JP3632334B2 - ウェーハ洗浄装置 - Google Patents

ウェーハ洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3632334B2
JP3632334B2 JP31530596A JP31530596A JP3632334B2 JP 3632334 B2 JP3632334 B2 JP 3632334B2 JP 31530596 A JP31530596 A JP 31530596A JP 31530596 A JP31530596 A JP 31530596A JP 3632334 B2 JP3632334 B2 JP 3632334B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
air
pressure
cylinders
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31530596A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09186124A (ja
Inventor
景 碩 ▲黄▼
準 揆 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH09186124A publication Critical patent/JPH09186124A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3632334B2 publication Critical patent/JP3632334B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/14Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with oscillating elements; with intermittent operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェーハ洗浄装置に係り、より詳しくはウェーハに噴射ノズルにより洗浄液を噴射し洗浄を行うウェーハ洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来半導体の製造工程中には、いろいろな工程を経ることにより引き起される有機物質や埃等の汚染物質が所定の工程で処理中にウェーハの表面に付着することを防ぐためウェーハの洗浄作業を行っている。
従来、ウェーハの洗浄作業は主に有機物質やイオン性の汚染物を1次処理として硫酸(HSO)と過酸化水素(H)とを混合した溶液等によって洗浄した後にウェーハの表面に付着している酸もしくはアルカリを脱イオン水(Deionized Water)により洗い落とす。
【0003】
脱イオン水の濯ぎの効果を高めるための方法として、例えば脱イオン水を洗浄槽に一杯に充填させ一度に洗浄するフリーリンス(Free Rince)方式、脱イオン水と窒素(N)ガスとが一緒に排出されるようにしてウェーハに付着している埃などを容易に除去できるようにするダンプリンス(Dump Rince)方式、または流水内にウェーハを挿入するポストリンス(Post Rince)方式等を順に実行している。
ここで、ウェーハに付着している化学薬品(chemical)等の汚染物質を最も迅速、かつ、きれいに洗浄することができる方式としてQDR(Quick Dumping Rince)方式がある。この種の方式としては特開平4−336430号公報に記載がある。
【0004】
図2は、従来のウェーハ洗浄装置の主要部を示した上面図である。図2に示すようにQDRの洗浄槽を具備した従来のウェーハ洗浄装置10には、ウェーハ(図示せず)を設置させて脱イオン水と窒素(N)ガスとによって洗浄する容器状の洗浄槽2が設けてあり、この洗浄槽2の対向する両側上部に沿って一定の間隔で取り付けられ脱イオン水を高圧に噴射する複数個の噴射ノズル4が具備されている。また、脱イオン水と窒素ガスとを供給または排出できるように洗浄槽2の底面に一定の間隔で複数個の出入孔6が配列されている。
【0005】
このように構成されている従来のウェーハ洗浄装置10を使用する場合、まず汚染物質が付着しているウェーハ(図示せず)を洗浄槽2の中央部に設置させた後、洗浄槽2の底面に設けた出入孔6を通して脱イオン水と窒素ガスとを流入させる。これにより1次処理としてウェーハ(図示せず)に付着している汚染物を洗浄する。
次に、脱イオン水と窒素とを出入孔6を介して排出する。この過程において、浸漬されていたウェーハが外部へ露出されるとともに2次処理として噴射ノズル4から脱イオン水が高圧に噴射され汚染物を洗浄する。
このように従来の装置は、脱イオン水と窒素(N)とを利用して上述のようなサイクルの動作を3回〜5回程、反復して実施することによりウェーハに付着した汚染物質を洗浄していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のウェーハ洗浄装置は噴射ノズルが洗浄の際に一定の方向に固定されているため、ウェーハ上に洗浄液が噴射されない部分が出来てしまう不具合があった。
このようなウェーハが充分に洗浄されない場合、洗浄処理によるウェーハの品質が低下し生産効率も低下してしまう不具合があった。
また、噴射ノズルから排出される洗浄液の噴射圧力が低下してしまうと必然的に洗浄の効果が得られなくなる不具合があった。
さらに一様な洗浄サイクルを数回反復する洗浄処理において、ウェーハが充分に洗浄されない場合、そのウェーハを充分に洗浄するため洗浄の所要時間が長くなり生産性が低下してしまうという不具合があった。
本発明はこのように従来技術の問題を解決し、噴射ノズルにより常にウェーハ全体に洗浄液を供給できるように改善することで、ウェーハのクリーニングを短時間内に一様で均等に実行することができるウェーハ洗浄装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、ウェーハを設置させ洗浄することができ洗浄液を供給および排出可能な多数の出入孔を有する洗浄槽、この洗浄槽の対向する両端上部に設けた略円筒状のノズル固定管に所定の間隔を置いて装着し高圧により洗浄液を噴射する多数の噴射ノズル、このノズル固定管の一端に装着され高圧の空気の供給および排出により回動し噴射ノズルを所定の噴射角度に設定可能な回動手段とを具備し、回動手段、略箱状の本体を設けこの本体内を密閉し高圧の空気が出入する空気出入管を備えこの空気出入管と連設し本体内に二つ配列させ設けた一対のシリンダと、空気出入管から出入する空気圧により駆動するピストンを一対のシリンダ内に各々設けこのピストンに装着するラック部材と、一対のシリンダ内のピストンに各々設けたラック部材の間に合い噛み合うとともにノズル固定管と結合するピニオンシャフトとを設ける
【0008】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明によるウェーハ洗浄装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態によるウェーハ洗浄装置の主要部を示した上面図である。
図1に示すように、本発明の実施形態によるウェーハ洗浄装置100は、中央部にウェーハ(図示せず)を設置させ、脱イオン水と窒素(N)液などの洗浄液とによって洗浄することができる容器状の洗浄槽20が設けてあり、この洗浄槽20の底面には洗浄液を供給および排出可能にするため多数の出入孔22が形成されている。
【0009】
また洗浄槽20の対向する両側上部には、略円筒状のノズル固定管32が配設されており、このノズル固定管32には噴射ノズル30が対向する両側に沿って複数装着されている。
ノズル固定管32の一端には、このノズル固定管32とノズル固定管32に設けた噴射ノズル30とを所定の角度に回動することができる回動手段40が連設されている。
【0010】
図3は、図1に示すウェーハ洗浄装置の回動手段を側面から見た断面図である。また、図4は、図3に示す回動手段に噴射ノズルを装着し側面から見た断面図である。
図3および図4に示すように、回動手段40の外部は略箱状で密閉されたハウジング41から構成され、このハウジング41の内部は隔壁42により分割されたシリンダ43、44を具備している。
またハウジング41の側面には、シリシダ43、44と空気圧縮機(図示せず)とを連通するために空気出入管41a、41bが設けられており、この空気出入管41a、41bを通して出入する空気はシリンダ43、44に交互に出入するようにソレノイドバルブ(図示せず)によって調節される。
【0011】
またシリンダ43、44内には、圧縮された空気が流入され空気圧によって水平に作動するピストン45、46が装着されている。
ピストン45、46には、空気出入管41a、41bにより空気圧が供給される側面と、このピストン45、46の空気圧による動作と連動するラック部材47、48が装着された側面とがある。
図3に示すように、隔壁42の略中央部にはピニオンシャフト49が設けられており、このピニオンシャフト49の両側面にはラック部材47、48が対向し噛み合って設けられている。
また図4に示すようにピニオンシャフト49は、ノズル固定管32の一端に固定され、ラック部材47、48の往復運動と連動しノズル固定管32を所定の角度に回転させる。
【0012】
このような構成による本発明のウェーハ洗浄装置100を使用する場合、図2および図4に示すように、洗浄槽20内にウェーハ(図示せず)を設置させた後、洗浄槽20の底面に設けた出入孔22を通して洗浄液、例えば脱イオン水と窒素液等とを流入させ、ウェーハが浸漬する程度に流入させる。これはウェーハに付着している化学薬品等の不純物を1次処理として、ある程度希釈させるためのものである。
1次処理が終了後、洗浄槽20の底面に設けた出入孔22を通して脱イオン水と窒素液とを排出する。このとき、ウェーハ(図示せず)が洗浄液内から外部へ露出する際に、空気圧縮機(図示せず)を作動させると、この空気圧縮機から高圧の空気が回動手段40の空気出入管41aを通してシリンダ43に流入される。このように流入された空気の圧力によってピストン45およびラック部材47が押出されると、ラッグ部材47と噛み合ったピニオンシャフト49が反時計方向に回転される。
【0013】
しかし、他方のシリンダ44内に設けられているピストン46およびラック部材48は、ラック部材47と反対の方向に押出され、シリンダ44内に既に流入されていた高圧の空気が空気出入管41bを通して外部に排出される。
その後、空気出入管41bを介してシリンダ44内に空気が流入され、この空気圧によってピストン46およびラック部材48が内側に押されると、ラック部材48と噛み合っているピニオンシャフト49が時計回り方向に回転する。
このように空気出入管41a、41bを通して交互に流入および排出される空気の圧力によってラック部材47、48が互いに交差しながら往復作動する。この往復作動に連動しピニオンシャフト49が時計方向または反時計方向に回転する。
また空気圧縮機(図示せず)より供給される空気は、シリンダ43、44内に空気を交互に流入および流出するようにソレノイドバルブ(図示せず)を設け制御している。
【0014】
したがって、ピニオンシャフト49に連結されているノズル固定管32は、ピニオンシャフト49の回転動作と連動し回動するように固設されている。このノズル固定管32に設けた噴射ノズル30は、ノズル固定管32の回転と連動し回転することで所定の角度に噴射角度を調節できるよう設けてある。
このように噴射ノズル30から脱イオン水などの洗浄液を噴射させることによって2次処理の洗浄が行われる。これは、ウェーハに付着している汚染物を洗い流すとともに外部に露出されるウェーハの露出部に汚染物が再び付着するのを防ぐためのものである。
【0015】
【発明の効果】
このように本発明の実施形態によるウェーハ洗浄装置によれば、噴射ノズルを回動可能にしウェーハに洗浄液を噴射するすることにより、洗浄工程においてウェーハの品質を低下させるこなく生産ができるとともに、生産効率を向上させることができる。
また、噴射ノズルの噴射範囲を、例えば少なくとも45°から90°の角度に自由に回転することで、実際には90°よりもっと広い範囲の洗浄効果を得ることができる。
また、噴射ノズルから排出される洗浄液の噴射圧力が低下しても噴射ノズルを回転させ洗浄することにより効率よく洗浄することができる。
さらに、ウェーハの洗浄を広範囲で効果的に行えるため、洗浄工程の所要時間を短縮することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態によるウェーハ洗浄装置の主要部を示した上面図。
【図2】従来のウェーハ洗浄装置の主要部を示した上面図。
【図3】図1に示すウェーハ洗浄装置の回動手段を側面から見た断面図。
【図4】図3に示す回動手段に噴射ノズルを装着し側面から見た断面図。
【符号の説明】
20 洗浄槽
22 出入孔
30 噴射ノズル
32 ノズル固定管
40 回動手段
100 ウェーハ洗浄装置

Claims (1)

  1. ウェーハを設置させ洗浄することができるように洗浄液を供給および排出可能な多数の出入孔を有する洗浄槽と、
    前記洗浄槽の対向する両端上部に設けた略円筒状のノズル固定管に所定の間隔を置いて装着され、高圧により洗浄液を噴射することができるように多数設けた噴射ノズルと、
    前記ノズル固定管の一端に装着され高圧の空気の供給および排出により回動し噴射ノズルを所定の噴射角度に設定可能な回動手段とを具備し
    前記回動手段は、略箱状の本体を有し、この本体内を密閉し高圧の空気が出入する空気出入管を備え、この空気出入管と連設し前記本体内に配列させ設けた一対のシリンダと、
    前記空気出入管から出入する空気圧により駆動するピストンを前記一対のシリンダ内に各々設け、このピストンに装着するラック部材と、
    前記一対のシリンダ内のピストンに各々設けた前記ラック部材の間に合い噛み合うとともに、前記ノズル固定管と結合するピニオンシャフトとからなることを特徴とするウェーハ洗浄装置。
JP31530596A 1995-12-29 1996-11-26 ウェーハ洗浄装置 Expired - Fee Related JP3632334B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1995P-65736 1995-12-29
KR1019950065736A KR0170214B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09186124A JPH09186124A (ja) 1997-07-15
JP3632334B2 true JP3632334B2 (ja) 2005-03-23

Family

ID=19447144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31530596A Expired - Fee Related JP3632334B2 (ja) 1995-12-29 1996-11-26 ウェーハ洗浄装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5901716A (ja)
JP (1) JP3632334B2 (ja)
KR (1) KR0170214B1 (ja)
TW (1) TW304900B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6199568B1 (en) * 1997-10-20 2001-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
TW471010B (en) 2000-09-28 2002-01-01 Applied Materials Inc Wafer cleaning equipment
US7371467B2 (en) * 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
KR100692125B1 (ko) * 2003-10-30 2007-03-12 현대자동차주식회사 무단 변속기의 벨트 윤활 제어장치
DE102005015758A1 (de) * 2004-12-08 2006-06-14 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von in einer Ätzlösung aufgenommenen Substraten
JP2007229614A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄方法および製品の製造方法
JP4705517B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR100962520B1 (ko) * 2008-05-29 2010-06-14 세메스 주식회사 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN102569010B (zh) * 2010-12-22 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆清洗装置
US9175392B2 (en) * 2011-06-17 2015-11-03 Intermolecular, Inc. System for multi-region processing

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1927665A (en) * 1926-11-19 1933-09-19 Ind Improvements Inc Dishwashing machine
US2725064A (en) * 1950-03-16 1955-11-29 William J Tamminga Can washer
US3178117A (en) * 1963-05-17 1965-04-13 Gen Motors Corp Dishwashing oscillating spray tube
CH447499A (de) * 1967-04-12 1967-11-30 Ed Hildebrand Fa Ing Geschirrwaschmaschine
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
SU782894A1 (ru) * 1979-01-17 1980-11-30 Черкасский Проектно-Конструкторский Технологический Институт Установка дл мойки изделий
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
DE3731410A1 (de) * 1987-09-18 1989-04-06 Duerr Gmbh & Co Verfahren und anlage zum flutwaschen
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0689889A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Fujitsu Ltd ウェハ洗浄装置
US5378308A (en) * 1992-11-09 1995-01-03 Bmc Industries, Inc. Etchant distribution apparatus
US5437296A (en) * 1994-06-07 1995-08-01 Pure Oil Engineering & Consultants Company Self-contained mobile heat exchange tube bundle cleaning device
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
US5547247A (en) * 1994-08-16 1996-08-20 Burns Aerospace Corporation Passenger tray table with ingress/egress position
US5657927A (en) * 1995-03-23 1997-08-19 Brown International Corporation Fruit processing machine

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09186124A (ja) 1997-07-15
KR0170214B1 (ko) 1999-03-30
TW304900B (en) 1997-05-11
KR970052696A (ko) 1997-07-29
US5901716A (en) 1999-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3632334B2 (ja) ウェーハ洗浄装置
KR100226548B1 (ko) 웨이퍼 습식 처리 장치
JP3286539B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
CN107088487B (zh) 一种化学涂料混合喷涂一体化设备
US5707457A (en) Apparatus and process for spray rinsing chemically treated articles
KR100337448B1 (ko) 가스 용해수 제조장치 및 가스 용해수 제조 방법 그리고 세정장치
KR20080047670A (ko) 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법
CN105841438A (zh) 降低夹持磨损的试剂瓶干燥系统
CN108722935A (zh) 一种具有水循环功能的钢带清洗设备
CN210752584U (zh) 阿哌沙班中间体高精度新型纯化装置
CN113319056A (zh) 一种半导体铝合金零部件用超高洁净处理装置
CN220092349U (zh) 一种震动式自动清洗装置
JPS62119543A (ja) 半導体製造装置
CN217474232U (zh) 一种晶圆测试用预清洗装置
CN115445356A (zh) 一种电子级硫酸车间尾气处理装置及使用方法
KR200241406Y1 (ko) 반도체웨이퍼의 린스장치
KR101317252B1 (ko) 웨이퍼 세정시스템
CN214813417U (zh) 一种酸碱混合全自动洗瓶机
CN212492119U (zh) 一种耐腐蚀性洗涤塔
CN112355000B (zh) 一种医药用瓶头内残渣清洗设备
CN118179194A (zh) 废气处理喷淋洗涤喷淋塔
CN210386877U (zh) 一种纤维化学浸泡洗涤罐
JPH03246939A (ja) 洗浄乾燥装置
JP4294271B2 (ja) 電子材料用洗浄水製造装置及び該洗浄水の製造方法
KR930000402Y1 (ko) 튜브의 고효율 세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees