KR0170214B1 - 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0170214B1
KR0170214B1 KR1019950065736A KR19950065736A KR0170214B1 KR 0170214 B1 KR0170214 B1 KR 0170214B1 KR 1019950065736 A KR1019950065736 A KR 1019950065736A KR 19950065736 A KR19950065736 A KR 19950065736A KR 0170214 B1 KR0170214 B1 KR 0170214B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cleaning apparatus
drive unit
unit
wafer cleaning
Prior art date
Application number
KR1019950065736A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970052696A (ko
Inventor
황경석
이준규
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950065736A priority Critical patent/KR0170214B1/ko
Priority to TW085111287A priority patent/TW304900B/zh
Priority to JP31530596A priority patent/JP3632334B2/ja
Priority to US08/768,709 priority patent/US5901716A/en
Publication of KR970052696A publication Critical patent/KR970052696A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0170214B1 publication Critical patent/KR0170214B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/14—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with oscillating elements; with intermittent operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

본 발명은 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 웨이퍼의 클리닝을 짧은 시간 내에 완벽하게 실행할 수 있는 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치는 압축된 공기가 주입되는 공기 주입부와, 상기 공기 주입부에 주입된 공기에 의해 좌우 운동하는 수평 구동부와, 상기 수평 구동부의 좌우 운동에 의해 상하 운동하는 수직 구동부와, 상기 수평 구동부와 수직 구동부에 연결되어 상하 좌우 교반 운동을 하면서 탈 이온수를 분사하는 분사부로 구성됨을 특징으로 한다.

Description

교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치
제1도는 선행 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
제2도는 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
제3도는 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치의 교반기를 개략적으로 도시한 정 단면도.
제4도는 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치의 교반기에 분사 노즐이 장착된 모습을 개략적으로 도시한 정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 세정조 40 : 분사 노즐
60 : 출입공 80 : 교반기
82 : 공기 주입구 84 : 수평 구동부
85 : 레크 86 : 수직 구동부
100 : 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치
본 발명은 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 클리닝을 짧은 시간 내에 완벽하게 실행할 수 있는 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
제1도는 선행 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치를 개략적으로 도시한 평면도로서, 제1도를 참조하면, 종래의 웨이퍼 세정 장치(10)는, 격자 형상으로 형성되어 있는 세정조(2)와, 상기 세정조(2)의 양 종축 상단부에 일정간격으로 부착되어 탈 이온수를 분사하는 복수 개의 분사 노즐(4)과, 탈 이온수와 질소액을 공급 또는 배출할 수 있도록 세정조(2)의 하단 면에 일정 간격으로 형성되어 있는 복수 개의 출입공(6)으로 구성되어 있다.
상기 구성에 의한 종래의 웨이퍼 세정 장치(10)의 작동 과정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 반도체 습식 식각 공정 중에 화학 약품이 묻은 웨이퍼를 세정조(2) 내부에 안착시킨 후 하단 면의 출입공(6)을 통해 탈 이온수와 질소액을 유입시켜 웨이퍼를 잠기게 하여 웨이퍼에 묻은 화학 약품을 어느 정도 베어 나오게 한다. 이 후 탈 이온수와 질소를 출입공(6)을 통해 배출하는 과정에서 잠겨 있던 웨이퍼가 외부로 노출되면 그와 동시에 상단 양측에 장착되어 있던 복수 개의 분사 노즐(4)에서 탈 이온수를 노출되는 웨이퍼에 분사한다. 이는 웨이퍼에 부착된 이 물질을 씻어 냄과 동시에 외부에 노출되는 웨이퍼의 노출 부위에 이 물질이 부착되는 것을 방지하기 위하여 행해지는 것이다. 이후 상기와 같은 사이클을 수회 반복한 후 세정 공정을 마친다.
① 분사 노즐(4)이 한쪽 방향으로 고정되어 있어 분사 노즐(4)에서 분사되는 탈 이온수를 접하지 못하는 부위가 웨이퍼에 생기는 문제점이 있었다.
② 분사 노즐(4)에서 나오는 탈 이온수의 압력이 약화되면 클리닝 효과가 더욱 떨어지는 문제점도 있었다.
③ 똑같은 클리닝 공정을 수회 반복하여야 하므로 작업 능률이 떨어지는 문제점도 있었다.
본 발명은 상기 제반 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 웨이퍼의 클리닝을 짧은 시간 내에 완벽하게 실행할 수 있는 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치는 압축된 공기가 주입되는 공기 주입부와, 상기 공기 주입부에 주입된 공기에 의해 좌우 운동하는 수평 구동부와 상기 수평 구동부의 좌우 운동에 의해 상하 운동하는 수직 구동부와, 상기 수평 구동부와 수직 구동부에 연결되어 상하 좌우 교반 운동을 하면서 탈 이온수를 분사하는 분사부로 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 예시된 도면 제2도 내지 제4도를 참조하여 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치(100)를 상세히 설명한다.
본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치(100)는, 공기 주입구(82)가 도시되지 않은 공기 압축기에 의해 압축된 공기를 주입할 수 있도록 교반기(80)의 상하부에 형성되어 있고, 수평 구동부(84)는 그 일단이 공기 주입구(82)를 통해 주입된 공기가 새지 않도록 기밀되어 있고 그 타단에는 레크(85)가 형성되어 일단에서 유입된 공기압에 의해 수평 운동을 한다. 수직 구동부(86)는 교반기(80)의 몸체에 그 회전축의 일단이 고정되어 수평 구동부(84)의 상하부에 형성된 레크(85)에 의해 정역 방향으로 회전한다. 복수 개의 분사 노즐(40)은 세정조(20)의 상부 양쪽에 일정 간격으로 부착되어 수평 구동부(84)와 수직 구동부(86)에 연결되어 상하 좌우로 교반 운동을 하여 웨이퍼에 45°이상에서 90°의 분사 각도로 탈 이온수를 분사한다. 또한 출입공(60)은 세정조(20) 내부의 하단 면에 복수 개가 형성되어 탈 이온수와 질소액을 유입 또는 배출시킨다.
상기와 같은 실시 예를 가진 본 발명에 의한 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치(100)의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저 세정조(20) 내에 웨이퍼를 안착시킨 후 세정조(20) 하단 면의 출입공(60)을 통해 탈 이온수와 질소액을 웨이퍼가 잠길 정도로 유입시킨다. 이는 웨이퍼에 묻어 있는 화학 약품을 어느 정도 희석시키기 위한 것이다. 이 후 출입공(60)을 통해 다시 탈 이온수와 질소액을 배출시키는 과정에서 웨이퍼가 외부로 노출될 시점에서 공기 압축기를 작동시키면 공기 압축부에서 압축된 공기가 교반기(80)의 공기 주입구(82)에 주입된다. 이때 주입된 공기의 압력에 의해 수평 구동부(84)의 레크(85)가 움직여 중앙에 있는 수직 구동부(86)가 연동된다. 이 후 수평 구동부(84)와 수직 구동부(86)에 연결되어 있는 복수 개의 분사 노즐(40)이 45°이상에서 90°의 분사 각도로 상하 좌우 교반 운동을 하면서 웨이퍼에 탈 이온수를 분사함으로써 이물질을 웨이퍼에서 제거한다.
즉, 복수 개의 분사 노즐(40)이 탈 이온수를 상하 좌우 교반운동을 하면서 분사하므로 웨이퍼의 전 부위를 빠짐없이 클리닝할 수 있는 이점이 있고, 또한 클리닝의 반복 공정의 횟수를 줄일 수 있는 이점이 있다.
상술한 바와 같이 본 고안은 웨이퍼에 탈 이온수를 분사하는 분사 노즐을 상하 좌우 교반 운동하게 함으로써 세정의 극대화 및 공정 소요 시간의 단축을 가져오는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 압축된 공기가 주입되는 공기 주입부와, 상기 공기 주입부에 주입된 공기에 의해 좌우 운동하는 수평 구동부와, 상기 수평 구동부의 좌우 운동에 의해 상하 운동하는 수직 구동부와, 상기 수평 구동부와 수직 구동부에 연결되어 상하 좌우 교반 운동을 하면서 탈 이온수를 분사하는 분사부로 구성됨을 특징으로 하는 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수평 구동부와 수직 구동부는 분사부위 분사 각도가 45°이상될 수 있도록 교반됨을 특징으로 하는 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치.
KR1019950065736A 1995-12-29 1995-12-29 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치 KR0170214B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065736A KR0170214B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치
TW085111287A TW304900B (en) 1995-12-29 1996-09-16 Wafer cleaning apparatus
JP31530596A JP3632334B2 (ja) 1995-12-29 1996-11-26 ウェーハ洗浄装置
US08/768,709 US5901716A (en) 1995-12-29 1996-12-18 Wafer cleaning apparatus with rotating cleaning solution injection nozzles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065736A KR0170214B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052696A KR970052696A (ko) 1997-07-29
KR0170214B1 true KR0170214B1 (ko) 1999-03-30

Family

ID=19447144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950065736A KR0170214B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5901716A (ko)
JP (1) JP3632334B2 (ko)
KR (1) KR0170214B1 (ko)
TW (1) TW304900B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6199568B1 (en) * 1997-10-20 2001-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
TW471010B (en) 2000-09-28 2002-01-01 Applied Materials Inc Wafer cleaning equipment
US7371467B2 (en) * 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
KR100692125B1 (ko) * 2003-10-30 2007-03-12 현대자동차주식회사 무단 변속기의 벨트 윤활 제어장치
DE102005015758A1 (de) * 2004-12-08 2006-06-14 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von in einer Ätzlösung aufgenommenen Substraten
JP2007229614A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄方法および製品の製造方法
JP4705517B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
KR100962520B1 (ko) * 2008-05-29 2010-06-14 세메스 주식회사 케미컬 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN102569010B (zh) * 2010-12-22 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆清洗装置
US9175392B2 (en) * 2011-06-17 2015-11-03 Intermolecular, Inc. System for multi-region processing

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1927665A (en) * 1926-11-19 1933-09-19 Ind Improvements Inc Dishwashing machine
US2725064A (en) * 1950-03-16 1955-11-29 William J Tamminga Can washer
US3178117A (en) * 1963-05-17 1965-04-13 Gen Motors Corp Dishwashing oscillating spray tube
CH447499A (de) * 1967-04-12 1967-11-30 Ed Hildebrand Fa Ing Geschirrwaschmaschine
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
SU782894A1 (ru) * 1979-01-17 1980-11-30 Черкасский Проектно-Конструкторский Технологический Институт Установка дл мойки изделий
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
DE3731410A1 (de) * 1987-09-18 1989-04-06 Duerr Gmbh & Co Verfahren und anlage zum flutwaschen
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0689889A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Fujitsu Ltd ウェハ洗浄装置
US5378308A (en) * 1992-11-09 1995-01-03 Bmc Industries, Inc. Etchant distribution apparatus
US5437296A (en) * 1994-06-07 1995-08-01 Pure Oil Engineering & Consultants Company Self-contained mobile heat exchange tube bundle cleaning device
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
US5547247A (en) * 1994-08-16 1996-08-20 Burns Aerospace Corporation Passenger tray table with ingress/egress position
US5657927A (en) * 1995-03-23 1997-08-19 Brown International Corporation Fruit processing machine

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09186124A (ja) 1997-07-15
US5901716A (en) 1999-05-11
KR970052696A (ko) 1997-07-29
TW304900B (en) 1997-05-11
JP3632334B2 (ja) 2005-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0170214B1 (ko) 교반기가 장착된 웨이퍼 세정 장치
KR100282160B1 (ko) 기판처리장치 및 처리방법
KR20000021469A (ko) 반도체 습식 식각설비
WO1995028235A1 (fr) Procede de lavage et dispositif de lavage
CN113471108B (zh) 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置
JP2001070861A (ja) 液処理方法及び液処理装置
JPH10172945A (ja) ウエハー洗浄装置
JP3175858B2 (ja) 産業用クリーニング装置
KR100434020B1 (ko) 확산로의 반응튜브의 세정장치
KR100189778B1 (ko) 웨이퍼세정장치
CN219682390U (zh) 粉剂物料混合机
KR101177005B1 (ko) 기판 세정 장치
KR100523610B1 (ko) 웨이퍼의 세정방법 및 장치
KR20160147695A (ko) 브러쉬 세정 장치
KR200241406Y1 (ko) 반도체웨이퍼의 린스장치
KR20090027033A (ko) 노즐, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20040081254A (ko) 습식 식각 장치
KR19980064247U (ko) 반도체 세정장비의 노즐 플레이트
JP3072445B2 (ja) ワークの洗浄装置
KR960008103Y1 (ko) 반도체 공정용 석영관 세정기
JPS62160728A (ja) 浄化装置
JPH0745956Y2 (ja) キャリア洗浄処理装置
KR200325129Y1 (ko) 반도체증착장비용튜브세정장치
JPH0415170Y2 (ko)
JPH0372936A (ja) 多目的攪拌槽

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081001

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee