JP2006005110A - 微細構造の作製方法及び作製装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。
【選択図】 図1
Description
I. Utke, P. Hoffman 他、"Focused electron beam induced deposition of gold", Journal of Vacuum Science and Technology B. 18, p.3168-3171 2000年
が一旦実用化されれば今日の半導体産業を一変させるものであり、この出願の発明の微細構造の作製方法および作製装置は、その基本技術として非常に大きな経済効果をもつものと期待される。
ようになる。
スを流した。原料ガスの圧力は102Pa以下であった。そこに収束させた電子線(4)
を照射し、タングステン(W)の微細粒子からなるマスク(5)をシリコン基板上に形成した。そのタングステンの微細粒子の直径は約100nmであった。
は102Pa以下であった。そこに収束させた電子線(4)を照射し、タングステン(W
)の微細粒子からなるマスク(5)を基板材料(1)上に形成した。ここで電子線(4)を図3(a)の中央の図に示すようにスキャンさせた。形成さえたタングステンマスクの幅は約40nm、長さは約300nmであった。
2 ノズル
3 マスクの原料となる元素を含んだガス
4 電子線
5 マスク
6 エネルギービーム
7 エネルギービームにより取り除かれた部分
Claims (8)
- マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行うことを特徴とする微細構造の作製方法。
- 電子線の照射位置に加え、スポットサイズ及び/又は照射時間を変化させることによって大きさ及び/又は形状を変化させて形成したマスクを用いることを特徴とする請求項1記載の微細構造の作製方法。
- 電子線の照射位置を移動させることによって形成した任意形状のマスクを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の微細構造の作製方法。
- 材料として、あらかじめ導電膜を基板上に設けたものを用い、微細な2次元配線パターンを作製することを特徴とする請求項3記載の微細構造の作製方法。
- 材料として、ヘテロ構造を有する基板を用い、ヘテロ構造を持つ微細構造を作製することを特徴とする請求項3記載の微細構造の作製方法。
- 材料として、走査型トンネル顕微鏡(STM)で用いる結晶性の探査針を用い、この探査針の先端を結晶性を保ったまま微細加工することを特徴とする請求項3記載の微細構造の作製方法。
- 材料として、電子顕微鏡観察用試料を用い、電子顕微鏡観察に必要な薄膜化を所望の場所に対して行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の微細構造の作製方法。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の微細構造の作製方法に用いられる装置であって、少なくとも、
1)電子線が出射される電子線源、
2)微細構造のマスクが作製される材料、
3)微細構造を有するマスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に供給するガス供給部、
4)エネルギービームが0.5〜5kVの加速電圧で出射される照射手段、
を備えていることを特徴とする微細構造の作製装置。
Priority Applications (1)
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JP2009004778A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Fei Co | 高解像度プラズマ・エッチング |
JP2010130013A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Fei Co | レーザ・アブレーション微細機械加工用の荷電粒子ビーム・マスキング |
JP2012506543A (ja) * | 2008-10-22 | 2012-03-15 | ナノスカレ システムズ、ナノス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電気化学的センサ及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-06-17 JP JP2004179071A patent/JP2006005110A/ja active Pending
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