JP2000021877A - 微細配線の補修方法および微細配線補修体 - Google Patents
微細配線の補修方法および微細配線補修体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを
向上させる上で、微細配線のポアや欠落などによる欠損
不良を、後工程で他の部分に影響を及ぼすことなく直接
補修することを可能にする。 【解決手段】 微細配線１の欠損部分３の近傍に補修材
料１１を配置する。この補修材料１１としては金属酸化
物微粒子などが用いられる。あるいは、金属超微粒子や
細孔を有するターゲット材などを用いることもできる。
高真空雰囲気中にて補修材料１１としての金属酸化物微
粒子などに集束性を有する高エネルギービーム１２を照
射する。この高エネルギービーム１２の照射により補修
材料１１の構成金属原子などを離脱させ、この金属原子
で欠損部分３を埋設することにより欠損部分３を補修す
る。
向上させる上で、微細配線のポアや欠落などによる欠損
不良を、後工程で他の部分に影響を及ぼすことなく直接
補修することを可能にする。 【解決手段】 微細配線１の欠損部分３の近傍に補修材
料１１を配置する。この補修材料１１としては金属酸化
物微粒子などが用いられる。あるいは、金属超微粒子や
細孔を有するターゲット材などを用いることもできる。
高真空雰囲気中にて補修材料１１としての金属酸化物微
粒子などに集束性を有する高エネルギービーム１２を照
射する。この高エネルギービーム１２の照射により補修
材料１１の構成金属原子などを離脱させ、この金属原子
で欠損部分３を埋設することにより欠損部分３を補修す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスな
どの各種電子デバイスを構成する微細配線の補修方法、
およびそれを適用した微細配線補修体に関する。
どの各種電子デバイスを構成する微細配線の補修方法、
およびそれを適用した微細配線補修体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭに代表される半導体デバイスの
集積度は年々増加している。例えば、ＤＲＡＭの集積度
は64Mbitが一般化しつつあり、また256Mbit-ＤＲＡＭの
実用化が進められていると共に、さらにはGbit以上の集
積度を有する半導体デバイスの開発が進められている。
集積度は年々増加している。例えば、ＤＲＡＭの集積度
は64Mbitが一般化しつつあり、また256Mbit-ＤＲＡＭの
実用化が進められていると共に、さらにはGbit以上の集
積度を有する半導体デバイスの開発が進められている。
【０００３】半導体デバイスの高集積化には、リソグラ
フィー技術などの進歩に伴うデザインルールの微細化が
大きく貢献している。例えば、16M-ＤＲＡＭでは 0.5μ
m 程度であった配線ルールが、64M-ＤＲＡＭでは 0.3μ
m 以下の配線ルールが適用されている。さらに、 256M-
ＤＲＡＭや 1G-ＤＲＡＭなどでは0.18μm ルールを適用
することが検討されている。
フィー技術などの進歩に伴うデザインルールの微細化が
大きく貢献している。例えば、16M-ＤＲＡＭでは 0.5μ
m 程度であった配線ルールが、64M-ＤＲＡＭでは 0.3μ
m 以下の配線ルールが適用されている。さらに、 256M-
ＤＲＡＭや 1G-ＤＲＡＭなどでは0.18μm ルールを適用
することが検討されている。
【０００４】このように高度に微細化された配線（超微
細配線）では、ポアや欠落などによる配線不良の発生率
が当然高くなる。さらに、エレクトロマイグレーション
などによる断線などの発生率も高くなることが予想され
る。従来は上記したような不良の発生率を低減すること
により、半導体デバイスの製造歩留りを高めることが主
として実施されており、また補修については予めリペア
回路を用意しておき、不良部分を別の回路で置き換える
ことが行われていた程度にすぎない。
細配線）では、ポアや欠落などによる配線不良の発生率
が当然高くなる。さらに、エレクトロマイグレーション
などによる断線などの発生率も高くなることが予想され
る。従来は上記したような不良の発生率を低減すること
により、半導体デバイスの製造歩留りを高めることが主
として実施されており、また補修については予めリペア
回路を用意しておき、不良部分を別の回路で置き換える
ことが行われていた程度にすぎない。
【０００５】上述したような超微細配線を適用した場合
には、不良発生率が大幅に増加することが懸念されてお
り、また半導体デバイスの高機能化や多機能化などによ
りデバイス 1つ当りのコストも上昇するため、ポアや欠
落などによる配線不良を直接補修する必要も生じつつあ
る。しかしながら、現状の技術では 0.3μm ルール、0.
18μm ルール、さらには 0.1μm 以下というような配線
ルールの超微細配線を、他の部分に影響を及ぼすことな
く補修することは到底できない。
には、不良発生率が大幅に増加することが懸念されてお
り、また半導体デバイスの高機能化や多機能化などによ
りデバイス 1つ当りのコストも上昇するため、ポアや欠
落などによる配線不良を直接補修する必要も生じつつあ
る。しかしながら、現状の技術では 0.3μm ルール、0.
18μm ルール、さらには 0.1μm 以下というような配線
ルールの超微細配線を、他の部分に影響を及ぼすことな
く補修することは到底できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体デバイスに代表される電子デバイスにおいては、配線
幅の超微細化が進められているが、0.18μm ルールやさ
らには 0.1μm 以下といった配線ルールを適用した場合
には、不良発生率の大幅な増加が懸念されている。しか
しながら、ポアや欠落などによる配線不良を直接補修す
るのに有効な技術は見出されていないのが現状である。
体デバイスに代表される電子デバイスにおいては、配線
幅の超微細化が進められているが、0.18μm ルールやさ
らには 0.1μm 以下といった配線ルールを適用した場合
には、不良発生率の大幅な増加が懸念されている。しか
しながら、ポアや欠落などによる配線不良を直接補修す
るのに有効な技術は見出されていないのが現状である。
【０００７】半導体デバイスは高機能化や多機能化など
によりデバイス 1つ当りのコストが上昇しているため、
超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを向上させる
上で、超微細配線のポアや欠落などによる配線不良を他
の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修することを可
能にする技術の出現が望まれている。
によりデバイス 1つ当りのコストが上昇しているため、
超高集積半導体デバイスの製造歩留りなどを向上させる
上で、超微細配線のポアや欠落などによる配線不良を他
の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修することを可
能にする技術の出現が望まれている。
【０００８】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、超微細配線のポアや欠落などによる欠
損部分を、他の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修
することを可能にした微細配線の補修方法、およびそれ
を適用した微細配線補修体を提供することを目的として
いる。
なされたもので、超微細配線のポアや欠落などによる欠
損部分を、他の部分に影響を及ぼすことなく、直接補修
することを可能にした微細配線の補修方法、およびそれ
を適用した微細配線補修体を提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の微細配線の補修
方法は、請求項１に記載したように、微細配線の欠損部
分を補修するにあたり、前記欠損部分の近傍に配置した
補修材料に、高真空雰囲気中にて集束性を有する高エネ
ルギービームを照射し、前記高エネルギービームの照射
に基づいて前記補修材料の構成元素を前記欠損部分に埋
設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴
としている。
方法は、請求項１に記載したように、微細配線の欠損部
分を補修するにあたり、前記欠損部分の近傍に配置した
補修材料に、高真空雰囲気中にて集束性を有する高エネ
ルギービームを照射し、前記高エネルギービームの照射
に基づいて前記補修材料の構成元素を前記欠損部分に埋
設することにより、前記欠損部分を補修することを特徴
としている。
【００１０】本発明の微細配線の補修方法の具体的な形
態は以下の通りである。第１の形態は、請求項２に記載
したように、前記欠損部分の上方もしくは側方に薄膜状
または微粒子状の前記補修材料を配置し、前記薄膜状ま
たは微粒子状の補修材料に前記高エネルギービームを照
射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱
させた構成原子を前記欠損部分に付着させることによ
り、前記欠損部分を補修することを特徴としている。こ
の場合、例えば請求項３に記載したように、前記補修材
料として金属化合物を用い、かつ前記金属化合物を構成
する金属原子を前記欠損部分に付着させる。
態は以下の通りである。第１の形態は、請求項２に記載
したように、前記欠損部分の上方もしくは側方に薄膜状
または微粒子状の前記補修材料を配置し、前記薄膜状ま
たは微粒子状の補修材料に前記高エネルギービームを照
射して、前記補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱
させた構成原子を前記欠損部分に付着させることによ
り、前記欠損部分を補修することを特徴としている。こ
の場合、例えば請求項３に記載したように、前記補修材
料として金属化合物を用い、かつ前記金属化合物を構成
する金属原子を前記欠損部分に付着させる。
【００１１】第２の形態は、請求項４に記載したよう
に、前記欠損部分の側方に超微粒子状の前記補修材料を
配置し、前記超微粒子状の補修材料に前記高エネルギー
ビームを照射しつつ、前記超微粒子状の補修材料を前記
欠損部分に誘導すると共に埋設して、前記欠損部分を補
修することを特徴としている。この場合、例えば請求項
５に記載したように、前記超微粒子状の補修材料として
金属超微粒子や半導体超微粒子が用いられる。また、第
１の形態や第２の形態においては、請求項６に記載した
ように、前記高エネルギービームとして例えば 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線が用いられる。
に、前記欠損部分の側方に超微粒子状の前記補修材料を
配置し、前記超微粒子状の補修材料に前記高エネルギー
ビームを照射しつつ、前記超微粒子状の補修材料を前記
欠損部分に誘導すると共に埋設して、前記欠損部分を補
修することを特徴としている。この場合、例えば請求項
５に記載したように、前記超微粒子状の補修材料として
金属超微粒子や半導体超微粒子が用いられる。また、第
１の形態や第２の形態においては、請求項６に記載した
ように、前記高エネルギービームとして例えば 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線が用いられる。
【００１２】第３の形態は、請求項７に記載したよう
に、前記欠損部分の上方に細孔を有する前記補修材料を
配置し、前記補修材料の細孔内壁に対して前記高エネル
ギービームを斜め上方から照射して、前記補修材料の構
成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損
部分に付着させることにより、前記欠損部分を補修する
ことを特徴としている。この場合、例えば請求項８に記
載したように、前記細孔を有する金属ターゲットまたは
半導体ターゲットが用いられる。また、請求項９に記載
したように、高エネルギービームとしては例えばイオン
ビームが用いられる。
に、前記欠損部分の上方に細孔を有する前記補修材料を
配置し、前記補修材料の細孔内壁に対して前記高エネル
ギービームを斜め上方から照射して、前記補修材料の構
成原子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損
部分に付着させることにより、前記欠損部分を補修する
ことを特徴としている。この場合、例えば請求項８に記
載したように、前記細孔を有する金属ターゲットまたは
半導体ターゲットが用いられる。また、請求項９に記載
したように、高エネルギービームとしては例えばイオン
ビームが用いられる。
【００１３】また、本発明の微細配線補修体は、請求項
１０に記載したように、微細配線の欠損部分を、前記微
細配線の構成元素と同一の金属元素または半導体元素に
より補修した補修部分を有する微細配線補修体であっ
て、前記補修部分は前記金属元素または半導体元素のナ
ノ結晶粒の集合体により構成されていることを特徴とし
ている。
１０に記載したように、微細配線の欠損部分を、前記微
細配線の構成元素と同一の金属元素または半導体元素に
より補修した補修部分を有する微細配線補修体であっ
て、前記補修部分は前記金属元素または半導体元素のナ
ノ結晶粒の集合体により構成されていることを特徴とし
ている。
【００１４】本発明の超微細配線の補修方法において
は、金属化合物粒子や金属超微粒子もしくは半導体超微
粒子などの微粒子状の補集材料、あるいは細孔を有する
ターゲット状の補修材料を用い、これら補修材料への集
束性の高エネルギービームの照射に基づいて、補修材料
の構成元素を欠損部分に埋設している。
は、金属化合物粒子や金属超微粒子もしくは半導体超微
粒子などの微粒子状の補集材料、あるいは細孔を有する
ターゲット状の補修材料を用い、これら補修材料への集
束性の高エネルギービームの照射に基づいて、補修材料
の構成元素を欠損部分に埋設している。
【００１５】このように、補修材料への集束性の高エネ
ルギービームの照射に伴う構成元素の離脱、あるいは高
エネルギービーム照射による補修材料の直接的な移動な
どを利用することによって、例えば幅 0.3μm 以下とい
うような微細配線、さらには幅 0.1μm 以下というよう
な超微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を直接補
修することができる。この際、高エネルギービームの照
射径を絞ったり、またターゲット細孔の径を制御するこ
とによって、他の部分への影響を排除することができ
る。
ルギービームの照射に伴う構成元素の離脱、あるいは高
エネルギービーム照射による補修材料の直接的な移動な
どを利用することによって、例えば幅 0.3μm 以下とい
うような微細配線、さらには幅 0.1μm 以下というよう
な超微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を直接補
修することができる。この際、高エネルギービームの照
射径を絞ったり、またターゲット細孔の径を制御するこ
とによって、他の部分への影響を排除することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１７】図１はポアや欠落などによる欠損不良を有
する微細配線の一例を示す図である。同図に示す金属配
線１の幅は例えば 0.1〜 0.5μm 程度であり、その途中
にポア２、欠落３、断線４による欠損不良を有してい
る。なお、補修対象となる欠損不良は製造時のものに限
られるものではなく、例えばエレクトロマイグレーショ
ンにより生じたポア２、欠落３、断線４などであっても
よい。このような金属配線１の欠損不良２、３、４の補
修について、以下に詳述する。
する微細配線の一例を示す図である。同図に示す金属配
線１の幅は例えば 0.1〜 0.5μm 程度であり、その途中
にポア２、欠落３、断線４による欠損不良を有してい
る。なお、補修対象となる欠損不良は製造時のものに限
られるものではなく、例えばエレクトロマイグレーショ
ンにより生じたポア２、欠落３、断線４などであっても
よい。このような金属配線１の欠損不良２、３、４の補
修について、以下に詳述する。
【００１８】まず、本発明における第１の微細配線の補
修方法を適用した実施形態について、図２を参照して説
明する。まず、図２（ａ）に示すように、金属配線１の
欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種
の金属元素の酸化物微粒子１１などの化合物微粒子を配
置する。この化合物微粒子は金属酸化物微粒子１１に限
られるものではなく、配線１と同種の金属元素の炭化
物、窒化物、硼化物などを用いることも可能である。
修方法を適用した実施形態について、図２を参照して説
明する。まず、図２（ａ）に示すように、金属配線１の
欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種
の金属元素の酸化物微粒子１１などの化合物微粒子を配
置する。この化合物微粒子は金属酸化物微粒子１１に限
られるものではなく、配線１と同種の金属元素の炭化
物、窒化物、硼化物などを用いることも可能である。
【００１９】例えば、Ａｌ配線（１）の補修を実施する
場合には、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子が用いられる。特に、以下
に詳述する高エネルギービーム１２の照射によって、相
変態やそれに伴うＡｌ超微粒子の生成が容易な準安定酸
化物、例えばθ−Ａｌ2 Ｏ3微粒子を用いることが好ま
しい。Ａｌ以外の金属配線１の補修を行う場合には、対
象とする金属配線１と同種の金属元素の酸化物微粒子が
用いられ、比較的容易に分解するＷＯ3 、ＭｏＯ3 、Ｃ
ｕＯなどの使用は有効である。
場合には、Ａｌ2 Ｏ3 微粒子が用いられる。特に、以下
に詳述する高エネルギービーム１２の照射によって、相
変態やそれに伴うＡｌ超微粒子の生成が容易な準安定酸
化物、例えばθ−Ａｌ2 Ｏ3微粒子を用いることが好ま
しい。Ａｌ以外の金属配線１の補修を行う場合には、対
象とする金属配線１と同種の金属元素の酸化物微粒子が
用いられ、比較的容易に分解するＷＯ3 、ＭｏＯ3 、Ｃ
ｕＯなどの使用は有効である。
【００２０】また、金属酸化物微粒子１１などの化合物
微粒子の粒径は、補修対象の金属配線１の線幅や線間隔
などに応じて適宜設定可能であるが、例えば20nm〜 1μ
m 程度の粒径を有する金属酸化物微粒子１１を用いるこ
とが好ましい。
微粒子の粒径は、補修対象の金属配線１の線幅や線間隔
などに応じて適宜設定可能であるが、例えば20nm〜 1μ
m 程度の粒径を有する金属酸化物微粒子１１を用いるこ
とが好ましい。
【００２１】上述したようなθ−Ａｌ2 Ｏ3 微粒子など
の金属酸化物微粒子１１に対して、真空雰囲気中で高エ
ネルギービーム１２を照射する。高エネルギービーム１
２の照射によって、金属酸化物微粒子１１が活性化され
ると共に、電子線衝撃脱離（ESD:Electron Stimulated
Desorption）やスパッタリング効果などにより金属−酸
素結合（例えばＡｌ−Ｏ，Ｗ−Ｏなど）が切れて、金属
原子と酸素とが周囲に飛散する。この際、高エネルギー
ビーム１２を真空雰囲気中で照射しているため、金属酸
化物微粒子１１から飛散した酸素は還元されて、Ａｌな
どの金属のみが例えばクラスターとして周囲に付着して
金属超微粒子１３が生成する。
の金属酸化物微粒子１１に対して、真空雰囲気中で高エ
ネルギービーム１２を照射する。高エネルギービーム１
２の照射によって、金属酸化物微粒子１１が活性化され
ると共に、電子線衝撃脱離（ESD:Electron Stimulated
Desorption）やスパッタリング効果などにより金属−酸
素結合（例えばＡｌ−Ｏ，Ｗ−Ｏなど）が切れて、金属
原子と酸素とが周囲に飛散する。この際、高エネルギー
ビーム１２を真空雰囲気中で照射しているため、金属酸
化物微粒子１１から飛散した酸素は還元されて、Ａｌな
どの金属のみが例えばクラスターとして周囲に付着して
金属超微粒子１３が生成する。
【００２２】このようにして得られるＡｌ超微粒子など
の金属超微粒子１３は、表面酸化物を有しない純金属超
微粒子であり、その粒径は 0.5〜 200nm程度となる。金
属超微粒子１３の粒径は、照射する高エネルギービーム
１２のエネルギー密度、また金属超微粒子１３からの距
離などにより制御することができる。
の金属超微粒子１３は、表面酸化物を有しない純金属超
微粒子であり、その粒径は 0.5〜 200nm程度となる。金
属超微粒子１３の粒径は、照射する高エネルギービーム
１２のエネルギー密度、また金属超微粒子１３からの距
離などにより制御することができる。
【００２３】金属超微粒子１３は金属酸化物微粒子１１
の周囲に飛散するが、当初の金属酸化物微粒子１１と欠
落３との位置関係、金属酸化物微粒子１１に照射する高
エネルギービーム１２の照射径などを調整することによ
って、主として欠落３の方向に金属超微粒子１３を飛翔
させることかできる。具体的には、高エネルギービーム
１２の照射径を絞ることによって、金属酸化物微粒子１
１のビーム照射領域の側方に金属超微粒子１３を集中的
に飛翔させることができる。従って、高エネルギービー
ム１２としては集束性を有するものを使用する。
の周囲に飛散するが、当初の金属酸化物微粒子１１と欠
落３との位置関係、金属酸化物微粒子１１に照射する高
エネルギービーム１２の照射径などを調整することによ
って、主として欠落３の方向に金属超微粒子１３を飛翔
させることかできる。具体的には、高エネルギービーム
１２の照射径を絞ることによって、金属酸化物微粒子１
１のビーム照射領域の側方に金属超微粒子１３を集中的
に飛翔させることができる。従って、高エネルギービー
ム１２としては集束性を有するものを使用する。
【００２４】さらに、高エネルギービーム１２として電
子線を用いると共に、その照射方向と平行な磁場中で、
言い換えると電子線の照射軸と一致する軸を有する磁場
中で電子線照射を行うことによって、電子線の照射範囲
内に存在する金属超微粒子１３をローレンツ力で移動さ
せることができる。このようにして、周囲に飛散した金
属超微粒子１３を欠落３に集中させることも有効であ
る。
子線を用いると共に、その照射方向と平行な磁場中で、
言い換えると電子線の照射軸と一致する軸を有する磁場
中で電子線照射を行うことによって、電子線の照射範囲
内に存在する金属超微粒子１３をローレンツ力で移動さ
せることができる。このようにして、周囲に飛散した金
属超微粒子１３を欠落３に集中させることも有効であ
る。
【００２５】高エネルギービーム１２は、上述したよう
な集束性と金属酸化物微粒子１１を分解し得るようなエ
ネルギーを有していれば特に限定されるものではなく、
例えば強度が 1×1019e/cm2 ・sec 以上の電子線、この
電子線と同等の強度を有するイオンビームのような粒子
線、レーザのようなフォトン、Ｘ線、γ線、中性子線な
どを用いることができる。これらのうち、特に 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の電子線が好ましく用いられる。
な集束性と金属酸化物微粒子１１を分解し得るようなエ
ネルギーを有していれば特に限定されるものではなく、
例えば強度が 1×1019e/cm2 ・sec 以上の電子線、この
電子線と同等の強度を有するイオンビームのような粒子
線、レーザのようなフォトン、Ｘ線、γ線、中性子線な
どを用いることができる。これらのうち、特に 1×1019
e/cm2 ・sec 以上の電子線が好ましく用いられる。
【００２６】高エネルギービーム１２として電子線を用
いる場合、照射強度が 1×1019e/cm2 ・sec 未満である
と、金属超微粒子１３が生成し得るほどに金属酸化物微
粒子１１を活性化できないおそれがある。言い換える
と、 1×1019e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線
（１２）は、特に金属酸化物微粒子１１の活性化効果や
局所加熱効果などをもたらし、これらによって金属超微
粒子１３の生成が可能となる。高エネルギービーム１２
として粒子線、フォトン、Ｘ線、γ線、中性子線などを
用いる場合についても同様である。
いる場合、照射強度が 1×1019e/cm2 ・sec 未満である
と、金属超微粒子１３が生成し得るほどに金属酸化物微
粒子１１を活性化できないおそれがある。言い換える
と、 1×1019e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線
（１２）は、特に金属酸化物微粒子１１の活性化効果や
局所加熱効果などをもたらし、これらによって金属超微
粒子１３の生成が可能となる。高エネルギービーム１２
として粒子線、フォトン、Ｘ線、γ線、中性子線などを
用いる場合についても同様である。
【００２７】高エネルギービーム１２の照射雰囲気は、
1×10-3Pa以下の真空雰囲気とすることが好ましく、こ
れによって金属超微粒子１３の酸化や残留ガス原子の吸
着などを防ぐことができる。高エネルギービーム１２の
照射は、例えば電子ビームテスタの室温ステージ上など
で実施することができ、この場合には金属配線１の検査
と補修を同時に実施することができる。また、ＴＥＭ装
置などを利用することも可能であり、特に Field Emiss
ion-ＴＥＭなどを使用することによって、微小径で高エ
ネルギー密度の電子線を利用することができる。
1×10-3Pa以下の真空雰囲気とすることが好ましく、こ
れによって金属超微粒子１３の酸化や残留ガス原子の吸
着などを防ぐことができる。高エネルギービーム１２の
照射は、例えば電子ビームテスタの室温ステージ上など
で実施することができ、この場合には金属配線１の検査
と補修を同時に実施することができる。また、ＴＥＭ装
置などを利用することも可能であり、特に Field Emiss
ion-ＴＥＭなどを使用することによって、微小径で高エ
ネルギー密度の電子線を利用することができる。
【００２８】上述したような金属酸化物微粒子１１への
高エネルギービーム１２の照射を適当な時間継続するこ
とによって、図２（ｂ）に示すように、金属酸化物微粒
子１１から飛翔した金属超微粒子１３で欠落３を埋める
ことができる。このようにして得られる補修部分１４
は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金属元素
のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
高エネルギービーム１２の照射を適当な時間継続するこ
とによって、図２（ｂ）に示すように、金属酸化物微粒
子１１から飛翔した金属超微粒子１３で欠落３を埋める
ことができる。このようにして得られる補修部分１４
は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金属元素
のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００２９】図２は補修材料としての金属酸化物微粒子
１１を金属配線１の欠損不良（例えば欠落３）の側方に
配置する場合について説明したが、ポア２のような欠損
不良を補修する場合には、例えば図３に示すように、補
修材料としての金属酸化物微粒子１１をポア２のような
欠損不良の上方に配置する。この場合、補修材料は薄膜
状の金属酸化物であってもよい。
１１を金属配線１の欠損不良（例えば欠落３）の側方に
配置する場合について説明したが、ポア２のような欠損
不良を補修する場合には、例えば図３に示すように、補
修材料としての金属酸化物微粒子１１をポア２のような
欠損不良の上方に配置する。この場合、補修材料は薄膜
状の金属酸化物であってもよい。
【００３０】図３ではメッシュ状の保持部１５を有する
保持治具１６上に金属酸化物微粒子１１を載置し、この
状態でポア２の上方に金属酸化物微粒子１１を配置して
いる（図３（ａ））。このような金属酸化物微粒子１１
の上方から上述したような高エネルギービーム１２を照
射することによって、図３（ｂ）に示すように、金属酸
化物微粒子１１から飛翔した金属超微粒子１３でポア２
を埋めることができる。このようにして得られる補修部
分１４は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金
属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
保持治具１６上に金属酸化物微粒子１１を載置し、この
状態でポア２の上方に金属酸化物微粒子１１を配置して
いる（図３（ａ））。このような金属酸化物微粒子１１
の上方から上述したような高エネルギービーム１２を照
射することによって、図３（ｂ）に示すように、金属酸
化物微粒子１１から飛翔した金属超微粒子１３でポア２
を埋めることができる。このようにして得られる補修部
分１４は、金属超微粒子１３の集合体、言い換えると金
属元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００３１】上述したような金属超微粒子１３の集合体
は、そのままでも金属配線１の一部として機能させるこ
とができるが、さらに金属超微粒子１３の集合体に対し
て電子線などを照射することによって、金属超微粒子１
３同士および金属超微粒子１３と金属配線１との融合状
態を強化することができる。このようにして得られる補
修部分１４はナノ結晶膜となり、より一層配線としての
機能が向上する。
は、そのままでも金属配線１の一部として機能させるこ
とができるが、さらに金属超微粒子１３の集合体に対し
て電子線などを照射することによって、金属超微粒子１
３同士および金属超微粒子１３と金属配線１との融合状
態を強化することができる。このようにして得られる補
修部分１４はナノ結晶膜となり、より一層配線としての
機能が向上する。
【００３２】上述したように、金属酸化物微粒子１１へ
の高エネルギービーム１２の照射に基づく金属超微粒子
１３の生成を利用することによって、例えばサブミクロ
ンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３などの欠損不
良を直接補修することができる。また、補修材料として
用いた金属酸化物微粒子１１自体は絶縁体であるため、
例えば金属配線１の側方にそのまま放置しても特に問題
となることはない。なお、金属酸化物微粒子１１は、当
然ながら補修後に除去してもよい。
の高エネルギービーム１２の照射に基づく金属超微粒子
１３の生成を利用することによって、例えばサブミクロ
ンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３などの欠損不
良を直接補修することができる。また、補修材料として
用いた金属酸化物微粒子１１自体は絶縁体であるため、
例えば金属配線１の側方にそのまま放置しても特に問題
となることはない。なお、金属酸化物微粒子１１は、当
然ながら補修後に除去してもよい。
【００３３】次に、本発明における第２の微細配線の補
修方法を適用した実施形態について、図４を参照して説
明する。まず、図４（ａ）に示すように、金属配線１の
欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種
の金属元素の超微粒子（金属超微粒子）２１を補修材料
として配置する。
修方法を適用した実施形態について、図４を参照して説
明する。まず、図４（ａ）に示すように、金属配線１の
欠落３などによる欠損部分の側方に、金属配線１と同種
の金属元素の超微粒子（金属超微粒子）２１を補修材料
として配置する。
【００３４】金属超微粒子２１は、前述したような金属
酸化物微粒子への高エネルギービームの照射、また後述
する細孔を有するターゲット材への高エネルギービーム
の斜め照射などを利用して生成することができる。な
お、これら以外の金属超微粒子の生成方法を適用するこ
とも可能である。金属超微粒子２１の粒径は 0.5〜 200
nm程度であることが好ましく、このような金属超微粒子
２１は高エネルギービーム２２の照射により比較的容易
に移動させることができる。
酸化物微粒子への高エネルギービームの照射、また後述
する細孔を有するターゲット材への高エネルギービーム
の斜め照射などを利用して生成することができる。な
お、これら以外の金属超微粒子の生成方法を適用するこ
とも可能である。金属超微粒子２１の粒径は 0.5〜 200
nm程度であることが好ましく、このような金属超微粒子
２１は高エネルギービーム２２の照射により比較的容易
に移動させることができる。
【００３５】次いで、上述したような金属超微粒子２１
に対して高エネルギービーム２２を照射し、高エネルギ
ービーム２２を操作することによって、金属超微粒子２
１を欠落３まで誘導する。高エネルギービーム２２は前
述した実施形態と同様なものが用いられ、また照射雰囲
気なども同様とすることが好ましい。このようにして、
図４（ｂ）に示すように、金属超微粒子２１で欠落３を
埋めることができる。このようにして得られる補修部分
２３は、金属超微粒子２１の集合体、言い換えると金属
元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
に対して高エネルギービーム２２を照射し、高エネルギ
ービーム２２を操作することによって、金属超微粒子２
１を欠落３まで誘導する。高エネルギービーム２２は前
述した実施形態と同様なものが用いられ、また照射雰囲
気なども同様とすることが好ましい。このようにして、
図４（ｂ）に示すように、金属超微粒子２１で欠落３を
埋めることができる。このようにして得られる補修部分
２３は、金属超微粒子２１の集合体、言い換えると金属
元素のナノ結晶粒の集合体により構成されている。
【００３６】このような金属超微粒子２１の集合体は、
そのままでも金属配線１の一部として機能させることが
できるが、さらに金属超微粒子２１の集合体に対して電
子線２２′などを照射することによって、金属超微粒子
２１同士および金属超微粒子２１と金属配線１との融合
状態を強化することができる。このような補修部分は、
図４（ｃ）に示すようにナノ結晶膜２４となり、より一
層配線としての機能が向上する。
そのままでも金属配線１の一部として機能させることが
できるが、さらに金属超微粒子２１の集合体に対して電
子線２２′などを照射することによって、金属超微粒子
２１同士および金属超微粒子２１と金属配線１との融合
状態を強化することができる。このような補修部分は、
図４（ｃ）に示すようにナノ結晶膜２４となり、より一
層配線としての機能が向上する。
【００３７】なお、補修材料としての超微粒子は、場合
によっては半導体超微粒子であってもよい。補修材料と
して半導体超微粒子を用い、これを電子ビームなどで誘
導設置することによって、半導体部分の補修も可能であ
る。
によっては半導体超微粒子であってもよい。補修材料と
して半導体超微粒子を用い、これを電子ビームなどで誘
導設置することによって、半導体部分の補修も可能であ
る。
【００３８】次に、本発明における第３の微細配線の補
修方法を適用した実施形態について、図５を参照して説
明する。まず、図５（ａ）に示すように、金属配線１の
ポア２などによる欠損部分の上方に、金属配線１と同種
の金属からなるターゲット材３１を補修材料として配置
する。このターゲット材３１は細孔３２を有しており、
この細孔３２がポア２などの欠損部分の位置に対応する
ようにターゲット材３１を配置する。そして、この細孔
３２の内壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を斜
め上方から照射する。
修方法を適用した実施形態について、図５を参照して説
明する。まず、図５（ａ）に示すように、金属配線１の
ポア２などによる欠損部分の上方に、金属配線１と同種
の金属からなるターゲット材３１を補修材料として配置
する。このターゲット材３１は細孔３２を有しており、
この細孔３２がポア２などの欠損部分の位置に対応する
ようにターゲット材３１を配置する。そして、この細孔
３２の内壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を斜
め上方から照射する。
【００３９】細孔３２を有するターゲット材３１として
はメッシュ材を用いたり、あるいは金属フィルムにエッ
チングやレーザビームなどで細孔３２を形成したものを
使用する。ターゲット材３１の細孔３２は、金属超微粒
子３４の形成位置を提供するものであり、その内壁３２
ａから金属超微粒子３４の形成材料、すなわちターゲッ
ト材３１の構成原子などが供給される。
はメッシュ材を用いたり、あるいは金属フィルムにエッ
チングやレーザビームなどで細孔３２を形成したものを
使用する。ターゲット材３１の細孔３２は、金属超微粒
子３４の形成位置を提供するものであり、その内壁３２
ａから金属超微粒子３４の形成材料、すなわちターゲッ
ト材３１の構成原子などが供給される。
【００４０】従って、細孔３２の直径および配置位置、
ターゲット材３１の厚さ、さらに高エネルギービーム３
３の入射角などを制御することによって、所望の金属超
微粒子３４を形成することができる。例えば、細孔３２
の直径は 0.1〜 1×102 μm、ターゲット材３１の厚さ
は 0.2〜 1×102 μm 程度とすることが好ましい。高エ
ネルギービーム３３の入射角は、例えば直径 1〜 100nm
程度の超微粒子を得る上で、20〜45°の範囲となるよう
に設定することが好ましい。
ターゲット材３１の厚さ、さらに高エネルギービーム３
３の入射角などを制御することによって、所望の金属超
微粒子３４を形成することができる。例えば、細孔３２
の直径は 0.1〜 1×102 μm、ターゲット材３１の厚さ
は 0.2〜 1×102 μm 程度とすることが好ましい。高エ
ネルギービーム３３の入射角は、例えば直径 1〜 100nm
程度の超微粒子を得る上で、20〜45°の範囲となるよう
に設定することが好ましい。
【００４１】上述したようなターゲット材３１の細孔内
壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を上方斜め方
向から照射すると、ターゲット材３１の構成原子などが
離脱（図中、点線矢印で示す）して、これらが金属配線
１のポア２などに付着して金属超微粒子３４となる。こ
の際、ターゲット材３１は金属配線１（それが形成され
たいる半導体基板）と共に回転させてもよい。
壁３２ａに対して高エネルギービーム３３を上方斜め方
向から照射すると、ターゲット材３１の構成原子などが
離脱（図中、点線矢印で示す）して、これらが金属配線
１のポア２などに付着して金属超微粒子３４となる。こ
の際、ターゲット材３１は金属配線１（それが形成され
たいる半導体基板）と共に回転させてもよい。
【００４２】高エネルギービーム３３としては、前述し
たような各種の高エネルギービームを使用することが可
能であるが、特に加速電圧 2〜 5kV、ビーム電流 0.1〜
1mA程度のアルゴンイオンビームやガリウムイオンビー
ムのようなイオンビームを用いることが好ましい。この
ようなイオンビームをターゲット材３１の細孔内壁３２
ａに照射することによって、その衝撃によりターゲット
材３１の構成原子などを離脱させることができる。
たような各種の高エネルギービームを使用することが可
能であるが、特に加速電圧 2〜 5kV、ビーム電流 0.1〜
1mA程度のアルゴンイオンビームやガリウムイオンビー
ムのようなイオンビームを用いることが好ましい。この
ようなイオンビームをターゲット材３１の細孔内壁３２
ａに照射することによって、その衝撃によりターゲット
材３１の構成原子などを離脱させることができる。
【００４３】そして、上述したような高エネルギービー
ム３３の照射を一定時間継続し、連続的に金属超微粒子
３４を形成することによって、図５（ｂ）に示すよう
に、金属超微粒子３４でポア２を埋めることができる。
このようにして得られる補修部分３５は、金属超微粒子
３４の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集
合体により構成されている。
ム３３の照射を一定時間継続し、連続的に金属超微粒子
３４を形成することによって、図５（ｂ）に示すよう
に、金属超微粒子３４でポア２を埋めることができる。
このようにして得られる補修部分３５は、金属超微粒子
３４の集合体、言い換えると金属元素のナノ結晶粒の集
合体により構成されている。
【００４４】このような金属超微粒子３４の集合体は、
そのままでも金属配線１の一部として機能させることが
できるが、さらに金属超微粒子３４の集合体に対して電
子線などを照射することによって、金属超微粒子３４同
士および金属超微粒子３４と金属配線１との融合状態を
強化することができる。このようにして得られる補修部
分３５はナノ結晶膜となり、より一層配線としての機能
が向上する。
そのままでも金属配線１の一部として機能させることが
できるが、さらに金属超微粒子３４の集合体に対して電
子線などを照射することによって、金属超微粒子３４同
士および金属超微粒子３４と金属配線１との融合状態を
強化することができる。このようにして得られる補修部
分３５はナノ結晶膜となり、より一層配線としての機能
が向上する。
【００４５】上述したように、細孔３２を有するターゲ
ット材３１への高エネルギービーム３３の照射に基づく
金属超微粒子３４の生成を利用することによって、例え
ばサブミクロンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３
などの欠損不良を直接補修することができる。そして、
細孔３２の大きさ、ターゲット材３１の厚さ、高エネル
ギービーム３３の入射角度などを調整することによっ
て、補修部分３５の形状を制御することができるため、
種々の形状の欠損不良（ポア２、欠落３、断線４など）
を他の部分に影響を及ぼすことなく良好に補修すること
ができる。
ット材３１への高エネルギービーム３３の照射に基づく
金属超微粒子３４の生成を利用することによって、例え
ばサブミクロンオーダーの金属配線１のポア２や欠落３
などの欠損不良を直接補修することができる。そして、
細孔３２の大きさ、ターゲット材３１の厚さ、高エネル
ギービーム３３の入射角度などを調整することによっ
て、補修部分３５の形状を制御することができるため、
種々の形状の欠損不良（ポア２、欠落３、断線４など）
を他の部分に影響を及ぼすことなく良好に補修すること
ができる。
【００４６】なお、補修材料としてのターゲット３１
は、場合によってはＳｉなどからターゲットであっても
よい。補修材料として半導体ターゲットを用い、その細
孔内壁にイオンビームなどを照射して半導体超微粒子を
形成することによって、半導体部分の補修も可能であ
る。
は、場合によってはＳｉなどからターゲットであっても
よい。補修材料として半導体ターゲットを用い、その細
孔内壁にイオンビームなどを照射して半導体超微粒子を
形成することによって、半導体部分の補修も可能であ
る。
【００４７】上述した各実施形態で得られる微細配線補
修体、すなわち微細配線１の欠損部分（２、３、４）を
それと同一の金属元素（または半導体元素）で補修した
補修部分を有する微細配線補修体において、補修部分は
金属元素（または半導体元素）のナノ結晶粒の集合体、
さらにはナノ結晶膜により構成されている。このような
補修部分は多くの結晶粒を有することから、例えば微細
配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレ
ーションなどに対する耐性を向上させることができる。
修体、すなわち微細配線１の欠損部分（２、３、４）を
それと同一の金属元素（または半導体元素）で補修した
補修部分を有する微細配線補修体において、補修部分は
金属元素（または半導体元素）のナノ結晶粒の集合体、
さらにはナノ結晶膜により構成されている。このような
補修部分は多くの結晶粒を有することから、例えば微細
配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレ
ーションなどに対する耐性を向上させることができる。
【００４８】
【実施例】次に、本発明の実施例について述べる。
【００４９】実施例１ 補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修した。
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修した。
【００５０】まず、Ａｌ配線の欠損部分の側方に、補修
材料としてθ−Ａｌ2 Ｏ3 微粒子を配置した。このθ−
Ａｌ2 Ｏ3 微粒子はアセトン溶媒に分散させ、ピンセッ
トの先端に付けて塗布、乾燥させることにより配置し
た。このようなθ−Ａｌ2 Ｏ3微粒子に、 1×10-5Pa程
度の高真空雰囲気中にて 1×1020e/cm2 ・sec の強度を
有する電子線を照射した。
材料としてθ−Ａｌ2 Ｏ3 微粒子を配置した。このθ−
Ａｌ2 Ｏ3 微粒子はアセトン溶媒に分散させ、ピンセッ
トの先端に付けて塗布、乾燥させることにより配置し
た。このようなθ−Ａｌ2 Ｏ3微粒子に、 1×10-5Pa程
度の高真空雰囲気中にて 1×1020e/cm2 ・sec の強度を
有する電子線を照射した。
【００５１】このような強度の電子線をθ−Ａｌ2 Ｏ3
に照射すると、準安定酸化物であるθ−Ａｌ2 Ｏ3 が活
性化され、その構成元素であるＡｌおよびＯが周囲に飛
散する。この際、電子線照射時の雰囲気が高真空雰囲気
であることなどに基づいて、飛散した酸素は還元され、
Ａｌのみがクラスターなどとして欠損部分に付着する。
このようにして、補修材料としてのθ−Ａｌ2 Ｏ3 の構
成元素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
に照射すると、準安定酸化物であるθ−Ａｌ2 Ｏ3 が活
性化され、その構成元素であるＡｌおよびＯが周囲に飛
散する。この際、電子線照射時の雰囲気が高真空雰囲気
であることなどに基づいて、飛散した酸素は還元され、
Ａｌのみがクラスターなどとして欠損部分に付着する。
このようにして、補修材料としてのθ−Ａｌ2 Ｏ3 の構
成元素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
【００５２】実施例２ 補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修した。
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修した。
【００５３】まず、Ａｌ配線の欠損部分の上に、直径 5
μm 程度の細孔を有するＡｌメッシュを配置した。この
際、Ａｌメッシュは欠損部分に対応する細孔を除いて、
マスクで覆っておく。このＡｌメッシュを上部に配置し
たＳｉ基板を、真空室内の室温ステージ上にセットし
た。
μm 程度の細孔を有するＡｌメッシュを配置した。この
際、Ａｌメッシュは欠損部分に対応する細孔を除いて、
マスクで覆っておく。このＡｌメッシュを上部に配置し
たＳｉ基板を、真空室内の室温ステージ上にセットし
た。
【００５４】次いで、ＡｌメッシュをＳｉ基板と共に 2
rpm で回転させながら、Ａｌメッシュの細孔内壁に、加
速電圧 3.0kV、ビーム電流0.25mAのＡｒイオンビームを
斜め方向から照射した。Ａｒイオンビームの入射角は40
°とした。また、Ａｒイオンビーム照射時の雰囲気は 1
×10-3Pa程度の真空（Ａｒを含む）とした。
rpm で回転させながら、Ａｌメッシュの細孔内壁に、加
速電圧 3.0kV、ビーム電流0.25mAのＡｒイオンビームを
斜め方向から照射した。Ａｒイオンビームの入射角は40
°とした。また、Ａｒイオンビーム照射時の雰囲気は 1
×10-3Pa程度の真空（Ａｒを含む）とした。
【００５５】上記したＡｒイオンビームの照射後にＡｌ
配線の欠損部分を観察したところ、欠損部分には多数の
Ａｌ超微粒子が形成されており、これら多数のＡｌ超微
粒子で欠損部分が埋められていることが確認された。こ
のようにして、補修材料としてのＡｌメッシュの構成元
素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
配線の欠損部分を観察したところ、欠損部分には多数の
Ａｌ超微粒子が形成されており、これら多数のＡｌ超微
粒子で欠損部分が埋められていることが確認された。こ
のようにして、補修材料としてのＡｌメッシュの構成元
素であるＡｌで微細配線の欠損部分を補修した。
【００５６】実施例３ 補修対象の微細配線としてＳｉ基板上に形成されたＡｌ
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修する。
配線を用い、このＡｌ配線の欠落による欠損部分を以下
のようにして補修する。
【００５７】まず、Ａｌ配線の欠損部分の側方に、補修
材料としてのＡｌ超微粒子を配置した。このＡｌ超微粒
子は、実施例１によるθ−Ａｌ2 Ｏ3 への電子線照射を
応用して形成した。
材料としてのＡｌ超微粒子を配置した。このＡｌ超微粒
子は、実施例１によるθ−Ａｌ2 Ｏ3 への電子線照射を
応用して形成した。
【００５８】次に、上記したＡｌ超微粒子に例えば直径
10nm程度まで絞った電子ビームを 1×10-3Pa程度の真空
雰囲気中で照射し、この電子ビームを操作してＡｌ超微
粒子を欠損部分まで移動させた。そして、欠損部分にＡ
ｌ超微粒子を付着させることによって、欠損部分を補修
した。
10nm程度まで絞った電子ビームを 1×10-3Pa程度の真空
雰囲気中で照射し、この電子ビームを操作してＡｌ超微
粒子を欠損部分まで移動させた。そして、欠損部分にＡ
ｌ超微粒子を付着させることによって、欠損部分を補修
した。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の微細配線
の補修方法によれば、超高集積半導体デバイスなどに用
いられる微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を、
他の部分に影響を及ぼすことなく直接補修することがで
きる。従って、超高集積半導体デバイスの製造歩留りな
どを後工程で向上させることが可能となる。
の補修方法によれば、超高集積半導体デバイスなどに用
いられる微細配線のポアや欠落などによる欠損不良を、
他の部分に影響を及ぼすことなく直接補修することがで
きる。従って、超高集積半導体デバイスの製造歩留りな
どを後工程で向上させることが可能となる。
【図１】 本発明の微細配線の補修方法の実施形態にお
いて補修対象とした微細配線の一例を示す図である。
いて補修対象とした微細配線の一例を示す図である。
【図２】 本発明の微細配線の補修方法の第１の実施形
態による微細配線の補修状態を示す図である。
態による微細配線の補修状態を示す図である。
【図３】 図２に示す微細配線の補修方法の変形例を示
す図である。
す図である。
【図４】 本発明の微細配線の補修方法の第２の実施形
態による微細配線の補修状態を示す図である。
態による微細配線の補修状態を示す図である。
【図５】 本発明の微細配線の補修方法の第３の実施形
態による微細配線の補修状態を示す図である。
態による微細配線の補修状態を示す図である。
１……金属配線（微細配線） ２、３、４……欠損部分 １１……補修材料としての金属酸化物微粒子 １２、２２、３３……高エネルギービーム １３、３４……金属超微粒子 １４、２３、３５……補修部分 ２１……補修材料としての金属超微粒子 ３１……補修材料としてのターゲット材
Claims (10)
- 【請求項１】 微細配線の欠損部分を補修するにあた
り、 前記欠損部分の近傍に配置した補修材料に、高真空雰囲
気中にて集束性を有する高エネルギービームを照射し、
前記高エネルギービームの照射に基づいて前記補修材料
の構成元素を前記欠損部分に埋設することにより、前記
欠損部分を補修することを特徴とする微細配線の補修方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の微細配線の補修方法にお
いて、 前記欠損部分の上方もしくは側方に薄膜状または微粒子
状の前記補修材料を配置し、前記薄膜状または微粒子状
の補修材料に前記高エネルギービームを照射して、前記
補修材料の構成原子を離脱させ、この離脱させた構成原
子を前記欠損部分に付着させることにより、前記欠損部
分を補修することを特徴とする微細配線の補修方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の微細配線の補修方法にお
いて、 前記補修材料として金属化合物を用い、かつ前記金属化
合物を構成する金属原子を前記欠損部分に付着させるこ
とを特徴とする微細配線の補修方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の微細配線の補修方法にお
いて、 前記欠損部分の側方に超微粒子状の前記補修材料を配置
し、前記超微粒子状の補修材料に前記高エネルギービー
ムを照射しつつ、前記超微粒子状の補修材料を前記欠損
部分に誘導すると共に埋設して、前記欠損部分を補修す
ることを特徴とする微細配線の補修方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の超微細配線の補修方法に
おいて、 前記超微粒子状の補修材料として、金属超微粒子または
半導体超微粒子を用いることを特徴とする超微細配線の
補修方法。 - 【請求項６】 請求項２ないし請求項５のいずれか１項
記載の微細配線の補修方法において、 前記高エネルギービームとして、 1×1019e/cm2 ・sec
以上の強度を有する電子線を用いることを特徴とする微
細配線の補修方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の超微細配線の補修方法に
おいて、 前記欠損部分の上方に細孔を有する前記補修材料を配置
し、前記補修材料の細孔内壁に対して前記高エネルギー
ビームを斜め上方から照射して、前記補修材料の構成原
子を離脱させ、この離脱させた構成原子を前記欠損部分
に付着させることにより、前記欠損部分を補修すること
を特徴とする超微細配線の補修方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の超微細配線の補修方法に
おいて、 前記補修材料として、前記細孔を有する金属ターゲット
または半導体ターゲットを用いることを特徴とする超微
細配線の補修方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の超微細配線の補修方法に
おいて、 前記高エネルギービームとして、イオンビームを用いる
ことを特徴とする超微細配線の補修方法。 - 【請求項１０】 微細配線の欠損部分を、前記微細配線
の構成元素と同一の金属元素または半導体元素により補
修した補修部分を有する微細配線補修体であって、前記
補修部分は前記金属元素または半導体元素のナノ結晶粒
の集合体により構成されていることを特徴とする微細配
線補修体。
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| JP18537998A JP3631905B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 微細配線の補修方法および微細配線補修体 |
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| JP3631905B2 JP3631905B2 (ja) | 2005-03-23 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218615A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Sii Nanotechnology Inc | 集積回路の修正配線形成方法 |
| CN110798990A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 广东工业大学 | 一种微细线路的修复方法 |
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1998
- 1998-06-30 JP JP18537998A patent/JP3631905B2/ja not_active Expired - Fee Related
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