JP3631905B2

JP3631905B2 - 微細配線の補修方法および微細配線補修体

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Publication number: JP3631905B2
Application number: JP18537998A
Authority: JP
Inventors: 俊一郎田中; 並社許
Original assignee: Toshiba Corp; Japan Science and Technology Agency; National Institute of Japan Science and Technology Agency
Current assignee: Toshiba Corp; Japan Science and Technology Agency; National Institute of Japan Science and Technology Agency
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2005-03-23
Anticipated expiration: 2018-06-30
Also published as: JP2000021877A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスなどの各種電子デバイスを構成する微細配線の補修方法、およびそれを適用した微細配線補修体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭに代表される半導体デバイスの集積度は年々増加している。例えば、ＤＲＡＭの集積度は６４Ｍｂｉｔが一般化しつつあり、また２５６Ｍｂｉｔ−ＤＲＡＭの実用化が進められていると共に、さらにはＧｂｉｔ以上の集積度を有する半導体デバイスの開発が進められている。
【０００３】
半導体デバイスの高集積化には、リソグラフィー技術などの進歩に伴うデザインルールの微細化が大きく貢献している。例えば、１６Ｍ−ＤＲＡＭでは０．５μｍ程度であった配線ルールが、６４Ｍ−ＤＲＡＭでは０．３μｍ以下の配線ルールが適用されている。さらに、２５６Ｍ−ＤＲＡＭや１Ｇ−ＤＲＡＭなどでは０．１８μｍルールを適用することが検討されている。
【０００４】
このように高度に微細化された配線（超微細配線）では、ポアや欠落などによる配線不良の発生率が当然高くなる。さらに、エレクトロマイグレーションなどによる断線などの発生率も高くなることが予想される。従来は上記したような不良の発生率を低減することにより、半導体デバイスの製造歩留りを高めることが主として実施されており、また補修については予めリペア回路を用意しておき、不良部分を別の回路で置き換えることが行われていた程度にすぎない。
【０００５】
上述したような超微細配線を適用した場合には、不良発生率が大幅に増加することが懸念されており、また半導体デバイスの高機能化や多機能化などによりデバイス１つ当りのコストも上昇するため、ポアや欠落などによる配線不良を直接補修する必要も生じつつある。しかしながら、現状の技術では０．３μｍルール、０．１８μｍルール、さらには０．１μｍ以下というような配線ルールの超微細配線を、他の部分に影響を及ぼすことなく補修することは到底できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、半導体デバイスに代表される電子デバイスにおいては、配線幅の超微細化が進められているが、０．１８μｍルールやさらには０．１μｍ以下といった配線ルールを適用した場合には、不良発生率の大幅な増加が懸念されている。しかしながら、ポアや欠落などによる配線不良を直接補修するのに有効な技術は見出されていないのが現状である。
【０００７】
半導体デバイスは高機能化や多機能化などによりデバイス１つ当りのコストが上昇しているため、超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを向上させる上で、超微細配線のポアや欠落などによる配線不良を他の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修することを可能にする技術の出現が望まれている。
【０００８】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、超微細配線のポアや欠落などによる欠損部分を、他の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修することを可能にした微細配線の補修方法、およびそれを適用した微細配線補修体を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の微細配線の補修方法は、請求項１に記載したように、微細配線の欠損部分を補修するにあたり、前記欠損部分の上方もしくは側方に薄膜状または微粒子状の補修材料を配置し、前記薄膜状または微粒子状の補修材料に集束性を有しかつ強度が 1 × 10 ¹⁹ e/cm ² ・ sec 以上の電子線を照射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損部分に付着させて埋設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴としている。この場合、例えば請求項２に記載したように、前記補修材料として金属化合物を用い、かつ前記金属化合物を構成する金属原子を前記欠損部分に付着させる。
【００１１】
本発明の第２の微細配線の補修方法は、請求項３に記載したように、微細配線の欠損部分を補修するにあたり、前記欠損部分の側方に超微粒子状の補修材料を配置し、前記超微粒子状の補修材料に集束性を有しかつ強度が 1 × 10 ¹⁹ e/cm ² ・ sec 以上の電子線を照射しつつ、前記超微粒子状の補修材料を前記欠損部分に誘導すると共に埋設して、前記欠損部分を補修することを特徴としている。この場合、例えば請求項４に記載したように、前記超微粒子状の補修材料として金属超微粒子や半導体超微粒子が用いられる。
【００１２】
本発明の第３の微細配線の補修方法は、請求項５に記載したように、微細配線の欠損部分を補修するにあたり、前記欠損部分の上方に細孔を有する補修材料を配置し、前記補修材料の細孔内壁に対して集束性を有するイオンビームを斜め上方から照射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損部分に付着させて埋設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴としている。この場合、例えば請求項６に記載したように、前記細孔を有する金属ターゲットまたは半導体ターゲットが用いられる。
【００１３】
また、本発明の微細配線補修体は、請求項７に記載したように、微細配線の欠損部分を、前記微細配線の構成元素と同一の金属元素または半導体元素により補修した補修部分を有する微細配線補修体であって、前記補修部分は前記金属元素または半導体元素のナノ結晶粒の集合体により構成されていることを特徴としている。
【００１４】
本発明の超微細配線の補修方法においては、金属化合物粒子や金属超微粒子もしくは半導体超微粒子などの微粒子状の補集材料、あるいは細孔を有するターゲット状の補修材料を用い、これら補修材料への集束性の高エネルギービームの照射に基づいて、補修材料の構成元素を欠損部分に埋設している。
【００１５】
このように、補修材料への集束性の高エネルギービームの照射に伴う構成元素の離脱、あるいは高エネルギービーム照射による補修材料の直接的な移動などを利用することによって、例えば幅０．３μｍ以下というような微細配線、さらには幅０．１μｍ以下というような超微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を直接補修することができる。この際、高エネルギービームの照射径を絞ったり、またターゲット細孔の径を制御することによって、他の部分への影響を排除することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１７】
図１はポアや欠落などによる欠損不良を有する微細配線の一例を示す図である。同図に示す金属配線１の幅は例えば０．１〜０．５μｍ程度であり、その途中にポア２、欠落３、断線４による欠損不良を有している。なお、補修対象となる欠損不良は製造時のものに限られるものではなく、例えばエレクトロマイグレーションにより生じたポア２、欠落３、断線４などであってもよい。このような金属配線１の欠損不良２、３、４の補修について、以下に詳述する。
【００１８】
まず、本発明における第１の微細配線の補修方法を適用した実施形態について、図２を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、金属配線１の欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種の金属元素の酸化物微粒子１１などの化合物微粒子を配置する。この化合物微粒子は金属酸化物微粒子１１に限られるものではなく、配線１と同種の金属元素の炭化物、窒化物、硼化物などを用いることも可能である。
【００１９】
例えば、Ａｌ配線（１）の補修を実施する場合には、Ａｌ_２Ｏ_３微粒子が用いられる。特に、以下に詳述する高エネルギービーム１２の照射によって、相変態やそれに伴うＡｌ超微粒子の生成が容易な準安定酸化物、例えばθ−Ａｌ_２Ｏ_３微粒子を用いることが好ましい。Ａｌ以外の金属配線１の補修を行う場合には、対象とする金属配線１と同種の金属元素の酸化物微粒子が用いられ、比較的容易に分解するＷＯ_３、ＭｏＯ_３、ＣｕＯなどの使用は有効である。
【００２０】
また、金属酸化物微粒子１１などの化合物微粒子の粒径は、補修対象の金属配線１の線幅や線間隔などに応じて適宜設定可能であるが、例えば２０ｎｍ〜１μｍ程度の粒径を有する金属酸化物微粒子１１を用いることが好ましい。
【００２１】
上述したようなθ−Ａｌ_２Ｏ_３微粒子などの金属酸化物微粒子１１に対して、真空雰囲気中で高エネルギービーム１２を照射する。高エネルギービーム１２の照射によって、金属酸化物微粒子１１が活性化されると共に、電子線衝撃脱離（ＥＳＤ：ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｔｉｍｕｌａｔｅｄＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎ）やスパッタリング効果などにより金属−酸素結合（例えばＡｌ−Ｏ，Ｗ−Ｏなど）が切れて、金属原子と酸素とが周囲に飛散する。この際、高エネルギービーム１２を真空雰囲気中で照射しているため、金属酸化物微粒子１１から飛散した酸素は還元されて、Ａｌなどの金属のみが例えばクラスターとして周囲に付着して金属超微粒子１３が生成する。
【００２２】
このようにして得られるＡｌ超微粒子などの金属超微粒子１３は、表面酸化物を有しない純金属超微粒子であり、その粒径は０．５〜２００ｎｍ程度となる。金属超微粒子１３の粒径は、照射する高エネルギービーム１２のエネルギー密度、また金属超微粒子１３からの距離などにより制御することができる。
【００２３】
金属超微粒子１３は金属酸化物微粒子１１の周囲に飛散するが、当初の金属酸化物微粒子１１と欠落３との位置関係、金属酸化物微粒子１１に照射する高エネルギービーム１２の照射径などを調整することによって、主として欠落３の方向に金属超微粒子１３を飛翔させることかできる。具体的には、高エネルギービーム１２の照射径を絞ることによって、金属酸化物微粒子１１のビーム照射領域の側方に金属超微粒子１３を集中的に飛翔させることができる。従って、高エネルギービーム１２としては集束性を有するものを使用する。
【００２４】
さらに、高エネルギービーム１２として電子線を用いると共に、その照射方向と平行な磁場中で、言い換えると電子線の照射軸と一致する軸を有する磁場中で電子線照射を行うことによって、電子線の照射範囲内に存在する金属超微粒子１３をローレンツ力で移動させることができる。このようにして、周囲に飛散した金属超微粒子１３を欠落３に集中させることも有効である。
【００２５】
高エネルギービーム１２には、上述したような集束性と金属酸化物微粒子１１を分解し得るようなエネルギーを有する、強度が1×10¹⁹e/cm²・sec以上の電子線が用いられる。
【００２６】
高エネルギービーム１２として電子線を用いる場合、照射強度が 1×10¹⁹e/cm²・sec未満であると、金属超微粒子１３が生成し得るほどに金属酸化物微粒子１１を活性化できないおそれがある。言い換えると、1×10¹⁹e/cm²・sec以上の強度を有する電子線（１２）は、特に金属酸化物微粒子１１の活性化効果や局所加熱効果などをもたらし、これらによって金属超微粒子１３の生成が可能となる。
【００２７】
高エネルギービーム１２の照射雰囲気は、１×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気とすることが好ましく、これによって金属超微粒子１３の酸化や残留ガス原子の吸着などを防ぐことができる。高エネルギービーム１２の照射は、例えば電子ビームテスタの室温ステージ上などで実施することができ、この場合には金属配線１の検査と補修を同時に実施することができる。また、ＴＥＭ装置などを利用することも可能であり、特にＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎ−ＴＥＭなどを使用することによって、微小径で高エネルギー密度の電子線を利用することができる。
【００２８】
上述したような金属酸化物微粒子１１への高エネルギービーム１２の照射を適当な時間継続することによって、図２（ｂ）に示すように、金属酸化物微粒子１１から飛翔した金属超微粒子１３で欠落３を埋めることができる。このようにして得られる補修部分１４は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００２９】
図２は補修材料としての金属酸化物微粒子１１を金属配線１の欠損不良（例えば欠落３）の側方に配置する場合について説明したが、ポア２のような欠損不良を補修する場合には、例えば図３に示すように、補修材料としての金属酸化物微粒子１１をポア２のような欠損不良の上方に配置する。この場合、補修材料は薄膜状の金属酸化物であってもよい。
【００３０】
図３ではメッシュ状の保持部１５を有する保持治具１６上に金属酸化物微粒子１１を載置し、この状態でポア２の上方に金属酸化物微粒子１１を配置している（図３（ａ））。このような金属酸化物微粒子１１の上方から上述したような高エネルギービーム１２を照射することによって、図３（ｂ）に示すように、金属酸化物微粒子１１から飛翔した金属超微粒子１３でポア２を埋めることができる。このようにして得られる補修部分１４は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００３１】
上述したような金属超微粒子１３の集合体は、そのままでも金属配線１の一部として機能させることができるが、さらに金属超微粒子１３の集合体に対して電子線などを照射することによって、金属超微粒子１３同士および金属超微粒子１３と金属配線１との融合状態を強化することができる。このようにして得られる補修部分１４はナノ結晶膜となり、より一層配線としての機能が向上する。
【００３２】
上述したように、金属酸化物微粒子１１への高エネルギービーム１２の照射に基づく金属超微粒子１３の生成を利用することによって、例えばサブミクロンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３などの欠損不良を直接補修することができる。また、補修材料として用いた金属酸化物微粒子１１自体は絶縁体であるため、例えば金属配線１の側方にそのまま放置しても特に問題となることはない。なお、金属酸化物微粒子１１は、当然ながら補修後に除去してもよい。
【００３３】
次に、本発明における第２の微細配線の補修方法を適用した実施形態について、図４を参照して説明する。まず、図４（ａ）に示すように、金属配線１の欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種の金属元素の超微粒子（金属超微粒子）２１を補修材料として配置する。
【００３４】
金属超微粒子２１は、前述したような金属酸化物微粒子への高エネルギービームの照射、また後述する細孔を有するターゲット材への高エネルギービームの斜め照射などを利用して生成することができる。なお、これら以外の金属超微粒子の生成方法を適用することも可能である。金属超微粒子２１の粒径は０．５〜２００ｎｍ程度であることが好ましく、このような金属超微粒子２１は高エネルギービーム２２の照射により比較的容易に移動させることができる。
【００３５】
次いで、上述したような金属超微粒子２１に対して高エネルギービーム２２を照射し、高エネルギービーム２２を操作することによって、金属超微粒子２１を欠落３まで誘導する。高エネルギービーム２２は前述した実施形態と同様な電子線が用いられ、また照射雰囲気なども同様とすることが好ましい。このようにして、図４（ｂ）に示すように、金属超微粒子２１で欠落３を埋めることができる。このようにして得られる補修部分２３は、金属超微粒子２１の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００３６】
このような金属超微粒子２１の集合体は、そのままでも金属配線１の一部として機能させることができるが、さらに金属超微粒子２１の集合体に対して電子線２２′などを照射することによって、金属超微粒子２１同士および金属超微粒子２１と金属配線１との融合状態を強化することができる。このような補修部分は、図４（ｃ）に示すようにナノ結晶膜２４となり、より一層配線としての機能が向上する。
【００３７】
なお、補修材料としての超微粒子は、場合によっては半導体超微粒子であってもよい。補修材料として半導体超微粒子を用い、これを電子ビームなどで誘導設置することによって、半導体部分の補修も可能である。
【００３８】
次に、本発明における第３の微細配線の補修方法を適用した実施形態について、図５を参照して説明する。まず、図５（ａ）に示すように、金属配線１のポア２などによる欠損部分の上方に、金属配線１と同種の金属からなるターゲット材３１を補修材料として配置する。このターゲット材３１は細孔３２を有しており、この細孔３２がポア２などの欠損部分の位置に対応するようにターゲット材３１を配置する。そして、この細孔３２の内壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を斜め上方から照射する。
【００３９】
細孔３２を有するターゲット材３１としてはメッシュ材を用いたり、あるいは金属フィルムにエッチングやレーザビームなどで細孔３２を形成したものを使用する。ターゲット材３１の細孔３２は、金属超微粒子３４の形成位置を提供するものであり、その内壁３２ａから金属超微粒子３４の形成材料、すなわちターゲット材３１の構成原子などが供給される。
【００４０】
従って、細孔３２の直径および配置位置、ターゲット材３１の厚さ、さらに高エネルギービーム３３の入射角などを制御することによって、所望の金属超微粒子３４を形成することができる。例えば、細孔３２の直径は０．１〜１×１０^２μｍ、ターゲット材３１の厚さは０．２〜１×１０^２μｍ程度とすることが好ましい。高エネルギービーム３３の入射角は、例えば直径１〜１００ｎｍ程度の超微粒子を得る上で、２０〜４５°の範囲となるように設定することが好ましい。
【００４１】
上述したようなターゲット材３１の細孔内壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を上方斜め方向から照射すると、ターゲット材３１の構成原子などが離脱（図中、点線矢印で示す）して、これらが金属配線１のポア２などに付着して金属超微粒子３４となる。この際、ターゲット材３１は金属配線１（それが形成されたいる半導体基板）と共に回転させてもよい。
【００４２】
高エネルギービーム３３としては、加速電圧2〜5kV、ビーム電流0.1〜1mA程度のアルゴンイオンビームやガリウムイオンビームのようなイオンビームが用いられる。このようなイオンビームをターゲット材３１の細孔内壁３２ａに照射することによって、その衝撃によりターゲット材３１の構成原子などを離脱させることができる。
【００４３】
そして、上述したような高エネルギービーム３３の照射を一定時間継続し、連続的に金属超微粒子３４を形成することによって、図５（ｂ）に示すように、金属超微粒子３４でポア２を埋めることができる。このようにして得られる補修部分３５は、金属超微粒子３４の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００４４】
このような金属超微粒子３４の集合体は、そのままでも金属配線１の一部として機能させることができるが、さらに金属超微粒子３４の集合体に対して電子線などを照射することによって、金属超微粒子３４同士および金属超微粒子３４と金属配線１との融合状態を強化することができる。このようにして得られる補修部分３５はナノ結晶膜となり、より一層配線としての機能が向上する。
【００４５】
上述したように、細孔３２を有するターゲット材３１への高エネルギービーム３３の照射に基づく金属超微粒子３４の生成を利用することによって、例えばサブミクロンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３などの欠損不良を直接補修することができる。そして、細孔３２の大きさ、ターゲット材３１の厚さ、高エネルギービーム３３の入射角度などを調整することによって、補修部分３５の形状を制御することができるため、種々の形状の欠損不良（ポア２、欠落３、断線４など）を他の部分に影響を及ぼすことなく良好に補修することができる。
【００４６】
なお、補修材料としてのターゲット３１は、場合によってはＳｉなどからターゲットであってもよい。補修材料として半導体ターゲットを用い、その細孔内壁にイオンビームなどを照射して半導体超微粒子を形成することによって、半導体部分の補修も可能である。
【００４７】
上述した各実施形態で得られる微細配線補修体、すなわち微細配線１の欠損部分（２、３、４）をそれと同一の金属元素（または半導体元素）で補修した補修部分を有する微細配線補修体において、補修部分は金属元素（または半導体元素）のナノ結晶粒の集合体、さらにはナノ結晶膜により構成されている。このような補修部分は多くの結晶粒を有することから、例えば微細配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションなどに対する耐性を向上させることができる。
【００４８】
【実施例】
次に、本発明の実施例について述べる。
【００４９】
実施例１
補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下のようにして補修した。
【００５０】
まず、Ａｌ配線の欠損部分の側方に、補修材料としてθ−Ａｌ_２Ｏ_３微粒子を配置した。このθ−Ａｌ_２Ｏ_３微粒子はアセトン溶媒に分散させ、ピンセットの先端に付けて塗布、乾燥させることにより配置した。このようなθ−Ａｌ_２Ｏ_３微粒子に、１×１０^−５Ｐａ程度の高真空雰囲気中にて１×１０^２０ｅ／ｃｍ^２・ｓｅｃの強度を有する電子線を照射した。
【００５１】
このような強度の電子線をθ−Ａｌ_２Ｏ_３に照射すると、準安定酸化物であるθ−Ａｌ_２Ｏ_３が活性化され、その構成元素であるＡｌおよびＯが周囲に飛散する。この際、電子線照射時の雰囲気が高真空雰囲気であることなどに基づいて、飛散した酸素は還元され、Ａｌのみがクラスターなどとして欠損部分に付着する。このようにして、補修材料としてのθ−Ａｌ_２Ｏ_３の構成元素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
【００５２】
実施例２
補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下のようにして補修した。
【００５３】
まず、Ａｌ配線の欠損部分の上に、直径５μｍ程度の細孔を有するＡｌメッシュを配置した。この際、Ａｌメッシュは欠損部分に対応する細孔を除いて、マスクで覆っておく。このＡｌメッシュを上部に配置したＳｉ基板を、真空室内の室温ステージ上にセットした。
【００５４】
次いで、ＡｌメッシュをＳｉ基板と共に２ｒｐｍで回転させながら、Ａｌメッシュの細孔内壁に、加速電圧３．０ｋＶ、ビーム電流０．２５ｍＡのＡｒイオンビームを斜め方向から照射した。Ａｒイオンビームの入射角は４０°とした。また、Ａｒイオンビーム照射時の雰囲気は１×１０^−３Ｐａ程度の真空（Ａｒを含む）とした。
【００５５】
上記したＡｒイオンビームの照射後にＡｌ配線の欠損部分を観察したところ、欠損部分には多数のＡｌ超微粒子が形成されており、これら多数のＡｌ超微粒子で欠損部分が埋められていることが確認された。このようにして、補修材料としてのＡｌメッシュの構成元素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
【００５６】
実施例３
補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下のようにして補修する。
【００５７】
まず、Ａｌ配線の欠損部分の側方に、補修材料としてのＡｌ超微粒子を配置した。このＡｌ超微粒子は、実施例１によるθ−Ａｌ_２Ｏ_３への電子線照射を応用して形成した。
【００５８】
次に、上記したＡｌ超微粒子に例えば直径１０ｎｍ程度まで絞った電子ビームを１×１０^−３Ｐａ程度の真空雰囲気中で照射し、この電子ビームを操作してＡｌ超微粒子を欠損部分まで移動させた。そして、欠損部分にＡｌ超微粒子を付着させることによって、欠損部分を補修した。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の微細配線の補修方法によれば、超高集積半導体デバイスなどに用いられる微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を、他の部分に影響を及ぼすことなく直接補修することができる。従って、超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを後工程で向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の微細配線の補修方法の実施形態において補修対象とした微細配線の一例を示す図である。
【図２】本発明の微細配線の補修方法の第１の実施形態による微細配線の補修状態を示す図である。
【図３】図２に示す微細配線の補修方法の変形例を示す図である。
【図４】本発明の微細配線の補修方法の第２の実施形態による微細配線の補修状態を示す図である。
【図５】本発明の微細配線の補修方法の第３の実施形態による微細配線の補修状態を示す図である。
【符号の説明】
１……金属配線（微細配線）
２、３、４……欠損部分
１１……補修材料としての金属酸化物微粒子
１２、２２、３３……高エネルギービーム
１３、３４……金属超微粒子
１４、２３、３５……補修部分
２１……補修材料としての金属超微粒子
３１……補修材料としてのターゲット材

Claims

微細配線の欠損部分を補修するにあたり、
前記欠損部分の上方もしくは側方に薄膜状または微粒子状の補修材料を配置し、前記薄膜状または微粒子状の補修材料に集束性を有しかつ強度が 1 × 10 ¹⁹ e/cm ² ・ sec 以上の電子線を照射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損部分に付着させて埋設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴とする微細配線の補修方法。
請求項１記載の微細配線の補修方法において、
前記補修材料として金属化合物を用い、かつ前記金属化合物を構成する金属原子を前記欠損部分に付着させることを特徴とする微細配線の補修方法。
微細配線の欠損部分を補修するにあたり、
前記欠損部分の側方に超微粒子状の補修材料を配置し、前記超微粒子状の補修材料に集束性を有しかつ強度が 1 × 10 ¹⁹ e/cm ² ・ sec 以上の電子線を照射しつつ、前記超微粒子状の補修材料を前記欠損部分に誘導すると共に埋設して、前記欠損部分を補修することを特徴とする微細配線の補修方法。
請求項３記載の微細配線の補修方法において、
前記超微粒子状の補修材料として、金属超微粒子または半導体超微粒子を用いることを特徴とする微細配線の補修方法。
微細配線の欠損部分を補修するにあたり、
前記欠損部分の上方に細孔を有する補修材料を配置し、前記補修材料の細孔内壁に対して集束性を有するイオンビームを斜め上方から照射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損部分に付着させて埋設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴とする微細配線の補修方法。
請求項５記載の微細配線の補修方法において、
前記補修材料として、前記細孔を有する金属ターゲットまたは半導体ターゲットを用いることを特徴とする微細配線の補修方法。
微細配線の欠損部分を、前記微細配線の構成元素と同一の金属元素または半導体元素により補修した補修部分を有する微細配線補修体であって、前記補修部分は前記金属元素または半導体元素のナノ結晶粒の集合体により構成されていることを特徴とする微細配線補修体。