ 第２トランジスタ ９ 第１抵抗 １０ 第２抵抗 １１ 第３抵抗 １２ 第４抵抗 １９ カソ−ド電極 ２０ ア−スグランド
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28
Claims (3)
- 【請求項１】前置増幅回路と受光素子を含むバイアス用
高電圧発生回路及びバイアス回路から構成される光受信
回路において、前記受光素子と高電圧発生回路との間に
バイアス回路を接続し、このバイアス回路は、第１トラ
ンジスタと第２トランジスタと第１乃至第４の抵抗から
なり、その第１トランジスタのコレクタ電極が前記高電
圧発生回路に接続されると共に、その第１トランジスタ
のコレクタ電極が第１抵抗を介して第１トランジスタの
ベース電極に接続され、そのべース電極が第２トランジ
スタのコレクタ電極に接続され、前記第１トランジスタ
のエミッタ電極が第２抵抗を介して受光素子のカソード
電極に接続され、この受光素子のカソード電極が第３及
び第４抵抗を介してアースグランドに接続されて過電流
保護回路を構成することを特徴とする光受信回路。 - 【請求項２】前記バイアス回路は、受光レベルが最小受
光レベルの近傍にあるとき、光電流を制限せず、受光レ
ベルが所定電流レベルに達すると光電流を減少させるこ
とを特徴とする請求項１記載の光受信回路。 - 【請求項３】前記バイアス回路と前記受光素子を光イン
ターフェース回路に含むことを特徴とする請求項１記載
の光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311607A JP2513435B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311607A JP2513435B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162369A JPH07162369A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2513435B2 true JP2513435B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=18019291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311607A Expired - Lifetime JP2513435B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513435B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525305B2 (en) * | 2000-09-11 | 2003-02-25 | Perkinelmer Canada, Inc. | Large current watchdog circuit for a photodetector |
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-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311607A patent/JP2513435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07162369A (ja) | 1995-06-23 |
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