JP3593396B2 - 電流出力回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流増幅回路、基準電流発生回路、電圧/電流変換回路などの電流出力回路及び基準電流発生方法に関し、カレントミラー回路を低入出力電圧で動作させる場合などに適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
入力電流に比例した出力電流を供給する電流増幅回路として、カレントミラー回路があった。そして、高い精度の電流を必要とする場合、高い出力抵抗を得るためにカレントミラー回路をカスコード構成にして使用していた。
【0003】
以下、従来のカスコード・カレントミラー回路について図面を参照しながら説明する。
図13は、従来のカスコード・カレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【0004】
図13において、M100〜M103はNチャネルMOSトランジスタであり、NチャネルMOSトランジスタM100、M102により第1段目のカレントミラー回路を構成し、NチャネルMOSトランジスタM101、M103により第2段目のカレントミラー回路を構成し、第1段目のカレントミラー回路と第2段目のカレントミラー回路とが縦列(カスコード)接続されている。
【0005】
そして、NチャネルMOSトランジスタM100のドレインに基準電流Irefを入力することにより、NチャネルMOSトランジスタM102のドレインに出力電流Ioを出力する。この場合、NチャネルMOSトランジスタM103のゲート電圧の値はVth+αとなり、NチャネルMOSトランジスタM102のゲート電圧の値は2(Vth+α)となる。
【0006】
ここで、VthはNチャネルMOSトランジスタM100〜M103のしきい値電圧であり、αはNチャネルMOSトランジスタM100〜M103のゲート/ソース間電圧VGSからしきい値電圧Vthを引いた値(ただし、ドレイン電流IDが入力電流Irefに等しい場合)である。
【0007】
出力電圧Voと出力電流Ioとの関係は図14に示すようになり、出力電圧Voの値が2α以下では、NチャネルMOSトランジスタM102、M103は非飽和領域(3極管領域)で動作し、出力電圧Voの値が2α〜Vth+2αの間では、NチャネルMOSトランジスタM102は非飽和領域、NチャネルMOSトランジスタM103は飽和領域(ピンチオフ領域)で動作し、出力電圧Voの値がVth+2α以上では、NチャネルMOSトランジスタM102、M103は飽和領域で動作する。
【0008】
すなわち、出力電圧Voの値がVth+2α以上の範囲では、Vo−Io曲線の傾きは非常に小さく、出力抵抗を非常に大きくすることができるので、高い精度の出力電流Ioを得ることができる。
【0009】
次に、従来のコンパウンドカレントミラー回路について図面を参照しながら説明する。
図15は、従来のコンパウンドカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【0010】
図15において、M110〜M114はNチャネルMOSトランジスタであり、NチャネルMOSトランジスタM110のゲート長とゲート幅との比W/Lは、NチャネルMOSトランジスタM111〜M114のゲート長とゲート幅との比W/Lの1/4になっている。
【0011】
そして、NチャネルMOSトランジスタM110のドレイン端子は第1の入力電流I1の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM110のゲート端子はNチャネルMOSトランジスタM110のドレイン端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM110のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0012】
NチャネルMOSトランジスタM111のドレイン端子は第2の入力電流I2の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM111のゲート端子はNチャネルMOSトランジスタM110のゲート端子に接続されている。
【0013】
NチャネルMOSトランジスタM112のドレイン端子はNチャネルMOSトランジスタM111のソース端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM112のゲート端子は第2の入力電流I2の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM112のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0014】
NチャネルMOSトランジスタM113のドレイン端子は出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM113のゲート端子はNチャネルMOSトランジスタM111のゲート端子に接続されている。
【0015】
NチャネルMOSトランジスタM114のドレイン端子はNチャネルMOSトランジスタM113のソース端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM114のゲート端子は第2の入力電流I2の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM114のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0016】
そして、NチャネルMOSトランジスタM110のドレインに入力電流I1を入力し、NチャネルMOSトランジスタM111のドレインに入力電流I2を入力することにより、NチャネルMOSトランジスタM113のドレインに出力電流Ioを出力する。
【0017】
この場合、NチャネルMOSトランジスタM110のゲート/ソース間電圧VGS´は、以下の計算により、Vth+2αとなる。
すなわち、NチャネルMOSトランジスタM111〜M114のゲート/ソース間電圧をVGSとすると、NチャネルMOSトランジスタM110のゲート長とゲート幅との比W/Lは、NチャネルMOSトランジスタM111〜M114のゲート長とゲート幅との比W/Lの1/4になっているので、
K・1/4・W/L(VGS´−Vth)2
=K・W/L(VGS−Vth)2
が成り立つ。従って、
(VGS´−Vth)2
=4(VGS−Vth)2
となり、
VGS´=Vth+2(VGS−Vth)=Vth+2α
となる。
【0018】
ここで、Kは定数であり、VthはNチャネルMOSトランジスタM110〜M114のしきい値電圧である。
よって、NチャネルMOSトランジスタM111、M113のゲート電圧はVth+2αとなる。
【0019】
NチャネルMOSトランジスタM112、M114のゲート電圧はVth+αとなるので、図16に示すように、出力電圧Voの値が2α以上の範囲で、NチャネルMOSトランジスタM113、M114が飽和領域で動作するようになる。
【0020】
また、入力端子で必要な電圧が大きい方の入力電流I1側でVth+αとなる。
従って、高抵抗領域で動作させるのに必要な入力電圧及び出力電圧は、図13のカスコード・カレントミラー回路よりもしきい値電圧分だけ下がる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
従来のカスコード・カレントミラー回路で高い精度の電流を得る場合、入力電圧の値を2Vth+α以上、出力電圧Voの値をVth+2α以上で動作させる必要があり、高い精度の電流を得ることができる電圧範囲が狭いという問題があり、低電圧電源回路では使用が困難になる場合があった。
【0022】
例えば、Nチャネルカスコード・カレントミラーの出力とPチャネルカスコード・カレントミラーの入力とを接続して電流の折り返しを行う場合、2(VthN +αN )+(VthP +2αP )以上の電圧が必要となり、
VthN =VthP =1V、
αN =αP =0.1V、
の場合、3.3Vの電源電圧では使用できなくなる。
【0023】
ここで、VthN はNチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧であり、VthP はPチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧であり、αN はNチャネルMOSトランジスタのゲート/ソース間電圧VGSからしきい値電圧VthN を引いた値(ただし、ドレイン電流IDが入力電流Irefに等しい場合)であり、αP はPチャネルMOSトランジスタのゲート/ソース間電圧VGSからしきい値電圧VthP を引いた値(ただし、ドレイン電流IDが入力電流Irefに等しい場合)である。
【0024】
また、従来のコンパウンドカレントミラー回路は、カスコード・カレントミラー回路に比べてより低い電圧で動作することができるが、2つの入力電流I1、I2が必要になるという問題があった。特に、IC中の最初の基準電流を構成する場合、この2つの入力電流I1、I2をどのように発生させるかが問題となる。
【0025】
さらに、コンパウンドカレントミラー回路のNチャネルMOSトランジスタM111、M113のバックゲートを接地電位GNDに接続した場合、NチャネルMOSトランジスタM111、M113のしきい値電圧は、NチャネルMOSトランジスタM110、M112、M114のしきい値電圧よりも大きくなる。この場合、NチャネルMOSトランジスタM112のドレイン電位が電圧αよりも小さくなってしまい飽和領域で動作することができなくなるので、入力電流と出力電流との相対精度は著しく低下するという問題があった。
【0026】
そこで、本発明の第1の目的は、低入出力電圧で精度よく動作することができる電流増幅回路を提供することである。
また、本発明の第2の目的は、高い精度の電流を複数発生することができる基準電流発生回路、電圧/電流変換回路及び基準電流発生方法を提供することである。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項1の発明によれば、第1の入力トランジスタのドレインを電圧降下手段を介して第1の電流入力端子に接続するとともにゲートを第1の電流入力端子に接続し、第2の入力トランジスタのドレインとゲートとを第2の電流入力端子に接続し、第3の入力トランジスタのドレインを第2の入力トランジスタのソースに接続するとともにゲートを第1の電流入力端子に接続し、第1の出力トランジスタのドレインを出力端子に接続するとともにゲートを第2の電流入力端子に接続し、第2の出力トランジスタのドレインを第1の出力トランジスタのソースに接続するとともにゲートを第1の電流入力端子に接続する。このことにより、第2の出力トランジスタのドレイン電位を電圧降下手段による降下電圧だけ下げることができ、出力電圧を低電圧化することができる。
【0028】
請求項2の発明によれば、電圧降下手段の降下電圧を第1の入力トランジスタのしきい値電圧以下に設定する。このことにより、出力電流の精度を保持したまま、電圧降下手段による降下電圧だけ出力電圧を下げることができる。
【0029】
請求項3の発明によれば、第1の電流入力端子からの電流値と前記第1の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合が、第2の電流入力端子からの電流値と第3の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合と等しくなるように設定し、第3の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比と第2の出力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合が、第2の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比と第1の出力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合と等しくなるように設定する。このことにより、各トランジスタを飽和領域で動作させることができ、高精度の出力電流を取り出すことができる。
【0030】
請求項4の発明によれば、電圧降下手段はMOSトランジスタである。このことにより、電圧降下手段の降下電圧を自由に設定することができる。
請求項5の発明によれば、電圧降下手段は抵抗素子である。このことにより、電圧降下手段の降下電圧を自由に設定することができる。
【0031】
請求項6の発明によれば、電圧降下手段はダイオードである。このことにより、電圧降下手段の降下電圧を精度よく設定することができる。
請求項7の発明によれば、電圧降下デバイスを介して第1の入力電流の出力側にドレイン端子が接続され、第1の入力電流の出力側にゲート端子が接続されたMOSトランジスタと、第1の入力電流をカレントミラー入力とする第1段目のカレントミラー回路と、第1段目のカレントミラー回路に縦列接続されており、第2の入力電流をカレントミラー入力とする第2段目のカレントミラー回路とを備える。このことにより、第1段目のカレントミラー回路の出力電圧を電圧降下手段による降下電圧だけ下げることができ、第2段目のカレントミラー回路の出力電圧を低電圧化することができる。
【0032】
請求項8の発明によれば、第1の電流増幅回路の第1の電流入力端子に外部からの入力電流を入力し、第1の電流増幅回路の第2の電流入力端子に第2の電流増幅回路の電流出力端子を接続し、第2の電流増幅回路の第1の電流入力端子に第1の電流増幅回路の第1の電流出力端子を接続し、第2の電流増幅回路の第2の電流入力端子に第1の電流増幅回路の第2の電流出力端子を接続し、第1の電流増幅回路の第3の電流出力端子から出力電流を外部に出力する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を外部に出力することができる。
【0033】
請求項9の発明によれば、第1の電流増幅回路及び第2の電流増幅回路に、請求項1記載の電流増幅回路を使用する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0034】
請求項10の発明によれば、第1の電流増幅回路及び前記第2の電流増幅回路に、コンパウンドカレントミラー回路を使用する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0035】
請求項11の発明によれば、基準電圧を入力とする電圧/電流変換回路からの出力電流を、請求項1記載の電流増幅回路又はコンパウンドカレントミラー回路の第1の電流入力端子の入力電流として使用する。このことにより、1つの基準電圧を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0036】
請求項12の発明によれば、第1の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用し、第2の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0037】
請求項13の発明によれば、第1の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用し、第2の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0038】
請求項14の発明によれば、第1のトランジスタのゲートにソース電位と基準電圧との比較結果を入力し、第2のトランジスタのソースにボルテージフォロアを介して基準電圧を入力するとともに、ゲートに前記比較結果を入力する。このことにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を発生させることができる。
【0039】
請求項15の発明によれば、第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流を請求項1に記載の電流増幅回路の第1の電流入力端子に供給し、前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流を請求項1に記載の電流増幅回路の第2の電流入力端子に供給する。このことにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を低い出力電圧で発生させることができる。
【0040】
請求項16の発明によれば、第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第1の電流入力端子に供給し、前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第2の電流入力端子に供給する。このことにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を低い出力電圧で発生させることができる。
【0041】
請求項17の発明によれば、第1のトランジスタのソースを抵抗素子を介して電圧入力端子に接続するとともに、ゲートを基準電圧を正相入力とし且つ前記ソースの電圧を逆相入力とする第1の演算増幅器の出力端子に接続し、第2のトランジスタのソースを基準電圧を正相入力とし且つ出力電圧を逆相入力とする第2の演算増幅器の出力端子に接続するとともに、ゲートを第1の演算増幅器の出力端子に接続する。このことにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を発生させることができる。
【0042】
請求項18の発明によれば、N個の入力電流を必要とし且つM個の出力電流を出力する第1の基準電流発生回路の(N−1)個の入力電流を、K(M>K)個の入力電流を必要とし且つ(N−1)個の出力電流を出力する第2の基準電流発生回路の(N−1)個の出力電流から供給し、第2の基準電流発生回路のK個の入力電流を、第1の基準電流発生回路の出力電流のうちのK個から供給する。このことにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、複数の電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を外部に出力することができる。
【0043】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1実施例によるカレントミラー回路を図面を参照しながら説明する。
【0044】
図1は、本発明の第1実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
図1において、M1〜M5はNチャネルMOSトランジスタであり、NチャネルMOSトランジスタM1〜M5のゲート長とゲート幅との比W/Lは等しくなっている。I1は第1のカレントミラー入力電流、I2は第2のカレントミラー入力電流であり、第1のカレントミラー入力電流I1の値と第2のカレントミラー入力電流I2の値とは等しくなっている。D0は電圧降下デバイスであり、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0を0からNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthの間に設定し、特に、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しいか又はしきい値電圧Vthに近くなるように設定することが望ましい。
【0045】
NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン端子は電圧降下デバイスD0を介して第1のカレントミラー入力電流I1の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート端子は第1のカレントミラー入力電流I1の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM1のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0046】
NチャネルMOSトランジスタM2のドレイン端子及びゲート端子は第2のカレントミラー入力電流I2の出力側に接続されている。
NチャネルMOSトランジスタM3のドレイン端子はNチャネルMOSトランジスタM2のソース端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM3のゲート端子は第1のカレントミラー入力電流I1の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM3のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0047】
NチャネルMOSトランジスタM4のドレイン端子は出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM4のゲート端子は第2のカレントミラー入力電流I2の出力側に接続されている。
【0048】
NチャネルMOSトランジスタM5のドレイン端子はNチャネルMOSトランジスタM4のソース端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のゲート端子は第1のカレントミラー入力電流I1の出力側に接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース端子は接地端子GNDに接続されている。
【0049】
すなわち、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン端子を電圧降下デバイスD0を介して第1のカレントミラー入力電流I1の出力側に接続し、第1のカレントミラー入力電流I1をNチャネルMOSトランジスタM1、M3、M5のゲート端子に供給し、第2のカレントミラー入力電流I2をNチャネルMOSトランジスタM2、M4のゲート端子に供給することにより、NチャネルMOSトランジスタM4のドレインに出力電流Ioを出力する。
【0050】
次に、本発明の第1実施例によるカレントミラー回路の動作を説明する。
なお、以下の説明では、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthに等しいものとする。
【0051】
図1において、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート電位(ノード▲1▼の電位)は、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート/ソース間電圧VGS1に等しく、Vth+αである。従って、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位(ノード▲2▼の電位)は、ノード▲1▼の電位よりもしきい値電圧Vthだけ下がり、電圧αとなる。
【0052】
NチャネルMOSトランジスタM3のゲート電位は、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート電位と等しいので、NチャネルMOSトランジスタM3のドレイン電位(ノード▲4▼の電位)は、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位と等しくなり、電圧αとなる。
【0053】
NチャネルMOSトランジスタM2のゲート/ソース間電圧VGS2は、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート/ソース間電圧VGS1に等しく、Vth+αである。従って、NチャネルMOSトランジスタM2のゲート電位(ノード▲3▼の電位)は、VGS2+α=Vth+2αとなる。
【0054】
よって、NチャネルMOSトランジスタM5のドレイン電位(ノード▲6▼の電位)は電圧α、NチャネルMOSトランジスタM4のドレイン電位(ノード▲5▼の電位)は電圧2αとなり、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値が2αとなる。
【0055】
例えば、第1のカレントミラー入力電流I1の大きさと第1のカレントミラー入力電流I1の大きさとが基準電流Irefに等しく、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthに等しい場合、出力電圧Voと出力電流Ioとの関係は、図2に示すように、電圧2α以下で出力電圧Voと出力電流Ioとは比例し、電圧2α以上で出力電流Ioはほぼ一定となる。このため、出力電圧Voが電圧2α以上の範囲で基準電流Irefと等しい出力電流Ioを得ることができる。
【0056】
なお、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthより小さい場合、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値は2α+Vth−VD0となる。
【0057】
電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthより大きい場合、NチャネルMOSトランジスタM1は非飽和領域で動作し、カレントミラーの精度が悪くなる。
【0058】
以上説明したように、本発明の第1実施例によるカレントミラー回路によれば、NチャネルMOSトランジスタM4のゲート電位をVth+2αとすることができ、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値を2αとすることができる。
【0059】
また、入力端子で必要な電圧が大きい方の第1のカレントミラー入力電流I1の出力側でVth+αとなり、図13のカスコード・カレントミラー回路よりしきい値電圧Vthだけ小さくすることができる。
【0060】
さらに、Nチャネルカスコード・カレントミラーの出力とPチャネルカスコード・カレントミラーの入力とを接続して電流の折り返しを行う場合に必要な電圧は(Vth+2α)+(2α)となり、図13のカスコード・カレントミラーと比べて必要な電圧を2Vth分だけ少なくすることができる。
【0061】
さらにまた、電圧降下デバイスD0による電圧降下の値VD0をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下とすることにより、NチャネルMOSトランジスタM2、M4のしきい値電圧がNチャネルMOSトランジスタM3、M5のしきい値電圧より大きい場合においても、飽和領域で動作させることができる。
【0062】
次に、本発明の第2実施例によるカレントミラー回路を図面を参照しながら説明する。本発明の第2実施例によるカレントミラー回路は、図1の電圧降下デバイスD0にNチャネルMOSトランジスタM0を用いたものである。
【0063】
図3は、本発明の第2実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
図3において、M0〜M5はNチャネルMOSトランジスタであり、I1は第1のカレントミラー入力電流、I2は第2のカレントミラー入力電流である。
【0064】
ここで、第1のカレントミラー入力電流I1の値とNチャネルMOSトランジスタM1のゲート長とゲート幅との比W1/L1との割合が、第2のカレントミラー入力電流I2の値とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3との割合と等しくなるように設定する。
【0065】
NチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長とゲート幅との比W5/L5との割合が、NチャネルMOSトランジスタM2のゲート長とゲート幅との比W2/L2とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長とゲート幅との比W4/L4との割合と等しくなるように設定する。
【0066】
すなわち、
I1:(W1/L1)=I2:(W3/L3)
(W3/L3):(W5/L5)=(W2/L2):(W4/L4)
となるようにする。
【0067】
NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下になるようにNチャネルMOSトランジスタM0のゲート長とゲート幅との比W0/L0を設定する。特に、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しいか又はしきい値電圧Vthに近くなるように設定することが望ましい。
【0068】
このことにより、NチャネルMOSトランジスタM0〜M5を飽和領域で動作させながら、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値だけ、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位(ノード▲2▼の電位)を下げることができ、精度の高い電流を低電圧で出力できる。
【0069】
NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位が、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値だけ下がることにより、NチャネルMOSトランジスタM3のドレイン電位(ノード▲4▼の電位)がNチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値だけ下がり、且つNチャネルMOSトランジスタM5のドレイン電位(ノード▲6▼の電位)がNチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値だけ下がる。このため、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値がNチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値だけ下がる。
【0070】
例えば、第1のカレントミラー入力電流I1の大きさと第2のカレントミラー入力電流I2の大きさとが基準電流Irefに等しく、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthに等しく、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート長L1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート長L2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長L3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長L4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長L5とが等しくNチャネルMOSトランジスタM1のゲート幅W1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート幅W2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート幅W3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート幅W4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート幅W5とが等しいとする。
【0071】
この場合、出力電圧Voと出力電流Ioとの関係は、図2に示すようになり、出力電圧Voが電圧2α以上の範囲で基準電流Irefと等しい出力電流Ioを得ることができる。
【0072】
以上説明したように、本発明の第2実施例によるカレントミラー回路によれば、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しくすることにより、NチャネルMOSトランジスタM4のゲート電位をVth+2αとすることができ、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値を2αとすることができる。
【0073】
また、入力端子で必要な電圧が大きい方の第1のカレントミラー入力電流I1の出力側でVth+αとなり、図13のカスコード・カレントミラー回路よりしきい値電圧Vthだけ小さくすることができる。
【0074】
さらに、本実施例をCMOS回路に適用した場合、Nチャネルカスコード・カレントミラーの出力とPチャネルカスコード・カレントミラーの入力とを接続して電流の折り返しを行う際に必要な電圧は(Vth+2α)+(2α)となり、図13のカスコード・カレントミラーと比べて必要な電圧を2Vth分だけ少なくすることができる。
【0075】
さらにまた、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下とすることにより、NチャネルMOSトランジスタM2、M4のしきい値電圧がNチャネルMOSトランジスタM3、M5のしきい値電圧より大きい場合においても、飽和領域で動作させることができる。
【0076】
なお、NチャネルMOSトランジスタM0のドレイン/ソース間電圧VDS0の値を、NチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下とするには、例えば、NチャネルMOSトランジスタM0のゲート長とゲート幅との比W0/L0をNチャネルMOSトランジスタM1のゲート長とゲート幅との比W1/L1より大きく設定する。
【0077】
次に、本発明の第3実施例によるカレントミラー回路を図面を参照しながら説明する。 図4は、本発明の第3実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【0078】
図4において、M1〜M5はNチャネルMOSトランジスタであり、I1は第1のカレントミラー入力電流、I2は第2のカレントミラー入力電流である。図4に示した本発明の第3実施例によるカレントミラー回路は、図1の電圧降下デバイスD0に抵抗素子R0を用いたものである。
【0079】
ここで、第1のカレントミラー入力電流I1の値とNチャネルMOSトランジスタM1のゲート長とゲート幅との比W1/L1との割合が、第2のカレントミラー入力電流I2の値とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3との割合と等しくなるように設定する。
【0080】
NチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長とゲート幅との比W5/L5との割合が、NチャネルMOSトランジスタM2のゲート長とゲート幅との比W2/L2とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長とゲート幅との比W4/L4との割合と等しくなるように設定する。
【0081】
抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下になるように抵抗素子R0の抵抗値を設定する。特に、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値が、NチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しいか又はしきい値電圧Vthに近くなるように設定することが望ましい。
【0082】
このことにより、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値だけ、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位(ノード▲2▼の電位)が下がる。
NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位が、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値だけ下がることにより、NチャネルMOSトランジスタM3のドレイン電位(ノード▲4▼の電位)が抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値だけ下がり、且つNチャネルMOSトランジスタM5のドレイン電位(ノード▲6▼の電位)が抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値だけ下がる。このため、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値が抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値だけ下がる。
【0083】
例えば、第1のカレントミラー入力電流I1の大きさと第2のカレントミラー入力電流I2の大きさとが基準電流Irefに等しく、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthに等しく、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート長L1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート長L2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長L3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長L4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長L5とが等しくNチャネルMOSトランジスタM1のゲート幅W1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート幅W2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート幅W3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート幅W4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート幅W5とが等しいとする。
【0084】
この場合、出力電圧Voと出力電流Ioとの関係は、図2に示すようになり、出力電圧Voが電圧2α以上の範囲で基準電流Irefと等しい出力電流Ioを得ることができる。
【0085】
以上説明したように、本発明の第3実施例によるカレントミラー回路によれば、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しくすることにより、NチャネルMOSトランジスタM4のゲート電位をVth+2αとすることができ、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値を2αとすることができる。
【0086】
また、入力端子で必要な電圧が大きい方の第1のカレントミラー入力電流I1の出力側でVth+αとなり、図13のカスコード・カレントミラー回路よりしきい値電圧Vthだけ小さくすることができる。
【0087】
さらに、Nチャネルカスコード・カレントミラーの出力とPチャネルカスコード・カレントミラーの入力とを接続して電流の折り返しを行う場合に必要な電圧は(Vth+2α)+(2α)となり、図13のカスコード・カレントミラーと比べて必要な電圧を2Vth分だけ少なくすることができる。
【0088】
さらにまた、抵抗素子R0の端子間電圧VR0の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下とすることにより、NチャネルMOSトランジスタM2、M4のしきい値電圧がNチャネルMOSトランジスタM3、M5のしきい値電圧より大きい場合においても、飽和領域で動作させることができる。
【0089】
次に、本発明の第4実施例によるカレントミラー回路を図面を参照しながら説明する。
図5は、本発明の第4実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【0090】
図5において、M1〜M5はNチャネルMOSトランジスタであり、I1は第1のカレントミラー入力電流、I2は第2のカレントミラー入力電流である。図5に示した本発明の第4実施例によるカレントミラー回路は、図1の電圧降下デバイスD0にダイオードD1を用いたものである。
【0091】
ここで、第1のカレントミラー入力電流I1の値とNチャネルMOSトランジスタM1のゲート長とゲート幅との比W1/L1との割合が、第2のカレントミラー入力電流I2の値とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3との割合と等しくなるように設定する。
【0092】
NチャネルMOSトランジスタM3のゲート長とゲート幅との比W3/L3とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長とゲート幅との比W5/L5との割合が、NチャネルMOSトランジスタM2のゲート長とゲート幅との比W2/L2とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長とゲート幅との比W4/L4との割合と等しくなるように設定する。
【0093】
ダイオードD1の端子間電圧VD1の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下になるようにダイオードD1の種類を選択する。特に、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値が、NチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しいか又はしきい値電圧Vthに近くなるようにダイオードD1を選択することが望ましい。
【0094】
このことにより、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値だけ、NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位(ノード▲2▼の電位)が下がる。
NチャネルMOSトランジスタM1のドレイン電位が、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値だけ下がることにより、NチャネルMOSトランジスタM3のドレイン電位(ノード▲4▼の電位)がダイオードD1の端子間電圧VD1の値だけ下がり、且つNチャネルMOSトランジスタM5のドレイン電位(ノード▲6▼の電位)がダイオードD1の端子間電圧VD1の値だけ下がる。このため、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値がダイオードD1の端子間電圧の値だけ下がる。
【0095】
例えば、第1のカレントミラー入力電流I1の大きさと第2のカレントミラー入力電流I2の大きさとが基準電流Irefに等しく、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値がNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthに等しく、NチャネルMOSトランジスタM1のゲート長L1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート長L2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート長L3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート長L4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート長L5とが等しくNチャネルMOSトランジスタM1のゲート幅W1とNチャネルMOSトランジスタM2のゲート幅W2とNチャネルMOSトランジスタM3のゲート幅W3とNチャネルMOSトランジスタM4のゲート幅W4とNチャネルMOSトランジスタM5のゲート幅W5とが等しいとする。
【0096】
この場合、出力電圧Voと出力電流Ioとの関係は、図2に示すようになり、出力電圧Voが電圧2α以上の範囲で基準電流Irefと等しい出力電流Ioを得ることができる。
【0097】
以上説明したように、本発明の第4実施例によるカレントミラー回路によれば、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vthと等しくすることにより、NチャネルMOSトランジスタM4のゲート電位をVth+2αとすることができ、飽和領域で動作する出力電圧Voの最小値を2αとすることができる。
【0098】
また、入力端子で必要な電圧が大きい方の第1のカレントミラー入力電流I1の出力側でVth+αとなり、図13のカスコード・カレントミラー回路よりしきい値電圧Vthだけ小さくすることができる。
【0099】
さらに、Nチャネルカスコード・カレントミラーの出力とPチャネルカスコード・カレントミラーの入力とを接続して電流の折り返しを行う場合に必要な電圧は(Vth+2α)+(2α)となり、図13のカスコード・カレントミラーと比べて必要な電圧を2Vth分だけ少なくすることができる。
【0100】
さらにまた、ダイオードD1の端子間電圧VD1の値をNチャネルMOSトランジスタM1のしきい値電圧Vth以下とすることにより、NチャネルMOSトランジスタM2、M4のしきい値電圧がNチャネルMOSトランジスタM3、M5のしきい値電圧より大きい場合においても、飽和領域で動作させることができる。
【0101】
次に、本発明の第5実施例の基準電流発生回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第5実施例の基準電流発生回路は、2つの入力電流を必要とする第1のカレントミラー回路の入力電流の1つを、第2のカレントミラー回路で発生させるようにしたものである。
【0102】
図6は、本発明の第5実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。図6において、カレントミラー回路1はPチャネルトランジスタで構成され、2つの入力端子IN1、IN2とN個の出力端子OUT1〜OUTNとを有している。また、カレントミラー回路2はNチャネルトランジスタで構成され、2つの入力端子IN11、IN12と1つの出力端子OUTとを有している。
【0103】
カレントミラー回路1の入力端子IN2はカレントミラー回路2の出力端子OUTに接続され、カレントミラー回路1の出力端子OUT1はカレントミラー回路2の入力端子IN11に接続され、カレントミラー回路1の出力端子OUT2はカレントミラー回路2の入力端子IN12に接続されている。
【0104】
カレントミラー回路1の入力端子IN2、出力端子OUT1及びOUT2のカレントミラー比とカレントミラー回路2の出力端子OUT、入力端子IN11及び入力端子IN12のカレントミラー比とを同じ値に設定する。
【0105】
次に、本発明の第5実施例の基準電流発生回路の動作を説明する。
図6において、カレントミラー回路1の入力端子IN1に外部から入力電流I1を供給することにより、カレントミラー回路2の出力端子OUTからカレントミラー回路1の入力端子IN2に入力電流I2が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN11にカレントミラー回路1の出力端子OUT1から入力電流I3が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN12にカレントミラー回路1の出力端子OUT2から入力電流I4が供給される。
【0106】
このことにより、1つの入力電流I1を外部から供給することにより、カレントミラー回路1の出力端子OUT3〜OUTNから複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0107】
以上説明したように、本発明の第5実施例の基準電流発生回路によれば、2入力のカレントミラー回路1と2入力のカレントミラー回路2とを使用し、カレントミラー回路1の入力電流I2をカレントミラー回路2によるフィードバックで発生させている。また、カレントミラー回路2の2つの入力電流は、カレントミラー回路1からの出力電流I3、I4、Io1〜Io(n−2)のうちの一部の電流I3、I4により発生させている。このため、1つの入力電流I1を外部から供給することにより、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2の精度に応じた複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0108】
特に、低い電源電圧で高精度の基準電圧を複数得ることが困難だったICやLSIに用いると効果は大きいものになる。
また、図1のカレントミラー回路や図15のコンパウンドカレントミラー回路など、入力トランジスタの大きさの比に応じた比で精度の高い複数の入力電流を供給することが必要な回路の電流源として使用することにより、図1のカレントミラー回路や図15のコンパウンドカレントミラー回路を高精度で動作させることができる。
【0109】
次に、本発明の第6実施例の基準電流発生回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第6実施例の基準電流発生回路は、図6のカレントミラー回路1としてPチャネルMOSトランジスタで構成した図3の電流増幅回路を使用し、図6のカレントミラー回路2としてNチャネルMOSトランジスタで構成した図3の電流増幅回路を使用したものである。
【0110】
図7は、本発明の第6実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。図7において、カレントミラー回路1はPチャネルMOSトランジスタM10〜M21で構成され、2つの入力端子IN1、IN2とN個の出力端子OUT1〜OUTNを有している。
【0111】
ここで、入力端子IN1はPチャネルMOSトランジスタM13のドレインに接続され、入力端子IN2はPチャネルMOSトランジスタM11のドレインに接続され、出力端子OUT1はPチャネルMOSトランジスタM15のドレインに接続され、出力端子OUT2はPチャネルMOSトランジスタM17のドレインに接続され、出力端子OUT3はPチャネルMOSトランジスタM19のドレインに接続され、出力端子OUTNはPチャネルMOSトランジスタM21のドレインに接続されている。
【0112】
PチャネルMOSトランジスタM10、M12、M14、M16、M18、M20のソース端子は電圧VDの出力端子に接続され、PチャネルMOSトランジスタM10、M12、M14、M16、M18、M20のドレイン端子はそれぞれ、PチャネルMOSトランジスタM11、M13、M15、M17、M19、M21のソース端子と接続されている。
【0113】
PチャネルMOSトランジスタM11のゲート端子はPチャネルMOSトランジスタM11のドレイン端子と接続され、PチャネルMOSトランジスタM11は電圧降下デバイスとして機能する。
【0114】
PチャネルMOSトランジスタM10、M12、M14、M16、M18、M20のゲート端子は入力端子IN2に接続されてカレントミラーを構成し、PチャネルMOSトランジスタM13、M15、M17、M19、M21のゲート端子は入力端子IN1に接続されてカレントミラーを構成している。
【0115】
カレントミラー回路2はNチャネルMOSトランジスタM22〜M27で構成され、2つの入力端子IN11、IN12と1つの出力端子OUTを有している。
【0116】
ここで、入力端子IN11はNチャネルMOSトランジスタM24のドレインに接続され、入力端子IN12はNチャネルMOSトランジスタM26のドレインに接続され、出力端子OUTはNチャネルMOSトランジスタM22のドレインに接続されている。
【0117】
NチャネルMOSトランジスタM23、M25、M27のソース端子は接地端子GNDに接続され、NチャネルMOSトランジスタM22、M24、M26のソース端子はそれぞれ、NチャネルMOSトランジスタM23、M25、M27のドレイン端子と接続されている。
【0118】
NチャネルMOSトランジスタM26のゲート端子はNチャネルMOSトランジスタM26のドレイン端子と接続され、NチャネルMOSトランジスタM26は電圧降下デバイスとして機能する。
【0119】
NチャネルMOSトランジスタM22、M24のゲート端子は入力端子IN11に接続されてカレントミラーを構成し、NチャネルMOSトランジスタM23、M25、M27のゲート端子は入力端子IN12に接続されてカレントミラーを構成している。
【0120】
カレントミラー回路1の入力端子IN2はカレントミラー回路2の出力端子OUTに接続され、カレントミラー回路1の出力端子OUT1はカレントミラー回路2の入力端子IN11に接続され、カレントミラー回路1の出力端子OUT2はカレントミラー回路2の入力端子IN12に接続されている。
【0121】
カレントミラー回路1の入力端子IN2、出力端子OUT1及びOUT2のカレントミラー比とカレントミラー回路2の出力端子OUT、入力端子IN11及び入力端子IN12のカレントミラー比とを同じ値に設定する。
【0122】
次に、本発明の第6実施例の基準電流発生回路の動作を説明する。
図7において、カレントミラー回路1の入力端子IN1に外部から入力電流I1を供給することにより、カレントミラー回路2の出力端子OUTからカレントミラー回路1の入力端子IN2に入力電流I2が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN11にカレントミラー回路1の出力端子OUT1から入力電流I3が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN12にカレントミラー回路1の出力端子OUT2から入力電流I4が供給される。
【0123】
すなわち、カレントミラー回路1の2つの入力電流I1、I2のうちの1つの入力電流I2は、カレントミラー回路2の出力端子OUTから供給され、カレントミラー回路2の2つの入力電流I3、I4は、カレントミラー回路1の出力端子OUT1、OUT2から供給される。
【0124】
このことにより、1つの入力電流I1を外部から供給するだけで、2入力のカレントミラー回路1及びカレントミラー回路2を動作させることができ、カレントミラー回路1の出力端子OUT3〜OUTNから複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0125】
なお、上述した実施例では、カレントミラー回路2からの入力電流I2をカレントミラー回路1の入力端子IN2に供給する場合について説明したが、カレントミラー回路2からの入力電流I2をカレントミラー回路1の入力端子IN1に供給するようにしてもよい。
【0126】
また、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2として図3の電流増幅回路を使用した例について示したが、図4又は図5の電流増幅回路を使用するようにしてもよい。
【0127】
さらに、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2として図15のコンパウンドカレントミラー回路を使用するようにしてもよい。
さらにまた、カレントミラー回路1にNチャネルMOSトランジスタを使用し、カレントミラー回路2にPチャネルMOSトランジスタを使用するようにしてもよい。
【0128】
以上説明したように、本発明の第6実施例の基準電流発生回路によれば、2入力のカレントミラー回路1と2入力のカレントミラー回路2とを使用し、カレントミラー回路1の入力電流I2をカレントミラー回路2によるフィードバックで発生させているので、1つの入力電流I1を外部から供給することにより、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2の精度に応じた複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0129】
次に、本発明の第7実施例の基準電流発生回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第7実施例の基準電流発生回路は、図7の基準電流発生回路の入力電流I1を電圧/電流変換回路により生成する例を示したものである。
【0130】
図8は、本発明の第7実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。図8において、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2はそれぞれ、図7のカレントミラー回路1及びカレントミラー回路2と同一である。
【0131】
電圧/電流変換回路3は、オペアンプOP1、NチャネルMOSトランジスタM28及び抵抗RREF1で構成され、オペアンプOP1の出力端子はNチャネルMOSトランジスタM28のゲート端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM28のソース端子はオペアンプOP1の逆相入力端子に接続されるとともに、抵抗RREF1を介して接地端子GNDに接続されている。
【0132】
NチャネルMOSトランジスタM28のドレイン端子はカレントミラー回路1の入力端子IN1に接続されている。
このため、オペアンプOP1の正相入力に基準電圧VREFを入力することにより、抵抗RREF1に基準電圧VREFを与え、基準電流Iref=VREF/RREF1をNチャネルMOSトランジスタM28のドレインに発生させることができるので、カレントミラー回路1の入力端子IN1に基準電流Irefを供給することができる。
【0133】
次に、本発明の第7実施例の基準電流発生回路の動作を説明する。
図8において、カレントミラー回路1の入力端子IN1に電圧/電流変換回路3から基準電流Irefが供給され、カレントミラー回路1の入力端子IN2にカレントミラー回路2の出力端子OUTから入力電流I2が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN11にカレントミラー回路1の出力端子OUT1から入力電流I3が供給され、カレントミラー回路2の入力端子IN12にカレントミラー回路1の出力端子OUT2から入力電流I4が供給される。
【0134】
すなわち、カレントミラー回路1の2つの入力電流I1、I2のうちの1つの入力電流I2は、カレントミラー回路2の出力端子OUTから供給され、カレントミラー回路2の2つの入力電流I3、I4は、カレントミラー回路1の出力端子OUT1、OUT2から供給される。
【0135】
このことにより、電圧/電流変換回路3に基準電圧VREFを与えるだけで、2入力のカレントミラー回路1及びカレントミラー回路2を動作させることができ、カレントミラー回路1の出力端子OUT3〜OUTNから複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0136】
なお、上述した実施例では、カレントミラー回路2からの入力電流I2をカレントミラー回路1の入力端子IN2に供給する場合について説明したが、カレントミラー回路2からの入力電流I2をカレントミラー回路1の入力端子IN1に供給するようにしてもよい。
【0137】
また、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2として図3の電流増幅回路を使用した例について示したが、図4又は図5の電流増幅回路を使用するようにしてもよい。
【0138】
さらに、カレントミラー回路1にNチャネルMOSトランジスタを使用し、カレントミラー回路2にPチャネルMOSトランジスタを使用するようにしてもよい。その場合は、M28はPチャネルMOSトランジスタ、GNDはVDとなる。
【0139】
以上説明したように、本発明の第7実施例の基準電流発生回路によれば、2入力のカレントミラー回路1と2入力のカレントミラー回路2とを使用し、カレントミラー回路1の入力電流I2をカレントミラー回路2によるフィードバックで発生させている。また、カレントミラー回路1の入力端子IN1に電圧/電流変換回路3からの基準電流Irefを供給する。このことにより、電圧/電流変換回路3に基準電圧VREFを与えるだけで、カレントミラー回路1及びカレントミラー回路2の精度に応じた複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0140】
次に、本発明の第8実施例の基準電流発生回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第8実施例の基準電流発生回路は、図8の基準電流発生回路のカレントミラー回路1及びカレントミラー回路2に図15のコンパウンドカレントミラー回路を使用する例を示したものである。
【0141】
図9は、本発明の第8実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。図9において、コンパウンドカレントミラー回路4はPチャネルMOSトランジスタM30〜M42で構成され、2つの入力端子IN1、IN2とN個の出力端子OUT1〜OUTNとを有している。
【0142】
ここで、入力端子IN1はPチャネルMOSトランジスタM32のドレインに接続され、入力端子IN2はPチャネルMOSトランジスタM30のドレインに接続され、出力端子OUT1はPチャネルMOSトランジスタM34のドレインに接続され、出力端子OUT2はPチャネルMOSトランジスタM36のドレインに接続され、出力端子OUT3はPチャネルMOSトランジスタM38のドレインに接続され、出力端子OUT4はPチャネルMOSトランジスタM40のドレインに接続され、出力端子OUTNはPチャネルMOSトランジスタM42のドレインに接続されている。
【0143】
PチャネルMOSトランジスタM30、M31、M33、M35、M37、M39、M41のソース端子は電圧VREF0の出力端子に接続され、PチャネルMOSトランジスタM31、M33、M35、M37、M39、M41のドレイン端子はそれぞれ、PチャネルMOSトランジスタM32、M34、M36、M38、M40、M42のソース端子と接続されている。
【0144】
PチャネルMOSトランジスタM30のゲート端子は、PチャネルMOSトランジスタM30のドレイン端子と接続されている。
PチャネルMOSトランジスタM31、M33、M35、M37、M39、M41のゲート端子は入力端子IN1に接続されてカレントミラーを構成し、PチャネルMOSトランジスタM32、M34、M36、M38、M40、M42のゲート端子は入力端子IN2に接続されてカレントミラーを構成している。
【0145】
コンパウンドカレントミラー回路5はNチャネルMOSトランジスタM43〜M47で構成され、2つの入力端子IN11、IN12と1つの出力端子OUTとを有している。
【0146】
ここで、入力端子IN11はNチャネルMOSトランジスタM45のドレインに接続され、入力端子IN12はNチャネルMOSトランジスタM47のドレインに接続され、出力端子OUTはNチャネルMOSトランジスタM43のドレインに接続されている。
【0147】
NチャネルMOSトランジスタM44、M46、M47のソース端子は電圧VREF2の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM43、M45のソース端子はそれぞれ、NチャネルMOSトランジスタM44、M46のドレイン端子と接続されている。
【0148】
NチャネルMOSトランジスタM47のゲート端子はNチャネルMOSトランジスタM47のドレイン端子と接続されている。
NチャネルMOSトランジスタM44、M46のゲート端子は入力端子IN11に接続されてカレントミラーを構成し、NチャネルMOSトランジスタM43、M45、M47のゲート端子は入力端子IN12に接続されてカレントミラーを構成している。
【0149】
PチャネルMOSトランジスタM30のゲート長とゲート幅の比はPチャネルMOSトランジスタM31〜M42のゲート長とゲート幅の比W/Lの1/4に設定され、NチャネルMOSトランジスタM47のゲート長とゲート幅の比はNチャネルMOSトランジスタM43〜M46のゲート長とゲート幅の比W/Lの1/4に設定されている。
【0150】
コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN1はNチャネルMOSトランジスタM48のドレインに接続され、コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN2はコンパウンドカレントミラー回路5の出力端子OUTに接続され、コンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT1はコンパウンドカレントミラー回路5の入力端子IN11に接続され、コンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT2はコンパウンドカレントミラー回路5の入力端子IN12に接続されている。
【0151】
コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN2、出力端子OUT1及びOUT2のカレントミラー比とコンパウンドカレントミラー回路5の出力端子OUT、入力端子IN1及び入力端子IN2のカレントミラー比とを同じ値に設定する。
【0152】
電圧/電流変換回路6は、オペアンプOP2、NチャネルMOSトランジスタM48及び抵抗RREF2で構成され、オペアンプOP2の出力端子はNチャネルMOSトランジスタM48のゲート端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM48のソース端子はオペアンプOP2の逆相入力端子に接続されるとともに、抵抗RREF2を介して電圧VREF3の出力端子に接続されている。
【0153】
NチャネルMOSトランジスタM48のドレイン端子はカレントミラー回路4の入力端子IN1に接続されている。
このため、オペアンプOP2の正相入力に基準電圧VREF1を入力することにより、抵抗RREF2に基準電圧VREF1を与え、基準電流Iref=VREF1/RREF2をNチャネルMOSトランジスタM48のドレインに発生させることができるので、カレントミラー回路4の入力端子IN1に基準電流Irefを供給することができる。
【0154】
次に、本発明の第8実施例の基準電流発生回路の動作を説明する。
図9において、コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN1に電圧/電流変換回路6から基準電流Irefが供給され、コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN2にコンパウンドカレントミラー回路5の出力端子OUTから入力電流I2が供給され、コンパウンドカレントミラー回路5の入力端子IN11にコンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT1から入力電流I3が供給され、コンパウンドカレントミラー回路5の入力端子IN12にコンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT2から入力電流I4が供給される。
【0155】
すなわち、コンパウンドカレントミラー回路4の2つの入力電流I1、I2のうちの1つの入力電流I2は、コンパウンドカレントミラー回路5の出力端子OUTから供給され、コンパウンドカレントミラー回路5の2つの入力電流I3、I4は、コンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT1、OUT2から供給される。
【0156】
このことにより、電圧/電流変換回路6から基準電圧VREF1を与えるだけで、2入力のコンパウンドカレントミラー回路4及びコンパウンドカレントミラー回路5を動作させることができ、コンパウンドカレントミラー回路4の出力端子OUT3〜OUTNから複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0157】
なお、上述した実施例では、コンパウンドカレントミラー回路5からの入力電流I2をコンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN2に供給する場合について説明したが、コンパウンドカレントミラー回路5からの入力電流I2をコンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN1に供給するようにしてもよい。
【0158】
さらに、コンパウンドカレントミラー回路4にNチャネルMOSトランジスタを使用し、コンパウンドカレントミラー回路5にPチャネルMOSトランジスタを使用するようにしてもよい。その場合、M48はPチャネルMOSトランジスタとなる。
【0159】
以上説明したように、本発明の第8実施例の基準電流発生回路によれば、2入力のコンパウンドカレントミラー回路4と2入力のコンパウンドカレントミラー回路5とを使用し、コンパウンドカレントミラー回路4の入力電流I2をコンパウンドカレントミラー回路5によるフィードバックで発生させている。また、コンパウンドカレントミラー回路4の入力端子IN1に電圧/電流変換回路3からの基準電流Irefを供給する。このことにより、コンパウンドカレントミラー回路4及びコンパウンドカレントミラー回路5の精度に応じた複数の出力電流Io1〜Io(n−2)を外部に出力することができる。
【0160】
次に、本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路は、1つの基準電圧から2つの等しい基準電流を発生させるようにしたものである。
【0161】
図10は、本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
図10において、OP3、OP4はオペアンプであり、M50、M51はNチャネルMOSトランジスタであり、R1は抵抗である。
【0162】
NチャネルMOSトランジスタM50のドレインは第1の電流出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM50のゲートはオペアンプOP3の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM50のソースは抵抗R1を介して接地端子GNDに接続されている。
【0163】
NチャネルMOSトランジスタM51のドレインは第2の電流出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM51のゲートはオペアンプOP3の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM51のソースはオペアンプOP4の出力端子に接続されている。
【0164】
オペアンプOP3の正相入力は基準電圧VREF4の出力端子に接続され、オペアンプOP3の逆相入力はNチャネルMOSトランジスタM50のソース端子に接続されている。
【0165】
オペアンプOP4の正相入力は基準電圧VREF4の出力端子に接続され、オペアンプOP4の逆相入力はオペアンプOP4の出力端子に接続されている。
すなわち、オペアンプOP3とNチャネルMOSトランジスタM50と抵抗R1とを有する第1の基準電流発生回路により第1の基準電流I1を発生させ、ボルテージフォロアを構成するオペアンプOP4とNチャネルMOSトランジスタM51とを有する第2の基準電流発生回路により第2の基準電流I2を発生させる。
【0166】
次に、本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路の動作を説明する。
図10において、オペアンプOP3の利得が無限大の場合、オペアンプOP3の正相入力とオペアンプOP3の逆相入力とは同電位となる。このため、基準電圧VREF4をオペアンプOP3の正相入力に供給した場合、NチャネルMOSトランジスタM50のソース電位(ノード▲1▼の電位)は基準電圧VREF4と等しくなる。また、オペアンプOP3の利得が無限大でなくてもオペアンプOP3の利得が大きい場合、誤差は小さい。
【0167】
従って、NチャネルMOSトランジスタM50のドレインには、VREF4/R1の大きさの第1の基準電流I1が流れる。
また、オペアンプOP4はボルテージフォロアとなっているので、オペアンプOP4の正相入力とオペアンプOP4の出力とは同電位となる。このため、NチャネルMOSトランジスタM51のソース電位(ノード▲2▼の電位)は基準電圧VREF4と等しくなる。
【0168】
ここで、NチャネルMOSトランジスタM50のサイズとNチャネルMOSトランジスタM51のサイズとが等しい場合、NチャネルMOSトランジスタM50のゲート/ソース間電圧及びNチャネルMOSトランジスタM51のゲート/ソース間電圧は、オペアンプOP3の出力電圧VOUTから基準電圧VREF4を引いた値になる。
【0169】
従って、NチャネルMOSトランジスタM51のドレインには、NチャネルMOSトランジスタM50のドレインに流れている電流と同じ大きさの電流が流れ、第1の基準電流I1と第2の基準電流I2とは同じ大きさになる。
【0170】
なお、NチャネルMOSトランジスタM50のサイズとNチャネルMOSトランジスタM51のサイズとが異なるようにすることにより、NチャネルMOSトランジスタM50のサイズとNチャネルMOSトランジスタM51のサイズとの比に応じた第1の基準電流I1と第2の基準電流I2とを得ることもできる。
【0171】
以上説明したように、本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路によれば、基準電圧VREF4から複数の基準電流I1、I2を得ることができる。
また、出力端子の電位を揃えた場合、通常のカレントミラーにより生成した複数の基準電流に比べて精度を向上させることができる。M50,M51はPチャネルMOSトランジスタとなる。GNDは他の電位でもよい。
【0172】
次に、本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路は、図10の電圧/電流変換回路で発生させた2つの基準電流を、図3のカレントミラー回路に供給して複数の基準電流を発生させるようにしたものである。
【0173】
図11は、本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
図11において、カレントミラー回路7はPチャネルMOSトランジスタM60〜M69で構成され、2つの入力端子IN1、IN2とN個の出力端子OUT1〜OUTNとを有している。
【0174】
ここで、入力端子IN1はPチャネルMOSトランジスタM61のドレインに接続され、入力端子IN2はPチャネルMOSトランジスタM63のドレインに接続され、出力端子OUT1はPチャネルMOSトランジスタM65のドレインに接続され、出力端子OUT2はPチャネルMOSトランジスタM67のドレインに接続され、出力端子OUTNはPチャネルMOSトランジスタM69のドレインに接続されている。
【0175】
PチャネルMOSトランジスタM60、M62、M64、M66、M68のソース端子は電圧VDの出力端子に接続され、PチャネルMOSトランジスタM60、M62、M64、M66、M68のドレイン端子はそれぞれ、PチャネルMOSトランジスタM61、M63、M65、M67、M69のソース端子と接続されている。
【0176】
PチャネルMOSトランジスタM61のゲート端子はPチャネルMOSトランジスタM61のドレイン端子と接続され、PチャネルMOSトランジスタM61は電圧降下デバイスとして機能する。
【0177】
PチャネルMOSトランジスタM60、M62、M64、M66、M68のゲート端子は入力端子IN1に接続されてカレントミラーを構成し、PチャネルMOSトランジスタM63、M65、M67、M69のゲート端子は入力端子IN2に接続されてカレントミラーを構成している。
【0178】
電圧/電流変換回路8はオペアンプOP5、OP6、NチャネルMOSトランジスタM70、M71及び抵抗RREF3で構成されている。
NチャネルMOSトランジスタM70のソースは、抵抗RREF3を介して電圧VREF6の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM70のゲートは、基準電圧VREF5を正相入力とし且つNチャネルMOSトランジスタM70のソース電圧を逆相入力とするオペアンプOP5の出力端子に接続されている。
【0179】
NチャネルMOSトランジスタM71のソースは、ボルテージフォロワを構成するオペアンプOP6の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM71のゲートは、オペアンプOP5の出力端子に接続されている。
【0180】
カレントミラー回路7の入力端子IN1は、NチャネルMOSトランジスタM70のドレインに接続され、カレントミラー回路7の入力端子IN2は、NチャネルMOSトランジスタM71のドレインに接続されている。
【0181】
次に、本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路の動作を説明する。
図11において、オペアンプOP5の正相入力に基準電圧VREF5を供給することにより、NチャネルMOSトランジスタM70のドレインに第1の基準電流I1=VREF5/RREF3が流れ、NチャネルMOSトランジスタM71のドレインに第2の基準電流I2=VREF5/RREF3が流れる。そして、第1の基準電流I1は、カレントミラー回路7の入力端子IN1に供給され、第2の基準電流I2は、カレントミラー回路7の入力端子IN2に供給される。
【0182】
第1の基準電流I1及び第2の基準電流I2が供給されたカレントミラー回路7は、カレントミラー動作により、出力端子OUT1〜OUTNから複数の基準電流Io1〜IoNを外部に出力する
なお、上述した実施例では、電圧/電流変換回路8からの入力電流I1をカレントミラー回路7の入力端子IN1に供給し、電圧/電流変換回路8からの入力電流I2をカレントミラー回路7の入力端子IN2に供給する場合について説明したが、電圧/電流変換回路8からの入力電流I1をカレントミラー回路7の入力端子IN2に供給し、電圧/電流変換回路8からの入力電流I2をカレントミラー回路7の入力端子IN1に供給するようにしてもよい。
【0183】
また、カレントミラー回路7に図3の電流増幅回路を使用した例について示したが、図4又は図5の電流増幅回路を使用するようにしてもよい。
さらに、カレントミラー回路7にNチャネルMOSトランジスタを使用するようにしてもよい。その場合、M70,M71はPチャネルMOSトランジスタとなる。
【0184】
以上説明したように、本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路によれば、1つの基準電圧VREF5により生成した第1の基準電流I1及び第2の基準電流I2を、カレントミラー回路7の2つの入力電流として使用することにより、精度の高い複数の基準電流Io1〜IoNを得ることができる。
【0185】
次に、本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路を図面を参照しながら説明する。この本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路は、図10の電圧/電流変換回路で発生させた2つの基準電流を、図15のコンパウンドカレントミラー回路に供給して複数の基準電流を発生させるようにしたものである。
【0186】
図12は、本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
図12において、コンパウンドカレントミラー回路9はPチャネルMOSトランジスタM80〜M88で構成され、2つの入力端子IN1、IN2とN個の出力端子OUT1〜OUTNを有している。ここで、PチャネルMOSトランジスタM80のゲート長とゲート幅との比は、PチャネルMOSトランジスタM81〜M88のゲート長とゲート幅との比W/Lの1/4になっている。
【0187】
入力端子IN1はPチャネルMOSトランジスタM80のドレインに接続され、入力端子IN2はPチャネルMOSトランジスタM82のドレインに接続され、出力端子OUT1はPチャネルMOSトランジスタM84のドレインに接続され、出力端子OUT2はPチャネルMOSトランジスタM86のドレインに接続され、出力端子OUTNはPチャネルMOSトランジスタM88のドレインに接続されている。
【0188】
PチャネルMOSトランジスタM80、M81、M83、M85、M87のソース端子は電圧VREF9の出力端子に接続され、PチャネルMOSトランジスタM81、M83、M85、M87のドレイン端子はそれぞれ、PチャネルMOSトランジスタM82、M84、M86、M88のソース端子と接続されている。
【0189】
PチャネルMOSトランジスタM80のゲート端子は、PチャネルMOSトランジスタM80のドレイン端子と接続されている。
PチャネルMOSトランジスタM80、M82、M84、M86、M88のゲート端子は入力端子IN1に接続されてカレントミラーを構成し、PチャネルMOSトランジスタM81、M83、M85、M87のゲート端子は入力端子IN2に接続されてカレントミラーを構成している。
【0190】
電圧/電流変換回路10はオペアンプOP7、OP8、NチャネルMOSトランジスタM89、M90及び抵抗RREF4で構成されている。
NチャネルMOSトランジスタM89のソースは、抵抗RREF4を介して電圧VREF8の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM89のゲートは、基準電圧VREF7を正相入力とし且つNチャネルMOSトランジスタM89のソース電圧を逆相入力とするオペアンプOP7の出力端子に接続されている。
【0191】
NチャネルMOSトランジスタM90のソースは、ボルテージフォロワを構成するオペアンプOP8の出力端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタM90のゲートは、オペアンプOP7の出力端子に接続されている。
【0192】
コンパウンドカレントミラー回路9の入力端子IN1は、NチャネルMOSトランジスタM89のドレインに接続され、コンパウンドカレントミラー回路9の入力端子IN2は、NチャネルMOSトランジスタM90のドレインに接続されている。
【0193】
次に、本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路の動作を説明する。
図12において、オペアンプOP7の正相入力に基準電圧VREF7を供給することにより、NチャネルMOSトランジスタM89のドレインに第1の基準電流I1=VREF7/RREF4が流れ、NチャネルMOSトランジスタM90のドレインに第2の基準電流I2=VREF7/RREF4が流れる。そして、第1の基準電流I1は、コンパウンドカレントミラー回路9の入力端子IN1に供給され、第2の基準電流I2は、コンパウンドカレントミラー回路9の入力端子IN2に供給される。
【0194】
第1の基準電流I1及び第2の基準電流I2が供給されたコンパウンドカレントミラー回路9は、カレントミラー動作により、出力端子OUT1〜OUTNから複数の基準電流Io1〜IoNを外部に出力する
なお、上述した実施例では、電圧/電流変換回路10からの入力電流I1をカレントミラー回路9の入力端子IN1に供給し、電圧/電流変換回路10からの入力電流I2をカレントミラー回路9の入力端子IN2に供給する場合について説明したが、電圧/電流変換回路10からの入力電流I1をカレントミラー回路9の入力端子IN2に供給し、電圧/電流変換回路10からの入力電流I2をカレントミラー回路9の入力端子IN1に供給するようにしてもよい。
【0195】
さらに、カレントミラー回路9にNチャネルMOSトランジスタを使用するようにしてもよい。その場合、M89,M90はPチャネルMOSトランジスタとなる。
【0196】
以上説明したように、本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路によれば、1つの基準電圧VREF7により生成した第1の基準電流I1及び第2の基準電流I2を、コンパウンドカレントミラー回路9の2つの入力電流として使用することにより、精度の高い複数の基準電流Io1〜IoNを得ることができる。
【0197】
前述した本発明の実施例はこれに限るものではない。例えばMOSトランジスタは電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタ等であっても良い。
【0198】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1、7の発明によれば、第1の入力トランジスタのドレインを電圧降下手段を介して第1の電流入力端子に接続しているので、第2の出力トランジスタのドレイン電位を電圧降下手段による降下電圧だけ下げることができ、出力電圧を低電圧化することができる。
【0199】
請求項2の発明によれば、電圧降下手段の降下電圧を第1の入力トランジスタのしきい値電圧以下に設定しているので、出力電流の精度を保持したまま、電圧降下手段による降下電圧だけ出力電圧を下げることができる。
【0200】
請求項3の発明によれば、トランジスタのゲート長とゲート幅との比を調節することにより、各トランジスタを飽和領域で動作させることができ、高精度の出力電流を取り出すことができる。
【0201】
請求項4、5の発明によれば、降下電圧を自由に設定することができる。
請求項6の発明によれば、電圧降下手段にダイオードを使用しているので、降下電圧を精度よく設定することができる。
【0202】
請求項8の発明によれば、2つの電流入力を必要とする第1の電流増幅回路の電流入力の1つを第2の電流増幅回路を用いて生成し、第2の電流増幅回路の電流入力を第1の電流増幅回路を用いて生成しているので、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を外部に出力することができる。
【0203】
請求項9の発明によれば、第1の電流増幅回路及び第2の電流増幅回路に、第1の電流入力端子に電圧降下手段を介してドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、共通端子にソースが接続されている第1の入力トランジスタと、第2の電流入力端子にドレインとゲートとが接続されている第2の入力トランジスタと、前記第2の入力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第3の入力トランジスタと、出力端子にドレインが接続され、前記第2の電流入力端子にゲートが接続されている第1の出力トランジスタと、前記第1の出力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第2の出力トランジスタとを備える電流増幅回路を使用しているので、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0204】
請求項10の発明によれば、第1の電流増幅回路及び前記第2の電流増幅回路に、コンパウンドカレントミラー回路を使用しているので、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0205】
請求項11の発明によれば、基準電圧を入力とする電圧/電流変換回路からの出力電流を、請求項1記載の電流増幅回路又はコンパウンドカレントミラー回路の第1の電流入力端子の入力電流として使用しているので、1つの基準電圧を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から精度の高い複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0206】
請求項12の発明によれば、第1の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用し、第2の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用しているので、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0207】
請求項13の発明によれば、第1の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用し、第2の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用することにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、2つの電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を低い出力電圧で外部に出力することができる。
【0208】
請求項14の発明によれば、第1のトランジスタのゲートにソース電位と基準電圧との比較結果を入力し、第2のトランジスタのソースにボルテージフォロアを介して基準電圧を入力するとともに、ゲートに前記比較結果を入力することにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を発生させることができる。
【0209】
請求項15の発明によれば、第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流を請求項1に記載の電流増幅回路の第1の電流入力端子に供給し、前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流を請求項1に記載の電流増幅回路の第2の電流入力端子に供給することにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を低い出力電圧で発生させることができる。
【0210】
請求項16の発明によれば、第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第1の電流入力端子に供給し、前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第2の電流入力端子に供給することにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を低い出力電圧で発生させることができる。
【0211】
請求項17の発明によれば、第1のトランジスタのソースを抵抗素子を介して電圧入力端子に接続するとともに、ゲートを基準電圧を正相入力とし且つ前記ソースの電圧を逆相入力とする第1の演算増幅器の出力端子に接続し、第2のトランジスタのソースを基準電圧を正相入力とし且つ出力電圧を逆相入力とする第2の演算増幅器の出力端子に接続するとともに、ゲートを第1の演算増幅器の出力端子に接続することにより、1つの基準電圧を与えるだけで、精度の高い複数の基準電流を発生させることができる。
【0212】
請求項18の発明によれば、N個の入力電流を必要とする第1の基準電流発生回路の(N−1)個の入力電流を、K(M>K)個の入力電流を必要とする第2の基準電流発生回路の(N−1)個の出力電流から供給し、第2の基準電流発生回路のK個の入力電流を、第1の基準電流発生回路の出力電流のうちのK個から供給することにより、1つの入力電流を外部から入力するだけで、複数の電流入力を必要とする電流増幅回路から複数の出力電流を外部に出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図2】本発明の第1実施例によるカレントミラー回路の電圧電流特性を示す図である。
【図3】本発明の第2実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図4】本発明の第3実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図5】本発明の第4実施例によるカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図6】本発明の第5実施例の基準電流発生回路の構成を示すブロック図である。
【図7】本発明の第6実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。
【図8】本発明の第7実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。
【図9】本発明の第8実施例の基準電流発生回路の構成を示す回路図である。
【図10】本発明の第9実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
【図11】本発明の第10実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
【図12】本発明の第11実施例の電圧/電流変換回路の構成を示す回路図である。
【図13】従来のカスコード・カレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図14】従来のカスコード・カレントミラー回路の電圧電流特性を示す図である。
【図15】従来のコンパウンドカレントミラー回路の構成を示す回路図である。
【図16】従来のコンパウンドカレントミラー回路の電圧電流特性を示す図である。
【符号の説明】
M0〜M5、M22〜M28、M43〜M48、M50、M51、M70、M71、M89、M90 NチャネルMOSトランジスタ
M10〜M21、M30〜M42、M60〜M69、M80〜M88 PチャネルMOSトランジスタ
D0 電圧降下デバイス
D1 ダイオード
R0、R1、RREF1〜RREF4 抵抗素子
OP1〜OP8 オペアンプ
1、2、4、5、7、9 カレントミラー回路
3、6、8、10 電圧電流変換回路
Claims (17)
- 第1の電流入力端子に電圧降下手段を介してドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、共通端子にソースが接続されている第1の入力トランジスタと、
第2の電流入力端子にドレインとゲートとが接続されている第2の入力トランジスタと、
前記第2の入力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第3の入力トランジスタと、
出力端子にドレインが接続され、前記第2の電流入力端子にゲートが接続されている第1の出力トランジスタと、
前記第1の出力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第2の出力トランジスタとを備えることを特徴とする電流増幅回路。 - 前記電圧降下手段の降下電圧を前記第1の入力トランジスタのしきい値電圧以下に設定することを特徴とする請求項1に記載の電流増幅回路。
- 前記第1の電流入力端子からの電流値と前記第1の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合が、前記第2の電流入力端子からの電流値と前記第3の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合と等しくなるように設定し、
前記第3の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比と前記第2の出力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合が、前記第2の入力トランジスタのゲート長とゲート幅との比と前記第1の出力トランジスタのゲート長とゲート幅との比との割合と等しくなるように設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の電流増幅回路。 - 前記電圧降下手段は、前記第1の電流入力端子にドレインとゲートとが接続され、前記第1の入力トランジスタのドレインにソースが接続されているトランジスタであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電流増幅回路。
- 前記電圧降下手段は、抵抗素子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電流増幅回路。
- 前記電圧降下手段は、ダイオードであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電流増幅回路。
- 第1の入力電流の出力側にゲート端子が接続され、電圧降下デバイスを介して前記第1の入力電流の出力側にドレイン端子が接続されたトランジスタと、
前記第1の入力電流をカレントミラー入力とする第1段目のカレントミラー回路と、
前記第1段目のカレントミラー回路に縦列接続されており、第2の入力電流をカレントミラー入力とする第2段目のカレントミラー回路とを備えることを特徴とする電流増幅回路。 - 複数の電流入力端子と複数の電流出力端子とを有する第1の電流増幅回路と、
複数の電流入力端子と少なくとも1つ以上の電流出力端子とを有する第2の電流増幅回路とを備え、
前記第1の電流増幅回路の第1の電流入力端子に外部電流入力端子が接続され、
前記第1の電流増幅回路の第2の電流入力端子に前記第2の電流増幅回路の電流出力端子が接続され、
前記第1の電流増幅回路の第1の電流出力端子に前記第2の電流増幅回路の第1の電流入力端子が接続され、
前記第1の電流増幅回路の第2の電流出力端子に前記第2の電流増幅回路の第2の電流入力端子が接続され、
前記第1の電流増幅回路の第3の電流出力端子に外部電流出力端子が接続されていることを特徴とする基準電流発生回路。 - 前記第1の電流入力端子に電圧降下手段を介してドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、共通端子にソースが接続されている第1の入力トランジスタと、
第2の電流入力端子にドレインとゲートとが接続されている第2の入力トランジスタと、
前記第2の入力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第3の入力トランジスタと、
出力端子にドレインが接続され、前記第2の電流入力端子にゲートが接続されている第1の出力トランジスタと、
前記第1の出力トランジスタのソースにドレインが接続され、前記第1の電流入力端子にゲートが接続され、前記共通端子にソースが接続されている第2の出力トランジスタとを備えることを特徴とする請求項8に記載の基準電流発生回路。 - 前記第1の電流増幅回路あるいは前記第2の電流増幅回路の少なくとも一方はコンパウンドカレントミラー回路であることを特徴とする請求項8に記載の基準電流発生回路。
- 前記第1の電流増幅回路の第1の電流入力端子の入力電流は基準電圧を入力とする電圧/電流変換回路からの出力電流であることを特徴とする請求項9,10のいずれか1項に記載の基準電流発生回路。
- 前記第1の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用し、前記第2の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用することを特徴とする請求項8〜11のいずれか1項に記載の基準電流発生回路。
- 前記第1の電流増幅回路にNチャネル型電界効果トランジスタを使用し、前記第2の電流増幅回路にPチャネル型電界効果トランジスタを使用することを特徴とする請求項8〜11のいずれか1項に記載の基準電流発生回路。
- 第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流を前記第1の電流入力端子に供給し、
前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流を前記第2の電流入力端子に供給することを特徴とする請求項1に記載の電流増幅回路。 - 第1のトランジスタのソース電位と基準電圧との比較結果を前記第1のトランジスタのゲートに入力して発生させた第1の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第1の電流入力端子に供給し、
前記基準電圧をボルテージフォロアを介して第2のトランジスタのソースに入力し、前記比較結果を第2のトランジスタのゲートに入力して発生させた第2の基準電流をコンパウンドカレントミラー回路の第2の電流入力端子に供給することを特徴とする電流増幅回路。 - 電圧入力端子に抵抗素子を介してソースが接続され、基準電圧を正相入力とし且つ前記ソースの電圧を逆相入力とする第1の演算増幅器の出力端子にゲートが接続されている第1のトランジスタと、
前記基準電圧を正相入力とし且つ出力電圧を逆相入力とする第2の演算増幅器の出力端子にソースが接続され、前記第1の演算増幅器の出力端子にゲートが接続されている第2のトランジスタとを備えることを特徴とする電圧/電流変換回路。 - N個の入力電流を入力し且つM個の出力電流を出力する第1の基準電流発生回路の(N−1)個の入力電流を、K(M>K)個の入力電流を入力し且つ(N−1)個の出力電流を出力する第2の基準電流発生回路の(N−1)個の出力電流から供給し、
前記第2の基準電流発生回路のK個の入力電流を、前記第1の基準電流発生回路の出力電流のうちのK個から供給することを特徴とする基準電流発生方法。
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