JP3587196B2 - 光ピックアップ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は光ピックアップに関し、たとえばＤＶＤなどのディスクプレーヤに使用され、高性能かつ安価で読取り誤差が生じないようにした光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップとしてその一例に特開平８−７３２１号公報などに記載されたものがある。図８はその一例を示す概略断面図である。図８において、ピックアップ本体１のハーフミラー２付き光通過孔３の一端の開口部３ａにフォトダイオードＰＤが配置されるとともに、その他端の開口部３ｂにコリメータレンズＱＷＰと対物レンズＯＬとが配置される。ピックアップ本体１の側面に形成した分岐孔４に半導体レーザＬＤが収納され、フォトダイオードＰＤおよび半導体レーザＬＤに可撓性ケーブル５を介して接続したプリント基板６がピックアップ本体１の外周面にビス７により止着されている。
【０００３】
なお、半導体レーザＬＤは支持基板８によって支持されており、プリント基板６に固着されたコネクタ９にプラグインユニット１０を接続することにより、フォトダイオードＰＤおよび半導体レーザＬＤが図示しないマイクロコンピュータ等の制御部に接続されている。
【０００４】
図８に示した光ピックアップにおいて、半導体レーザＬＤからレーザ光をハーフミラー２，コリメータレンズＱＷＰおよび対物レンズＯＬを介してディスクＤに投射し、その反射光をハーフミラー２を介してフォトダイオードＰＤで受光することにより、ディスクＤに記録されている情報を読取るようになっている。
【０００５】
ここで問題となるのは、半導体レーザＬＤがレーザ光の投射により発熱してしまい、能力が低下するということである。そこで、従来よりピックアップ本体１をアルミダイキャストにより成形して放熱を促進しているが、そのアルミダイキャスト製ピックアップ本体１は高価となっている。
【０００６】
そこで、ピックアップ本体１を安価な硬質合成樹脂により成形し、半導体レーザＬＤの支持基板８を金属板にして放熱を促進する方法が考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の構成では、半導体レーザＬＤの金属製支持基板８により放熱を促進するようになっており、その支持基板８を大きくして放熱効果を高めようとすると、嵩張って周辺機器に接触することになるため、それを大きくするのに限界があり、半導体レーザＬＤとして高性能のものを使用すると、発熱も大きいことから、ピックアップ本体１が熱膨張して図８の仮想線で示すように変形されてしまい、フォトダイオードＰＤと対物レンズＯＬとを結ぶ光軸Ｏが曲がるなどして読み取り誤差が生じるおそれがある。したがって、半導体レーザＬＤとして、発熱の少ないものを選択するしかなく、選択の範囲が狭められることになる。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、高性能でかつ安価で読取り誤差が生じないようにした光ピックアップを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、フォトダイオードと半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板をピックアップ本体の外周面に設け、半導体レーザからレーザ光をハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオードで受光することにより、ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、プリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分が切欠かれていて、半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部をピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入し、基板本体をピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が延長部およびピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする。
【００１０】
このように基板本体の金属板のうち、高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００１１】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００１２】
また、延長部を介してプリント基板の基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができ、安価で高性能の光ピックアップを製作できる。
【００１３】
請求項２の発明は、合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、フォトダイオードと半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板をピックアップ本体の外周面に設け、半導体レーザからレーザ光をハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオードで受光することにより、ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分が切欠かれていることを特徴とする。
【００１４】
このように、基板本体の金属板のうち、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分を切欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００１５】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが互いに接触されていることを特徴とする。
【００１７】
このように、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが接触しているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部がピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入されており、基板本体をピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が延長部およびピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする。
【００１９】
このように、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。また、プリント基板の基板本体がピックアップ本体の外周面に密着されているので、そのピックアップ本体の熱を積極的に放散できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明が適用される光ピックアップの原理を示す図である。図１において、金属板製基板本体６ａにはプリント基板６が取付けられており、金属製基板本体６ａと半導体レーザＬＤの金属製支持基板８とが互いに接触されている。それ以外の構成は図８と同じであるので、その詳細な接明は省略する。
【００２１】
ピックアップ本体１は、図２に示すように、硬質合成樹脂により形成されており、平面視略矩形状の基枠部１ａの側面に一体突設した一対のブラケット１ｂおよびラック１ｃとを有し、両ブラケット１ｂの貫通孔１２をガイドロッド１３に移動可能に嵌合させ、ラック１ｃに噛合するピニオン（図示せず）を正逆回転させることにより、このピックアップ本体１をガイドロッド１３に沿って矢印ａ，ｂ方向に移動させることができる。
【００２２】
また、基枠部１ａ上に一体に突設した主筒部１ｄの上端にフォトダイオードＰＤが配置されるとともに、主筒部１ｄの側面に突設した分岐筒部１ｅに半導体レーザＬＤが配置されている。
【００２３】
プリント基板６の金属製基板本体６ａは、図３〜図５に示すように略矩形状のアルミ板などの金属板からなり、その下部に貫設した貫通孔１６を通って基枠部１ａのねじ孔１７にビス７をねじ込むことにより、ピックアップ本体１の外周面に止着されている。
【００２４】
このような構成により、合成樹脂製ピックアップ本体１に伝達された熱を金属製基板本体６ａにより大気に積極的に放熱するようになっているので、ピックアップ本体１が半導体レーザＬＤの発熱により熱膨張して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体１と同様にフォトダイオードＰＤと対物レンズＯＬとを結ぶ光軸Ｏを所定通りに直線上に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができ、これによって安価で光精度の光ピックアップを製作できる。
【００２５】
半導体レーザＬＤの金属製支持基板８は、平面視略Ｕ字状に折り曲げられたアルミなどの金属板からなり、分岐筒部１ｅの端面にビス１８により止着した中央板部８ａと、該中央板部８ａの両側縁からピックアップ本体１側に折り曲げた側板部８ｂ，８ｃとからなり、その一方の側板部８ｂに一体的に延設した延長部１９の厚さｔがそれに対向して基枠部１ａの側面に形成した凹溝２０の深さｄと同一またはそれよりわずかに大きく設定されており、その延長部１９を凹溝２０に挿入し、金属製基板本体６ａを基枠部１ａの側面に止着することにより、その基板本体６ａが延長部１９および基枠部１ａの側面に密着されている。
【００２６】
上述のごとく延長部１９を介してプリント基板６の金属製基板本体６ａと半導体レーザＬＤの金属製支持基板８とが密着されているので、その金属製支持基板８を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができ、これにより発熱の大きい高性能の半導体レーザＬＤでも使用可能となり、その半導体レーザＬＤの選択範囲を広げることができる。また、金属製基板本体６ａが基枠部１ａの側面に密着されているので、ピックアップ本体１の熱を積極的に放散できる。
【００２７】
このように、金属製基板本体６ａにより放熱効果を高めることができるが、金属製基板本体６ａとプリント基板６とが対向して設けられているために、両者の間に静電容量が生じる。
【００２８】
金属製基板本体６ａにはコネクタ９が取付けられており、このコネクタ９を介して外部から半導体レーザＬＤの駆動信号が与えられるとともに、フォトダイオードＰＤの読取り信号が外部に出力される。フォトダイオードＰＤの読取り信号は高周波信号であるため、上記静電容量のために波形になまりを生じてジッタが起こり、トラッキング信号に影響を及ぼしてトラッキング性能が劣化する。このためディスクの信号を読み取りできないことが起こり得る
そこで、この発明の実施形態では、レーザダイオードＬＤの放熱効果を確保しつつフォトダイオードＰＤの読取り信号にジッタが生じないような光ピックアップを実現する。
【００２９】
図６はこの発明の一実施形態の光ピックアップを基板本体の上面から見た図であり、図７は金属製基板本体の切欠き部の詳細を示す図である。
【００３０】
図６および図７に示すように、プリント基板６にはコネクタ９の半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられるコネクタピン９１に対応する端子パターン６１および配線パターン６２が形成されている。そして、フォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられる配線パターン６２とコネクタピン９１に対応する端子パターン６１の金属製基板本体６ａが対応する部分に切欠き部６ｂが形成される。
【００３１】
図７では金属製基板本体６ａの切欠き部６ｂによってその下のプリント基板６のパターンが見えている状態を示している。このような切欠き部６ｂを形成することにより、端子パターン６１および配線パターン６２と金属製基板本体６ａとの間に静電容量が形成されるのを防止できる。
【００３２】
なお、図７に示すように端子パターン６１と切欠き部６ｂとの間隔ｋは少なくとも金属製基板本体６ａの厚み以上に選ばれる。
【００３３】
また、図７に示した例では切欠き部６ｂは放熱効果を劣化させないように、少なくともフォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられるコネクタピン９１の端子パターン６１および配線パターン６２に対応する金属製基板本体６ａの部分に形成されるが、各コネクタピン９１の端子パターン６１のみに対応する金属製基板本体６ａの部分を四角形状となるように切欠いてもよい。この場合、金属性基板本体６ａの切欠きを少なくできるため放熱効果の劣化を少なくできるという利点がある。
【００３４】
このように、金属製基板本体６ａのうち、高周波信号が流れるコネクタピン９１に対応する端子パターン６１および配線パターン６２に対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属製基板本体６ａとプリント基板６との間に静電容量が生じないので、エラーレートの悪化を防ぎ、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。これにより面ぶれ，偏心，汚れのあるディスクなどに対しても強い性能が得られる。
【００３５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように、請求項１の発明によれば、基板本体の金属板のうち、高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００３７】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００３８】
また、延長部を介してプリント基板の基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができ、安価で高性能の光ピックアップを製作できる。
【００３９】
請求項２の発明によれば、基板本体の金属板のうち、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分を切欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００４０】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００４１】
請求項３の発明によれば、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが接触しているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。
【００４２】
請求項４の発明によれば、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。また、プリント基板の基板本体がピックアップ本体の外周面に密着されているので、そのピックアップ本体の熱を積極的に放散できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用される光ピックアップの原理を示す図である。
【図２】同じく光ピックアップ斜視図である。
【図３】同じく光ピックアップ分解斜視図である。
【図４】同じく光ピックアップ正面図である。
【図５】同じく光ピックアップ平面図である。
【図６】この発明の一実施形態の光ピックアップを金属製基板本体の上面から見た図である。
【図７】基板本体の切欠き部の詳細を示す図である。
【図８】従来例の光ピックアップの概略縦断面図である。
【符号の説明】
１ ピックアップ本体、２ ハーフミラー、３ 光通過孔、３ａ 光通過孔の一端の開口部、３ｂ 光通過孔の他端の開口部、４ 分岐孔、６ プリント基板、６ａ 金属製基板本体、８ 支持基板、９ コネクタ、１９ 延長部、２０ 凹溝、６１ 端子パターン、６２ 配線パターン、９１ コネクタピン、ＰＤ フォトダイオード、ＱＷＰ コリメータレンズ、ＯＬ 対物レンズ、ＬＤ 半導体レーザ、Ｄ ディスク。
【発明の属する技術分野】
この発明は光ピックアップに関し、たとえばＤＶＤなどのディスクプレーヤに使用され、高性能かつ安価で読取り誤差が生じないようにした光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップとしてその一例に特開平８−７３２１号公報などに記載されたものがある。図８はその一例を示す概略断面図である。図８において、ピックアップ本体１のハーフミラー２付き光通過孔３の一端の開口部３ａにフォトダイオードＰＤが配置されるとともに、その他端の開口部３ｂにコリメータレンズＱＷＰと対物レンズＯＬとが配置される。ピックアップ本体１の側面に形成した分岐孔４に半導体レーザＬＤが収納され、フォトダイオードＰＤおよび半導体レーザＬＤに可撓性ケーブル５を介して接続したプリント基板６がピックアップ本体１の外周面にビス７により止着されている。
【０００３】
なお、半導体レーザＬＤは支持基板８によって支持されており、プリント基板６に固着されたコネクタ９にプラグインユニット１０を接続することにより、フォトダイオードＰＤおよび半導体レーザＬＤが図示しないマイクロコンピュータ等の制御部に接続されている。
【０００４】
図８に示した光ピックアップにおいて、半導体レーザＬＤからレーザ光をハーフミラー２，コリメータレンズＱＷＰおよび対物レンズＯＬを介してディスクＤに投射し、その反射光をハーフミラー２を介してフォトダイオードＰＤで受光することにより、ディスクＤに記録されている情報を読取るようになっている。
【０００５】
ここで問題となるのは、半導体レーザＬＤがレーザ光の投射により発熱してしまい、能力が低下するということである。そこで、従来よりピックアップ本体１をアルミダイキャストにより成形して放熱を促進しているが、そのアルミダイキャスト製ピックアップ本体１は高価となっている。
【０００６】
そこで、ピックアップ本体１を安価な硬質合成樹脂により成形し、半導体レーザＬＤの支持基板８を金属板にして放熱を促進する方法が考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の構成では、半導体レーザＬＤの金属製支持基板８により放熱を促進するようになっており、その支持基板８を大きくして放熱効果を高めようとすると、嵩張って周辺機器に接触することになるため、それを大きくするのに限界があり、半導体レーザＬＤとして高性能のものを使用すると、発熱も大きいことから、ピックアップ本体１が熱膨張して図８の仮想線で示すように変形されてしまい、フォトダイオードＰＤと対物レンズＯＬとを結ぶ光軸Ｏが曲がるなどして読み取り誤差が生じるおそれがある。したがって、半導体レーザＬＤとして、発熱の少ないものを選択するしかなく、選択の範囲が狭められることになる。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、高性能でかつ安価で読取り誤差が生じないようにした光ピックアップを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、フォトダイオードと半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板をピックアップ本体の外周面に設け、半導体レーザからレーザ光をハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオードで受光することにより、ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、プリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分が切欠かれていて、半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部をピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入し、基板本体をピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が延長部およびピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする。
【００１０】
このように基板本体の金属板のうち、高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００１１】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００１２】
また、延長部を介してプリント基板の基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができ、安価で高性能の光ピックアップを製作できる。
【００１３】
請求項２の発明は、合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、フォトダイオードと半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板をピックアップ本体の外周面に設け、半導体レーザからレーザ光をハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光をハーフミラーを介してフォトダイオードで受光することにより、ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分が切欠かれていることを特徴とする。
【００１４】
このように、基板本体の金属板のうち、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分を切欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００１５】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが互いに接触されていることを特徴とする。
【００１７】
このように、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが接触しているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部がピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入されており、基板本体をピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が延長部およびピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする。
【００１９】
このように、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。また、プリント基板の基板本体がピックアップ本体の外周面に密着されているので、そのピックアップ本体の熱を積極的に放散できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明が適用される光ピックアップの原理を示す図である。図１において、金属板製基板本体６ａにはプリント基板６が取付けられており、金属製基板本体６ａと半導体レーザＬＤの金属製支持基板８とが互いに接触されている。それ以外の構成は図８と同じであるので、その詳細な接明は省略する。
【００２１】
ピックアップ本体１は、図２に示すように、硬質合成樹脂により形成されており、平面視略矩形状の基枠部１ａの側面に一体突設した一対のブラケット１ｂおよびラック１ｃとを有し、両ブラケット１ｂの貫通孔１２をガイドロッド１３に移動可能に嵌合させ、ラック１ｃに噛合するピニオン（図示せず）を正逆回転させることにより、このピックアップ本体１をガイドロッド１３に沿って矢印ａ，ｂ方向に移動させることができる。
【００２２】
また、基枠部１ａ上に一体に突設した主筒部１ｄの上端にフォトダイオードＰＤが配置されるとともに、主筒部１ｄの側面に突設した分岐筒部１ｅに半導体レーザＬＤが配置されている。
【００２３】
プリント基板６の金属製基板本体６ａは、図３〜図５に示すように略矩形状のアルミ板などの金属板からなり、その下部に貫設した貫通孔１６を通って基枠部１ａのねじ孔１７にビス７をねじ込むことにより、ピックアップ本体１の外周面に止着されている。
【００２４】
このような構成により、合成樹脂製ピックアップ本体１に伝達された熱を金属製基板本体６ａにより大気に積極的に放熱するようになっているので、ピックアップ本体１が半導体レーザＬＤの発熱により熱膨張して変形されるおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体１と同様にフォトダイオードＰＤと対物レンズＯＬとを結ぶ光軸Ｏを所定通りに直線上に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができ、これによって安価で光精度の光ピックアップを製作できる。
【００２５】
半導体レーザＬＤの金属製支持基板８は、平面視略Ｕ字状に折り曲げられたアルミなどの金属板からなり、分岐筒部１ｅの端面にビス１８により止着した中央板部８ａと、該中央板部８ａの両側縁からピックアップ本体１側に折り曲げた側板部８ｂ，８ｃとからなり、その一方の側板部８ｂに一体的に延設した延長部１９の厚さｔがそれに対向して基枠部１ａの側面に形成した凹溝２０の深さｄと同一またはそれよりわずかに大きく設定されており、その延長部１９を凹溝２０に挿入し、金属製基板本体６ａを基枠部１ａの側面に止着することにより、その基板本体６ａが延長部１９および基枠部１ａの側面に密着されている。
【００２６】
上述のごとく延長部１９を介してプリント基板６の金属製基板本体６ａと半導体レーザＬＤの金属製支持基板８とが密着されているので、その金属製支持基板８を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができ、これにより発熱の大きい高性能の半導体レーザＬＤでも使用可能となり、その半導体レーザＬＤの選択範囲を広げることができる。また、金属製基板本体６ａが基枠部１ａの側面に密着されているので、ピックアップ本体１の熱を積極的に放散できる。
【００２７】
このように、金属製基板本体６ａにより放熱効果を高めることができるが、金属製基板本体６ａとプリント基板６とが対向して設けられているために、両者の間に静電容量が生じる。
【００２８】
金属製基板本体６ａにはコネクタ９が取付けられており、このコネクタ９を介して外部から半導体レーザＬＤの駆動信号が与えられるとともに、フォトダイオードＰＤの読取り信号が外部に出力される。フォトダイオードＰＤの読取り信号は高周波信号であるため、上記静電容量のために波形になまりを生じてジッタが起こり、トラッキング信号に影響を及ぼしてトラッキング性能が劣化する。このためディスクの信号を読み取りできないことが起こり得る
そこで、この発明の実施形態では、レーザダイオードＬＤの放熱効果を確保しつつフォトダイオードＰＤの読取り信号にジッタが生じないような光ピックアップを実現する。
【００２９】
図６はこの発明の一実施形態の光ピックアップを基板本体の上面から見た図であり、図７は金属製基板本体の切欠き部の詳細を示す図である。
【００３０】
図６および図７に示すように、プリント基板６にはコネクタ９の半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられるコネクタピン９１に対応する端子パターン６１および配線パターン６２が形成されている。そして、フォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられる配線パターン６２とコネクタピン９１に対応する端子パターン６１の金属製基板本体６ａが対応する部分に切欠き部６ｂが形成される。
【００３１】
図７では金属製基板本体６ａの切欠き部６ｂによってその下のプリント基板６のパターンが見えている状態を示している。このような切欠き部６ｂを形成することにより、端子パターン６１および配線パターン６２と金属製基板本体６ａとの間に静電容量が形成されるのを防止できる。
【００３２】
なお、図７に示すように端子パターン６１と切欠き部６ｂとの間隔ｋは少なくとも金属製基板本体６ａの厚み以上に選ばれる。
【００３３】
また、図７に示した例では切欠き部６ｂは放熱効果を劣化させないように、少なくともフォトダイオードＰＤの読取り信号が与えられるコネクタピン９１の端子パターン６１および配線パターン６２に対応する金属製基板本体６ａの部分に形成されるが、各コネクタピン９１の端子パターン６１のみに対応する金属製基板本体６ａの部分を四角形状となるように切欠いてもよい。この場合、金属性基板本体６ａの切欠きを少なくできるため放熱効果の劣化を少なくできるという利点がある。
【００３４】
このように、金属製基板本体６ａのうち、高周波信号が流れるコネクタピン９１に対応する端子パターン６１および配線パターン６２に対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属製基板本体６ａとプリント基板６との間に静電容量が生じないので、エラーレートの悪化を防ぎ、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。これにより面ぶれ，偏心，汚れのあるディスクなどに対しても強い性能が得られる。
【００３５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように、請求項１の発明によれば、基板本体の金属板のうち、高周波信号が流れるコネクタピン部分および配線パターンに対応する金属板部分を切り欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００３７】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００３８】
また、延長部を介してプリント基板の基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができ、安価で高性能の光ピックアップを製作できる。
【００３９】
請求項２の発明によれば、基板本体の金属板のうち、少なくともプリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分を切欠くことにより、金属板とプリント基板との間に静電容量が生じないので、高周波信号にジッタが生じるのを防ぐことができ、トラッキング信号に影響を及ぼすのを防止できる。
【００４０】
また、合成樹脂製ピックアップ本体に伝わった熱をプリント基板の金属製基板本体により大気に積極的に放散することができるので、ピックアップ本体が半導体レーザの発熱により熱膨張して変形するおそれがなく、従来の金属製ピックアップ本体と同様にフォトダイオードと対物レンズとを結ぶ光軸を所定どおりに直線状に維持して読み取り誤差の発生を防ぐことができる。
【００４１】
請求項３の発明によれば、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが接触しているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。
【００４２】
請求項４の発明によれば、延長部を介してプリント基板の基板本体と半導体レーザの金属製支持基板とが密着されているので、その支持基板を大きくすることなく、放熱面積を拡大することができる。これにより、発熱の大きい高性能の半導体レーザでも使用可能となり、その半導体レーザの選択範囲を広げることができる。また、プリント基板の基板本体がピックアップ本体の外周面に密着されているので、そのピックアップ本体の熱を積極的に放散できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用される光ピックアップの原理を示す図である。
【図２】同じく光ピックアップ斜視図である。
【図３】同じく光ピックアップ分解斜視図である。
【図４】同じく光ピックアップ正面図である。
【図５】同じく光ピックアップ平面図である。
【図６】この発明の一実施形態の光ピックアップを金属製基板本体の上面から見た図である。
【図７】基板本体の切欠き部の詳細を示す図である。
【図８】従来例の光ピックアップの概略縦断面図である。
【符号の説明】
１ ピックアップ本体、２ ハーフミラー、３ 光通過孔、３ａ 光通過孔の一端の開口部、３ｂ 光通過孔の他端の開口部、４ 分岐孔、６ プリント基板、６ａ 金属製基板本体、８ 支持基板、９ コネクタ、１９ 延長部、２０ 凹溝、６１ 端子パターン、６２ 配線パターン、９１ コネクタピン、ＰＤ フォトダイオード、ＱＷＰ コリメータレンズ、ＯＬ 対物レンズ、ＬＤ 半導体レーザ、Ｄ ディスク。
Claims (4)
- 合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、前記光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、前記フォトダイオードと前記半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板を前記ピックアップ本体の外周面に設け、前記半導体レーザからレーザ光を前記ハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光を前記ハーフミラーを介して前記フォトダイオードで受光することにより、前記ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、
前記プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、前記プリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分が切欠かれていて、前記半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部を前記ピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入し、前記基板本体を前記ピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が前記延長部および前記ピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする、光ピックアップ。 - 合成樹脂製ピックアップ本体のハーフミラー付き光通過光孔の一端の開口部にフォトダイオードを配置するとともに、その他端の開口部にコリメータレンズと対物レンズとを配置し、前記光通過光孔内のハーフミラーに対向する位置に半導体レーザを収納し、前記フォトダイオードと前記半導体レーザをケーブルを介してコネクタに接続したプリント基板を前記ピックアップ本体の外周面に設け、前記半導体レーザからレーザ光を前記ハーフミラー，コリメータレンズおよび対物レンズを介してディスクに投射し、その反射光を前記ハーフミラーを介して前記フォトダイオードで受光することにより、前記ディスクに記録されている情報を読取るようにした光ピックアップにおいて、
前記プリント基板の基板本体は金属板からなっていて、前記プリント基板の高周波信号が流れるコネクタピン部分に対応する金属板部分が切欠かれていることを特徴とする、光ピックアップ。 - 前記基板本体と前記半導体レーザの金属製支持基板とが互いに接触されていることを特徴とする、請求項２に記載の光ピックアップ。
- 前記半導体レーザの金属製支持基板に一体的に延設した延長部が前記ピックアップ本体の外周面に形成した凹溝に挿入されており、前記基板本体を前記ピックアップ本体に止着することにより、該基板本体が前記延長部および前記ピックアップ本体の外周面に密着されていることを特徴とする、請求項３に記載の光ピックアップ。
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