CN107665720B - 铁电存储元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种铁电存储元件，在一实施例中，本发明提供一种使用铁电材料于存储单元内的装置。在另一实施例中，提供一种操作铁电存储单元的方法。其他实施例也描述类似的内容。

Description

铁电存储元件
技术领域
本发明有关于一种铁电存储单元(例如存储元件)。
背景技术
在一些情况下，非挥发性存储器可通过提供电压信号及/或感测电压信号以读取存储单元的存储状态来进行纪录、存储及/或送回(return)来自处理器的二进制数字信号及/或传送至处理器的二进制数字信号(例如位)。例如，处理器可提供定址的指令(例如写入和/或读取信号)至此非挥发性存储器。非挥发性存储器具备在电源损耗及/或消失后恢复存储状态的功能。例如，一种特别种类的非挥发性存储器使用一个或多个铁电电容以存储一个或多个二进制数字信号(例如位)作为介电，材料的残存极性状态。因此例如一电场可驱动一使用铁电材料的存储单元。
铁电存储单元操作电压且功率损耗相对较低。应用于装置时，由于与铁电材料可包含有相关于磁滞现象的矫顽磁场强度以及残存极性。例如，在一些应用上还需考虑互补式金属氧化物半导体的相容性、可扩充性、可利用的薄膜技术、热积存及/或信号容忍度同样会影响关于铁电存储单元的制造及/或操作的有利条件。
发明内容
为实现上述目的，本发明提供一种铁电存储元件，包括：一铁电材料的存储单元，包含：至少一字线；至少一位线；其中该至少一字线与该至少一位线与该存储单元相耦接，以致于在该存储单元产生一电压信号电平差，该存储单元还包含一铁电电容，通过产生于该存储单元足够高的相反极性的电压信号电平差，会使得该存储单元能切换至相反极性；除非所产生的电压信号电平差超过所述铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；其中该至少一字线的电压电平可在一字线第一电平、一字线中间电平、以及一字线第二电平之中的任两个电压电平间进行切换；其中该字线第一电平高于该字线中间电平，而该字线中间电平高于该字线第二电平；其中该至少一位线的电压电平可在一位线第一电平、一位线中间电平、以及一位线第二电平之中的任两个电压电平间进行切换；该位线第一电平高于该位线中间电平，而该位线中间电平高于该位线第二电平；其中当一第一二进制信号值状态准备被写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平以及该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的一个极性；或是当一第二二进制信号值状态准备被写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第二电平以及该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第一电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的另一极性。
在其他实施例中，本发明提供一种铁电存储元件的方法，包括：写入一二进制信号值状态至一使用铁电材料的存储单元，该存储单元具有至少一字线以及至少一位线，该至少一字线与该至少一位线与该存储单元相耦接，通过产生于该存储单元上足够高的相反极性的电压信号电平差，会使得该存储单元的极性切换至一相反极性；除非所产生的电压信号电平差超过该铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；将该至少一字线的电压从一字线中间电平切换至一字线第一电平，该字线第一电平高于该字线中间电平；将该至少一位线的电压从一位线中间电平切换至一位线第二电平之时，该位线中间电平高于该位线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值并且具有两个极性中的一个极性；或者将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至一字线第二电平，该字线中间电平高于该字线第二电平，当将该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至一位线第一电平时，该位线第一电平高于该位线中间电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的另一极性。
附图说明
请求保护标的可具体地且明确地指示于说明书的内容中。然而，操作的方法及/或组织及其物件、特征及/或有益效果，如果通过同时参考说明书内容以及图式的详细内容，更能清楚地理解。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的元件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各元件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其元件布局形态也可能更为复杂。
图1为绘示一实施例的铁电电容的磁滞曲线的示意图。
图2为绘示一实施例的铁电存储单元的示意图。
图3为绘示一实施例的铁电存储单元的电压信号电平的操作示意图。
图4为绘示一实施例的具有双电容的铁电存储单元的示意图。
图5为绘示一实施例的具有双电容的铁电存储单元的电压信号电平的操作示意图。
图6为绘示第一实施例的铁电存储单元阵列的示意图。
图7为绘示第二实施例的铁电存储单元阵列的示意图。
图8为绘示第三实施例的铁电存储单元阵列的示意图。
图9为绘示一实施例的相互耦接的铁电存储单元与主动元件电路的示意图。
图10为绘示一实施例的铁电存储单元执行相关铁电存储单元的制造的操作示意图。
图11为绘示一实施例的运算及/或通讯网络环境的示意图。
【附图标记说明】
100 图面
101 方块
102 磁滞曲线
103 铁电电容
104 电压信号电平值
105 电荷信号电平值
106 极性
107 正电荷
109 正矫顽电压信号电平
110 负电压信号电平
111 负矫顽电压信号电平
113 正电压信号电平
200 铁电存储单元
201 字线
202 铁电电容
203 位线
300 电压信号
301 字线电压电平
302 位线电压电平
303 字线第一电平
304 字线中间电平
305 字线第二电平
306 位线第一电平
307 位线中间电平
308 位线第二电平
309 准备写入0
310 准备写入1
311 准备被读取
312 位线第三电平
313 位线第四电平
314 启动信号第一电平
315 启动信号第二电平
316 参考信号电压电平
317 准备被写回
400 铁电存储单元
401 字线
402 位线
403 位线
404 电容
405 电容
500 电压信号
501 字线电压电平
502 位线电压电平
503 字线第一电平
504 字线中间电平
505 字线第二电平
506 位线第一电平
507 位线中间电平
508 位线第二电平
509 准备写入0
510 准备写入1
511 准备被读取
512 位线第三电平
513 位线第四电平
514 启动信号第一电平
515 启动信号第二电平
517 准备被写回
600 存储单元
WL1…WLn 字线
BL1…BLn 位线
700 铁电存储单元
701 交叉点阵列
702 感测放大器
703 参考电压
800 铁电存储单元
801 位线
802 位线
803 感测放大器
804 晶圆级
900 存储单元阵列
901 铁电电容
902 铁电电容
903 节点n1
904 节点n0
905 主动元件电路
906 板线
907 电力线
908地面
909 字线
910 晶体管开关
911 晶体管开关
912 位线
913 位线
1001 节点n1
1002 节点n0
1003 板线电极
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
铁电电容的物理状态例如图1的方块101中的铁电电容103，其可参照一铁电材料的磁滞曲线102来说明，例如电压信号V的响应(图式标号为106)。然而，磁滞曲线102绘示于图1的图面100中，其中图面100的横坐标(或X轴)定义电压信号电平值V(标号为104)，而纵坐标(或Y轴)定义电荷信号电平值Q(标号为105)。
图1为绘示一实施例相关于铁电电容103两端电极的电压差的磁滞曲线的示意图，例如电压差的电压信号电平值V，其产生一对应于铁电介电质材料的电场。对应铁电介电质材料的存储单元状态至少部分取决于造成前述电压差之目前及/或过去电压信号电平值差以及电容介电质之材料铁。如果将一电压差，例如具有电压信号电平值，使用于铁电电容以致于在电容上引发出电荷，例如使用于铁电电容103的电极。同样地，电荷信号电平值Q可被量测(绘示于图面100)。一般来说，极性向量的方向是指正电荷指向负电荷的方向。例如，铁电电容103的极性106的方向显示从上端电极上正电荷至下端电极上的负电荷，其通过铁电电容103的两端电极的电压差所产生。
同样地，束缚电荷可对应于残存极性(remanent polarized)之铁电电容的电偶，其可维持于铁电电容电极上，例如正电荷107，例如移除了造成电压差的电压信号后。因此，铁电存储单元之状态可对应于铁电电容介电质材料的残存极性。一电压差，例如透过两电极产生，可造成一充足的电压信号电平值，例如，使用于极性后的铁电电容，以致于包含有铁电电容的存储单元，例如可从一二进制值状态切换至另一二进制值状态。值得一提的是为方便起见，但不违背原意，在说明书中，关于一些具备特定值的电压信号电平，有时可称为电压信号电平，有时也可称为电压电平。
在铁电电容中，例如，如果充足的正电压信号电平113，例如具有高于一正矫顽电压信号电平(Vc+)109的值的电压信号电平值，其被使用及移除，可维持正极性。类似地，一充足的负电压信号电平110，例如具有低于一负矫顽电压信号电平(Vc-)111的值的电压信号电平值，其可引发负定向极性(negatively oriented polarization)。然而，如果使用一电压信号电平值(例如电压量)小于正矫顽电压信号电平(Vc+)109的电压信号，例如在抗极性(opposing polarization)的方向上，极性可被减少，例如暂时地但没有反向(reversed)。
因此，使用于存储单元中的铁电电容，例如，可具备从一极性切换至相反的极性的能力的状态，例如通过充足的相反极性的电压电平(例如电压信号电平)来产生，例如通过存储单元的铁电电容的电压差来产生。再者，极性不会改变，除非一足够高的电压电平(例如电压信号电平)超过一关于特定铁电材料的矫顽电压电平(例如电压信号电平)的值(例如电压量)。
例如，在一实施例中，铁电电容103的上电极板与下电极板之间可产生一电压差，其对应一足够高的正电压信号电平113，从而，足够高的正电压信号电平113高于正矫顽电压信号电平109，其对应于一特定的铁电材料。因此，结果造成即使在对应于正电压信号电平113的电压差移除之后，会发生残存偶极，例如一种情形，就是已改变铁电电容103的二进制状态。同样地，极性状态改变的类似结果，但不是先前相反极性的例子，可产生一正极性状态以及一足够低的负电压信号电平，例如低于负矫顽电压信号电平111。
铁电介电质材料可被选择，至少部分地基于提供了关于周围信号干扰的相对较高的矫顽电场。在说明书中，周围信号干扰，例如多个电压信号，其可包含数种来源，例如随机及/或未规划电信号波动，仅为一例子，也许来自杂散电容及/或其他来源。同样地，然而值得一提的，例如参见图2，以下会详细探讨，其取决于多种因素，其包含电压信号电平、信号时脉等，因此有些潜在危机会造成极性状态的改变，而此种情形的发生是不被期望及/或打算的。同样地，当然，更详细地讨论，有一些情形，可被期望及/或打算，尤指在存储单元产生一电压差，其具有充足的电压信号电平，以致于超过一对应的矫顽电压信号电平，以便改变电容介电质极性状态。然而，同样地，有一些情形下，当不期望及/或打算于存储单元产生一电压差，其具有充足的电压信号电平，以致于超过一对应的矫顽电压信号电平，以便改变电容介电质极性状态(例如极性状态)。尽管如此，风险仍存在。
有一方法至少部分地考虑这些情形可包含适当选择铁电材料。例如，铁电介电质材料可选择使用于铁电电容的一部分，以使得电压信号范围，例如电压差在电流运作的可接收参数的范围内。一个简单的可能例子，但非意指限制请求的发明标的，一薄膜铁电材料具有相对较高，大约1MV/cm的矫顽电场以及厚度大约10nm，其可产生大约一伏特的电压差，其能够切换铁电存储单元的状态。再举一例，但非意指限制请求的发明标的，通过一原子层沉积技术，使得沉积的氧化铪作为铁电存储单元内的铁电电容介电质材料。因此，当造成操作电压信号电平差异典型地发现于集成电路技术，例如嵌入式互补式金属氧化物半导体元件，可显现出关于周围信号干扰的一些免疫性(例如极性状态改变的风险降低)。同样地，通过有关于铁电存储装置的制造的几何考量及/或操作考量，来自周围信号干扰的潜在风险可进一步降低。再举一例，但非意指限制请求的发明标的。例如，长度较短的位线可降低位线电容容量，如此还可帮助降低来自周围信号干扰的风险。值得一提的是，参照图2加以讨论，例如，关于未选择位线电压信号电平，关于未选择位线的风险系可能使得存储单元产生一电压差，使得铁电电容极性状态不预期地被切换。
因此，如图2所示，提供一实施例的铁电存储单元200的示意图。在本实施例中，一字线(WL)201与一铁电电容202的一电极相耦接，而一位线(BL)203与铁电电容202的另一电极相耦接。如图3所示，在一实施例中，电压信号300可产生足够大的电压差，以具备被使用于从铁电存储单元200中读取及/或写入至铁电存储单元200的功能，以致于铁电材料的残存极性可发生或已发生(例如极性状态的改变)。
因此，例如，图3显示字线(WL)的字线电压电平301以及位线(BL)的位线电压电平302。字线电压电平301与位线电压电平302可分别对应于图2的字线201和位线203。因此，多个电压信号的变化详细地于后续讨论，其可使用在关于存储单元(例如铁电存储单元)的字线或位线。三个字线电压信号电平例如可实施于本实施例，因此，字线电压电平301可从一电平值切换至其他两个电平值是与写入及/或读取电压信号相关联，例如，字线第一电平303高于字线中间电平304，而字线中间电平304高于字线第二电平305。
同样地，三个位线电压信号电平可实施于本实施例。位线电压电平302可从一电平值切换至其他两个电平值是与写入及/或读取电压信号相关联，后续会详细于实施例中讨论。因此，例如，位线第一电平306高于位线中间电平307，而位线中间电平307高于位线第二电平308。
在一实施例中，第一种二进制值信号状态，例如“准备写入0”至一存储单元的二进制值状态于图3中标示为309。例如，第一种电压信号：字线电压电平301可从字线中间电平304切换至字线第一电平303(显示于图3右半部)。同样地，对于第二种电压信号：位线电压电平302可从位线中间电平307切换至位线第二电平308，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值超过能造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应的矫顽电压电平的值。
在一实施例中，第二种二进制值状态例如“准备写入1”至存储单元的二进制值状态于图3中标示为310。例如，对于第一种电压信号：字线电压电平301可从字线中间电平304切换至字线第二电平305。对于第二种电压信号：位线电压电平302可从位线中间电平307切换至位线第一电平306，以致于产生于存储单元之电压差的电压信号值超过可造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应的矫顽电压电平的值，但是具有不同于前述写入0的二进制值状态的例子的极性。
因此，存储单元的电压差的电压信号值可超过一可造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应矫顽电压电平的值，其可在一些情况下被期望及/或被打算，就如上述所讨论；同样地，在一有些情况下，存在极性状态改变的风险是不被期望及/或打算的。一个相关于多个存储单元的一可能例子，例如，存储单元的写入线以及位线的个别的电压信号电平，例如绘示于图3，其具有充足的电压信号电平值，甚至认为一位线中间电平的出现，使得有关于特定存储单元，可执行一写入动作，尽管不打算执行。在这些情况下，就如先前所述，选择合适的铁电材料以使得产生于存储单元的电压差，例如就后续的例子，一般至少不会具有足够高的电压信号电平值以造成极性状态的改变。
在其他实施例中，一二进制信号值状态可准备被写入至一存储单元，例如，准备写入0至存储单元的二进制值状态标示为309。对于第一种电压信号：字线电位电平301可从字线中间电平304切换至字线第一电平303，接着，字线电位电平301可从字线第一电平303切换至字线第二电平305。对于第二种电压信号：位线电压电平302可从位线中间电平307切换至位线第一电平306，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值可超过一能造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应矫顽电压信号电平的值。
在其他实施例中，一二进制信号值状态准备被写入至一存储单元，例如，准备写入1至存储单元的二进制值状态标示为310。对于第一种电压信号：字线电位电平301可从字线中间电平304切换至字线第一电平303，接着，字线电位电平301可从字线第一电平303切换至字线第二电平305。对于第二种电压信号：位线电压电平302可从位线中间电平307切换至位线第一电平306，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值可超过一能造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应矫顽电压信号电平的值，但是具备不同于上述准备写入0状态的例子的极性。
上述讨论的实施例定址写入一二进制值状态至存储单元；同样地，从一存储单元读取事先存储的二进制信号值状态的能力可被期望。例如，在一实施例中，事先写入铁电存储器的二进制信号值状态会造成先前所述的极性(例如残存极性)。因此，一二进制信号值状态准备从一存储单元被读取。例如，电压信号，图3中标示为311，可用作与一读取动作相关。
在一实施例中，当位线的电压值从一位线中间电平切换至一位线第二电平以及字线的电压值从一字线中间电平切换至一字线第一电平，存储单元准备被读取，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值(例如电压信号电平值)超过一能造成铁电电容极性(例如极性状态的改变)的一对应矫顽电压信号电平的值。因此，在一实施例中，事先写入的二进制信号值状态准备从存储单元被读取以造成一位线浮动(float)至对应一二进制信号值状态的位线第三电平312，或者浮动至对应另一二进制信号值状态的位线第四电平313。
同样地，虽然未显示于图3，位线可与一感测放大器相耦接。因此，例如一感测放大器(SA)的启动信号可从一启动信号第一电平314切换至一启动信号第二电平315，以便启动感测放大器的运作。一感测放大器在被启动之后，可提供一参考电压信号电平316，使得放大的电压差介于两个浮动的位线第一电平306与位线第二电平308之间，而参考电压信号电平316，其对应于一从存储单元读取到的二进制信号值状态。
如果一二进制信号值状态从一对应于第一种存储单元状态的存储单元中读取，然而，铁电电容可切换极性。同样地，如果一二进制信号值状态从一对应第二种存储单元状态的存储单元中读取，铁电电容不一定切换极性。在一实施例中，如果事先写入的信号值状态为两个值中一个而且铁电电容极性状态已经切换极性以恢复对应的存储单元状态，所述对应的事先写入的信号值状态可被写回。例如，在一实施例中，“写回”的动作(标示317)可执行以造成当字线的电压值从字线第一电平303切换至字线第二电平305，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值(电压信号电平值)可超过一可造成铁电电容介电质极性(例如改变极性状态)的一对应矫顽电压信号电平的值。
在一实施例中，一二进制信号值状态准备从存储单元中被读取，以使得二进制信号值状态可被一感测放大器感测，例如，通过将一感测放大器与一位线耦接且通过感测放大器使位线电压信号电平与参考电压信号电平相比较，例如，在被感测与被放大后产生一电压差，其具有一对应于一二进制信号值状态的电压电平值准备被写回至一存储单元，例如“准备写入”0(标号309)或“准备写入”1(标号310)的二进制信号值状态。然而，值得一提的是，在有一些情况下，极性不一定跟随一读取动作作切换。但是，一对应事先写入信号值状态可写回至存储器，即使极性未切换以致于没有需要决定考虑极性切换。换句话说，写入动作在大部分例子下跟随一读取动作，至少对于一实施例。
参照图4的一实施例的铁电存储单元400，其设有电容(C0)404以及电容(C1)405，其中电容(C0)404以及电容(C1)405耦接于字线(WL)401，至于位线(BL)402则耦接于电容(C1)405，而位线403与电容(C0)404耦接。所述位线与字线连接于铁电存储单元400，以致于在铁电存储单元400产生至少一电压差。
参照图5，电压信号500准备被使用于从铁电存储单元400读取及/或写入至铁电存储单元400，其中铁电存储单元400包含两个铁电电容。例如，图5显示的多个电压信号的例子可使用于一实施例以产生一电压差，其具有一电压信号电平值使得铁电材料极性(例如残存极性)，例如极性的改变。
因此，图5绘示一实施例的字线(WL)电压电平501与位线(BL)电压电平502。字线电压电平501可对应于图4的字线401，而位线电压电平502可对应于图4的位线402。为了清楚起见，将详细讨论存储单元(例如铁电存储单元)的字线与位线上的电压变化。字线电压电平501从一电压信号电平切换至另两个电压信号电平乃有关于写入及/或读取一电压信号。
例如，三个字线电压信号电平可使用于一实施例，因此，字线第一电平503高于字线中间电平504，而字线中间电平504高于字线第二电平505。
同样地，三个位线电压信号电平可使用于一实施例，位线电压电平502从一电压信号电平切换至另两个电压信号电平系有关于写入及/或读取一电压信号，随后更详细阐述。例如，位线第一电平506高于位线中间电平507，而位线中间电平507高于位线第二电平508。
在一实施例中，第一种二进制信号值状态准备被写入至存储单元400。例如，“准备写入0”的二进制信号值状态标示为509。对于第一种电讯信号：字线电压电平501可从字线中间电平504切换至字线第一电平503。对于第二种电压信号：就如先前所述，两条位线402与403可从位线中间电平507进行切换。然而，对于位线电压电平502而言，位线402可切换至位线第一电平506。反之，对于位线电压电平502而言，位线403可切换至位线第二电平508。在此情况下，产生于存储单元的两个铁电电容的电压差，其至少一电压差的电压信号电平值超过一可造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值，以便藉此写入一二进制信号值状态至铁电存储单元400。
在一实施例中，第二种二进制信号值状态，例如“准备写入1”至存储单元的二进制信号值状态标示为510，此时字线电压电平501从字线中间电平504切换至字线第二电平505。就位线电压电平502而言，位线402与位线403从位线中间电平507切换，其中位线402切换至位线第一电平506，至于位线403则切换至位线第二电平508。在此方法下，如先前所述，可使得存储单元的铁电电容产生一电压差高于会造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的矫顽电压电平，以便藉此写入二进制值状态至铁电存储单元400。在本实施例中，标号510表示“准备写入1”至铁电存储单元400，而标号509表示“准备写入0”至铁电存储单元400。
在其他实施例中，第一种二进制信号值状态准备被写入至铁电存储单元400，例如标号509表示“准备写入0”至铁电存储单元400。就第一种电压信号而言，字线电压电平501从字线中间电平504切换至字线第一电平503且接着从字线第一电平503切换至字线第二电平505。就第二种电压信号而言，位线402与位线403可从位线中间电平507作切换。同样地，位线402与位线403可分别切换至位线第二电平508和位线第一电平506。在此方法下，使得存储单元的两铁电电容产生电压差，以致于至少一电压差的电平高于可使得铁电电容介电质极性(例如极性改变)的矫顽电压电平，以便藉此写入二进制值状态至铁电存储单元400。
在其他实施例中，第二种二进制信号值状态准备被写入至存储单元，例如“准备写入1”的二进制信号值状态(标示为510)。对于第一种电压信号而言：字线电压电平510从字线中间电平504切换至字线第一电平503，接着从字线第一电平503再切换至字线第二电平505。对于第二种电压信号而言：位线402与位线403可从位线中间电平507作切换，而位线402与位线403分别切换至位线第一电平506与位线第二电平508。在此情况下，如先前所述，产生于存储单元的两个铁电电容的电压差，其中至少有一电压差的电压信号电平值超过一会造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值，然而，执行“写入1”(标示510)的动作，而不是执行“准备写入0”(标示509)的动作。
事先写入二进制信号值状态于随机存取的铁电存储单元400会造成两个铁电电容的极性。同样地，一二进制信号值状态准备从铁电存储单元400中被读取。例如，电压信号，图3中标示为311，就如先前所述，可被使用与一读取动作相关联。在一实施例中，例如，铁电存储单元400可被操作以使得两位线402与403的电压值可从位线中间电平507切换至位线第二电平508。相似地，在一实施例中，铁电存储单元400可被操作以使得字线电压电平501从字线中间电平504切换至字线第一电平503。因此在此情况下，一事先写入的二进制信号值状态准备从铁电存储单元400中被读取以造成位线402浮动至位线第三电平512(对应第一种二进制信号值状态)，或是位线403浮动至位线第四电平513(对应第二种二进制信号值状态)。
如果一二进制信号值状态从铁电存储单元400中被读取，就如先前图2与图3所述，极性可切换状态。因此，就图5的电压信号500的实施例而言，例如，如果铁电电容存储器极性已经切换状态以恢复所述对应存储单元状态，所述对应事先写入信号值状态准备被写回。例如，“写回”的二进制信号值状态(标示517)可使得字线401的电压值可从字线第一电平503切换至字线第二电平504，使得产生于存储单元的电压差的电压信号值可其超过一可造成铁电电容介电质极性(例如极性状态改变)的一对应矫顽电压信号电平的值。
在一实施例中，一二进制信号值状态准备从铁电存储单元400中被读取以及被一感测放大器感测。例如，一感测放大器可与两位线402以及403耦接，以便通过感测放大器比较位线第一电平506及位线第二电平508的值。值得一提的，例如，图5所示的感测放大器的启动信号可从启动信号第一电平514切换至启动信号第二电平515。因此，一电压差产生于被感测与被放大之后，可具有一电压信号值电平，其对应于写回至存储单元的二进制信号值状态，例如对应位线第一电平506或位线第二电平508。
在其他实施例中，铁电存储单元阵列可包括有交叉点阵列。如图6所示，存储单元600包括位于字线(WL1)与位线(BL1)的交叉点的铁电电容。在一实施例中，如果铁电电容交叉点阵列还不包含晶体管，交叉点阵列例如可制造于数条导线(例如金属线)及/或多个晶圆级(或在分离的多个晶圆上)，在一例子中，集成电路制造流程的后端部分的一部分。
图7为绘示一实施例的铁电存储单元700，包含有交叉点阵列701与感测放大器702，例如，交叉点阵列701与感测放大器702可分别制造于不同晶圆级及/或不同的晶圆。在本实施例中，使用一参考电压703。因此，在一实施例中，例如，铁电存储单元交叉点阵列可制造于多个主动电路上，例如感测放大器、晶体管等等。
在一实施例中，存储器交叉点阵列的单位面积几乎与主动电路的面积相同。因此，在一实施例中，例如图7所示，主动电路不需要占据交叉点阵列的面积。同样地，在本实施例中，例如图7所示，相较于所有主动元件均设置于同一晶圆级的架构，图7的架构具有较短的位线长度。在后续情况下，例如在具有一级数的单一晶圆上，例如，典型地使用充足的较长的位线，造成较大的不必要电容。然而，就使用较短位线的一实施例而言，例如图7所示，存储单元的尺寸与位线电容的比率可相对地增加以致于造成较少不必要电容。同样地，产生的电压差，其具有较小的电压信号电平(例如较小量值)但是可操作以使用于电子电路，其至少部分来自改良后的存储单元的尺寸与位线电容的比率。在一实施例中，铁电电容的交叉点阵列可被制造于一个分离的未设有晶体管的晶圆之上并且与另一个包含有多个主动元件(例如晶体管电路)的晶圆相连接。
在其他实施例中，提供一铁电存储单元800，其包含具有双电容存储单元的交叉点阵列。如图8所示，铁电存储单元800分别有两个铁电电容，其分别设置于字线与一对互补的位线的交叉点。例如，字线WL1以及两位线BL1以及BL1#。同样地，在一实施例中，铁电存储单元800中两条互补的位线801及802可被感测放大器803所感测。通过感测两条互补的位线，感测放大器803例如可使用其中一条位线作为一电压参考信号电平，例如使用在相关于读取存储单元的状态。因此，在一实施例中，存储单元的交叉点阵列例如可制造于数条导线(例如金属线)及/或分离的多个晶圆级(或分离的晶圆)之间，在一例子中，集成电路制造流程的后端制程的一部分。例如，在一实施例中，铁电存储单元的交叉点阵列与感测放大器可分别制造于不同的晶圆级804之上。
在某些情况下，可期望使用铁电存储单元制造及/或操作一非挥发性的静态随机存取存储元件(例如NV-SRAM)。一非挥发性的铁电存储元件可使用一铁电电容以存储一二进制信号，例如二进制位，以作为一介电质材料的残存极性状态，例如电源消失期间，但功率之后可重新恢复。例如，在一实施例中，一个NV-SRAM单元可包含一SRAM电路(或SRAM单元)和一非挥发性单元。因此，多个存储状态可传输于SRAM电路(或SRAM单元)与非挥发性存储单元之间，具体尤指铁电存储单元。例如，在一实施例中，如果SRAM电路及/或SRAM单元被写入及/或在其他实施例中，在电源消失结束之前，可执行传输。同样地，在电源重新恢复后，存储于铁电存储单元的多个存储状态可传递回SRAM。虽然此方面不仅限于此，例如，一存储状态传输过程，就如先前所述，可通过一存储装置内的传送机制执行，例如通过电子电路或固件等，或者在其他实施例中，可通过一外部处理器或相似装置(例如微处理器、微控制器、CPU等)。
图9为绘示一实施例的具有铁电交叉点双电容的存储单元阵列900，可包含一板体(例如板线906)以及一存储单元，其包含电容(C1)901以及电容(C0)902。如图所示，两个铁电电容的电极分别与一主动元件电路905内的两个互补的节点(n1)903及节点(n2)904相耦接，主动元件电路905例如形成一SRAM电路及/或SRAM单元(具有两个晶体管开关910及911)。因此，主动元件电路905可包含一双稳态闩锁电路(例如闩锁器或触发器)，从而如果与铁电双电容存储单元相耦合则可形成一非挥发性静态随机存取存储单元(NV-SRAM)。在一实施例中，板线906可为一存储单元阵列的共用线，或者沿着列方向及/或行方向被分段。同样值得注意的是，在一实施例中，板线906可作为字线，随后将详细说明。在一实施例中，SRAM装置(例如SRAM电路及/或SRAM单元)，例如采NV存储单元为架构，其可包含一非挥发性SRAM单元。为了区分SRAM的读/写入动作以及状态传输于SRAM与多个非挥发性存储单元之间，一状态从SRAM传输至非挥发性存储器意指“存储”，而一状态从非挥发性存储器传输至SRAM意指“召回”(recall)。
在一实施例中，电压信号可使用来执行存储及/或叫回动作，例如对一实施例的铁电存储单元，例如包含有双电容的铁电存储单元。例如，两铁电电容901及902分别与主动元件电路905内的两个互补的节点(n1)903及节点(n0)904耦接。就如先前所述，在一实施例中，存储至铁电存储单元的动作以及自铁电存储单元叫回的动作会分别造成电源消失与电源重新恢复。因此，例如，在一实施例中，如果铁电存储单元处于一待命状态时，例如，不执行存储动作或叫回动作，一板线电压信号电平可大致偏压于电力线(SRAM PWR)907的电压信号电平与地面(GRD)908的电压信号电平的中间电平，实际上，在一实施例中，其大致包含一主动元件操作电压的范围。
例如，铁电材料极性可发生于执行存储动作的期间，使得SRAM电路及/或SRAM单元被更新，或者如果电源消失即将发生或正在发生。存储的二进制状态可包含图5的“准备写入0”509的二进制状态。例如，板线906的电压值可设定于字线中间电平504(中间板线(写入线)电压电平)，而字线909(写入线)的电压值可从字线中间电平504(中间写入线电压电平)切换至字线第一电平503，接着再从字线第一电平503切换至字线第二电平505，当两节点(n0)904以及节点(n1)903的电压值分别保持于位线第一电平506及位线第二电平508时，在此情况下，产生于存储单元的两个电容的电压差，其中至少一电压差的电压信号电平超过一可造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值，藉此以存储一二进制信号值状态，就如先前所述。
继续参照图9，在一实施例中，事先写入于铁电存储单元内的二进制值状态准备从存储单元被叫回，例如产生电源重新恢复的结果。在一实施例中，例如，字线909、两条互补的位线912及913、地面908、电力线907以及板线906的电压起初都设定于位线第二电平508，而板线906的电压可从位线第二电平508切换至字线第一电平503。因此，产生于存储单元的两个铁电电容的电压差，其中至少一电压差的电压信号电平值超过一会造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值，以及在此情况下一事先写入的二进制信号值状态准备被读取，而使得节点(n1)903浮动至一位线第三电平512，或者使得节点(n0)904浮动至位线第四电平513，其中位线第三电平512与位线第四电平513分别对应第一种二进制信号值状态以及第二种二进制信号值状态。电力线909可继续切换至启动信号第二电平515，使得两个浮动的内部节点的电压信号值可相互比较并且叫回挥发性存储单元(例如SRAM电路及/或SRAM单元)的状态。值得一提的是，在一例子中，板线906的电压值可切换至字线中间电平504以进入一待命状态。
然而，在一实施例中，就如先前所述的实施例中，被读取的事先写入的信号值状态可包含至少一电压差的电压信号电平值超过一会造成铁电电容介电质极性(例如极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值。因此，为了重新存储(re-store)对应的非挥发存储单元状态，所述对应的事先写入的信号值状态准备被写回存储单元，在此情况下，板线906的电压可从字线中间电平504切换至字线第一电平503，而且接着从字线第一电平503切换至字线第二电平505，从而产生多个电压差，其中至少一电压差的电压信号电平值超过一会造成铁电电容介电质极性(极性改变)的一对应矫顽电压信号电平的值。
如先前所述，在一实施例中，一存储动作功率可执行于电源消失之前或者电源消失期间。同样地，在其他实施例中，例如如果电源消失难以预料或察觉，可对SRAM执行一存储动作以及一写入动作，使得非挥发性单元可被更新至SRAM内容，例如，也可执行一存储动作以刷新(refresh)非挥发性存储单元的内容。
同样地，在一实施例中，一叫回动作可于存储元件充电时被触发。同样地，在某些情况下，可期望恢复SRAM至非挥发性存储单元的内容，一叫回动作可于外部被触发，例如通过一存储器控制器。
图10为绘示一实施例的制造方法，例如对于一个耦接于主动元件电路的具有双电容的铁电随机存取存储单元的制造方法。例如一个包含具有第一级布局的铁电存储单元的互补式金属氧化物半导体(CMOS)的主动元件电路的制造方法。
在一实施例中，非挥发性静态随机存取存储器，就如先前所述，可通过CMOS制程来制造。例如，值得一提的是，为了方便起见以下谈到金属，但是金属不一定需要用到。其他导电材料同样可以使用，例如多晶硅(polysilicon)，其可包含或不包含金属。
在一实施例中，例如两个内部的节点(n0)1001及节点(n1)1002采用第一金属层(metal-1)来制造，其中，第一金属层的材料可包含铜及/或钨。反之，然而一内部连接层(例如metal-0)可包含多晶硅、氮化钛及/或钨的材料。关于第一金属层的例子，其可包含在存储单元阵列中的铁电电容的第一电极。因此，在制程中，一铁电介电层可经由一原子层沉积法而沉积覆盖于第一金属层之上，例如沉积大约厚度为10nm的氧化铪，以及还可包含一铁电电容存储单元阵列的一介电质。在一实施例中，铁电介电质可被其他使用类金属材料的板层(metal-like plate layer)覆盖，其中，类金属板层包含存储单元阵列中的铁电电容的板电极(plate electrode)和第二电极，例如，氮化钛可作为类金属材料。接着，铁电介电层与板层可被蚀刻以形成一板线电极1003。在一实施例中，产生的板线电极1003可作为NV-SRAM单元中其中一行的存储单元的共用线。例如在制程中，可在一CMOS制程中加入一光罩操作以便形成板线电极。
在说明书中，“连接”、“元件”及/或类似用语意指实体的连接，但并非一定需要具体接触。无论这些用用语是否有关于请求保护标的有关，都可具体使用范围改变。举例而言，实体的连接及/或连接路径例如通过实体电性连接达成，例如包含金属或其他导体的导电路径，其可于两实体元件间产生电流。同样地，可至少部分地控制或影响实体的连接路径。典型地，实体的连接路径例如电开关，其会受到外部的撷取信号(例如外部电流及/或电压)的影响，以导致电开关被打开或关闭。其中，电开关的种类并未受局限，例如可以包含了晶体管、二极管等等。然而，在其他使用范围内，“连接”与“元件”也可不具实体，例如，通过网络连接客户端与服务器，其中，网络意指在客户端与服务器之间具备传递、接收及/或交换通讯的能力，详细内容之后阐述。
在实际使用范围内，以实体元件而言，“耦接”与“连接”两用语，在某种程度的使用上并非具有相同意义。类似用语在某种程度的使用上也可展现相似意义。因此，“连接”可意指两个或多个实体元件彼此具体地接触。就如先前所述，两个实体元件相互电耦接，其中意指两个或多个实体元件具体地接触。然而，也可能意指没有具体接触，但具备了“相互配合”、“联系”及/或“相互作用”的功效，例如“光学耦合”。同样可理解的是，“耦合”的用语意指在适当范围内没有具体连接。值得一提的，关于请求保护标的的范围内，“实体”使用在存储器领域，例如存储元件或存储状态，意指实体存储元件及/或存储状态。
此外，在实际使用范围内，就以实体元件及/或相似元件(实体材料)而言，“位于…之上”与“位于…上面”的两用语间具有差异性。例如，沉积或生长物质于基底“之上”，其表示沉积或生长物没有具体接触于基底，所以沉积物与基底之间具有媒介，例如制程中所产生的媒介物质。然而，沉积或生长一物质于基板上面，其意义可能包含沉积或生长一物质于基底的上方，所以应清楚地表示为“位于基板上面”。可理解的是，媒介例如为一个或多个位于沉积物(或生长物)与基底之间的媒介，其使得沉积或生长物没有具体接触基底。
在合理的实际使用范围内，有些用语也有相似的差异性，例如以实体材料及/或元件而言“在…之下”与“在…下面”之间的差异。在实际使用范围内，“在…之下”意指没有具体接触，两物质之间存在媒介物。至于“在…下面”则意指具体接触，两物质之间没有媒介。
同样地，依据相似于先前关于“位于…之上”与“位于…上面”的说明，“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”之间也具有类似差异，这些用语可用来帮助说明，但不局限请求保护标的的范围。例如“位于…上面”的用语不建议将权利范围仅限制于“正面朝上”的情况，例如与“上下翻转”的用语作比较，不同时间时的方向(例如在制程中)不需要对应于最终产品的方向。因此，在特定方向的物体位于可实施的权利范围内，例如上下翻转。同样地，其他的方向也试图涵盖于权利范围内，例如正面朝上。反之亦然，即使适用的文字也可能用来解释。当然在本发明说明书中，特定的描述内容及/或使用范围可帮助合理的推论。
在说明书中，除非具体指出，A、B以及C意指包含三者的情况，而A、B或C意指排除包含三者的情况。可以理解的，“以及”意指包含全部元素。反之，“及/或”在使用上需十分注意，因为其意指包含前述“或”与“以及”的意义。此外，“一个或多个”及/或相似用语用来单独地描述任何特性、结构、特征等，“及/或”也用来描述多个及/或一些其他特性、结构、特征等的组合。再者，“第一”、“第二”、“第三”等用字用来区别不同物体，例如不同的元件，而不是提供数字限制或建议特定的顺序，除非明确地指出。同样地，“基于”及/或相似词，可以理解不需要意指详细表达因素，但允许不需明确描述的附加因素的存在。
再者，有关于发明标的的实施的情况以及受到测试、量测及/或说明书着重程度，随后将会理解。例如，在一给予的情况下，证实物理特性可以量测。如果可选择的合理方法去测试、量测及/或说明书着重程度，至少相关于特性，接续的例子，合理地想到是通常知识，至少用于实施目的，发明标的意指涵盖可选择的合理方法，除非没有明确指出。例如，如果提出区域的量测图且发明标的的实施提及使用到区域上的斜率量测，但是存在合理且可选择的技术以估测区域的斜率的改变，发明标的意指涵盖这些合理可选择技术，即使这些合理可选择的技术不会提供完全相同的数值、量测或结果，除非明确指出。
如果用语“型”及/或“类”例如使用于特性、结构、特征等等，例如使用“光学的”或“电气的”，至少部分地意指及/或有关于特性、结构、特征等等呈现较少的改变，即使改变也许其他方面不会视为完全地相符于特性、结构、特征等等，一般不会避免特性、结构、特征等作为“型”及/或“类”(例如作为“光学型”或“光学类”)，如果稍微的变化足够使得特性、结构、特征等依然视为显著地呈现这些变化。因此，继续参照一实施例，光学型及/或光学类的特性必须意指包含光学特性。同样地，电气型及/或电气类特性，在其他实施例中，必须意指包含电气特性。应该注意本发明说明书仅提供一个或多个说明的例子并且权利要求标意指不会限制于一个或多个说明的例子。然而，总是有实例相关于本发明说明书，说明书的特定内容及/或使用方法帮助引导注意合理的结论。
随着科技的进步，出现了更多独特的使用部分的制程中的分散式运算及/或通讯方法，例如通过运算及/或通讯网络，可于多种装置内进行信号处理，而多种装置包含了一个或多个客户装置，一个或多个服务器装置及/或一个或多个点对点装置。网络可包含两个或多个装置，例如网络装置及/或运算装置，及/或可与装置相耦合，例如网络装置及/或运算装置，以致于信号通讯例如可通过信号封包及/或信号帧的形式(例如包含一个或多个信号取样)在服务器装置、客户装置及/或点对点装置之间进行交换，同样地关于其他型态的装置，其包含通过有线及/或无线网络使得有线装置及/或无线装置相互耦合。
在一实施例中，分散式运算系统包含Hadoop分散式运算系统，其使用映射-归纳(map-reduce)架构。在本发明说明书的内容中，用语“map-reduce架构”及/或类似用语意指关联于分散式运算系统的实现及/或一实施例以便处理及/或产生一组较大信号取样，对于执行在装置网络的并联分散式程序，采用map及/或reduce操作。有关于信号处理的Map操作及/或相似操作，会产生一个或多个关键数值配对并且分散所述配对至系统中的一个或多个装置(例如网络)。有关于信号处理(例如信号取样)的归纳操作及/或类似操作通过即时操作(summary operation)，例如计数排队学生的人数、生产效率等。使用此架构的系统，例如通过编排分散式服务器装置，同时执行多种工作，及/或管理通讯，例如信号转换于系统的不同部分(例如网络)。如上所述，一个未限制但是已知的例子包含Hadoop分散式运算系统，其有关于一个实现开放资源及/或映射-归纳(map-reduce)架构的实施例(可购买于Apache Software Foundation,1901Munsey drive,Forrest Hill,MD,21050-2747)，但是可包含其他方面，例如Hadoop分散式档案系统(HDFS)(可购买于Apache SoftwareFoundation,1901Munsey drive,Forrest Hill,MD,21050-2747)。一般来说，“Hadoop”及/或类似用语(例如“Hadoop-type”)系关联于在分散式系统使用映射-归纳(map-reduce)架构来执行大型处理工作的实施及/或排程。再者，本发明说明书中，使用“Hadoop”意指包含目前的版本及/或之后开发的版本。
在本申请案的说明书中，网络装置意指任何具备通讯且/网络的一部分的能力且可包含运算装置。当网络装置可具备联系信号的能力(例如信号封包及/或信号帧)，例如在非暂态存储器内的具体、实体的存储状态，及/或例如在其他实施例中可作为服务器装置及/或客户装置。能够作为服务器装置、客户装置的网络装置例如可包含专用机架式服务器、台式电脑、笔记本电脑、机上盒、平板电脑、小型笔电、智能电话、穿戴式装置、结合上述装置中两个或多个特性的集成电路装置或上述装置的任意组合。如上所述，信号封包及/或信号帧例如可转换于服务器装置及/或客户装置之间，同样地信号封包及/或信号帧也可通过无线网络，及/或有线网络，或其组合转换于有线装置及/或相互耦合的无线装置之间。服务器、服务器装置、服务器运算装置、服务器运算平台及/或类似用语可以交替使用。同时在其他例子中，为了方便说明，有些用语也可单独使用，例如通过关于客户装置或服务器装置，意指包含一个或多个客户装置及/或一个或多个的服务器装置。沿着相似的脉络，关于“数据库”可理解为意指一个或多个数据库及/或数据库的多个部分。
为了方便说明，应要理解到网络装置可实施及/或为运算装置，反之亦然。然而，更应理解这些说明并不会将权利要求范围限制于一实施例，例如仅有一个运算装置及/或仅有一个网络装置，但是可替代为实施为多种装置及/或其组合。
网络也可包含目前已知的网络及/或之后改良的配置、衍生及/或改良版，例如过去、现在及/或未来的大量存储装置，例如网络连接存储设备(NAS)、存储区域网络(SAN)及/或其他形式的可读取媒介。网络可包含互联网的部分、一个或多个区域网络(LANs)、一个或多个广域网络(WANs)、有线型连接、无线型连接、其他连接、或上述的任何组合。因此，网络的范围可遍及全世界。同样地，子网络，例如使用不同架构及/或可实际上可兼容及/或相容于不同协议，例如网络运算和/或通讯协议(例如网络协议)，可搭配操作于大型网络。
在说明书的内容中，如果使用子网络及/或相似用语，例如有关于网络及/或网络的一部分。子网络也可包含链接，例如实体的链接、连接及/或耦合节点，以致于可以通过有线链接、无线链接或上述任一组合使信号封包及/或信号帧可传递于特定节点之间。多种型态的装置，例如可取得网络装置及/或运算装置，以致于启动装置的互通性，及/或至少在一些例子中是显而易见的。在说明书的内容中，用语“透通的”(transparent)如果使用在关于特定的网络通讯装置，其意指通过网络进行通讯的装置，其中，这些装置能够通过一个或多个中间装置进行通讯，其中，中间装置例如一个或多个中间节点，但是必须指定一个或多个节点及/或一个或多个节点的一个或多个装置的通讯装置除外。因此，网络可包含一个或多个中间节点及/或相互通讯的一个或多个中间节点的一个或多个中间装置，并且网络可通过一个或多个中间节点及/或一个或多个中间节点的一个或多个装置相互通讯，但是，网络可运作犹如这些中间节点及/或中间装置没有必要在限定于特定通讯装置之间进行通讯。例如，路由器可于分离及/或独立的区域网络之间提供链接及/或连接。
在说明书中，私人网络意指特定的、受限的装置，例如网络装置及/或运算装置，其能够与其他特定的、受限的装置(例如网络装置及/或运算装置)相互通讯，例如通过信号封包及/或信号帧的通讯，例如不需要通过重新路由及/或重新定向信号的通讯。私人网络可包含独立的网络，然而也可包含大型网络的子集，例如互联网的全部或一部，但不仅限于此。因此，例如网络“在云端”意指私人网络包含有互联网的子集。虽然信号封包及/或信号帧的通讯(例如信号通讯)可使用中间节点的中间装置以转换信号封包及/或信号帧，而这些中间装置通过不是一个或多个信号封包及/或信号帧的来源或指定用途，所以不需要包括于私人网络之内。可以理解的，私人网络可将传出信号通讯指向装置而不在私人网络内，但是私人网络外侧装置不需能够将入站信号通讯指向至涵盖在私人网络内的装置。
互联网意指相符于互联网协议(IP)的互操作网络的分散式全球网络。值得注意，互联网协议可有多个版本。互联网协议协定及/或类似用语意指意指至任何已知版本及/或之后开发的版本。网络网络包含局部区域网络(LANs)、广域网络(WANs)、无线网络、及/或长途网络，而这些网络例如可允许信号封包及/或信号帧通讯于LANs之间。可也使用全球资讯网(WWW或Web)及/或类似用语，虽然此用语意指互联网中与超文件传输协议(HTTP)相符的一部分。例如，通过适当地交换实质地兼容及/或相容的信号封包及/或信号帧，使得网络装置可参与HTTP时域(session)。值得注意的，超文件传输协议(HTTP)可有多个版本，超文件传输协议及/或类似用语意指意指至任何已知版本及/或之后开发的版本。同样值得注意的，在含意不差距太大的情况下，说明书多处可将互联网替换为超文件传输协议，只要是替换后用语后之说明书内容依然正确。
虽然请求的发明标的不会具体地限制于互联网及/或全球资讯网的范围内；尽管如此，为了说明，互联网及/或全球资讯网不受限地提供至少有用的实施例。如前所述，互联网及/或全球资讯网可包含相互操作网络的世界系统，其包含这些网络内的相互操作装置。互联网及/或全球资讯网已经进化为可供十亿人或更多人使用的独立设备。在一实施例中，就如先前所提到的，全球资讯网(WWW或Web)意指互联网中相符于超文件传输协议(HTTP)的一部分。因此，在说明书中，互联网及/或全球资讯网可包含通过使用超媒体来管理存储的数字内容(例如文字、图像、影片等)的服务。值得注意的，互联网及/或全球资讯网可使用来存储电子档案及/或电子文件。
说明书中提及的电子档案及/或电子文件意指一组存储的存储状态及/或具体信号，以致于至少理论上形成文件及/或电子档案。没有意指隐含地提及特定的语意、格式及/或使用方法，例如相关于一组存储状态及/或具体信号。如果明显地提到特定型态的归档存储格式及/或语意。更值得一提的，存储状态的结合例如可符合逻辑但不一定需要实体。因此，虽然档案及/或电子文件的信号及/或状态元部分理论上有关于存储，例如可占用实体存储器的一个或多个不同位置。
超文件标记语言(HTML)例如用来指明数字内容及/或数字内容之格式，例如数字档案及/或数字文件(例如全球资讯网的页面或网址)的格式。可延伸标记式语言(XML)也可用来指明数字内容及/或数字内容的格式，例如电子档案及/或电子文件的形式，例如全球资讯网的页面或网址。当然地，HTML及/或XML仅仅为标记语言的范例，并未作为限制条件。再者，HTML及/或XML可意指任何已知的版本及/或之后改良的版本。同样地，请求的发明标的并未被上述所提例子所局限。
在说明书中，全球资讯网的网址(Web site)及/或相似的意指全球资讯网的页面(Web page)的用语形成特定的集合。在说明书中，Web Page及/或相似用语意指了可通过网络取得的电子档案及/或电子文件，其包含通过指定一全球资源定位器(URL)以便从Web取得。在一实施例中，如上所述，Web page可包含使用一个或多个语言编码后的数字内容(例如通过电脑指令)，例如标记语言，其包含HTML及/或XML，但请求的发明标的的范围不会局限于此。在其他实施例中，程序开发者可依据JavaScript(或其他程序语言)的格式撰写编码(例如电脑指令)，例如可透过运算装置执行以提供数字内容以依据适当格式填充电子文件及/或电子档案，例如使用于特定应用，例如使用JavaScript及/或相似用语，其意指一个或多个特定的程序语言，而程序语言意指已知的版本及/或之后开发的版本。因此，JavaScript仅仅为程序语言的例子。如前所提的，请求的发明标的的范围不会局限于上述例子。
在说明书中，输入项目(entry)、电子输入项目、文件、电子文件、内容、数字内容、项目及/或类似用语意指信号及/或状态的具体格式，例如使用者可察觉经由显示、播放、触碰，及/或其他方式通过装置执行所产生的数字信号及/或数字状态格式，例如数字装置，其包含运算装置。同样地，在本说明书中，提供给使用者的数字内容，使用者能轻易地看到(例如人们消费的形式，例如听到声音、接触到物体及/或看到视讯)，其意指消费数字内容、数字内容的消费、可消费的数字内容及/或相似用语。对于一个或多个实施例，电子文件及/或电子档案可包含依据标记语言进行编码(例如电脑指令)的全球资讯网页面，且标记语言通过运算及/或网络装置来执行。在其他实施例中，电子文件及/或电子档案可包含全球资信号页面的一部分及/或一区域。然而，请求的发明标的不会局限于上述例子。
在一个或多个实施例中，电子文件及/或电子档案可包含多个元件。如先前所述，元件为具体的，但不必定是实体的。以电子文件及/或电子档案为例，可包含具体信号及/或具体状态格式的文字(例如能够具体地显示及/或维持于实体存储器内的存储状态)。典型地，存储状态例如包含实体元件，反之具体信号不必定要实体，虽然信号可变成(例如制成)实体，例如如果呈现于实体显示器是常见的。对于一个或多个实施例，有关于电子文件及/或电子档案的元件可包含图像物，例如视讯(例如数字视讯)，及/或子对象，其包含子对象的属性，还包含具体信号及/或具体状态(例如，能够实际上显示及/或维持于实体存储器内的存储状态)。在一实施例中，数字内容例如可包含文字、图像、声音、视讯、触觉内容及/或其他型态的电子文件及/或电子档案，其包含局部的电子档案。
在说明书中，参数(例如一个或多个参数)意指信号取样的收集的材料描述，例如一个或多个电子文件及/或电子档案，且以具体信号及/或具体状态的形式存在，例如存储状态。例如一个或多个意指电子文件及/或电子档案的参数包含视讯、视讯被撷取的时间、视讯撷取装置(例如照相机)的纬度和经度。在其他例子中，一个或多个有关于数字内容的参数，例如数字内容包含技术文章，例如可包含一个或多个作者。请求的发明标的意指包含有意义、描述性的任何格式的参数，只要一个或多个参数包含具体信号及/或状态，其中，具体信号及/或状态包含了参数例子、集合姓名(例如电子档案及/或电子文件识别名称)、创作技术、创作目的、创作时间和日期、逻辑路径等等，如果存储、编码的格式(例如，运算指令的形式，标记语言)及/或使用的标准及/或规范以致作为可以给一个或多个使用的相容协议(实际上兼容及/或相容)。
信号封包通讯及/或信号帧的通讯也可意指信号封包传递及/或信号帧传递(或仅有信号封包及/或信号帧)，可通讯于网络的节点之间，其中，节点可包含一个或多个网络装置及/或运算装置，例如一例子但不局限于此，一节点包含一个或多个使用局部网络地址的位置，例如在局部网络地址空间。同样地，例如一网络装置及/或一运算装置，可与结合相结合。说明书中值得一提的，用语“传递”意指可发生于各种情况下的信号通讯的型态。因此，对于传递通讯，并非意指特定方向的通讯及/或特定初始端的通讯路径。例如在说明书内容中，用语“本质上”并非意指关于一个或多个通讯的信号具有特定的含意，例如无论是否信号传递至一特定装置，无论是否信号来自一特定装置，及/或考虑通讯路径的一端为初始通讯，例如在推动型态(push type)的信号转换及/或拉动型态(pull type)的信号转换。在说明书内容中，推动型态及/或拉动型态的信号转换通过通讯路径的一端初始化信号转换来区别。
因此，信号封包及/或信号帧例如可通过通讯通道及/或通讯路径进行通讯，其中，通信号路径例如包含互联网的一部及/或全球资讯网，其地址通过耦接于互联网的存取节点来取得。同样地，信号封包及/或信号帧例如可通过网络节点发送至一个耦接于局部网络的目标地址。通过互联网及/或全球资讯网通讯的信号封包及/或信号帧可按规定路径发送，其中，所述路径例如包含有一个或多个闸道器、服务器等的推动型态路径或拉动型态路径。实际上，按规定路径发送信号封包及/或信号帧乃依据目标及/或目的位置以及网络节点的网络路径针对于目标及/或目的位置的可利用性。虽然互联网及/或全球资讯网包含可相互操作的网络，并非所有的互操作式网络必须可在市面上使用及/或取得。
在说明书的内容中，网络协议例如针对网络装置之间的通讯至少部分的特征实际上依据阶层式规范，例如具有七层网络架构的开放式系统互联通讯(OSI)方法及/或规范。网络运算及/或通讯协议(也意指网络协议)意指一套信号惯例，例如通讯传递可发生于网络装置之间及/或网络装置之中。在说明书的内容中，用语“介于..之间”及/或类似用语可以理解如果在适当的特定用途之下可包含“在…其中”，反之亦然。同样地，在说明书的内容中，用语“可相容”、“相符”且/类似用语可以理解为分别包含实质的兼容性及/或实质的相符。
网络协议的特征例如实际上依据前述的七层架构的OSI规范。这些层状架构意指网络堆迭。多种型态的通讯(例如传递)，例如网络通讯，可发生于多种层状架构之间。网络堆迭的最下层，例如称为实体层，可描绘符号如何通过实体媒介进行通讯，其中实体媒介例如一对扭曲的铜线、同轴电缆、光纤缆线、无线接口、或上述方式的组合等等。通过实质地与特定网络协议的高层相容及/或相符，可使用网络协议堆迭中的高层、附加运作及/或特性。例如，网络协议的高层可影响装置许可性、使用者许可性等等。
在一实施例中，网络及/或子网络可透过信号封包及/或信号帧进行通讯，例如通过参与数字装置并且可实质地相容及/或相符于已知及/或将来开发的版本的网络协议堆迭，但不仅限于此。其中，网络协议堆迭例如为ARCNETY、AppleTalk、ATM、Bluetooth、DECent、Ethernet、FDDI、FrameRelay、HIPPI、IEEE1394、IEEE 802.11、IEEE-488、InernetProtocol Suite、IPX、Myrinet、QsNet、RS-232、SPX、System Network Architecture、TokenRing、USB、及/或X.25。网络及/或子网络例如可使用已知版本及/或将来改良的版本的TCP/IP、UDP、DECnet、NetBEUI、IPX、AppleTalk等等。网络协议(IP)的版本可包含IPv4、IPv6及/或其他将来改良的版本。
有关网络的考量，其包含了通讯网络及/或运算网络，无线网络可与装置耦接，其中，装置包含客户装置。无线网络可使用独立(stand-alone)网络、临时(ad-hoc)网络、网状(mesh)网络、无线区域(WLAN)网络、蜂巢式网络等等。无线网络还包含一个通过无线电链(wireless radio links)将终端机、闸道器、路由器等相互耦合的系统，而上述系统可随意地、随机地移动及/或本身可任意地组织，而使得网络拓朴有时甚至可快速改变。无线网络还可使用多个网络存取技术，其中包含有LTE、WLAN、无线路由(Router)网状、2G、3G、4G、蜂巢技术等，无论是目前已知的版本及/或将来改良的版本。网络存取技术可广域地覆盖于装置，例如具有多变的迁移率的运算装置及/或网络装置。
通过无线网络存取技术及/或空中接口，网络可具备射频通讯及/或无线型态通讯的能力，其中，无线网络存取技术及/或空中接口例如为GSM、UMTS、GPRS、EDGE、LTE、LEDadvanced、WCDMA、蓝芽、UWB、IEEE 802.1(包含但不限制于IEEE 802.11b/gn)等等。无线网络可实质地包含已知及/或改良的无线通讯机制及/或无线通讯协议，通过上述机制及/或协议，信号可通讯于装置及网络之间。
在一实施例中，如图11所示，包含有一区域网络(例如装置1101、1102、1104、1109以及电脑可读取媒介1111)及/或其他型态的网络，例如运算及/或通讯网络。为了说明发明目的，因此，图11绘示一实施例的系统100，其使用任一型态或两种型态的网络。网络1108可包含一个或多个网络连接、链接、步骤、服务、应用及/或资源以辅助及/或支援通讯，例如通讯信号转换于一运算装置1102与另一运算装置1101及/或1109之间，其中运算装置例如可包含一个或多个客户运算装置及/或一个或多个服务器运算装置。透过上述例子提供的方式，但不限制于此，网络1108可包含无线及/或有线通讯链接、电话及/或电话通讯系统、Wi-Fi网络、Wi-Max网络、互联网、区域网络(LAN)、广域网络(WAN)或上述任何组合。
图11中的装置例如包含客户运算装置及/或服务器运算装置。更值得一提的，用语“运算装置”可使用来实现一控制系统，就如先前所述且至少意指一处理器以及一存储器，其中存储器通过通讯总线与处理器连接。同样地，在说明书的内容中，可理解到依据美国专利法112(f)的定义，并未暗示使用用语：存储器、存储单元、存储阵列及/或类似用语；然而，对于一些没有立即明显的理由，可以判定上述理由无法支持美国专利法112(f)，有必要使用符合法定章节的用语，其对应于结构、材料及/或执行一个或多个功能的动作，其至少阐述于图2、4、6、7、8以及对应的说明书内容。
参照图11，在一实施例中，第一装置1101和第三装置1109能够提供图形用户界面(GUI)给网络装置及/或运算装置，让使用者可使用系统。第二装置1102可具备相似功能。同样地，在图11中，第一装置1101可与第二装置1102链接，其中，第二装置1102例如可包含客户运算装置及/或服务器运算装置。在一实施例，系统还包含有处理器1104与存储器1105，其中，存储器1105可包含主存储器1106和第二存储器1107，而主存储器1106与第二存储器1107例如可通过通讯接口总线1103相互通讯。用语“运算装置”在说明书内容中，乃意指系统及/或装置，例如具备处理(例如执行运算)及/或存储数字内容的能力的运算设备，其中，数字内容例如以信号及/或状态形式呈现的电子档案、电子文件、量测数据、文字、图像、视讯、声音等。因此，在说明书的内容，运算装置可包含硬件、软件、固件或上述任一组合。第二装置1102如图11所示，仅表示一例子，请求的发明标的的范围并不限制于此例子。
在其他实施例中，运算装置例如可包含台式电脑及/或笔记本电脑、蜂巢式电话、平板电脑、穿戴装置、个人数字助理及/或任一组合，但不仅限于此。再者，除非具体指定使用其他方法，说明书中阐述的程序，例如参阅流程图，其中整体或部分也可通过运算装置及/或网络装置来执行及/或影响。例如有关运算装置及/或网络装置的能力及/或特性的用语可以改变。权利要求的范围涵盖较广的变化范围。例如，装置可包含网络功能装置，其包含有实体及/或虚拟键盘、大量存储、一个或多个加速度计、一个或多个陀螺仪、全球定位系统(GPS)及/或其他位置识别功能及/或高规格功能的显示器，例如触碰感测式彩色2D或3D显示器。
如先前所述，运算装置及/或网络装置以及无线网络之间的通讯可依照已知及/或改良的网络协议，其例如包含GSM、EDGE、802.11b/g/n/h等，及/或WiMAX。运算装置及/或网络装置也可设有SIM卡，例如包含可拆卸式或嵌入式的SIM卡，其能够存储使用者的签署内容及/或存储联络人表单。使用者可拥有自己的运算装置及/或网络装置，除此之外也为作为使用者，例如主要使用者。通过无线网络运营商、有线网络运营商、及/或ISP，可分配一地址给装置。例如地址可包含国内或国际电话号码、互联网协议(IP)地址、及/或一个或多个其他标识。在其他实施例中，运算及/或通讯网络可使用有线网络、无线网络或任一组合。
运算及/或网络装置可包含及/或执行多种已知及/或改良的作业系统、衍生工具，例如Windows、iOS、Linux、行动装置作业系统例如iOS、Android、Windows Mobile等。运算装置及/或网络装置可包含及/或执行多种可能的应用程序，例如能够与其他装置通讯的客户软件。例如，一个或多个可通过一个或多个已知或改良的协议相互通讯的讯息(例如内容)，包含通过网络适用于电子邮件的通讯、简讯服务(SMS)及/或多媒体讯息服务(MMS)。运算及/或网络装置也可包含可执行之电脑指令以处理及/或通讯数字内容，例如文字内容、数字媒体内容等。运算及/或网络装置也可包含可执行的电脑指令以执行多种可能工作，例如浏览、搜寻、播放多种型态的数字内容，其包含局部存储及/或视讯流、及/或游戏，例如梦幻运动联盟，但不仅限于此。上述例子仅说明请求保护标的意指包含合理的特性及/或功能的广大范围。
在图11中，运算装置1102可提供一个或多个可执行电脑指令的来源，其中电脑指令的来源具有物理状态及/或信号的形式(例如存储于存储状态)。运算装置1102可通过网络的连接(例如网络1108)与运算装置1101通讯。如先前所述，实体连接并非一定需要具体接触。虽然，图11的运算装置1102显示出多种类的实际、实体元件，请求保护标的并不限制于一运算装置仅具有这些实体元件，而在其他实施例中可包含可选择的配置，其中，该配置包含新增实体元件或较少实体元件，例如功能不相同但达到相似效果。然而，上述范例仅作说明使用，并非意指了请求保护标的的范围限制于所述的例子。
存储器1105可包含任何非暂态的存储机制。例如，存储器1105可包含主存储器1106与第二存储器1107，此外还可使用到存储器电路、机构或其组合。例如，存储器1105可包含随机存取存储器、仅能读取的存储器等，例如，采取一个或多个存储装置及/或系统的形式。例如，硬盘驱动包含光盘驱动、磁带驱动、固态存储器驱动等。
存储器1105可使用来存储可执行的电脑指令程序。例如，处理器1104可从存储器取得(fetch)可执行指令，且接着执行取得的指令。存储器1105也可包含存储器控制器，以便存取电脑可读取媒介1111，其中，所述电脑可读取媒介1111可携带及/或制造可存取的数字内容，其中数字内容包含了经由处理器1104及/或其他装置(例如控制器，例如能够执行电脑指令的装置)执行的程序码及/或指令。就处理器1104而论，一非暂态的存储器例如为存储物理状态(例如存储状态)的多个存储单元，其中物理状态例如包含可执行电脑指令程序，其可经由处理器1104执行且能产生可通过网络相互通讯的信号，例如先前所述的网络。所产生的信号也可存储于存储器内，就如先前所述。
例如，存储器1105可存储相关一个或多个使用者的电子档案及/或电子文件，且可包含一装置可读取媒介，其可携带及/或制造可存取内容，其包含了经由处理器1104及/或其他装置(例如控制器，例如能够执行电脑指令的装置)执行的程序码及/或指令。就如先前所述，使用于说明书中的电子档案及/或电子文件的用语意指一组存储的存储状态及/或一组物理信号，以致于形成一电子档案及/或一电子文件。并未意指隐含意指了特定的句法、格式且/使用方法，例如有关于一组联合的存储状态及/或一组联合的物理信号。更值得一提的，存储状态的联合，例如符合逻辑感，但不一定需要符合具体、实体感。因此，虽然电子档但及/或电子文件的信号及/或状态部分逻辑地相关联。在一实施例中，电子档案且/电子文件的存储例如可驻留(reside)于具体、实体存储器内一个或多个不同位置。
使用熟悉信号处理及/或相关领域的技术人员的科技用语阐述演算法及/或符号，以便将实质内容传达给其他领域的人员知晓。在说明书中，演算法通常考虑到运算顺序的一致性及/或相似的信号处理导致需要的结果。在说明书中，运算及/或处理意指物理量数量的物理量操作。典型地，虽然不是一定需要，例如数量可为能够被存储、传递、结合、比较、处理及/或操作的电信号及/或磁信号，例如可组成多种形式数字内容(例如信号量测、文字、图像、视讯、声音)的电信号及/或状态。
有时为方便证实，主要是为了共同用途的理由，意指物理量信号及/或物理量状态，例如位、数值、元件、参数、符号、字符、项目、数量、数字、量测、内容等。应该可理解的，所有这些用语及/或类似用语系关联于合适的物理量数量且仅仅为了方便标记。除非特别地指明，很明显从前述说明书的讨论，可以理解在说明书中所使用的这些用语：处理、运算、计算、判定、建立、获得、识别、选择、产生等，其可意指为具体装置的功能及/或制程，例如具体用途的电脑及/或相似具体用途的运算及/或网络装置。在说明书的内容中，特定目前的电脑及/或类似特定用途的运算及/或网络装置具备处理、操作及/或转换信号及/或状态的能力，典型上这些信号或状态的形式是为在存储器、暂存器及/或其他存储装置、处理装置及/或特定用途电脑及/或类似特定用途运算及/或网络装置的显示装置内的物理量电数量及/或磁数量。在说明书内容中，如先前所述，用语“特定装置”包含了用途的运算及/或网络装置，例如一般用途的电脑，曾经被编程以执行特定功能，例如依据软件指令程序。
在一些情况下，存储装置的运作，例如二进制的状态由1改变为0，反之亦然，以及例如物理量转换。通过存储装置的特定类型，例如物理量转换可包含物品转换至不同的状态或物品。例如但不局限于此，对于一些型态的存储装置，状态的改变可包含充电及/或放电。同样地，在其他存储装置中，状态的改变可包含物理量改变，例如磁性方向的转换。同样地，物理量改变可包含分子结构的转换，例如从晶质型态转换为非晶质型态，或反之亦然。在其他存储装置中，物理量的改变可包含量子机械现象，例如迭加(superposition)、缠结(entanglement)等等，例如可包含量子位(量子比特)。前述的内容并非已列出所有在存储器内状态转换(由0转换至1，反之亦然)的范例，例如物理量转换，并非非暂态。
再度参照图11，处理器1104可包含一个或多个电路，例如数字电路，以便执行至少一部分的运算程序及/或步骤。通过此例子的方式，但不局限于此，处理器1104可包含一个或多个处理器，例如控制器、微处理器、微控制器、特殊应用集成电路、数字信号处理器、可程序逻辑装置、现场可程序化闸阵列或其组合。在多个其他实施例中，处理器1104可执行信号处理、典型地大致依据取得的可执行电脑指令，例如操作信号及/或状态，或构建信号及/或状态等等。使得产生的信号及/或状态可通讯及/或存储于存储器内。
在图11中，第二装置1102包含有输入/输出装置1110，所以信号及/或状态可适当地通讯于多个装置之间，例如第二装置1102与输入装置及/或第二装置1102与输出装置。使用者可使用输入装置，例如电脑鼠标、触控笔、轨迹球、键盘及/或同样具备有接收使用者的指示及/或动作的输入信号的类似装置。同样地，使用者使用输出装置，例如显示器、打印机及/或同样具备提供信号及/或产生刺激于使用者的其他装置，其中刺激例如视觉刺激、声音刺激及/或类似刺激。
在前述说明书中，已揭示请求保护标的的多种层面。为了明确地阐述，例如先前已提及的数量、系统及/或架构，在其他例子中，可省略及/或简化已知特征且不至于使请求保护的标的不明显。当这些特征已经阐述及/或揭露于说明书时，在熟悉本发明领域中可发生修改、替换、改变及/或等效。因此，可理解的是悬而未决的权利要求意指涵盖所有修改及/或改变，均落入请求保护标的的范围内。

Claims (23)

1.一种铁电存储元件，包括：
一铁电材料的存储单元，包含：
至少一字线；
至少一位线；
其中该至少一字线与该至少一位线与该存储单元相耦接，以致于在该存储单元产生一电压信号电平差，该存储单元还包含一铁电电容，通过产生于该存储单元的足够高的相反极性的电压信号电平差，可使得该存储单元能切换至相反极性；除非所产生的电压信号电平差超过所述铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；
其中该至少一字线的电压电平可在一字线第一电平、一字线中间电平、以及一字线第二电平之中的任两个电压电平间进行切换；该字线第一电平高于该字线中间电平，而该字线中间电平高于该字线第二电平；
其中该至少一位线的电压电平可在一位线第一电平、一位线中间电平、以及一位线第二电平之中的任两个电压电平间进行切换；该位线第一电平高于该位线中间电平，而该位线中间电平高于该位线第二电平；
其中当一第一二进制信号值状态准备被写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平以及该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的一个极性；或是
当一第二二进制信号值状态准备被写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第二电平以及该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第一电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的另一极性。
2.如权利要求1所述的铁电存储元件，其中该至少一字线的切换方式不随准备被写入的该第一或第二二进制信号值状态而改变。
3.如权利要求1所述的铁电存储元件，其中从该存储单元中读取事先写入的二进制信号值状态会造成该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至位线第二电平、以及造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值；其中，当事先已写入的二进制信号值状态准备被从该存储单元中读取时，会造成该至少一位线的电压产生浮动。
4.如权利要求3所述的铁电存储元件，更包括一感测放大器，该感测放大器耦接于该存储单元以感测该至少一位线的二进制信号值状态，事先已写入的二进制信号值状态准备被从该存储单元中被读取时，会造成该至少一位线浮动。
5.如权利要求4所述的铁电存储元件，其中当事先已写入的二进制信号值状态从该存储单元中准备被读取时，会造成该至少一位线浮动，当该至少一位线的二进制信号值状态准备被写回至该存储单元时，会造成该至少一字线的电压从该字线第一电平切换至该字线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值。
6.如权利要求1所述的铁电存储元件，更包括一感测放大器，当事先已写入的二进制信号值状态准备从该存储单元中被读取时，会造成该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第二电平，以及会造成该至少一位线电压信号电平脱离耦合于该至少一位线，以及造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差的电平高于该矫顽电压电平，以及可导致该感测放大器与该存储单元相耦接以便感测该至少一位线的二进制值状态。
7.如权利要求6所述的铁电存储元件，其中当事先已写入的二进制信号值状态从该存储单元中准备被读取之后，会造成该至少一位线的电压的浮动，该二进制信号值状态将由该感测放大器所感测以写回至该存储单元。
8.如权利要求1所述的铁电存储元件，其中该存储单元包含有一第一铁电电容以及一第二铁电电容，其中该第一铁电电容与该第二铁电电容两者皆耦接于该至少一字线，其中该至少一位线包含一第一位线以及一第二位线，该第一位线与该第一铁电电容耦接，该第二位线与该第二铁电电容耦接，该至少一字线以及该至少两条位线分别耦接于该存储单元，以致于在该存储单元上产生至少一电压信号电平差；
其中当一第一二进制信号值状态准备写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平、以及会造成该第一位线的电压以及该第二位线的电压从该位线中间电平分别切换至该位线第二电平以及该位线第一电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值；或者
当一第二二进制信号值状态准备写入至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第二电平、以及会造成该第一位线的电压以及该第二位线的电压可从该位线中间电平分别切换至该位线第一电平以及该位线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值。
9.如权利要求8所述的铁电存储元件，其中当事先已写入的二进制信号值状态从该存储单元中准备被读取时，会造成该第一位线的电压以及该第二位线的电压从该位线中间电平分别切换至该位线第二电平，以及会造成该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平，从而产生于该存储单元的至少一铁电电容的该至少一电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值，其中当事先已写入的二进制信号值状态准备从该存储单元中被读取时，会导致该至少两条位线浮动。
10.如权利要求9所述的铁电存储元件，更包括一感测放大器，该感测放大器耦接于该存储单元以感测该至少两条位线的一电压信号电平差，当该二进制信号值状态从该存储单元中准备被读取时，会造成该至少两条位线浮动。
11.如权利要求9所述的铁电存储元件，其中当该二进制信号值状态再度从该存储单元中准备被读取之后，会造成该至少两条位线浮动，该二进制值状态准备被写回至该存储单元中时，会造成该至少一字线的电压从该字线第一电平切换至该字线第二电平，从而产生于该存储单元的两个铁电电容中的至少一铁电电容的至少一电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值。
12.如权利要求10所述的铁电存储元件，其中该感测放大器嵌入于一静态随机存取存储器(SRAM)单元内，从而该铁电存储单元与该静态随机存取存储器单元之一组合包含一非挥发性的静态随机存取存储器(NV-SRAM)单元。
13.如权利要求12所述的铁电存储元件，其中该非挥发性的静态随机存取存储器单元能于该存储单元与该静态随机存取存储器之间传输多个存储状态。
14.如权利要求13所述的铁电存储元件，其中该非挥发性静态随机存取存储器单元具备在电源消失前或者电源消失期间存储该静态随机存取存储器单元的内容的功能。
15.如权利要求14所述的铁电存储元件，其中该非挥发性静态随机存取存储器单元具备在电源重新恢复之时或之后从该铁电存储单元叫回功能。
16.如权利要求13所述的铁电存储元件，其中该非挥发性静态随机存取存储器单元具备在一静态随机存取存储器的写入动作之后或者一静态随机存取存储器的写入动作期间存储该静态随机存取存储器单元的内容的功能。
17.一种铁电存储元件，包括：
一铁电材料的存储单元，包含：
至少一字线；
至少一位线；
其中该至少一字线与该至少一位线与一存储单元相耦接，以致于在该存储单元产生一电压信号电平差，该存储单元包含一使用铁电材料的铁电电容，通过产生于该存储单元上的足够高的相反极性的电压信号电平差，可使得该存储单元的极性切换至一相反极性，除非所产生的电压信号电平差超过该铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；
当已存储的二进制信号值状态准备从该存储单元被读取时，会造成该至少一位线的电压从一位线中间电平切换至一位线第二电平，该位线中间电平高于该位线第二电平；以及会造成该至少一字线的电压从一字线中间电平切换至一字线第一电平，该字线第一电平高于该字线中间电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值；以及该已存储的二进制信号值状态准备从该存储单元中被读取时，会造成该至少一位线的浮动。
18.一种操作一铁电存储元件的方法，包括：
写入一二进制信号值状态至一使用铁电材料的存储单元，该存储单元具有至少一字线以及至少一位线，该至少一字线与该至少一位线与该存储单元相耦接，通过产生于该存储单元上足够高的相反极性的电压信号电平差，可使得该存储单元的极性切换至一相反极性；除非所产生的电压信号电平差超过该铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；
将该至少一字线的电压从一字线中间电平切换至一字线第一电平，该字线第一电平高于该字线中间电平；
将该至少一位线的电压从一位线中间电平切换至一位线第二电平之时，该位线中间电平高于该位线第二电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值并且具有两个极性中的一个极性；或者
将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至一字线第二电平，该字线中间电平高于该字线第二电平，当将该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至一位线第一电平时，该位线第一电平高于该位线中间电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值且具有两个极性中的另一极性。
19.如权利要求18所述的方法，更包括：
将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平后，将该至少一字线的电压从该字线第一电平切换至该字线第二电平。
20.如权利要求18所述的方法，其中将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第二电平的步骤包含有：
将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平；以及
将该至少一字线的电压从该字线第一电平切换至该字线第二电平。
21.如权利要求18所述的方法，更包括：
将该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第二电平，当浮动该至少一位线电压信号电平时，将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平；以及
感测该至少一位线电压信号电平以读取事先写入的二进制信号值状态。
22.如权利要求19所述的方法，更包括：
将该至少一字线的电压从该字线第一电平切换至该字线第二电平；以及
将该至少一字线的电压从该字线第二电平切换至该字线中间电平。
23.一种操作一铁电存储元件的方法，包括：
从一使用极性的铁电材料的存储单元读取一已存储的二进制信号值状态，该存储单元具有至少一字线以及至少一位线，该至少一字线与该至少一位线与该存储单元相耦接，通过产生于该存储单元上足够高的相反极性的电压信号电平差，可使得该存储单元的极性切换至一相反极性；除非所产生的电压信号电平差超过该铁电材料的矫顽电压信号电平值，否则该存储单元的极性不会改变；
将该至少一位线的电压从该位线中间电平切换至该位线第二电平，其中该位线中间电平高于该位线第二电平；
将该至少一字线的电压从该字线中间电平切换至该字线第一电平，其中该字线第一电平高于该字线中间电平，从而产生于该存储单元的电压信号电平差超过该矫顽电压信号电平值；
浮动该至少一位线电压信号电平；以及
感测已浮动的该至少一位线电压信号电平。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10109350B2 (en) 2016-07-29 2018-10-23 AP Memory Corp., USA Ferroelectric memory device
US10622070B2 (en) 2016-07-29 2020-04-14 AP Memory Corp, USA Ferroelectric memory device
US10153020B1 (en) 2017-06-09 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Dual mode ferroelectric memory cell operation
US10529410B2 (en) 2017-12-18 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Techniques for accessing an array of memory cells to reduce parasitic coupling
US10762944B2 (en) 2017-12-18 2020-09-01 Micron Technology, Inc. Single plate configuration and memory array operation
US10529401B2 (en) * 2018-05-04 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Access line management for an array of memory cells
US10896713B2 (en) 2018-05-04 2021-01-19 Micron Technology, Inc. Access line management for an array of memory cells
US11017831B2 (en) 2019-07-15 2021-05-25 Micron Technology, Inc. Ferroelectric memory cell access
CN113689904A (zh) 2020-07-03 2021-11-23 长江存储科技有限责任公司 用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法
US11335391B1 (en) * 2020-10-30 2022-05-17 Ferroelectric Memory Gmbh Memory cell arrangement and method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5373463A (en) * 1993-07-06 1994-12-13 Motorola Inc. Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments
CN1637933A (zh) * 2003-12-11 2005-07-13 因芬奈昂技术股份有限公司 印记抑制电路方案
CN1637932A (zh) * 2003-12-25 2005-07-13 精工爱普生株式会社 铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法
CN1669146A (zh) * 2002-07-23 2005-09-14 松下电器产业株式会社 铁电门器件
KR20070027533A (ko) * 2004-06-23 2007-03-09 산요덴키가부시키가이샤 메모리
CN103026414A (zh) * 2010-06-11 2013-04-03 拉迪安特技术公司 由铁电电容器控制的可变阻抗电路

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2736880A (en) 1951-05-11 1956-02-28 Research Corp Multicoordinate digital information storage device
US5350705A (en) * 1992-08-25 1994-09-27 National Semiconductor Corporation Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure
US6198652B1 (en) * 1998-04-13 2001-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor integrated memory device
US6492222B1 (en) * 1999-12-22 2002-12-10 Texas Instruments Incorporated Method of dry etching PZT capacitor stack to form high-density ferroelectric memory devices
US6576546B2 (en) * 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
KR100368133B1 (ko) * 2000-03-28 2003-01-15 한국과학기술원 메모리 셀 정보 저장 방법
US6924997B2 (en) * 2000-09-25 2005-08-02 Symetrix Corporation Ferroelectric memory and method of operating same
US6828161B2 (en) * 2001-12-31 2004-12-07 Texas Instruments Incorporated Method of forming an FeRAM having a multi-layer hard mask and patterning thereof
US6972983B2 (en) * 2002-03-21 2005-12-06 Infineon Technologies Aktiengesellschaft Increasing the read signal in ferroelectric memories
US6847047B2 (en) * 2002-11-04 2005-01-25 Advanced Micro Devices, Inc. Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices
JP4572361B2 (ja) * 2003-03-28 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリならびに圧電素子
US6841396B2 (en) * 2003-05-19 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated VIA0 etch process for FRAM integration
US6984857B2 (en) * 2003-07-16 2006-01-10 Texas Instruments Incorporated Hydrogen barrier for protecting ferroelectric capacitors in a semiconductor device and methods for fabricating the same
JP2005085332A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Seiko Epson Corp 強誘電体記憶装置、その駆動方法及び駆動回路
JP4316358B2 (ja) * 2003-11-27 2009-08-19 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100527537B1 (ko) * 2003-12-22 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 직렬 다이오드 셀 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치
US20050145908A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Moise Theodore S.Iv High polarization ferroelectric capacitors for integrated circuits
US20050199924A1 (en) * 2004-03-10 2005-09-15 Fox Glen R. Optimized ferroelectric material crystallographic texture for enhanced high density feram
WO2005091301A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Fujitsu Limited 強誘電体メモリ
KR100781737B1 (ko) * 2004-07-22 2007-12-03 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 쌍안정 저항값 취득장치 및 그 제조방법과 금속 산화물박막 및 그 제조방법
JP4371005B2 (ja) * 2004-08-12 2009-11-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20060049435A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Spansion, Llc Vertical JFET as used for selective component in a memory array
US20060073613A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-06 Sanjeev Aggarwal Ferroelectric memory cells and methods for fabricating ferroelectric memory cells and ferroelectric capacitors thereof
US7180141B2 (en) * 2004-12-03 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric capacitor with parallel resistance for ferroelectric memory
US7085150B2 (en) * 2004-12-20 2006-08-01 Texas Instruments Incorporated Methods for enhancing performance of ferroelectic memory with polarization treatment
JP4756915B2 (ja) * 2005-05-31 2011-08-24 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 強誘電体メモリ装置及びその製造方法
JP5010121B2 (ja) * 2005-08-17 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7982252B2 (en) * 2006-01-27 2011-07-19 Hynix Semiconductor Inc. Dual-gate non-volatile ferroelectric memory
US7336532B2 (en) * 2006-05-12 2008-02-26 Elite Semiconductor Memory Method for reading NAND memory device and memory cell array thereof
JP2008071440A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置及びその制御方法
JP4207077B2 (ja) * 2006-10-02 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 強誘電体メモリ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP4901459B2 (ja) * 2006-12-26 2012-03-21 株式会社東芝 半導体記憶装置
WO2008111188A1 (ja) * 2007-03-14 2008-09-18 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置及びその製造方法
US7875529B2 (en) * 2007-10-05 2011-01-25 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices
JP2009205752A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Toshiba Corp 強誘電体記憶装置
US8570812B2 (en) 2011-08-23 2013-10-29 Texas Instruments Incorporated Method of reading a ferroelectric memory cell
US9558804B2 (en) * 2014-07-23 2017-01-31 Namlab Ggmbh Charge storage ferroelectric memory hybrid and erase scheme
US9460770B1 (en) * 2015-09-01 2016-10-04 Micron Technology, Inc. Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells
US10109350B2 (en) 2016-07-29 2018-10-23 AP Memory Corp., USA Ferroelectric memory device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5373463A (en) * 1993-07-06 1994-12-13 Motorola Inc. Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments
CN1669146A (zh) * 2002-07-23 2005-09-14 松下电器产业株式会社 铁电门器件
CN1637933A (zh) * 2003-12-11 2005-07-13 因芬奈昂技术股份有限公司 印记抑制电路方案
CN1637932A (zh) * 2003-12-25 2005-07-13 精工爱普生株式会社 铁电存储装置、电子设备、以及驱动方法
KR20070027533A (ko) * 2004-06-23 2007-03-09 산요덴키가부시키가이샤 메모리
CN103026414A (zh) * 2010-06-11 2013-04-03 拉迪安特技术公司 由铁电电容器控制的可变阻抗电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《F-RAMTM Technology Brief》;Cypress SEmiconductor Corp.;《WHITE PAPER》;20160630;正文第2至3页，图4、6a-6c *

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