JP2005190565A - 強誘電体メモリ装置、電子機器、及び駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡易かつ動作の安定した強誘電体メモリ装置を提供する。
【解決手段】
直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数設けられたセルアレイと、複数のメモリセルのいずれかを選択するメモリセル選択部と、選択されたメモリセルの一端と他端との間に電位差を与える電位差生成部と、メモリセルに電位差が与えられたときの第1の強誘電体キャパシタと第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、メモリセルに記憶された記憶データを判定する判定部とを備えた強誘電体メモリ装置。
【選択図】 図1
【解決手段】
直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数設けられたセルアレイと、複数のメモリセルのいずれかを選択するメモリセル選択部と、選択されたメモリセルの一端と他端との間に電位差を与える電位差生成部と、メモリセルに電位差が与えられたときの第1の強誘電体キャパシタと第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、メモリセルに記憶された記憶データを判定する判定部とを備えた強誘電体メモリ装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は、強誘電体メモリ装置、電子機器、及び駆動方法に関する。特に本発明は、簡易かつ安定に記憶データを読み出すことができる強誘電体メモリ装置、当該強誘電体メモリ装置を備えた電子機器、及び駆動方法に関する。
従来の強誘電体メモリとして、特開昭63−201998号公報(特許文献1)に開示されたものがある。上記特許文献1に開示された強誘電体メモリは、相補的データが記憶された1対の強誘電体コンデンサを有するメモリセルと、1対の強誘電体コンデンサに接続された1対のビットラインと、ビットライン対のライン間の電位差に応答するセンス増幅器とを備えている。
特開昭63−201998号公報
しかしながら上記特許文献1に開示された従来の強誘電体メモリは、センス増幅器として作動増幅器を用いていたため、強誘電体メモリの構成が複雑になってしまうという問題が生じていた。
よって、本発明は、上記の課題を解決することのできる強誘電体メモリ装置、電子機器、及び駆動方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
上記目的を達成するため、本発明の第1の形態によれば、直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数設けられたセルアレイと、複数の前記メモリセルのいずれかを選択するメモリセル選択部と、選択された前記メモリセルの一端と他端との間に電位差を与える電位差生成部と、前記メモリセルに前記電位差が与えられたときの前記第1の強誘電体キャパシタと前記第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、前記メモリセルに記憶された記憶データを判定する判定部とを備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置を提供する。前記判定部は、前記電位差の中間の電位と前記接続点の電位とを比較して前記記憶データを判定することが好ましい。
かかる構成では、メモリセルに記憶された記憶データの値によって、電位差生成部がメモリセルの両端に電位差を与えたときの接続点の電位は大きく変化することとなる。したがって、かかる構成によれば、接続点の電位を判定するというきわめて容易な構成により、メモリセルに記憶された記憶データをきわめて安定に判定することができる。
当該強誘電体メモリ装置は、前記電位差生成部と前記メモリセルの前記一端とを電気的に接続する第1のデータ線と、前記電位差生成部と前記メモリセルの前記他端とを電気的に接続する第2のデータ線と、前記判定部と前記接続点とを電気的に接続するビット線と、前記第1のデータ線、前記第2のデータ線、及び前記ビット線を所定の電位にチャージするチャージ部とをさらに備えることが好ましい。
かかる構成では、第1のデータ線、第2のデータ線、及びビット線BLをプリチャージ又はディスチャージすることができる。また、かかる構成では、強誘電体キャパシタの両端の電位を略同電位とすることができる。したがって、強誘電体キャパシタの両端の電位差を減少又は略ゼロとすることができるため、強誘電体キャパシタのスタティックインプリントを抑制することができる。
前記メモリセル選択部は、前記電位差生成部と前記メモリセルの前記一端との間に設けられた第1のスイッチと、前記電位差生成部と前記メモリセルの前記他端との間に設けられた第2のスイッチと、前記判定部と前記接続点との間に設けられた第3のスイッチと、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチに電気的に接続され、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチを制御するワード線とを有することが好ましい。
前記判定部は、前記接続点の電位を入力とするインバータを有することが好ましい。かかる構成によれば、きわめて簡易な構成で、記憶データを安定に判定することができる。
当該強誘電体メモリ装置は、前記判定部が判定した前記記憶データに基づいて、前記メモリセルの前記両端及び前記接続点の電位を制御することにより、前記メモリセルに前記記憶データを再度記憶させる書き込み部をさらに備えることが好ましい。
かかる構成によれば、判定部がメモリセルに記憶された記憶データを判定したときに、当該記憶データが破壊された場合であっても、当該記憶データと同一のデータを再度メモリセルに記憶させることができる。すなわち、かかる構成では、メモリセルに常に当該記憶データが記憶されることとなる。したがって、例えば当該強誘電体メモリ装置に供給される電源が遮断された場合であっても、メモリセルには当該データが記憶されているため、再度電源が供給された後に当該強誘電体メモリ装置から外部に当該記憶データを再度供給することができる。このため、かかる構成によれば、動作の安定した強誘電体メモリ装置を提供することができる。
前記書き込み部は、前記接続点の電位を入力とし、出力を前記メモリセルの前記両端に供給する第1のインバータと、前記第1のインバータの出力を反転して前記第1のインバータの前記入力に供給する第2のインバータとを有することが好ましい。
かかる構成では、メモリセルの両端の電位は第1のインバータの出力の電位と略同電位となる。また、接続点の電位は、第1のインバータの入力、すなわち、第2のインバータの出力の電位と略同電位となる。すなわち、かかる構成によれば、きわめて簡易で、メモリセルの両端と接続部との間に電位差を設け、メモリセルに記憶された記憶データを再度記憶させることができる。
前記書き込み部は、前記第1のインバータと前記メモリセルの前記両端との間に設けられたスイッチをさらに備えることが好ましい。
かかる構成では、第1のインバータの出力とメモリセルの両端とを電気的に切り離すことができる。したがって、かかる構成によれば、メモリセルの両端の電位を第1のインバータの出力と異なる電位にすることができるため、記憶データの判定動作と再記憶動作とを両立させることができる。
当該記憶回路は、前記判定部が判定した前記記憶データをラッチするラッチ回路をさらに備えることが好ましい。
かかる構成によれば、判定部が判定した記憶データがラッチされるため、当該強誘電体メモリ装置は、判定部が当該記憶データを判定した後も当該記憶データを外部に供給することができる。
本発明の第2の形態によれば、上記の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器を提供する。ここで、電子機器とは、本発明に係る強誘電体メモリ装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定が無いが、例えば、上記強誘電体メモリ装置を備えるコンピュータ装置一般、携帯電話、PHS、PDA、電子手帳、ICカード等の、記憶装置を必要とするあらゆる装置が含まれる。
本発明の第3の形態によれば、直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルを複数備えた強誘電体メモリ装置を駆動する駆動方法であって、複数の前記メモリセルのいずれかを選択するステップと、選択された前記メモリセルの一端と他端との間に電位差を与えるステップと、前記メモリセルに前記電位差が与えられたときの前記第1の強誘電体キャパシタと前記第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、前記メモリセルに記憶された記憶データを判定するステップとを備えたことを特徴とする駆動方法を提供する。
また、当該駆動方法は、判定した前記記憶データに基づいて、前記メモリセルの前記両端及び前記接続点の電位を制御することにより、前記メモリセルに前記記憶データを再度記憶させるステップをさらに備えることが好ましい。
以下、図面を参照しつつ、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本発明の一実施形態にかかる強誘電体メモリ装置10の構成を示す回路図である。強誘電体メモリ装置10は、複数のメモリセル110が設けられたセルアレイ100と、第1のデータ線DL1及び第2のデータ線DL2と、ビット線BLと、電位差生成部120と、ラッチ部130と、書き込み部140と、チャージ部180と、入出力端I/Oと、制御部200とを備えて構成される。
メモリセル110は、直列に接続された複数の強誘電体キャパシタを有して構成される。本例においてメモリセル110は、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114を有して構成される。第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114は、それぞれ一端及び他端を有しており、第1の強誘電体キャパシタ112の他端と第2の強誘電体キャパシタ114の一端とが接続点116において電気的に接続されている。そして、接続点116は、ビット線BLを介してラッチ部130の入力に電気的に接続されている。
また、第1の強誘電体キャパシタ112の当該一端及び第2の強誘電体キャパシタ114の当該他端がメモリセル110の端部を構成している。そして、第1の強誘電体キャパシタ112の一端及び第2の強誘電体キャパシタ114の他端は、それぞれ第1のデータ線DL1及び第2のデータ線DL2を介してチャージ部180、電位差生成部120、及びラッチ部130の出力に電気的に接続されている。
本実施形態において、セルアレイ100は、n個(nは正の整数)のメモリセル110を有して構成される。また、セルアレイ100は、メモリセル110の一端と第1のデータ線DL1との間に設けられたn型MOSトランジスタ102と、メモリセル110の他端と第2のデータ線DL2との間に設けられたn型MOSトランジスタ104と、接続点116とビット線BLとの間に設けられたn型MOSトランジスタ106とをそれぞれn個ずつさらに有して構成される。
n型MOSトランジスタ102、104、及び106のゲートには、それぞれワード線108が電気的に接続されており、n型MOSトランジスタ102、104、及び106は、ワード線108の電位に基づいて、それぞれ、第1のデータ線DL1とメモリセル110の一端、第2のデータ線DL2とメモリセル110の他端、及びビット線BLと接続点116とを電気的に接続するか否かを切り換える。
電位差生成部120は、電圧源122と、p型MOSトランジスタ124と、n型MOSトランジスタ126とを有して構成されており、メモリセル110の両端に所定の電位差を与える。具体的には、電位差生成部120は、第1のデータ線DL1を介してメモリセル110の一端に所定の電圧を供給し、第2のデータ線DL2を介してメモリセル110の他端を接地することにより、メモリセル110の両端に当該所定の電圧分の電位差を与える。
電圧源122は、メモリセル110の一端と他端、すなわち、第1の強誘電体キャパシタ112の一端と第2の強誘電体キャパシタ114の他端との間に電位差を与えるための電圧VCCを生成する。電圧源122は、例えば強誘電体メモリ装置10を駆動する駆動電圧を生成する電圧源である。また、本実施形態で電位差生成部120は、メモリセル110の一端に電圧VCCを供給しているが、電圧VCCに代えて、電圧VCCをMOSトランジスタの閾値電圧Vth分降圧した電圧VCC−Vthを供給してもよい。
p型MOSトランジスタ124は、ソースが電圧源122と電気的に接続されており、ドレインが第1のデータ線DL1を介してメモリセル110の一端と電気的に接続されている。そして、p型MOSトランジスタ124は、ゲートの電位に基づいて、メモリセル110の一端に電圧VCCを供給するか否かを切り換える。また、n型MOSトランジスタ126は、ソースが接地されており、ドレインが第2のデータ線DL2を介してメモリセル110の他端に電気的に接続されている。そして、n型MOSトランジスタ126は、ゲートの電位に基づいて、メモリセル110の他端を接地するか否かを切り換える。すなわち、電位差生成部120は、p型MOSトランジスタ124及びn型MOSトランジスタ126のゲートに供給される制御信号R及び/Rの電位(論理値)に基づいて、メモリセル110の両端に電位差VCCを与えるか否かを制御する。なお、符号/を含む制御信号は、符号/を含まない当該制御信号の論理値を反転した信号である。
ラッチ部130は、第1のインバータ132と、第2のインバータ134とを有して構成されており、ビット線BLの電位に基づいて、メモリセル110に記憶された記憶データを判定し、また、当該記憶データをラッチする。
第1のインバータ132は、判定部の一例であって、ビット線BLの電位を入力とし、当該ビット線BLの電位と第1のインバータ132の入力しきい値電位とを比較することにより、メモリセル110に記憶されたデータを判定する。具体的には、第1のインバータ132は、接地電位とVCCとの間の電位を入力しきい値電位とし、ビット線BLが基準電位より高いか低いかを判定し、判定結果(すなわち、記憶されたデータ)を示すデータ信号を出力する。本例において第1のインバータ132は、ビット線BLの電位が入力しきい値電位より高い場合にL論理を示し、低い場合にH論理を示す信号をデータ信号として出力する。また、本例において第1のインバータ132の入力しきい値電位は、メモリセル110の両端の電位差の略半分の電位、すなわち、VCCの略半分の電位である。
第2のインバータ134は、第1のインバータ132が出力したデータ信号を入力として受け取り、当該データ信号を反転した反転データ信号を生成する。また、第2のインバータ134は、入力が第1のインバータ132に電気的に接続され、出力が第1のインバータ132の入力及びビット線BLに電気的に接続されており、反転データ信号を、第1のインバータ132の入力及びビット線BLに供給する。これにより、第1のインバータ132及び第2のインバータ134によりフリップフロップが構成され、当該フリップフロップによりデータ信号がラッチされる。
また、本例において第2のインバータ134は、クロックドゲートインバータである。第2のインバータ134は、制御信号Wの論理値がH論理である場合、反転データ信号を出力し、制御信号Wの論理値がL論理である場合、出力はハイインピーダンスとなるよう構成されている。
書き込み部140は、判定部の一例である第1のインバータ132がメモリセル110に記憶された記憶データを判定した後、当該記憶データを再度メモリセル110に記憶させる。書き込み部140は、第1のインバータ132と、第2のインバータ134と、スイッチの一例である伝送ゲート142及び144を有して構成される。すなわち、本例において第1のインバータ132は、判定部であるとともに、書き込み部140の一部を構成している。同様に、第2のインバータ134は、ラッチ部130の一部を構成するとともに、書き込み部140の一部を構成している。
伝送ゲート142は、第1のインバータ132の出力と第1のデータ線DL1との間に設けられている。そして、伝送ゲート142は、ゲートに供給される制御信号W及び/Wの電位に基づいて、第1のインバータ132の出力と第1のデータ線DL1とを電気的に接続するか否かを制御する。すなわち、伝送ゲート142は、第1のデータ線DL1の電位を第1のインバータ132の出力の電位、すなわち、データ信号の電位と同電位にするよう制御する。
伝送ゲート144は、第1のインバータ132の出力と第2のデータ線DL2との間に設けられている。そして、伝送ゲート144は、伝送ゲート142と同様に、ゲートに供給される制御信号W及び/Wの電位に基づいて、第1のインバータ132の出力と第2のデータ線DL2とを電気的に接続するか否かを制御する。
本例において書き込み部140は、スイッチの一例として伝送ゲート142及び144を有して構成されているが、伝送ゲート142及び144に代えてn型MOSトランジスタ又はp型MOSトランジスタを有して構成されてもよい。この場合、メモリセル110の両端には、電圧VCCに代えて電圧VCC−Vthが供給される。ここで、Vthは当該n型MOSトランジスタ又は当該p型MOSトランジスタの閾値電圧である。また、当該n型MOSトランジスタは、ゲートに電圧VCC+Vthが供給されてもよい。
チャージ部180は、n型MOSトランジスタ182、184、及び186を有して構成されており、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLを所定の電位にチャージする。n型MOSトランジスタ182、184、及び186は、それぞれソース又はドレインの一方に所定の電圧が供給されており、他方が、それぞれ、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLに電気的に接続されている。n型MOSトランジスタ182、184、及び186は、ゲートに供給される制御信号PCの電位に基づいて、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLを当該所定の電位にチャージする。
本実施形態においてn型MOSトランジスタ182、184、及び186のソースは接地されており、n型MOSトランジスタ182、184、及び186が導通することにより、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLは接地電位にチャージされる。また、本実施形態においてチャージ部180は、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLをプリチャージするプリチャージ部として動作するとともに、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLをそれぞれ略同電位にすることにより、メモリセル110の両端と接続点116の電位を略同電位にするディスチャージ部として動作する。
制御部200は、強誘電体メモリ装置10の動作を統括的に制御する。本例において制御部200は、各ワード線108に供給する制御信号WL1〜WLn、チャージ制御部180に供給する制御信号PC、電位差生成部120に供給する制御信号R及び/R、並びにラッチ部130及び書き込み部140に供給する制御信号W及び/Wを生成し、各部に供給することにより、強誘電体メモリ装置10の動作を制御する。
入出力端I/Oは、第1のインバータ132が生成したデータ信号を外部に出力する。また、入出力端I/Oは、外部から信号を受け取って第2のインバータ134の電位を変化させることにより、後述するようにメモリセル110に所定の記憶データを記憶させる。
図2は、強誘電体メモリ装置10の動作を示すタイミングチャートである。図1及び図2を参照して、強誘電体メモリ装置10の動作について説明する。以下の例では、第1の強誘電体キャパシタ112には“1”が記憶されており、第2の強誘電体キャパシタ114には“0”が記憶されているものとする。すなわち、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114には、相補のデータが記憶されている。また、以下の例において、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114は、略同一のヒステリシス特性を有している。
スタンバイ時において制御信号WL1〜WLn、R、及びWは、L論理を示している。すなわち、全てのn型MOSトランジスタ102、104、及び106と、p型MOSトランジスタ124、n型MOSトランジスタ126、並びに伝送ゲート142及び144は非導通であり、メモリセル110の両端、接続点116の電位は0Vである。
また、制御信号PCはH論理を示しているため、n型MOSトランジスタ182、184、及び186は導通しており、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLは0Vにプリチャージされる。したがって、第1のインバータ132の入力の電位も0Vとなるため、データ信号の論理値はH論理を示す。
次に、メモリセル110に記憶された記憶データを判定する。以下において、複数のメモリセル110のうち、制御信号WL1が供給されるメモリセル110に記憶された記憶データを読み出す読み出し動作、当該メモリセル110に当該記憶データを再度記憶させる再書き込み動作、また、当該メモリセル110に当該記憶データと同一又は異なるデータを記憶させる書き込み動作について説明する。なお、以下において特にことわりが無い場合は、すべて当該メモリセル110及び、当該メモリセル110の、第1の強誘電体キャパシタ112、第2の強誘電体キャパシタ114、接続点116についての説明とする。
まず、制御部200が制御信号WL2〜WLnをL論理に保持したまま、制御信号WL1をH論理に変化させることにより、WL1に接続されたn型MOSトランジスタ102、104、及び106を導通させる。これにより、メモリセル110の両端及び接続点116の電位も0Vとなる。そして、制御部200が制御信号PCをL論理に変化させることにより、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLを0Vに保持したまま浮遊状態にする。なお、本例において制御信号WL1〜WLnのH論理の電位はVCC+Vth以上である。
次に、制御部200が制御信号RをH論理に変化させることにより、p型MOSトランジスタ124及びn型MOSトランジスタ126の双方を導通させる。これにより、第1のデータ線DL1及び第1の強誘電体キャパシタ112の一端に電圧VCCが供給されるとともに、第2のデータ線DL2及び第2の強誘電体キャパシタ114の他端が接地される。すなわち、メモリセル110の両端に電位差VCCが与えられる。以下において、メモリセル110の両端に電位差VCCが与えられたときのビット線BLの電位の変化を、図3をさらに参照して説明する。
図3は、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114のヒステリシス特性を示す図である。同図において横軸は第1の強誘電体キャパシタ112及び/又は第2の強誘電体キャパシタ114の両端にかかる電圧を示し、縦軸は第1の強誘電体キャパシタ112及び/又は第2の強誘電体キャパシタ114の分極量を示す。なお、同図では、第1の強誘電体キャパシタ112(又は第2の強誘電体キャパシタ114)の一端の電位が他端の電位より高い場合に、横軸の電圧をプラスで表している。
スタンバイ時において、メモリセル110の両端及び接続点116の電位は0Vであり、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114の両端の電位差は略ゼロであるため、“1”が書き込まれた第1の強誘電体キャパシタ112のヒステリシス特性は点Aに、また、“0”が書き込まれた第2の強誘電体キャパシタ114のヒステリシス特性は点Cにある。
そして、メモリセル110の両端に電位差VCCが与えられると、第1の強誘電体キャパシタ112及び第2の強誘電体キャパシタ114の両端にそれぞれプラスの電圧がかかるため、点A及び点Cにあったヒステリシス特性は同図の右方向に移動する。このとき、本例では、第1の強誘電体キャパシタ112にかかる電圧V1、第1の強誘電体キャパシタ112から取り出される電荷量Q1、また、第2の強誘電体キャパシタ114にかかる電圧V0、第2の強誘電体キャパシタ114から取り出される電荷量Q0は、以下の関係を満たす。
Q0=Q1
V0+V1=VCC
したがって、
V0>V1
V0>1/2VCC、 V1<1/2VCC
となる。
Q0=Q1
V0+V1=VCC
したがって、
V0>V1
V0>1/2VCC、 V1<1/2VCC
となる。
したがって、本例ではメモリセル110の両端に電位差VCCが与えられると、ビット線BLの電位はV0に上昇する(図2参照)。一方、本例とは逆に、第1の強誘電体キャパシタ112に“0”が書き込まれ、第2の強誘電体キャパシタ114に“1”が書き込まれている場合には、メモリセル110の両端に電位差VCCが与えられると、ビット線BLの電位はV1に上昇する(図2の読み出し時の点線参照)。
そして、第1のインバータ132は、上昇したビット線BLの電位と1のインバータ132の入力しきい値電位とを比較することにより、メモリセル110に記憶された記憶データを判定する。具体的には、本例において第1のインバータ132は、入力しきい値電位がVCCの略半分の電位に設定されており、入力の電位が入力しきい値電位より高い場合にL論理を出力し、当該電位が入力しきい値電位より低い場合にH論理を出力する。したがって、ビット線BLの電位が上昇して入力しきい値電位を超えると第1のインバータ132の出力、すなわち、データ信号の論理値がL論理に変化する。そして、入出力端I/Oは、メモリセル110が記憶していた記憶データとして、L論理を出力する。
次に、第1のインバータ132の出力の電位に基づいて、メモリセル110の両端及び接続点116の電位を制御することにより、メモリセル110に記憶データを再度記憶させる。まず、ビット線BLの電位が上昇した後、制御部200は、制御信号RをL論理に変化させることにより、p型MOSトランジスタ124及びn型MOSトランジスタ126を非導通とする。これにより、電位差生成部120は、メモリセル110と電気的に切り離される。
また、制御部200は、制御信号WをH論理に変化させることにより、伝送ゲート142及び144を導通させる。これにより、第1のインバータ132の出力が第1のデータ線DL1及び第2のデータ線DL2を介してメモリセル110の両端と電気的に接続される。したがって、第1の強誘電体キャパシタ112の一端及び第2の強誘電体キャパシタ114の他端の電位は、第1のインバータ132の出力の電位と略同電位、すなわち、0Vとなる。
一方、制御信号WがH論理に変化すると、第2のインバータ134は、第1のインバータ132が出力したデータ信号を反転した反転データ信号を出力する。すなわち、制御信号WがH論理に変化すると、第2のインバータ134の出力は、ハイインピーダンスからH論理に変化する。したがって、第1のインバータ132の入力の電位及びビット線BLの電位はV0からVCCに上昇する。これにより、接続点116の電位もVCCに上昇するため、第1の強誘電体キャパシタ112には電圧−VCCがかかり、また、第2の強誘電体キャパシタ114には電圧VCCがかかる。
図3を参照して説明すると、第1の強誘電体キャパシタ112に電圧−VCCがかかると、第1の強誘電体キャパシタ112のヒステリシス特性は点Bから点Eに移動する。また、第2の強誘電体キャパシタ114に電圧VCCがかかると、第2の強誘電体キャパシタ114のヒステリシス特性は点Dから点Fに移動する。したがって、第1の強誘電体キャパシタ112には“1”が、第2の強誘電体キャパシタ114には“0”が再度書き込まれる。すなわち、メモリセル110に当該メモリセル110から読み出された記憶データと同一の記憶データが再度記憶される。また、再書き込み時において、ラッチ部130は、読み出し時において読み出した読み出し結果、すなわち、第1のインバータ132の出力の論理値をそのまま保持する。
次に、メモリセル110に記憶データを再度記憶させた後、制御部200が制御信号WをL論理に変化させる。これにより、メモリセル110の両端は第1のインバータ132の出力と電気的に切り離される。また、制御部200は、制御信号PCをH論理に変化させる。これにより、チャージ部180は、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLを0Vにチャージするため、メモリセル110の両端及び接続点116の電位は0Vとなる。また、ビット線BLの電位が0Vになると、当該電位は第1のインバータ132の入力しきい値電位より低くなるため、第1のインバータ132の出力はH論理に変化する。そして、制御部200が、制御信号WL1をL論理に変化させることにより、強誘電体メモリ装置10は前述のスタンバイ状態となる。
本例とは逆に、第1の強誘電体キャパシタ112に“0”が書き込まれ、第2の強誘電体キャパシタ114に“1”が書き込まれていた場合には、制御信号WがH論理に変化すると、メモリセル110の両端の電位はVCCとなり、ビット線BLの電位はV1から0Vに下降する(図2の再書き込み時の点線参照)。ビット線BLの電位が0Vに下降すると、第1のデータ線DL1及び第2のデータ線DL2の電位はVCCに上昇する。これにより、第1の強誘電体キャパシタ112には電圧VCCがかかり、また、第2の強誘電体キャパシタ114には電圧−VCCがかかるため、第1の強誘電体キャパシタ112には“0”が、第2の強誘電体キャパシタ114には“1”が再度書き込まれる。すなわち、メモリセル110から読み出された記憶データと同一の記憶データが、当該メモリセル110に再度記憶される。そして、制御部200が制御信号PCをH論理に変化させると、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2及びビット線BLの電位は0Vとなる。
次に、メモリセル110に所望の記憶データを記憶させる動作について説明する。まず、制御部200が記憶データを記憶させるメモリセル110に対応する制御信号WL1をH論理に変化させることにより、当該メモリセル110を選択する。そして、制御部200が、制御信号PCをL論理に変化させることにより、第1のデータ線DL1、第2のデータ線DL2、及びビット線BLを0Vに保持したまま浮遊状態にする。
次に、制御部200が制御信号WをH論理に変化させることにより、伝送ゲート142及び144を導通させることにより、メモリセル110を第1のインバータ132の出力と電気的に接続した状態において、外部から入出力端I/Oの電位をL論理に変化させる。これにより、第1の強誘電体キャパシタ112にかかる電圧が−VCCに、また、第2の強誘電体キャパシタ114にかかる電圧がVCCに固定されるため、第1の強誘電体キャパシタ112には“1”が、また、第2の強誘電体キャパシタ114には“0”が書き込まれる。
一方、入出力端I/OをH論理に保持、又は外部から入出力端I/Oの電位をH論理に変化させると、第1の強誘電体キャパシタ112にかかる電圧がVCCに、また、第2の強誘電体キャパシタ114にかかる電圧が−VCCに固定されるため、第1の強誘電体キャパシタ112には“0”が、また、第2の強誘電体キャパシタ114には“1”が書き込まれる(図2の書き込み時の点線参照)これにより、メモリセル110に所望の記憶データを記憶させることができる。
上記発明の実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施形態の記載に限定されるものではない。そのような組み合わせ又は変更若しくは改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
10・・・強誘電体メモリ装置、100・・・セルアレイ、108・・・ワード線、110・・・メモリセル、112・・・第1の強誘電体キャパシタ、114・・・第2の強誘電体キャパシタ、116・・・接続点、120・・・電位差生成部、122・・・電圧源、130・・・ラッチ部、132・・・第1のインバータ、134・・・第2のインバータ、180・・・チャージ部、200・・・制御部
Claims (12)
- 直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数設けられたセルアレイと、
複数の前記メモリセルのいずれかを選択するメモリセル選択部と、
選択された前記メモリセルの一端と他端との間に電位差を与える電位差生成部と、
前記メモリセルに前記電位差が与えられたときの前記第1の強誘電体キャパシタと前記第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、前記メモリセルに記憶された記憶データを判定する判定部と
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。 - 前記電位差生成部と前記メモリセルの前記一端とを電気的に接続する第1のデータ線と、
前記電位差生成部と前記メモリセルの前記他端とを電気的に接続する第2のデータ線と、
前記判定部と前記接続点とを電気的に接続するビット線と、
前記第1のデータ線、前記第2のデータ線、及び前記ビット線を所定の電位にチャージするチャージ部と
をさらに備えたことを特徴する請求項1に記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記メモリセル選択部は、
前記電位差生成部と前記メモリセルの前記一端との間に設けられた第1のスイッチと、
前記電位差生成部と前記メモリセルの前記他端との間に設けられた第2のスイッチと、
前記判定部と前記接続点との間に設けられた第3のスイッチと、
前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチに電気的に接続され、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチを制御するワード線と
を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記判定部は、前記電位差の中間の電位と前記接続点の電位とを比較して前記記憶データを判定することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記判定部は、前記接続点の電位を入力とするインバータを有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記判定部が判定した前記記憶データに基づいて、前記メモリセルの前記両端及び前記接続点の電位を制御することにより、前記メモリセルに前記記憶データを再度記憶させる書き込み部をさらに備えたことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記書き込み部は、前記接続点の電位を入力とし、出力を前記メモリセルの前記両端に供給する第1のインバータと、
前記第1のインバータの出力を反転して前記第1のインバータの前記入力に供給する第2のインバータと
を有することを特徴とする請求項6に記載の強誘電体メモリ装置。 - 前記書き込み部は、前記第1のインバータと前記メモリセルの前記両端との間に設けられたスイッチをさらに備えたこと特徴とする請求項7に記載の強誘電体メモリ装置。
- 前記判定部が判定した前記記憶データをラッチするラッチ回路を有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
- 直列に接続された第1の強誘電体キャパシタ及び第2の強誘電体キャパシタを有するメモリセルを複数備えた強誘電体メモリ装置を駆動する駆動方法であって、
複数の前記メモリセルのいずれかを選択するステップと、
選択された前記メモリセルの一端と他端との間に電位差を与えるステップと、
前記メモリセルに前記電位差が与えられたときの前記第1の強誘電体キャパシタと前記第2の強誘電体キャパシタとの接続点の電位に基づいて、前記メモリセルに記憶された記憶データを判定するステップと
を備えたことを特徴とする駆動方法。 - 判定した前記記憶データに基づいて、前記メモリセルの前記両端及び前記接続点の電位を制御することにより、前記メモリセルに前記記憶データを再度記憶させるステップをさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の駆動方法。
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