JP2006123150A - 電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
K. Edinger, T. Gotszalk, I. W. Rangelow, "Novel high resolution scanning thermal probe", J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2001) 2856
を行うことを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
晶構造を変化させることが可能となる。
イヤを作成したケースについて述べる。
に導入して電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成した。室温で圧力は3〜4×10-5Paの範囲、ガス導入量は2×10-4PaLS-1とした。電子ビームの公称プローブサイズは0.8nm、電流値は約0.5nAであり、コンピュータ接続された走査式電子ビーム発生装置により電子ビームの走査を制御した。焦点の制御は磁界レンズの電流値を変化させることにより行った。
成した。
Claims (4)
- 原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法。
- 原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法により2次元ナノ構造を作成する方法に対し、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行い、3次元ナノ構造を作成することを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法。
- 原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、ナノ構造の蒸着のオン・オフを行うことを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法。
- 原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、蒸着位置での電子ビームの輝度を変化させ、作成されるナノ構造の形状、組成、内部構造又は結晶構造を変化させることを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法。
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