JPH11213422A - 半導体レーザ装置の高周波シールドケース - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波シールドケース固定用半田付け作業に要
する熱や時間を減らして上記作業を容易にし、また上記
作業中の熱によるレーザダイオードの信頼性低下を無く
せる、半導体レーザ装置の高周波シールドケースを提供
することである。 【解決手段】半導体レーザ保持部材５０と供に固定部材
にねじ５４により固定される半田付け固定板５２と；上
記固定板に対し上記保持部材と反対側に重ねられ半導体
レーザ１４の端子１４ａの挿入用開口５６ａを有する第
１高周波シールドケースハーフ５６と；上記第１シール
ドケースハーフに重ねて配置され、上記端子に接続され
る高周波発振回路基板５８を第１シールドケースハーフ
と協働し格納する第２の高周波シールドケースハーフ６
０と；上記固定板の半田付着部５２ｃと少なくとも第２
シールドケースハーフにおいて半田付着部に対応した部
分とを接続する半田６２ａ，６２ｂと；を備えたことを
特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ装
置の高周波シールドケースに関係している。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザの為の高周波発振回路基板
は、それが発生する電磁波を遮蔽する為に高周波シール
ドケースに格納しなければならないことは広く知られて
いる。そして高周波発振回路基板に対する高周波シール
ドケースの取り付け作業は容易であることが望ましく、
また高周波シールドケースは出来る限り小さく出来る限
り高い剛性で取り付けられることが望ましい。

【０００３】例えば実公平７−２０９３５号公報に開示
されている光ヘッド装置における半導体レーザ装置の高
周波シールドケースは：レーザダイオードの底面に重複
されレーザダイオードの端子が挿入された開口を有して
いる放熱板と；放熱板に対してレーザダイオードとは反
対側に重複され、放熱板の開口に挿入されたレーザダイ
オードの端子が挿入された開口を有している第１の高周
波シールドケースハーフと；第１の高周波シールドケー
スハーフに対して放熱板とは反対側から第１の高周波シ
ールドケースハーフに被せられ周辺部を第１の高周波シ
ールドケースハーフの周辺部に重複させるとともに周辺
部が放熱板に半田付けされた第２の高周波シールドケー
スハーフと；を備えていて、レーザダイオードの為の高
周波発振回路基板は第１の高周波シールドケースハーフ
の内表面において上記開口の周辺部分に当接させられた
状態で上記開口から突出しているレーザダイオードの端
子に電気的に接続されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザ装置の高周波シールドケースにおいては、第２の高周
波シールドケースハーフの周辺部が放熱板に直接半田付
けされるので、半田付けの為の熱が放熱板に吸収されて
半田付けに要する熱や時間が非常に多い。この為、半田
付けの最中に放熱板からレーザダイオードに伝達される
熱量も多くなり、半田付けの最中にレーザダイオードの
温度が上昇してレーザダイオードの信頼性を損なうこと
もあった。

【０００５】この発明は上記事情の下でなされ、この発
明の目的は、高周波シールドケースの固定の為の半田付
けに要する熱や時間を減少させることが出来て半田付け
作業を容易に出来るとともに半田付け作業中の熱による
レーザダイオードの信頼性の低下を無くすことが出来
る、半導体レーザ装置の高周波シールドケースを提供す
ることである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述したこの発明の目的
を達成する為に、この発明に従った半導体レーザ装置の
高周波シールドケースは：半導体レーザが挿入され保持
されるとともに半導体レーザの端子が露出される開口を
有した半導体レーザ保持部材と；半導体レーザ保持部材
とともに固定部材にねじにより固定される半田付け固定
板と；半田付け固定板に対して半導体レーザ保持部材と
は反対側に重ねられ、半導体レーザの端子が挿入される
開口が形成されている第１の高周波シールドケースハー
フと；第１の高周波シールドケースハーフに重ねて配置
され、上記半導体レーザの端子に接続される高周波発振
回路基板を第１の高周波シールドケースハーフと協働し
て格納する第２の高周波シールドケースハーフと；そし
て、半田付け固定板の半田付着部と第１及び第２の高周
波シールドケースハーフの中の少なくとも第２の高周波
シールドケースハーフにおいて半田付け固定板の半田付
着部に対応した部分とを接続する半田と；を備えたこと
を特徴としている。

【０００７】このような構成においては、半田付け固定
板の半田付着部と第１及び第２の高周波シールドケース
ハーフの中の少なくとも第２の高周波シールドケースハ
ーフにおいて半田付け固定板の半田付着部に対応した部
分とが半田により接続されるので、半田付けの為に要す
る熱が半導体レーザ保持部材に逃げる量が少なくなり半
田付け作業に要する熱や時間が減少される。そして半導
体レーザ保持部材に保持された半導体レーザが半田付け
作業中の熱により信頼性を損なわれることが無い。

【０００８】なお、上述した如く構成されたことを特徴
とするこの発明に従った半導体レーザ装置の高周波シー
ルドケースにおいては、第１の高周波シールドケースハ
ーフには上記ねじの逃げ部が設けられている、ことが好
ましい。このようなねじの逃げ部は、高周波シールドケ
ースの全体の厚みを減少させる。

【０００９】また、上述した如く構成されたことを特徴
とするこの発明に従った半導体レーザ装置の高周波シー
ルドケースにおいては、半田付け固定板の半田付着部は
第１の高周波シールドケースハーフの周縁よりも外方に
向かい突出していることが出来るし、または半田付け固
定板の半田付着部に対応した第１の高周波シールドケー
スハーフの周縁の少なくとも一部は第１の高周波シール
ドケースハーフの周縁の他の部分から内方に向かい凹ん
でいることが出来る。

【００１０】この場合に、半田付け固定板の半田付着部
と第２の高周波シールドケースハーフの周縁において半
田付着部と対応した部分との間に半田を介在させれば、
これらの間の半田は半田付け固定板の半田付着部に対応
した第１の高周波シールドケースハーフの周縁の少なく
とも一部にも付着し、上記半田により半田付け固定板の
半田付着部と第２の高周波シールドケースハーフの周縁
の上記対応部分とが半田により相互に固定されるばかり
でなく、第１の高周波シールドケースハーフの周縁の上
記少なくとも一部も同時に半田付け固定板の半田付着部
に固定されるので、高周波シールドケースの固定の為の
半田付け強度が向上する。

【００１１】そして第１の高周波シールドケースハーフ
が４角形の平面形状を有している場合には、第１の高周
波シールドケースハーフの周縁の少なくとも一部は周縁
の少なくとも２辺に設けられていることが出来る。

【００１２】高周波発振回路基板のグランドパターンは
第１の高周波シールドケースハーフ及び第２の高周波シ
ールドケースハーフの少なくともいずれか一方に電気的
に接続することが出来る。

【００１３】なおこの発明の一実施の形態に従った半導
体レーザ装置の高周波シールドケースは、光磁気ディス
クドライブ，追記型ディスクドライブ，そして相変化型
ディスクドライブ等に使用されてＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶ
Ｄ，そして光カード等の光記録媒体に対して情報を記録
及び／または再生する為に使用される種々の光学素子を
保持可能であり光記録媒体に対して情報を記録及び／ま
たは再生する為に光記録媒体に対して用いられる光ピッ
クアップにおいて使用可能である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下この発明の種々の実施の形態
に従った半導体レーザ装置の高周波シールドケースを添
付の図面を参照しながら詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］図１の（Ａ）は、この発明の第１
の実施の形態に従った半導体レーザ装置の高周波シール
ドケースを使用したスイングアーム式光ピックアップの
概略的な斜視図であり；そして図１の（Ｂ）は、図１の
（Ａ）のスイングアーム式光ピックアップの先端部の拡
大された側面図である。

【００１５】なお図１の（Ａ）に示されたスイングアー
ム式光ピックアップはレーザ光源からのビーム光を特開
平５−１８９７９６号公報から知られている浮上式の固
体液浸レンズ（ＳＩＬ：Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏ
ｎ Ｌｅｎｓ）を介してさらに小さく絞り込んで光ディ
スクの記録層に情報を記録する為や記録層からの反射光
を基にして情報を再生する為に使用される。このような
浮上式の固体液浸レンズを使用した光記録・再生技術
は、例えば「日経バイト」の１９９７年９月号及び「日
経エレクトロニクス」の１９９７年９月２２日号から知
られている。浮上式の固体液浸レンズは光ディスクの表
面に形成されている記録層からハードディスクの磁気ヘ
ッドの如く光ディスクの回転に伴い発生する風により略
１００ｎｍと略１５０ｎｍとの間に浮上し、ＣＤやＤＶ
Ｄ等の光ディスクの表面から光ヘッドが１ｍｍ以上離間
される従来の光記録・再生方法をファー・フィールド
（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ）記録と呼ぶのに対して、浮上式
の固体液浸レンズを使用した光記録・再生方法はニアー
・フィールド（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ）記録と呼ばれ
る。ニアー・フィールド記録においては、記録や再生の
為に使用されるビーム光がファー・フィールド記録にお
いて記録や再生の為に使用されるビーム光の太さの略１
／１０にすることが可能であって、この為にニアー・フ
ィールド記録における記録密度はファー・フィールド記
録における記録密度の略１０倍にすることが可能であ
る。

【００１６】このような図１の（Ａ）に示されたスイン
グアーム式光ピックアップのハウジング１０は、軽量で
剛性の高い材料、例えばマグネシウム合金、により略Ｌ
字形状に形成されていて、Ｌ字形状の長短２本の腕１０
ａ，１０ｂの交差部位の外表面が従来のハードディスク
装置において磁気ヘッドを支持したアームの操作に使用
されていたボイス・コイル・モータと同様な構成を有し
光記録ディスク１００の周縁の近傍に配置されたボイス
・コイル・モータの出力軸１２に着脱自在に固定されて
いる。

【００１７】ハウジング１０の上面は長い方の腕１０ａ
を除きその大部分は上面が開口しており、開口はビーム
通過孔を夫々が有している幾つかの隔壁１０ｃにより幾
つかの室に仕切られていて幾つかの隔壁１０ｃはハウジ
ング１０の剛性を強化している。ハウジング１０の長い
方の腕１０ａはその長手方向に沿い上面と下面が交互に
開口されていて、これもまた長い方の腕１０ａの剛性を
強化している。ハウジング１０の長い方の腕１０ａと短
い方の腕１０ｂとはさらにこれらの内側壁の外表面に両
端部が固定されている斜めの補強棒１０ｄによって相互
間の剛性が強化されている。

【００１８】ハウジング１０の短い方の腕１０ｂの端壁
にはレーザダイオード１４及びコンデンサレンズ装置１
６が支持されている。レーザダイオード１４は図１の
（Ａ）には示されておらず図２の（Ａ），（Ｂ）を参照
しながら後述する電磁波シールドケースに格納されてい
る同様に後述するレーザ光発振の為の高周波発振回路ま
たは高周波発振重畳回路に操作されてハウジング１０の
短い方の腕１０ｂの室内に楕円状に拡散するレーザ光を
出射し、コンデンサレンズ装置１６はレーザダイオード
１４から出射された楕円状に拡散するレーザ光を楕円状
の断面を有した平行レーザ光にする。ハウジング１０の
短い方の腕１０ｂの室内の底壁の内表面には複数のプリ
ズムやビームスプリッタを組み合わさせて構成されたプ
リズム組み立て体１８が設置されている。コンデンサレ
ンズ装置１６からの楕円状の断面を有した平行レーザ光
は、プリズム組み立て体１８のプリズムに入射して真円
状の断面を有した平行レーザ光にされた後、その一部を
プリズム組み立て体１８のビームスプリッタにより短い
方の腕１０ｂの外側壁に形成されているビーム通過孔に
設置されているモニタ用フォトディテクタ２０に導かれ
る。上記ビームスプリッタで分割された平行レーザ光の
残りは短い方の腕１０ｂの室と長い方の腕１０ａ及び短
い方の腕１０ｂの交差領域の室との間の２つの隔壁１０
ｃ（第１隔壁及び第２隔壁という）に形成されているビ
ーム通過孔に導かれる。

【００１９】第１隔壁１０ｃ及び第２隔壁１０ｃの間に
はリレイレンズ装置２２が設置されていて、リレイレン
ズ装置２２はプリズム組み立て体１８からの真円状の平
行レーザ光を長い方の腕１０ａ及び短い方の腕１０ｂの
交差領域の室中の底壁の内表面に設置されているガルバ
ノミラー装置２４に向かい収束させる。ガルバノミラー
装置２４は、リレイレンズ装置２２からの収束されたレ
ーザ光をハウジング１０の長い方の腕１０ａの細長い室
の基端部に設置されているハーフプリズム２６に向かい
反射する。ハーフプリズム２６はガルバノミラー装置２
４からの収束されたレーザ光の一部をハーフプリズム２
６の上面に設置されているモニタ用フォトディテクタ２
８に導くとともに、上記収束されたレーザ光の残りを長
い方の腕１０ａの細長い室においてハーフプリズム２６
よりも長い方の腕１０ａの末端に近い位置に設置されて
いるイメージングレンズ３０に導く。上記収束されたレ
ーザ光はイメージングレンズ３０により真円状の平行レ
ーザ光に戻された後に、ハウジング１０の長い方の腕１
０ａの細長い室の末端に配置されている反射鏡３２によ
って下方に向けられる。

【００２０】反射鏡３２の下方には、図１の（Ｂ）に示
す如く、対物レンズ３３及び固体液浸レンズ（ＳＩＬ：
Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ）３４を支
持したスライダ部材３５が配置されていて、スライダ部
材３５は支持ばね３６を介してハウジング１０の長い方
の腕１０ａに支持されている。

【００２１】図１の（Ａ）のハウジング１０のレーザダ
イオード１４からのレーザ光により光記録ディスク１０
０の上面の記録層１００ａに対して情報の記録及び／ま
たは再生を行う時には、光記録ディスク１００が所定の
方向に所定の回転数で回転されている間にハウジング１
０がボイス・コイル・モータの出力軸１２の回りに所定
の範囲で往復動されて長い方の腕１０ａの細長い室の末
端の対物レンズ３３及び固体液浸レンズ３４を支持した
スライダ部材３５を光記録ディスク１００の上面の記録
層１００ａの上方で光記録ディスク１００の半径方向に
移動させる。

【００２２】なおこの間には、対物レンズ３３及び固体
液浸レンズ３４を支持したスライダ部材３５は図１の
（Ｂ）において実線で示されている如く支持ばね３６の
弾性により自由に上下方向に所定の範囲で移動自在であ
り、この為にスライダ部材３５は上述した如く回転して
いる光記録ディスク１００の上面に対して上述した如く
回転している光記録ディスク１００が巻き起こす風によ
って略１００ｎｍと略１５０ｎｍとの範囲内で浮上す
る。

【００２３】光記録ディスク１００の上面の記録層１０
０ａに対する情報の記録及び／または再生の為にスライ
ダ部材３５上の対物レンズ３３及び固体液浸レンズ３４
を介して光記録ディスク１００の上面の記録層１００ａ
に対して照射されたレーザ光は、記録層１００ａにより
反射されてスライダ部材３５の固体液浸レンズ３４及び
対物レンズ３３，イメージングレンズ３０，ハーフプリ
ズム２６，ガルバノミラー装置２４，そしてリレイレン
ズ装置２２を介してプリズム組み立て体１８に戻され、
プリズム組み立て体１８中のビームスプリッタにおいて
リレイレンズ装置２２からの反射レーザ光の一部を短い
方の腕１０ｂの内側壁に形成されているビーム通過孔に
設置されているサーボ用フォトディテクタ３８に導くと
ともに、反射レーザ光の残りをプリズム組み立て体１８
中のオラストンプリズム及び集光レンズ３９を介して短
い方の腕１０ｂの端壁に形成されているビーム通過孔に
設置されている再生用フォトディテクタ４０に導く。

【００２４】図１の（Ａ）のハウジング１０のレーザダ
イオード１４からのレーザ光により光ディスク１００の
上面の記録層１００ａに対して情報の記録及び／または
再生を行なわない時には、ハウジング１０がボイス・コ
イル・モータの出力軸１２により長い方の腕１０ａの細
長い室の末端、即ち対物レンズ３３及び固体液浸レンズ
３４を支持したスライダ部材３５、を光記録ディスク１
００の上面から光記録ディスク１００の半径方向におけ
る外方まで移動させられ、ここにおいて支持ばね３６は
図示しない従来のハードディスク装置において磁気ヘッ
ドを支持したアームの支持ばねを受ける公知の図示しな
い支持ばね受けと同様な構成の図示しない支持ばね受け
に受けられて図１の（Ｂ）において実線で示されている
動作位置から２点鎖線で示されている如く上方に移動し
た休止位置に保持される。

【００２５】この実施の形態においては、ハウジング１
０の短い方の腕１０ｂの端壁，外側壁及び内側壁に設置
されている前述した図示しない高周波発振回路，モニタ
用フォトディテクタ２０，再生用フォトディテクタ４
０，そしてサーボ用フォトディテクタ３８や、ハウジン
グ１０の短い方の腕１０ｂと長い方の腕１０ａとの交差
領域の室中のガルバノミラー装置２４や、ハウジング１
０の長い方の腕１０ａの細長い室中のモニタ用フォトデ
ィテクタ２０の操作用の電気回路はフレキシブル基板４
２上に形成されていて、フレキシブル基板４２は電気回
路中の断線、特に電気回路に含まれるＩＣチップ４３の
断線、を防止する為に補強板４４上に固定された状態で
ねじ４５によりハウジング１０の支持棒１０ｄ上に固定
されている。

【００２６】フレキシブル基板４２は、その上に電気回
路が構成された後に電気回路が正常に作動するかどうか
をチェックする為や上述したニア・フィールド記録の為
にフレキシブル基板４２を使用するハウジング１０に搭
載された状態でハウジング１０上の前述した図示しない
高周波発振回路，モニタ用フォトディテクタ２０，再生
用フォトディテクタ４０，サーボ用フォトディテクタ３
８，ガルバノミラー装置２４，モニタ用フォトディテク
タ２０が正常に作動するかどうかをチェックする為に使
用されるチェックランド４６を有している。

【００２７】フレキシブル基板４２においてチェックラ
ンド４６を含む一部分４２ａは、チェックランド４６を
含まない他の部分から突出して形成されている。この実
施の形態においてフレキシブル基板４２のチェックラン
ド４６を含まない他の部分は補強板４４に対応してい
て、即ち重複されていて、チェックランド４６を含む一
部分４２ａは補強板４４に対応しておらず補強板４４の
外側に伸びている。この結果として、フレキシブル基板
４２においてチェックランド４６を含む一部分４２ａは
チェックランド４６を含まない他の部分に対し可撓性を
有するよう構成されている。フレキシブル基板４２のグ
ランドパターンの一部は、フレキシブル基板４２をハウ
ジング１０の支持棒１０ｄ上に固定しているねじ４５に
よりハウジング１０に電気的に接続されている。

【００２８】図２の（Ａ）は、図１の（Ａ）に示された
スイングアーム式光ピックアップの半導体レーザ装置の
レーザダイオード１４の為の高周波発振回路を格納した
第１の実施の形態に従った高周波シールドケース，この
高周波シールドケースを上記スイングアーム式光ピック
アップのハウジングに固定する為の半田付け固定板及び
レーザダイオード保持部材の分解斜視図であり；図２の
（Ｂ）は、図２の（Ａ）の高周波シールドケース，半田
付け固定板，及びレーザダイオード保持部材が半田によ
り相互に固定された状態を示す側面図であり；そして、
図２の（Ｃ）は図２の（Ａ）の高周波シールドケース，
半田付け固定板，及びレーザダイオード保持部材が半田
により相互に固定された状態を示す平面図の一部であ
る。

【００２９】図１の（Ａ）及び図２の（Ａ）に示す如
く、レーザダイオード１４はレーザダイオード保持部材
５０の開口５０ａにレーザダイオード端子１４ａを露出
させた状態で挿入され保持されている。レーザダイオー
ド保持部材５０は真鍮板をプレス成型して形成されてい
て、レーザダイオード端子１４ａの為の開口５０ａの両
側に１対のねじ挿入孔５０ｂを有している。

【００３０】図２の（Ａ）に示す如く、レーザダイオー
ド保持部材５０においてレーザダイオード端子１４ａが
露出されている側には、レーザダイオード端子１４ａが
挿入される開口５２ａを有した半田付け固定板５２が重
複されている。半田付け固定板５２は錫メッキされた鉄
板により形成されていて、レーザダイオード端子１４ａ
の為の開口５２ａの両側に１対のねじ挿入孔５２ｂを有
している。

【００３１】レーザダイオード保持部材５０及び半田付
け固定板５２は、半田付け固定板５２においてレーザダ
イオード保持部材５０とは反対側から半田付け固定板５
２の１対のねじ挿入孔５２ｂ及びレーザダイオード保持
部材５０の１対のねじ挿入孔５０ｂに挿入される１対の
固定ねじ５４により固定部材、この実施の形態では図１
の（Ａ）に示されているコンデンサレンズ装置１６のマ
グネシウム合金製の支持枠１６ａの外部端面、に固定さ
れていて、コンデンサレンズ装置１６の支持枠１６ａが
さらにニッケルメッキされた鉄製の固定ねじ１６ｂによ
りハウジング１０の短い方の腕１０ｂの延出端部に固定
されている。

【００３２】半田付け固定板５２においてレーザダイオ
ード保持部材５０とは反対側に錫メッキされた真鍮によ
り形成されている第１の高周波シールドケースハーフ５
６が重ねられている。第１の高周波シールドケースハー
フ５６にはレーザダイオード端子１４ａが挿入される開
口５６ａが形成されており、第１の高周波シールドケー
スハーフ５６はさらに開口５６ａの両側にレーザダイオ
ード保持部材５０及び半田付け固定板５２の固定の為の
１対の固定ねじ５４の頭部が格納されるねじ逃げ部とし
てのねじ頭部格納凹所５６ｂを有している。ねじ頭部格
納凹所５６ｂは第１の高周波シールドケースハーフ５６
において半田付け固定板５２の１対のねじ挿入孔５２ｂ
に対応した１対の位置が半田付け固定板５２とは反対側
に凹む（図２の（Ａ）では、この凹みにより生じた突出
部が示されている）ことにより形成されている。

【００３３】第１の高周波シールドケースハーフ５６の
周縁の少なくとも一部はこの周縁の少なくとも一部に対
応している半田付け固定板５２の周縁の対応部分よりも
内側に位置している。より具体的には、この実施の形態
において第１の高周波シールドケースハーフ５６の周縁
は半田付け固定板５２とは反対方向に折り曲げられて４
角形状の周壁を構成しており、半田付け固定板５２の周
縁は第１の高周波シールドケースハーフ５６の周縁の２
辺（図２の（Ａ）では左辺と下辺）に対応した２つの部
分（図２の（Ａ）では左辺と下辺）において上記２辺よ
りも外方に向かい突出している２つの半田付着部５２
ｃ，５２ｄを有している。

【００３４】第１の高周波シールドケースハーフ５６に
おいて半田付け固定板５２とは反対側にはレーザダイオ
ード１４の為の前述した高周波発振回路または高周波発
振重畳回路（以下、高周波発振回路についてのみ言及す
る）が構成されている高周波発振回路基板５８が重ねら
れている。高周波発振回路基板５８は、レーザダイオー
ド保持部材５０の開口５０ａ，半田付け固定板５２の開
口５２ａ，そして第１の高周波シールドケースハーフ５
６の開口５６ａを介して露出されているレーザダイオー
ド端子１４ａが挿入される端子貫通孔５８ａを有してい
て、端子貫通孔５８に挿入されたレーザダイオード端子
１４ａは端子貫通孔５８ａに半田付けされることにより
上記高周波発振回路と電気的に接続される。また高周波
発振回路基板５８の周縁には上記高周波発振回路のグラ
ンドパターン５８ｂが形成されていて、グランドパター
ン５８ｂは高周波発振回路基板５８の上記高周波発振回
路が端子貫通孔５８ａに挿入されたレーザダイオード端
子１４ａと上述した如く電気的に接続される時に同時に
第１の高周波シールドケースハーフ５６の周壁に電気的
に接続される。

【００３５】高周波発振回路基板５８において端子貫通
孔５８ａの両側には、第１の高周波シールドケースハー
フ５６の１対のねじ頭部格納凹所５６ｂの突出を受け入
れる為の開口５８ｃが形成されている。高周波発振回路
基板５８は高周波発振回路を図１の（Ａ）に示す如くハ
ウジング１０の支持棒１０ｄ上に固定されたフレキシブ
ル基板４２上の上記電気回路と電気的に接続する為の貫
通コンデンサ（以下、単にコンデンサという）５８ｄを
第１の高周波シールドケースハーフ５６とは反対側に突
出させている。

【００３６】高周波発振回路基板５８において第１の高
周波シールドケースハーフ５６とは反対側には第２の高
周波シールドケースハーフ６０が重ねられている。第２
の高周波シールドケースハーフ６０の周縁は第１の高周
波シールドケースハーフ５６の側に折り曲げられて４角
形状の周壁を構成している。第２の高周波シールドケー
スハーフ６０の周壁は第１の高周波シールドケースハー
フ５６の周壁の外側に重複され、第２の高周波シールド
ケースハーフ６０は第１の高周波シールドケースハーフ
５６と協働して高周波発振回路基板５８を格納する。

【００３７】第２の高周波シールドケースハーフ６０に
は高周波発振回路基板５８のコンデンサ５８ｄが挿入さ
れる外部接続用コンデンサ挿入孔６０ａが形成されてい
る。第２の高周波シールドケースハーフ６０の周壁が第
１の高周波シールドケースハーフ５６の周壁の外側に重
複されて高周波発振回路基板５８が第２の高周波シール
ドケースハーフ６０と第１の高周波シールドケースハー
フ５６とにより格納された時に、第２の高周波シールド
ケースハーフ６０の外部接続用コンデンサ挿入孔６０ａ
に高周波発振回路基板５８のコンデンサ５８ｄが挿入さ
れ外部空間に突出される。そしてコンデンサ５８ｄの外
周面は第２の高周波シールドケースハーフ６０の外部接
続用コンデンサ挿入孔６０ａに半田付けされる。

【００３８】第２の高周波シールドケースハーフ６０の
周壁が第１の高周波シールドケースハーフ５６の周壁の
外側に重複された後に、半田付け固定板５２の周縁の２
つの半田付着部５２ｃ，５２ｄと第２の高周波シールド
ケースハーフ６０の周縁において半田付け固定板５２の
周縁の２つの半田付着部５２ｃ，５２ｄに対応している
２つの部分との間に図２の（Ｂ）及び（Ｃ）に示す如く
溶融した半田６２ａ，６２ｂが導入される。この半田６
２ａ及び６２ｂにより、半田付け固定板５２の周縁の２
つの半田付着部５２ｃ，５２ｄと第２の高周波シールド
ケースハーフ６０の周縁において２つの半田付着部５２
ｃ，５２ｄに対応した上記２つの部分とが第１の高周波
シールドケースハーフ５６の周縁において２つの半田付
着部５２ｃ，５２ｄに対応した２つの部分とともに相互
に半田付けされ、相互に機械的及び電気的に接続され
る。

【００３９】そしてこの半田付けに際しては、相互に半
田付けされる半田付け固定板５２，第１の高周波シール
ドケースハーフ５６，そして第２の高周波シールドケー
スハーフ６０の夫々は薄く放熱効果が高いので半田付け
の為の加熱や冷却に要する時間が短くて済み、半田付け
作業が容易である。また、相互に半田付けされる半田付
け固定板５２，第１の高周波シールドケースハーフ５
６，そして第２の高周波シールドケースハーフ６０の夫
々において半田付けの為の面積を比較的多く確保するこ
とが出来るので、半田６２ａ及び６２ｂによる固定強度
が比較的大きくなる。

【００４０】第１の高周波シールドケースハーフ５６及
び第２の高周波シールドケースハーフ６０の夫々が上述
した如く半田６２ａ及び６２ｂにより強固に固定されて
いる半田付け固定板５２は前述した如く１対の固定ねじ
５４によりレーザダイオード保持部材５０とともにコン
デンサレンズ装置１６の支持枠１６ａの外部端面に固定
されていて、コンデンサレンズ装置１６の支持枠１６ａ
がさらに固定ねじ１６ｂによりハウジング１０の短い方
の腕１０ｂの延出端部に固定されているので、第１の高
周波シールドケースハーフ５６及び第２の高周波シール
ドケースハーフ６０の夫々は半田付け固定板５２やレー
ザダイオード保持部材５０とともにコンデンサレンズ装
置１６の支持枠１６ａを介してハウジング１０の短い方
の腕１０ｂの延出端部に強固に固定されていることにな
る。

【００４１】それでも半田６２ａ及び６２ｂによる固定
強度の剛性が不足する時には、第１の高周波シールドケ
ースハーフ５６の周縁と第２の高周波シールドケースハ
ーフ６０の周縁の相互の重複部分を非導電性接着剤や導
電性接着剤により補強することも出来る。

【００４２】第１の高周波シールドケースハーフ５６と
第２の高周波シールドケースハーフ６０とに格納された
高周波発振回路基板５８の高周波発振回路のグランドパ
ターン５８ｄは、グランドパターン５８ｄと上述した如
く半田により接続された第１の高周波シールドケースハ
ーフ５６や第１の高周波シールドケースハーフ５６と上
述した如く半田６２ａ及び６２ｂにより接続された半田
付け固定板５２や上述した如く１対の固定ねじ５４によ
り半田付け固定板５２とともにコンデンサレンズ装置１
６の支持枠１６ａに固定されているレーザダイオード保
持部材５０を介して、レーザダイオード保持部材５０に
上述した如く保持されているレーザダイオード１４のパ
ッケージのグランドと電気的に接続されているととも
に、さらにはコンデンサレンズ装置１６の支持枠１６ａ
を上述した如くハウジング１０の短い方の腕１０ｂの延
出端部に固定している固定ねじ１６ｂや図１の（Ａ）を
参照しながら前述した如くフレキシブル基板４２をハウ
ジング１０の補強棒１０ｄに固定しているねじ７０を介
してフレキシブル基板４２の上述したグランドパターン
とも電気的に接続されている。

【００４３】またこの実施の形態では、半田付け固定板
５２の周縁の半田付着部５２ｃ，５２ｄは第１の高周波
シールドケースハーフ５６の４角形状の周縁の２辺の夫
々に対応して１つづつ形成されていたが、３辺や４辺の
夫々に対応して１つづつ形成されていてもよいし、いず
れの辺に１個以上形成されていてもよいし、周縁の全体
に形成されていても良い。

【００４４】第１の高周波シールドケースハーフ５６及
び第２の高周波シールドケースハーフ６０の夫々の周縁
の形状も４角形に限られず、３角形や４角形以上の多角
形や円形状や楕円形状を含むいかなる形状であることが
出来る。

【００４５】さらに半田付け固定板５２の周縁の半田付
着部は第１の高周波シールドケースハーフ５６の周縁か
ら突出して形成されるばかりでなく、第１の高周波シー
ルドケースハーフ５６の周縁の少なくとも一部を内方に
向かい凹ませ、この少なくとも一部の内方への凹みに対
応した半田付け固定板５２の周縁の少なくとも一部を半
田付着部とすることも出来る。

【００４６】［第２の実施の形態］次には、この発明の
第２の実施の形態に従った半導体レーザ装置の高周波シ
ールドケースについて図３の（Ａ）及び（Ｂ）、そして
図４を参照しながら詳細に説明する。

【００４７】第２の実施の形態に従った半導体レーザ装
置の高周波シールドケースもまた、図１の（Ａ）及び
（Ｂ），そして図２の（Ａ）乃至（Ｃ）を参照しながら
上述したこの発明の第１の実施の形態に従った半導体レ
ーザ装置の高周波シールドケースの場合と同様に、図１
の（Ａ）に示されたスイングアーム式光ピックアップの
レーザダイオード１４の為の高周波発振回路を格納した
高周波シールドケースである。

【００４８】図３の（Ａ）は、図１の（Ａ）に示された
スイングアーム式光ピックアップの半導体レーザ装置の
レーザダイオード１４の為の高周波発振回路を格納した
この発明の第２の実施の形態に従った高周波シールドケ
ース，この高周波シールドケースを上記スイングアーム
式光ピックアップのハウジングに固定する為の半田付け
固定板及びレーザダイオード保持部材の分解斜視図であ
り；そして、（Ｂ）は、図３の（Ａ）の高周波シールド
ケース，半田付け固定板，及びレーザダイオード保持部
材が半田により相互に固定された状態を示す側面図であ
る。

【００４９】図４は、図１の（Ａ）に示されたスイング
アーム式光ピックアップのハウジングの短い方の腕１０
ｂの端壁に図３の（Ａ）の高周波シールドケースが取り
付けられた状態を示す水平断面図である。

【００５０】図３の（Ａ）及び図４に示す如く、レーザ
ダイオード１４はレーザダイオード保持部材７０の開口
７０ａにレーザダイオード端子１４ａを露出させた状態
で挿入され保持されている。レーザダイオード保持部材
７０は真鍮板をプレス成型して形成されていて、レーザ
ダイオード端子１４ａの為の開口７０ａの両側に１対の
ねじ挿入孔７０ｂを有している。

【００５１】図３の（Ａ）及び図４に示す如く、レーザ
ダイオード保持部材７０においてレーザダイオード端子
１４ａが露出されている側には、レーザダイオード端子
１４ａが挿入される開口７２ａを有した半田付け固定板
７２が重複されている。半田付け固定板５２は錫メッキ
された鉄板により形成されていて、レーザダイオード端
子１４ａの為の開口７２ａの両側に１対のねじ挿入孔７
２ｂを有している。

【００５２】レーザダイオード保持部材７０及び半田付
け固定板７２は、半田付け固定板７２においてレーザダ
イオード保持部材７０とは反対側から半田付け固定板７
２の１対のねじ挿入孔７２ｂ及びレーザダイオード保持
部材７０の１対のねじ挿入孔７０ｂに挿入される１対の
固定ねじ７４により固定部材、この実施の形態では図１
の（Ａ）に示されているコンデンサレンズ装置１６のマ
グネシウム合金製の支持枠１６ａの外部端面、に図４に
示す如く固定されていて、コンデンサレンズ装置１６の
支持枠１６ａがさらにニッケルメッキされた鉄製の固定
ねじ１６ｂによりハウジング１０の短い方の腕１０ｂの
延出端部に固定されている。

【００５３】半田付け固定板７２においてレーザダイオ
ード保持部材７０とは反対側に錫メッキされた真鍮によ
り形成されている第１の高周波シールドケースハーフ７
６が重ねられている。この実施の形態の第１の高周波シ
ールドケースハーフ７６は、図２の（Ａ）乃至（Ｃ）を
特に参照しながら前述した第１の実施の形態の第１の高
周波シールドケースハーフ５６よりも図１の（Ａ）に示
されたスイングアーム式光ピックアップのハウジング１
０の揺動方向に沿い細長く、しかしレーザダイオード１
４からのレーザ光の放射方向における厚さは薄く設定さ
れている。

【００５４】第１の高周波シールドケースハーフ７６に
はレーザダイオード端子１４ａが挿入される開口７６ａ
が形成されており、第１の高周波シールドケースハーフ
７６はさらに開口７６ａの両側にレーザダイオード保持
部材７０及び半田付け固定板７２の固定の為の１対の固
定ねじ７４の頭部が格納されるねじ逃げ部としてのねじ
頭部格納開口７６ｂ，７６ｃを有している。そしてこの
実施の形態では、第１の高周波シールドケースハーフ７
６の長手方向における一端の近傍に位置するねじ頭部格
納開口７６ｃは第１の高周波シールドケースハーフ７６
の周縁から半田付け固定板７２とは反対側に突出する第
１の高周波シールドケースハーフ７６の周壁にも切り込
まれている。

【００５５】第１の高周波シールドケースハーフ７６に
おいて半田付け固定板７２と重複される底壁では、レー
ザダイオード端子１４ａが挿入される開口７６ａの周囲
と、開口７６ａから第１の高周波シールドケースハーフ
７６の長手方向に離間した位置で上記長手方向と交差す
る幅方向（図３の（Ａ）では上下方向）に相互に離間し
た２つの部位と、が半田付け固定板７２とは反対側に凹
まされることにより形成された突出部７６ｄが形成され
ていて、この突出部７６ｄは後述する高周波発振回路基
板の為の支持台座を構成している。

【００５６】第１の高周波シールドケースハーフ７６の
周縁の少なくとも一部はこの周縁の少なくとも一部に対
応している半田付け固定板７２の周縁の対応部分よりも
内側に位置している。より具体的には、この実施の形態
において第１の高周波シールドケースハーフ７６の周縁
は半田付け固定板７２とは反対方向に折り曲げられて４
角形状の周壁を構成しており、半田付け固定板７２の周
縁は第１の高周波シールドケースハーフ７６の周縁の長
手方向に延出する２辺中の一方（図３の（Ａ）では下
辺）に対応した部分（図３の（Ａ）では下縁）において
上記２辺中の一方よりも外方に向かい突出している２つ
の半田付着部７２ｃ，７２ｄを有している。

【００５７】そして半田付け固定板７２に対して第１の
高周波シールドケースハーフ７６の底壁が重複された時
には、第１の高周波シールドケースハーフ７６の底壁に
おいて長手方向における一端の近傍に位置するねじ頭部
格納開口７６ｃが上述した周壁における切り欠きを除い
た全てを半田付け固定板７２により塞がれる。

【００５８】第１の高周波シールドケースハーフ７６に
おいて半田付け固定板７２とは反対側には突出部７６ｄ
上にレーザダイオード１４の為の前述した高周波発振回
路または高周波発振重畳回路（以下、高周波発振回路の
みに言及する）が構成されている高周波発振回路基板７
８が重ねられている。高周波発振回路基板７８は、レー
ザダイオード保持部材７０の開口７０ａ，半田付け固定
板７２の開口７２ａ，そして第１の高周波シールドケー
スハーフ７６の開口７６ａを介して露出されているレー
ザダイオード端子１４ａが挿入される端子貫通孔７８ａ
を有していて、端子貫通孔７８に挿入されたレーザダイ
オード端子１４ａは端子貫通孔７８ａに半田付けされる
ことにより上記高周波発振回路と電気的に接続される。
高周波発振回路基板７８の周縁には上記高周波発振回路
のグランドパターン７８ｂが形成されていて、グランド
パターン７８ｂは高周波発振回路基板７８の上記高周波
発振回路が端子貫通孔７８に挿入されたレーザダイオー
ド端子１４ａと上述した如く電気的に接続される時に同
時に第１の高周波シールドケースハーフ７６の周壁に電
気的に接続される。

【００５９】高周波発振回路基板７８は高周波発振回路
を図１の（Ａ）に示す如くハウジング１０の支持棒１０
ｄ上に固定されたフレキシブル基板４２上の上記電気回
路と電気的に接続する為のコンデンサ７８ｃを第１の高
周波シールドケースハーフ７６とは反対側に突出させて
いる。

【００６０】高周波発振回路基板７８において第１の高
周波シールドケースハーフ７６とは反対側には第２の高
周波シールドケースハーフ８０が重ねられている。第２
の高周波シールドケースハーフ８０の周縁は第１の高周
波シールドケースハーフ７６の側に折り曲げられて第１
の高周波シールドケースハーフ７６の細長い４角形状の
周縁に対応して細長い４角形状をしている周壁を構成し
ている。

【００６１】第２の高周波シールドケースハーフ８０の
周壁は第１の高周波シールドケースハーフ７６の周壁の
外側に重複され、第２の高周波シールドケースハーフ８
０は第１の高周波シールドケースハーフ７６と協働して
高周波発振回路基板７８を格納する。そしてこの際に
は、第１の高周波シールドケースハーフ７６の底壁にお
いて長手方向における一端の近傍に位置するねじ頭部格
納開口７６ｃが上述した周壁における切り欠きを図４に
示す如く第２の高周波シールドケースハーフ８０の周縁
により塞がれる。

【００６２】第２の高周波シールドケースハーフ８０に
は高周波発振回路基板７８の貫通コンデンサ（以下、単
にコンデンサという）７８ｃが挿入される外部接続用コ
ンデンサ挿入孔８０ａが形成されている。第２の高周波
シールドケースハーフ８０の周壁が第１の高周波シール
ドケースハーフ７６の周壁の外側に重複されて高周波発
振回路基板７８が第２の高周波シールドケースハーフ８
０と第１の高周波シールドケースハーフ７６とにより格
納された時に、第２の高周波シールドケースハーフ８０
の外部接続用コンデンサ挿入孔８０ａに高周波発振回路
基板７８のコンデンサ７８ｃが挿入され外部空間に突出
される。そしてコンデンサ７８ｃの外周面は第２の高周
波シールドケースハーフ８０の外部接続用コンデンサ挿
入孔８０ａに半田付けされる。

【００６３】第２の高周波シールドケースハーフ８０の
周壁が第１の高周波シールドケースハーフ７６の周壁の
外側に重複された後に、半田付け固定板７２の周縁の２
つの半田付着部７２ｃ，７２ｄと第２の高周波シールド
ケースハーフ８０の周縁において半田付け固定板７２の
周縁の２つの半田付着部７２ｃ，７２ｄに対応している
２つの部分との間に図３の（Ｂ）に示す如く溶融した半
田８２が導入される。この半田８２により、半田付け固
定板７２の周縁の２つの半田付着部７２ｃ，７２ｄと第
２の高周波シールドケースハーフ８０の周縁において２
つの半田付着部７２ｃ，７２ｄに対応した上記２つの部
分とが第１の高周波シールドケースハーフ７６の周縁に
おいて２つの半田付着部７２ｃ，７２ｄに対応した２つ
の部分とともに相互に半田付けされ、相互に機械的及び
電気的に接続される。

【００６４】そしてこの半田付けに際しては、相互に半
田付けされる半田付け固定板７２，第１の高周波シール
ドケースハーフ７６，そして第２の高周波シールドケー
スハーフ８０の夫々は薄く放熱効果が高いので半田付け
の為の加熱や冷却に要する時間が短くて済み、半田付け
作業が容易である。また、相互に半田付けされる半田付
け固定板７２，第１の高周波シールドケースハーフ７
６，そして第２の高周波シールドケースハーフ８０の夫
々において半田付けの為の面積を比較的多く確保するこ
とが出来るので、半田８２による固定強度が比較的大き
くなる。

【００６５】第１の高周波シールドケースハーフ７６及
び第２の高周波シールドケースハーフ８０の夫々が上述
した如く半田８２により強固に固定されている半田付け
固定板７２は前述した如く１対の固定ねじ７４によりレ
ーザダイオード保持部材７０とともにコンデンサレンズ
装置１６の支持枠１６ａの外部端面に固定されていて、
コンデンサレンズ装置１６の支持枠１６ａがさらに固定
ねじ１６ｂ（図１の（Ａ）参照）によりハウジング１０
の短い方の腕１０ｂの延出端部に固定されているので、
第１の高周波シールドケースハーフ７６及び第２の高周
波シールドケースハーフ８０の夫々は半田付け固定板７
２やレーザダイオード保持部材７０とともにコンデンサ
レンズ装置１６の支持枠１６ａを介してハウジング１０
の短い方の腕１０ｂの延出端部に強固に固定されている
ことになる。

【００６６】それでも半田８２による固定強度の剛性が
不足する時には、第１の高周波シールドケースハーフ７
６の周縁と第２の高周波シールドケースハーフ８０の周
縁の相互の重複部分を非導電性接着剤や導電性接着剤に
より補強することも出来る。

【００６７】第１の高周波シールドケースハーフ７６と
第２の高周波シールドケースハーフ８０とに格納された
高周波発振回路基板７８の高周波発振回路のグランドパ
ターン７８ｂは、グランドパターン７８ｂと上述した如
く半田により接続された第１の高周波シールドケースハ
ーフ７６や第１の高周波シールドケースハーフ７６と上
述した如く半田８２により接続された半田付け固定板７
２や上述した如く１対の固定ねじ７４により半田付け固
定板７２とともにコンデンサレンズ装置１６の支持枠１
６ａに固定されているレーザダイオード保持部材７０を
介して、レーザダイオード保持部材７０に上述した如く
保持されているレーザダイオード１４のパッケージのグ
ランドと電気的に接続されているとともに、さらにはコ
ンデンサレンズ装置１６の支持枠１６ａを上述した如く
ハウジング１０の短い方の腕１０ｂの延出端部に固定し
ている固定ねじ１６ｂ（図１の（Ａ）参照）や図１の
（Ａ）を参照しながら前述した如くフレキシブル基板４
２をハウジング１０の補強棒１０ｄに固定しているねじ
７０を介してフレキシブル基板４２の上述したグランド
パターンとも電気的に接続されている。

【００６８】なおこの実施の形態では、第１の高周波シ
ールドケースハーフ７６、ひいてはこれに重ねられる第
２の高周波シールドケースハーフ８０、が図２の（Ａ）
乃至（Ｃ）を特に参照しながら前述した第１の実施の形
態の第１の高周波シールドケースハーフ５６、ひいては
これに重ねられる第２の高周波シールドケースハーフ６
０、よりも図１の（Ａ）に示されたスイングアーム式光
ピックアップのハウジング１０の揺動方向に沿い細長
く、しかしレーザダイオード１４からのレーザ光の放射
方向における厚さは薄く設定されている。この為に、第
２の実施の形態に従った半導体レーザ装置の高周波シー
ルドケースの慣性モーメントは前述した第１の実施の形
態の半導体レーザ装置の高周波シールドケースの慣性モ
ーメントよりも小さく、第２の実施の形態に従った半導
体レーザ装置の高周波シールドケースを備えたスイング
アーム式光ピックアップがスイングする時の速度を高
め、ひいては光ディスク１００の記録層１００ａの所望
の記録トラックに対する上記スイングアーム式光ピック
アップのアクセス速度及び追従速度を高め、光ディスク
１００の記録層１００ａに対する情報の記録や記録層１
００ａからの情報の再生に要する時間の減少や正確さの
向上をもたらす。

【００６９】またこの実施の形態では、半田付け固定板
７２の周縁の半田付着部７２ｃ，７２ｄは第１の高周波
シールドケースハーフ７６の４角形状の周縁の１辺に対
応して形成されていたが、２辺や３辺や４辺の夫々に対
応して１つづつ形成されていてもよいし、いずれの辺に
１個以上形成されていてもよいし、周縁の全体に形成さ
れていても良い。

【００７０】第１の高周波シールドケースハーフ７６及
び第２の高周波シールドケースハーフ８０の夫々の周縁
の形状も４角形に限られず、３角形や４角形以上の多角
形や円形状や楕円形状を含むいかなる形状であることが
出来る。

【００７１】さらに半田付け固定板７２の周縁の半田付
着部は第１の高周波シールドケースハーフ７６の周縁か
ら突出して形成されるばかりでなく、第１の高周波シー
ルドケースハーフ７６の周縁の少なくとも一部を内方に
向かい凹ませ、この少なくとも一部の内方への凹みに対
応した半田付け固定板７２の周縁の少なくとも一部を半
田付着部とすることも出来る。

【００７２】

【発明の効果】以上詳述したことから明らかなように、
この発明に従った半導体レーザ装置の高周波シールドケ
ースによれば、高周波シールドケースの固定の為の半田
付けに要する熱や時間を減少させることが出来て半田付
け作業を容易に出来るとともに半田付け作業中の熱によ
るレーザダイオードの信頼性の低下を無くすことが出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、この発明の第１の実施の形態に従っ
た半導体レーザ装置の高周波シールドケースを使用した
スイングアーム式光ピックアップの概略的な斜視図であ
り；そして、（Ｂ）は、（Ａ）のスイングアーム式光ピ
ックアップの先端部の拡大された側面図である。

【図２】（Ａ）は、図１の（Ａ）に示されたスイングア
ーム式光ピックアップの半導体レーザ装置のレーザダイ
オードの為の高周波発振回路を格納したこの発明の第１
の実施の形態の高周波シールドケース，この高周波シー
ルドケースをハウジングに固定する為の半田付け固定板
及びレーザダイオード保持部材の分解斜視図であり；
（Ｂ）は、図２の（Ａ）の高周波シールドケース，半田
付け固定板，及びレーザダイオード保持部材が半田によ
り相互に固定された状態を示す側面図であり；そして、
（Ｃ）は図２の（Ａ）の高周波シールドケース，半田付
け固定板，及びレーザダイオード保持部材が半田により
相互に固定された状態を示す平面図の一部である。

【図３】（Ａ）は、図１の（Ａ）に示されたスイングア
ーム式光ピックアップの半導体レーザ装置のレーザダイ
オードの為の高周波発振回路を格納したこの発明の第２
の実施の形態に従った高周波シールドケース，この高周
波シールドケースを上記スイングアーム式光ピックアッ
プのハウジングに固定する為の半田付け固定板及びレー
ザダイオード保持部材の分解斜視図であり；そして、
（Ｂ）は、図３の（Ａ）の高周波シールドケース，半田
付け固定板，及びレーザダイオード保持部材が半田によ
り相互に固定された状態を示す側面図である。

【図４】図１の（Ａ）に示されたスイングアーム式光ピ
ックアップのハウジングの短い方の腕の端壁に図３の
（Ａ）の高周波シールドケースが取り付けられた状態を
示す水平断面図である。

【符号の説明】

１４ レーザダイオード（半導体レーザ） １４ａ レーザダイオード端子 ５０ レーザダイオード保持部材（半導体レーザ保持部
材） ５０ａ 開口 ５２ 半田付け固定板 ５２ａ 開口 ５２ｃ，５２ｄ 半田付着部 ５６ 第１の高周波シールドケースハーフ ５６ａ 開口 ５８ 高周波発振回路基板 ６０ 第２の高周波シールドケースハーフ ６２ａ，６２ｂ 半田 ７０ レーザダイオード保持部材（半導体レーザ保持部
材） ７０ａ 開口 ７２ 半田付け固定板 ７２ａ 開口 ７２ｃ，７２ｄ 半田付着部 ７６ 第１の高周波シールドケースハーフ ７６ａ 開口 ７８ 高周波発振回路基板 ８０ 第２の高周波シールドケースハーフ ８２ 半田

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザが挿入され保持されるとと
   もに半導体レーザの端子が露出される開口を有した半導
   体レーザ保持部材と；半導体レーザ保持部材とともに固
   定部材にねじにより固定される半田付け固定板と；半田
   付け固定板に対して半導体レーザ保持部材とは反対側に
   重ねられ、半導体レーザの端子が挿入される開口が形成
   されている第１の高周波シールドケースハーフと；第１
   の高周波シールドケースハーフに重ねて配置され、上記
   半導体レーザの端子に接続される高周波発振回路基板を
   第１の高周波シールドケースハーフと協働して格納する
   第２の高周波シールドケースハーフと；そして、 半田付け固定板の半田付着部と第１及び第２の高周波シ
   ールドケースハーフの中の少なくとも第２の高周波シー
   ルドケースハーフにおいて半田付け固定板の半田付着部
   に対応した部分とを接続する半田と；を備えたことを特
   徴とする半導体レーザ装置の高周波シールドケース。
2. 【請求項２】 第１の高周波シールドケースハーフには
   上記ねじの逃げ部が設けられている、ことを特徴とする
   請求項１に記載の半導体レーザ装置の高周波シールドケ
   ース。
3. 【請求項３】 半田付け固定板の半田付着部は第１の高
   周波シールドケースハーフの周縁よりも外方に向かい突
   出している、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体
   レーザ装置の高周波シールドケース。
4. 【請求項４】 半田付け固定板の半田付着部に対応した
   第１の高周波シールドケースハーフの周縁の少なくとも
   一部は第１の高周波シールドケースハーフの周縁の他の
   部分から内方に向かい凹んでいる、ことを特徴とする請
   求項１に記載の半導体レーザ装置の高周波シールドケー
   ス。
5. 【請求項５】 第１の高周波シールドケースハーフは４
   角形の平面形状を有していて、第１の高周波シールドケ
   ースハーフの周縁の上記少なくとも一部は周縁の少なく
   とも２辺に設けられている、ことを特徴とする請求項４
   に記載の半導体レーザ装置の高周波シールドケース。
6. 【請求項６】 高周波発振回路基板のグランドパターン
   が第１及び第２の高周波シールドケースハーフの少なく
   ともいずれか一方に電気的に接続されている、ことを特
   徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の
   半導体レーザ装置の高周波シールドケース。