JP3672954B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、強誘導体キャパシタメモリセルおよびそのようなメモリセルを含む半導体記憶装置に関し、特に強誘電体の分極方向により情報を記憶するメモリセルおよびそのようなメモリセルを含む半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
通常使用される半導体記憶装置は、多くの場合ダイナミック型RAM(以下、DRAM)、またはスタティック型RAM(以下、SRAM)である。
【0003】
この区別は、一般にRAMを構成しているメモリセルの構造による。
DRAMのメモリセルの場合には、半導体基板上に形成されたコンデンサにデータが蓄積される。1つのトランジスタが、データの読出あるいは書込を行なう配線であるビット線と、1つのコンデンサとを選択的に結合する。以上のような1トランジスタ/1キャパシタという簡単な構成のために、DRAMのメモリセルが小面積で高密度に集積化するのに適している。
【0004】
一方、DRAMでは、情報電荷が半導体基板上のコンデンサに蓄積されており、この電荷は種々のリークにより徐々に失われていくので、記憶された情報が失われる前にデータを一端読出して再度書込むリフレッシュ動作を周期的に行なう必要がある。
【0005】
SRAMは、リフレッシュする必要のないメモリセルを含んでいる点がDRAMと相違する。SRAMのセルは、通常双安定フリップフロップとして構成した数個のトランジスタを含んでいる。このフリップフロップの2つの状態を用いて2進データの2つの異なるレベルを記憶する。
【0006】
SRAMのセルは、数個のトランジスタを含むため、DRAMセルより大きく、したがって半導体チップ上に高密度に実装することができない。
【0007】
他方、SRAMは高速に動作するとともにリフレッシュ処理用の論理回路を必要としない。
【0008】
DRAMもSRAMも高速な書込、読出ができるという利点を有するものの、不揮発性である欠点を有する。すなわち、電源をメモリから切るとデータが消失してしまう。
【0009】
DRAMの場合、メモリセル内のコンデンサに蓄積された電荷がリーク電流等により消失していくため、記憶情報も失われることになる。
【0010】
SRAMの場合、メモリセル内のフリップフロップ状態を保持する電圧が0に低下するため、フリップフロップがそのデータを消失する。
【0011】
DRAMやSRAMは以上のような欠点を有するため、プログラムや長期的に保存したいデータの記憶には不適である。
【0012】
このような欠点を克服するために、いわゆる不揮発性半導体メモリが開発され、種々の原理が提案されている。
【0013】
その中でも、いわゆるEEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory )は、電気的に記憶情報を書込あるいは消去できる点で優れている。
【0014】
しかし、書込/消去には薄い絶縁膜を通したトンネル電流を用いたフローティングゲート中への電子の注入、引抜きを行なうため、高電圧を発生する回路をチップ上に搭載する必要がある。また、選択トランジスタやトンネル領域が必要で、その分セルサイズが大きくなるという欠点がある。
【0015】
これに対してPZT(PbZrTiO3 )等の強誘電体で容量を形成し、分極の向きによる容量の充放電特性の変化を利用して不揮発な記憶を行なうことが可能である。
【0016】
図14に、公開特許公報昭64−66899に記載された強誘電体キャパシタを利用したメモリセルの回路図を示す。
【0017】
メモリセル10は、第1および第2の部分12および14を備える。
第1部分12は揮発性メモリを備え、第2部分14は第1部分に結合された強誘電体装置を含む回路を備えている。
【0018】
第1部分12は2個のNチャネルMOSFET16、18と2個のPチャネルMOSFET20、22からなるフリップフロップを含む。
【0019】
通常動作時には、トランジスタ32および34はオフしており、第1部分12と第2部分14は電気的に切離されている。これにより、第1部分12は完全に通常のSRAMメモリセルとして動作する。さらに、トランジスタ40と42は、オン状態となっており強誘電体コンデンサ36と38を直流ノイズ等から保護している。
【0020】
第1部分12の記憶情報を、第2の部分14に転記する場合は、トランジスタ40および42はオフ状態となり、トランジスタ32および34がオン状態となる。このときの動作を説明するために、図14中のノードAは“H”レベル、すなわち、電位Vccであり、ノードBは“L”レベル、すなわち接地電位であるとする。
【0021】
また、初期状態として強誘電体キャパシタは図14中の点線の方向に分極しているものとする。つまり、この分極の方向は上記ノードAおよびBの電位により分極される方向とは逆向きである。
【0022】
さて、転記動作の初期状態ではCLK2が接地電位であるため、トランジスタ32がオンすると強誘電体キャパシタ36は点線矢印の分極方向を実線矢印の方向に変化させる。
【0023】
この様子を図15に示した電界Eと分極Pのグラフ上で説明する。強誘電体キャパシタ36の分極はaの状態にある。ここで電界が印加されることでdの状態に移ることになる。
【0024】
一方、トランジスタ34がオンしただけではキャパシタ38の分極方向は対向電極間には電界が加わらないため、点線矢印から変化しない。
【0025】
そこで、次にCLK2を“H”レベルに変化させる。このとき、キャパシタ36の状態は、図15中のdの状態からcの状態に変化する。一方、キャパシタ38はcの状態からbの状態に変化する。
【0026】
最後に、CLK2が再び接地電位に戻り、キャパシタ38はbの状態からaの状態に変化する。
【0027】
以上の動作で、強誘電体キャパシタ36、38は、それぞれ初期状態とは反対の方向に分極することになる。
【0028】
第2部分の記憶情報を第1部分にリストアする場合には種々の方法があるが、以下にその一例を述べる。
【0029】
まず、トランジスタ24および26をオンして、ビットアレイ28、38と接続することでノードAおよびBを予め接地電位にしておく。
【0030】
次に、トランジスタ24、26をオフとしCLK1を接地電位とした状態で、トランジスタ32と34をオンさせCLK2を接地電位から電源電位まで上昇させる。
【0031】
このとき、キャパシタ36では分極の方向と逆向きに電圧が印加される。
図16に示したように、分極の方向と逆向きに電圧を印加した場合は、その逆の場合よりも大きな電流が流れる。したがって、ノードAの電位は、ノードBの電位よりも上昇する。この時点で、CLK1を接地電位から電源電位まで上昇させると、ノードAが“H”レベル、ノードBが“L”レベルで安定化する。
【0032】
以上のように、従来例では必要なときのみ強誘電体キャパシタの分極方向を変化させるので、強誘電体膜の疲労が少ない。
【0033】
【発明が解決しようとする課題】
従来の強誘電体キャパシタを用いたメモリセルは、強誘電体の分極疲労を緩和するため、回路構成が複雑化している。しかも、複数のタイミング信号により動作を制御するため、周辺回路も複雑化する。
【0034】
したがって、本発明の目的は強誘電体キャパシタを用いた不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを提供することである。
【0035】
本発明の別の目的は、強誘電体キャパシタを不揮発性メモリセルに用いた場合に、その記憶情報を単純な回路動作で、かつ高精度に読出すことが可能な半導体記憶装置を提供することである。
【0036】
本発明のさらに別の目的は、上記強誘電体キャパシタを用いたメモリセルを有する不揮発性メモリを、従来、他の不揮発性メモリ、あるいは揮発性メモリを用いられていた回路に応用し、不揮発性メモリの動作の単純化や電源立下げごとに失われていた記憶情報を不揮発性とする回路を提供することである。
【0037】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の半導体記憶装置は、不良アドレスを記憶するメモリセルアレイを備える。メモリセルアレイは、読出あるいは書込のデータを伝達する複数のデータ線対と、複数のデータ線対にそれぞれ対応して設けられた複数の双安定記憶素子と、複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられたワード線とを含む。各双安定記憶素子は、入力および出力を有する第1の反転回路と、第1の反転回路の入力および出力にそれぞれ結合された出力および入力を有する第2の反転回路と、固定電位が供給されるノードと、第1の反転回路の出力と電気的に結合される第1のデータ出力ノードと、第2の反転回路の出力と電気的に結合される第2のデータ出力ノードと、第2のデータ出力ノードに一端が結合され、かつ固定電位に他端が結合される第1の強誘電体キャパシタと、第1のデータ出力ノードに一端が結合され、かつ固定電位に他端が結合される第2の強誘電体キャパシタと、第1のデータ出力ノードと、複数のデータ線対のうちの一つのデータ線対の第1のデータ線との間に接続され、データを伝達する第1のアクセストランジスタと、第2のデータ出力ノードと、第1のデータ線と対を成す第2のデータ線との間に接続され、データを伝達する第2のアクセストランジスタとを有する。第1および第2のアクセストランジスタの各々は、対応するワード線の電位によって導通/非導通に制御される。半導体記憶装置は、複数の双安定記憶素子に記憶された一群の情報に基づいて信号を出力する出力手段をさらに備える。出力手段は、複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられ、各々が、電位レベルに基づいて導通可能なように対応する双安定記憶素子の第1のデータ出力ノードと接続されたゲートを有する複数の第1のトランジスタと、複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられ、各々が、対応する双安定記憶素子の第2のデータ出力ノードと接続されたゲートを有するとともに、対応する双安定記憶素子の第1のデータ出力ノードと接続される第1のトランジスタと相補的に導通可能なように接続される複数の第2のトランジスタとを含む。
【0038】
請求項2記載の半導体記憶装置の出力手段は、入力される所定情報と一群の情報との比較に基づく信号を出力する比較部に相当する。
【0058】
【実施例】
図1は、本発明の第1の実施例のメモリセルの構成を示す回路図である。
【0059】
図1のメモリセルは、従来例と同様、2個のNチャネルMOSFET16、18と2個のPチャネルMOSFET20、22とからなるフリップフロップを含む。
【0060】
PチャネルMOSFET20とNチャネルMOSFET16とからなるインバータの出力と第1の強誘電体キャパシタ38の一端が結合し、その他端は固定電位Vcpと結合する。
【0061】
一方、PチャネルMOSFET22とNチャネルMOSFET18とからなるインバータの出力と、第2の強誘電体キャパシタ36の一端が結合し、その他端は固定電位Vcpと結合する。
【0062】
図3は第1の実施例の動作を示す図である。本実施例では、図1中のノードAとBとの間に高誘電体材料からなるコンデンサを配置しており、その対向電極は固定電位Vcpに接続されている。強誘電体キャパシタは、ワード線WLの電位を“H”レベルとし、トランジスタ24および26をオンとすることで、固定電位に対して互いに相補的な電位のデータ線Dおよび/Dにより書込まれた“H”レベルか“L”レベルかの情報により分極方向を変化させる。この分極は電源を絶った後も保持される。
【0063】
再度、電源を立上げるときには、この保持された分極のために、電源電位投入後のノードAとBの電位上昇の度合が違ってくる。
【0064】
たとえば、前電源投入中にノードAに“H”レベルが、ノードBに“L”レベルが書込まれていたとすると、電源再投入時にノードAは図14において電極の向きと同じ方向に電圧が印加される場合に相当し、電流が流れる量が少ないので、電位上昇の大きな方向に、ノードBは、ノードAとは反対に電流が流れる量が多いので、電位上昇の小さな方向に分極していることになる。このことにより、ノードAとBで電位上昇に相違が生じる。このアンバランスにより、双安定素子がより電位を増幅させる方向に働くため、前回保持されていた情報がそのまま再生される。
【0065】
図3の下段に本実施例における電源投入時の波形を示している。ノードAおよびBには前電源投入中にノードAに“H”レベルが、ノードBに“L”レベルが書込まれていたとする。電源電位の上昇とともにノードAとBの間に電位差が生じる。その後も電源電位が上昇していくに従い、双安定素子が増幅を開始し、ノードAとノードBはそれぞれ電源電位および接地電位に向かって増幅される。
【0066】
したがって、本構成によるメモリセルは再書込の必要がない。
しかも、この場合、たとえば、固定電位Vcpの値として、電源電位Vccの半分の値を取ることとすると、強誘電体キャパシタ36および38にかかる電圧は、どちらもVcc/2となり、従来例の半分にできる。したがって、強誘電体キャパシタの疲労特性が大幅に改善される。
【0067】
なお、このメモリセルは、いわゆるCMOS型セルであるが、NMOS負荷型セルや抵抗負荷型セルでも同様の効果が得られる。
【0068】
図4は、第1の実施例のパターン例を示す図である。
図4中、(b)はパターンの平面図、(a)は(b)のD−D′断面の断面図である。
【0069】
PチャネルMOSFET20、22およびNチャネルMOSFET16、18のドレイン同士を各々接続し、出力ノード104および106として引出される配線が、強誘電体キャパシタ36、38の下部電極116および118をそれぞれ兼ねている。
【0070】
その配線の上に強誘電体膜が形成されパターニングされて、キャパシタ36、38中のそれぞれ誘電体膜112および114となる。さらに、その上から上部電極110が形成され、その電極金属が同時に配線108として固定電位Vcpに結合される。
【0071】
図2は第2の実施例を示す。本実施例では第1の実施例に対して分極の対向電極が固定電位に接続されておらず、キャパシタの両電極はそれぞれ対向ノードに接続されている。メモリセル中の記憶情報が、頻繁に書換えられない用途に用いられる場合や、電源電圧が十分に低い状態で用いられる場合には、第1の実施例よりも簡単な構成で第1の実施例と同様の効果が得られる。
【0072】
たとえば、前電源投入時中にノードAに“H”レベルが、ノードBに“L”レベルが書込まれていたとすると、再投入時にノードAが電位上昇のしやすい方向に、ノードBが電位上昇の起こりにくい方向に分極しているため、ノードAとBで電位上昇に相違が生じる。このアンバランスにより、双安定素子がより電位を増幅される方向に働くため、前回保持されていた情報はそのまま再生される。したがって、本構成によるメモリセルでは再書込の必要がない。
【0073】
なおこのメモリセルも、いわゆるCMOS型セルであるが、NMOS負荷型セルや抵抗負荷型セルでも同様の効果が得られる。
【0074】
図5は、第2の実施例のパターンの例を示す図である。
図5中、(b)はパターンの平面図、(a)は(b)のD−D′断面の断面図である。
【0075】
PチャネルMOSFET20およびNチャネルMOSFET16のドレイン同士を接続し、出力ノード104として引出される配線が、強誘電体キャパシタの下部電極117を兼ねている。
【0076】
その配線の上に強誘電体膜が形成されパターニングされて、キャパシタ37中の誘電体膜117となる。
【0077】
さらに、その上から上部電極110が形成され、その電極金属が同時に出力ノード106として引出される。
【0078】
図6は、本発明の第3の実施例のメモリセルアレイに対する冗長回路の構成を示す図である。
【0079】
メモリが大容量化していくにつれて、不良ビットを1ビットも含まないメモリアレイを製造することは急速に困難になってくる。特に新規の製造技術を用いて開発されるメモリの場合、初期の試作品の欠陥レベルが高く歩留りが極めて低い。
【0080】
こうした問題を解決する方策として、現在実用的には、冗長の行や列を数本加えて、不良のセルや行、列を入換える冗長回路技術が用いられている。
【0081】
図6の例は2本の冗長な行(スペア行)を持つメモリアレイの回路である。
正規のアレイ200中に不良ビット224があった場合、その行212に対応するアドレス信号に対して、選択動作を行なうようにフェイルアドレスメモリ210をプログラミングする。こうすることにより、不良ビットを含むアドレスF11F12…F1n、あるいはF21F22…F2nが入力されると、スペアデコーダ208が選択され、同時に正規の行デコーダに対して選択禁止信号が選択禁止信号線214に出される。したがって、正規の行212の代わりに、スペア行アレイ202中の1つの行が選択されることになる。
【0082】
このとき、読出/書込回路206は、正規のアレイ200に対するのと同様に、データの読出、あるいは書込を行なう。
【0083】
従来は、フェイルアドレスメモリとしてたとえばヒューズ素子をレーザによりトリミングすることで不揮発性のメモリを構成していた。
【0084】
図7は図6中のフェイルアドレスメモリを本発明の第1のメモリセルを用いた不揮発性メモリで構成した回路図を示す。
【0085】
たとえば、ウェハプロセス終了後の、オンウェイテスト等で検出された不良ビットのアドレスF10…F1nが書込ワード線WLを活性化した後、相補なプログラミングアドレスF10、/F10、…、F1n、/F1nとして、メモリセル230に書込まれる。この情報は常時比較回路232側に伝達されNチャネルMOSFETのゲートに入力されている。したがって、NチャネルMOSFETのいずれかはオンでいずれかはオフの状態になっている。動作開始前にはプリチャージ信号PRにより出力Vout は“H”レベルにプリチャージされている。また、入力アドレス信号A0 …An を受けると装置内部で生成される相補な内部アドレスA0 、/A0 、…、An 、/An は、“L”レベルとなっている。
【0086】
したがって、動作開始前にはVout の電位が低下することはない。なお、回路構成中にはプログラムに必要なアドレス信号の組の数だけこのセットが用意される。
【0087】
これに対して動作が開始され外部アドレスが入力されると、内部アドレスのAi または/Ai (i=0、…、n)のいずれかが“H”レベルとなる。これがプログラミングアドレスと1個でも一致しない場合には、Vout のレベルが低下し、スペアアドレスは選択されない。逆にすべてのアドレスが一致する場合には、Vout のレベルが低下せず、選択されるメモリセルが不良であることを示す。この場合、スペアデコーダ208を活性化し、ノーマルデコーダ204を非活性化させる。
【0088】
以上のような、冗長回路用のフェイルアドレスメモリに、第1の実施例あるいは第2の実施例で示した不揮発性メモリセルを用いた記憶素子を用いることにより、従来のヒューズ素子よりも面積を小さく、かつプログラミングを容易化することが可能である。
【0089】
図8は、本発明の第4の実施例を示す概略ブロック図である。
VLSI化に伴い、ピン数や周波数が増大し、益々高価なVLSIテスタが必要とされている。しかも、印加テストベクトルの増加により、テスタの占有時間は長くなっており、良否の判定にかかるコストは大きくなる一方である。
【0090】
VLSIテスタや大量のテストベクトルを用いなくてもチップの良否が判断できれば、大幅にテストコストを削減できる。チップ内に自己検査機構を組込むことによりこれが可能となる。このような方式は、BIST(Built-In Self Testing )と呼ばれる。
【0091】
正規のメモリセルアレイとスペアメモリセルアレイを配置するメモリアレイにおいて、BISTを行なう回路が配置されている。図4において、セルフテスト時には、マイクロプログラマブルROM300により制御されるテストパターン発生回路302により、メモリセルアレイ200にテストデータが入力される。メモリセルアレイ200の出力データと入力データとを比較器304で比較することにより、判明した不良アドレスはフェイルアドレスメモリ210に転送され、スペアメモリアレイ202中の置換するアドレスが割当てられる。本実施例においては、第1および第2の実施例に示されるようなメモリセルを用いて、第3実施例と同様にフェイルアドレスメモリを構成している。第1および第2の実施例に示されるようなメモリセルを用いた場合、任意に書換が可能となるため、任意の周期でBISTを行なうことにより、新たに発生する不良を検出し、救済することが可能となる。
【0092】
図9は、本発明の第5の実施例を示す概略ブロック図である。
メモリの大容量化と高速化は急速に進展しているものの、コンピュータシステムのCPUの速度に対し大容量のメインメモリのそれは十分に速くない。またシステムバス自体の速度も、特にTTLインタフェースレベルのように大振幅のバスでは、高速のCPUの要求を満たすことは難しい。こうした問題を解決するために、小容量ではあるが、高速のバッファ(キャッシュメモリ)をCPUの近傍に置き、さらにはバスをCPU用とシステム用とに分離し、メインメモリのデータの一部をキャッシュメモリに記憶させ、CPUはキャッシュメモリと主にやり取りするという方法が取られてきた。
【0093】
本実施例では、キャッシュメモリ中のキャッシュディレクトリおよびデータメモリとして、第1あるいは第2の実施例のメモリセルを用いたメモリを用いる。
【0094】
以下、例として32ビットのアドレス信号によりCPUからキャッシュメモリがアクセスされる場合を考える。
【0095】
キャッシュディレクトリ1000には、データメモリ1010に記憶されているデータに対応するメインメモリのアドレスの上位アドレス(タグアドレス)が記憶されている。キャッシュディレクトリ1000のアドレスはCPUからの下位アドレス(A4〜A11;セットアドレスと呼ぶ)1002で選択される。同一のセットアドレス1002で選択されるタグアドレスの数をウェイ数と呼び、この例ではA0、A1で選択される。キャッシュディレクトリ1000から読出されたデータは、CPUからのタグアドレス1006と比較される。もし一致した場合、キャッシュがヒットしたと言い、そのタグアドレスとセットアドレスとで指定される有効なデータがデータメモリに存在することを意味する。そこでヒット信号1008が生成され、データメモリにアクセスの有効性を知らせる。もし、不一致であれば(キャッシュミス)、メインメモリのデータによって更新される。
【0096】
以上の動作で、キャッシュメモリ中のデータを、CPUからみるとメインメモリ中に存在するかのようにアクセスすることが可能となる。
【0097】
キャッシュディレクトリやデータメモリを本発明の第1あるいは第2の実施例のメモリセルで構成すれば、電源再投入後に再び前回のデータを復活させることが可能である。
【0098】
図12は、本発明の第6の実施例のメモリセルを示す図である。
図12は、相補型の回路構成となっている。そこで、図11の回路の動作を説明する前に、図10および図11で、その基本構成要素の動作をまず説明する。
【0099】
図10は基本構成要素の回路図、図11はその動作を示すタイミングチャート図である。
【0100】
図11中、(a)は定電流源404を流れる電流I1 の、(b)は定電流源406を流れる電流I2 の、(c)はトランジスタ402を流れる電流I3 の、(d)はA点の電位の経時変化をそれぞれ示している。
【0101】
第1の定電流源404および第2の定電流源406が直列に接続されている。その接続点に第1あるいは第2の方向に分極した強誘電体キャパシタ400の一端が接続されている。
【0102】
強誘電体キャパシタ400の他端はこの例では、接地されている。
時刻T1 において、定電流源404および406に定電流I1 およびI2 をそれぞれ流し始めたとする。
【0103】
キャパシタは400の分極の方向が、電流の向きと同じであれば、図16で示したように充電が速やかに終了するので、A点の電位は上昇し始め、図11(d)中のaのような変化をする。
【0104】
一方、分極の方向が、電流の向きと逆であれば、図16で示したように上記の場合と比較して多くの電流がこのキャパシタに流れるので、A点の電位は下降し、図11(d)中のbのような変化をする。
【0105】
このA点の電位をたとえば、NチャネルMOSFET402のゲートに結合しておくと、その電位変化に応じて、NチャネルMOSFET402に流れる電流も増減する。
【0106】
上記電位変化を感度よく検出するために、図12のような相補型の回路構成を取る。図13はその動作を示すタイミングチャート図である。
【0107】
図13中、(a)はトランジスタ404および410を流れる電流I1 の、(b)は定電流源406および412を流れる電流I2 の、(c)はA点およびB点の電位の、(d)はC点およびD点の電位の経時変化をそれぞれ示している。
【0108】
ワード線活性化信号WLにより、トランジスタ420と422をオンし、互いに相補的な電圧をキャパシタ400および408に印加して、各々を互いに逆向きに分極させてあるものとする。
【0109】
トランジスタ404を第1の定電流源、トランジスタ410を第3の定電流源として、時刻T1 に両者に各々電流I1 を流し始める。
【0110】
同時に、第2の定電流源406および第4の定電流源412も、各々電流I2 を流し始める。
【0111】
このときカレントミラー回路418により、定電流源406および412に流れる電流は互いに等しい一定値に保たれているものとする。
【0112】
キャパシタ400は、電流と同一方向に、キャパシタ408は、電流と逆方向に分極していたとすると、図11で説明したとおりA点の電位は上昇し、B点の電位は下降する。
【0113】
カレントミラー回路418と定電流源406および412は、電位Vref の入力されるNチャネルMOSFETを介して接続されているため、AとCの間およびBとDの間のインピーダンスは高い。
【0114】
このため、A点およびB点の電位変化が増幅された電位変化が、C点およびD点に現れる。
【0115】
たとえば、D点の電位とC点の電位の差を出力Vout として、読取ることで、メモリセル中の記憶情報の読出が可能となる。
【0116】
以上のような、比較的単純な回路構成および動作で、強誘電体キャパシタに記憶された情報を高精度に読出すことが可能である。
【0117】
【発明の効果】
本発明の強誘電体キャパシタメモリセルにおいては、双安定記憶素子に記憶された記憶情報が強誘電体キャパシタを分極させるため、電源が切られた場合でも記憶情報が失われることがない。
【0118】
しかも、各強誘電体キャパシタに印加される電圧は外部からの固定電位により所望の値に設定することが可能であるため、強誘電体膜に印加される電界を減少させることが可能で強誘電体膜の分極の疲労特性を改善させることが可能である。
【0120】
しかも、メモリ中の記憶情報が頻繁に書換えられない用途に用いられる場合や、電源電圧が十分低い状態で用いられる場合には、簡単な構成で同様の効果が得られる。
【0121】
また、不良セルの存在するアドレスを不揮発性メモリセルを用いた記憶素子により記憶しているので、従来のヒューズ素子よりも面積を小さく、かつプログラミングを容易化することが可能である。
【0123】
半導体記憶装置においては、データの記憶をメモリセルを用いた記憶装置により記憶しているので、電源再投入後に再び前回のデータを復活させることが可能である。
【0125】
また、半導体記憶装置においては、メモリセルのビルトインセルフテストの結果判明した不良アドレスをメモリセルにより構成された記憶装置に記憶しているので、任意に書換が可能となるため、セルフテストを任意の周期で行なうことにより、新たに発生する不良を検出し救済することが可能となる。
【0127】
また、強誘電体キャパシタメモリセルにおいては、相補的な分極方向を有する第1および第2の強誘電体キャパシタにより記憶されている記憶情報を、両者に定電流を流したときの充電特性の差により生じる電位差を増幅することで読出すので、比較的単純な回路構成および動作で強誘電体キャパシタに記憶されていた情報を高精度に読出すことが可能である。
【0128】
また、強誘電体キャパシタメモリセルにおいては、第1および第2の強誘電体キャパシタの接続する第1および第2の経路に等しい値の定電流を流すために、カレントミラー回路を用いたので、比較的単純な回路構成および動作で強誘電体キャパシタに記憶された情報を高精度に読出すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】 本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図3】 本発明の第1の実施例の動作を示す図である。
【図4】 本発明の第1の実施例のパターンを示す図である。
【図5】 本発明の第2の実施例のパターンを示す図である。
【図6】 本発明の第3の実施例を示す概略ブロック図である。
【図7】 本発明の第3の実施例を示す回路図である。
【図8】 本発明の第4の実施例を示す概略ブロック図である。
【図9】 本発明の第5の実施例を示す概略ブロック図である。
【図10】 本発明の第6の実施例の動作を説明するための回路図である。
【図11】 第6の実施例の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図12】 本発明の第6の実施例の回路図である。
【図13】 第6の実施例の動作を示すタイミングチャートである。
【図14】 従来のメモリセルの構成を示す回路図である。
【図15】 強誘電体の誘電特性を示す図である。
【図16】 強誘電体の分極の向きと電流の経時変化の関係を示す図である。
【符号の説明】
10 従来のメモリセル、12 従来のメモリセルの第1の部分、14 従来のメモリセルの第2の部分、16 第1のNチャネルMOSFET、18 第2のNチャネルMOSFET、20 第1のPチャネルMOSFET、22 第2のPチャネルMOSFET、24、26 アクセストランジスタ、28、30ビットライン、32、34 結合トランジスタ、36、37、38 強誘電体キャパシタ、40、42 短絡トランジスタ、100 電源ライン、102 接地ライン、104、106 出力ノード、108 固定電位供給線、110 上部電極、112、113、114 強誘電体膜、116、117、118 下部電極、120、122 ゲート、200 ノーマルメモリセルアレイ、202 スペアメモリセルアレイ、204 ノーマルデコーダ、206 読出/書込回路、208 スペアデコーダ、210 フェールアドレスメモリ、212 不良行、214 選択禁止信号線、222 メモリセル、224 不良セル、230 メモリセル、232 比較回路、300 プログラマブルROM、302 テストパターン発生器、304 データ比較器、400 強誘電体キャパシタ、402電圧・電流変換用トランジスタ、404 第1の定電流源、406 第2の定電流源、408 強誘電体キャパシタ、410 第3の定電流源、412 第4の定電流源、414、416 NチャネルMOSFET、418 カレントミラー回路、420、422 アクセストランジスタ、1000 キャッシュディレクトリ、1002 セットアドレス、1004 キャッシュディレクトリデータ、1006 タグアドレス、1008 ヒット信号、1010 データメモリ。
Claims (2)
- 不良アドレスを記憶するメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイは、
読出あるいは書込のデータを伝達する複数のデータ線対と、
前記複数のデータ線対にそれぞれ対応して設けられた複数の双安定記憶素子と、
前記複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられたワード線とを含み、
各前記双安定記憶素子は、
入力および出力を有する第1の反転回路と、前記第1の反転回路の入力および出力にそれぞれ結合された出力および入力を有する第2の反転回路と、
固定電位が供給されるノードと、
前記第1の反転回路の出力と電気的に結合される第1のデータ出力ノードと、
前記第2の反転回路の出力と電気的に結合される第2のデータ出力ノードと、
前記第2のデータ出力ノードに一端が結合され、かつ前記固定電位に他端が結合される第1の強誘電体キャパシタと、
前記第1のデータ出力ノードに一端が結合され、かつ前記固定電位に他端が結合される第2の強誘電体キャパシタと、
前記第1のデータ出力ノードと、前記複数のデータ線対のうちの一つのデータ線対の第1のデータ線との間に接続され、前記データを伝達する第1のアクセストランジスタと、
前記第2のデータ出力ノードと、前記第1のデータ線と対を成す第2のデータ線との間に接続され、前記データを伝達する第2のアクセストランジスタとを有し、
前記第1および第2のアクセストランジスタの各々は、対応するワード線の電位によって導通/非導通に制御され、
前記複数の双安定記憶素子に記憶された一群の情報に基づいて信号を出力する出力手段をさらに備え、
前記出力手段は、
前記複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられ、各々が、電位レベルに基づいて導通可能なように対応する双安定記憶素子の第1のデータ出力ノードと接続されたゲートを有する複数の第1のトランジスタと、
前記複数の双安定記憶素子にそれぞれ対応して設けられ、各々が、対応する双安定記憶素子の第2のデータ出力ノードと接続されたゲートを有するとともに、前記対応する双安定記憶素子の第1のデータ出力ノードと接続される第1のトランジスタと相補的に導通可能なように接続される複数の第2のトランジスタとを含む、半導体記憶装置。 - 前記出力手段は、入力される所定情報と前記一群の情報との比較に基づく前記信号を出力する比較部に相当する、請求項1記載の半導体記憶装置。
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US6147900A (en) * | 1997-11-06 | 2000-11-14 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
KR100268947B1 (ko) * | 1998-04-03 | 2000-10-16 | 김영환 | 비휘발성 강유전체 메모리 및 그의 제어회로 |
US6031754A (en) * | 1998-11-02 | 2000-02-29 | Celis Semiconductor Corporation | Ferroelectric memory with increased switching voltage |
KR100300873B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-09-06 | 박종섭 | 강유전체 커패시터를 사용한 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로 및 수리 방법 |
JP2000293989A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Nec Corp | 強誘電体容量を用いたシャドーramセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法 |
US6141237A (en) * | 1999-07-12 | 2000-10-31 | Ramtron International Corporation | Ferroelectric non-volatile latch circuits |
DE19951818C2 (de) * | 1999-10-27 | 2001-11-29 | Micronas Gmbh | Elektrisch lösch- und programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung |
JP2002109875A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Nec Corp | 強誘電体容量を用いたシャドーramセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法 |
US6515895B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-02-04 | Motorola, Inc. | Non-volatile magnetic register |
US6650158B2 (en) * | 2001-02-21 | 2003-11-18 | Ramtron International Corporation | Ferroelectric non-volatile logic elements |
KR100429200B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2004-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 칼럼 구제회로 및 그구제방법 |
JP5119563B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2013-01-16 | 日本電気株式会社 | 不良メモリセル救済回路を有する半導体記憶装置 |
KR100447224B1 (ko) | 2001-09-20 | 2004-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비휘발성 강유전체 메모리 장치의 칼럼 리페어 회로 |
EP1306851A1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | STMicroelectronics S.r.l. | Low fatigue sensing method and circuit for ferroelectric non-volatile storage units |
JP4073690B2 (ja) * | 2001-11-14 | 2008-04-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜磁性体記憶装置 |
US6512687B1 (en) * | 2002-01-07 | 2003-01-28 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile ferroelectric capacitor memory circuit |
US6587368B1 (en) * | 2002-01-07 | 2003-07-01 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile memory circuit |
JP2003233990A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Sony Corp | 複合記憶回路構造及び同複合記憶回路構造を有する半導体装置 |
US6888741B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | Secure and static 4T SRAM cells in EDRAM technology |
KR100492800B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 강유전체 메모리 제어 장치 |
US6876590B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-04-05 | Infineon Technologies, Ag | 2T2C signal margin test mode using a defined charge exchange between BL and/BL |
WO2004049346A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性メモリセルおよびその制御方法 |
JP4177131B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-11-05 | ローム株式会社 | 論理演算回路、論理演算装置および論理演算方法 |
JP2005141833A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置及び電子機器 |
US7035131B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dynamic random access memory cell leakage current detector |
US7177220B2 (en) * | 2004-05-07 | 2007-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Refresh counter with dynamic tracking of process, voltage and temperature variation for semiconductor memory |
JP4655668B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体コンデンサラッチ回路 |
KR100682218B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비휘발성 반도체 메모리 장치 |
US20080229269A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | International Business Machines Corporation | Design structure for integrating nonvolatile memory capability within sram devices |
US7692954B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for integrating nonvolatile memory capability within SRAM devices |
US7990749B2 (en) * | 2009-06-08 | 2011-08-02 | Radiant Technology, Inc. | Variable impedance circuit controlled by a ferroelectric capacitor |
US8565000B2 (en) * | 2010-06-11 | 2013-10-22 | Radiant Technologies, Inc. | Variable impedance circuit controlled by a ferroelectric capacitor |
US9324405B2 (en) * | 2010-11-30 | 2016-04-26 | Radiant Technologies, Inc. | CMOS analog memories utilizing ferroelectric capacitors |
US8837203B2 (en) * | 2011-05-19 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI570730B (zh) * | 2011-05-20 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8611137B2 (en) | 2011-11-23 | 2013-12-17 | Altera Corporation | Memory elements with relay devices |
US9953725B2 (en) * | 2012-02-29 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices and methods of operating the same |
US9087613B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method for repairing memory cell and memory system including the device |
EP3198604B1 (en) * | 2014-09-26 | 2022-04-20 | Radiant Technologies, Inc. | Cmos analog memories utilizing ferroelectric capacitors |
CN112802509A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-05-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种sram单元结构、sram存储器以及上电初始化方法 |
US11749168B1 (en) * | 2022-07-04 | 2023-09-05 | Novatek Microelectronics Corp. | Data receiver for achieving functions of level shifter and amplifier circuit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4809225A (en) * | 1987-07-02 | 1989-02-28 | Ramtron Corporation | Memory cell with volatile and non-volatile portions having ferroelectric capacitors |
US5434811A (en) * | 1987-11-19 | 1995-07-18 | National Semiconductor Corporation | Non-destructive read ferroelectric based memory circuit |
US4974204A (en) * | 1989-08-28 | 1990-11-27 | National Semiconductor Corporation | Non-volatile programmable interconnection circuit |
JP2853406B2 (ja) * | 1991-09-10 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
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