JP2005141833A - 強誘電体メモリ装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 強誘電体の劣化が少なく、高速動作が可能な強誘電体メモリ装置を提供する。
【解決手段】
一端がビット線に電気的に接続された強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、所定の電圧を生成する電圧源と、ビット線と電圧源との間に設けられた抵抗体と、抵抗体と直列に設けられ、ビット線に抵抗体を通して所定の電圧を所定の期間、供給するか否かを切り換えるスイッチとを備えた強誘電体メモリ装置。電圧源は、所定の電圧として、当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧、強誘電体キャパシタの抗電圧と当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧との間の電圧、又は強誘電体キャパシタの抗電圧より小さい電圧を生成することが好ましい。
【選択図】 図2
【解決手段】
一端がビット線に電気的に接続された強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、所定の電圧を生成する電圧源と、ビット線と電圧源との間に設けられた抵抗体と、抵抗体と直列に設けられ、ビット線に抵抗体を通して所定の電圧を所定の期間、供給するか否かを切り換えるスイッチとを備えた強誘電体メモリ装置。電圧源は、所定の電圧として、当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧、強誘電体キャパシタの抗電圧と当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧との間の電圧、又は強誘電体キャパシタの抗電圧より小さい電圧を生成することが好ましい。
【選択図】 図2
Description
本発明は、強誘電体メモリ装置及び電子機器に関する。特に本発明は、強誘電体の劣化が少ない強誘電体メモリ装置に関する。
従来のFeRAMとして、特開2002−100183号公報(特許文献1)に開示されたものがある。上記特許文献1に開示された強誘電体メモリは、センスアンプの前段に、2値化された信号のうち低電位側の信号を0Vに設定し直す0レベル設定回路を備えている。
特開2002−100183号公報
しかしながら特許文献1に開示された従来のFeRAMでは、メモリセルに高い電圧がかかってしまうため、メモリセルを構成する強誘電体の疲労特性が大きく劣化してしまうという問題が生じていた。また、回路構成が複雑となるため、読み出し動作に時間がかかり、動作速度が遅くなるという問題が生じていた。
よって、本発明は、上記の課題を解決することのできる強誘電体メモリ装置及び電子機器を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
上記目的を達成するため、本発明の第1の形態によれば、一端がビット線に電気的に接続された強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、所定の電圧を生成する電圧源と、前記ビット線と前記電圧源との間に設けられた抵抗体と、前記電圧源と前記ビット線との間に設けられ、前記ビット線に前記抵抗体を通して前記所定の電圧を所定の期間、供給するか否かを切り換えるスイッチとを備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置を提供する。ここで、スイッチは、例えば、n型やp型のMOSトランジスタである。
かかる構成によれば、強誘電体キャパシタに書き込まれたデータに応じて、ビット線の充電特性が大きく異なることとなる。したがって、強誘電体キャパシタに書き込まれたデータ間において大きな読み出し電位差を得ることができるため、強誘電体等の材料特性やプロセスのばらつきに対するマージンを大きくとることができる。ひいては、強誘電体メモリ装置を安定に動作させることができる。
また、かかる構成によれば、メモリセルアレイを大きくした場合であっても、十分な読み出し電圧を確保することができるため、強誘電体メモリ装置を容易に大容量化及び高集積化させることができる。
また、前記電圧源は、前記所定の電圧として、当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧と略同じ電圧を生成するのが好ましい。かかる構成によれば、駆動電圧を生成する駆動電圧源を前記電圧源として用いることができるため、強誘電体メモリ装置を高集積化させることができる。
また、前記電圧源は、前記所定の電圧として、前記強誘電体キャパシタの抗電圧と当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧との間の電圧を生成してもよい。かかる構成によれば、強誘電体キャパシタを構成する強誘電体に印加される電圧を小さくすることができるため、強誘電体特性、特にファティーグ特性の劣化を抑えることができる。ひいては、信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供することができる。
また、前記電圧源は、前記所定の電圧として、前記強誘電体キャパシタの抗電圧より小さい電圧を生成してもよい。かかる構成よれば、強誘電体特性の劣化を抑えることができるとともに、再書き込み動作が不要な強誘電体メモリを提供することができる。
前記スイッチは、ソース及びドレインの一方が前記電圧源または前記ビット線に電気的に接続され、他方が前記抵抗体に電気的に接続されたn型トランジスタであることが好ましい。これにより、さらに動作の安定した強誘電体メモリ装置を提供することができる。
また、当該強誘電体メモリ装置は、前記ビット線及び前記抵抗体に前記所定の電圧の供給を開始した後、前記ビット線が前記所定の電圧と略同電位に達する前に前記供給を停止するように前記スイッチを制御する制御手段をさらに備えることが好ましい。この場合、当該強誘電体メモリ装置は、前記強誘電体キャパシタの他端に電気的に接続されたプレート線と、前記ビット線に前記所定の電圧が供給されている間、前記プレート線の電位を接地電位に制御するプレート線制御部とをさらに備えることが好ましい。かかる構成によれば、読み出し動作において大きな読み出し電位差を得ることができるため、動作の安定した強誘電体メモリ装置を提供することができる。
本発明の第2の形態によれば、上記の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器を提供する。ここで、電子機器とは、本発明に係るメモリ装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定が無いが、例えば、上記メモリ装置を備えるコンピュータ装置一般、携帯電話、PHS,PDA、電子手帳、ICカード等、記憶装置を必要とするあらゆる装置が含まれる。
以下、図面を参照しつつ、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本発明の一実施形態に係る強誘電体メモリ装置100の構成を示すブロック図である。強誘電体メモリ装置100は、複数の強誘電体キャパシタがアレイ状に設けられたキャパシタアレイ110と、ビット線制御部120と、プレート線制御部130と、ワード線制御部140とを備えて構成される。
ビット線制御部120は、ビット線BLの電位を制御し、また、ビット線BLの電位に基づいて、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを判断する。プレート線制御部130は、プレート線PLの電位を制御する。また、ワード線制御部140は、ワード線WLの電位を制御する。
図2は、キャパシタアレイ110の回路構成の一部を示す図である。キャパシタアレイ110は、ビット線BLと、プレート線PLと、強誘電体キャパシタCpと、電圧源の一例である定電圧源200と、プリチャージ電圧源210と、抵抗体Rと、スイッチの一例であるトランジスタTR1、TR2及びTR3とを有して構成される。なお、キャパシタアレイ110は、ビット線BL及びプレート線PLに電気的に接続された、アレイ状に配置された複数の強誘電体キャパシタCpを有するが、以下において当該複数のキャパシタCpのうちの1つを例に、強誘電体メモリ装置100の構成及び動作について説明する。
強誘電体キャパシタCpは、一端がトランジスタTR2を介してビット線BLに電気的に接続されており、他端がプレート線PLに電気的に接続されている。すなわち、トランジスタTR2のソース及びドレインの一方が強誘電体キャパシタCpの一端に接続されており、また、他方がビット線BLに接続されている。また、トランジスタTR2のゲートにはワード線WLが接続されており、トランジスタTR2は、ワード線WLの電位の変化に応じて、ビット線BLと強誘電体キャパシタCpとを電気的に接続するか否かを切り換える。
定電圧源200は、ビット線BLに供給するための所定の電圧を生成する。定電圧源200は、例えば、強誘電体メモリ装置100を駆動する駆動電圧VCCと略同じ電圧を生成する。この場合、定電圧源200は、強誘電体メモリ装置100に設けられた、駆動電圧VCCを生成する駆動電圧源であってもよい。
他の例において定電圧源200は、駆動電圧VCCと後述する抗電圧Vcとの間の電圧を生成してもよく、また、抗電圧Vcより小さい電圧を生成してもよい。定電圧源200がこれらの電圧を生成し、ビット線BLに供給した場合における強誘電体メモリ装置100の動作については図7及び図8において後述する。
抵抗体Rは、ビット線BLと定電圧源200との間に設けられる。また、トランジスタTR1は、定電圧源200とビット線BLとの間に設けられ、定電圧源200において生成された電圧を、抵抗体Rを介してビット線BLに供給する。トランジスタTR1のソース及びドレインの一方が定電圧源200に電気的に接続されており、また、他方が抵抗体Rに電気的に接続されている。また、トランジスタTR1のゲートには信号Readが供給されており、信号Readの電位の変化に基づいて、抵抗体Rを介してビット線BLに当該電圧を供給するか否かを切り換える。
なお、本実施形態では、ビット線BLの端部において定電圧源200がトランジスタTR1及び抵抗体Rを介して設けられているが、他の形態においては、ビット線BLにおける複数のトランジスタTR2が電気的に接続されている点の間において、ビット線BLに所定の電圧を供給可能に設けられてもよい。また、ビット線BLにおける強誘電体キャパシタCpが電気的に接続されている点とトランジスタTR3が電気的に接続されている点との間においてビット線BLに所定の電圧を供給可能に設けられてもよい。この場合において、抵抗体Rは、定電圧源200とビット線BLとの間に設けられるのが望ましく、また、トランジスタTR1は、抵抗体Rと直列に設けられるのが望ましい。
プリチャージ電圧源210は、ビット線BLをプリチャージするためのプリチャージ電圧VPRを生成する。また、プリチャージ電圧源210は、トランジスタTR3を介してビット線に電気的に接続される。トランジスタTR3のゲートには信号PCが供給されており、信号PCの電位の変化に基づいて、ビット線BLをプリチャージ電圧VPRにチャージするか否かを切り換える。
プリチャージ電圧源210は、ビット線BLにプリチャージ電圧VPRとして0Vを供給するよう構成された電圧源であってもよい。すなわち、キャパシタアレイ110は、プリチャージ電圧源210を有する構成に代えて、トランジスタTR3を介してビット線BLを接地可能に構成されてもよい。
図3は、本実施形態の強誘電体メモリ装置100において、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを読み出す読み出し動作と、データを書き込む書き込み動作の第1実施例を示すタイミングチャートである。本例において定電圧源200は、ビット線BLに供給する電圧として駆動電圧VCCを生成する。
まず、信号PCの電位をVCCにすることにより、トランジスタTR3を導通させ、ビット線BLをプリチャージする。本例においてプリチャージ電圧源210は、プリチャージ電圧VPRとして0Vを生成しており、ビット線BLは0Vにプリチャージされる。
次に、ワード線WLの電位を0VからVCCに変化させることにより、トランジスタTR2を導通させる。これにより、強誘電体キャパシタCpの一端の電位は0Vとなり、また、プレート線PLの電位も0Vであるため、強誘電体キャパシタCpの両端の電位差は0Vとなる。
次に、信号PCの電位を0Vにすることにより、トランジスタTR3を非導通とし、ビット線BLを浮遊状態にする。そして、信号Readの電位をVCCとすることにより、トランジスタTR1を導通させる。これにより、定電圧源200からビット線BLに、抵抗体Rを介してVCCが供給されるため、ビット線BLの電位が所定の充電波形を描きながら徐々にチャージされる。
このとき、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータに基づいて当該時定数が変化するため、当該データに基づいてビット線BLの充電波形が異なる。具体的には、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータが“0”である場合には、ビット線BLの電位の上昇が急峻な充電波形となり、当該データが“1”である場合には、当該データが“0”である場合よりもビット線BLの電位の上昇が緩やかな充電波形となる。充電波形については図4及び図5において後述する。
次に、信号Readの電位をVCCにしてから所定の時間が経過した後、当該電位を0Vにすることにより、トランジスタTR1を非導通とする。これにより、ビット線BLは、浮遊状態となるため、トランジスタTR1を非導通としたときのビット線BLの電位が保持されることとなる。具体的には、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータが“0”である場合と、当該データが“1”である場合との間で、ビット線BLに所定の電位差が生じる。そして、ビット線制御部120に設けられたセンスアンプ(図示せず)により、ビット線BLの電位を増幅し、増幅されたビット線BLの電位に基づいて、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを判断する。
次に、プレート線PLの電位を、0VからVCCに変化させた後、再度0Vに変化させることにより、強誘電体キャパシタCpに対してデータを再書き込みする。そして、ビット線BL及びワード線WLの電位を0Vとすることにより、読み出し及び書き込み動作を終了する。
図4は、キャパシタアレイ110の等価回路を示す図である。強誘電体キャパシタCpは容量Cを有しているため、本実施形態のキャパシタアレイ110において、抵抗体R、強誘電体キャパシタCp、及びビット線BLは、同図に示すようにRC直列回路を形成する。ここで、トランジスタTR3を導通させ、定電圧源200で生成された電圧をビット線BLにチャージした場合、t秒後におけるビット線BLの点Aの電位Vtは以下の式(1)で表される。
Vt = VCC×(1−e−t/CR) (1)
ここで、時定数CRは、例えば、ビット線BLの電位が印加された電圧VCCの(1−e−1)、すなわち、63.2%まで上昇する時間を示す。すなわち、時定数CRが大きいほどビット線BLがチャージされる充電時間が遅れることとなる。時定数CRは、強誘電体キャパシタCpの容量Cに応じて変化するため、当該充電時間は、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータに応じて変化する。以下において、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータに応じて、強誘電体キャパシタCpの容量Cがどのように変化するか説明する。
図5は、強誘電体キャパシタCpのQ−Vヒステリシス特性及びC−V特性を示す図である。図5(a)に示す強誘電体キャパシタCpのQ−Vヒステリシス特性において、特性曲線の傾き(ΔQ/ΔV)は、強誘電体キャパシタCpの容量Cを表しており、容量Cは、特性曲線においてその傾きが急である場合には大きな値を示し、傾きが緩やかである場合には小さな値を示す。
図5(b)は、電圧Vに対する強誘電体キャパシタCpの容量Cを示したC−V特性を示す図である。同図に示すように、容量Cは、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータ及び電圧Vに応じて変化する。すなわち、強誘電体キャパシタCpに0Vから正の電圧を徐々に印加していくと、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータが“0”である場合、容量Cは緩やかに減少する。一方、当該データが“1”である場合、容量Cは急速に増加し、強誘電体キャパシタCpの分極量が略ゼロとなるときの電圧である抗電圧Vc及び−Vcにおいて極大となった後、急速に減少する。次に、この容量Cの変化に応じてビット線BLの電位がどのように変化するか説明する。
図6は、ビット線BLへのVCCの供給時間tに対するビット線BLの電位を示す図である。上述のとおり、強誘電体キャパシタCpの容量Cは、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータに応じて変化する。したがって、抵抗体Rを介してビット線BLにVCCを供給した場合、ビット線BLの電位は、当該データが“0”である場合には急速に増加し、当該データが“1”である場合には緩やかに増加する。すなわち、所定の時間T0におけるビット線BLの電位は、当該データが“0”である場合と“1”である場合とでΔVの電位差が生じることとなる。
図3を参照して、信号Readの電位を0VからVCCに変化させるとビット線BLのチャージが開始され、信号Readの電位をVCCから0Vに変化させるとビット線BLのチャージが停止され、当該停止時の電位を保持したままビット線BLは浮遊状態となる。したがって、当該データが“0”である場合と“1”である場合とで、所定の電位差が生じるようなタイミングで、ビット線BLへのチャージを停止することにより、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを判断することができる。
図7は、本実施形態の強誘電体メモリ装置100において、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを読み出す読み出し動作と、データを書き込む書き込み動作の第2実施例を示すタイミングチャートである。本例における読み出し動作及び書き込み動作は、第1実施例における動作と同様であるが、本例において定電圧源200は、強誘電体キャパシタCpの抗電圧Vcと駆動電圧VCCとの間の電圧を生成する。したがって、本例においてビット線BLにチャージされる電圧は、第1実施例の電圧より低くなるため、強誘電体キャパシタCpにかかる電圧をさらに低くすることができる。したがって、強誘電体キャパシタCpを構成する強誘電体の劣化をさらに抑えることができる。
図8は、本実施形態の強誘電体メモリ装置100において、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータを読み出す読み出し動作と、データを書き込む書き込み動作の第3実施例を示すタイミングチャートである。
本例における読み出し動作は、第1実施例及び第2実施例における動作と同様である。一方、本例において定電圧源200は、強誘電体キャパシタCpの抗電圧Vcより低い電圧を生成する。すなわち、強誘電体キャパシタCpに抗電圧Vcより高い電圧が供給されることがない。したがって、読み出し動作により、強誘電体キャパシタCpに書き込まれたデータが破壊されることがないため、プレート線PLの電位を0VからVCCに変化させる再書き込み動作をしなくともよい。
本例によれば再書き込み動作が不要となるため、強誘電体キャパシタCpの消費電力を低減させることができる。また、再書き込み動作が不要となるとともに、強誘電体キャパシタCpを構成する強誘電体の疲労を抑えることができる。
上記発明の実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施形態の記載に限定されるものではない。そのような組み合わせ又は変更若しくは改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
100・・・強誘電体メモリ装置、110・・・キャパシタアレイ、120・・・ビット線制御部、130・・・プレート線制御部、140・・・ワード線制御部、200・・・定電圧源、210・・・プリチャージ電圧源
Claims (8)
- 一端がビット線に電気的に接続された強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、
所定の電圧を生成する電圧源と、
前記ビット線と前記電圧源との間に設けられた抵抗体と、
前記電圧源と前記ビット線との間に設けられ、前記ビット線に前記抵抗体を通して前記所定の電圧を所定の期間、供給するか否かを切り換えるスイッチと、
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。 - 前記電圧源は、前記所定の電圧として、当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧と略同じ電圧を生成することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記電圧源は、前記所定の電圧として、前記強誘電体キャパシタの抗電圧と当該強誘電体メモリを駆動する駆動電圧との間の電圧を生成することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記電圧源は、前記所定の電圧として、前記強誘電体キャパシタの抗電圧より小さい電圧を生成することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記スイッチは、ソース及びドレインの一方が前記電圧源または前記ビット線に電気的に接続され、他方が前記抵抗体に電気的に接続されたn型トランジスタであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記ビット線及び前記抵抗体に前記所定の電圧の供給を開始した後、前記ビット線が前記所定の電圧と略同電位に達する前に前記供給を停止するように前記スイッチを制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記強誘電体キャパシタの他端に電気的に接続されたプレート線と、
前記ビット線に前記所定の電圧が供給されている間、前記プレート線の電位を接地電位に制御するプレート線制御部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項6に記載の強誘電体メモリ装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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