JPH09260719A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPH09260719A JPH09260719A JP8064071A JP6407196A JPH09260719A JP H09260719 A JPH09260719 A JP H09260719A JP 8064071 A JP8064071 A JP 8064071A JP 6407196 A JP6407196 A JP 6407196A JP H09260719 A JPH09260719 A JP H09260719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】過大な光信号が入力した瞬間には過大な光電流
が流れてＡＰＤを破損したり、抵抗による過渡応答のた
めに、通常の光入力信号に必要とされる逆バイアス電圧
に復帰するまでに時間遅れが生ずる。 【解決手段】比較器８の「０」→「１」の信号を第１の
モノマルチ９で検出して時限Ｔ2 にわたってオンさせ、
第１のモノマルチ９の「１」→「０」の信号を第２のモ
ノマルチ１０検出して時限Ｔ3 にわたってオンさせる。
そして、レベルシフター１１で第２のモノマルチ１０の
「１」の出力信号を入力してレベルシフトし、その値に
よってスイッチング素子１２をオンする。スイッチング
素子１２がオンすると、抵抗４の両端は時限Ｔ3 （Ｔ3
＜Ｔ1 ）の期間にわたって短絡され、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ２の出力電圧が直接ＡＰＤ１の逆バイアス電圧とし
て印加され、ＡＰＤ１の逆バイアス電圧の復帰が早めら
れる。
が流れてＡＰＤを破損したり、抵抗による過渡応答のた
めに、通常の光入力信号に必要とされる逆バイアス電圧
に復帰するまでに時間遅れが生ずる。 【解決手段】比較器８の「０」→「１」の信号を第１の
モノマルチ９で検出して時限Ｔ2 にわたってオンさせ、
第１のモノマルチ９の「１」→「０」の信号を第２のモ
ノマルチ１０検出して時限Ｔ3 にわたってオンさせる。
そして、レベルシフター１１で第２のモノマルチ１０の
「１」の出力信号を入力してレベルシフトし、その値に
よってスイッチング素子１２をオンする。スイッチング
素子１２がオンすると、抵抗４の両端は時限Ｔ3 （Ｔ3
＜Ｔ1 ）の期間にわたって短絡され、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ２の出力電圧が直接ＡＰＤ１の逆バイアス電圧とし
て印加され、ＡＰＤ１の逆バイアス電圧の復帰が早めら
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信回路に関
し、特に、光伝送におけるパケット通信に用いられるバ
ス型光伝送網における光受信レベルのダイナミックレン
ジを大きくとることができる光受信回路に関する。
し、特に、光伝送におけるパケット通信に用いられるバ
ス型光伝送網における光受信レベルのダイナミックレン
ジを大きくとることができる光受信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光受信回路として、例えば、特開
平３−１２６３３５号公報および特開平５−３４３９２
６号公報に示されるものがある。
平３−１２６３３５号公報および特開平５−３４３９２
６号公報に示されるものがある。
【０００３】図５は、特開平３−１２６３３５号公報に
示される光受信回路を示し、過大な光信号入力を検出し
たときアバランシェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤ
という）の光電流を制限する光受信回路であり、抵抗Ｒ
1 を介してアースされ、アノードを出力端子７０とする
ＡＰＤ５０と、ＡＰＤ５０の光電流を検出して検出信号
５４を出力する検出回路５８と、検出信号５４によって
制御信号５５を出力する制御部５６と、制御信号５５に
よって出力電圧５９が制御されるＤＣ／ＤＣコンバータ
５７を有する。検出回路５８は光電流によって発光する
レーザダイオード５１ａおよびレーザダイオード５１ａ
の発光量に応じた電流を流し、抵抗Ｒ2との接続点に光
電流に応じた電位を発生するフォトトランジスタ５１ｂ
よりなるフォトカプラ５１と、基準電位Ｖref とフォト
トランジスタ５１ｂと抵抗Ｒ2 の接続点の電位の差に応
じた検出信号５４を出力する差動増幅器５２を有する。
示される光受信回路を示し、過大な光信号入力を検出し
たときアバランシェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤ
という）の光電流を制限する光受信回路であり、抵抗Ｒ
1 を介してアースされ、アノードを出力端子７０とする
ＡＰＤ５０と、ＡＰＤ５０の光電流を検出して検出信号
５４を出力する検出回路５８と、検出信号５４によって
制御信号５５を出力する制御部５６と、制御信号５５に
よって出力電圧５９が制御されるＤＣ／ＤＣコンバータ
５７を有する。検出回路５８は光電流によって発光する
レーザダイオード５１ａおよびレーザダイオード５１ａ
の発光量に応じた電流を流し、抵抗Ｒ2との接続点に光
電流に応じた電位を発生するフォトトランジスタ５１ｂ
よりなるフォトカプラ５１と、基準電位Ｖref とフォト
トランジスタ５１ｂと抵抗Ｒ2 の接続点の電位の差に応
じた検出信号５４を出力する差動増幅器５２を有する。
【０００４】この光受信回路によれば、ＡＰＤ５０に過
大な光信号が入力されると、大きな光電流５３が流れて
差動増幅器５２の検出信号５４は電位が下がり、制御部
５６を介してＤＣ／ＤＣコンバータ５７の出力電圧５９
を下げ、ＡＰＤ５０に過大な光電流が流れるのを防止し
て、ＡＰＤ５０を破損から制御できる。
大な光信号が入力されると、大きな光電流５３が流れて
差動増幅器５２の検出信号５４は電位が下がり、制御部
５６を介してＤＣ／ＤＣコンバータ５７の出力電圧５９
を下げ、ＡＰＤ５０に過大な光電流が流れるのを防止し
て、ＡＰＤ５０を破損から制御できる。
【０００５】図６は、特開平５−３４３９２６号公報に
示される光受信回路を示し、ＡＰＤ６１に対し抵抗６４
を直列に挿入接続した状態で電源６２から定電圧の逆バ
イアスをＡＰＤ６１に印加する構成の光受信回路であ
る。
示される光受信回路を示し、ＡＰＤ６１に対し抵抗６４
を直列に挿入接続した状態で電源６２から定電圧の逆バ
イアスをＡＰＤ６１に印加する構成の光受信回路であ
る。
【０００６】この光受信回路によれば、抵抗６４を直列
に接続しているため、瞬間過大電流によるＡＰＤ６１の
破損を防止することができると共に、ＡＰＤ６１の電流
増倍率を光入力信号強度に応じて最適倍率になるように
制御することができる。即ち、ＡＰＤ６１に光信号が入
力すると、ＡＰＤ６１は光入力信号の強度に応じた光電
流に変換し、これを前段増幅器６３で増幅して出力信号
を得る。この時、光電流による抵抗６４の電圧降下は光
電流に比例するため、光電流が大になるとＡＰＤ６１に
印加される逆バイアス電圧が低下して光電流が低減す
る。
に接続しているため、瞬間過大電流によるＡＰＤ６１の
破損を防止することができると共に、ＡＰＤ６１の電流
増倍率を光入力信号強度に応じて最適倍率になるように
制御することができる。即ち、ＡＰＤ６１に光信号が入
力すると、ＡＰＤ６１は光入力信号の強度に応じた光電
流に変換し、これを前段増幅器６３で増幅して出力信号
を得る。この時、光電流による抵抗６４の電圧降下は光
電流に比例するため、光電流が大になるとＡＰＤ６１に
印加される逆バイアス電圧が低下して光電流が低減す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−１２６３３５号公報に示される光受信回路によれ
ば、ＡＰＤに流れる電流を検出して制御するため、過大
な光信号が入力した瞬間には過大な光電流が流れるとい
う問題がある。
３−１２６３３５号公報に示される光受信回路によれ
ば、ＡＰＤに流れる電流を検出して制御するため、過大
な光信号が入力した瞬間には過大な光電流が流れるとい
う問題がある。
【０００８】また、特開平５−３４３９２６号公報に示
される光受信回路によれば、強度の異なった光信号が混
在するパケット伝送においては、大きな光入力信号があ
ってＡＰＤの逆バイアス電圧が低下した直後は、抵抗に
よる過渡応答のために、通常の光入力信号に必要とされ
る逆バイアス電圧に復帰するまでに時間遅れが生ずると
いう問題がある。
される光受信回路によれば、強度の異なった光信号が混
在するパケット伝送においては、大きな光入力信号があ
ってＡＰＤの逆バイアス電圧が低下した直後は、抵抗に
よる過渡応答のために、通常の光入力信号に必要とされ
る逆バイアス電圧に復帰するまでに時間遅れが生ずると
いう問題がある。
【０００９】
【発明の目的】従って、本発明の目的は、様々な光信号
の強度が混在するパケット伝送において、ＡＰＤの破損
を防止するとともに、大きな光入力信号があった直後で
も所定の光電流を得ることができる光受信回路を提供す
ることにある。
の強度が混在するパケット伝送において、ＡＰＤの破損
を防止するとともに、大きな光入力信号があった直後で
も所定の光電流を得ることができる光受信回路を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
実現するため、電源から所定の逆バイアス電圧を電圧降
下用抵抗を介して印加される光電変換素子を有し、受光
した光信号のレベルに応じた受信信号を出力する光受信
回路において、前記受信信号を検出する検出手段と、前
記検出手段が前記受信信号の信号終了を検出したとき、
前記逆バイアス電圧を前記電圧降下用抵抗を介さないで
前記光電変換素子に印加する制御手段を有することを特
徴とする光受信回路を提供するものである。
実現するため、電源から所定の逆バイアス電圧を電圧降
下用抵抗を介して印加される光電変換素子を有し、受光
した光信号のレベルに応じた受信信号を出力する光受信
回路において、前記受信信号を検出する検出手段と、前
記検出手段が前記受信信号の信号終了を検出したとき、
前記逆バイアス電圧を前記電圧降下用抵抗を介さないで
前記光電変換素子に印加する制御手段を有することを特
徴とする光受信回路を提供するものである。
【００１１】前記光電変換素子はアバランシェ・フォト
ダイオードであり、前記制御手段は、前記電圧降下用抵
抗の両端を短絡するスイッチ手段と、前記スイッチ手段
を前記信号終了の検出結果に基づいてオン・オフするス
イッチ制御部を含む構成としても良い。
ダイオードであり、前記制御手段は、前記電圧降下用抵
抗の両端を短絡するスイッチ手段と、前記スイッチ手段
を前記信号終了の検出結果に基づいてオン・オフするス
イッチ制御部を含む構成としても良い。
【００１２】また、前記光電変換素子はアバランシェ・
フォトダイオードであり、前記制御手段は、前記電源と
は別の他の電源から前記逆バイアス電圧を印加するスイ
ッチ手段と、前記スイッチ手段を前記信号終了の検出結
果に基づいてオン・オフするスイッチ制御部を含む構成
としても良い。
フォトダイオードであり、前記制御手段は、前記電源と
は別の他の電源から前記逆バイアス電圧を印加するスイ
ッチ手段と、前記スイッチ手段を前記信号終了の検出結
果に基づいてオン・オフするスイッチ制御部を含む構成
としても良い。
【００１３】この場合、前記スイッチ手段は、前記信号
終了と同時にオンし、最小信号間隔未満でオフするよう
に構成されている。
終了と同時にオンし、最小信号間隔未満でオフするよう
に構成されている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の
実施の形態を示す光受信回路の構成を示す図である。こ
の光受信回路は、入力された光信号の強度に応じて光電
流を発生するＡＰＤ１と、定電圧源であるＤＣ／ＤＣコ
ンバータ２と、ＡＰＤ１で光電変換により生じた光電流
を増幅する前段増幅器３と、ＤＣ／ＤＣコンバータ２の
出力電圧を光電流に応じて降下させる抵抗４と、前段増
幅器３で増幅された出力信号を拡大増幅する後段増幅器
５と、後段増幅器５の出力信号に基づいてパケット信号
を検出するパケット検出回路６と、抵抗４と並列に接続
されＡＰＤ１に印加される逆バイアス電圧を制御する逆
電圧制御回路７とから構成されている。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の
実施の形態を示す光受信回路の構成を示す図である。こ
の光受信回路は、入力された光信号の強度に応じて光電
流を発生するＡＰＤ１と、定電圧源であるＤＣ／ＤＣコ
ンバータ２と、ＡＰＤ１で光電変換により生じた光電流
を増幅する前段増幅器３と、ＤＣ／ＤＣコンバータ２の
出力電圧を光電流に応じて降下させる抵抗４と、前段増
幅器３で増幅された出力信号を拡大増幅する後段増幅器
５と、後段増幅器５の出力信号に基づいてパケット信号
を検出するパケット検出回路６と、抵抗４と並列に接続
されＡＰＤ１に印加される逆バイアス電圧を制御する逆
電圧制御回路７とから構成されている。
【００１５】図２は、図１に示した光受信回路の詳細ブ
ロック図である。図に示すように、パケット検出回路６
は、後段増幅器５の出力信号と基準電圧とを比較して
「１」あるいは「０」の信号を出力する比較器８と、比
較器８の「０」→「１」の出力信号を入力して所定時限
にわたってオンする第１のモノマルチ（単安定マルチバ
イブレータ）９を有している。一方、逆電圧制御回路７
は、第１のモノマルチ９の「１」→「０」の出力信号を
入力して所定時限にわたってオンする第２のモノマルチ
（単安定バイブレータ）１０と、第２のモノマルチ１０
の出力信号を入力してＴＴＬレベルからパルスの“Ｈ”
“Ｌ”の値をレベルシフトした値によってスイッチング
素子１２をオンオフするレベルシフター１１を有してい
る。
ロック図である。図に示すように、パケット検出回路６
は、後段増幅器５の出力信号と基準電圧とを比較して
「１」あるいは「０」の信号を出力する比較器８と、比
較器８の「０」→「１」の出力信号を入力して所定時限
にわたってオンする第１のモノマルチ（単安定マルチバ
イブレータ）９を有している。一方、逆電圧制御回路７
は、第１のモノマルチ９の「１」→「０」の出力信号を
入力して所定時限にわたってオンする第２のモノマルチ
（単安定バイブレータ）１０と、第２のモノマルチ１０
の出力信号を入力してＴＴＬレベルからパルスの“Ｈ”
“Ｌ”の値をレベルシフトした値によってスイッチング
素子１２をオンオフするレベルシフター１１を有してい
る。
【００１６】以上の構成を有する本発明の実施の形態に
係る光受信回路の動作を、図３を参照しながら説明す
る。 （１） まず、ＡＰＤ１に時間間隔Ｔ1 を有するパケッ
ト信号を含む光信号が入力されると、ＡＰＤ１は入力さ
れた光信号をその強度に応じた光電流に変換する（図３
（ａ））。 （２）ＡＰＤ１で光電変換により生じた光電流を前段増
幅器３および後段増幅器５で増幅して受信信号を出力す
る（図３（ｂ））。 （３）比較器８は、後段増幅器５の出力信号と基準電圧
を比較し、閾値以上の電圧を検出した場合には「１」の
信号を、閾値以下の場合には「０」の信号を出力する。
第１のモノマルチ９は、比較器８の「０」→「１」の信
号を検出すると、時限Ｔ2 にわたってオンする（図３
（ｃ））。 （４）第２のモノマルチ１０は、第１のモノマルチ９の
「１」→「０」の信号を検出すると（即ち、第１のモノ
マルチ９がオフとなった瞬間）、時限Ｔ3 にわたってオ
ンする（図３（ｄ））。 （５）レベルシフター１１は、第２のモノマルチ１０の
「１」の出力信号を入力してレベルシフトし、その値に
よってスイッチング素子１２をオンする（図３
（ｅ））。 （６）スイッチング素子１２がオンすると、抵抗４の両
端は時限Ｔ3 （Ｔ3 ＜Ｔ 1 ）の期間にわたって短絡され
る。
係る光受信回路の動作を、図３を参照しながら説明す
る。 （１） まず、ＡＰＤ１に時間間隔Ｔ1 を有するパケッ
ト信号を含む光信号が入力されると、ＡＰＤ１は入力さ
れた光信号をその強度に応じた光電流に変換する（図３
（ａ））。 （２）ＡＰＤ１で光電変換により生じた光電流を前段増
幅器３および後段増幅器５で増幅して受信信号を出力す
る（図３（ｂ））。 （３）比較器８は、後段増幅器５の出力信号と基準電圧
を比較し、閾値以上の電圧を検出した場合には「１」の
信号を、閾値以下の場合には「０」の信号を出力する。
第１のモノマルチ９は、比較器８の「０」→「１」の信
号を検出すると、時限Ｔ2 にわたってオンする（図３
（ｃ））。 （４）第２のモノマルチ１０は、第１のモノマルチ９の
「１」→「０」の信号を検出すると（即ち、第１のモノ
マルチ９がオフとなった瞬間）、時限Ｔ3 にわたってオ
ンする（図３（ｄ））。 （５）レベルシフター１１は、第２のモノマルチ１０の
「１」の出力信号を入力してレベルシフトし、その値に
よってスイッチング素子１２をオンする（図３
（ｅ））。 （６）スイッチング素子１２がオンすると、抵抗４の両
端は時限Ｔ3 （Ｔ3 ＜Ｔ 1 ）の期間にわたって短絡され
る。
【００１７】以上のように、パケット信号を検出した直
後、時限Ｔ3 の期間中にわたって抵抗４の両端を短絡す
るように動作するため、強度が大きい光信号が入力され
て抵抗４による電圧降下が大きくなっても、ＤＣ／ＤＣ
コンバータ２の出力電圧が直接ＡＰＤ１の逆バイアス電
圧として印加され、ＡＰＤ１の逆バイアス電圧の復帰が
早められる（図３（ｆ））。従って、過渡応答の遅れが
なくなり、次に、弱い光信号が入力しても受信に充分な
逆バイアス電圧を得ることができる。
後、時限Ｔ3 の期間中にわたって抵抗４の両端を短絡す
るように動作するため、強度が大きい光信号が入力され
て抵抗４による電圧降下が大きくなっても、ＤＣ／ＤＣ
コンバータ２の出力電圧が直接ＡＰＤ１の逆バイアス電
圧として印加され、ＡＰＤ１の逆バイアス電圧の復帰が
早められる（図３（ｆ））。従って、過渡応答の遅れが
なくなり、次に、弱い光信号が入力しても受信に充分な
逆バイアス電圧を得ることができる。
【００１８】このように、ＡＰＤ１に印加する逆バイア
ス電圧を瞬時に復帰させることによって、光入力信号強
度が大きいパケット信号の次に、光入力信号強度が小さ
いパケット信号を受光しても、ＡＰＤ１に印加されてい
る逆バイアス電圧が復帰しているため、常に、最適倍率
を得ることができる。このため、所定の光受信信号の紛
失を防ぐことができる。
ス電圧を瞬時に復帰させることによって、光入力信号強
度が大きいパケット信号の次に、光入力信号強度が小さ
いパケット信号を受光しても、ＡＰＤ１に印加されてい
る逆バイアス電圧が復帰しているため、常に、最適倍率
を得ることができる。このため、所定の光受信信号の紛
失を防ぐことができる。
【００１９】また、入力された光信号の強度が大きいと
きは、抵抗４によってＡＰＤ１への逆バイアス電圧は小
さくなり、光信号の強度が小さいときに逆バイアス電圧
は大きくなるように自動的に可変設定されているので、
ＡＰＤ１の電流増倍率も入力された光信号の強度に応じ
て変化する。つまり、入力された光信号の強度に応じて
ＡＰＤ１の電流増倍率が最適となるように変化する。
きは、抵抗４によってＡＰＤ１への逆バイアス電圧は小
さくなり、光信号の強度が小さいときに逆バイアス電圧
は大きくなるように自動的に可変設定されているので、
ＡＰＤ１の電流増倍率も入力された光信号の強度に応じ
て変化する。つまり、入力された光信号の強度に応じて
ＡＰＤ１の電流増倍率が最適となるように変化する。
【００２０】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る
光受信回路の構成を示す図である。図に示すように、逆
電圧制御回路７はＤＣ／ＤＣコンバータ２とは別に最小
受光に必要な逆バイアス電圧に設定されたＤＣ／ＤＣコ
ンバータ１３を有し、第１の実施例での抵抗４を短絡す
るかわりに、スイッチング素子１２を介して逆バイアス
電圧を直接ＡＰＤ１に印加するように構成しても良い。
光受信回路の構成を示す図である。図に示すように、逆
電圧制御回路７はＤＣ／ＤＣコンバータ２とは別に最小
受光に必要な逆バイアス電圧に設定されたＤＣ／ＤＣコ
ンバータ１３を有し、第１の実施例での抵抗４を短絡す
るかわりに、スイッチング素子１２を介して逆バイアス
電圧を直接ＡＰＤ１に印加するように構成しても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光受信回
路によれば、ＡＰＤの逆バイアス電圧の制御を抵抗，バ
ケット検出回路および逆電圧制御回路によって行うよう
にしたので、様々な光信号の強度が混在するパケット伝
送において、ＡＰＤを破損を防止するとともに、常に所
定の光受信信号が得られるようにＡＰＤの電流増倍率を
光入力信号の強度に応じて最適増倍率とすることができ
る。
路によれば、ＡＰＤの逆バイアス電圧の制御を抵抗，バ
ケット検出回路および逆電圧制御回路によって行うよう
にしたので、様々な光信号の強度が混在するパケット伝
送において、ＡＰＤを破損を防止するとともに、常に所
定の光受信信号が得られるようにＡＰＤの電流増倍率を
光入力信号の強度に応じて最適増倍率とすることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光受信回路の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】図１の詳細ブロック図である。
【図３】図２の各部の波形を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光受信回路の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】従来の光受信回路の構成を示す図である。
【図６】従来の光受信回路の構成を示す図である。
１ アバランシェ・フォトダイオード ２ ＤＣ／ＤＣコンバータ ３ 前段増幅器 ４ 抵抗 ５ 後段増幅器 ６ パケット検出回路 ７ 逆電圧制御回路 ８ 比較器 ９ 第１のモノマルチ １０ 第２のモノマルチ １１ レベルシフター １２ スイッチング素子 １３ ＤＣ／ＤＣコンバータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (4)
- 【請求項１】電源から所定の逆バイアス電圧を電圧降下
用抵抗を介して印加される光電変換素子を有し、受光し
た光信号のレベルに応じた受信信号を出力する光受信回
路において、 前記受信信号を検出する検出手段と、 前記検出手段が前記受信信号の信号終了を検出したと
き、前記逆バイアス電圧を前記電圧降下用抵抗を介さな
いで前記光電変換素子に印加する制御手段を有すること
を特徴とする光受信回路。 - 【請求項２】前記光電変換素子はアバランシェ・フォト
ダイオードであり、 前記制御手段は、前記電圧降下用抵抗の両端を短絡する
スイッチ手段と、前記スイッチ手段を前記信号終了の検
出結果に基づいてオン・オフするスイッチ制御部を含む
構成の請求項１の光受信回路。 - 【請求項３】前記光電変換素子はアバランシェ・フォト
ダイオードであり、 前記制御手段は、前記電源とは別の他の電源から前記逆
バイアス電圧を印加するスイッチ手段と、前記スイッチ
手段を前記信号終了の検出結果に基づいてオン・オフす
るスイッチ制御部を含む構成の請求項１の光受信回路。 - 【請求項４】前記スイッチ手段は、前記信号終了と同時
にオンし、最小信号間隔未満でオフする構成の請求項２
あるいは請求項３の光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064071A JPH09260719A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064071A JPH09260719A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260719A true JPH09260719A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13247504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8064071A Pending JPH09260719A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107794A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | バースト光受信器 |
| CN109155675A (zh) * | 2016-05-25 | 2019-01-04 | 三菱电机株式会社 | 突发光接收器 |
| WO2022107570A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Ａｐｄセンサ及び測距システム |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP8064071A patent/JPH09260719A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107794A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | バースト光受信器 |
| CN109155675A (zh) * | 2016-05-25 | 2019-01-04 | 三菱电机株式会社 | 突发光接收器 |
| WO2022107570A1 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Ａｐｄセンサ及び測距システム |
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