CN1637932A - 铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种铁电存储装置，包括：单元阵列，设置了多个具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器的存储单元；存储单元选择部，从多个所述存储单元中选择出某一个；电位差生成部，使被选择的所述存储单元的一端和另一端之间产生电位差；判定部，根据当使所述存储单元产生所述电位差时的所述第一铁电电容器和所述第二铁电电容器的连接点电位，判定存储在所述存储单元的存储数据。

Description

铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法

技术领域

本发明涉及铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法。尤其涉及一种能够简便且稳定地读出存储数据的铁电存储装置和包括该铁电存储装置的电子设备、以及驱动方法。

背景技术

作为现有的铁电存储器，在日本特开昭63-201998号公报(专利文献1)中已公开。上述专利文献1所公开的铁电存储器包括：具有一对存储了互补数据的铁电电容器的存储单元；连接了一对铁电电容器的一对位线；以及响应位线对的线间电位差的读出放大器。

(专利文献1)日本专利特开昭63-201998号公报

上述专利文献1所公开的现有的铁电存储器，使用了运算放大器作为读出放大器，因此，引发了铁电存储器的结构变得复杂的问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供一种可解决上述问题的铁电存储装置、电子设备以及驱动方法。该目的可以通过专利申请范围中的独立权利要求所述的技术特征组合而达到。还有，从属项规定了对本发明更有利的具体例子。

为达到上述目的，根据本发明的第一方面，提供一种铁电存储装置，其特征在于包括：单元阵列，设置了多个具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器的存储单元；存储单元选择部，用于从多个所述存储单元中任选一个；电位差生成部，使被选中的所述存储单元的一端和另一端之间产生电位差；判定部，其根据在所述存储单元产生所述电位差时的所述第一铁电电容器和所述第二铁电电容器的连接点的电位，判定已在所述存储单元中存储的存储数据。其中，所述判定部，最好通过将所述电位差的中间电位和所述连接点的电位进行比较，从而判定所述存储数据。

在上述结构中，根据存储在存储单元中的存储数据值，大幅度改变电位差生成部在存储单元的两端生成电位差时的连接点的电位。因此，根据上述结构，可通过判断连接点的电位这种极其简易的构成，能够极其稳定地判断存储单元所存储的存储数据。

该铁电存储装置，最好还具有：第一数据线，使所述电位差生成部和所述存储单元的一端形成电连接；第二数据线，使所述电位差生成部和所述存储单元的所述另一端电连接；充电部，将所述第一数据线、所述第二数据线、以及所述位线充电到给定电位。

在上述结构中，可使第一数据线、第二数据线、以及位线BL预充电或者放电。另外，在上述结构中，可使铁电电容器的两端电位几乎是同一电位。因此，由于可使铁电电容器的两端电位差减少或者几乎为零，因此，可抑制铁电电容器的静电痕迹(staticimprint)。

该存储单元选择部，最好具有：第一开关，设置在所述电位差生成部和所述存储单元的所述一端之间；第二开关，设置在所述电位差生成部和所述存储单元的所述另一端之间；第三开关，设置在所述判定部和所述连接点之间；字线，与所述第一开关、所述第二开关、以及所述第三开关电连接，并控制所述第一开关、所述第二开关、以及所述第三开关。

所述判定部，最好具有将所述连接点电位作为输入的反相器。根据上述结构，可以以极其简便的结构稳定地判定存储数据。

该所述铁电存储装置，最好还具有写入部，根据所述判定部判定的存储数据，通过控制所述存储单元的所述两端以及所述连接点电位，在所述存储单元再次存储所述存储数据。

根据所述结构，当判定部判定了存储在存储单元的存储数据时，即使该存储数据已被破坏，也可以将与该存储数据相同的数据再次存储在存储单元。即，在上述的结构中，在存储单元中经常存储着有关的存储数据。从而，例如即使提供给该铁电存储装置的电源被切断时，因为该存储数据存储在存储单元，所以当再次提供电源后，可从该铁电存储装置向外部再次提供该存储数据。因此，根据上述构成，可提供工作状态稳定的铁电存储装置。

所述写入部，最好包括：第一反相器，以所述连接点的电位为输入，将输出提供给所述存储单元的两端；第二反相器，将所述第一反相器的输出进行反相，向所述第一反相器的所述输入输出。

在上述的结构中，存储单元的两端电位与第一反相器的输出电位几乎是同电位。另外，连接点电位，与第一反相器的输入即第二反相器的输出电位几乎是同电位。即，根据上述结构，可以极其简便地在存储单元的两端和连接部分之间设置电位差，从而再次存储已存储在存储单元的存储数据。

所述写入部，最好还具有设置在所述第一反相器和所述存储单元的两端之间的开关。

在上述的结构中，可以电切断第一反相器的输出和存储单元的两端。从而，根据上述结构，可以将存储单元的两端电位设定为与第一反相器输出不同的电位，因此，存储数据的判定工作和再存储工作可同时进行。

该存储电路，最好还具有锁存电路，用于锁存判定部判定的所述存储数据。

根据上述结构，判定部判定的存储数据被锁存，因此，该铁电存储装置可以在判定部判定该存储数据后，还可以将该存储数据提供给外部。

根据本发明的第二方面，提供以具有上述铁电存储装置为特征的电子设备。在此，作为电子设备，是指具有本发明所涉及的铁电存储装置的能够实现规定功能的普通设备，对其构成并无特别限定，例如，包括具有上述铁电存储装置的普通计算机装置、手机、PHS、PDA、电子记事本、IC卡等必须装有存储装置的所有设备。

根据本发明的第三方面，提供一种驱动具有存储单元的铁电存储装置的驱动方法，该存储单元具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器。该方法的特征在于包括以下步骤：从多个存储单元选择出某一个的步骤；使选中的存储单元的一端和另一端之间产生电位差的步骤；根据在所述存储单元产生所述电位差时的第一铁电电容器和第二铁电电容器的连接点电位，判定所述存储单元已存储的存储数据的步骤。

另外，该驱动方法最好还包括基于判定后的所述存储数据，通过控制所述存储单元的两端以及连接点的电位，使所述存储数据再次存储到所述存储单元的步骤。

附图说明

图1为本发明的一个实施例的铁电存储装置10的构成电路图。

图2为铁电存储装置10的工作的时序表。

图3为第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114的磁滞特性示意图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。以下描述的实施例不能限定本发明的保护范围，而且，以下所描述的构成也不都是本发明所必需的构成要件。

图1为本发明一个实施例的铁电存储装置10的结构电路图。铁电存储装置10，包括：存储阵列100，设置了多个存储单元110、第一数据线DL1以及第二数据线DL2、位线BL、电位差生成部120、锁存部130、写入部140、充电部180、输入输出端口I/O、控制部200而构成。

存储单元110由具有串联连接的多个铁电电容器构成。本例中的存储单元110由具有第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114构成。第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114各自具有一端以及另一端，第一铁电电容器的另一端和第二铁电电容器114的一端电连接在连接点116上。还有，连接点116通过位线BL电连接在锁存部130的输入。

另外，第一铁电电容器112的该一端以及第二铁电电容器114的该另一端构成存储单元110的端部。还有，第一铁电电容器112的一端以及第二铁电电容器114的另一端，各自通过第一数据线DL1以及第二数据线DL2电连接充电部180、电位差生成部120、以及锁存部130的输出。

本实施例中的存储阵列100，具有n个(n为正整数)的存储单元110。另外，存储阵列100，其结构还具有各自n个的n型MOS晶体管102，设置在存储单元110的一端和第一数据线DL1之间；n型MOS晶体管104，设置在存储单元110的另一端和第二数据线DL2之间；n型MOS晶体管106，设置在连接点116和位线BL之间。

在n型MOS晶体管102、104以及106上，各自电连接着字线108。n型MOS晶体管102、104、以及106，根据位线108的电位，各自切换是否电连接第一数据线DL1和存储单元110的一端、第二数据线DL2和存储单元110的另一端、以及位线BL和连接点116。

电位差生成部120，具有电压源122、p型MOS晶体管124、n型MOS晶体管126，从而使存储单元110的两端产生给定的电位差。具体地，电位差生成部120，通过第一数据线DL1向存储单元110的一端提供给定电压，而通过第二数据线使存储单元110的另一端接地，从而使存储单元110的两端产生该给定电压比的电位差。

电压源122，产生用于在存储单元110的一端和另一端，即第一铁电电容器112的一端和第二铁电电容器114的另一端之间产生电位差的电压VCC。电压源122，例如是生成驱动铁电存储装置10的驱动电压的电压源。另外，在本实施例中的电位差生成部120，向存储单元110的一端提供电压VCC。但是替代电压VCC，也可以提供通过MOS晶体管的阈值电压Vth将电压VCC进行分压而得的电压VCC-Vth。

p型MOS晶体管124的源极与电压源122电连接，漏极通过第一数据线DL1与存储单元110的一端电连接。p型MOS晶体管124根据栅极电位对是否向存储单元110的一端提供电压VCC进行切换。另外，n型MOS晶体管126的源极接地，漏极通过第二数据线DL2电连接在存储单元110的另一端。还有，n型MOS晶体管126，根据栅极电位切换是否使存储单元110的另一端接地。即，电位差生成部120根据提供给p型MOS晶体管124以及n型MOS晶体管126的栅极的控制信号R以及/R的电位(逻辑值)，控制是否使存储单元110的两端产生电位差VCC。另外包括符号/的控制信号是对不包括符号/的该控制信号的逻辑值进行反相得到的信号。

锁存部130具有第一反相器132、第二反相器134，根据位线BL的电位判定存储在存储单元110的存储数据，并锁存该存储数据。

第一反相器132，是判定部的一例，将位线BL的电位作为输入，对该位线BL电位和第一反相器132的输入阈值电位进行比较，以此来判定存储单元110所存储的数据。具体地讲，第一反相器132将接地电位和VCC之间的电位作为输入阈值电位，判定位线BL比基准电位高还是低，并输出表示判定结果(即，存储的数据)的数据信号。本例中的第一反相器132将当位线BL电位比输入阈值电位高时表示L逻辑，低时表示H逻辑的信号作为数据信号输出。另外，本例中的第一反相器132的输入阈值电位，是存储单元110的两端电位差的大约一半的电位，即VCC的大约一半的电位。

第二反相器134将第一反相器132输出的数据信号作为输入而接收，并输出将该数据信号进行反相得到的反相数据信号。另外，第二反相器134输入电连接在第一反相器132上，其输出电连接在第一反相器132的输入以及位线BL上，并将反相数据信号提供给第一反相器132的输入以及位线BL。由此，由第一反相器132以及第二反相器134构成了触发器，并通过该触发器锁存数据信号。

另外，本例的第二反相器134是同步脉冲栅极反相器。第二反相器134，其构成是当控制信号W的逻辑值为H逻辑时，输出反相数据信号；当控制信号W的逻辑值为L逻辑时，输出为高阻抗。

写入部140作为判定部的一个实例的第一反相器132判定存储在存储单元110的存储数据后，将该存储数据再次存储在存储单元110中。写入部140具有：第一反相器132、第二反相器134、作为开关的一个实例的传输栅极142以及144。即本例的第一反相器132，与判定部一起构成写入部140的一部分。同样地，第二反相器134，构成锁存部130的一部分的同时，构成写入部140的一部分。

传输栅极142设置在第一反相器132的输出和第一数据线DL1之间。传输栅极142，根据提供给门极的控制信号W以及/W的电位，控制是否电连接第一反相器132的输出和第一数据线DL1。即，传输栅极142，通过控制使第一数据线DL1电位与第一反相器132的输出电位即数据信号的电位相同。

传输栅极144设置在第一反相器132的输出和第二数据线DL2之间。传输栅极144与传输栅极142相同，根据提供给栅极的控制信号W以及/W的电位，控制是否电连接第一反相器132的输出和第二数据线DL2。

本例中的写入部140虽然包括作为开关的一个实例的传输栅极142以及144，但是替代传输栅极142以及144，也可以包括n型MOS晶体管或者p型MOS晶体管。此时，向存储单元110的两端提供电压VCC-Vth从而代替电压VCC。在此，Vth为该n型MOS晶体管或者该p型MOS晶体管的阈值电压。另外，该n型MOS晶体管，可向栅极提供VCC+Vth。

充电部180包括：n型MOS晶体管182、184、以及186，将第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL充电到给定电位。n型MOS晶体管182、184、以及186，各自向源极或者漏极的一方提供给定电压，另一方则各自电连接在第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL。n型MOS晶体管182、184、以及186，根据提供给栅极的控制信号PC电位，将第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL充电到该给定电位。

本实施例中，通过使n型MOS晶体管182、184、以及186的源极接地，而使n型MOS晶体管182、184、以及186导通，从而将第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL充电到该接地电位。另外，本实施例的充电部180，作为将第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL充电的充电部而工作的同时，通过使第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL各自几乎是同电位，从而以使存储单元110的两端和连接点116的电位几乎为同电位的放电部而工作。

控制部200，总体控制铁电存储装置10的工作。本例中的控制部200，生成提供给各字线108的控制信号WL1～WLn、提供给充电部180的控制信号PC、提供给电位差生成部120的控制信号R以及/R、并且提供给锁存部130以及写入部140的控制信号W以及/W，通过提供给各个部分，从而控制铁电存储装置10的工作。

输入输出端子I/O，将第一反相器132生成的数据信号输出到外部。另外，输入输出端子I/O，通过从外部接受信号使第二反相器134的电位产生变化，如后所述，向存储单元110存储给定的存储数据。

图2为示出铁电存储装置10的工作的时间表。参照图1以及图2，对本例的铁电存储装置10的工作进行说明。在以下的例中，在第一铁电电容器112上存储着“1”，而在第二铁电电容器114上存储着“0”。即，在第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114上，存储着互补的数据。另外，在以下的例中的第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114，具有几乎相同的磁滞特性。

待机时，控制信号WL1～WLn、R以及W显示为L逻辑。即，全部的n型MOS晶体管102、104、以及106和p型MOS晶体管124、n型MOS晶体管126以及传输栅极142以及144是非导通，存储单元110的两端、连接点116的电位为0V。

另外，控制信号PC表示为H逻辑，因此，n型MOS晶体管182、184、以及186为导通，而第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL预充电至0V。从而，第一反相器132的输入电位也变为0V，因此，数据信号的逻辑值表示为H逻辑。

其次，判定存储在存储单元110的存储数据。以下，对在多个存储单元110中，读出存储在提供了控制信号WL1的存储单元110的存储数据的读出工作、向该存储单元110再次存储该存储数据的再写入工作、另外向该存储单元110存储与该存储数据相同或者不同的数据的写入工作进行说明。另外，以下中当没有特别说明时，对全部的该存储单元110以及该存储单元110的第一铁电电容器112、第二铁电电容器114、连接点116进行说明。

首先，控制部200通过使控制信号WL2～WLn保持为L逻辑，而控制信号WL1变为H逻辑，来使连接在WL1的n型MOS晶体管102、104、以及106导通。存储单元110的两端以及连接点116的电位也变为0V。还有，控制部200通过使控制信号PC变为L逻辑，使第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL保持为0V从而处于浮置装态。此外，本例的控制信号WL1～WLn的H逻辑电位为VCC+Vth以上。

其次，控制部200通过使控制信号R变为H逻辑，使p型MOS晶体管124以及n型MOS晶体管126的双方导通。由此，向第一数据线DL1以及第一铁电电容器112的一端提供电压VCC的同时，使第二数据线DL2以及第二铁电电容器114的另一端接地。即，使存储单元110的两端产生电位差VCC。以下，对当存储单元110的两端产生电位差VCC时的位线BL的电位变化，进一步参照图3进行说明。

图3为示出第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114的磁滞特性的图。同图的横坐标表示施加在第一铁电电容器112和/或第二铁电电容器114两端的电压，而纵坐标表示第一铁电电容器112以及/或者第二铁电电容器114的极化量。此外，在同图中，第一铁电电容器112(或者第二铁电电容器114)的一端电位高于另一端电位时，横坐标的电压表示为正。

待机时，存储单元110的两端以及连接点116的电位为0V，而第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114两端的电位差几乎为0，因此，写入了“1”的第一铁电电容器112的磁滞特性在点A，而写入了“0”的第二铁电电容器114的磁滞特性在点C。

还有，当使存储单元110的两端产生电位差VCC时，第一铁电电容器112以及第二铁电电容器114的两端各自施加正电压，因此，点A以及点C中的磁滞特性将向同图的右方向移动。此时，在本例中，施加在第一铁电电容器112的电压V1、从第一铁电电容器112释放出的电荷量Q1、还有施加在第二铁电电容器114的电压V0、从第二铁电电容器114释放出的电荷量Q0，将满足以下关系。

Q0＝Q1

V0+V1＝VCC

从而可得

V0＞V1

V0＞1/2VCC、V1＜1/2VCC

从而，在本例中，当使存储单元110的两端产生电位差VCC时，位线BL电位上升为V0(参照图2)。另一方面，与本例相反，当在第一铁电电容器112上写入了“0”，而在第二铁电电容器114上写入了“1”时，使存储单元110的两端产生电位差VCC，此时位线BL的电位上升为V1(参照图2的虚线)。

第一反相器132通过将上升的位线BL电位和第一反相器132的输入阈值电位进行比较，判定存储在存储单元110的存储数据。具体地，本例的第一反相器132，将输入阈值电位设置为VCC的大约一半的电位，当输入电位比输入阈值电位高时输出L逻辑，当该电位比输入阈值电位低时输出H逻辑。从而，位线BL的电位上升并超过输入阈值电位时，第一反相器132的输出即数据信号的逻辑值变为L逻辑。还有，输入输出端子I/O，作为存储在存储单元110的存储数据将输出L逻辑。

其次，根据第一反相器132的输出电位，通过控制存储单元110的两端以及连接点116的电位，向存储单元110再次存储存储数据。首先，当位线BL电位上升后，控制部200通过使控制信号R变为L逻辑，使p型MOS晶体管124以及n型MOS晶体管126非导通。由此，电位差生成部120，将电上切断与存储单元110的连接。

另外，控制部200通过使控制信号W变为H逻辑，使传输栅极142以及144导通。由此，第一反相器132的输出通过第一数据线DL1以及第二数据线DL2电连接在存储单元110的两端。从而，第一铁电电容器112的一端以及第二铁电电容器114的另一端电位，变为与第一反相器132的输出电位几乎相同的电位即0V。

另一方面，当控制信号W变为H逻辑时，第二反相器134输出将第一反相器132输出的数据信号进行反相了的反相信号。即，当控制信号W变为H逻辑时，第二反相器134的输出，从高阻抗变为H逻辑。从而，第一反相器132的输入电位以及位线BL电位从V0上升为VCC。由此，因为连接点116的电位也上升为VCC，因此在第一铁电电容器112上施加电压VCC，另外，在第二铁电电容器114上施加电压VCC。

参照图3进行说明时，当在第一铁电电容器112上施加电压-VCC时，第一铁电电容器112的磁滞特性从点B向点E移动。另外，当在第二铁电电容器114上施加电压VCC时，第二铁电电容器114的磁滞特性从点D向点F移动。从而，向第一铁电电容器112上再次写入“1”，而向第二铁电电容器114上再次写入“0”。即向存储单元110再次写入与从该存储单元110读出的存储数据相同的存储数据。另外，在再次写入时，锁存部130将读出时读出的读出结果即第一反相器132的输出逻辑值原样不变地保存。

其次，当向存储单元110再次保存存储数据后，控制部200使控制信号W变为L逻辑。由此，存储单元110的两端与第一反相器132的输出上电切断。另外，控制部200，使控制信号PC变为H逻辑。由此，充电部180为使第一数据线DL1、第二数据线DL2、以及位线BL充电至0V，因此，存储单元110的两端以及连接点116的电位变为0V。另外，当位线BL的电位变为0V时，该电位比第一反相器132的输入阈值更低，因此，第一反相器132的输出变为H逻辑。还有，控制部200，通过使控制信号WL1变为L逻辑，铁电存储装置10变为前述的待机状态。

与本例相反，当在第一铁电电容器112上写入了“0”，而在第二铁电电容器114上写入了“1”时，控制信号W变为H逻辑，此时存储单元110的两端电位变为VCC，而位线BL的电位从V1下降为0V(参照图2的再写入时的虚线)。当位线BL的电位下降为0V时，第一数据线DL1以及第二数据线DL2的电位上升为VCC。由此，在第一铁电电容器112上施加电压VCC，另外，在第二铁电电容器114上施加电压-VCC，因此向第一铁电电容器112再次写入“0”，而向第二铁电电容器114再次写入“1”。即，与从存储单元110读出的存储数据相同的存储数据，再次存储在该存储单元110。还有，控制部200使控制信号PC变为H逻辑时，第一数据线DL1、第二数据线DL2以及位线BL的电位变为0V。

其次，对向存储单元110存储给定存储数据的工作进行说明。首先，控制部200通过使对应于保存存储数据的存储单元110的控制信号WL1变为H逻辑，来选择该存储单元110。还有，控制部200，通过使控制信号PC变为L逻辑，使第一数据线DL1、第二数据线DL2以及位线BL保持为0V而处于浮置状态。

其次，控制部200通过使控制信号W变为H逻辑，使传输栅极142以及144导通，从而以使存储单元110电连接在第一反相器132的输出的状态，将从外部的输入输出端子I/O电位变为L逻辑。由此，施加在第一铁电电容器112的电压固定为-VCC，另外，向第二铁电电容器114施加电压固定为VCC，因此，向第一铁电电容器112写入“1”，而向第二铁电电容器114写入“0”。

另一方面，输入输出端子I/O保持为H逻辑，或者使从外部的输入输出端子I/O的电位变为H逻辑时，施加在第一铁电电容器112的电压固定为VCC，另外，向第二铁电电容器114施加电压固定为-VCC，因此，向第一铁电电容器112写入“0”，而向第二铁电电容器114写入“1”(参照写入时的虚线)。由此，可向存储单元110写入期望的存储数据。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

符号说明

10  铁电存储装置

100 存储阵列

108 字线

110 存储单元

112 第一铁电电容器

114 第二铁电电容器

116 连接点

120 电位差生成部

122 电压源

130 锁存部

132 第一反相器

134 第二反相器

180 充电部

200 控制部

Claims (12)

1.一种铁电存储装置，其特征在于，包括：

单元阵列，其设置了多个具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器的存储单元；

存储单元选择部，用于从多个所述存储单元中任选一个；

电位差生成部，使被选中的所述存储单元的一端和另一端之间生成电位差；

判定部，根据在所述存储单元生成了所述电位差时的所述第一铁电电容器和所述第二铁电电容器的连接点的电位，判定已被存储在所述存储单元中的存储数据。

2.根据权利要求1所述的铁电存储装置，其特征在于，还包括：

第一数据线，用于电连接所述电位差生成部和所述存储单元的所述一端；

第二数据线，用于电连接所述电位差生成部和所述存储单元的所述另一端；

位线，用于电连接所述判定部和连接点，以及

充电部，用于将所述第一数据线、所述第二数据线、以及所述位线充电到给定电位。

3.根据权利要求1或2所述的铁电存储装置，其特征在于，所述存储单元选择部包括：

第一开关，设置在所述电位差生成部和所述存储单元的所述一端之间；

第二开关，设置在所述电位差生成部和所述存储单元的所述另一端之间；

第三开关，设置在所述判定部和所述连接点之间；

字线，电连接所述第一开关、所述第二开关、以及所述第三开关，用于控制所述第一开关、所述第二开关、以及所述第三开关。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的铁电存储装置，其特征在于：

所述判定部将所述电位差的中间电位和所述连接点电位进行比较，从而判定所述存储数据。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的铁电存储装置，其特征在于：

所述判定部包括将所述连接点电位作为输入的反相器。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的铁电存储装置，其特征在于，还包括：

写入部，根据所述判定部判定的所述存储数据，通过控制所述存储单元的所述两端以及所述连接点的电位，使所述存储数据再次存储到所述存储单元。

7.根据权利要求6所述的铁电存储装置，其特征在于，所述写入部包括：

第一反相器，将所述连接点电位作为输入，并将其输出提供给所述存储单元的所述两端；

第二反相器，将所述第一反相器的输出进行反相，并作为所述输入提供给所述第一反相器。

8.根据权利要求7所述的铁电存储装置，其特征在于：所述写入部还具有设置在所述第一反相器和所述存储单元的所述两端之间的开关。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的铁电存储装置，其特征在于，具有用于锁存所述判定部判定后的所述存储数据的锁存电路。

10.一种电子设备，其特征在于：

具有权利要求1至8中任意一项所述的铁电存储装置。

11.一种用于驱动包含了多个存储单元的铁电存储装置的驱动方法，所述多个存储单元具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

从多个所述存储单元中任选一个的选择步骤；

使被选中的所述存储单元的一端和另一端之间生成电位差的步骤；以及

根据在所述存储单元生成了所述电位差时的所述第一铁电电容器和所述第二铁电电容器的连接点的电位，判定已被存储在所述存储单元中的存储数据的步骤。

12.根据权利要求11所述的驱动方法，其特征在于，还包括：

根据判定后的所述存储数据，通过控制所述存储单元的所述两端以及所述连接点的电位，向所述存储单元再次存储所述存储数据的步骤。

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